CN1457219A - 对潮气或氧敏感的oled器件的原位制造方法 - Google Patents

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Abstract

对潮气或氧敏感的OLED器件的原位制造方法,至少部分制造对潮气或氧敏感的OLED器件的原位方法，该方法包括以下步骤：向受控气氛涂布机中提供构成部分OLED器件的接收体元件；向受控气氛涂布机中提供给体支持体元件并且涂布该给体支持体元件，以产生带有形成整个或部分OLED器件所需的一个或多个层的给体元件；将受控气氛涂布机中的气氛控制在受控条件下；使给体元件的涂布侧按材料转印关系与待涂布的接收体元件定位；并且对给体元件施加辐射，以便从给体元件向接收体元件有选择性地转印一个或多个层。

Description

对潮气或氧敏感的OLED器件的原位制造方法
相关申请的交叉引用
本发明引用了Phillips等人的共同转让美国专利申请系列号10/021,410，2001年12月12日提交，题目为“使有机材料从给体实现转印而形成OLED器件的层的设备”，以及Boroson等人的共同转让美国专利申请系列号10/033/459，2001年12月27日提交，题目为“OLED器件的原位真空制造方法”，在此就其公开内容参考引入。
技术领域
本发明涉及OLED器件的制造方法。
背景技术
在具有有色象素比如红、黄和蓝彩色象素(一般称为RGB象素)阵列的彩色或全色有机电致发光(EL)显示器(也称为有机发光二极管器件，或者OLED器件)中，为了产生RGB象素，要求产生色彩的有机EL介质能够精确地成图像。基本的OLED器件通常具有阳极、阴极和夹在阳极和阴极之间的有机EL介质。有机EL介质由一层或多层有机薄膜构成，其中有一层主要用来产生光或电致发光。这一特殊的层一般被称为有机EL介质的发光层。有机EL介质中存在的其他有机层主要提供电子传输功能，并且称为空穴传输层(传输空穴用)或电子传输层(传输电子用)。为了形成彩色OLED显示面板的RGB象素，必须找到使有机EL介质发光层或整个有机EL介质精确成图案的方法。
一般而言，电致发光象素是通过投影掩蔽方法在显示器上形成的，比如参见US-A-5,742,129。虽然该方法很有效，但是它有许多缺点。很难采用投影掩蔽法获得高分辨率的象素尺寸。而且，存在着基材与投影掩膜对准难的问题，还必须注意象素是否是在适当的位置上形成的。如果想要提高基材尺寸，则很难调整投影掩膜而形成适当定位的象素。该投影掩膜法的另一缺点是，掩膜孔洞可能会随着时间而被堵塞。堵塞的掩膜孔会在EL显示器上形成不起作用的象素，这是所不希望的。
Grande等人的共同转让US-A-5,851,709公开了一种使高分辨率OLED显示器成图案的适宜方法，该方法包括如下步骤序列：1)提供基材，它有相反的第一和第二表面；2)在基材的第一表面上形成透光的绝热层；3)在绝热层上形成吸光层；4)在基材上提供开孔阵列，这些开孔从第二表面延伸到绝热层；5)提供可转印的成色有机给体层，它是在吸光层上形成的；6)按基材上的开孔与器件上相应的彩色象素定位的方式使给体基材与显示器基材精确对准；并且7)利用辐射源在开孔之上的吸光层中产生足够的热，使给体基材上的有机层转印到显示器基材上。Grande等人的方法存在的问题是，需要在给体基材上形成开孔阵列的图案。这会面临许多与投影掩膜法同样的问题，包括需要精确机械对准给体基材和显示器基材。还一个问题是，给体图案是固定的，不太容易更换。
利用未成图案给体元件和精密光源，比如激光，可以消除已成图案的给体所存在的一些问题。Littman和Tang(共同转让US-A-5,688,551)公开到，从未成图案给体片材上以图案方式将有机EL材料转印到EL基材上。Wolk等人的一系列专利(US-A-6,114,088；US-A-6,140,009；US-A-6,214,520；和US-A-6,221,553)公开了通过激光束加热给体的选定部位将EL器件的发光层从给体元件转印到基材上的方法。
Tang的共同转让US-A-5,935,272公开了在薄膜晶体管(TFT)阵列基材上通过EL材料汽相淀积法形成多色象素(比如红、绿、蓝亚象素)图案的方法。借助支持体上的给体涂层以及多孔(aperture)掩膜，将EL材料按选定的图案淀积在基材上。多孔掩膜可以是给体层和基材之间一个独立的整体(参见前述专利中的图1)，或者结合到给体层中(参见前述专利中的图4、5和6)。
EL材料的转印优选在低氧和/或水的条件下进行，采用的是Tang在前述专利中所述的室。给体层(和多孔层，如果它是独立的的话)和基材必须紧密接触。举例而言，Tang给出的是紧邻或处于钝化层之上的多孔层或给体层，使给体层与底部电极的给体预定点之间有优选的距离。使用真空或低压可有助于EL材料从给体转印到基材上。转印过程中使用这类条件也是适宜的，因为某些EL材料对氧和/或潮气敏感。比如，OLED器件中所用的羟基喹啉铝(Alq)已知可与水发生反应。除此之外，小分子和聚合物EL器件上所用的电极材料在空气中极不稳定。转印步骤过程中使用低氧和/或水条件可有助于降低OLED器件的废品率。另外，在Littman、Tang和Wolk所述的方法中，也会因为给体材料在向基材转印之前发生降解而使OLED器件报废。给体材料一般是从制造场所运输到基材转印地点的。给体在此过程中可能会遭受氧、潮气、和/或其他大气组分的污染。这可能会降低从给体制造OLED器件的产率。
发明内容
因此，本发明的目的是提供无需投影掩膜的方法。
本发明的另一目的是提供一种方法，该方法采用给体元件但消除了因在距离使用地点很远的场所提供给体元件而且还要在不污染或破坏给体元件的条件下运输给体元件所产生的问题。
本发明的进一步的目的是提供改进的非投影掩膜法，它能有效地产生全彩色OLED显示器。
该目的是通过至少部分制造对潮气或氧敏感的OLED器件的原位方法实现的，该方法包括下步骤：
a)向受控气氛涂布机中提供构成部分OLED器件的接收体元件；
b)向受控气氛涂布机中提供给体支持体元件并且涂布该给体支持体元件，以产生带有形成整个或部分OLED器件所需的一个或多个层的给体元件；
c)控制受控气氛涂布机中的气氛，使水蒸汽含量低于1000ppm但高于0ppm或者使氧含量低于1000ppm但高于0ppm，或者水蒸汽含量及氧含量均低于1000ppm但高于0ppm；
d)使给体元件的涂布侧按材料转印关系与待涂布的接收体元件定位；并且
e)对给体元件施加辐射，从给体元件向接收体元件选择性地转印一个或多个层。
本发明所述方法的优点是，制造OLED器件时不会引入潮气、氧或其他大气组分并且不使用投影掩膜。
根据本发明，制造给体元件时与将材料由给体元件转印至OLED接收体元件时所用的是同一个受控气氛涂布机。这可提供许多好处，包括：
减少了对给体贮存和运输的需要，并且降低了随之所带来的污染；
减少或消除了因给体侧与给体支持体侧发生接触而致的损坏和污染；
减少了给体的保存需要；并且
提高了OLED器件的产率。
还一个优点是，该方法可以全自动进行，包括给体和基材介质的操作。本发明特别适宜在含有多个有待经该方法成型的OLED显示器件的大面积内形成有机层，由此提高了生产量。
另一个优点是，给体元件可以被清洁并重新使用。
再一个优点(与真空基技术有关)是，涂布时可采用其他技术，包括溶剂基涂布法比如旋转涂布法、幕涂法、喷涂法、凹版印刷轮涂法等。为了便于材料的转印可采用其他技术，比如真空固定法。为了清洁给体可采用其他技术，比如溶剂清洁法。在该环境中也更容易设置辐射源。还更容易在基材上提供给体的真空基定位效果。
附图说明
图1是本发明第一个实施方案的横截面示意图，其中在同一个受控气氛涂布机中涂布给体支持体元件并完成向基材的转印；
图2是本发明另一实施方案的横截面示意图，其中在同一个受控气氛涂布机中以一个以上的层涂布给体支持体元件并完成向基材的转印；
图3是本发明另一实施方案的横截面示意图，其中在同一个受控气氛涂布机中涂布给体支持体元件、完成向基材的转印并且除去给体元件上残留的涂布材料；
图4是本发明另一实施方案的横截面示意图，其中在由装载锁合装置(load lock)相连的不同的连接室中涂布给体支持体元件并完成向基材的转印；
图5是本发明另一实施方案的横截面示意图，其中在同一个涂布机中涂布作为连续卷材一部分的给体支持体元件、完成向基材的转印并且除去给体元件上残留的涂布材料；
图6a是未涂布给体元件其结构的横截面示意图；
图6b是涂有一层涂布材料的给体元件其结构的横截面示意图；并且
图6c是涂有一层以上涂布材料的给体元件其结构横截面示意图。
因为器件结构尺寸比如层厚度一般处于亚微米范围，因此这些附图是经过放大的，旨在便于观看而并未考虑到尺寸的精确性。
具体实施方式
术语“OLED器件”所指的器件包括有机发光二极管，有时称为电致发光器件，和EL器件，参见Tang的共同转让US-A-5,937,272和Littman和Tang的共同转让US-A-5,688,551。所用的术语“显示器”或“显示面板”指的是能够以电子方式显示视频图像或文字的屏幕。从技术层面来讲，所用的术语“象素”指的是能够独立于显示面板的其他区域而受激发光的区域。所用的术语“多色”描述的是能够在不同区域中发射不同色调的光的显示面板。具体而言，它描述的是能够显示不同色彩的图像的显示面板。这些区域不一定是连续的。所用的术语“全彩色”描述的是能够在可见光谱的红、绿和蓝区域内发光并且能够以任何色调组合来显示图像的多色显示面板。红、绿和蓝色构成了三原色，所有其他色彩均可以通过适当混合该三原色而产生。术语“色调”指的是可见光谱内的发光强度分布，不同色调表现出视觉上可分辨的色彩差异。象素或亚象素一般指的是显示面板中最小的可访问单元。对于单色显示器而言，象素和亚象素之间没有差别。术语“亚象素”只用于多色显示面板中并且指的是任何能够经独立访问而发出特定光的象素局部。比如，蓝亚象素是经过访问而发射蓝光的象素局部。在全彩色显示器中，一个象素一般包含三个原色亚象素，即蓝、绿和红。所用的术语“节距”指的是显示面板中两个象素或亚象素之间相隔的距离。因此，亚象素节距指的是两个亚象素之间的间隔。本文所用的术语“真空”指的是压力为1torr或更低。
现在参照图1，可看到本发明一个实施方案的横截面示意图，其中在同一个受控气氛室中涂布给体支持体元件30并完成涂布材料向接收体元件42的转印。受控气氛涂布机10是本文所述的密闭式设备，它可实现OLED器件的原位制造方法，就是说它能在受控气氛条件下使给体支持体元件30能通过比如幕涂法、喷涂法、凹版印刷涂布法和旋转涂布法实现涂布并且使涂布材料能够通过比如热转印法而随后转印到OLED基材比如接收体元件42上。受控气氛条件指的是水蒸汽含量优选1000ppm或更低，或氧含量优选1000ppm或更低，或者二者均如此，而总压力高于1torr。虽然存在着将水蒸汽和/或氧的量完全降低至0的可能性，但受控气氛条件可将这些组分的量降低至极低或难以察觉的水平，比如0.001ppm。气氛控制可通过各种已知方法实现，比如氧或水蒸汽涤气器，或者使用经过纯化的气体。受控气氛涂布机10可包括一个室，或任意多个室，这些室之间经由装载锁合装置或有类似功能的装置比如通道或缓冲室连通，由此使给体元件和接收体元件在输送时不暴露至潮气和/或氧。受控气氛涂布机10中的条件是通过受控气氛源12来维持的。受控气氛涂布机10包括装载锁合装置14，它的作用是向室中加载给体支持体元件30。受控气氛涂布机10也包括装载锁合装置16，其作用是卸载用过的给体元件31。装载锁合装置14和16是从受控气氛涂布机10装卸材料而不使内部条件受外界环境污染的装置。受控气氛涂布机10内部包括涂布工作站20、除溶剂工作站22和转印工作站24。涂布工作站20是受控气氛涂布机10内使给体支持体元件30能通过比如幕涂法、喷涂法、凹版印刷涂布法和旋转涂布法实现涂布的场所。除溶剂工作站22是受控气氛涂布机10内除去涂布操作过程中所用的任何溶剂的场所。转印工作站24是受控气氛涂布机10内便于涂布材料通过比如热转印法转印至接收体元件42的场所。
给体支持体元件30是经由装载锁合装置14引入到受控气氛涂布机10中的。给体支持体元件30是能通过比如幕涂法、喷涂法、凹版印刷涂布法和旋转涂布法接收涂层并且随后能通过比如热转印法转印全部或部分涂层的元件。给体支持体元件30任选由给体支持体32所承载。给体支持体元件30是借助机械手段输送到涂布工作站20的。涂布工作站20包括涂布设备34。涂布设备34由能将材料在给体支持体元件30上涂布成准确厚度的均一涂层的任何装置构成。涂布给体支持体元件30的适宜方法的实例包括幕涂法、喷涂法、溶液涂布法、液面(meniscus)涂布法、浸涂法、丝网涂布法以及对辊式涂布法。采用任何一种方法都很容易大批量地制造出经预定厚度的所需可转印有机给体材料涂布的支持体。对于有机发光器件而言，在柔性给体支持体元件上制备给体涂层的优选方法是对辊式涂布法，因为能够精确控制支持体上涂层的厚度和均一度，精度可高于几个百分点。另外，可在不同的时候在受控气氛涂布机10中使用多个材料源，从而在给体支持体元件30或在接收体元件42上涂布不同的层，或者用以涂布另外的给体支持体元件30。运行涂布设备34，然后用材料均匀地涂布给体支持体元件30，使之成为给体元件31。给体元件31是涂布有一个或多个构成部分或整个OLED器件所需的涂层并且可随后通过比如热转印法整个或部分转印的元件。
给体支持体元件30可以由至少满足如下条件的任意多种材料或这些材料的组合制成：给体支持体元件30必须有足够的柔韧性并且有足够的拉伸强度，从而可承受本发明实施过程中的涂布步骤和支持体的对辊式或叠片式输送。在辐射致热转印步骤中在单侧施压时，以及在任何旨在除去挥发性成分比如水蒸汽的预热步骤中，给体支持体元件30必须能够保持其结构完整性。另外，给体支持体元件30的某一表面必须能够接收相当薄的材料涂层，并且在已涂布支持体的预期贮存期间内能够保持该涂层而不致损坏。满足这些条件的支持体材料包括，比如金属箔、塑料箔和纤维增强的塑料箔。虽然可根据已知的工程方法来选取适宜的支持体材料，但可取的是在选作本发明实施过程中所用的给体支持体元件30时还要进一步考虑所选支持体材料的某些优势特性。比如，给体支持体元件30在涂布材料之前可能需要进行多步清洁和表面准备处理。如果支持体材料是辐射透过性材料，那么如果采用的是来自适宜的辐射源的闪光辐射，比如来自适宜的激光器的激光，向给体支持体元件30中或其表面上引入辐射吸收性材料就适合于更能有效地加热给体支持体元件30并且相应地增强材料从给体元件31向接收体元件42的转印。
典型的OLED器件含有以下层，一般按此次序：阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极。涂布在给体支持体元件30上的材料可以是空穴注入材料、空穴传输材料、电子传输材料、发光材料、主体材料、阳极材料、阴极材料、辐射吸收性材料或任何这些材料的组合。该材料对潮气和/或氧敏感，就是说该材料的性能或质量会因为水、水蒸汽或氧的存在而受到不利影响。空穴注入(HI)材料
虽然并不总是必要的，但一般有用的是在有机发光显示器中提供空穴注入层。空穴注入材料的作用是改善后续有机层的成膜性能并且有助于空穴向空穴传输层中的注入。空穴注入层适宜采用的材料包括但是并不限于，共同转让US-A-4,720,432所述的卟啉化合物，以及共同转让US-A-6,208,075所述的等离子体沉积氟碳聚合物。据报道可用于有机EL器件中的其他空穴注入材料是EP 0 891 121 A1和EP 1 029909 A1所述的。空穴传输(HT)材料
可用作涂布材料的空穴传输材料是已知的，可包括以下化合物，比如芳香族叔胺，其中要将后者理解成含有至少一个仅与碳原子键合的三价氮原子的化合物，其中至少有一个在芳香环上。一种形式的芳香族叔胺是芳基胺，比如单芳基胺、二芳基胺、三芳基胺或者聚合芳基胺。单体三芳基胺的实例参见Klupfel等人的US-A-3,180,730。被一个或多个乙烯基基团所取代和/或包含至少一个含活性氢基团的其他适宜的三芳基胺参见Brantley等人的共同转让US-A-3,567,450和US-A-3,658,520。
一类更为优选的芳香族叔胺是包括至少两个芳香族叔胺部分的那些，如共同转让US-A-4,720,432和US-A-5,601,569所述。这类化合物包括由结构式(A)代表的那些。
Figure A0313124000111
其中Q1和Q2是独立选择的芳香族叔胺部分，而G是碳碳键合的连接基比如亚芳基、亚环烷基或者亚烷基。在一个实施方案中，Q1或Q2中至少有一个含有多环稠合的环结构，比如亚萘基。如果G是芳基，它适宜地是亚苯基、亚联苯基或者亚萘基部分。
满足结构式(A)并且含有两个三芳基胺部分的一类有用的三芳基胺由结构式(B)代表：
Figure A0313124000112
其中R1和R2每个独立地代表氢原子、芳基或烷基，或者R1和R2共同代表构成环烷基的原子；并且
R3和R4每个独立地代表芳基，其进一步可被结构式(C)所示的二芳基取代的氨基所取代：其中R5和R6是独立选择的芳基。在一个实施方案中，R5或R6中至少有一个含有多环稠合的环结构，比如亚萘基。
另一类芳香族叔胺是四芳基二胺。适宜的四芳基二胺包括通过亚芳基连接的两个二芳基氨基基团，比如结构式(C)所示的。有用的四芳基二胺包括结构式(D)所代表的。
Figure A0313124000122
其中每个Are是独立选择的亚芳基，比如亚苯基或者亚蒽基部分，n是1～4的整数，并且Ar、R7、R8和R9是独立选择的芳基。
在典型的实施方案中，Ar、R7、R8和R9中至少有一个是多环稠合的环结构，比如亚萘基。
每个前述结构式(A)、(B)、(C)、(D)的各个烷基、亚烷基、芳基和亚芳基部分均可进一步被取代。典型的取代基包括烷基、烷氧基、芳基、芳氧基以及卤素比如氟、氯和溴。各个烷基和亚烷基部分典型地含有约1～6个碳原子。环烷基部分可以含有3～约10个碳原子，但是典型地含有5、6或7个环碳原子——比如环戊基、环己基和环庚基环结构。芳基和亚芳基部分一般是苯基和亚苯基部分。
空穴传输层可以由单一一种芳香族叔胺化合物或者由芳香族叔胺化合物的混合物形成。具体而言，三芳基胺，比如满足结构式(B)的三芳基胺，可以与四芳基二胺，比如结构式(D)所示的四芳基二胺组合使用。如果三芳基胺与四芳基二胺组合使用，后者位于三芳基胺与电子注入和传输层之间而成层。有用的芳香族叔胺的实例如下：
1，1-双(4-二对甲苯基氨基苯基)环己烷
1，1-双(4-二对甲苯基氨基苯基)-4-苯基环己烷
4，4′-双(二苯基氨基)四联苯
双(4-二甲基氨基-2-甲基苯基)-苯基甲烷
N，N，N-三(对甲苯基)胺
4-(二-对甲苯基氨基)-4′-[4-(二对甲苯基氨基)-苯乙烯基]茋
N，N，N′，N′-四对甲苯基-4，4′-二氨基联苯
N，N，N′，N′-四苯基-4，4′-二氨基联苯
N-苯基咔唑
聚(乙烯基咔唑)，和
N，N′-二-1-萘基-N，N′-二苯基-4，4′-二氨基联苯。
4，4′-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯
4，4″-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]对三联苯
4，4′-双[N-(2-萘基)-N-苯基氨基]联苯
4，4′-双[N-(3-苊基)-N-苯基氨基]联苯
1，5-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]萘
4，4′-双[N-(9-蒽基)-N-苯基氨基]联苯
4，4″-双[N-(1-蒽基)-N-苯基氨基]-对三联苯
4，4′-双[N-(2-菲基)-N-苯基氨基]联苯
4，4′-双[N-(8-荧蒽基)-N-苯基氨基]联苯
4，4′-双[N-(2-芘基)-N-苯基氨基]联苯
4，4′-双[N-(2-并四苯基)-N-苯基氨基]联苯
4，4′-双[N-(2-苝基)-N-苯基氨基]联苯
4，4′-双[N-(1-晕苯基)-N-苯基氨基]联苯
2，6-双(二对甲苯基氨基)萘
2，6-双[二-(1-萘基)氨基]萘
2，6-双[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)氨基]萘
N，N，N′，N′-四(2-萘基)-4，4″-二氨基-对三联苯
4，4′-双{N-苯基-N-[4-(1-萘基)-苯基]氨基}联苯
4，4′-双[N-苯基-N-(2-芘基)氨基]联苯
2，6-双[N，N-二(2-萘基)胺]芴
1，5-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]萘
其他一类有用的空穴传输材料包括多环芳香族化合物，参见EP 1009 041。除此之外，可以采用高分子空穴传输材料，比如聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺，以及共聚物比如聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)，也称为PEDOT/PSS。发光材料
可用作涂布材料的发光材料是已知的。有机EL元件的发光层(LEL)包含发光或荧光材料，其中电致发光是通过该区域中电子空穴对的重组而产生的，更为全面的信息参见共同转让US-A-4,769,292和US-A-5,935,721。发光层可以由单一一种材料构成，但是更常见的是由掺杂有一种或多种客体化合物的主体材料构成，其中光发射主要来自掺杂剂并且可以是任何色彩的。发光层中的主体材料可以是如下定义的电子传输材料、以上定义的空穴传输材料，或者支持空穴电子重组的其他材料。掺杂剂通常选自除磷光化合物以外的高荧光染料，比如WO 98/55561、WO 01/18851、WO 00/57676和WO 00/70655所述的过渡金属配合物也是有用的。掺杂剂典型地按0.01～10重量％涂布到主体材料中。
选择染料作为掺杂剂时一个重要的思量是对比带隙势，带隙势指的是分子的最高占据分子轨道与最低未占据分子轨道之间的能量差。为了从主体向掺杂剂分子有效地传递能量，必要的条件是，掺杂剂的带隙比主体材料的小。
已知有用的主体和发光分子包括但是不限于，共同转让US-A-4,768,292、US-A-5,141,671、US-A-5,150,006、US-A-5,151,629、US-A-5,294,870、US-A-5,405,709、US-A-5,484,922、US-A-5,593,788、US-A-5,645,948、US-A-5,683,823、US-A-5,755,999、US-A-5,928,802、US-A-5,935,720、US-A-5,935,721和US-A-6,020,078所述的。
8-羟基喹啉和类似衍生物的金属配合物(结构式E)构成一类能够支持电致发光的有用的主体化合物，并且特别适用于发射波长大于500nm的光，比如绿、黄、橙和红。
Figure A0313124000151
其中M代表金属；n是1～3的整数；并且Z在每种情况下独立地代表完整构成具有至少两个稠合芳香环的核的原子。
从前述明显可以看出，金属可以是一价、二价、三价金属。金属比如可以是碱金属，比如锂、钠或钾；碱土金属，比如镁或钙；或者土金属，比如硼或铝。一般可以采用已知可用作螯合金属的任何一价、二价、三价金属。
Z完整构成了含有至少两个稠合芳香环的杂环核，稠合环中至少有一个是吡咯或吖嗪环。根据需要，其他环，包括脂肪族和芳香族环，可以与这两个必需的环稠合。为了避免增加分子体积而对功能却没有裨益，环原子的数目一般保持在18个或更少。
有用的螯合类喔星化合物实例如下：
CO-1：三喔星铝[别名，三(8-喹啉醇合)铝(III)]
CO-2：二喔星镁[别名，双(8-喹啉醇合)镁(II)]
CO-3：双[苯并{f}-8-喹啉醇合]锌(II)
CO-4：双(2-甲基-8-喹啉醇合)铝(III)-μ-氧代-双(2-甲基-8-喹啉醇合)铝(III)
CO-5：三喔星铟[别名，三(8-喹啉醇合)铟]
CO-6：三(5-甲基喔星)铝[别名，三(5-甲基-8-喹啉醇合)铝(III)]
CO-7：喔星锂[别名，(8-喹啉醇合)锂(I)]
9，10-二-(2-萘基)蒽衍生物(结构式F)构成一类能够支持电致发光的有用的主体，并且特别适宜用于发射波长大于400nm的光，比如蓝、绿、黄、橙或者红。
Figure A0313124000161
其中：R1、R2、R3和R4代表每个环上的一个或多个取代基，其中每个取代基独立地选自如下基团：基团1：氢，或者1～24个碳原子的烷基；基团2：5～20个碳原子的芳基或取代芳基；基团3：完整构成蒽基的稠合芳香环所必需的4～24个碳原子；芘基、苝基；基团4：5～24个碳原子的杂芳基或取代的杂芳基，而完整构成呋喃基、噻吩基、吡啶基、喹啉基或其他杂环***的稠合杂芳环；基团5：1～24个碳原子的烷氧基氨基、烷基氨基或芳基氨基；以及基团6：氟、氯、溴或氰基。
吲哚衍生物(结构式G)构成另一类能够支持电致发光的有用的主体，并且特别适宜用于发射波长大于400nm的光，比如蓝、绿、黄、橙和红。
Figure A0313124000162
其中：n是3～8的整数；Z是O、NR或S；并且R′是氢；1～24个碳原子的烷基，比如丙基、叔丁基、庚基等；5～20个碳原子的芳基或杂原子取代的芳基，比如苯基和萘基、呋喃基、噻吩基、吡啶基、喹啉基以及其他杂环***；或者卤素，比如氯、氟；或者完整构成稠合芳香环所必需的原子；L是由烷基、芳基、取代烷基或取代芳基构成的连接单元，它将多个吲哚共轭或非共轭地连接在一起。
有用的吲哚的实例是2，2′，2″-(1，3，5-亚苯基)三[1-苯基-1H-苯并咪唑]。
有用的荧光掺杂剂包括蒽、并四苯、占吨、苝、红荧烯、香豆素、若丹明、喹吖啶、二氰基亚甲基吡喃化合物、噻喃化合物、多次甲基化合物、吡喃鎓或噻喃鎓化合物以及喹诺酮化合物的衍生物。有用的掺杂剂的示意性实例包括但是不限于以下：
Figure A0313124000191
Figure A0313124000211
其他的有机发光材料可以是聚合物，比如聚亚苯基亚乙烯基衍生物、二烷氧基聚亚苯基亚乙烯基、聚对亚苯基衍生物和聚芴衍生物，参见Wolk等人的共同转让US-A-6,194,119B1及其参考文献。电子传输(ET)材料
本发明有机EL器件中优选采用的电子传输材料是金属螯合的类喔星化合物，包括喔星本身(通常也称为8-喹啉醇或8-羟基喹啉)的螯合物。这类化合物有助于电子的注入和传输并且在两方面均显示出高水平的性能，而且容易制造成薄膜形式。预期的类喔星化合物的实例是满足前述结构式(E)的那些。
其他电子传输材料包括共同转让US-A-4,356,429所述的各种丁二烯衍生物以及共同转让US-A-4,539,507所述的各种杂环光学增白剂。满足结构式(G)的吲哚也是有用的电子传输材料。
其他电子传输材料可以是聚合物，比如聚亚苯基亚乙烯基衍生物、聚对亚苯基衍生物、聚芴衍生物、聚噻吩、聚乙炔和其他导电性有机聚合物，比如参见《导电性分子和聚合物手册》，第1-4卷，H.S.Nalwa主编，John Wiley and Sons，Chichester(1997)。
在某些情况下，单一的层可起到既支持光发射又支持电子传输的功能，因此会包括发光材料和电子传输材料。阳极材料
导电性阳极层是在基材上形成的，并且如果通过阳极来观察EL发射时，该阳极对有关发射而言应该是透明的或者基本上是透明的。可在本发明中使用的常见的透明阳极材料是氧化铟锡和氧化锡，但是其他金属氧化物也适用，包括但是并不限于，铝或铟掺杂的氧化锌、氧化镁铟和氧化镍钨。除了这些氧化物以外，金属氮化物比如氮化镓，和金属硒化物比如硒化锌，以及金属硫化物比如硫化锌也可以用作阳极材料。对于通过顶电极观察EL发射的应用，阳极材料的透射特性就不重要了，并且可以采用任何导电性材料，透明性、不透明性或反射性均可。针对该应用的导体实例包括但是并不限于，金、铱、钼、钯或铂。典型的阳极材料，无论透光与否，其功函为4.1eV或更高。一般可通过任何适宜的方法比如蒸发法、溅射法、化学气相淀积法或者电化学方法来沉积所需的阳极材料。可以采用公知的光刻蚀法来使阳极材料成图案。阴极材料
如果光发射穿过阳极，那么阴极材料几乎可以由任何导电性材料构成。适宜的材料具有良好的成膜性能，以确保与其下有机层的良好接触、促进低电压下的电子注入并且具有良好的稳定性。有用的阴极材料一般含有低逸出功金属(＜4.0eV)或金属合金。一种优选的阴极材料由Mg∶Ag合金构成，其中银的百分数是1～20％，参见共同转让US-A-4,885,221。另一类适宜的阴极材料包括双层，它由以较厚的导电性金属层封闭的低逸出功金属或金属盐薄层构成。一种这类阴极由LiF薄层构成，然后是较厚的Al层，参见共同转让US-A-5,677,572。其他有用的阴极材料包括但是不限于，共同转让US-A-5,059,861；US-A-5,059,862和US-A-6,140,763所述的。
当通过阴极观察光发射时，阴极必须是透明的或者几近透明的。对于这类应用，金属必须很薄或者必须采用透明的导电性氧化物，或者这些材料的组合。光学透明性阴极更具体地参见共同转让US-A-5,776,623。阴极材料可以通过蒸发法、溅射法或者化学气相淀积法沉积。根据需要，可以通过许多已知的方法来实现图案化，这些方法包括但是不限于，透掩膜淀积法、共同转让US-A-5,276,380和EP 0 732868所述的整体投影掩蔽法、激光烧蚀法和选择性化学气相淀积法。辐射吸收性材料
辐射吸收性材料可以是染料，比如共同转让US-A-5,578,416中所述的染料，颜料比如碳，或者金属比如镍、铬、钛等。
在多种涂布方法中，包括旋转涂布法、喷涂法和凹版印刷涂布法，可以将涂布材料溶解在溶剂中以便于涂布。随后除去溶剂。给体元件31是借助机械手段从涂布工作站20输送到除溶剂工作站22的。加热器50充分加热给体元件31以蒸发溶剂，然后经由除蒸汽设备52除去之，但是所施加的热量还不足以除去任何所需的涂布材料。
接收体元件42经由装载锁合装置16引入受控气氛涂布机10中，然后借助机械手段输送到转印设备36中。这可在引入给体支持体元件30之前、之后或其间进行。转印设备36可以由能便于给体元件31上的涂布材料响应于热或致热辐射而实现转印的任何设备构成。作为转印设备36的一个实例，它的构造以及它与给体元件31和接收体元件42间的操作方式参见Phillips等人的前述共同转让美国专利申请系列号10/021,310，本文就其内容参考引入。为了方便，所示的转印设备36是封闭式构造，但是该设备也可以是开放式构造，给体元件31和接收体元件42在其中进行加载和卸载。借助机械手段将给体元件31从除溶剂工作站22输送至转印工作站24。给体元件31和接收体元件42按材料转印关系定位，就是说，给体元件31的涂布侧紧密接触接收体元件42的接收表面并且借助比如压力室44中的流体压力而固定在此位置，参见Phillips等人的公开内容。然后利用所施加的辐射，比如来自激光器38的激光束40，透过透明部分46辐照给体元件31。按预定图案对给体元件31进行辐照可将一个或多个涂布材料层从给体元件31有选择性地转印至接收体元件42，以此将材料涂布在接收体元件42的选定部分上，参见Phillips等人的公开内容。
接收体元件42可以是有机固体、无机固体或者有机和无机固体的组合，它提供了接收来自给体的发光材料的表面。接收体元件42可以是刚性或柔性的，并且可以以独立的单个材质的形式进行加工，比如片材或薄片，或者以连续卷轴的形式。典型的接收体元件材料包括玻璃、塑料、金属、陶瓷、半导体、金属氧化物、半导体氧化物、半导体氮化物或其组合。接收体元件42可以是材料的均相混合物、材料的复合体、或者材料的多层。接收体元件42可以是OLED基材，该基材是制备OLED器件时常用的基材，比如有源矩阵低温聚硅TFT基材。接收体元件42可以是透光或不透明的，取决于光发射的目标方向。如果通过接收体元件42来观察EL发射，那么就需要透光性能。此时常用的是透明的玻璃或塑料。对于通过顶部电极观察EL发射的情况，接收体元件42的透射特性就不重要了，因此它可以是透光、吸光或反光的。此时可用的接收体元件包括但不限于，玻璃、塑料、半导体材料、陶瓷和电路板材料。接收体元件42在进行本文所述方法之前可以用一个或多个前述材料(比如阳极材料、阴极材料、空穴传输材料等)的涂布层进行处理。接收体元件42在进行完本文所述方法之后可进一步用一个或多个前述材料(比如阳极材料、阴极材料、电子传输材料等)的涂布层以及用保护层进行处理。这些处理可以在受控气氛涂布机10之外进行或者在受控气氛涂布机10内部在涂布工作站20处进行。
辐照结束后，打开转印设备36，经由装载锁合装置16取出给体元件31和接收体元件42。或者，将接收体元件42留在转印工作站24处。在涂布工作站20处涂布另外的给体支持体元件31，在除溶剂工作站22处进行干燥、调节位置使其与接收体元件42呈材料转印关系，然后按照之前所述通过施加的辐射辐照之。该方法可将附加的一个或多个涂布材料层转印到接收体元件42上，制造出对潮气或氧敏感的或者对潮气和氧敏感的整个或部分器件。
现在参照图2，看到的是本发明另一个实施方案的横截面示意图，其中在同一个受控气氛室中以一个以上的层涂布给体支持体元件并完成向接收体元件的转印。受控气氛涂布机10中的条件是通过受控气氛源12来维持的。受控气氛涂布机10包括装载锁合装置14，它的作用是向室中加载新的给体支持体元件。受控气氛涂布机10也包括装载锁合装置16，其作用是卸载用过的给体元件。受控气氛涂布机10内部包括涂布工作站20、除溶剂工作站22、涂布工作站27、除溶剂工作站28和转印工作站24。
给体支持体元件30是经由装载锁合装置14引入到受控气氛涂布机10中的。给体支持体元件30任选由给体支持体32所承载。给体支持体元件30是借助机械手段转移到涂布工作站20的，该工作站包括涂布设备34。运行涂布设备34，然后用涂布材料均匀地涂布给体支持体元件30，使之成为给体元件31。
如果为了便于涂布而将涂布材料溶解在溶剂中，那么随后就要除去溶剂。给体元件31是借助机械手段从涂布工作站20输送到除溶剂工作站22的。加热器50充分加热给体元件31以蒸发溶剂，然后经由除蒸汽设备52除去之，但是所施加的热量还不足以除去任何所需的涂布材料。
给体元件31是借助机械手段从除溶剂工作站22输送到涂布工作站27的，该工作站包括涂布设备，本文以凹版印刷轮48为例。运行该涂布设备，以另外的涂布材料层均匀地涂布给体元件31。
如果为了便于涂布而将涂布材料溶解在溶剂中，那么随后就要除去溶剂。给体元件31是借助机械手段从涂布工作站27输送到除溶剂工作站28的。加热器54充分加热给体元件31以蒸发溶剂，然后经由除蒸汽设备56除去之，但是所施加的热量还不足以除去任何所需的涂布材料。
接收体元件42经由装载锁合装置16引入受控气氛涂布机10中，然后借助机械手段输送至转印设备36。这可在引入给体支持体元件30之前、之后或其间进行。为了方便，所示的转印设备36是封闭式构造，但是该设备也可以是开放式构造，给体元件和基材在其中进行加载和卸载。借助机械手段将给体支持体元件31从除溶剂工作站28输送至转印工作站24。给体元件31和接收体元件42按材料转印关系定位，就是说，给体元件31的涂布侧紧密接触接收体元件42的接收表面并且借助压力室44中的流体压力而固定在此位置，参见Phillips等人的公开内容。然后利用所施加的辐射，比如来自激光器38的激光束40，透过透明部分46辐照给体元件31。按预定图案对给体元件31进行辐照可将一个或多个涂布材料层从给体元件31有选择性地转印至接收体元件42，以此将材料涂布在接收体元件42的选定部分上，参见Phillips等人的公开内容。
辐照结束后，打开转印设备36，经由装载锁合装置16取出给体元件31和接收体元件42。
虽然该实施方案描述的是两层的涂布和转印，但是本领域熟练人员很容易就明了，按此方式可涂布和转印三层或多层。
或者，可利用图2的实施方案在不同的成图案方式转印过程中向接收体元件上转印一个以上的层。根据此方法，向受控气氛涂布机10中引入多个给体支持体元件30，由此为涂布工作站20和27各自提供独个的给体支持体元件30。每个给体支持体元件30经其各自的涂布设备均匀地用涂布材料被涂布，由此使每个均成为独个的给体元件31。
在该实施方案中，随后借助机械手段将每个给体元件31从其各自的涂布工作站(20或27)输送至其各自的除溶剂工作站(22或28)，然后输送至转印工作站24。接收体元件42经由装载锁合装置16引入受控气氛涂布机10中，然后借助机械手段输送至转印设备36。这可在引入给体支持体元件30之前、之后或其间进行。为了方便，所示的转印设备36是封闭式构造，但是该设备也可以是开放式构造，给体元件和基材在其中进行加载和卸载。给体元件31和接收体元件42按材料转印关系定位，就是说，给体元件31的涂布侧紧密接触接收体元件42的接收表面并且借助压力室44中的流体压力而固定在此位置，参见Phillips等人的公开内容。然后利用所施加的辐射，比如来自激光器38的激光束40，透过透明部分46辐照给体元件31。按图案方式辐照给体元件31可将涂布材料从给体元件31转印至接收体元件42，参见Phillips等人的公开内容。
辐照结束后，打开转印设备36，经由装载锁合装置16取出给体元件31。借助机械手段将第二个给体元件31输送至转印工作站24，并且重复转印过程。多个转印操作中的转印过程可依照相同的激光辐照图案，或者每个转印过程可以采用不同的激光辐照图案进行。
本领域熟练人员明显可知，可采用该方法来制造全彩色显示器件，比如全彩色OLED器件。这类器件一般由红、绿和蓝亚象素构成。比如，可采用带有三个涂布工作站的受控气氛涂布机10从提供给受控气氛涂布机10的三个给体支持体元件30制备出三个给体元件31。每个给体元件31都带上了不同有机发光层的涂层，用以反射所需的输出色彩或色调，就是说带有红、蓝或绿发光层的涂层。每个给体元件31随后借助机械手段从其各自的涂布工作站输送至各自的除溶剂工作站，然后输送至转印工作站24，随后与接收体元件42按材料转印关系定位，就是说，给体元件31的涂布侧随后紧密接触接收体元件42的接收表面，然后借助比如来自激光器38的激光束40透过透明部分46施加辐射。按图案方式辐照给体元件31可将一个或多个涂布材料层从给体元件31按图案方式转印至接收体元件42，参见Phillips等人的公开内容。比如，将发红光材料按图案方式转印至所需的红亚象素，将发蓝光材料按图案方式转印至所需的蓝亚象素，而将发绿光材料按图案方式转印至所需的绿亚象素。接收体元件42在进行本文所述方法之前可以用一个或多个材料(比如阳极材料、阴极材料、空穴传输材料等)的层进行处理。接收体元件42在进行完本文所述方法之后可进一步用一个或多个材料(比如阳极材料、阴极材料、电子传输材料等)的层以及用保护层进行处理。这些处理可以在受控气氛涂布机10之外进行或者在受控气氛涂布机10内部在涂布工作站20处进行。
现在参照图3，可以看到本发明另一个实施方案的横截面示意图，其中在同一个受控气氛涂布机中涂布给体支持体元件、完成向基材的转印和除去给体元件上残留的涂布材料。受控气氛涂布机10中的受控气氛条件是通过受控气氛源12来维持的。受控气氛涂布机10包括装载锁合装置14，它的作用是向室中加载新的给体支持体元件。受控气氛涂布机10也包括装载锁合装置16，其作用是卸载用过的给体元件。受控气氛涂布机10内部包括涂布工作站20、除溶剂工作站22、转印工作站24和清洁工作站26。
给体支持体元件30是经由装载锁合装置14引入到受控气氛涂布机10中的。给体支持体元件30任选由给体支持体32所承载。给体支持体元件30是借助机械手段转移到涂布工作站20的，该工作站包括涂布设备34。运行涂布设备34(比如，加热所需涂布材料使其蒸发)，然后将涂布材料均匀地涂布给体支持体元件30，使之成为给体元件31。
在多种涂布方法中，包括旋转涂布法、喷涂法和凹版印刷涂布法，涂布材料可以溶解在溶剂中以便于涂布。随后除去溶剂。给体元件31是借助机械手段从涂布工作站20输送到除溶剂工作站22的。加热器50充分加热给体元件31以蒸发溶剂，然后经由除蒸汽设备52除去之，但是所施加的热量还不足以除去任何所需的涂布材料。
接收体元件42经由装载锁合装置14或装载锁合装置16引入受控气氛涂布机10中，然后借助机械手段输送至转印设备36。这可在引入给体支持体元件30之前、之后或其间进行。为了方便，所示的转印设备36是封闭式构造，但是该设备也可以是开放式构造，给体元件和基材在其中进行加载和卸载。借助机械手段将给体支持体元件31从除溶剂工作站22输送至转印工作站24。给体元件31和接收体元件42按材料转印关系定位，就是说，给体元件31的涂布侧紧密接触接收体元件42的接收表面并且借助压力室44中的流体压力而固定在此位置，参见Phillips等人的公开内容。然后利用所施加的辐射，比如来自激光器38的激光束40，透过透明部分46辐照给体元件31。按预定图案对给体元件31进行辐照可将一个或多个涂布材料层从给体元件31有选择性地转印至接收体元件42，以此将材料涂布在接收体元件42的选定部分上，参见Phillips等人的公开内容。
辐照结束后，打开转印设备36，经由装载锁合装置16或装载锁合装置14取出接收体元件42。借助机械手段将给体元件31输送至清洁工作站26。清洁工作站26位于受控气氛涂布机10中，其作用是清洁给体元件31，就是说从给体元件31上除去涂布材料从而使给体支持体元件30能够重新使用和重新涂布。清洁工作站26包括加热器54或辐射源比如闪光灯51和除蒸汽设备56。清洁时，以加热器54或辐射源比如闪光灯51加热给体元件31，就是说，加热或辐照使给体元件31的涂布材料蒸发或升华，然后由除蒸汽设备56除去之。除蒸汽设备56比如是真空入口、冷阱、活动罩等。给体元件31此时变成给体支持体元件30，并且可借助机械手段经由装载锁合装置16取出了。或者，借助机械手段将给体支持体元件30输送至涂布工作站20进行重新涂布和重新利用。
这些操作在不同的工作站处可以同时进行。比如，给体元件31可在转印工作站24处进行辐照致转印过程，而先前输送的给体元件31则在清洁工作站26处进行加热或辐照，同时在涂布工作站20处涂布未经涂布的给体支持体元件30。
现在参照图4，可以看到本发明另一个实施方案的横截面示意图，其中在不同的连接室中涂布给体支持体元件和完成向基材的转印过程。独立的室可以是本文所述的受控气氛室或受控气氛涂布机，或者可以是之前引用的Boroson等人的共同转让美国专利申请系列号10/033,459在先所述的真空室或真空涂布机，在此就其内容参考引入。该实施方案中的受控气氛涂布机10包括涂布室10a和转印室10b。其中一个室，比如涂布室10a，是通过受控气氛源12来维持受控气氛条件的，因此它是受控气氛涂布机，而另一个室，比如转印室10b，是通过真空泵58维持真空的，因此它是真空涂布机。受控气氛条件指的是水蒸汽含量优选1000ppm或更低，或者氧含量优选1000ppm或更低，或者二者均如此。可通过各种已知的方法来实现气氛控制，比如氧或水蒸汽涤气器，或者采用纯化过的气体。真空指的是压力为1torr或更低。各室经由装载锁合装置18连接。受控气氛涂布机10包括装载锁合装置14，它的作用是向室中加载新的未涂布的给体支持体元件30。受控气氛涂布机10也包括装载锁合装置16，其作用是卸载用过的给体元件。受控气氛涂布机10内部包括涂布室10a中的涂布工作站20、除溶剂工作站22、以及转印室10b中的转印工作站24。
给体支持体元件30是经由装载锁合装置14引入到涂布室10a中的。给体支持体元件30任选由给体支持体32所承载。给体支持体元件30是借助机械手段转移到涂布工作站20的，该工作站包括涂布设备34。运行涂布设备34(比如，加热所需涂布材料使其蒸发)，并且用制造整个或部分0LED器件所需的涂布材料层均匀地涂布给体30，使之成为给体元件31。
在多种涂布方法中，包括旋转涂布法、喷涂法和凹版印刷涂布法，涂布材料可以溶解在溶剂中以便于涂布。随后除去溶剂。给体元件31是借助机械手段从涂布工作站20输送到除溶剂工作站22的。加热器50充分加热给体元件31以蒸发溶剂，然后经由除蒸汽设备52除去之，但是所施加的热量还不足以除去任何所需的涂布材料。
重复涂布和干燥步骤，可在给体元件31上形成另外的材料层。
接收体元件42经由装载锁合装置16引入转印室10b中，然后借助机械手段输送至转印设备36。这可在引入给体支持体元件30之前、之后或其间进行。为了方便，所示的转印设备36是封闭式构造，但是该设备也可以是开放式构造，给体元件和基材在其中进行加载和卸载。借助机械手段将给体支持体元件31经由装载锁合装置18从除溶剂工作站22输送至转印工作站24。给体元件31和接收体元件42按材料转印关系定位，就是说，给体元件31的涂布侧紧密接触接收体元件42的接收表面并且借助比如压力室44中的流体压力而固定在此位置，参见Phillips等人的公开内容。然后利用所施加的辐射，比如来自激光器38的激光束40，透过透明部分46辐照给体元件31。按预定图案对给体元件31进行辐照可将一个或多个涂布材料层从给体元件31有选择性地转印至接收体元件42，以此将材料涂布在接收体元件42的选定部分上，参见Phillips等人的公开内容。
辐照结束后，打开转印设备36，经由装载锁合装置16取出给体元件31和接收体元件42。或者，可经由装载锁合装置16取出给体元件31，而将接收体元件42留在其中。然后可以采用接收体元件42和新的给体元件31重复进行转印过程。
很明显可对该程序进行改变。可以在涂布工作站20处涂布接收体元件42并且根据需要在除溶剂工作站22处干燥之，使之带有制造OLED时有用的另外的材料层。该涂布过程可在辐射致转印过程之前、之后进行或之前和之后均进行。比如，接收体元件42可以相继地在涂布工作站20处施涂空穴传输材料、在转印工作站24处施涂发光材料然后在涂布工作站20处施涂电子传输材料。
可以调换各室中的条件。就是说，涂布室10a保持真空，由此构成真空涂布机，而转印室10b则维持在受控气氛条件下，由此构成受控气氛涂布机。因此，给体支持体元件30就在真空涂布机中进行涂布，而从给体元件31向接收体元件42的转印则在受控气氛涂布机中进行。
各室也可以有其他的构造。比如，涂布室10a和转印室10b可以是不相连的室，参见之前引用的Boroson等人的共同转让美国专利申请系列号10/033,459，在此就其内容参考引入。该构造可包括能够维持受控气氛或真空或者二者兼能的输送室。
现在参照图5，可以看到本发明另一个实施方案的横截面示意图，其中给体元件是连续的可移动卷材的一部分，就是说在同一个涂布机中涂布它所构成的连续片材、完成向基材的转印和除去给体元件上残留的涂布材料。受控气氛涂布机10中的受控气氛条件是通过受控气氛源12来维持的。受控气氛涂布机10包括装载锁合装置16，其作用是加载和卸载基材。受控气氛涂布机10内部包括可移动卷材60，它是给体支持体元件30的连续片材。可移动卷材60被固定在按运行方向64旋转的轮62上。受控气氛涂布机10内部也包括沿可移动卷材60行程方向排列的涂布工作站20、除溶剂工作站22、转印工作站24和清洁工作站26。受控气氛涂布机10可分成两个或多个室，比如涂布室10a、转印室10b和清洁室10c。分开的各个室可用来进行各个操作或者使一部分过程在受控气氛下进行而另一部分则在真空下进行。分开的各个室可经由装载锁合装置18、66和68连接，这些锁合装置允许可移动卷材60在各室之间运行。
当转印设备36是开放式构造时，可移动卷材60借助轮62实现转动。可移动卷材60的未涂布部分运行进入涂布工作站20，该工作站包括涂布设备34。运行涂布设备34(比如，加热所需涂布材料使其蒸发)，然后用涂布材料均匀地涂布一部分可移动卷材60。从而使一部分可移动卷材60成为给体元件31。
在多种涂布方法中，包括旋转涂布法、喷涂法和凹版印刷涂布法，涂布材料可以溶解在溶剂中以便于涂布。随后除去溶剂。可移动卷材60借助轮62实现转动，使可移动卷材60的已涂布部分从涂布工作站20运行至除溶剂工作站22。加热器50充分加热可移动卷材60以蒸发溶剂，然后经由除蒸汽设备52除去之，但是所施加的热量还不足以除去任何所需的涂布材料。
接收体元件42经由装载锁合装置16引入受控气氛涂布机10中，然后借助机械手段输送至转印设备36。为了方便，所示的转印设备36是封闭式构造，但是该设备也可以是开放式构造，给体元件和基材在其中进行加载和卸载。当转印设备36是开放式构造时，可移动卷材60借助轮62实现转动，使可移动卷材60的涂布部分从除溶剂工作站22运行至转印工作站24。这可在引入接收体元件42之前、其间或之后进行。可移动卷材60的涂布侧与接收体元件42在转印工作站24处按材料转印关系定位，就是说，可移动卷材60与接收体元件42紧密接触并且借助压力室44中的流体压力而固定在此位置，参见Phillips等人的公开内容。然后利用所施加的辐射，比如来自激光器38的激光束40，透过透明部分46辐照可移动卷材60。按预定图案对可移动卷材60的涂布部分以激光束40进行辐照可将一个或多个涂布材料层从可移动卷材60有选择性地转印至接收体元件42，以此将材料涂布在接收体元件42的选定部分上，参见Phillips等人的公开内容。
辐照结束后，打开转印设备36，经由装载锁合装置16取出接收体元件42。当转印设备36是开放式构造时，可移动卷材60借助轮62实现转动，使可移动卷材60的已用过的涂布部分从转印工作站24运行至清洁工作站26。清洁工作站26包括加热器50或辐射源比如闪光灯51和除蒸汽设备52。以加热器54或辐射源比如闪光灯51加热一部分可移动卷材60来清洁之，就是说，使可移动卷材60涂布部分的涂布材料蒸发或升华，然后由除蒸汽设备56除去之。当转印设备36是开放式构造时，可移动卷材60借助轮62实现转动，使可移动卷材60此时的未涂布部分从清洁工作站26运行至涂布工作站20进行重新涂布和重新利用。
这些操作可以在不同的工作站处同时进行。比如，一部分可移动卷材60可在转印工作站24处进行辐照致转印过程，而先前输送的一部分可移动卷材60则在清洁工作站26处进行加热或辐照，同时在涂布工作站20处涂布可移动卷材60的未涂布部分。
在可选的实施方案中，可移动卷材60可以是长而非连续的片材。在各个工作站之前和之后采用倒卷和收卷的卷轴就可实现之。
现在参照图6a，可以看到未涂布给体元件其结构的横截面示意图的一个实例。给体支持体元件30至少包括柔性支持体70，该支持体包括非转印表面78。柔性支持体70已均匀地涂布有辐射-热转化层72。辐射-热转化层72包括能吸收有关波长辐射并放热的材料。
现在参照图6b，可以看到涂布有一层涂布材料的给体元件其结构的横截面示意图的一个实例。给体元件31包括柔性支持体70，该支持体包括非转印表面78。柔性支持体70已均匀地涂布有辐射-热转化层72。辐射-热转化层72包括能吸收有关波长辐射并放热的材料。柔性支持体70进一步均匀地涂布以涂布材料74。涂布材料74包括给体元件31的涂布侧80。
现在参照图6c，可以看到涂布有一层以上涂布材料的给体元件其结构的横截面示意图的一个实例。给体元件31包括柔性支持体70，该支持体包括非转印表面78。柔性支持体70已均匀地涂布有辐射-热转化层72。辐射-热转化层72包括能吸收有关波长辐射并放热的材料。柔性支持体70进一步均匀地涂布以涂布材料74和涂布材料76。涂布材料76包括给体元件31的涂布侧80。
本发明的其他特征包括以下。
该方法进一步包括清洁给体元件使其可重新涂布的步骤。
该方法进一步包括以所需数目的涂布层涂布接收体元件。
该方法进一步包括提供每个均作为可移动卷材的一部分的给体元件的步骤，该可移动卷材运行至与接收体元件呈材料转印关系。
该方法进一步包括清洁给体元件使其可重新涂布的步骤。
至少部分制造OLED器件的方法，该器件包括多个层，其中某些层或所有的层均对潮气或氧敏感，该方法包括以下步骤：
a)提供受控气氛涂布机和真空涂布机以及构成部分OLED器件的接收体元件；
b)向受控气氛涂布机中提供给体支持体元件并且涂布该给体支持体元件，以产生带有形成整个或部分OLED器件所需的一个或多个层的给体元件；
c)向真空涂布机中提供给体元件和接收体元件；并且
d)在真空涂布机中对给体元件施加辐射，以便从给体元件向接收体元件有选择性地转印一个或多个层。
该方法进一步包括以下步骤：
控制受控气氛涂布机中的气氛，使水蒸汽含量低于1000ppm但高于0ppm或者使氧含量低于1000ppm但高于0ppm，或者水蒸汽含量及氧含量均低于1000ppm但高于0ppm。

Claims (10)

1.一种至少部分制造对潮气或氧敏感的OLED器件的原位方法，该方法包括以下步骤：
a)向受控气氛涂布机中提供构成部分OLED器件的接收体元件；
b)向受控气氛涂布机中提供给体支持体元件并且涂布该给体支持体元件，以产生带有形成整个或部分OLED器件所需的一个或多个层的给体元件；
c)控制受控气氛涂布机中的气氛，使水蒸汽含量低于1000ppm但高于0ppm或者使氧含量低于1000ppm但高于0ppm，或者水蒸汽含量及氧含量均低于1000ppm但高于0ppm；
d)使给体元件的涂布侧按材料转印关系与待涂布的接收体元件定位；并且
e)对给体元件施加辐射，以便从给体元件向接收体元件选择性地转印一个或多个层。
2.权利要求1的方法，进一步包括以下步骤：
f)借助受控气氛涂布机用一个或多个构成部分OLED器件的层涂布接收体元件。
3.权利要求1的方法，进一步包括以下步骤：
f)重复步骤b)～e)，以制造整个或部分器件，该器件对潮气或氧敏感或者对潮气-氧敏感。
4.权利要求1的方法，进一步包括用所需数目的涂层涂布接收体元件。
5.权利要求1的方法，进一步包括以下步骤：
f)清洁给体元件，使其能重新涂布。
6.权利要求1的方法，进一步包括提供作为可移动卷材一部分的给体元件，该卷材运行至与接收体元件呈材料转印关系。
7.一种用于制造由多个OLED器件构成的全彩色显示器的原位方法，该显示器对潮气或氧敏感或者对潮气-氧敏感，该方法包括以下步骤：
a)向受控气氛涂布机中提供构成显示器一部分的接收体元件；
b)向受控气氛涂布机中提供多个给体支持体元件并且用材料涂布这些给体支持体元件，而且其中每个给体支持体元件具有至少一种与相应的OLED器件不同的材料，用以提供不同的输出色彩；
c)控制受控气氛涂布机中的气氛，使水蒸汽含量低于1000ppm但高于0ppm或者使氧含量低于1000ppm但高于0ppm，或者水蒸汽含量及氧含量均低于1000ppm但高于0ppm；
d)然后使每个给体元件的涂布侧按材料转印关系与待涂布的接收体元件定位；并且
e)随后对给体元件施加辐射，以便从每个给体元件向接收体元件中所形成的相应OLED器件有选择性地转印一个或多个层。
8.权利要求7的方法，进一步包括以下步骤：
f)借助受控气氛涂布机用一个或多个构成部分OLED器件的层涂布接收体元件。
9.权利要求7的方法，进一步包括以下步骤：
f)重复步骤b)～e)，以制造整个或部分器件，该器件对潮气或氧敏感或者对潮气-氧敏感。
10.一种至少部分制造OLED器件的方法，该器件包括多个层，其中某些层或所有的层均对潮气或氧敏感，该方法包括以下步骤：
a)提供受控气氛涂布机和真空涂布机以及构成部分OLED器件的接收体元件；
b)向真空涂布机中提供给体支持体元件并且涂布该给体支持体元件，以产生带有形成整个或部分OLED器件所需的一个或多个层的给体元件；
c)向受控气氛涂布机中提供给体元件和接收体元件；并且
在受控气氛涂布机中对给体元件施加辐射，以便从给体元件向接收体元件有选择性地转印一个或多个层。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102891165A (zh) * 2011-07-18 2013-01-23 三星显示有限公司 用于制造有机发光显示面板的装置和方法
CN105575975A (zh) * 2011-04-25 2016-05-11 株式会社尼康 基板处理装置及元件制造方法

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6703184B1 (en) * 2003-05-22 2004-03-09 Eastman Kodak Company Low moisture donor substrate coatable with organic layers transferrable in response in incident radiation
US7048602B2 (en) * 2003-08-25 2006-05-23 Eastman Kodak Company Correcting potential defects in an OLED device
KR20060017414A (ko) * 2004-08-20 2006-02-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자의 제조 방법
KR20060020031A (ko) * 2004-08-30 2006-03-06 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열전사 장치
KR100699993B1 (ko) * 2004-08-30 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열전사 방법
KR20060020045A (ko) * 2004-08-30 2006-03-06 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치의 제조방법
KR20060020044A (ko) * 2004-08-30 2006-03-06 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 도너 기판의 제조방법
KR20060021210A (ko) * 2004-09-02 2006-03-07 삼성에스디아이 주식회사 레이저 전사용 도너 기판의 제조 장치와 도너 기판의 제조방법 및 그를 이용한 유기 전계 발광 소자의 제조 방법
TWI264474B (en) * 2004-10-13 2006-10-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd Evaporation apparatus and process
DE102004056028A1 (de) * 2004-11-19 2006-06-01 Leybold Optics Gmbh Vorrichtung für die Herstellung eines dreidimensional strukturierten Substrats
WO2006064600A1 (ja) * 2004-12-17 2006-06-22 Sharp Kabushiki Kaisha 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法及び製造装置
KR100635579B1 (ko) * 2004-12-20 2006-10-17 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사장치, 상기 장치를 사용하는 레이저 열전사법 및 상기 장치를 사용하는 유기전계발광표시장치제조방법
JP2007122914A (ja) * 2005-10-25 2007-05-17 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法及びそれに用いる製造装置
WO2008069259A1 (en) * 2006-12-05 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation apparatus, film formation method, manufacturing apparatus, and method for manufacturing light-emitting device
TWI477195B (zh) * 2007-04-27 2015-03-11 Semiconductor Energy Lab 發光裝置的製造方法
JP2009049094A (ja) * 2007-08-16 2009-03-05 Sony Corp 有機電界発光素子および表示装置
US8425974B2 (en) * 2007-11-29 2013-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Evaporation donor substrate and method for manufacturing light-emitting device
US8080811B2 (en) 2007-12-28 2011-12-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing evaporation donor substrate and light-emitting device
WO2009099002A1 (en) * 2008-02-04 2009-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and method for manufacturing light-emitting device
WO2009107548A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and manufacturing method of light-emitting device
JP2009231277A (ja) * 2008-02-29 2009-10-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 製造装置
JP5416987B2 (ja) 2008-02-29 2014-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法及び発光装置の作製方法
JP5238544B2 (ja) * 2008-03-07 2013-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法及び発光装置の作製方法
JP5079722B2 (ja) 2008-03-07 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US8182863B2 (en) 2008-03-17 2012-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and manufacturing method of light-emitting device
JP5244680B2 (ja) * 2008-04-14 2013-07-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US8409672B2 (en) * 2008-04-24 2013-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing evaporation donor substrate and method of manufacturing light-emitting device
US8486736B2 (en) * 2008-10-20 2013-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
JP2010153051A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Sony Corp 転写用基板および表示装置の製造方法
TWI452157B (zh) * 2010-02-09 2014-09-11 Ind Tech Res Inst 一種面型蒸鍍源及其蒸鍍方法與系統
US20110318503A1 (en) * 2010-06-29 2011-12-29 Christian Adams Plasma enhanced materials deposition system
WO2012136434A2 (en) 2011-04-08 2012-10-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method
JP5753320B2 (ja) * 2011-08-16 2015-07-22 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置
US20140166990A1 (en) * 2012-12-17 2014-06-19 Universal Display Corporation Manufacturing flexible organic electronic devices
CN104201294B (zh) * 2014-07-10 2016-10-05 深圳市华星光电技术有限公司 一种操作平台

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3401356B2 (ja) 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
US5633113A (en) * 1995-04-14 1997-05-27 Polaroid Corporation Mass transfer imaging media and methods of making and using the same
US5688551A (en) 1995-11-13 1997-11-18 Eastman Kodak Company Method of forming an organic electroluminescent display panel
JPH10125463A (ja) * 1995-12-28 1998-05-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子、液晶照明装置、表示デバイス装置、および、有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法
US5998085A (en) * 1996-07-23 1999-12-07 3M Innovative Properties Process for preparing high resolution emissive arrays and corresponding articles
US5904961A (en) * 1997-01-24 1999-05-18 Eastman Kodak Company Method of depositing organic layers in organic light emitting devices
US5937272A (en) 1997-06-06 1999-08-10 Eastman Kodak Company Patterned organic layers in a full-color organic electroluminescent display array on a thin film transistor array substrate
US5885930A (en) * 1997-07-30 1999-03-23 Eastman Kodak Company Thin wear resistant and heat conductive slip layer for a reusable thermal dye donor belt
US5851709A (en) 1997-10-31 1998-12-22 Eastman Kodak Company Method for selective transfer of a color organic layer
JP2918037B1 (ja) * 1998-06-18 1999-07-12 日本電気株式会社 カラー有機ｅｌディスプレイとその製造方法
JP3782245B2 (ja) * 1998-10-28 2006-06-07 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造装置及び製造方法
JP4288732B2 (ja) * 1998-11-16 2009-07-01 カシオ計算機株式会社 発光素子を製造するための転写体の製造方法
JP2000195665A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Toyota Motor Corp 有機膜の形成方法
US6114088A (en) 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
JP4425438B2 (ja) * 1999-07-23 2010-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置の作製方法
JP4776769B2 (ja) * 1999-11-09 2011-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2001210469A (ja) * 2000-01-28 2001-08-03 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
TW501379B (en) * 2000-07-25 2002-09-01 Eastman Kodak Co Method of making organic electroluminescent device using laser transfer
JP2002108250A (ja) * 2000-09-29 2002-04-10 Sharp Corp アクティブマトリックス駆動型自発光表示装置及びその製造方法
US6555284B1 (en) * 2001-12-27 2003-04-29 Eastman Kodak Company In situ vacuum method for making OLED devices

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105575975A (zh) * 2011-04-25 2016-05-11 株式会社尼康 基板处理装置及元件制造方法
CN105575975B (zh) * 2011-04-25 2018-04-06 株式会社尼康 基板处理装置及元件制造方法
CN102891165A (zh) * 2011-07-18 2013-01-23 三星显示有限公司 用于制造有机发光显示面板的装置和方法
CN102891165B (zh) * 2011-07-18 2018-01-30 三星显示有限公司 用于制造有机发光显示面板的装置和方法

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