CN1450592A - 晶圆辨识标号的制作方法 - Google Patents

晶圆辨识标号的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1450592A
CN1450592A CN 02106277 CN02106277A CN1450592A CN 1450592 A CN1450592 A CN 1450592A CN 02106277 CN02106277 CN 02106277 CN 02106277 A CN02106277 A CN 02106277A CN 1450592 A CN1450592 A CN 1450592A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
identifying label
manufacture method
mentioned
label
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN 02106277
Other languages
English (en)
Inventor
李世达
徐震球
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Silicon Integrated Systems Corp
Original Assignee
Silicon Integrated Systems Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Silicon Integrated Systems Corp filed Critical Silicon Integrated Systems Corp
Priority to CN 02106277 priority Critical patent/CN1450592A/zh
Publication of CN1450592A publication Critical patent/CN1450592A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本发明系为一种晶圆辨识标号的制作方法，至少包括：提供一晶圆，具有一正面、一背面以及一侧面；以及形成一辨识标号于上述晶圆的侧面。藉由形成一辨识标号于上述晶圆的侧面方法，可以避免传统上将晶圆辨识标号形成于晶圆的正面或背面所造成的问题。

Description

晶圆辨识标号的制作方法
技术领域
本发明系有关于一种半导体晶圆的制造方法，且特别是有关于一种在晶圆上形成辨识标号以利后续制程辨识的方法。
背景技术
半导体集成电路的制造是极为精密与繁复的过程，每一步骤都须严密控制，方可确保最后所产制的成品符合设计要求。而随着电路设计日益复杂化与元件积集度(Integration)不断地增加，制造一集成电路所需的时间不断增长。以现今生产线上的状况而言，一个产品的制造从半导体晶圆原料开始，经过无数吹的清洗、氧化、沉积、微影、蚀刻、布植等程序，最后至测试元件性质并覆盖绝缘护层(passivation)为止，所需的时间往往超过一个月以上。
在这样漫长的制造过程中，为了方便操作员正确辨识各批晶圆，据以分别施行适当的制造程序，通常可利用雷射光束在晶图表面的周边部分雕刻出一特定图案，作为各批产品的标号(marking ID)。一般而言，如图1所示者，在一半导体晶圆10正面的边缘部分2，先以雷射光束雕刻出标号图案，然后进行元件制造的程序，形成所需的集成电路12于半导体晶圆10的正面上。为了更清楚起见，请参见图2，其为图1中半导体晶圆10边缘部分2的部分放大图，显示一标号图案5，例如是XYZ-0001。
此一习知半导体晶圆的雷射标号制作方法具有许多缺点。首先，标号图案15于半导体晶圆10的边缘部分2形成，在形成标号图案15过程中，往往造成邻近标号的晶元(die)的损伤，减少晶圆上的有效面积(vailable area)。
其次，由于标号图案15系以雷射光束在半导体晶圆10表面上雕刻形成的，不可避免地会产生颗粒(未显示)残留在标号图案15中，虽经刷洗(scrub)处理亦无法完全去除。之后，当进行电子元件的制造程序时，在某些步骤中会利用一夹头(clamp)来夹住半导体晶圆儿的边缘部分作为固定之用，此一压力往往使得残馀的颗粒自标号图案15中脱离而出，在放开夹头之后，上述脱离而出的颗粒便散布开来，致使元件产生缺陷，严重影响其电子性质。
再者，由于标号图案15系制作在半导体晶圆10的正面上，在后续制造元件程序时必须能将其凹凸构造传递到最上层表面，方能持续提供辨识的功效。然而若元件制造程序中包含有化学机械研磨(CMP)步骤，因其为全面性平坦化处理技术，将导致标号图案15的凹凸构造无法传递到半导体晶圆10的表层，致使其丧失辨识的功能。虽然可设法保护标号图案15以避免上述情况发生，然而其于每次(CMP)程序时均需增加额外步骤，将使制程复杂化而影响生产效率。
发明内容
有鉴于此，为了解决上述问题，本发明主要目的在于提供一种晶圆辨识标号的制作方法，可适用于半导体晶圆的制造。
为获致上述的目的，本发明提出一种晶圆辨识标号的制作方法，此方法的步骤主要系包括：提供一晶圆，具有一正面、一背面以及一侧面；以及形成一辨识标号于上述晶圆的侧面。上述辨识标号例如为人类可辨识的字元或机器可辨识的数位条码。
本发明具有下列优点：
1.根据本发明，摒除传统上将辨识标号形成于晶圆的正面或背面的方法，可以避免形成辨识标号的制程中损伤邻近晶圆，以增加晶圆上的有效面积(vailable area)。
2.根据本发明，可以解决传统上制作晶圆辨识标号所造成的颗粒污染问。
3.根据本发明，由于辨识标号形成的位置位于晶圆的侧边，所以在后续的元件制造程序中，仍可保持辨识标号的完整性，维持其辨识的功能。
附图说明
图1系显示习知的晶圆标号的方法，其系为晶圆的俯视图；
图2系为图1中半导体晶圆的边缘部分的部分放大图，其显示习知的辨识标号；
图3系显示根据本发明的晶圆辨识标号制作方法其系为晶圆的立体图；
图4、图5系显示根据本发明的晶圆辨识标号制作方法的侧视图。
符号说明：
10、20、30-半导体晶圆；12-种体电路；15-标号图案；2-半导体晶圆的边缘部分；20a、30a-半导体晶圆的厚度部分；24-字元标号；26-圆形孔；34-数位条码标号；36-沟槽。
具体实施方式
请参照图3，系显示根据本发明的晶圆辨识标号制作方法，其系为晶圆的立体图。首先，提供一晶圆20，具有一正面20a、一背面20b以及一侧面20c，其中上述侧面20c包含了一平边3以及一弧边4。
接着，利用例如雷射加工或蚀刻程序，形成辨识标号于上述晶圆20的侧面20c的平边3或弧边4位置。
并且，辨识标号可为两种型态：
其中一种型态，请参照图4，系显示根据本发明的晶圆辨识标号制作方法的侧视图。一辨识标号24系由复数圆形孔26彼此相间隔而组成的字元所形成，例如为XYZ-001。人类可以直接或透过放大仪器设备，藉由肉眼辨识上述辨识标号24。
另外一种型态，请参照图5，仍系显示根据本发明的晶圆辨识标号制作方法的侧视图。其中上述辨识标号24系由复数沟槽36彼此相间隔而组成的数位条码所形成。可以藉由机器侦测且辨别上述辨识标号24。
本发明虽以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明的范围，任何熟习此项技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可做些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求范围所界定者为准。

