CN1535090A - 有机场致发光装置及其制造方法 - Google Patents

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��Ħ�շ�
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Abstract

本发明公开了一种有机EL装置，其具有下电极、上电极和设置在下电极与上电极之间并包括至少一个发光层的有机发光功能层，形成在衬底上的该有机EL装置以透明钝化膜覆盖，并且在钝化膜上设置滤色片。该有机EL装置可以形成的很薄。在具有设置在衬底与有机发光功能层之间的TFT的有源驱动型有机EL装置中，可以在有机EL装置以钝化膜覆盖后，设置滤色片。除了改善数值孔径和对比度，还可以避免由用于制造TFT的高温工艺引起的滤色片劣化。

Description

有机场致发光装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种用于显示单元的有机场致发光装置。
背景技术
近年来，对于有机场致发光(EL：electroluminescent)装置的研究十分热衷。在通过使用此种类型的有机EL装置的显示单元实现全色显示(full colordisplay)时，通常使用这样以下方法，一种方法为通过并排沉积RGB发射材料产生用于分别发射RGB光的有机发光功能层(单独构图法)，一种方法为将滤色片与用于发射白色单色光的有机发光功能层相结合(滤色片法)，一种方法为将荧光色彩转化层与用于发射蓝或白色单色光的有机发光功能层相结合(荧光色彩转化法)，或者一种方法为在用于发射单色光的有机发光功能层的发光区上施加电磁波从而实现具有多种颜色的光(光致褪色法)等。
在用于实现全色显示的方法中，滤色片法或荧光色彩转化法在以下方面十分出色，即可以通过构图滤色片或包括荧光物质的荧光色彩转化层来实现全色显示，以及由于可以设置为单层有机发光功能层因此制造方法简单且便宜。从有机发光功能层120射出的光从与衬底100相对的表面引出，如在JP-A-2000-195670中所公开的。这是因为，滤色片层和荧光色彩转化层(用于利用将自有机发光功能层发射的光的波长向长波长一侧移动的功能来改变发射光的颜色的层、或者利用选择发射光的波长的功能来改变发射光的颜色的层，以下一般称作滤色片)无需设置在衬底100与有机发光功能材料层120之间，因为无需设置透明衬底作为衬底100，或是因为不存在由于透明衬底而导致的引出率降低的问题。
特别是对于使用的不是无源驱动法而是基于薄膜晶体管与有机发光功能层的组合的有源驱动的有机EL装置的情况，存在必须尽可能地减小有机发光功能层下的薄膜晶体管(以下称作TFT 201)，使得TFT 201不阻挡从有机发光功能层发射的光。当TFT 201形成在滤色片上时，存在这样一种可能，即滤色片可能由于用于制造TFT 201的高温工艺而受损。为了避免对滤色片的损害，在使用有源驱动法的有机EL装置中，发射的光从与衬底200相对的表面引出(见JP-A-LL-339968)。
发明内容
根据JP-A-2000-195670介绍的发明，在衬底100上顺序设置下电极110、有机发光功能层120、上电极130和滤色片150，并且形成用于抑制滤色片150的组成成份侵入有机发光功能层120的透明侵入抑制层140。然而，来自有机EL装置以外的水、氧等可视为导致有机发光功能层劣化的原因。因此，在JP-A-2000-195670的构造中，存在必须分别设置用于密封有机EL装置的装置的缺点(见图1)。
另一方面，在具有设置在如JP-A-11-339968所述的衬底200上的TFT201的有源驱动型有机EL装置中，下电极210、有机发光功能层220和上电极230顺序设置在每个TFT 201上。当有机EL装置随后用包括滤色片250在内的密封衬底240密封时，存在有机EL装置整体变厚的问题，因为形成在每个有机发光功能层220与相应的滤色片250之间的间隔中的距离，并且存在从有机EL装置射出的光变模糊而降低对比度的问题(见图2)。
因此，本发明的目的在以提供一种有机EL装置，其中提供了有效的密封单元并获得了对比度的改善。
为了实现上述目的，本发明提供了一种有机EL装置，包括：下电极；上电极；有机发光功能层，设置在下电极与上电极之间并包括至少一个发光层；以及，透明钝化膜，用于密封下电极与上电极、以及有机发光功能层，其中该有机EL装置还包括设置在钝化膜上的滤色片。
