CN1342622A - 低损耗微波介质陶瓷 - Google Patents

低损耗微波介质陶瓷 Download PDF

Info

Publication number
CN1342622A
CN1342622A CN 01135536 CN01135536A CN1342622A CN 1342622 A CN1342622 A CN 1342622A CN 01135536 CN01135536 CN 01135536 CN 01135536 A CN01135536 A CN 01135536A CN 1342622 A CN1342622 A CN 1342622A
Authority
CN
China
Prior art keywords
low
ceramics
microwave medium
principal constituent
loss microwave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN 01135536
Other languages
English (en)
Other versions
CN1166582C (zh
Inventor
陈湘明
刘小强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang University ZJU
Original Assignee
Zhejiang University ZJU
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhejiang University ZJU filed Critical Zhejiang University ZJU
Priority to CNB011355360A priority Critical patent/CN1166582C/zh
Publication of CN1342622A publication Critical patent/CN1342622A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1166582C publication Critical patent/CN1166582C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

本发明的低损耗微波介质陶瓷是微波通讯元器件的关键材料。其主成分是CaO或SrO、La2O3或Nd2O3、Al2O3,副成分是MgTiO3,主成分中各成分的含量(摩尔%)分别为:CaO或SrO45.0～55.0;La2O3或Nd2O3 20.0～30.0;Al2O3 20.0～30.0且主成分的总量为100,副成分的含量占主成分总重量的0～20%。这种低损耗微波介质陶瓷,其介电常数为16～25,Qf值高达60000GHz以上,同时具有近零谐振频率温度系数。

Description

低损耗微波介质陶瓷
                         技术领域
本发明涉及通讯***中的介质谐振器、滤波器等微波元器件用的微波介质陶瓷。
                         背景技术
近年来，随着移动通讯与卫星通讯技术的迅速发展，对介质谐振器与滤波器等微波元器件用的微波介质陶瓷的需求正在日益增长。
数据移动通讯与卫星通讯的迅速发展，对低损耗微波介质陶瓷提出迫切的要求。其基本性能要求为：介电常数ε＝16～25，品质因数Qf＞60000GHz，谐振频率温度系数τf＝0±10ppm/℃。
虽然目前已有Ba(Mg1/3Ta2/3)O3、CaTiO3-MgTiO3等低损耗微波介质陶瓷，但前者烧结温度高、制备困难、品质因数与温度系数随制备条件变化较大，而后者存在Qf值偏低的缺点。
                         发明内容
本发明的目的旨在提供一种介电常数为16～25，同时具有低损耗与良好的温度稳定性的微波介质陶瓷。
本发明的低损耗微波介质陶瓷，它的主成分是CaO或SrO、La2O3或Nd2O3、Al2O3，副成分是MgTiO3，主成分中各成分的含量(摩尔％)分别为：
CaO或SrO              45.0～55.0
La2O3或Nd2O3      20.0～30.0
Al2O3               20.0～30.0
且主成分的总量为100，副成分的含量占主成分总重量的0～20％。
主成分及各成分的优选含量(摩尔％)为：
CaO                   50；
Nd2O3               25；
Al2O3               25。
发明的低损耗微波介质陶瓷可按如下实例所述的方法制备而成。
首先，将纯度为99.9％以上的CaCO3或SrCO3、La2O3或Nd2O3、Al2O3及MgO和TiO3按一定的比例用湿式球磨法混合24小时，溶剂为蒸馏水，烘干后在1150～1250℃，大气气氛中予烧3小时。然后，在予烧粉末中添加粘结剂并造粒后，通过单轴压力成形在1000kg/cm2的压力下制备出直径12mm、厚度3～6mm的陶瓷坯体，最后在1400～1450℃，大气气氛中烧结3小时以制备所需的微波介质陶瓷。
上述粘结剂可采用浓度为3％或5％或8％的聚乙烯醇溶液，剂量一般占总量的5～15％。
发明的低损耗微波介质陶瓷具有低损耗(Qf＞60000GHz)与近零谐振频率的温度系数，同时介电常数为16～25。利用本发明提供的低损耗微波介质陶瓷，可使介质谐振器与滤波器等微波元器件适合更高频率与更大功率的应用。同时，本发明提供的陶瓷亦可应用于高频陶瓷电容器、温度补偿陶瓷电容器或微波基板等。因此，本发明在工业上有着极大的价值。
                     具体实施方式
表1示出了构成本发明的各成分含量的几个具体实例及其微波介电性能。性能测试是用粉末X线衍射法对烧结后的陶瓷试样进行物相分析，而用圆柱介质谐振器法在8GHz进行微波介电性能的评价。
[表1]
                       主成分 副成分含量(总重量％)   ε    Qf(GHz)   τf(ppm/℃)
  CaO(mol％)   SrO(mol％)  La2O3(mol％)  Nd2O3(mol％)  Al2O3(mol％)
  0  45   30   0   25   0   20   75000   +9
  0  50   25   0   25   0   17  100000   +5
  0  50   20   0   30   0   16   80000   +8
  0  50   30   0   20   0   19   80000   +8
0 55 20 0 25 0 21 60000 +10
0 45 0 30 25 0 22 80500 +9
  0  50   0   25   25   0   21   98000   +7
  0  55   0   20   25   0   18   76000   +10
  50  0   0   25   25   0   20  120000   +7
  50  0   25   0   25   0   25  105000   +6
  0  50   25   0   25   5   17   98000   +4
  0  50   25   0   25   10   18   82000   +2
  0  50   25   0   25   20   19   64500   -3
  50  0   0   25   25   5   20  115000   +5
50 0 0 25 25 10 20 100000 +2
  50  0   0   25   25   20   19   65000   -2

Claims (2)

1.低损耗微波介质陶瓷，其特征在于它的主成分是CaO或SrO、La2O3或Nd2O3、Al2O3，副成分是MgTiO3，主成分中各成分的含量(摩尔％)分别为：
CaO或SrO          45.0～55.0
La2O3或Nd2O3  20.0～30.0
Al2O3           20.0～30.0
且主成分的总量为100，副成分的含量占主成分总重量的0～20％。
2.按权利要求1所述的低损耗微波介质陶瓷，其特征是主成分及各成分的含量(摩尔％)分别为：
CaO                  50；
Nd2O3              25；
Al2O3              25。
CNB011355360A 2001-10-10 2001-10-10 低损耗微波介质陶瓷 Expired - Fee Related CN1166582C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB011355360A CN1166582C (zh) 2001-10-10 2001-10-10 低损耗微波介质陶瓷

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB011355360A CN1166582C (zh) 2001-10-10 2001-10-10 低损耗微波介质陶瓷

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1342622A true CN1342622A (zh) 2002-04-03
CN1166582C CN1166582C (zh) 2004-09-15

Family

ID=4673187

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB011355360A Expired - Fee Related CN1166582C (zh) 2001-10-10 2001-10-10 低损耗微波介质陶瓷

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN1166582C (zh)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102584235A (zh) * 2012-02-24 2012-07-18 浙江大学 低损耗微波介质陶瓷
CN104193325A (zh) * 2014-08-28 2014-12-10 云南云天化股份有限公司 一种陶瓷粉体、其制备方法、微波介质陶瓷粉体及其制备方法
CN104211397A (zh) * 2014-09-16 2014-12-17 桂林理工大学 温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Nb2VY3O12
CN104211391A (zh) * 2014-09-27 2014-12-17 桂林理工大学 温度稳定型中介电常数微波介电陶瓷Bi3La5Ti7O26
CN104311029A (zh) * 2014-09-27 2015-01-28 桂林理工大学 温度稳定型中介电常数微波介电陶瓷Bi2La4Ti5O19
CN104311030A (zh) * 2014-10-17 2015-01-28 三峡大学 一种温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法
CN105198428A (zh) * 2015-09-07 2015-12-30 桂林理工大学 高热稳定性与低损耗的超低介电常数微波介电陶瓷Sm2YV3O12
CN105198430A (zh) * 2015-09-08 2015-12-30 桂林理工大学 高品质因数超低介电常数微波介电陶瓷CeYV2O8
CN105198427A (zh) * 2015-09-07 2015-12-30 桂林理工大学 温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Ce2YV3O12
CN105198431A (zh) * 2015-09-08 2015-12-30 桂林理工大学 温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷La2YV3O12
CN105906344A (zh) * 2016-04-20 2016-08-31 苏州艾福电子通讯股份有限公司 微波介质陶瓷粉及其方法、微波介质陶瓷、微波元器件
CN105924151A (zh) * 2016-04-20 2016-09-07 苏州艾福电子通讯股份有限公司 微波介质陶瓷粉及其方法、微波介质陶瓷、微波元器件
CN110511028A (zh) * 2019-09-03 2019-11-29 浙江大学 超低损耗微波介质陶瓷

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102584235A (zh) * 2012-02-24 2012-07-18 浙江大学 低损耗微波介质陶瓷
CN104193325B (zh) * 2014-08-28 2016-02-17 云南云天化股份有限公司 一种陶瓷粉体、其制备方法、微波介质陶瓷粉体及其制备方法
CN104193325A (zh) * 2014-08-28 2014-12-10 云南云天化股份有限公司 一种陶瓷粉体、其制备方法、微波介质陶瓷粉体及其制备方法
CN104211397A (zh) * 2014-09-16 2014-12-17 桂林理工大学 温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Nb2VY3O12
CN104211397B (zh) * 2014-09-16 2016-04-06 桂林理工大学 温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Nb2VY3O12
CN104211391B (zh) * 2014-09-27 2016-04-06 桂林理工大学 温度稳定型中介电常数微波介电陶瓷Bi3La5Ti7O26
CN104311029A (zh) * 2014-09-27 2015-01-28 桂林理工大学 温度稳定型中介电常数微波介电陶瓷Bi2La4Ti5O19
CN104211391A (zh) * 2014-09-27 2014-12-17 桂林理工大学 温度稳定型中介电常数微波介电陶瓷Bi3La5Ti7O26
CN104311030B (zh) * 2014-10-17 2015-11-11 三峡大学 一种温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法
CN104311030A (zh) * 2014-10-17 2015-01-28 三峡大学 一种温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法
CN105198428A (zh) * 2015-09-07 2015-12-30 桂林理工大学 高热稳定性与低损耗的超低介电常数微波介电陶瓷Sm2YV3O12
CN105198427A (zh) * 2015-09-07 2015-12-30 桂林理工大学 温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Ce2YV3O12
CN105198430A (zh) * 2015-09-08 2015-12-30 桂林理工大学 高品质因数超低介电常数微波介电陶瓷CeYV2O8
CN105198431A (zh) * 2015-09-08 2015-12-30 桂林理工大学 温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷La2YV3O12
CN105906344A (zh) * 2016-04-20 2016-08-31 苏州艾福电子通讯股份有限公司 微波介质陶瓷粉及其方法、微波介质陶瓷、微波元器件
CN105924151A (zh) * 2016-04-20 2016-09-07 苏州艾福电子通讯股份有限公司 微波介质陶瓷粉及其方法、微波介质陶瓷、微波元器件
CN110511028A (zh) * 2019-09-03 2019-11-29 浙江大学 超低损耗微波介质陶瓷
CN110511028B (zh) * 2019-09-03 2020-11-03 浙江大学 超低损耗微波介质陶瓷

Also Published As

Publication number Publication date
CN1166582C (zh) 2004-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100426219B1 (ko) 유전체 세라믹 조성물 및 이를 이용한 적층부품의 제조방법
CN1166582C (zh) 低损耗微波介质陶瓷
CN101565300A (zh) 一种低损耗微波介质陶瓷
CN1903786A (zh) 环保低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN113004028B (zh) 一种硅基低介微波介质陶瓷及其制备方法
CN102249670A (zh) 低温烧结的微波介电陶瓷Li2Ba1-xSrxTi4O16及其制备方法
CN108147809B (zh) 中低温烧结钡-钛系微波介质材料及制备方法
KR100401942B1 (ko) 유전체 세라믹 조성물 및 그 제조방법
CN1568295A (zh) 含有稀土、钇或铋元素的钛酸铜钠组合物
CN1125792C (zh) 微波介质陶瓷及其制备方法
CN1101359C (zh) 微波介质陶瓷
KR100401943B1 (ko) 유전체 세라믹 조성물 및 이를 이용한 유전체 세라믹의 제조방법
CN1190389C (zh) 低损耗微波介质陶瓷
CN1169748C (zh) 高介电常数陶瓷及其制备方法
CN1063733C (zh) 高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法
CN100415678C (zh) 一种低介电常数微波介质陶瓷
CN1193377C (zh) 一种高介电常数微波介质陶瓷
CN1275902C (zh) 铌酸盐微波介电陶瓷及其制备方法
CN1557770A (zh) 一种低损耗微波介质陶瓷
CN1187285C (zh) 铌酸盐高频介电陶瓷及其制备方法
CN1190391C (zh) 高介电常数微波介质陶瓷
CN1179915C (zh) 高频介电陶瓷材料及其制备方法
CN1079384C (zh) 铅基微波介质陶瓷及其制造方法
CN102584235A (zh) 低损耗微波介质陶瓷
CN101734914B (zh) 用于低温烧结多层陶瓷电容器的陶瓷材料及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C19 Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee