CN1463464A - 具有降频转换荧光体的放电灯 - Google Patents
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Abstract
一种气体放电灯,它安装有气体放电容器,其中充满了适合于气体放电的气体填充物,该气体放电发射VUV(真空紫外线),它还安装有含有一种降频转换荧光体的荧光体涂层,以及安装了用于起弧和保持气体放电的装置,其中该降频转换荧光体在一个主晶格中具有一对第一镧系金属离子和第二镧系金属离子的活化剂并且自铊(I)离子,铅(II)离子和铋(III)离子组成的组中选择的感光剂是环保的并且具有高的灯效率。本发明还涉及一种降频转换荧光体,该荧光体包括在主晶格中的一对第一镧系金属离子和第二镧系金属离子的活化剂和自铊(I)离子,铅(II)离子和铋(III)离子组成的组中选择的感光剂。
Description
本发明涉及一种气体放电灯,它安装有气体放电容器,其中充满了适合于气体放电的气体填充物,该气体放电发射VUV(真空紫外线),它还安装有含有一种降频转换的荧光体的荧光体涂层,以及安装了用于起弧和保持气体放电的装置。
传统的荧光灯是水银气体放电灯,这种灯的发光是以水银的低压气体放电为基础的。水银的低压气体放电发出主要是在UV(紫外线)附近最大值约为254nm的射线,这样的射线由UV荧光体转变成可见光。
水银气体放电灯具有一种精确的技术,在灯效率η方面,其它的灯的技术仅可以与之相当或者说很难超越。
然而,在气体填充物中水银逐渐被视为一种对环境有害的有毒物质,该种物质由于在使用,生产和处理方面的环境的风险应该尽可能地避免在现代的批量生产中使用。因此,一段时间以来一直集中努力在发展出一种可替换的灯技术。
一种替换传统的水银气体放电灯的无水银或者低水银气体放电灯是氙的气体放电灯,这种灯的气体填充物主要包括氙。在氙的低压气体放电灯中气体放电发出与水银放电的UV射线不同的真空紫外线(VUV射线)。该VUV射线由诸如Xe2 *的激态原子产生,并且是波谱范围约172nm的分子光谱谱带射线,使用这种技术已经获得65%的放电效率ηdis。
氙的低压气体放电灯的另一个优点在于气体放电的短的响应时间,因此使得它可以用作汽车的信号灯,复印机或者传真设备用灯和水的消毒灯。
但是尽管氙的低压气体放电灯获得的放电效率ηdis可以与水银的气体放电灯的放电效率ηdis相比,但是氙的低压气体放电灯的灯效率ηlamp仍然非常低于水银的气体放电灯的灯效率ηlamp。
原则上,灯效率包括元件的放电效率ηdis,荧光体效率ηphos,离开灯的所产生的可见光部分ηesc和荧光体产生的UV射线部分ηvuv:ηlamp=ηdis*ηphos*ηesc*ηVUV。
传统的氙的低压气体放电灯的阻碍在于,波长在172nm范围的富含能量的VUV光子向来自通过灯的荧光体涂层产生的400nm-700nm的可见光谱的相对能量较低的光子的低效率的转换。即使荧光体的量子效率接近100%,VUV向可见光子的转换,由于非辐射转换导致平均损失了能量的65%。
然而,令人惊奇的是,已经可以研制一种VUV荧光体,对于VUV光子向可见光子的转换来说,它所获得的量子效率大于100%。该量子效率的获得是由于一个具有电子能量7.3ev的VUV量子转换为两个具有电子能量2.5ev的可见量子。这样的用于氙的低压气体放电灯的荧光体是公知的:例如rene T.Wegh,Harry Donker,KoentraadD.Oskam,Andries Meijerink的在Science(科学)283,663中的“Visible Quantum Cutting LiGdF4:Eu3+through Downconversion”。