本发明还提供了一种有机EL装置，包括：衬底；下电极，设置在衬底上；上电极；有机发光功能层，设置在下电极与上电极之间并包括至少一个发光层；以及，透明钝化膜，用于密封下电极与上电极、以及有机发光功能层，其中该有机EL装置还包括设置在钝化膜上的滤色片，使得光从与衬底相对的表面引出。
本发明还提供了一种制造有机EL装置的方法，该有机EL装置包括下电极、上电极、以及设置在下电极与上电极之间并包括至少一个发光层的有机发光功能层，该方法包括步骤：利用透明钝化膜密封有机EL装置；以及，在钝化膜上设置滤色片。
本发明还提供了一种制造有机EL装置的方法，该有机EL装置包括衬底、设置在衬底下的下电极、上电极、以及设置在下电极与上电极之间并包括至少一个发光层的有机发光功能层，该方法包括步骤：利用透明钝化膜密封有机EL装置；以及，在钝化膜上设置滤色片。
附图说明
图1为现有技术(JP-A-2000-195670)中的有机EL装置的说明图；
图2为现有技术(JP-A-11-339968)中的有机EL装置的说明图；
图3为示出本发明第一实施例的说明图；
图4A至4C为关于第一实施例中滤色片的说明图；
图5A至5F为关于第一实施例中滤色片的对准的说明图；
图6为示出本发明第二实施例的说明图；以及
图7为示出本发明第三实施例的说明图。
具体实施方式
下面，将详细介绍有机EL装置的结构、用于制造有机EL装置的材料以及用于制造有机EL装置的方法。然而，本发明并不特别限于下面的实施例，而是可以根据该有机EL装置的使用目的对设计进行适当的改动。所有的改动都可在本发明中使用。
第一实施例
下面，将参照图3介绍本发明的第一实施例。在衬底1上顺序叠置下电极2、有机发光功能层3和上电极4后，用透明钝化膜5密封层3以及电极2和4。密封步骤后，在钝化膜5上设置滤色片6。按此方式，可以制得很薄的有机EL装置。
衬底1的形状并没有特殊的限制。例如，可以使用平板形、薄膜形或球形的。玻璃、塑料、石英、金属等可以用作衬底1的材料。特别是在类行为从与衬底1相对的表面引出光的有机EL装置中，衬底1透明与否无关紧要。优选，可以使用玻璃或透明塑料作为衬底1的透明材料。
下电极2和上电极4中的哪一个用作阴极或阳极是无关紧要的。优选，至少上电极4由透明材料制成。阳极由功函数比阴极材料高的材料制成。诸如铬(Cr)、钼(Mo)、镍(Ni)或铂(Pt)的金属膜，或者诸如氧化铟(In2O3)、ITO或IZO的透明导电膜可用作阳极。另一方面，阴极由功函数比阳极材料低的材料制成。诸如铝(Al)或镁(Mg)的金属膜，诸如掺杂聚苯胺(polyaniline)或掺杂聚乙烯苯(polyphenylene-vinylene)的非晶半导体薄膜，或者诸如Cr2O3、NiO或Mn2O5的氧化物薄膜可用作阴极。下电极2和上电极4中的每一个均可使用透明材料制成，并且可以在电极与发光侧相对的一侧上设置反射膜。优选，反射膜可以设置在衬底1与下电极2之间，使得有机EL装置设置为从上表面发射光的装置。
通过诸如汽相沉积或溅射的方法在衬底1上形成薄膜形式的下电极2，并且通过光刻等构图成期望的形状。形成有机发光功能层3，使其夹在彼此成对的下电极2与上电极4之间。形成垂直于几行下电极2的几行上电极4，使下电极2和上电极4形成矩阵。上电极4通过诸如汽相沉积或溅射的方法形成为薄膜。
通常将空穴传输层、发光层和电子传输层的组合用作有机发光功能层3。发光层、空穴传输层和电子传输层中的每一层可以设置为单层，也可以设置为多个层的叠层。空穴传输层和电子传输层中的任何一个或者两个都以省略。根据使用目的，诸如空穴注入层或电子注入层的有机功能层可以插在有机发光功能层3中。
只要该空穴传输层具有很高的空穴迁移率，那么从现有技术的已知化合物中选取任何材料均可以用作空穴传输层的材料。空穴传输层材料的具体例子包括：诸如铜酞菁(copper phthalocyanine)的卟啉(porphyrin)化合物；诸如4，4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]-联苯(NPB)(4，4’-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]-biphenyl)的芳香叔胺；诸如4-(二-对甲苯基氨基)-4’-[4-(二-对甲苯基氨基)苯乙烯基]二苯乙烯(4-(di-P-tolylamino)-4’-[4-(di-P-tolylamino)styral]stilbenezene)的二苯乙烯化合物；以及诸如***(triazole)衍生物和苯乙烯胺(styrylamine)化合物的有机材料。通过将低分子空穴输运有机材料扩散至诸如聚碳酸酯的高分子材料中制备的高分子扩散材料也可用作空穴传输层的材料。
可以将任何已知的发光材料用作发光层的材料。发光层材料的具体例子可包括：诸如4，4’-双(2，2’-二苯基乙烯基)-联苯(DPVBi)(4，4’-bis(2，2’-diphenylvinyl)-biphenyl)的芳香二次甲基(dimethylidyne)化合物；诸如1，4-双(2-甲基苯乙烯基)苯(1，4-bis(2-methylstyryl)benzene)的苯乙烯基苯(styrylbenzene)化合物；诸如3-(4-联苯)4-苯基-5-叔丁苯基-1，2，4-***(3-(4-biphenyl)-4-phenyl-5-t-butylpheny-1，2，4-triazole)(TAZ)的***衍生物；诸如蒽醌(anthraquinone)衍生物和芴酮(fluorenone)衍生物的荧光有机材料；诸如(8-羟基喹啉酸)铝络合物(Alq3)的荧光有机金属化和物；诸如聚链烯-乙烯(polyparaffinylene-vinylene)(PPV)化合物、聚芴化合物和聚乙烯基咔唑(polyvinylcarbazole)(PVK)化合物的高分子材料；以及能够利用来自诸如铂合成物或铱合成物的三重激子的荧光发光的有机材料。发光层可以仅由上述发光材料制成。或者，发光层可以含有空穴输运材料、电子输运材料、添加剂(诸如施主或受主)、发光杂质等。这些材料可以扩散于高分子材料或无机材料中。
只要电子传输层具有将从阴极注入的电子输运至发光层的功能，任何从现有技术中选取的材料都可作为电子传输层的材料。电子传输层材料的具体示例包括：诸如硝酸芴酮(nitrated fluorenone)衍生物和蒽醌二甲烷(anthraquinodimethane)衍生物的有机材料；诸如8-羟基喹啉衍生物的金属合成物；以及金属酞菁。
空穴传输层、发光层和电子传输层的材料不限于上述材料，而是可以适当的选取。空穴传输层、发光层和电子传输层中的每一个可以利用诸如涂覆法(例如，旋涂法或浸涂法)或印刷法(例如，喷墨法或丝网印刷法)的湿法工艺或诸如汽相沉积法或激光转移法的干法工艺形成。
钝化膜5可以设置为单层、多个层的叠层或通过涂覆形成的薄膜，如果钝化膜5是透明的。优选，钝化膜5的厚度选择在从0.1μm至100μm的范围内，更加优选地在从0.5μm至10μm的范围内。如果有机发光功能层3与滤色片6之间的距离过长，就会发生诸如色彩模糊的对比度降低。若钝化膜5的厚度保持得不够，就会发生密封性的下降。
钝化膜5的材料是无机物或是有机物无关紧要。钝化膜5的无机材料的示例包括：诸如SiN、AlN或GaN的氮化物；诸如SiO2、Al2O3、Ta2O5、ZnO或GeO的氧化物；诸如SiNO的氮氧化物；诸如SiCN的碳氮化物；金属氟化合物；以及金属膜。钝化膜5有机材料的示例包括：环氧树脂；丙烯酸树脂；聚对二甲苯；诸如全氟烯烃(perfluoroolefin)、全氟***(perfluoroether)、四氟乙烯、三氟氯乙烯(chlorotrifluoroethylene)和二氟二氯乙烯(dichlorodifluoroethylene)的高分子氟化物；诸如CH3OM和C2H5OM的金属醇盐；聚酰亚胺前体；以及二萘嵌苯化合物。
钝化膜5可具有叠层结构，诸如包括氮氧化硅在内的两种或更多种物质的叠层结构；包括无机保护膜、硅烷结合层和树脂密封膜的叠层结构；包括无机材料的阻挡层和有机材料的覆盖层的叠层结构；包括无机物质和有机物质与金属或半导体的化合物(诸如Si-CXHY)的叠层结构；其中无机膜与有机膜交替叠置的结构；或者，其中SiO2或Si3N4叠置在Si层上的结构。
可以将物理汽相沉积法或化学汽相沉积法用作形成钝化膜5的方法。物理汽相沉积法的具体例子包括电阻加热真空汽相沉积法、电子束加热真空汽相沉积法、高频电感加热真空汽相沉积法、汽相沉积聚合法、等离子体汽相沉积法、分子束外延法、簇离子束法、离子镀法、等离子体聚合法和溅射法。化学汽相沉积法的具体离子包括等离子体CVD法、激光CVD法、热CVD法和气体源CVD法。沉积的方法可以在考虑钝化膜的材料等的基础上选取。
如图4A至4C所示，滤色片6可以形成为钝化膜5上的滤色片层7或荧光色彩转化层8的单层，或者可以形成为钝化膜5上的荧光色彩转化层8和滤色片层7的叠层。当滤色片层7或荧光色彩转化层8形成在钝化膜5上时，如图4A或4B所示，可以抑制外部光的反射。如图4C所示，滤色片层7可以设置在荧光色彩转化层8上，使得滤色片7的RGB与荧光色彩转化层8的RGB相对应。根据此构造，可以避免由外部光激发荧光色彩转化层8中产生荧光的问题，尽管该问题被认为造成显示器中对比度降低的一个原因。
滤色片层7可以通过各种方法沉积/形成，这些方法包括：染色法，其中诸如具有通过重铬酸盐处理而获得感光性的凝胶、胶水或聚乙烯醇的染色基体材料通过蚀刻或通过使用彩色抗蚀剂而形成；色素扩散法，其中通过向诸如聚酰亚胺树脂的树脂中扩散色素而获得的着色树脂通过蚀刻而形成，或者通过向诸如丙烯酸/环氧树脂或可光致交联的聚乙烯醇的紫外固化树脂(负性抗蚀剂)中扩散色素而获得的着色树脂通过使用彩色抗蚀剂而形成；电沉积法，其中将色素扩散至诸如溶于电解溶液中的聚酯树脂或黑色素树脂的阴离子树脂中并使其电化学沉积(电镀)；或者，印刷法，其中利用通过制备色素、油酸或硬脂酸、苯酚、乙醇和添加剂(用于促进干燥或调解粘滞度)获得的RGB墨水执行印刷。
荧光色彩转化层8具有吸收诸如从有机发光功能层3射出的近紫外光、蓝光、青绿光或白光并产生在从蓝或青绿色至红色的可见光范围内的荧光的功能。尽管用于荧光色彩转化层8的荧光材料的示例将在下面介绍，但只要荧光色彩转化层8具有上述功能，则该材料并无特别的限制。用于接收来自有机发光功能层3的近紫外光并产生蓝色荧光的荧光材料的例子包括Bis-MSB(1，4-双(2-甲基苯乙烯基)苯(1，4-bis(2-methylstyryl)benzene))、DPS(反式-4，4’-二苯基二苯乙烯(trans-4，4’-diphenylstilbenezene))、以及香豆素-4(coumarin-4)(7-羟基-4-甲基香豆素(7-hydroxy-4-methylcoumarin))。用于接收从有机发光功能层3射出的蓝光并产生绿色荧光的荧光材料的例子包括：香豆素-153(coumarin-153)(2，3，5，6-1H，4H-四氢-8-三氟甲基喹嗪并(9，9a，1-gh)香豆素(2，3，5，6-1 H，4H-tetrahydro-8-trifluormethylquinolizino(9，9a，1-gh)coumarin))、香豆素-6(coumarin-6)((3-2’-苯并噻唑基)-7-二乙基氨基香豆素(3-2’-benzothiazolyl)-7-diethylaminocoumarin))、以及香豆素-7(coumarin-7)((3-2’-苯并噻唑基)-7-N，N-二乙基氨基香豆素(3-2’-benzothiazolyl)-7-N，N-diethylaminocoumarin))。用于接收从有机发光功能层3射出的青绿光并产生红色荧光的荧光材料的例子包括：DCM(4-二氰基亚甲基-2-甲基-6-(对二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(4-dicyanomethylene-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran))、吡啶-1(pyridine-1)(1-乙基-2-(4-(对二甲基氨基苯基)-1，3-丁二烯基)-吡啶鎓-过铬酸盐(1-ethyl-2-(4-(p-dimethylaminophenyl)-1，3-butadienyl)-pyridinium-percholalate)、以及若丹明(rhodamine)色素。上面以示例的方式列出了荧光材料、树脂等，优选，通过汽相沉积或溅射或通过光刻等与滤色片层7的形成中相同的方法，在钝化膜5上沉积包括荧光材料的透明光致抗蚀剂(光感树脂)，从而形成荧光色彩转化层8。
尽管本实施例已就使用RGB三原色的全色有机EL装置介绍如上，但本发明不限于此，而是可以应用于使用双色或诸如四色的多色显示中。RGB中每个像素的显示面积和显示形状没有特别的限制，而是可以根据设计适当地变化。
滤色片6可以通过涂覆形成为钝化膜5上的薄膜。按此方式，滤色片6的厚度可以选择为大于100μm，使其可以制造更薄的面板。因为滤色片6设置为薄膜，因此面板可以通过将滤色片6置于钝化膜5上的简单操作而容易地制备。
具体而言，如图5A所示，滤色片6的对准点9标记在上电极4上。然后如图5B所示，在形成钝化膜5后，将滤色片6置于钝化膜5上，使得设置在滤色片6上的对准点A与对准点9交叠。图5C示出了这样一种状态，其中对准点9与A的交叠被校正。图5D示出了这样一种状态，其中对准点9与A的交叠未被校正。图5E和5F示出了对准点9和A的形状的其它范例。对准点9和A的形状不限于此。只要可以实现对准，任何其它形状都可以使用。尽管已经就在上电极4上标记对准点9的情况进行了介绍，但本发明不限于此。例如，对准点可以标记在衬底1或下电极2上。
根据第一实施例，因为有机发光功能层3以钝化膜5密封，因此有机EL装置可以比使用密封衬底240的JP-A-11-339968或JP-A-2000-195670更薄。另外，由于滤色片6设置在作为薄膜的钝化膜5上，因此有机发光功能层3与滤色片6之间的距离可以设定得很短，使得对比度可以比JP-A-11-339968得到改善。
第二实施例
下面，将参照图6介绍本发明的第二实施例。由栅极电绝缘膜11、栅极电极12、漏极电极13、源极电极14和层间电绝缘层15构成的TFT 16设置在衬底10上。以平整层17覆盖TFT 16，从而平整化TFT 16上的不规则部分。漏极电极13通过分别处于平整层17内的接触孔18与下电极(像素电极)20电连接。有机发光功能层30和上电极40分别叠置在下电极20上。以钝化膜50覆盖并密封下电极20、有机发光功能层30和上电极40。滤色片60设置在钝化膜50上，使得滤色片60位于与用于发光的像素部分相对应的位置。尽管下面将简单介绍根据本实施例的用于制造有机EL装置的方法，但本发明不限于以下方法，只要可以制得上述结构，对制造方法并没有特别的限制。
通过激光退火在衬底10上形成p-Si薄膜。通过紫外准分子激光束构图p-Si薄膜后，通过CVD法沉积氮化硅等的薄膜，从而形成栅极电绝缘膜11。然后，通过蚀刻构图由利用CVD法沉积的多晶硅膜和利用溅射法或CVD法沉积的金属硅化物薄膜的叠层构成的多边结构材料膜，同时用通过光刻形成的抗蚀剂图形掩模，从而形成栅极电极12。
形成栅极电极12后，通过离子掺杂法注入杂质，从而形成漏极电极13和源极电极14。然后，形成诸如氧化硅的氧化硅材料，使得栅极电极12、漏极电极13和源极电极14以氧化硅材料覆盖。按此方式，层间电绝缘层15形成在衬底10上。
然后，在TFT 16上通过旋涂法涂覆光感聚酰亚胺，从而形成用于平整TFT 16中的不规则部分的平整层17。另外，对平整层17进行图形曝光，从而使平整层17的曝光部分溶于显影液中。平整层17通过旋喷显影单元显影，使得平整层17的暴露部分溶于显影液中，从而将其去除。按此方式，形成接触孔18。
如上所述地形成平整层17和接触孔18后，通过溅射构图下电极20，使其分别与漏极电极13电连接。有源EL装置按照与第一实施例相同的方式形成在每个下电极20上。
根据第二实施例，由于构造为使得光从与衬底10一侧相对的表面射出，因此可以自由地设计TFT 16，使得来自有源发光功能层30的光可以有效地出射至外界。除第一实施例的效果以外，第二实施例对于改善数值孔径十分有效。
第三实施例
下面，将参照图7介绍本发明的第三实施例。有机EL装置包括下电极72、有机发光功能层73、以及上电极74，它们出于以下状态，其中下电极72、有机发光功能层73和上电极74夹持在两片钝化膜71之间。滤色片75通过与第一实施例相同的方式对准。在此情况下，下电极72、有机发光功能层73、上电极74和滤色片75中的每一个都可以通过与第一实施例相同的方法利用相同的材料制成。在第三实施例中，下电极72和上电极74可以按照相反的构造布置。
钝化膜71由透明塑料膜等制成。具体地说，聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)、聚乙烯-2、6-萘酸酯(6-naphthalate)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚砜(polysulfone)、聚醚砜(polyether-sulfone)、聚醚-醚-酮(polyether-ether-keton)、含氟树脂(fluororesin)或聚丙烯(polypropylene)的薄膜可以用作塑料膜。塑料膜的厚度可以优选在1μm至1000μm的范围内，并且更加优选在1μm至50μm的范围内。若有机发光功能层73与滤色片75之间的距离过大，则会发生由于诸如色彩模糊而降低对比度。若钝化膜71的厚度不够，则会降低密封性。
