CN1415998A - 半透明半反射式液晶显示器构造 - Google Patents
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Abstract
本发明是一种半透明半反射式液晶显示器构造，包含下透光基板；上透光基板；液晶层，设置在该下透光基板与该上透光基板之间；数据信号线，形成在该下透光基板上方用于传送数据电压信号；第一电极，形成在该下透光基板上方，电连接在该数据信号线；共同电极，形成在该上透光基板下方，与该液晶层及第一电极共同形成透明式液晶像素电容；第二电极，形成在该下透光基板上方，与该液晶层及该共同电极共同形成反射式液晶像素电容；辅助电极，形成在该第二电极与该下透光基板之间，电连接至第一电极并且与第一电极等电位；以及介电层，形成在该辅助电极与第二电极之间以形成辅助电容并且与反射式液晶像素电容串联，可调整该反射式液晶像素电容的电压值。
Description
技术领域
本发明是一种半透明半反射式液晶显示器构造，尤指一种具有辅助电容的半透明半反射式液晶显示器构造。
背景技术
在电子表、计算器、个人数字助理(PDA)乃至在移动电话手机等可携式电子装置上，大多以液晶显示器(LCD)来完成其显示装置，而最初大多数是反射式液晶显示器，但为了能增强在光线微弱环境下的显示能力，一种半透明半反射式的液晶显示器便应运而生。
请参见图1(a)，它是半透明半反射式液晶显示器的常规构造示意图，图中主要表示由透明电极11与反射电极12所共同组成的显示像素点的构造，而其相关电路示意图则如图1(b)所示。由图中可清楚看出，在常规构造中，透明像素电极11-液晶-共同电极10与反射像素电极-液晶-共同电极10分别构成透明液晶单元与反射液晶单元，而在操作过程中，透明像素电极11与共同电极10间的电压以及反射电极12与共同电极10间的电压相同。但是因为透明液晶单元与反射液晶单元两种液晶单元的操作方式不同，因此所需要的工作电压亦不相同(相关的电压-亮度曲线图请参见图2(a)(b))。一般来说，通常透明液晶单元需要在5伏特的电压下可达到亮态，但反射液晶单元仅需3.5伏特的电压便已达到亮态的高峰。因此，在上述常规构造中，透明液晶单元与反射液晶单元将因提供相同的工作电压而产生不同的亮度，造成显示器亮度不均的缺点。而如何改善此类常规缺点是发展本发明的主要目的。
发明内容
本发明是一种半透明半反射式液晶显示器构造，包含：一个下透光基板；一个上透光基板；一个液晶层，设置在该下透光基板与该上透光基板之间；数据信号线，形成在该下透光基板的上方，用于传送数据电压信号；第一电极，形成在该下透光基板的上方，电连接在该数据信号线；一个共同电极，形成在该上透光基板的下方，与该液晶层及该第一电极共同形成第一液晶像素电容；第二电极，形成在该下透光基板的上方，与该液晶层及该共同电极共同形成第二液晶像素电容；一个辅助电极，形成在该第二电极与该下透光基板之间，电连接至该第一电极并且与该第一电极等电位；以及介电层，形成在该辅助电极与该第二电极之间，以形成辅助电容而与该第二液晶像素电容形成串联，进而可调整位于该第二液晶像素电容上的电压值。
根据上述构想，在本发明所述的半透明半反射式液晶显示器构造中，该第一电极是透光电极，而该第二电极是反射电极。
根据上述构想，在本发明所述的半透明半反射式液晶显示器构造中，该数据信号线电连接至薄膜晶体管的漏极。
根据上述构想，在本发明所述的半透明半反射式液晶显示器构造中，该共同电极形成在该上透光基板与该液晶层之间。
根据上述构想，在本发明所述的半透明半反射式液晶显示器构造中，该辅助电极与该第一电极是以同一制作过程定义完成的。
根据上述构想，在本发明所述的半透明半反射式液晶显示器构造中，该辅助电极为矩形电极，并通过接线与该第一电极电连接。
根据上述构想，在本发明所述的半透明半反射式液晶显示器构造中，该辅助电极镶嵌在该第一电极的内部。
根据上述构想，在本发明所述的半透明半反射式液晶显示器构造中，该辅助电极为环状电极，并通过接线与该第一电极电连接。
根据上述构想，在本发明所述的半透明半反射式液晶显示器构造中，还包含背光源，设置在该下透光基板的下方。
本发明的另一方面是一种半透明半反射式液晶显示器构造，包含：一个下透光基板；一个上透光基板；一个液晶层，设置在该下透光基板与该上透光基板之间；数据信号线，形成在该下透光基板的上方，用于传送数据电压信号；第一电极，形成在该下透光基板的上方，电连接在该数据信号线；一个共同电极，形成在该上透光基板的下方，与该液晶层及该第一电极共同形成反射式液晶像素电容；第二电极，形成在该下透光基板的上方，与该液晶层及该共同电极共同形成透明式液晶像素电容；辅助电极，形成在该第二电极与该下透光基板之间，电连接至该第一电极并且与该第一电极等电位；以及介电层，形成在该辅助电极与该第二电极之间，以形成辅助电容而与该反射式液晶像素电容形成串联，进而可调整位于该反射式液晶像素电容上的电压值。
根据上述构想，在本发明所述的半透明半反射式液晶显示器构造中，该第二电极是透光电极，而该第一电极是反射电极。
附图说明
参见附图及详细说明可更深入的了解本发明：
图1(a)、(b)分别是半透明半反射式液晶显示器的常规构造示意图及其相关电路示意图。
图2(a)、(b)分别是常规半透明半反射式液晶显示器中相关的电压-亮度曲线图。
图3(a)、(b)、(c)、(d)分别是本发明的半透明半反射式液晶显示器构造的第一较佳实施例的部份构造顶视示意图、剖面示意图与电路示意图。
图4(a)、(b)分别是本发明的半透明半反射式液晶显示器构造的第二较佳实施例的部份构造的顶视示意图与剖面示意图。
图5(a)、(b)分别是本发明的半透明半反射式液晶显示器构造的第三较佳实施例的部份构造顶视示意图与剖面示意图。
具体实施方式
请参见图3(a)(b)，它是本发明的半透明半反射式液晶显示器构造的第一较佳实施例的部份构造顶视示意图与剖面示意图。由图3(a)可清楚看出，本实施例的每个显示像素点构造是由两部份组成，透光电极31所控制的区域与一般透光式液晶显示器并无不同，故在此不予赘述。而在反射电极32部份，其沿线段L的剖面示意图如图3(b)所示，其中辅助电极33是与透光电极31电气连接并且与其等电位，而反射电极32与辅助电极33间具有介电层34。背光源300、上下透光基板301、302、液晶层303以及共同电极304的配置则与一般液晶显示器构造并无太大不同。
因此，上述构造形成如图3(c)所示的电路示意图，由所增设的辅助电容C3与该反射液晶像素电容C2串联而可对Vd进行分压操作，因此将可用于进行调整电压值的目的，使得反射液晶像素电容C2的工作电压Vc2＝Vd*(Vc2/(Vc2+Vc3))。因此，本实施例可利用辅助电容C3的设置提供透明液晶单元与反射液晶单元不同的工作电压，透明液晶单元的工作电压较大，而反射液晶单元的工作电压较小，进而使其亮度呈现一致而使显示器的亮度均匀。当然，若由于实际的需要，亦可改变设计而将辅助电容C3串联至该透明液晶像素电容C1，如图3(d)所示的电路示意图，进而提供透明液晶单元与反射液晶单元不同的工作电压，透明液晶单元的工作电压较小，而反射液晶单元的工作电压较大。
再请参见图4(a)、(b)，表示本发明的半透明半反射式液晶显示器构造的第二较佳实施例的部份构造顶视示意图与剖面示意图。由于上述反射电极32未接地(floating)，因此为了防止因旁边经过的数据线或扫描线所产生的耦合效应的影响，在本实施例中将辅助电极33镶嵌在该透明电极31中(其实可视为与透明电极31共享一部份电极面积)，而面积较透明电极31为小的反射电极32是对应该辅助电极33的位置而设的。同样地，辅助电极33与反射电极32间仍具有介电层34(见图4(b)所示的剖面图)来形成辅助电容。因此，本实施例亦可利用辅助电容C3的设置提供透明液晶单元与反射液晶单元不同的工作电压，进而使其亮度呈现一致而使显示器的亮度均匀。
再请参见图5(a)、(b)，表示本发明的半透明半反射式液晶显示器构造的第三较佳实施例的部份构造顶视示意图与剖面示意图。其中环状的辅助电极33与透光电极31电气连接并且与其等电位，而反射电极32与辅助电极33间同样具有介电层34(见图5(b)所示的剖面图)来形成辅助电容。因此，本实施例亦可利用辅助电容C3的设置提供透明液晶单元与反射液晶单元不同的工作电压，进而使其亮度呈现一致而使显示器的亮度均匀。
上述反射电极32的材料可用金属铝或银，而辅助电极33与透光电极31则可用氧化铟锡(ITO)，该介电层34的材质可选自氧化硅或氮化硅，而上下透光基板301、302则可用玻璃基板。
综上所述，本发明的实施例可利用辅助电容的设置提供透明液晶单元与反射液晶单元不同的工作电压，进而使其亮度呈现一致而使显示器亮度均匀。因此，本发明确实可有效地改善了常规缺点，进而达成发明本发明的主要目的。由本领域的技术人员对本发明所做出的任何修改或改进都不脱离本发明的权利要求书所限定的范围。
Claims (12)
1.一种半透明半反射式液晶显示器构造，其特征在于包含：
一个下透光基板；
一个上透光基板；
一个液晶层，设置在该下透光基板与该上透光基板之间；
数据信号线，形成在该下透光基板的上方，用于传送数据电压信号；
第一电极，形成在该下透光基板的上方，电连接在该数据信号线；
共同电极，形成在该上透光基板的下方，与该液晶层及该第一电极共同形成透明式液晶像素电容；
第二电极，形成在该下透光基板的上方，与该液晶层及该共同电极共同形成反射式液晶像素电容；
一个辅助电极，形成在该第二电极与该下透光基板之间，电连接至该第一电极并且与该第一电极等电位；以及
一个介电层，形成在该辅助电极与该第二电极之间，以形成辅助电容而与该反射式液晶像素电容串联，进而可调整位于该反射式液晶像素电容上的电压值。
2.根据权利要求1所述的半透明半反射式液晶显示器构造，其特征在于该第一电极是透光电极，而该第二电极是反射电极，该数据信号线电连接至薄膜晶体管的漏极，该共同电极是形成在该上透光基板与该液晶层之间，而该辅助电极与该第一电极是以同一制作过程定义完成的。
3.根据权利要求1所述的半透明半反射式液晶显示器构造，其特征在于该辅助电极为矩形电极，并通过接线与该第一电极电连接。
4.根据权利要求1所述的半透明半反射式液晶显示器构造，其特征在于该辅助电极是镶嵌在该第一电极的内部。
5.根据权利要求1所述的半透明半反射式液晶显示器构造，其特征在于该辅助电极为环状电极，并通过接线与该第一电极电连接。
6.根据权利要求1所述的半透明半反射式液晶显示器构造，其特征在于还包含背光源，设置在该下透光基板的下方。
7.一种半透明半反射式液晶显示器构造，其特征在于包含：
一个下透光基板；
一个上透光基板；
一个液晶层，设置在该下透光基板与该上透光基板之间；
数据信号线，形成在该下透光基板的上方，用于传送数据电压信号；
第一电极，形成在该下透光基板的上方，电连接在该数据信号线；
共同电极，形成在该上透光基板的下方，与该液晶层及该第一电极共同形成反射式液晶像素电容；
第二电极，形成在该下透光基板的上方，与该液晶层及该共同电极共同形成透明式液晶像素电容；
一个辅助电极，形成在该第二电极与该下透光基板之间，电连接至该第一电极并且与该第一电极等电位；以及
一个介电层，形成在该辅助电极与该第二电极之间，以形成辅助电容，并且与该反射式液晶像素电容串联，进而可调整位于该反射式液晶像素电容上的电压值。
8.根据权利要求7所述的半透明半反射式液晶显示器构造，其特征在于该第二电极是透光电极，而该第一电极是反射电极，该数据信号线电连接至薄膜晶体管的漏极，该共同电极形成在该上透光基板与该液晶层之间，而该辅助电极与该第一电极是以同一制作过程定义完成的。
9.根据权利要求7所述的半透明半反射式液晶显示器构造，其特征在于该辅助电极为矩形电极，并通过接线与该第一电极电连接。
10.根据权利要求7所述的半透明半反射式液晶显示器构造，其特征在于该辅助电极是镶嵌在该第一电极的内部。
11.根据权利要求7所述的半透明半反射式液晶显示器构造，其特征在于该辅助电极为环状电极，并通过接线与该第一电极电连接。
12.根据权利要求7所述的半透明半反射式液晶显示器构造，其特征在于还包含背光源，设置在该下透光基板的下方。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB02150668XA CN1166978C (zh) | 2002-11-18 | 2002-11-18 | 半透明半反射式液晶显示器构造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1415998A true CN1415998A (zh) | 2003-05-07 |
| CN1166978C CN1166978C (zh) | 2004-09-15 |
Family
ID=4751815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB02150668XA Expired - Fee Related CN1166978C (zh) | 2002-11-18 | 2002-11-18 | 半透明半反射式液晶显示器构造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1166978C (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100414408C (zh) * | 2004-11-26 | 2008-08-27 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 液晶显示装置 |
| US7821613B2 (en) | 2005-12-28 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| CN101290441B (zh) * | 2007-04-17 | 2012-12-05 | 奇美电子股份有限公司 | 半穿透半反射液晶显示面板及其制造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3892882B2 (ja) * | 2005-06-13 | 2007-03-14 | 三菱電機株式会社 | 半透過型液晶表示装置 |
-
2002
- 2002-11-18 CN CNB02150668XA patent/CN1166978C/zh not_active Expired - Fee Related
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| CN100414408C (zh) * | 2004-11-26 | 2008-08-27 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 液晶显示装置 |
| US7821613B2 (en) | 2005-12-28 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| CN1991545B (zh) * | 2005-12-28 | 2012-09-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示器件及其制造方法 |
| US8634044B2 (en) | 2005-12-28 | 2014-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US9703140B2 (en) | 2005-12-28 | 2017-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US10444564B1 (en) | 2005-12-28 | 2019-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US10739637B2 (en) | 2005-12-28 | 2020-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US11269214B2 (en) | 2005-12-28 | 2022-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| CN101290441B (zh) * | 2007-04-17 | 2012-12-05 | 奇美电子股份有限公司 | 半穿透半反射液晶显示面板及其制造方法 |
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|---|---|
| CN1166978C (zh) | 2004-09-15 |
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