Claims (10)

1.一种晶圆辨识标号的制作方法，至少包括：
提供一晶圆，具有一正面、一背面以及一侧面；以及形成一辨识标号于上述晶圆的侧面。
2.如权利要求1所述的晶圆辨识标号的制作方法，其特征在于：上述辨识标号为至少一字元所组成。
3.如权利要求2所述的晶圆辨识标号的制作方法，其特征在于：上述字元系由复数圆形孔彼此相间隔所形成。
4.如权利要求2所述的晶圆辨识标号的制作方法，其特征在于：上述辨识标号可由人类辨识。
5.如权利要求1所述的晶圆辨识标号的制作方法，其特征在于：上述辨识标号系为数位条码。
6.如权利要求5所述的晶圆辨识标号的制作方法，其特征在于：上述数位条码系由复数沟槽彼此相间隔所形成。
7.如权利要求5所述的晶圆辨识标号的制作方法，其特征在于：上述辨识标号可由机器辨识。
8.如权利要求1所述的晶圆辨识标号的制作方法，其特征在于：上述辨识标号系利用雷射加工所形成。
9.如权利要求1所述的晶圆辨识标号的制作方法，其特征在于：上述辨识标号系利用蚀刻程序所形成。
10.如权利要求1所述的晶圆辨识标号的制作方法，其特征在于：上述侧面包括一平边以及一弧边。
CN 02106277 2002-04-08 2002-04-08 晶圆辨识标号的制作方法 Pending CN1450592A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 02106277 CN1450592A (zh) 2002-04-08 2002-04-08 晶圆辨识标号的制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 02106277 CN1450592A (zh) 2002-04-08 2002-04-08 晶圆辨识标号的制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1450592A true CN1450592A (zh) 2003-10-22