可以通过真空薄膜形成法(诸如真空汽相沉积、离子镀或溅射)在塑料膜的表面上沉积无机物质(例如诸如SiO2的氧化硅或金属氟化物)，从而改善气体阻挡特性和水蒸气阻挡特性。
尽管图7示出了钝化膜71形成为单一材料的情况，但本发明还可应用于钝化膜71的片层由不同材料制成，只要至少滤色片75一侧上的钝化膜71的片层是透明的。其间夹持了有机EL装置的两片钝化膜71可使用诸如氨基甲酸酯粘合剂、丙烯酸粘合剂、环氧树脂粘合剂或环氧胺粘合剂的粘合剂(未示出)结合。钝化膜71的两片中的至少一个可以由诸如聚乙烯(polyethylene)、聚氨酯(polyurethane)、聚苯乙烯(polystyrene)或聚丙烯(polypropylene)的热熔塑料制成，使得两片钝化膜71可以彼此粘合。
根据第三实施例，由于构造为使得有机EL装置夹持在两片钝化膜71之间，因此除第一和第二实施例的效果以外，有机EL装置可以设置为柔性薄装置。
为说明和解释的目的，已经在前面提供了对于本发明优选实施例的上述说明。并非打算详尽说明本发明或精确地将限制本发明，可以按照上述技术对本发明进行改动或变化，或者可以由于发明实际的要求进行改动或变化。选择并介绍实施例是为了向本领域技术人员说明本发明的原理及其实际应用，从而将本发明应用于各种实施，以及适于各种用途的各种改动。本发明的范围应限定为所附权力要求及其等效物。

Claims (15)

1.一种有机EL装置，包括：
下电极；
上电极；
有机发光功能层，设置在下电极与上电极之间并包括至少一个发光层；
透明钝化膜，用于密封下电极与上电极、以及有机发光功能层；以及
滤色片，设置在钝化膜上。
2.一种有机EL装置，包括：
衬底；
下电极，设置在衬底上；
上电极；
有机发光功能层，设置在下电极与上电极之间并包括至少一个发光层；
透明钝化膜，用于密封下电极与上电极、以及有机发光功能层；以及
滤色片，设置在钝化膜上，
其中，光从与衬底相对的表面引出。
3.根据权利要求1所述的有机EL装置，其中滤色片叠置在钝化膜上。
4.根据权利要求1所述的有机EL装置，其中滤色片形成为钝化膜上的薄膜，使得钝化膜以滤色片涂覆。
5.根据权利要求1所述的有机EL装置，其中钝化膜包括多个密封层的叠层。
6.根据权利要求1所述的有机EL装置，其中钝化膜形成为薄膜。
7.根据权利要求1所述的有机EL装置，还包括形成在衬底上的薄膜晶体管，其中有机发光功能层设置在薄膜晶体管上。
8.一种制造有机EL装置的方法，包括：
利用透明钝化膜密封有机EL装置；以及
在钝化膜上设置滤色片。
9.根据权利要求8所述的制造有机EL装置的方法，其中有机EL装置包括下电极、上电极和设置在下电极与上电极之间并包括至少一个发光层的有机发光功能层。
10.根据权利要求9所述的制造有机EL装置的方法，其中有机EL装置包括衬底、设置在衬底上的下电极。
11.根据权利要求8所述的制造有机EL装置的方法，还包括钝化膜上滤色片的叠层。
12.根据权利要求8所述的制造有机EL装置的方法，其中滤色片形成为钝化膜上的薄膜，使得钝化膜以滤色片覆盖。
13.根据权利要求8所述的制造有机EL装置的方法，其中钝化膜包括多个密封层的叠层。
14.根据权利要求8所述的制造有机EL装置的方法，其中钝化膜形成为薄膜。
15.根据权利要求8所述的制造有机EL装置的方法，还包括在形成于衬底上的薄膜晶体管上设置有机发光功能层。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101171698B (zh) * 2005-05-11 2010-05-19 松下电工株式会社 有机电致发光元件
CN1870235B (zh) * 2005-05-27 2010-12-15 三星移动显示器株式会社 有机tft,其制造方法以及平板显示器件
CN103474581A (zh) * 2013-09-23 2013-12-25 京东方科技集团股份有限公司 电致发光装置及其制备方法
WO2020062762A1 (zh) * 2018-09-26 2020-04-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7202504B2 (en) * 2004-05-20 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
KR20060030543A (ko) * 2004-10-06 2006-04-11 주식회사 케이씨텍 중성화 빔을 이용한 ｏｌｅｄ 및 그 제조 방법
KR100700013B1 (ko) * 2004-11-26 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법
WO2006061728A2 (en) * 2004-12-06 2006-06-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Single chip led as compact color variable light source
JP4592473B2 (ja) * 2005-03-31 2010-12-01 三洋電機株式会社 発光パネルの製造方法、表示パネルの製造方法及び表示パネル
JP5076296B2 (ja) * 2005-09-15 2012-11-21 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR101308203B1 (ko) * 2005-12-14 2013-09-13 샤프 가부시키가이샤 유기 ｅｌ 디스플레이의 제조 방법
KR100773934B1 (ko) * 2005-12-19 2007-11-06 주식회사 대우일렉트로닉스 오엘이디 디스플레이 패널 및 그 제조 방법
KR100712184B1 (ko) * 2006-02-23 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR100696557B1 (ko) * 2006-06-02 2007-03-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR100873082B1 (ko) * 2007-05-30 2008-12-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP5162179B2 (ja) * 2007-07-31 2013-03-13 住友化学株式会社 発光素子およびその製造方法並びに照明装置
DE102007052181A1 (de) * 2007-09-20 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
EP2040316B1 (de) * 2007-09-20 2014-08-06 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP2010027265A (ja) * 2008-07-16 2010-02-04 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置、その製造方法及び電子機器
KR101207209B1 (ko) * 2011-02-07 2012-12-03 성균관대학교산학협력단 다층 봉지막의 제조방법 및 이를 이용한 플렉시블 유기 반도체 소자의 제조방법
TWI515936B (zh) * 2011-12-15 2016-01-01 友達光電股份有限公司 發光裝置及其製作方法
US9070648B2 (en) 2012-11-27 2015-06-30 Apple Inc. Electronic devices with display-integrated light sensors
US9310843B2 (en) 2013-01-02 2016-04-12 Apple Inc. Electronic devices with light sensors and displays
KR20150010232A (ko) 2013-07-18 2015-01-28 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
TWI681559B (zh) * 2013-10-10 2020-01-01 日商精工愛普生股份有限公司 發光裝置及包含其之電子機器
KR102126176B1 (ko) * 2014-02-05 2020-06-25 삼성디스플레이 주식회사 파장 변환 부재 및 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리
US10644077B1 (en) 2015-10-28 2020-05-05 Apple Inc. Display with array of light-transmitting windows
US10157590B1 (en) 2015-12-15 2018-12-18 Apple Inc. Display with localized brightness adjustment capabilities
US10163984B1 (en) 2016-09-12 2018-12-25 Apple Inc. Display with embedded components and subpixel windows

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2823725B2 (ja) * 1992-01-18 1998-11-11 シャープ株式会社 カラー薄膜ｅｌパネル
WO2002017689A1 (fr) * 2000-08-23 2002-02-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Afficheur electroluminescent organique
TW548860B (en) * 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101171698B (zh) * 2005-05-11 2010-05-19 松下电工株式会社 有机电致发光元件
US8314545B2 (en) 2005-05-11 2012-11-20 Panasonic Corporation Organic electroluminescence element
CN1870235B (zh) * 2005-05-27 2010-12-15 三星移动显示器株式会社 有机tft,其制造方法以及平板显示器件
US7928429B2 (en) 2005-05-27 2011-04-19 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic TFT, method of manufacturing the same and flat panel display device having the same
CN103474581A (zh) * 2013-09-23 2013-12-25 京东方科技集团股份有限公司 电致发光装置及其制备方法
WO2015039501A1 (zh) * 2013-09-23 2015-03-26 京东方科技集团股份有限公司 电致发光显示装置及其制备方法
CN103474581B (zh) * 2013-09-23 2016-05-11 京东方科技集团股份有限公司 电致发光装置及其制备方法
US9698380B2 (en) 2013-09-23 2017-07-04 Boe Technology Group Co., Ltd. Electroluminescence display device with a protective layer and fabrication method thereof
US9935290B2 (en) 2013-09-23 2018-04-03 Boe Technology Group Co., Ltd. Fabrication method of electroluminescence display device with protective layer
WO2020062762A1 (zh) * 2018-09-26 2020-04-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004220874A (ja) 2004-08-05
KR20040065183A (ko) 2004-07-21
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