CN1453644A - 用于改善光刻装置中线宽控制的***和方法 - Google Patents

Abstract

电磁能量从光刻装置的照明光源发射。发射的电磁能量的一部分，通过照明光学模块。照明光学模块包括具有光瞳平面的一维光学变换单元。有可调整孔径的孔径装置，位置邻近于该光瞳平面，使该一维光学变换单元接收的一部分电磁能量，通过孔径装置的孔径。用该孔径装置把通过照明光学模块的电磁能量角分布，作为照明场位置的函数而调整，从而改善光刻装置中的线宽控制。

Description

用于改善光刻装置中线宽控制的***和方法

技术领域

本发明涉及光刻法。更具体说，是涉及光刻装置的线宽控制。

背景技术

在半导体芯片的制造中，使用光刻法。光刻法，或更具体说是光刻蚀术，涉及把掩模版或半导体电路掩模一个或多个的图像，投射在晶片的光敏基片上。然后，处理晶片，以形成一种或多种电路。随着半导体芯片制造技术的进步，半导体器件的尺寸变得更小，需要改进光刻蚀装置中的线宽控制。

大型半导体芯片，一般用分步扫描光刻装置制造。分步扫描光刻装置的工作原理，是把照明***确定的典型的矩形照明场，在有电路图形的掩模版上扫描。用分步扫描光刻装置制造大型半导体芯片，部分是因为，能用分步扫描光刻装置制造的半导体芯片的大小，不受该装置的投影光学***大小的限制。

例如，一种在分步扫描光刻装置中改善线宽控制的方法和***，由McCullough等人在2000年6月22日申请的美国专利申请序号No.09/599,383中说明，标题是“Illumination System With SpatiallyControllable Partial Coherence Compensating For LinewidthVariances In a Photolithography System.”，本文全文引用，供参考。McCullough等人说明，使用一种按用户要求设计的光学单元，如微透镜阵列或衍射光学单元，控制光刻装置照明***的部分相干性，从而补偿光刻装置中的线宽变化。由McCullough等人说明的按用户要求设计的光学单元，是用于补偿特定光刻装置有关的预定的水平和竖直偏差。但是，McCullough等人的方法的一种限制是，设计并制作McCullough等人说明的按用户要求设计的光学单元，通常是昂贵且费时的过程。因此，McCullough等人说明的按用户要求设计的光学单元，例如当与特定光刻装置有关的水平和竖直偏差随时间变化时，不能快速调整。

其他类型的光刻装置，诸如分步重复光刻装置和场拼接(fieldstitching)光刻装置，也都呈现水平和竖直偏差，由此产生线宽变化。对这些光刻装置中的水平和竖直偏差进行补偿和改善线宽控制，正如对分步扫描光刻装置中的水平和竖直偏差进行补偿和改善线宽控制一样重要。

因此，需要一种***和方法，用于控制光刻装置中的线宽变化，克服上述各种限制。

发明内容

本发明提供一种***和方法，用于控制光刻装置中的线宽变化。电磁能量从照明光源发射。一部分发射的电磁能量，通过照明光学模块。在一个实施例中，照明光学模块包括一维的有光瞳平面的光学变换单元。有孔径的孔径装置，位置邻近于该光瞳平面，使该一维光学变换单元接收的任何电磁能量的一部分，通过孔径装置的孔径。通过照明光学模块的电磁能量的角分布，用该孔径装置控制。

在一个实施例中，从照明光学模块出射的电磁能量，通过掩模版台。掩模版台上有适于夹持掩模版或掩模的掩模区。任何通过掩模区的电磁能量的一部分，被投影光学模块接收。通过掩模版台夹持的掩模版或掩模的电磁能量，将进入投影光学模块，并被投影光学模块成像在光敏基底上，如晶片台夹持的晶片上。

在本发明的一些实施例中，调整孔径装置孔径的形状，以控制在掩模或掩模版上的电磁能量角分布。在本发明的一个实施例中，孔径的形状是静态的。在该种实施例中，孔径形状是通过至少置换孔径装置的一部分来改变的。在另一种实施例中，孔径形状是动态的。在该种实施例中，孔径形状的变化，是用孔径控制模块来调整孔径形状而实现的。用开环控制***，或闭环控制***，能够自动调整孔径的形状。在一个实施例中，测量电磁能量的角分布，用以确定孔径的适当形状。

在本发明的一些实施例中，除一维光学变换单元与孔径装置外，还加上用户定制的或标准化的光学单元，用于改变照明光源发射的电磁能量的部分相干性。该光学单元包括，例如微透镜或衍射单元，以改变入射一维光学变换单元上的电磁能量的部分相干性。

在本发明的一个实施例中，用一种可调整的限定器(如钳口或光阑)来限制照明场的长度。该可调整的限定器是与孔径装置分开的装置。

本发明更多的特性和优点，连同本发明各个实施例的结构和工作原理，将参照下面的附图详细说明。

附图说明

本发明是参照附图说明的。收入本文并形成说明书一部分的附图，说明本发明并与说明一起，进一步解释本发明的原理，同时能使本领域熟练人员制作和使用本发明。图中，相同的参考数字表示相同或功能类似的单元。此外，参考数字最左侧的一个数或多个数，标识该参考数字首次出现的图号。

图1画出引用本发明的光刻装置的一个例子。

图2画出如何测量图1光刻装置的部分相干性。

图3画出常规光刻装置中作为场位置函数的光的角分布。

图4A画出光敏基片上形成的无偏差的水平线和无偏差的垂直线。

图4B画出光敏基片上形成的偏差的水平线和无偏差的垂直线。

图4C画出光敏基片上形成的无偏差的水平线和偏差的垂直线。

图5画出按照本发明光敏基片和照明场之间关系的一个例子。

图6画出按照本发明部分相干性调整器模块的一个例子。

图7进一步画出图6部分相干性调整器的一维光学变换单元。

图8A画出按照本发明可调整孔径的第一个例子。

图8B画出按照本发明可调整孔径的第二个例子。

图9A-B按照本发明的一个实施例，说明在光刻装置中，控制作为场位置函数的电磁能量角分布方法的流程图。

具体实施方式

本发明提供一种改善光刻装置中线宽控制的***和方法。从本文的详细说明中可明显看到，本发明特别适合与分步扫描光刻装置一起使用。

在下面的说明中，均详细参考本发明给出的各个实施例，各个实施例的例子画在各个附图中。虽然本发明将结合给出的实施例说明，但应当指出，给出的各个实施例不是要把本发明仅限制在这些实施例。相反，应当认为，本发明覆盖后面权利要求书规定的本发明的精神和范围内各种变化、修改、和等效叙述。此外，在下面的说明中，为解释的目的，阐明许多特殊的细节，以便提供对本发明的完整了解。但是，本领域熟练人员显然在阅读本文公开内容的基础上，无需这些特殊的细节也能够实现本发明。在其他方面，熟知的结构及装置不再详细说明，以免使本发明模糊不清。

术语

定义下面的术语，以便用它们来说明本发明的实施例。本文使用的术语：

“孔径装置”指通过改变或更改孔径的形状，能改变或更改沿预定光轴的电磁能量角分布的装置。孔径装置可以是动态的装置，如在授予McCullough等人的U.S.patent No.6,013,401中描述的发明以及据此的变化，也可以是静态的装置，如有预定形状及大小的孔径的平板或圆盘。

“定制的光学单元”指为补偿特定光刻装置的光学特性而专门设计的光学单元。定制的光学单元除了指专门设计的以外，不一定指光刻装置中使用的单元。

“照明光源”指照明的任何光源，如，脉冲激光器或适合进行光刻的灯。

“光刻装置”指任何光刻蚀装置，包括分步扫描光刻装置、分步重复光刻装置、和/或场拼接光刻装置，除非另外指明。

“一维光学变换单元”指任何形成光瞳平面并能使孔径装置邻近于该光瞳平面的光学装置或光学装置的组合，以便用于改变沿预定光轴的电磁能量的角分布。

“位置邻近于”指相对于第二模块或装置放置的第一模块或装置，能使从第一模块或装置出射的电磁能量，间接地或直接地进入第二模块或装置。“位置邻近于”一词，包括用一个或多个光学单元，把从第一模块或装置出射的电磁能量，引进第二模块或装置的情况。

“掩模版台(reticle stage)”指用于把掩模版或半导体掩模夹持和定位的光刻装置部分。

“标准化光学单元”指为补偿专门制作或某型号光刻装置的光学特性而设计的光学单元。各种标准化光学单元，是指在所有专门制作或某型号光刻装置中可交换使用的单元。

“晶片”或“光敏基片”两者都指晶片，其上涂有半导体制造商为制作半导体芯片而使用的那种光敏涂层(光致抗蚀剂)。

“晶片台”指用于把晶片夹持和定位的光刻装置部分。

本发明的***实施例

图1画出体现本发明的光刻装置例子100。照明光源102产生并引导电磁能量进入光学模块104。照明光学模块104包括部分相干性调整器模块105，它整理从照明光源102接收的电磁能量，使之达到本发明要求的状态。整理后的电磁能量，离开照明光学模块104，然后通过掩模版台106夹持的掩模版(未画出)。掩模版用于把电路图形投影在晶片或光敏基片110上。电磁能量通过掩模版，进入投影光学模块108。投影光学模块108把接收的电磁能量投射在光敏基片110上。光敏基片110由晶片台112夹持并移动。台控制器114控制掩模版台106和晶片台112的位置，从而控制掩模版(未画出)和光敏基片110的位置。

照明光源102包括电磁能量源。照明光源102可以是连续的电磁能量源，也可以是脉冲的电磁能量源。例如，可以用工作在约1kHz到约4kHz范围的脉冲激光器。在相关光刻领域的熟练人员知道，照明光源102产生的电磁能量，在被用于使光敏基片110曝光前，需要整理。

照明光学模块104包括整理从照明光源102接收的电磁能量的光学单元。构成照明光学模块104一部分的光学单元在下面说明，亦在例如授予Stanton等人的U.S.patent No.5,631,721中说明，该文全部收入本文，供参考。具体说，照明光学模块104包括部分相干性调整器模块105。部分相干性调整器模块105包括改变照明光源102发射的、作为场位置函数的电磁能量角分布的光学单元(例如，如下所述，改变照明场312的电磁能量角分布)。举例说，部分相干性调整器模块105，包括一维光学变换单元和孔径装置，用于改变电磁能量的角分布。在一些实施例中，部分相干性调整器模块105还包括用于改变电磁能量角分布的定制的或标准的光学单元。本发明的这些特性，后面还要更详细说明。

从照明光学模块104出射的电磁能量，照亮掩模版台106夹持的掩模版(未画出)。通过照亮该掩模版，在其上的电路图形被传递到光敏基片110。按光刻领域熟练人员熟知的方式，处理光敏基片110，以形成一种或多种电路。

投影光学模块108用来使通过掩模版的电磁能量，成像在光敏基片110上。投影光学模块108还能用来缩小在光敏基片110上形成的掩模版图形。

台控制器114控制掩模版台106和晶片台112的运动和定位。台控制器114能使光刻装置100或者按分步扫描模式、分步重复模式、和/或按场拼接模式工作。

图2画出如何测量光刻装置100的部分相干性。在图2上画出两个锥体208和210。锥体210代表的空间，是照明光源102的电磁能量照亮掩模版台106夹持的掩模版所通过的实际空间。锥体208代表的锥体或空间，是电磁能量能够通过、并且还被用于在晶片110上成像的最大锥体或空间。锥体210的角分布(即锥体210的部分相干性因子σ)由公式1给出： $\mathrm{\σ}=\frac{{\mathrm{\θ}}_0}{{\mathrm{\θ}}_m}$ 公式1

这里如图2所示，锥体208与光刻装置100的光轴成角度θ_m，而锥体210与光轴成角度θ₀。

图3画出常规光刻装置300中作为场位置函数的光的角分布。在图3中，所画的电磁能量是从照明光学模块302出射的。该出射的电磁能量还没有按照本发明整理。该出射的电磁能量通过掩模版台304。掩模版或半导体掩模(未画出)放在掩模版台304的像平面上。该出射的电磁能量通过投影光学模块306。投影光学模块306使电磁能量成像在邻近于晶片台的像平面上。

如图3所示，照明光学模块302发出的电磁能量，形成电磁能量锥体(如见锥体310A)。当电磁能量离开投影光学模块306时，它同样还形成电磁能量锥体(如见锥体310B)。这些电磁能量锥体(由锥体310B、314、316、318、和320代表)形成照明场312。照明场312用于使晶片330的光敏基片曝光。

照明场312并不作为场位置函数而改变。构成照明场312一部分的每一电磁锥体(如310B、314、316、318、和320)，使晶片330上不同的点曝光。锥体308B画出能用于使晶片330的光敏基片曝光的最大电磁能量锥体。该锥体还作为锥体308A画出。每一电磁锥体(如310B、314、316、318、和320)的形状(即截面图)，代表照明场312中特定点上电磁能量的部分相干性。

如图3所示，锥体308A和308B之间存在某种关系。改变锥体310A的形状，导致在锥体310B内产生类似的变化。锥体308A和和310A能够用于计算光刻装置300的部分相干性。

图4A、4B、和4C画出水平线和竖直线的偏差。产生这些线偏差的原因是，例如掩模版中和例如光刻装置300等常规光刻装置中光学组件的缺陷。

图4A画出晶片330上形成具有宽度W_H的无偏差水平线402和具有宽度W_v的无偏差竖直线404。

图4B画出晶片330上形成具有宽度W_H′的偏差水平线406和具有宽度W_v的无偏差竖直线404。

图4C画出晶片330上形成具有宽度W_H的无偏差水平线402和具有宽度W_v′的偏差竖直线408。

涉及本文说明的光刻领域的熟练人员应当清楚，本发明能够用于控制照明场312中作为场位置函数的电磁能量角分布，或部分相干性，从而改善光刻装置300的性能。通过改变电磁能量的相干性，使晶片330(如锥体310B、314、316、318、和320的形状)按本发明曝光，可以降低晶片330上形成的线宽的变化。本发明各实施例还可用于改善各种光刻装置的性能，而不仅用于例如使用方形或环形狭缝照明场使晶片曝光的光刻装置300。

图5画出晶片330和照明场312之间的关系。图5还表明，为何本发明能用于按本发明改变使晶片330曝光(例如见锥体504、506、和508的形状)的电磁能量的部分相干性，从而降低晶片330上形成的线宽的变化。

如图5所示，照明场312用于使晶片330的扫描面积502曝光。照明场312中电磁能量的部分相干性或角分布，作为场位置函数而变化。当照明场312在扫描面积502上扫描时，能使晶片330每一点沿照明场312的长度方向不同地曝光。照明锥体504、506、和508指出，为何电磁能量(如光)的角分布能够按照本发明作为照明场位置的函数而改变。

图6按照本发明，画出部分相干性调整器模块105。如本文所述，部分相干性调整器模块105用于调整照明场中(如照明场312)作为场位置函数的电磁能量的部分相干性。按照本发明的一个实施例，部分相干性调整器模块105包括，一维光学变换单元602、照明场限定器614、和定制的或标准化的光学单元620。

如图6所示，在一个实施例中，光学变换单元602有两个光学单元(如透镜)604和606，和一个孔径装置608。孔径装置608有一孔径(未画出)，用于调整沿预定轴通过孔径的电磁能量的部分相干性。例如，光学变换单元602能用于改变沿对准矩形照明场312长度的轴的电磁能量角分布，照明场312示于图5。

在一个实施例中，孔径装置608是与授予McCullough等人的U.S.patent No.6,013,401中描述的发明类似的装置。在本实施例中，孔径装置608孔径的大小和形状能够实时地改变，以补偿产生水平线和/或竖直线偏差的时变现象。在一个实施例中，对特定一组参数降低线宽变化所必需的孔径的大小和形状，是预先计算并存储在可选的存储器612中。然后，可选的孔径控制模块610，利用该存储的数据，在光刻装置工作时，调整孔径装置608孔径的形状。可能产生线宽变化的时变参数，包括使用的温度、压力、和电阻。其他用本发明能补偿的时变参数，对相关光刻领域的熟练人员是熟识的。孔径控制模块610能以开环或以闭环方式工作。如何实现孔径控制模块610，对涉及本文说明的控制***领域的熟练人员，是显而易见的。

在另一个实施例中，孔径装置608是有静态孔径的可置换的板或可置换的圆盘，或者是包括有静态孔径的可置换的板或可置换的圆盘的装置。在本实施例中，为了改变孔径的形状，该板或圆盘能够通过手动或自动方式改变。诸如需要再现的电路各要素的价格和大小等因素，将决定何时及应多频繁地改变可置换的板或可置换的圆盘，才能控制线宽的变化。在其他实施例中，除了可置换的板或可置换的圆盘外，还使用别的形成可变化孔径的熟知方法。

涉及本文说明的光刻领域的熟练人员显然知道，对特定一组参数控制线宽变化所必需的孔径装置608的孔径形状，能够根据对若干晶片在时间上及不同条件下曝光的试验数据的分析来确定。必需的数据，例如可以分析晶片上印刷线宽变化及用来使晶片曝光的掩模版上对应的线宽而获得。如何收集数据及分析数据，相关领域的熟练人员是熟知的。

照明场限定器614用于设定使晶片330曝光的照明场最大的大小和形状。在本发明的一些实施例中，限定器614形成的照明场的大小和形状，由可选的扫描场控制模块616和可选的存储器618控制。利用该特性，例如对某一特定掩模版成像时使用的电磁能量的量实施控制。

在本发明一些实施例中，利用定制的或标准化的光学单元620，修改照明光源102发射的电磁能量的部分相干性。可选的单元620包括，例如，能改变光学单元620上入射电磁能量的部分相干性的微透镜或衍射单元。光学单元620的设计，例如，要能对产生水平和竖直线宽偏差的投影光学模块108的缺陷所带来的电磁能量部分相干性的变化，加以补偿。

定制的光学单元620，在McCullough等人的U.S.patentApplication Ser.No.09/599,383中有详细的描述。

为补偿特定型号光刻装置平均的或典型的缺陷而设计的光学单元620，有许多优点。举例说，它降低制作成本和制作时间。光学单元620不对产生水平线和/或竖直线偏差的时变现象进行补偿。

图7画出由一维光学变换单元602的两个光学单元604和606形成的光瞳平面702。孔径装置608的孔径，位于光学单元604和606之间，邻近于光瞳平面702。这样的安排能使孔径装置608的孔径按本文说明的方式，改变通过该孔径的电磁能量的部分相干性(如通过改变电磁辐射704、706、和708的锥体形状)。

图8A和8B画出两个孔径801和811的例子，使用该两个例子的孔径，能按本发明改变沿光轴的电磁能量的部分相干性。当把孔径801或811放在邻近于一维光学变换单元602的光瞳702时，它将改变照明场中作为场位置函数的电磁能量(如光)角分布。例如，当把本发明引进光刻装置300中时，孔径801或811将在照明场312中，改变作为场位置函数的电磁能量角分布。

对孔径801，照明场312中电磁能量的角分布，将在与孔径801边缘802和810之间的面积对应的区域中有某一值“A”。电磁能量在照明场312中的角分布，将在与孔径801边缘804和810，及边缘808和810之间的面积对应的区域中，有大于“A”的值。在与孔径801边缘802和810之间的面积对应的区域中，有小于“A”的值。

类似地，对孔径811，照明场312中电磁能量的角分布，将在与孔径811边缘812A和812B之间的面积对应的区域中有某一值“B”。电磁能量在照明场312中的角分布，将在与孔径811边缘814A和814B，及边缘818A和814B之间的面积对应的区域中，有大于“B”的值。在与孔径811边缘816A和816B之间的面积对应的区域中，有小于“B”的值。因此，涉及本文说明的光刻领域的熟练人员应当清楚，本发明通过改变作为场位置函数的照明灯光角分布，改善光刻装置中的线宽控制。

本发明的方法实施例

图9A和9B按照本发明的一个实施例，说明在光刻装置内，控制作为场位置函数的电磁能量角分布方法900中各步骤的流程图。现在说明方法900的各个步骤。

在步骤910，照明光源发射电磁能量。发射的电磁能量(如光)可以是连续的电磁能量源，也可以是脉冲的电磁能量源。在一个实施例中，使用工作在约1kHz到约4kHz范围的脉冲激光器。

在步骤920，照明光源发射的电磁能量，通过照明光学模块。该照明光学模块包括部分相干性调整器模块。该部分相干性调整器模块包括一维光学变换单元。光学模块的目的，是整理电磁能量，使之能用于照亮掩模版或掩模，并把电路图形成像在晶片上。

在步骤930，使进入一维光学变换单元的电磁能量角分布，沿光轴变化。这是让电磁能量的一部分通过孔径装置的孔径而实现的。孔径装置的孔径，邻近于一维光学变换单元的光瞳平面。

在步骤940，使来自照明光学模块的电磁能量，通过掩模版台的掩模区。工作时，掩模版台的掩模区夹持掩模版或掩模。通过照亮掩模版，其上的电路图形被传递至晶片的光敏基片上。

在步骤950，把通过掩模版台中掩模区的电磁能量，用投影光学模块成像，形成的像平面邻近于晶片台。在一些实施例中，投影光学模块缩小传递至光敏基片的掩模版各要素的大小。例如，在一个实施例中，投影光学模块把传递至光敏基片的掩模版各要素的大小缩小4倍。

在步骤960，调整孔径装置的孔径形状，以控制邻近于晶片台的像平面上电磁能量的角分布。在一个实施例中，孔径装置的孔径是动态的孔径。该动态的孔径是通过用孔径控制模块改变孔径的形状而调整的。孔径控制模块可以是调整孔径形状的开环控制***，或是调整孔径形状的闭环控制***。在一个实施例中，存储在存储器中的预先计算的数据，被用来调整孔径装置的孔径形状。孔径的形状是根据邻近于晶片台的像平面上电磁能量的角分布来调整的。在另一个实施例中，孔径装置的孔径是静态的孔径。通过置换孔径装置至少一部分来调整该静态孔径的孔径形状。例如，在一些实施例中，有预定切口(孔径)的板或圆盘，由另一块有不同形状切口(孔径)的板或圆盘取代。

在本发明的一些实施例中，孔径形状的调整，是根据晶片台夹持的光敏基片(晶片)上形成的印刷线宽变化的检测。例如，检测的印刷线宽中的变化，可以与用于使光敏基片曝光的掩模版比较，从而能按照本发明，确定能使线宽变化降低的孔径形状。这一检测和分析过程，可以在连续的基础上进行，也可以通过分析晶片上线宽随时间变化的改变而周期(如不时地)地进行。在一些实施例中，调整孔径的形状，使它与正在使用的特定掩模版相适应。

相关光刻领域的熟练人员应当明白，有许多因素可以用来确定如何调整孔径装置的孔径，以便按照本发明改善线宽控制。因此，本文讨论的各种因素，只以举例方式，而不是限制方式提出。

结论

本发明的各个实施例已如上述。应当指出，这些实施例只以举例方式，而不是限制方式给出。有关领域的熟练人员应当了解，可以不违背权利要求书中定义的本发明的精神和范围，而对上述实施例的形式和细节作各种修改。因此，本发明的广度和范围，应当不受任何上述示范性实施例的限制，而只依据后面权利要求书及其等价叙述来规定。

Claims (29)

1.一种光刻装置，包括：

照明光源；

接收所述照明光源发射的电磁能量的照明光学模块，所述照明光学模块有部分相干性调整器模块，该部分相干性模块包含：

有光瞳平面的一维光学变换单元，和

有孔径的孔径装置，用于改变进入所述一维光学变换单元的沿光轴的电磁能量角分布，所述孔径装置的孔径，位置邻近于所述一维光学变换单元的光瞳；

位置邻近于所述照明光学模块的掩模版台，其中，从所述照明光学模块出射的电磁能量，照亮所述掩模版台夹持的掩模版的一部分；

晶片台；和

像平面邻近于所述晶片台的投影光学模块，所述投影光学模块，位置邻近于所述掩模版台并邻近于所述晶片台，其中，通过所述掩模版台夹持的掩模版的电磁能量，进入所述投影光学模块，并被所述投影光学模块成像在所述晶片台夹持的晶片光敏基片上，和

其中，调整所述孔径装置的孔径形状，以控制邻近于所述晶片台的像平面上的电磁能量角分布。

2.按照权利要求1的装置，其中，根据晶片的光敏基片上形成的印刷线宽，与掩模版上对应线宽的偏离的检测，来调整孔径的形状。

3.按照权利要求1的装置，其中

孔径的形状是静态的，和

孔径形状是通过置换所述孔径装置的至少一部分而调整的。

4.按照权利要求1的装置，其中

孔径的形状是动态的，和

孔径形状是用孔径控制模块来调整的。

5.按照权利要求4的装置，其中用开环控制***来调整孔径的形状。

6.按照权利要求4的装置，其中用闭环控制***来调整孔径的形状。

7.按照权利要求1的装置，其中所述孔径装置是可调整的狭缝装置。

8.按照权利要求1的装置，还包括：

存储器，存储预先计算的用于调整孔径装置孔径形状的数据。

9.按照权利要求1的装置，其中所述部分相干性调整器模块还包括：

有多个不同照明区的光学单元，每一不同照明区有不同的照明性质，选择这些照明性质来降低印刷基片上线宽的变化，所述光学单元邻近于所述一维光学变换单元。

其中，从所述光学单元出射的电磁能量，将进入所述一维光学变换单元。

10.一种在光刻装置中控制作为场位置函数的电磁能量角分布的方法，该方法包括步骤：

(1)从照明光源发射电磁能量；

(2)使照明光源发射的电磁能量，通过包括具有光瞳平面的一维光学变换单元的照明光学模块；

(3)使照明光源发射的一部分电磁能量，通过孔径装置的孔径，以便改变进入该一维光学变换单元的沿光轴的电磁能量角分布，其中，孔径装置的孔径，位置邻近于该一维光学变换单元的光瞳平面；

(4)使来自照明光学模块的电磁能量，通过掩模版台中的掩模区；

(5)用包括至少一个光学单元的投影光学模块，使通过掩模版台中掩模区的电磁能量成像，以形成邻近于晶片台的像平面；和

(6)调整孔径装置的孔径形状，以便在邻近于晶片台的像平面上，控制电磁能量的角分布。

11.按照权利要求10的方法，其中步骤(6)包括：

根据晶片台夹持的光敏基片上形成的印刷线宽，与掩模版台夹持的掩模版上对应线宽的偏离的检测，来调整孔径的形状。

12.按照权利要求11的方法，其中步骤(6)包括：

对静态的孔径，至少置换孔径装置的一部分来调整孔径的形状。

13.按照权利要求11的方法，其中步骤(6)包括：

对动态的孔径，用孔径控制模块调整孔径的形状。

14.按照权利要求13的方法，其中步骤(6)包括：

用开环控制***来调整孔径的形状。

15.按照权利要求13的方法，其中步骤(6)包括：

用闭环控制***来调整孔径的形状。

16.按照权利要求13的方法，其中步骤(6)包括：

根据在邻近于晶片台的像平面上电磁能量的角分布，调整孔径的形状。

17.按照权利要求13的方法，其中步骤(6)包括：

用存储在存储器中预先计算的数据来调整孔径的形状。

18.按照权利要求10的方法，还包括步骤：

使照明光源发射的电磁能量，通过具有多个不同照明区的定制的光学单元。

19.按照权利要求10的方法，还包括步骤：

使照明光源发射的电磁能量，通过具有多个不同照明区的标准化的光学单元。

20.一种用于改善光刻装置中线宽控制的设备，包括：

有光瞳平面的一维光学变换单元；和

有孔径的孔径装置，用于改变进入所述一维光学变换单元的沿光轴的电磁能量角分布，所述孔径装置的孔径，位置邻近于所述一维光学变换单元的光瞳平面。

21.按照权利要求20的设备，还包括：

改变进入所述一维光学变换单元电磁能量部分相干性的定制的光学单元，所述定制的光学单元有多个不同照明区，每一不同的照明区有不同性质，选择这些性质来降低印刷基片上的线宽变化。

22.按照权利要求20的设备，还包括：

改变进入所述一维光学变换单元的电磁能量部分相干性的标准化光学单元，所述标准化的光学单元有多个不同照明区，每一不同的照明区有不同性质，选择这些性质来降低印刷基片上的线宽变化。

23.按照权利要求20的设备，其中，根据晶片的光敏基片上形成的印刷线宽，与掩模版上对应线宽的偏离的检测，来调整孔径的形状。

24.按照权利要求20的设备，其中，

孔径的形状是静态的，和

孔径形状是通过置换所述孔径装置的至少一部分而调整的。

25.按照权利要求20的设备，其中，

孔径的形状是动态的，和

孔径形状是用孔径控制模块来调整的。

26.按照权利要求25的设备，其中用开环控制***来调整孔径的形状。

27.按照权利要求25的设备，其中用闭环控制***来调整孔径的形状。

28.按照权利要求20的设备，其中所述孔径装置是可调整的狭缝装置。

29.按照权利要求20的设备，还包括：

存储器，存储预先计算的用于调整孔径装置孔径形状的数据。

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