类似于一段时间公知的多光子荧光体,该荧光体通过“增加频率转换(upconversion)”从两个可见的长波光子产生一个短波光子,公知这些新的荧光体用作从一个短波光子产生两个长波光子的降低频率转换的荧光体。
但是,虽然已知的降低频率转换的荧光体的量子效率很高,还是不能意味着荧光体效率ηphos也很高。荧光体效率ηphos不仅由量子效率决定还由荧光体吸收待转换的VUV射线的能力决定。而已知的降低频率转换的荧光体的吸收率很小。由于在晶格中非期望的吸收作用,因此损失了很多能量,并因此降低了被激发状态占有期。
本发明的一个目标在于开发出一种装备有气体放电容器,荧光体涂层和用于起弧和保持气体放电的装置的气体放电灯,该放电容器充满了适于气体放电的气体填充物,该气体放电发出VUV射线,该荧光体涂层包括降低频率转换的荧光体,该气体放电灯的效率得到了改进。
根据本发明,所取得的目标在于:一种装备有气体放电容器,荧光体涂层和用于起弧和保持气体放电的装置的气体放电灯,该放电容器充满了适于支持发出VUV射线的气体放电的气体填充物,其中降低频率转换的荧光体包括一对第一镧系离子和第二镧系离子的活化剂和感光剂,感光剂选自由铊(I)离子,铅(II)离子和铋(III)离子构成的组。
与现有技术相比,如果第一镧系离子为钆(III)离子,第二镧系离子为从钬(III)离子铕(III)离子中选择的,则本发明将获得特别好的效果。
在本发明的范围内,最好降低频率转换的荧光体包括作为第一镧系离子的钆(III)离子和,作为第二镧系离子的钬(III)离子以及从由铽(III)离子,镱(III)离子,镝III)离子,铕(III)离子,钐(III)离子,锰(III)离子,组成的组中选择的助活化剂。
另外本发明最好是该降低频率的荧光体的主晶格是氟化物。
该降低频率的荧光体最好包括浓度为10.0-99.8mol%的第一镧系离子,浓度为0.01-30.0mol%的第二镧系离子和浓度为0.01-30.0mol%的感光剂。
根据本发明的气体放电灯的实施例,该降低频率转换的荧光体包括浓度为0.5mol%的感光剂。
根据本发明的另一个实施例,该降低频率转换的荧光体包括浓度为0.01-30.0mol%的助活化剂。
根据本发明的另一个实施例,该降低频率转换的荧光体包括浓度为0.5mol%的助活化剂。
本发明还涉及一种降低频率转换的荧光体,它包括有在主晶格中的一对第一镧系离子和第二镧系离子的活化剂和感光剂,该感光剂从由铊(I)离子,铅(II)离子和铋(III)离子构成的组中选择。该荧光体的特征在于高量子效率,VUV光子的高吸收作用,以及高化学稳定性,因此所述的荧光体特别适于商业应用,还适于等离子体显示屏。这样的荧光体最好还可以用作机动车辆的信号灯。
现在具体描述本发明。
根据本发明的气体放电灯包括一气体放电容器和至少一个壁,该放电容器充满气体填充物,该壁的一个表面上至少可部分穿过可见射线并且提供有荧光体层。荧光体层包括一种具有无机结晶体主晶格的降低频率转换荧光体的荧光体制剂,通过一第一和第二镧系离子活化剂对的活化作用,该荧光体层获得了发光的能量。降低频率转换荧光体通过一种感光剂而具有感光性,该感光剂从由铊(I)离子,铅(II)离子和铋(III)离子构成的组中选择。另外,该气体放电灯装有起弧气体放电的电极结构和起弧和保持该气体放电的进一步的装置。
气体放电灯最好是一种氙的低压气体放电灯。公知的各种氙的低压气体放电灯在气体放电的起弧方面是不同的。首先气体放电的光谱包括人眼可见的VUV射线部分,该部分在气体放电容器内部上的VUV荧光体涂层中被转换成可见光,然后被发射。
术语“真空紫外线”在下面还指具有波长范围在145-185nm的最大发射的电磁射线。
用于气体放电灯体的典型结构中,包括一个充满氙的圆柱形玻璃灯泡,在外面灯泡的壁上设有一对彼此电气绝缘的带状电极。该带状电极在灯泡的全长上伸展,其中电极的长边彼此对置留有两个间隙地设置。电极连到高压电源的电极上,该电源是用20kHz-500kHz的交流电压操作的,使得仅仅在灯泡的内表面区域中形成放电。
当交流电压施加在电极上时,可以起弧在含氙填充物气体中的电晕放电。因此,在氙中形成激态原子,即由受激发的氙原子和在基本状态下的氙原子组成的分子。
激发能量再作为波长为λ=170-190nm的VUV射线被发射。这个从电子能量到UV射线的转换是高效率的。所产生的VUV光子被荧光体层的荧光体所吸收并且激发能量再被部分地以更长的长波光谱范围发射。
原则上对于放电容器来说,可以有多种形式,例如盘形,单个管子,共轴的管子,直线形,U形管子,圆弧形或者盘线形,圆柱形或者其它放电管。
可以使用石英或者玻璃类型作为放电容器的材料。
电极包括金属,例如铝或者银,金属合金或者一种透明的导体无机化合物,如ITO。它们可以做成涂层,粘合薄片,金属丝网或者铁丝网。
放电容器充满了含有惰性气体如氙,氪,氖或者氦。气体填充物最好主要包括具有低的气体压力例如2Torr的不氧化的氙。该气体填充物还可以包括小量的水银以便保持放电期间的低的气体压力。
气体放电容器的内壁部分或者全部涂装有荧光体涂层,该涂层包括一个或者多个荧光体或者荧光体制剂。该荧光体层还可以包括有机或者无机粘合剂或者一种粘合剂的组合。
荧光体涂层最好作为一种物质涂到气体放电容器的内壁上并且可以包括单个荧光体层或者多个荧光体层,特别是底部层和覆盖层的双层。
有底部层和覆盖层的荧光体涂层允许了覆盖层中的降低频率转换荧光体的数量减少,在底部层使用较便宜的荧光体。底部层最好包括用作荧光体的磷酸钙盐荧光体,以便获得所期望的灯的色调。
覆盖层包括降低频率转换荧光体,该荧光体这样将由气体放电产生的VUV射线基本部分直接转换成所期望的可见范围的射线。
根据本发明该降低频率转换荧光体的重要特征在于,它包括一对第一和第二镧系离子的活化剂和在主晶格中的感光剂。
该活化剂对的第一镧系离子最好是钆(III),该活化剂对的第二镧系离子可以从钬(III)离子,铕(III)离子中选择。
感光剂可以从由铊(I)离子,铅(II)离子和铋(III)离子构成的组中选择。总之,这些离子根据它们的电子结构表示为6s2离子。
感光剂增强了降低频率转换荧光体对VUV的感光性并且使得它更少地依赖波长。在100-200nm范围的所期望的VUV中,感光剂具有高的固有吸收作用,该吸收作用超过非感光的降低频率转换荧光体在大致183,195和202nm的固有吸收作用。由于晶格的缺陷导致穿过晶格的激发态以热振动形式释放给晶格能量因此损失了激发能量到活化剂对的转换。然后减少的,吸收的激发能量被传递到活化剂并且激活降低频率转换机制。因此导致降低频率转换荧光体的增加的亮度,因为该降低频率转换荧光体通过感光剂被感光,以至于在暴露在VUV射线时能够发光。
降低频率转换荧光体还可以附加包括一种助活化剂。该助活化剂从三价铽(III)离子,镱(III)离子,镝(III)离子,铕(III)离子,钐(III)离子和二价锰(III)离子组成的组中选择。第一镧系离子和第二镧系离子的活化剂对和助活化剂离子共同在光子的顺序发射中合作,通过光子的顺序发射,荧光体从VUV光子产生多于一个的可见光子。
通过钆(III)离子的8S-6G激发而发生激发机制,然后发生了在Gd(III)离子和钬(III)离子之间的交叉驰豫转换或者铕(III)离子的交叉驰豫转换。由于交叉驰豫转换,钆(III)离子从6G态转变为6P态,所释放的能量导致钬(III)离子或者铕(III)离子从5I8态转变为5F5态。然后钬(III)离子或者铕(III)离子发出一个可见光子,该能量对应于从5F5到5I8的转变或者从5D0到7F1的转变。
在钆(III)离子的6P态向助活化剂能量转化之后,也发出可见光子。
降低频率转换荧光体的主晶格可以包括诸如氟,氧化物,卤化物,铝酸盐,镓酸盐,磷酸盐,硼酸盐或者硅酸盐的含有一些百分含量的两种活化剂的无机材料。该活化剂可以设置在主晶格的晶格内位置和晶格间隙位置上。
对于主晶格来说,最好使用氟,例如氟的化合物M1F,其中M1=Li,Na,K,Rb,Cs或者氟的化合物M2F2,其中M2=Mg,Ca,Sr,Ba或者氟的化合物M3F3,其中M3=B,Al,In,Ga,Sc,Y,La,和镧系元素。最好是GdF3,其中第一镧系离子Gd3+是主晶格的一种构成成份。
此外,作为主晶格最好是含钆的氟的化合物M1GdF4,M1 2GdF5,M1 3GdF6,M1Gd2F7,M1Gd3F10,M1 5Gd9F32,其中M1=Li,Na,K,Rb,Cs或者M2GdF5,M2 2GdF7,M12 3GdF9,M2Gd2F8,M2Gd3F11,M2Gd4F14,M2 13Gd6F43其中M2=Mg,Ca,Sr,Ba,Mn,Zn其中钆也是主晶格的组成成份。
再有作为主晶格最好是氟的化合物M1M3F4,M1 2M3F5,M1 3M3F6,M1M3 2F7,M1M3 3F10,M1 5M3 9F32,其中M1=Li,Na,K,Rb,Cs,M3=B,Al,In,Ga,Sc,Y,La和镧系元素;M2M3F5,M2 2M3F7,M12 3M3F9,M2M3 2F8,M2M3 3F11,M2M3 4F14,M2 13M3 6F43其中M2=Mg,Ca,Sr,Ba,Mn,Zn而M3=B,Al,In,Ga,Sc,Y,La和镧系元素;M3M4F7,M3 2M4F10,M3 3M4F13,M3M4 2F11,M3M4 3F15,M3M4 4F14 其中M3=B,Al,In,Ga,Sc,Y,La和镧系元素M4=Ti,Zr,Si,Ge,Sn,Pb。
作为主晶格最好是氟化物,其主晶格建立在氟化钙晶体晶格类型上。在这些晶格中,阳离子具有8对配位。另外最好是其晶格由YF3晶体晶格类型衍生的氟化物,其中阳离子具有9对配位。由于高的配位数和非极性的配合基,所以这些主晶格的特征在于作为主晶格部分的阳离子的低配位场。
搀有活化剂对的荧光体最好包括10-99.8mol%的三价Gd3+和0.01-30mol%最好是1.0mol%的三价钬或者三价铕。
降低频率转换荧光体可以方便地搀有三价助活化剂铽,镱,镝,,铕,钐,或锰,如果在荧光体的生产中,将从由TbF3,YbF3,DyF3,EuF3,SmFe或者MnF2组成的组中选择的氟化物加入到起始化合物中。
根据本发明的被感光的降低频率转换荧光体的吸收系数,对于氙射线的波长范围来说特别大,并且量子效率水平很高。主晶格在发光过程中不是一个因素但是影响了活化剂离子的能量级的精确位置并且因此影响吸收和发射波长。发射带位于从长的UV到黄-桔黄范围内,但是主要是位于电磁波谱的红和绿范围内。荧光体的熄灭温度高于100℃。
荧光体颗粒的粒度并不重要。一般地,荧光体用作粒度分布在1-20微米的细颗粒粉末。
对于在放电容器的壁上的荧光体层的生产工艺来说,可以考虑诸如静电沉积或者静电支撑的阴极真空喷镀的干涂装工艺和诸如浸渍涂装或者喷涂的湿涂装工艺。
对于湿涂装工艺来说,荧光体制剂必须分散水,一种有机溶剂中,其中与分散剂一起使用的是一种表面活性剂和一种抗泡沫剂或者粘合剂制剂。根据本发明用于气体放电的合适的粘合剂制剂是有机或者无机粘合剂,该粘合剂能够保持操作温度在250℃,而不破坏,变脆和变色。
例如可以通过流涂工艺涂抹荧光体制剂到放电容器壁上。用于流涂工艺的涂装悬浮液包括水或者一种诸如丁基醋酸纤维素的作为溶剂的有机化合物。通过添加诸如稳定剂,稀释剂,纤维素衍生物的助剂稳定该悬浮液并且影响其流变性能。将荧光体悬浮液涂抹到容器壁上作为薄层,在600℃下干燥并燃烧。
用于荧光体层的荧光体制剂也可以优选为在放电容器的内部上进行静电沉积。
对于发出白光的气体放电灯来说,发射蓝光荧光体与发射红光荧光体和发射绿光荧光体及绿红荧光体最好组合起来。其中发射蓝光荧光体选自BaMgAl10O17:Eu2+和Sr5(PO4)3Cl:Eu2+,而发射红光荧光体选自RbGd2F7O17:Eu,Tl;KMgF3:Eu;BaGd2F8:Eu;KGd2F7:Eu,Bi,绿光荧光体选自(Y,Gd)BO3:Tb和LaPO4:Ce,Tb,绿红荧光体例如为LiGd4:Ho,Tb,Tl。
荧光体层的厚度通常为5-10微米。
然后容器被抽空去除所有气体污染物,特别是氧气。然后该容器充满氙气并且密封。
实施例1
长度为590毫米,直径为24毫米壁厚0.8毫米的圆柱形放电玻璃容器充满压力为200hPa的氙。该放电容器包括轴平行的直径为2.2毫米贵金属杆的内部电极。在放电容器的外面是包含有轴平行设置的并且与电源导电连接的宽2毫米导电的银带。通过脉冲直流电压操作该灯。
放电容器的内壁涂有荧光体层。荧光体层包括三带荧光体混合物,并含有下述成份:作为蓝色成份的BaMgAl10O17:Eu2+,和作为绿红成份的LiGdF4:Ho,Tb,Tl。
为了生产LiGdF4:Ho,Tb,Tl,将1.0mol%钬和0.5mol%铽和2.0mol%铊,29.55g的GdF3,3.83g的LiF,0.31g的HoF3,0.15g的TbF3和0.63g的TlF3彻底混合并且在玛瑙研钵中研磨。该混合物在压力为8hPa温度300℃的氩气环境下在石英管中的刚玉坩锅中预燃烧2个小时。在燃烧期间,用氩气漂洗石英管三次并再抽空到8hPa。然后以5.5℃/min的速率将炉温计升高到650℃并且使混合物在650℃烧结8个小时。烧结的粉末再被碾碎并筛选粒度小于40微米。并且通过X射线的衍射测量检查所形成的相的晶体结构。
在这种方式中,获得了最初的371m/W的光输出。在1000个工作小时后,光输出大致为341m/W。VUV光的量子效率大致为70%。
实施例2
长度为590毫米,直径为24毫米壁厚0.8毫米的圆柱形放电玻璃容器充满压力为200hPa的氙。该放电容器包括轴平行的直径为2.2毫米贵金属杆的内部电极。在放电容器的外面是包含有轴平行设置的并且与电源导电连接的宽2毫米导电的银带。通过脉冲直流电压操作该灯。
放电容器的内壁涂有荧光体层。荧光体层包括三带荧光体混合物,并含有下述成份:作为蓝色成份的BaMgAl10O17:Eu2+,作为绿色成份的LaPO4:Ce,Tb和作为红色成份的KGd2F7:Eu,Bi。
为了生产KGd2F7:Eu,Bi,将1.0mol%铕和5.0mol%铋和,29.7g的GdF3,0.29g的EuF3,4.27g的KF,1.86g的BiF3彻底混合并且在玛瑙研钵中研磨。该混合物在压力为8hPa温度300℃的氩气环境下在石英管中的,刚玉坩锅中预燃烧2个小时。在燃烧期间,用氩气漂洗石英管三次并再抽空到8hPa。然后以5.5℃/min的速率将炉温计升高到650℃并且使混合物在650℃烧结8个小时。烧结的粉末再被碾碎并筛选粒度小于40微米。并且通过X射线的衍射测量检查所形成的相的晶体结构。
在这种方式中,获得了最初的371m/W的光输出。在1000个工作小时后,光输出大致为341m/W。VUV光的量子效率大致为70%。
实施例3
长度为590毫米,直径为24毫米壁厚0.8毫米的圆柱形放电玻璃容器充满压力为200hPa的氙。该放电容器包括轴平行的直径为2.2毫米贵金属杆的内部电极。在放电容器的外面是包含有轴平行设置的并且与电源导电连接的宽2毫米导电的银带。通过脉冲直流电压操作该灯。
放电容器的内壁涂有荧光体层。荧光体层包括三带荧光体混合物,并含有下述成份:作为蓝色成份的BaMgAl10O17:Eu2+,作为绿色成份的LaPO4:Ce,Tb和作为红色成份的BaGd2F8:Eu,Pb。
为了生产BaGd2F8:Eu,Pb,将1.0mol%铕和1.0mol%铅和,29.7g的GdF3,0.29g的EuF3,12.88g的BaF2,0.34g的PbF2彻底混合并且在玛瑙研钵中研磨。该混合物在压力为8hPa温度300℃的氩气环境下在石英管中的,刚玉坩锅中预燃烧2个小时。在燃烧期间,用氩气漂洗石英管三次并再抽空到8hPa。然后以5.5℃/min的速率将炉温计升高到650℃并且使混合物在650℃烧结8个小时。烧结的粉末再被碾碎并筛选粒度小于40微米。并且通过X射线的衍射测量检查所形成的相的晶体结构。
在这种方式中,获得了最初的371m/W的光输出。在1000个工作小时后,光输出大致为341m/W。VUV光的量子效率大致为70%。
实施例4
长度为590毫米,直径为24毫米壁厚0.8毫米的圆柱形放电玻璃容器充满压力为200hPa的氙。该放电容器包括轴平行的直径为2.2毫米贵金属杆的内部电极。在放电容器的外面是包含有轴平行设置的并且与电源导电连接的宽2毫米导电的银带。通过脉冲直流电压操作该灯。
放电容器的内壁涂有荧光体层。荧光体层包括三带荧光体混合物,并含有下述成份:作为蓝色成份的BaMgAl10O17:Eu2+,作为绿色成份的LaPO4:Ce,Tb和作为红色成份的KMgF3:Eu,Pb。
为了生产KMgF3:Eu,Pb,将1.0mol%铕和1.0mol%铅和,30.00g的MgF2,1.00g的EuF3,30.87g的KF,1.18g的PbF2彻底混合并且在玛瑙研钵中研磨。该混合物在压力为8hPa温度300℃的氩气环境下在石英管中的,刚玉坩锅中预燃烧2个小时。在燃烧期间,用氩气漂洗石英管三次并再抽空到8hPa。然后以5.5℃/min的速率将炉温计升高到650℃并且使混合物在650℃烧结8个小时。烧结的粉末再被碾碎并筛选粒度小于40微米。并且通过X射线的衍射测量检查所形成的相的晶体结构。
在这种方式中,获得了最初的371m/W的光输出。在1000个工作小时后,光输出大致为341m/W。VUV光的量子效率大致为70%。
实施例5
长度为590毫米,直径为24毫米壁厚0.8毫米的圆柱形放电玻璃容器充满压力为200hPa的氙。该放电容器包括轴平行的直径为2.2毫米贵金属杆的内部电极。在放电容器的外面是包含有轴平行设置的并且与电源导电连接的宽2毫米导电的银带。通过脉冲直流电压操作该灯。
放电容器的内壁涂有荧光体层。荧光体层包括三带荧光体混合物,并含有下述成份:作为蓝色成份的BaMgAl10O17:Eu2+,作为绿色成份的LaPO4:Ce,Tb和作为红成份的RbGd2F7:Eu,Tl。
为了生产RbGd2F7:Eu,Tl,将1.0mol%铕和2.0mol%铊和,29.70g的GdF3,0.29g的EuF3,8.02g的RbF,0.31g的TlF彻底混合并且在玛瑙研钵中研磨。该混合物在压力为8hPa温度300℃的氩气环境下在石英管中的,刚玉坩锅中预燃烧2个小时。在燃烧期间,用氩气漂洗石英管三次并再抽空到8hPa。然后以5.5℃/min的速率将炉温计升高到650℃并且使混合物在650℃烧结8个小时。烧结的粉末再被碾碎并筛选粒度小于40微米。并且通过X射线的衍射测量检查所形成的相的晶体结构。
在这种方式中,获得了最初的371m/W的光输出。在1000个工作小时后,光输出大致为341m/W。VUV光的量子效率大致为70%。
Claims (9)
1.一种装有气体放电容器,荧光体涂层和用于起弧和保持气体放电的装置的气体放电灯,该气体放电容器充满适于发射VUV射线的气体放电的气体填充物,荧光体涂层包括降低频率转换荧光体,其中该降低频率转换荧光体包括在主晶格中的一对第一镧系离子和第二镧系离子的活化剂和从由铊(I)离子,铅(II)离子和铋(III)离子组成的组中选择的感光剂。
2.根据权利要求1所述的气体放电灯,其特征在于,第一镧系离子是钆(III)离子,第二镧系离子选自钬(III)离子和铕(III)离子。
3.根据权利要求1所述的气体放电灯,其特征在于,降低频率转换荧光体包括作为第一镧系离子的钆(III)离子和作为第二镧系离子的钬(III)离子或铕(III)离子和从由铽(III)离子,镱(III)离子,镝(III)离子,铕(III)离子,钐(III)离子,锰(III)离子组成的组中选择的助活化剂。
4.根据权利要求1所述的气体放电灯,其特征在于,该降低频率转换荧光体的主晶格为氟化物。
5.根据权利要求1所述的气体放电灯,其特征在于,该降低频率转换荧光体包括浓度为10.0-99.98mol%的第一镧系离子,浓度为0.01-30.0mol%的第二镧系离子和浓度为0.01-30.0mol%的感光剂。
6.根据权利要求1所述的气体放电灯,其特征在于,该降低频率转换荧光体包括浓度为0.5mol%的感光剂。
7.根据权利要求1所述的气体放电灯,其特征在于,该降低频率转换荧光体包括浓度为0.01-30.0mol%的助活化剂。
8.根据权利要求1所述的气体放电灯,其特征在于,该降低频率转换荧光体包括浓度为0.5mol%的助活化剂。
9.一种降低频率转换荧光体,它包括在主晶格中的一对第一镧系离子和第二镧系离子的活化剂,和从铊(I)离子,铅(II)离子和铋(III)离子中选择的感光剂。
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