CN1363126A - 激光器驱动装置、光学头装置及光信息处理装置 - Google Patents

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Abstract

CD及DVD等不同种类的光盘需要多波长的光源。本发明提供使用多光源,低成本及高可靠性的激光驱动装置。在由半导体激光器1a、半导体激光器1b及光检测器2构成的双波长LD装置中,根据与光检测器2串联的可变电阻4a及4b的各电压值,利用APC电路6a及6b,来控制半导体激光器1a及1b的光输出。另外,在由半导体激光器1a、半导体激光器1b及光检测器2构成的双波长LD装置中,根据与光检测器2并联连接的可变电阻4a及4b的各中间电位,利用APC电路6a及6b,来控制半导体激光器1a及1b的光输出。

Description

激光器驱动装置、光学头装置及光信息处理装置
技术领域
本发明涉及在光盘或光卡等光媒体或光磁媒体上进行信息记录，重放或删除的光信息处理装置，特别是发射不同波长激光的光学头装置及采用该光学头装置的激光驱动装置。
背景技术
采用具有坑状图形的光盘作为高密度及大容量记录媒体的光存储技术，在数字唱盘、视盘、资料文件盘、特别是数据文件存储器等方面的应用正不断扩大。
该光存储技术中，信息是通过聚焦成微细光束以高精度高可靠性对光盘进行记录重放的。该记录重放动作完全依赖于光学***。
该光学***的主要部分即光学头装置的基本功能大致可分为两类，一类是形成衍射极限内的微小光点的聚焦功能，另一类是前述光学***的聚焦控制，跟踪控制及凹坑信号的检测功能。这些功能，根据其目的及用途不同，可通过各种光学***与光电变换检测方式的组合来实现。
另一方面，近年来称为DVD的高密度，大容量的光盘已经实用化，作为能够存储动态图像那样的大量信息的信息媒体而受到人们的关注。该DVD光盘与以往的光盘即小型光盘(下面简称为CD)相比，由于记录密度大，因此在信息记录面上的凹坑尺寸小。因而，在对DVD光盘进行记录重放的光学头装置中，决定光点直径的光源波长及聚焦透镜的数值孔径(Numerical Aperture：下面简称为NA)则与CD的情况不同。对于CD，光源的长约为0.78μm，NA约为0.45，而对于DVD光盘，光源的波长则约为0.63～0.68μm，NA约为0.6。
因而，若用一台光信息处理装置对CD及DVD光盘这两种光盘进行记录重放，则必须是具有两套光学***的光学头装置，特别是近年来，由于能够多用的CD一种派生形态即可写入的CD-R，其盘片上的反射膜对于0.78μm的波长是最适合的，因此以DVD用的波长就不能重放，所以对DVD、CD，再加上连CD-R也能够进行记录重放的光信息处理装置必须具有波长0.78μm及0.63～0.68μm的双光源。
另一方面，根据光学头装置的小型化、薄型化及低成本的要求，CD与DVD的光学***要尽可能公用是一个方向，这可以采用许多方式，例如仅对聚焦透镜采用DVD光盘用及CD用两种聚焦透镜进行切换的方式，或者另一种方式是，将聚焦透镜公用，而仅对NA通过机械方法或光学方法加以改变，使DVD光盘对NA变大，CD时NA变小。
特别是近年来，开发了在单片半导体激光器(例如LD：激光二极管)形成红外激光器的发光层及红色激光器的发光层而使光源也集成化的技术。另外还开发了在一个封装置外壳内装有两种半导体激光器芯片的双波长光源。
下面为方便起见将上述两种光源统称为双波长LD。下面说明双波长LD的驱动方法。
图10为以往的LD驱动电路。在图10中，1为半导体激光器，2为光电二极管，是半导体激光器1的输出监控用光检测器。3为公用端，4为可变电阻，5为运算放大器，6为自动功率控制电路(下面称为APC电路)。
下面说明上述构成的LD驱动电路中的动作情况，在图10中，公用端3利用未图示的电源装置保持正电位。若使APC电路6开始动作，则电流流过半导体激光器1，半导体激光器1发光。若半导体激光器1的出射光的一部分利用光电二极管受光，则根据出射光的强度，电流从公用端3径过光电二极管2及可变电阻4流向接地点，在可变电阻4的两端产生电压。可变电阻4的电压利用运算放大器5进行检测，反馈给APC电路6。APC电路6控制流过半导体激光器1的电流，使可变电阻4的电压为规定电压，通过这样使半导体激光器1的光输出保持一定。可以调整可变电阻4的电阻值，使得半导体激光器1的光输出为所希望的值。
在上述的以往例子中，是对一个半导体激光器有一个输出监控用光检测器，而近年来进行开发的双波长LD，在许多情况下如图11所示，对两个光源只有一个输出监控用光检测器。
图11为双波长LD的电路方框图，在该图中，1a为第1半导体激光器，1b为第2半导体激光器。2为光电二极管，是半导体激光器的输出监控用检测器。3为公用端。根据光源的低成本及小型化的要求，光检测器2只用一个，光检测器2的输出端也只有一个。在图11中，1a及1b是作为两个半导体激光器，但也可以是一个激光芯片的不同发光层。
作为驱动图11所示的双波长LD的电路，若采用上述的LD驱动电路，则为图12所示的构成。
图12为双波长LD的驱动电路方框图，在该图中，与图12相同的元件附加相同编号，并省略其说明，在图12中，4a及4b为可变电阻，5a及5b为运算放大器，6a及6b为APC电路，7a及7b为电子开关。
下面简单说明图12中的半导体激光器的驱动动作情况。在驱动第1半导体激光器1a时，电子开关7a处于导通状态，电子开7b处于断开状态。
若利用APC电路6a使第1半导体激光器1a开始发光，则利用电子开关7a及7b的作用，电流流过光检测器2并通过可变电阻4a。然后与以往的LD驱动电路相同，可以通过调整可变电阻4a的电阻值，驱动第1半导体激光器1a，得到所希望的光输出。
另外，在驱动第2半导体激光器1b时，电子开关7a处于断开状态，电子开关7b处于导通状态，由于电流流过光检测器2并通过可变电阻4b，因此通过调整可变电阻4b的电阻值，能够使第2半导体激光器以所希望的光输出进行发光。另外，在上述动作中，APC电路6a及6b和电子开关7a及7b的切换是利用未图示的控制***自动进行择一操作。
但是，在上述双波长LD驱动电路构成中存在的问题是，必须有电子开关7a及7b，将导致成本增加。
另外还有的问题是，由于电子开关7a及7b在导通状态下的电阻值随温度而变，这样运算放大器5a及5b的检测电压值将变化，半导体激光器1a及1b的输出发生变化，因而装有利用该双波长LD驱动电路驱动的双波长LD的光学头装置以及光信息装置也具有成本增加、温度特性差的问题。
发明揭示
本发明是为解决上述问题而进行的，目的在于提供低成本且无特性恶化的激光器驱动装置、采用该激光器驱动装置的光学头装置及光信息处理装置。
本发明的第1发明为激光器驱动装置，具有
n个激光器光源L1～Ln(n为2以上的自然数)、
检测由前述n个激光器光源出射的激光的光检测器、
与前述光检测器连接的n个可变电阻VR1～VRn、
检测前述各可变电阻有关的n种电压V1～Vn的电压检测手段，
以及控制前述激光器光源的输出使得检测的对应电压值为规定值的控制手段，
前述可变电阻VR1～VRn互相串联，
成为电压检测对象的可变电阻是一个或串联连接的多个可变电阻的串联电路，
这些可变电阻或串联电路之间一定存在互相不同的可变电阻。
本发明的第2发明为激光器驱动装置，具有
n个激光器光源L1～Ln(n为2以上的自然数)、
检测由前述n个激光器光源出射的激光的光检测器、
与前述光检测器连接的n个可变电阻VR1～VRn、
检测前述各可变电阻有关的n种电压V1～Vn的电压检测手段，
以及控制前述激光器光源的输出使得检测的对应电压为规定值的控制手段，
前述可变电阻VR1～VRn互相并联，
前述电压检测手段检测前述各可变电阻的中间电位相对于基准电位的电压V1～Vn。
本发明的第3发明为激光器驱动装置，具有
n个激光器光源L1～Ln(n为2以上的自然数)、
检测由前述n个激光器光源出射的激光的光检测器、
与前述光检测器连接的n个可变电阻VR1～VRn、
检测前述各可变电阻有关的n种电压V1～Vn的电压检测手段，
以及控制前述激光光源的输出使检测对应的电压值为规定值的控制手段，
前述可变电阻VR1～VRn互相并联，另一部分互相并联，
关于串联的一组可变电阻群，
成为电压检测对象的可变电阻是一个或串联连接的多个可变电阻的串联电路，
这些可变电阻或串联电路之间一定存在互相不同的可变电阻，
关于并联的一组可变电阻群，前述电压检测手段检测前述各可变电阻的中间电位相对于基准电位的电压。
本发明的第4发明为本发明的第1发明的激光器驱动装置，其特征在于，
前述n为2，前述可变电阻串联，
前述电压检测手段检测前述各可变电阻的两端电压。
本发明的第5发明为本发明的第1发明的激光器驱动装置，其特征在于，
前述n为2，前述可变电阻串联，
前述电压检测手段检测前述各可变电阻中一个电阻的两端电压，同时检测前述两个可变电阻串联电路的两端电压，利用这两方面检测的电压来检测各可变电阻的两端电压。
本发明的第6发明为本发明的第1发明的激光器驱动装置，其特征在于，
前述n为2，前述可变电阻串联，
前述电压检测手段，(1)检测与基准电位连接的一个前述可变电阻的两端电压，同时(2)检测另一个可变电阻的不与前述一个可变电阻连接的那一端相对于前述基准电位的电位，(3)从该检测的电位中减去前述检测的两端电压，通过这样来检测前述另一个可变电阻的两端电压。
本发明的第7发明为本发明的第1发明的激光器驱动装置，其特征在于，
前述n为2，前述可变电阻串联，一个可变电阻与规定的基准电位连接，
前述电压检测手段检测前述一个可变电阻的不与基准电位连接的那一端相对于基准电位的电位，同时检测另一个可变电阻的不与前述一个可变电阻连接的那一端相对于基准电位的电位。
本发明的第8发明为光学头装置，其特征在于，具有
本发明的第1至第7发明的任一项发明的激光器驱动装置、
将前述激光器驱动装置出射的光聚焦在光信息媒体的手段，
以及检测来自该光信息媒体的反射光的光检测器。
本发明的第9发明为光信息处理装置，其特征在于，至少具有
光信息媒体的驱动机构、
本发明的第7发明的光学头装置、
分别采用由前述光学头装置得到的聚焦误差信号及跟踪误差信号的聚焦伺服机构、
跟踪伺服机构、
实现前述伺服机构用的电路，
以及电源。
附图简要说明
图1为本发明第1实施形态的LD驱动装置电路方框图。
图2为本发明第2实施形态的LD驱动装置电路方框图。
图3为本发明第3实施形态的LD驱动装置电路方框图。
图4为本发明第4实施形态的LD驱动装置电路方框图。
图5为本发明第5实施形态的LD驱动装置电路方框图。
图6为表示本发明实施形态中可变电阻各种连接方式的电路图。
图7为本发明第6实施形态的LD驱动装置电路方框图。
图8为本发明第7实施形态的光学头装置结构图。
图9为本发明第8实施形态的光信息处理装置结构图。
图10为以往的LD驱动电路方框图。
图11为双波长LD的电路方框图。
图12为双波长LD的驱动电路方框图。
符号说明
1a第1半导体激光器
1b第2半导体激光器
2光电二极管
3公用端
4a及4b可变电阻
5a及5b运算放大器
6a及6bAPC电路
实施发明的最佳形态
下面参照附图说明本发明的较佳实施形态。
(第1实施形态)
图1为本发明第1实施形态的LD驱动装置电路方框图。在图1中，对于与图9相同的部分附加相同编号，并省略其说明，与图12的不同点在于，可变电阻4a及4b与光检测器2串联，运算放大器5b与可变电阻4b的两端连接。这里的运算放大器是本发明的电压检测手段之一例，在下面的实施形态中也一样。
下面叙述如上构成的本发明第1实施形态的双波长LD驱动装置的动作情况。
若利用本发明控制手段之一例即APC电路6a使第1半导体激光器1a发光，则电流流过光检测器2并通过可变电阻4a及4b。这时在可变电阻4b及4a的两端分别产生与各电阻值对应的电压。可变电阻4a的两端电压利用运算放大器5a进行检测，反馈给APC电路6a。
APC电路6a控制第1半导体激光器1a的驱动电流，使可变电阻4a的电压为规定电压。预先通过调整可变电阻4a的电阻值，能够使第1半导体激光器1a以所希望的光输出进行发光。
另外，在驱动第2半导体激光器1b时，若利用本发明控制手段之一例即APC电路6b开始使电流流过第2半导体激光器1b，则与前述相同，电流流过光检测器2并通过可变电阻4a及4b。这时在可变电阻4b及4a的两端分别产生与各电阻值对应的电压。
可变电阻4b的两端电压利用运算放大器5b进行检测，反馈给APC电路6b。APC电路6b控制第2半导体激光器1b的驱动电流，使可变电阻4b的电压达规定电压，通过预先调整可变电阻4b的电阻值能够使第2半导体激光器1b以所希望的光输出进行发光。
这样，根据本实施形态的LD驱动装置，将与半导体激光器个数相应的可变电阻串联，各运算放大器分别检测各两端电压，通过采用这样的构成，可以省掉电子开关，实现低成本且稳定的动作。
另外，在本实施形态中，半导体激光器的个数是设为2，当然在3以上的情况(n个)下，将与半导体激光器个数相同个数的可变电阻串联，分别检测各电压值再进行反馈，通过这样能够将各半导体激光器的光输出控制为一定。
(第2实施形态)
图2为第2实施形态的LD驱动装置电路方框图，在图2中，对于与图1相同的部分附加相同编号，并省略其说明，5c为运算放大器。
在图示的构成中，与图1的不同点在于，运算放大器5b的一输入端接地，利用运算放大器5c得到运算放大器5b的输出与运算放大器5a的输出之差，再反馈给APC电路6b。在本实施形态中，这些运算放大器构成了本发明的电压检测手段。
在如上构成的本实施形态的双波长LD驱动装置中，半导体激光器1a及1b的驱动动作与第1实施形态几乎相同，能得到同样的效果，其不同点在于，在构成中采用运算放大器5b及5c作为检测可变电阻4b的两端电压的手段。
根据该构成，由于在实际电路中，运算放大器5a及5b的输入端中的接地端是公用的，因此从APC电路一侧来看，第一级的运算放大器5a及5b的接地端以外的输入端一共为两通道，与存在三通道的实施形态1相比，可以减少运算放大器的端子数，具有能够更简化整个电路构成的效果。
(第3实施形态)
图3为第3实施形的的LD驱动装置电路方框图，在图3中，对于与图2相同的部分附加相同编号，并省略其说明，5c为运算放大器。在图示的构成中，与图2所示的不同点在于省略了运算放大器5b。
在如上构成的本实施形态的双波长LD驱动装置中，半导体激光器1a及1b的驱动动作与第1实施形态几乎相同，能得到同样的效果，其不同点在于，在构成中采用运算放大器5b及5c作为检测可变电阻4b的两端电压的手段。
根据该构成，由于运算放大器5c的输入中有一个是运算放大器5a的输出，因此在实际生产时，可以使运算放大器5a及5c集成化，因而与实施形态2相比，能够以更少的运算放大器数量构成电路，减少外部端子，具有能够更简化整个电路构成的效果。
(第4实施形态)
图4为第4实施形态的LD驱动装置电路方框图。在图4中，对于与图2相同的部分附加相同编号，并省略其说明，在图示的构成中，与图2的不同点在于，省略了运算放大器5c，将运算放大器5b的输出直接输入至APC电路6b。
在如上构成的本实施形态的双波长LD驱动装置中，半导体激光器1a及1b的驱动动作与第1实施形态的几乎相同，能得到同样的效果，其不同点在于，在构成中采用基准电位(在本实施形态中为接地电位)与可变电阻4b的光检测器一侧的电位之电位差作为反馈给APC电路6b的电压。
为此，激光器光输出的调整顺序也不同。即首先使靠近基准电位的可变电阻4a所对应的第1半导体激光器1a发光，调整可变电阻4a的电阻值，然后使可变电阻4b所对应的第2半导体激光器1b发光，调整可电阻4b的电阻值。
这是因为，若光调整可变电阻4b，然后调整可变电阻4a，则基准电位与可变电阻4b一侧的电位之电位差要发生变化。
另外，用于APC电路6b的控制所规定的电压当然是考虑可变电阻4a及4b的合成电阻之值。
根据该构成，与实施例3相同，能够以较少的运算放大器数量构成电路，减少外部端子，能够简化电路构成，同时由于运算放大器5a及5b的动作是互相独立的，因此与实施形态3相比，不使发光的半导体激光器对应的运算放大器以外的电路动作，还具有能够减少功耗的效果。
上述实施形态1至3是以两个可变电阻串联为例的，当然也可以是三个以上串联，图6(a)为其一例。这种情况下，作为控制用的检测电压，可以是各可变电阻40a、40b及40c的各自的两端电压，也可以是下面说明的其它电压。即设各可变电阻40a、40b及40c依次为第1、第2及第3可变电阻，则三种电压中，将第1电压作为可变电阻40a的两端电压，将第2电压作为可变电阻40a及40b的串联电路的两端电压，将第3电压作为可变电阻40c的两端电压。
或者三种电压中，也可以将第1电压作为可变电阻40a的两端电压，将第2电压作为可变电阻40a及40b的串联电路的两端电压，将第3电压作为可变电阻40a、40b及40c的串联电路的两端电压。
或者三种电压中，也可以将第1电压作为可变电阻40a的两端电压，将第2电压作为可变电阻40a及40b的串联电路的两端电压，将第3电压作为可变电阻40b及40c的串联电路的两端电压。
这样，在检测用于控制一个激光器光源情况下的电压时，成为该检测对象的可变电阻电可以不限于一个，也可以是多个可变电阻的串联电路。
但是，在上述那样将包含已经调整好的可变电阻的串联电路作为对象时，由于不能够使已经调整好的可变电阻变化，因此在该串联电路中必须至少包含一个尚未调整的可变电阻。而且调整时，必须调整该未调整的可变电阻。
即在需要多种电压时，在成为第k(k＝1～n)电压Vk的检测对象的多个可变电阻串联电路中，必须包含至少第k电阻，即从第1至第k-1的电阻作为已经调整好的，则该第k电阻为与其它不同的未调整的电阻，另外，所谓第k及第n电阻所规定的顺序，是在串联的可变电阻群中从一端依次连续数过去的数。
以上总而言之，这些可变电阻或串联电路之间，必须相互之间存在不同的可变电阻。
(第5实施形态)
图5为第5实施形的的LD驱动装置电路方框图。在图5中，对于与图4相同的部分附加相同编号，并省略其说明，在图5中，100a及100b分别为可变电阻4a及4b的滑动端，利用该滑动端100a及100b在电阻丝上滑动，可以使滑动端100a及100b的电位(下面称为可变电阻4a及4b的中间电位)与接地电位之电位差变化，
在图示的构成中，与图4的不同点在于，相对于光检测器2，将可变电阻4a及4b相互并联那样连接，同时将可变电阻4a及4b的中间电位输入至运算放大器5a及5b。
下面叙述的上构成的本发明第5实施形态的LD驱动装置及其动作情况。
若利用APC电路6a使第1半导体激光器1a发光，则电流流过光检测器2并通过可变电阻4a及4b。这时在可变电阻4a及4b的两端分别产生与各电阻值的合成等效电阻值对应的电压。利用运算放大器5a检测可变电阻4a的中间电位，反馈给APC电路6a。
APC电路6a控制第1半导体激光器1a的驱动电流，使可变电阻4a的中间电位为规定电位。通过调整可变电阻4a的滑动端100a，能够使第1半导体激光器1a以所希望的光输出进行发光。
另外，在驱动第2半导体激光器1b时，若APC电路6b使电流开始流过第2半导体激光器1b，则与前述相同，电流流过光检测器2并通过可变电阻4a及4b。
利用运算放大器5b检测可变电阻4b的中间电位，再反馈给APC电路6b。APC电路6b控制第2半导体激光器1b的驱动电流，使可变电阻4b的中间电位为规定电位。通过调整可变电阻4b的滑动端100b，能够使第2半导体激光器1b以所希望的光输出进行发光。
这样，根据本实施形态的LD驱动装置，将与半导体激光器个数相应的可变电阻互相并联，各运算放大器分别检测各可变电阻的中间电位，利用这样的构成，能够得到与第4实施形态相同的效果。
特别是在第4实施形态中，由于运算放大器5b的输入大于运算放大器5a的输入，因此对APC电路6a及6b的反馈电压也产生有大小关系，而在本实施形态中，由于也可以不要考虑那样的大小关系，因此APC电路6a及6b是相同的情况，因此能够得到较好的效果
另外，当然这些并联的可变电阻数也可以是三个以上。
另外，如图6(b)所示，本发明的可变电阻也可以是由串联电路部分(40a、40b及40c)及例如与可变电阻40b并联的并联电路部分(40d、40e及40f)构成。严格讲，40b也要算在并联电路部分，但这里包含在串联电路部分。
在这种情况下，关于上述串联电路部分，就按照第1至第4实施形态说明的那样，关于上述并联电路部分，就按照第5实施形态说明的那样。
(第6实施形态)
图7为第6实施形态的LD驱动装置。在图7中，对于与图5相同的部分附加相同的编号，并省略其说明。
在图示的构成中，与图5的不同点在于，半导体激光器1a及1b放在一个壳体101中，同时光检测器2作为别的元件，设置在前述壳体101的外面。
这是例如在CD-R、CD-RW记置装置、DVD-RAM、DVD-R或DVD-RW记录装置等那样必须对盘面上的光量进行严格控制时，将光检测器2作为前置光监控器使用的装置情况下的构成。
在如上构成的本实施形态的LD驱动装置中，半导体激光器1a及1b的驱动动作与第5实施形态几乎相同，但根据光检测器2检测的光量来控制半导体激光器1a及1b的驱动电流，不仅使光输出保持一定，而且通过动态控制APC电路，还能够得到控制光输出的效果。
根据以上构成，由于用一个光检测器能够分别控制各激光在盘面上的光量，因此能够得到力图减少元器件数量的效果。
另外，在第6实施形态中，可变电阻4a及4b是互相并联的，但不限于该方法，当然也可以采用上述第1至第4实施形态说明的任一种连接形态。
(第7实施形态)
图8(a)及(b)所示为第7实施形态的光学头装置结构图。在该图中，8为双波长受发光单元，具有双波长LD、检测来自光记录媒体的反射光的光检测器及全息图。9为全息图，具有使光衍射引导至前述光检测器的作用。10为聚光透镜，11为向上反射镜，12为波长选择性孔，对0.65μm波长的光是全透过，而对0.78μm波长的光，作为物镜13的数值孔径，仅透过0.45区域的光，13为物镜，14为CD光盘，15为DVD光盘。
另外，图8(a)所示为CD的重放状态，从双波长受长光单元8出射的波长为0.78μm的激光，利用聚光透镜10，形成平行光，利用向上反射镜11将光路折变，入射至波长选择性孔12。
利用波长选择性孔12集中的光，通过物镜13聚焦在CD光盘14。利用CD光盘14反射的光反过来返回物镜13、向上反射镜11及聚光透镜10，利用全息图9进行衍射，利用双波长受发光单元8的光检测器进行光电变换，检测出电信号。
另外，图8(b)所示为DVD的重放状态，从双波长受发光单元8出射的波长为0.65μm，的激光，利用聚光透镜10，形成平行光，利用向上反射镜11将光路折变，入射至波长选择性孔12。
透过波长选择性孔12的光，利用物镜13聚焦在DVD光盘14。利用DVD光盘14反射光反过来返回物镜13，向上反射镜11及聚光透镜10，利用全息图9进行衍射，利用双波长受发光单元8的光检测器进行光电变换，检测出电信号。
CD光盘及DVD光盘的任何一种情况下，利用光检测器进行光电变换而检测出的电信号，都是用来作为光盘上凹坑列的rf信号及进行凹坑列的跟踪用的伺服信号。
另外，虽未特别用图表示，但CD重放时的跟踪伺服可以采用众所周知的三光束法。
本实施形态的光学头装置通过采用本发明实施形态的激光器驱动装置，能够以低成本得到良好的温度特性。
(第8实施形态)
下面用图9说明本发明第8实施形态的光信息处理装置。在图9中，16为第6实施形态说明的光学头装置，17为光盘，18为电动机，支承光盘17并使其旋转。19为电路基板，20为电源。
具有上述构成的本实施形态的光信息处理装置，其动作如下所述。利用电动机18使光盘17旋转，光学头装置16将与光盘17的位置关系对应的信号送至电路基板19。电路基板19对该信号进行运算。将使光学头装置16或光学头装置16中的物镜产生微动用的信号输出。光学头装置16或光学头装置16中的物镜利用未图示的驱动构机，对光盘17进行聚焦伺服及跟踪伺服，对光盘17进行信息读出，写入或擦除。20为电源或与外部电源的连接部分，从这里对电路基板19、光学头装置的驱动机构，电动机18及物镜驱动装置供电。
另外，即使各驱动电路分别设置电源或与外部电源的连接端也没有任何问题。
另外，本发明的激光器驱动装置相当于各实施形态的LD驱动装置，本发明的电位检测手段相当于各实施形态的运算放大器，本发明的输出控制手段相当于各实施形态的APC电路。
另外，在本发明的实施形态中，半导体激光器是以共阳极为例说明的，当然也可以是共阴极，只要将电源与接地电位对调即可完成。
产业上的利用可能性
根据上述本发明，能够用一个光检测器及与半导体激光器对应的多个可变电阻对多个半导体激光器进行自动功率控制驱动，能够得到在成本及温度特性方面有利的激光器驱动装置。
另外，根据本发明，能够以低成本得到很好温度特性的光学头装置。
另外，根据本发明，能够以低成本得到可适应各种光盘媒体的很好的温度特性的光信息处理装置。

Claims (9)

1、一种激光器驱动装置，其特征在于，具有
n个激光器光源L1～Ln(n为2以上的自然数)、
检测由前述n个激光器光源出射的激光的光检测器、
与前述光检测器连接的n个可变电阻VR1～VRn、
检测前述各可变电阻有关的n种电压V1～Vn的电压检测手段、
以及控制前述激光器光源的输出使得检测的对应电压值为规定值的控制手段，
前述可变电阻VR1～VRn相互串联，
成为电压检测对象的可变电阻是一个或串联连接的多个可变电阻的串联电路，
这些可变电阻或串联电路之间一定存在相互不同的可变电阻。
2、一种激光器驱动装置，其特征在于，具有
n个激光器光源L1～Ln(n为2以上的自然数)、
检测由前述n个激光器光源出射的激光的光检测器、
与前述光检测器连接的n个可变电阻VR1～VRn、
检测前述各可变电阻有关的n种电压V1～Vn的电压检测手段、
以及控制前述激光器光源的输出使得检测的对应电压值为规定值的控制手段，
前述可变电阻VR1～VRn互相并联，
前述电压检测手段检测前述各可变电阻的中间电位相对于基准电位的电压V1～Vn。
3、一种激光器驱动装置，其特征在于，具有
n个激光器光源L1～Ln(n为2以上的自然数)、
检测由前述n个激光器光源出射的激光的光检测器、
与前述光检测器连接的n个可变电阻VR1～VRn、
检测前述各可变电阻有关的几种电压VR1～Vn的电压检测手段、
以及控制前述激光器光源的输出使得检测的对应电压值为规定值的控制手段，
前述可变电阻VR1～VRn一部分互相串联，另一部分互相并联，
关于串联的一组可变电阻，
成为电压检测对象的可变电阻是一个或串联连接的多个可变电阻的串联电路，
这些可变电阻或串联电路之间一定存在互相不同的可变电阻，
关于并联的一组可变电阻，前述电压检测手段检测前述各可变电阻的中间电位相对于基准电位的电压。
4、如权利要求1所述激光器驱动装置，其特征在于，
前述n为2，前述可变电阻串联，
前述电压检测手段检测前述各可变电阻的两端电压。
5、如权利要求1所述激光器驱动装置，其特征在于，
前述n为2，前述可变电阻串联，
前述电压检测手段检测一个前述可变电阻的两端电压，同时检测前述两个可变电阻串联电路的两端电压，利用这两方面检测的电压来检测各可变电阻的两端电压。
6、如权利要求1所述激光器驱动装置，其特征在于，
前述n为2，前述可变电阻串联，
前述电压检测手段，(1)检测与基准电位连接的一个前述可变电阻的两端电压。同时(2)检测另一个可变电阻的不与前述一个可变电阻连接的那一端相对于前述基准电位的电位，(3)从该检测的电位中减去前述检测的两端电压，通过这样来检测前述另一个可变电阻的两端电压。
7、如权利要求1所述激光器驱动装置，其特征在于，
前述n为2，前述可变电阻串联，一个可变电阻与规定的基准电位连接，
前述电压检测手段检测一个前述可变电阻的不与基准电位连接的那一端相对于基准电位的电位，同时检测另一个可变电阻的不与前述一个可变电阻连接的那一端相对于前述基准电位的电位。
8、一种光学头装置，其特征在于，具有
权利要求1至7的任一项所述的激光器驱动装置、
将前述激光器驱动装置出射的光聚焦在光信息媒体的手段，
以及检测来自该光信息媒体的反射光的光检测器。
9、一种光信息处理装置，其特征在于，至少备有
光信息媒体的驱动机构、
权利要求7所述的光学头装置、
分别采用由前述光学头装置得到的聚焦误差信号及跟踪误差信号的聚焦伺服机构、
跟踪伺服机构、
实现前述伺服机构用的电路，
以及电源。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112119549A (zh) * 2018-05-18 2020-12-22 松下知识产权经营株式会社 直接二极管激光方式的激光振荡装置以及激光振荡装置的故障诊断方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4604304B2 (ja) * 1999-07-09 2011-01-05 ソニー株式会社 レーザ装置、光学ヘッド及び光記録再生装置
JP3844290B2 (ja) * 2001-01-24 2006-11-08 シャープ株式会社 ホログラムレーザおよび光ピックアップ
JP4449260B2 (ja) * 2001-06-19 2010-04-14 ソニー株式会社 光ディスク記録再生装置のレーザダイオード駆動回路
DE10229234A1 (de) * 2002-06-28 2004-02-12 Deutsche Thomson-Brandt Gmbh Eigensicherer Pickup für Wiedergabe- oder Aufzeichnungsgeräte unterschiedlicher optischer Aufzeichnungsträger
KR100499007B1 (ko) * 2002-12-30 2005-07-01 삼성전기주식회사 홀로그램 광학소자를 이용한 광 픽업장치 및 홀로그램패턴형성방법
JP4309212B2 (ja) * 2003-09-04 2009-08-05 パナソニック株式会社 レーザパワー制御装置
DE102004023167A1 (de) * 2004-05-07 2005-12-15 Deutsche Thomson-Brandt Gmbh Aufzeichnungs- oder Wiedergabegerät für optische Aufzeichnungsträger mit einem Laserdiodenschaltkreis
KR100544204B1 (ko) * 2004-06-24 2006-01-23 삼성전자주식회사 광 출력 제어장치
US7636377B2 (en) * 2005-03-25 2009-12-22 Lsi Corporation Optical disc recorder laser power control
CN101083458A (zh) * 2006-06-02 2007-12-05 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 阻值变换电路及使用该阻值变换电路的光源控制电路
US7801193B2 (en) * 2008-02-20 2010-09-21 Arima Lasers Corporation Laser diode module with an adjustable monitoring current
JP2011165292A (ja) * 2010-02-15 2011-08-25 Panasonic Corp 光集積素子及びそれを用いた光ピックアップ装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4603303A (en) * 1984-07-18 1986-07-29 Iwatsu Electric Co., Ltd. Level compensation circuit
US4985896A (en) * 1985-03-29 1991-01-15 Canon Kabushiki Kaisha Laser driving device
JPS63198387A (ja) * 1987-02-13 1988-08-17 Hitachi Ltd 半導体レ−ザアレイ装置
JPH04176176A (ja) * 1990-11-07 1992-06-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザアレイ装置とその駆動方法
JPH0623267U (ja) * 1992-08-28 1994-03-25 旭光学工業株式会社 レーザ発光装置の光出力切替装置
JPH087316A (ja) * 1994-06-21 1996-01-12 Canon Inc 光学的情報記録再生装置
JP3371563B2 (ja) * 1994-08-09 2003-01-27 安藤電気株式会社 レーザダイオードの発光駆動回路
JPH09204676A (ja) * 1996-01-24 1997-08-05 Sony Corp 光学ピックアップ及び光ディスク装置
US5936986A (en) * 1996-07-30 1999-08-10 Bayer Corporation Methods and apparatus for driving a laser diode
JPH10190115A (ja) * 1996-12-20 1998-07-21 Canon Inc マルチビーム書込装置
JP3677915B2 (ja) * 1997-01-22 2005-08-03 富士ゼロックス株式会社 光量制御装置
JPH10242502A (ja) * 1997-02-21 1998-09-11 Sony Corp 光半導体素子及び光学ピックアップ装置
JP3375850B2 (ja) * 1997-05-28 2003-02-10 シャープ株式会社 半導体レーザ装置及びその製造方法
JP3365724B2 (ja) * 1997-08-12 2003-01-14 富士通株式会社 画像形成装置
JPH11213402A (ja) * 1998-01-27 1999-08-06 Funai Electric Co Ltd 多層記録媒体再生装置
JP4604304B2 (ja) * 1999-07-09 2011-01-05 ソニー株式会社 レーザ装置、光学ヘッド及び光記録再生装置
JP2001244555A (ja) * 2000-03-01 2001-09-07 Pioneer Electronic Corp 自動電力制御回路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112119549A (zh) * 2018-05-18 2020-12-22 松下知识产权经营株式会社 直接二极管激光方式的激光振荡装置以及激光振荡装置的故障诊断方法

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