Family

ID=28680197

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 02106277 Pending CN1450592A (zh) 2002-04-08 2002-04-08 晶圆辨识标号的制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN1450592A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102222601A (zh) * 2010-04-14 2011-10-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 增强晶圆识别码清晰度的方法
CN102543661A (zh) * 2010-12-27 2012-07-04 无锡华润上华科技有限公司 晶圆制作方法
CN101383339B (zh) * 2007-09-04 2013-03-27 株式会社迪思科 晶片
CN104704607B (zh) * 2012-10-02 2017-09-29 株式会社电装 碳化硅半导体基板及其制造方法
CN110137098A (zh) * 2019-04-26 2019-08-16 福建省福联集成电路有限公司 一种检视晶圆缺陷的方法及***
CN111430333A (zh) * 2020-05-14 2020-07-17 上海果纳半导体技术有限公司 晶圆刻号及其形成方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101383339B (zh) * 2007-09-04 2013-03-27 株式会社迪思科 晶片
CN102222601A (zh) * 2010-04-14 2011-10-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 增强晶圆识别码清晰度的方法
CN102222601B (zh) * 2010-04-14 2016-03-16 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 增强晶圆识别码清晰度的方法
CN102543661A (zh) * 2010-12-27 2012-07-04 无锡华润上华科技有限公司 晶圆制作方法
CN104704607B (zh) * 2012-10-02 2017-09-29 株式会社电装 碳化硅半导体基板及其制造方法
CN110137098A (zh) * 2019-04-26 2019-08-16 福建省福联集成电路有限公司 一种检视晶圆缺陷的方法及***
CN111430333A (zh) * 2020-05-14 2020-07-17 上海果纳半导体技术有限公司 晶圆刻号及其形成方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6578764B1 (en) Method of controlling manufacturing process of photoelectric conversion apparatus
EP2368662A1 (en) Film removal method, photoelectric conversion device manufacturing method, photoelectric conversion device, and film removal device
DE10013067A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen von dieser durch Chipvereinzelung
CN1450592A (zh) 晶圆辨识标号的制作方法
JP2012104512A (ja) 薄膜太陽電池モジュール及びその製造方法
CN115661148B (zh) 一种晶圆晶粒排列检测方法及***
CN106544638A (zh) 一种拼装型的掩模板装置
CN204450180U (zh) 一种样品研磨辅助装置
CN111993757A (zh) 一种无网结网版的制备方法
CN103159409A (zh) 一种用于钢化玻璃盖板蚀刻成型的保护层生成方法
DE102006001601A1 (de) Halbleiterwafer mit Rückseitenidentifizierung und Verfahren zur Herstellung desselben
KR20090052681A (ko) 불량품의 표시가 용이한 반도체 패키지용 회로기판과, 이를이용한 불량품 표시방법 및 불량품 표시물
CN1098537C (zh) 半导体圆片标记
US9589902B2 (en) Semiconductor wafer
DE102010020974A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Spezialsolarzellen aus einem Wafer
KR101459503B1 (ko) 인쇄회로기판의 제조방법 및 그 방법으로 제조된 인쇄회로기판
CN203849526U (zh) 一种显示器装置
CN100392809C (zh) 晶片绝缘层内连线的制造方法与结构
KR100567484B1 (ko) 불량부 표시 방법
CN114248003B (zh) 一种微零件激光加工的工艺方法
CN2179636Y (zh) 用于制造太阳电池电极的模具
DE102019112472B3 (de) Verfahren zur Herstellung eines ein Trägersubstrat aufweisenden Displays sowie ein nach diesem Verfahren hergestelltes Trägersubstrat
EP0794508A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Datenträgers mit einem elektronischen Modul
TW202228162A (zh) 電阻器之製造方法
CN103582305B (zh) 印刷电路板成品的制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication