CN1459655A - 反射式液晶显示器的形成方法及其接合垫的排列结构 - Google Patents
反射式液晶显示器的形成方法及其接合垫的排列结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1459655A CN1459655A CN 02120252 CN02120252A CN1459655A CN 1459655 A CN1459655 A CN 1459655A CN 02120252 CN02120252 CN 02120252 CN 02120252 A CN02120252 A CN 02120252A CN 1459655 A CN1459655 A CN 1459655A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crystal display
- pad
- metal layer
- metal level
- reflective liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
一种反射式液晶显示器的形成方法及其接合垫的排列结构，其在为反射式液晶显示器制作薄膜晶体管构造时，直接在第一或第二金属层上形成铟锡氧化物，使得为扫描垫或资料垫蚀刻接触窗后即可直接获得接合垫，因而减少一道形成接合垫的铟锡氧化物光罩，简化了制程。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示器(LCD)的制造技术，特别是关于一种反射式液晶显示器(reflective LCD)的形成方法及其接合垫的排列结构。
背景技术
铟锡氧化物(ITO)已经被广泛地用来制作薄膜晶体管液晶显示器的透明像素(pixel)电极以及薄膜晶体管阵列板(plate)与外部驱动器(driver)集成电路(IC)贴附的接触层。由于铟锡氧化物具有良好的接触电阻(contactresistance)及生命期测试可靠度(reliability of life test)，因此，铟锡氧化物几乎是制作接合垫最普遍的选择材料。然而，对于反射式液晶显示器而言，使用铟锡氧化物作为像素电极并不是必要的，因为反射性金层已经取而代之。不过，在反射式液晶显示器制程中，却仍然需要一道额外的铟锡氧化物光罩(mask)以制作接合垫。
在一典型的反射式液晶显示器制程中，如图1所示，其包括为制作薄膜晶体管构造的第一金属层制程11、非晶硅岛(a-Si island)制程12及第二金属层制程13，后续尚包括为提高光使用率的散射层(scattering film)制程(bumping)14、蚀刻接触窗(contact window)的制程15、沉积铟锡氧化物以形成接合垫的制程16及形成反射层(reflector)的制程17。明显的，纵使在一反射式装置中不采取铟锡氧化物供作像素电极，额外一道铟锡氧化物光罩制程以形成接合垫仍是TFT阵列制程中必要的程序。此显然造成制程复杂且冗长，生产效率亦低。而且在蚀刻接触窗过程中，分别连接至薄膜晶体管闸极与源/汲极的第一及第二金属层表面容易沾附残留化学药剂，此将造成后续沉积的铟锡氧化物固着于金属层的表面时，其接着性和导电性差且接触电阻大，则其间传递信号的效率会降低，造成液晶显示器的品质不良。
发明内容
本发明的主要目的，在于提供一种简化的液晶显示器的制造方法。根据本发明方法，一种制造反射式液晶显示器薄膜晶体管阵列的程序包括在沉积第一或第二金属层以形成薄膜晶体管阵列的构造后，随即形成一铟锡氧化物在该第一或第二金属层上，如此，在后续蚀刻接触窗后，直接获得扫描垫(scan bondingpad)或资料垫(data bonding pad)，不必再经过一道光罩以制作铟锡氧化物接合垫，使制程得以简化。
本发明采用的技术方案如下：
一种反射式液晶显示器的形成方法，该方法形成反射式液晶显示器的薄膜晶体管阵列同时形成接合垫，包括有如下步骤：
形成第一金属层；
形成铟锡氧化物在该第一金属层上；
以该第一金属层制作闸极、扫描垫及资料垫；
制作薄膜晶体管构造；
形成第二金属层；
以该第二金属层制作源/汲极及资料线；及
形成导电层连接该资料垫及资料线。
上述方法更包括形成反射层。
一种反射式液晶显示器的形成方法，该方法形成反射式液晶显示器的薄膜晶体管阵列同时形成接合垫，包括有如下步骤：
形成第一金属层；
以该第一金属层制作闸极及扫描线；
制作薄膜晶体管构造；
形成第二金属层；
形成铟锡氧化物在该第二金属层上；
以该第二金属层制作源/汲极、扫描垫及资料垫；及
形成导电层连接该扫描垫及扫描线。
上述方法更包括形成反射层。
一种反射式液晶显示器的形成方法，该方法形成反射式液晶显示器的薄膜晶体管阵列同时形成接合垫，包括有如下步骤：
形成第一金属层；
形成第一铟锡氧化物在该第一金属层上；
以该第一金属层制作闸极及扫描线；
制作薄膜晶体管构造；
形成第二金属层；
形成第二铟锡氧化物在该第二金属层上；
以该第二金属层制作源/汲极及资料线；及
形成扫描垫及资料垫的接触窗。
上述方法更包括形成反射层。
上述方法更包括下列步骤：
以该第一金属层制作资料垫；
以该第二金属层制作扫描垫；
形成第一导电层连接该扫描垫及扫描线；及
形成第二导电层连接该资料垫及资料线。
一种反射式液晶显示器的接合垫的排列结构，包括：
第一金属层，其包括闸极；
铟锡氧化物，在该第一金属层上；
第二金属层，其包括源/汲极；
资料线，连接该源极；
扫描垫，由该第一金属层提供；
资料垫，由该第一金属层提供；及
该资料垫及资料线连接。
一种反射式液晶显示器的接合垫的排列结构，包括：
第一金属层，其包括闸极；
第二金属层，其包括源/汲极；
铟锡氧化物，在该第二金属层上；
扫描线，连接该闸极；
扫描垫，由该第二金属层提供；
资料垫，由该第二金属层提供；及
该扫描垫及扫描线连接。
一种反射式液晶显示器的接合垫的排列结构，包括：
第一金属层，其包括闸极；
第一铟锡氧化物，在该第一金属层上；
第二金属层，其包括源/汲极；
第二铟锡氧化物，在该第二金属层上；
以该第一金属层形成的第一接合垫；及
以该第二金属层形成的第二接合垫。
其中上述第一及第二接合垫分别为扫描垫及资料垫。
上述接合垫的排列结构，更包括：
扫描线，连接该闸极；
资料线，连接该源极；
该第二接合垫及扫描线连接；及
该第一接合垫及资料线连接。
本发明的反射式液晶显示器的形成方法及其接合垫的排列结构，为反射式液晶显示器制造薄膜晶体管阵列时即同时形成接合垫，减少了一道形成接合垫的铟锡氧化物光罩，简化了制程。
附图说明
图1为一习知的反射式液晶显示器的制造流程；
图2为本发明第一较佳实施例的制造流程；
图3A、图3B及图3C分别为根据图2的制程所获得的TFT构造、扫描垫构造及资料垫构造的示意图；
图4为本发明第二较佳实施例的制造流程；
图5A、图5B及图5C分别为根据图4的制程所获得的TFT构造、扫描垫构造及资料垫构造的示意图；
图6为本发明第三较佳实施例的制造流程；
图7A、图7B及图7C分别为根据图6的制程所获得的TFT构造、扫描垫构造及资料垫构造的示意图。
具体实施方式
以下举出实施例，并结合附图，对本发明作进一步详细说明。
图2所示为本发明第一实施例的液晶显示器制造流程，其在步骤11’中，于完成第一金属层后随即沉积一层铟锡氧化物在第一金属层上，此第一金属层包括在TFT结构中的闸极与未来的扫描垫及资料垫，后续的制程12至17与前述图1所示的习知制造流程相同，但已毋需步骤16的铟锡氧化物沉积，因此减少一道光罩制程，且铟锡氧化物与第一金属层之间的固着效果较佳。此形成于第一金属层上的铟锡氧化物在蚀刻接触窗后即可直接供作接合垫的接触层。图3A、图3B及图3C为根据图2的制程所获得的结构剖视图，其中图3A为TFT构造的示意图，图3B为扫描垫构造的示意图，图3C为资料垫构造的示意图。在图3A中，薄膜晶体管构造与习知技术大致相同，其中闸极20a由第一金属层20提供，其上沉积有铟锡氧化物21，闸极绝缘层22覆盖在闸极20a上方，其上形成有非晶硅岛23，非晶硅岛23的表面形成有供作源/汲极接触的n+区域24，而源/汲极由第二金属层25提供，其上再覆盖绝缘层26及被覆27，被覆27可提供制作散射层，其上再形成反射层28，反射层28在接触窗29与第二金属层25连接。在图3B中，扫描垫20b由第一金属层20提供，当接触窗30形成后，扫描垫20b上已经形成有铟锡氧化物21。在图3C中，资料垫20c仍由第一金属层20提供，此与典型的液晶显示器不同，然而资料线25d仍由第二金属层25提供，资料线25d与资料垫20c之间藉由反射层28连接，反射层28在接触窗31与资料线25d连接，而在接触窗32与资料垫20c连接，33为资料垫接触窗。
本发明第二实施例的液晶显示器制造流程，如图4所示，其大致与图2的实施例相同，但是在步骤11中，第一金属层制程与前述图1所示的习知制程相同，而在步骤13’中，于完成第二金属层后随即沉积一层铟锡氧化物在第二金属层上，此第二金属层包括在TFT结构中的源/汲极与未来的扫描垫及资料垫，同样的，此实施例毋需步骤16的铟锡氧化物沉积，因此减少一道光罩制程，且铟锡氧化物与第二金属层之间的固着效果较佳。此形成于第二金属层上的铟锡氧化物在蚀刻接触窗后即可直接供作接合垫的接触层。图5A、图5B及图5C为根据图4的制程所获得的结构剖视图，其中图5A为TFT构造的示意图，图5B为扫描垫构造的示意图，图5C为资料垫构造的示意图。在图5A中，薄膜晶体管构造与图3A大致相同，但是第一金属层20上并未沉积铟锡氧化物，所以闸极20a上没有铟锡氧化物，而在第二金属层25上沉积有铟锡氧化物21，其他结构则与图3A相同。在图5B中，扫描垫25b由第二金属层25提供，此与典型的液晶显示器不同，然而扫描线20d仍由第一金属层20提供，扫描线20d与扫描垫25b之间藉由反射层28连接，反射层28在接触窗34与扫描线20d连接，而在接触窗35与扫描垫25b连接，30为扫描垫接触窗。在图5C中，资料垫25c仍由第二金属层25提供，当接触窗33形成后，资料垫25c上已经形成有铟锡氧化物21。
图6为本发明第三实施例的制造流程，其在步骤11’及13’中，分别于完成第一及第二金属层后随即沉积一层铟锡氧化物在第一及第二金属层上，此第一金属层包括在TFT结构中的闸极与未来的扫描垫，而第二金属层包括在TFT结构中的源/汲极与未来的资料垫，其他的步骤仍与习知技术相同，同样的，此实施例不必在蚀刻接触窗后为接合垫沉积铟锡氧化物，因此减少一道光罩制程，且铟锡氧化物与第一及第二金属层之间的固着效果较佳。此形成于第一金属层上的铟锡氧化物在蚀刻接触窗后即可直接供作扫描垫的接触层，而形成于第二金属层上的铟锡氧化物则在蚀刻接触窗后直接供作资料垫的接触层。图7A、图7B及图7C为根据图6的制程所获得的结构剖视图，其中图7A为TFT构造的示意图，图7B为扫描垫构造的示意图，图7C为资料垫构造的示意图。在图7A中，薄膜晶体管构造与习知技术大致相同，只是在第一金属层20上沉积有铟锡氧化物21a，而在第二金属层25上沉积有铟锡氧化物21b。在图7B中，扫描垫20b仍由第一金属层20提供，当接触窗30形成后，扫描垫20b上已经形成有铟锡氧化物21a。在图7C中，资料垫25c仍由第二金属层25提供，当接触窗33形成后，资料垫25c上已经形成有铟锡氧化物21b。
以上所述较佳实施例的目的在于阐明本发明，而无意对本发明进行限定，基于以上的说明或从本发明的实施例学习而作修改或变化是可能的，故本发明的技术思想企图应由本案的权利要求范围及其均等来决定。
Claims (12)
1.一种反射式液晶显示器的形成方法，其特征在于：该方法形成反射式液晶显示器的薄膜晶体管阵列同时形成接合垫，包括有如下步骤：
形成第一金属层；
形成铟锡氧化物在该第一金属层上；
以该第一金属层制作闸极、扫描垫及资料垫；
制作薄膜晶体管构造；
形成第二金属层；
以该第二金属层制作源/汲极及资料线；及
形成导电层连接该资料垫及资料线。
2.如权利要求1所述的反射式液晶显示器的形成方法，其特征在于：更包括形成反射层。
3.一种反射式液晶显示器的形成方法，其特征在于：该方法形成反射式液晶显示器的薄膜晶体管阵列同时形成接合垫，包括有如下步骤：
形成第一金属层；
以该第一金属层制作闸极及扫描线；
制作薄膜晶体管构造；
形成第二金属层；
形成铟锡氧化物在该第二金属层上；
以该第二金属层制作源/汲极、扫描垫及资料垫；及
形成导电层连接该扫描垫及扫描线。
4.如权利要求3所述的反射式液晶显示器的形成方法，其特征在于：更包括形成反射层。
5.一种反射式液晶显示器的形成方法，其特征在于：该方法形成反射式液晶显示器的薄膜晶体管阵列同时形成接合垫，包括有如下步骤：
形成第一金属层；
形成第一铟锡氧化物在该第一金属层上；
以该第一金属层制作闸极及扫描线；
制作薄膜晶体管构造；
形成第二金属层；
形成第二铟锡氧化物在该第二金属层上；
以该第二金属层制作源/汲极及资料线；及
形成扫描垫及资料垫的接触窗。
6.如权利要求5所述的反射式液晶显示器的形成方法，其特征在于：更包括形成反射层。
7.如权利要求5所述的反射式液晶显示器的形成方法，其特征在于：更包括下列步骤：
以该第一金属层制作资料垫；
以该第二金属层制作扫描垫；
形成第一导电层连接该扫描垫及扫描线；及
形成第二导电层连接该资料垫及资料线。
8.一种反射式液晶显示器的接合垫的排列结构，其特征在于：包括：
第一金属层，其包括闸极；
铟锡氧化物，在该第一金属层上；
第二金属层，其包括源/汲极；
资料线，连接该源极；
扫描垫，由该第一金属层提供；
资料垫，由该第一金属层提供；及
该资料垫及资料线连接。
9.一种反射式液晶显示器的接合垫的排列结构，其特征在于：包括：
第一金属层，其包括闸极；
第二金属层，其包括源/汲极；
铟锡氧化物，在该第二金属层上；
扫描线，连接该闸极；
扫描垫，由该第二金属层提供；
资料垫，由该第二金属层提供；及
该扫描垫及扫描线连接。
10.一种反射式液晶显示器的接合垫的排列结构，其特征在于：包括：
第一金属层，其包括闸极；
第一铟锡氧化物，在该第一金属层上；
第二金属层，其包括源/汲极；
第二铟锡氧化物，在该第二金属层上；
以该第一金属层形成的第一接合垫；及
以该第二金属层形成的第二接合垫。
11.如权利要求10所述的反射式液晶显示器的接合垫的排列结构，其特征在于：其中该第一及第二接合垫分别为扫描垫及资料垫。
12.如权利要求10所述的反射式液晶显示器的接合垫的排列结构，其特征在于：更包括：
扫描线，连接该闸极；
资料线，连接该源极；
该第二接合垫及扫描线连接；及
该第一接合垫及资料线连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 02120252 CN1459655A (zh) | 2002-05-17 | 2002-05-17 | 反射式液晶显示器的形成方法及其接合垫的排列结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 02120252 CN1459655A (zh) | 2002-05-17 | 2002-05-17 | 反射式液晶显示器的形成方法及其接合垫的排列结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1459655A true CN1459655A (zh) | 2003-12-03 |
Family
ID=29426975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 02120252 Pending CN1459655A (zh) | 2002-05-17 | 2002-05-17 | 反射式液晶显示器的形成方法及其接合垫的排列结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1459655A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1893096B (zh) * | 2005-07-07 | 2011-01-26 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 |
| CN101248715B (zh) * | 2005-08-24 | 2011-02-09 | 东丽薄膜先端加工株式会社 | 平面显示器部件及其制造方法以及平面显示器及其制造方法 |
-
2002
- 2002-05-17 CN CN 02120252 patent/CN1459655A/zh active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1893096B (zh) * | 2005-07-07 | 2011-01-26 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 |
| US7932965B2 (en) | 2005-07-07 | 2011-04-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same |
| CN101248715B (zh) * | 2005-08-24 | 2011-02-09 | 东丽薄膜先端加工株式会社 | 平面显示器部件及其制造方法以及平面显示器及其制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1258114C (zh) | 液晶显示器及其制造方法 | |
| CN1955803A (zh) | 液晶显示装置 | |
| CN100335957C (zh) | 共平面开关模式液晶显示装置及其制造方法 | |
| CN1295555C (zh) | 用于显示装置的电路阵列衬底以及制备该衬底的方法 | |
| CN1932622A (zh) | 透反射式液晶显示器件及其制造方法 | |
| CN1797163A (zh) | 液晶显示器件及其制造方法 | |
| CN1555506A (zh) | 用于液晶显示器的薄膜晶体管面板 | |
| CN1488976A (zh) | 布线结构和电光装置的制造方法、电光装置和电子设备 | |
| CN1892394A (zh) | 液晶显示器件及其制造方法 | |
| CN1716062A (zh) | 液晶显示器件的阵列基板的制造方法 | |
| CN1737656A (zh) | 包括导电可压缩体的平板显示设备 | |
| CN1940650A (zh) | 液晶显示装置 | |
| CN1683960A (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
| CN1760738A (zh) | 液晶显示装置及其制造方法 | |
| CN1383024A (zh) | 电光装置和电子仪器 | |
| CN1794078A (zh) | 液晶显示器件及其制造方法 | |
| CN1819217A (zh) | 有源矩阵衬底及其制造方法 | |
| CN1605918A (zh) | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 | |
| CN1637530A (zh) | 透反射型液晶显示装置及其制造方法 | |
| CN1991503A (zh) | 透反型液晶显示设备及其制造方法 | |
| CN1707342A (zh) | 液晶显示器件及其制造方法 | |
| CN1132055C (zh) | 液晶显示装置、显象装置和信息处理装置及其制造方法 | |
| CN1991508A (zh) | 液晶显示器件及其制造方法 | |
| CN1819171A (zh) | 信号传输薄膜、显示装置及其制造方法 | |
| CN1888965A (zh) | 透射反射型液晶显示器件及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |