CN1335658A - 多波长面发射激光器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

用于发射不同波长的光束的多波长面发射激光器,其包括集成在一个衬底上的下反射器、活性层和上反射器。制造方法为,形成一用于发射具有第一波长的光的第一面发射激光器;在第一面发射激光器的外表面上形成一保护膜、形成一用于发射具有第二波长的光的第二面发射激光器、蚀刻去除形成在保护膜上的第二下反射器、第二活性层和第二上反射层;除去保护膜,并分别在第一和第二上反射层的上表面上形成第一和第二电极,在衬底的底面上形成一下电极。

Description

多波长面发射激光器及其制造方法
本发明涉及一种可以在垂直于衬底的方向上发射激光束的面发射激光器，并尤其涉及一种多波长面发射激光器，其中发射不同波长激光束的不同类型的面发射激光器构成在同一衬底上，还涉及这种多波长面发射激光器的制造方法。
一般地，面发射激光器在沉积的半导体材料层表面法线方向发射激光束，不同于边缘发射激光器。另外，因为面发射激光器发射圆波束，与边缘发射激光器不同，所以光学***不需要校正发射光束的截面形状。另外，面发射激光器可以制造成紧凑的尺寸，并且多个面发射激光器可以集成在一个单一的半导体衬底上，所以能够成为一个二维布局。其结果是，面发射激光器在光学应用领域具有很大的潜力，如用于电子计算器、视听设备、激光打印机、激光扫描仪、医疗设备和通信设备。
参见图1，常规的面发射激光器包括一个衬底10，一个下反射器12，一个活性层14和一个上反射器16，它们依次淀积在衬底10上。
衬底10由一种包含预定杂质如n型杂质的砷化钾(GaAs)或磷化铟(InP)形成。上下反射器12和16是分布式布拉格反射器(DBRs)，布拉格反射器通过交替淀积成对不同折射率的半导体层而形成。即下反射器12形成在衬底10上，并由与衬底10的杂质同类的杂质形成，如n型AlxGa1-xAs和AlAs交替淀积。上反射器16由与下反射器12相同类型的材料形成，并包括一种与下反射器12的载流子类型相反的半导体材料。例如，交替淀积p型AlxGa1-xAs和AlAs。活性层14以单或多量子阱结构或者是超细格栅结构作为一个区域，用于当因电子和空穴复合而发生能量迁移时产生光束。在上反射器16的上表面上设置一个具有一个窗口23a的上电极23并在衬底10的底面上设置一个下电极21。
另外，为了提高经窗口23a发射的光L输出，通过在上反射器16上除窗口23a之下地带的地方注入质子来形成高阻部分18。因此，高阻部分18限制空穴的流动，使得激光振荡发生在窗口23a以下的地带。
在具有上述结构的面发射激光器中，激光束的波长由上下反射体16和12的材料、沉积的结构和活性层的结构决定。所以，当面发射激光器以单个工艺制成单衬底时，很难制造出阵列形式的面发射激光器以发射不同波长的激光束。
另外，在能够发射不同波长激光束的半导体激光器的应用领域，如也可以读取CD类的用于DVD播放器的兼容式光学读取装置，以及发射和接收波长不同的通信设备，提出了把对应于所需的不同波长制造的面发射激光器连接到附加的衬底上的结构。但是，上述这种结构有一个问题，那就是由于在各个面发射激光器组合中的误差而产生较大的光学准直误差。
为了解决上述问题，本发明的目的在于提供一种多波长面发射激光器，这种面发射激光器直接形成在单一衬底上，从而减小了光学准直误差并且易于制造，还提供了这种面发射激光器的制造方法。
因此，为了实现上述目的，提供了一种发射具有第一波长的光和第二波长的光的多波长面发射激光器，它包括一个衬底；一个用于发射具有第一波长的光的第一面发射激光器，它直接形成在衬底上表面的一部分上，并包括一个通过交替淀积两种具有相同类型但折射率不同的杂质的半导体材料而形成的一个第一下反射器、一个第一活性层和一个通过淀积两个具有不同折射率且杂质类型与第一下反射器的相反的半导体材料层形成的第一上反射器；一个用于发射具有第二波长的光的第二面发射激光器，它直接形成在衬底上表面邻近第一面发射激光器的部分上，并包括通过交替淀积两个具有不同折射率和相同类型杂质的半导体层而形成的第二下反射器、一个第二活性层和一个通过淀积两个具有不同折射率且杂质类型与第二下反射器的相反的半导体材料层形成的第二上反射器；和分别形成在衬底的一个表面及第一、第二上反射器上的用于供电的一个下电极层及第一、第二上电极。
另外，为了实现上述目的的另一个方面，提供了一种制造多波长面发射激光器的方法，包括步骤：通过在预备的衬底上顺序淀积第一下反射器、第一活性层和第一上反射器形成一个用于发射具有第一波长的光的第一面发射激光器，其中第一下反射器通过交替淀积两个有相同杂质类型但不同折射率的半导体材料层而形成，第一上反射器通过交替淀积两个有与第一下反射器相反的杂质类型及不同折射率的半导体材料层而形成；通过蚀刻部分地去除第一上反射器、第一活性层和第一下反射层；在第一面发射激光器的外表面上形成一个保护膜；通过在衬底和保护膜上顺序淀积第二下反射器、第二活性层和第二上反射器形成一个用于发射具有第二波长的光的第二面发射激光器，其中第二下反射器通过交替淀积两个具有相同的杂质类型但不同折射率的半导体材料层而形成，第二上反射器通过交替淀积两个具有与第二下反射器杂质类型相反和不同折射率的半导体材料层而形成；通过蚀刻去除形成在保护膜上的第二下反射器、第二活性层和第二上反射层；和除去保护膜，并分别在第一和第二上反射层的上表面上形成第一和第二电极，在衬底的底面上形成一个下电极。
通过下面参考附图对优选实施例的描述，本发明的上述目的和优点将变得更加清晰：
图1是常规的面发射激光器截面图；
图2是根据本发明优选实施例的多波长面发射激光器截面图；和
图3A～3F是用于解释根据本发明优选实施例制造多波长面发射激光器的方法的渐进阶段的面发射激光器截面图。
参见图2，根据本发明的多波长面发射激光器包括一个衬底30，形成在衬底30上分别发射具有λ1和λ2不同波长的激光束的第一和第二面发射激光器。另外，下电极35形成在衬底30的下表面。第一和第二上电极47、57分别形成在第一和第二面发射激光器的上表面上。这里，第一和第二上电极47和57分别具有第一和第二窗口47a和57a。
衬底30由一种半导体材料形成，如包含n型杂质的砷化钾(GaAs)或磷化铟(InP)。
第一面发射激光器发射具有第一波长λ1的激光束，并包括依次淀积在衬底30上的第一下反射器41、第一活性层43和第一上反射器45。第一下反射器41是一个分布式布拉格反射器(DBR)，它通过交替淀积成对的具有不同折射率的掺杂半导体层而形成。第一下反射器41通过交替淀积n型AlxGa1-xAs和AlAs形成，它具有与衬底30相同的杂质。第一上反射器45是一个通过交替淀积成对的掺杂半导体材料而形成的DBR，该半导体材料具有不同的折射率，并具有与第一下反射器41相反的杂质类型，如p型AlxGa1-xAs和AlAs。
第一活性层43具有单或多量子阱结构或超精细格栅(super 1attice)结构。第一活性层43是一个当电流施加给第一上电极47和下电极35时，由第一上反射器45和第一下反射器41分别产生的空穴和电子复合的区域。由于电子和空穴复合而发生的能量迁移，第一活性层43发射一激光束。为了提高经第一窗口47a发射的第一波长λ1的光的输出量，最好通过把质子注入除窗口47a之下的一个区段以外的第一上反射器45中而提供第一高阻部分46。所以，因为电流的流动受第一高阻部分46的限制，光只从第一窗口47a的下方发射。这里，第一高阻部分46可以通过一个氧化工艺制造，取代上述的质子注入法。从第一面发射激光器发射的光波长由第一上反射器45和第一下反射器41的结构以及第一活性层43的结构决定。
第二面发射激光器发射波长为λ2的激光束，并包括一个第二下反射器51、一个第二活性层53和一个第二上反射器55，它们依次淀积在衬底30上。第二下反射器51是一种分布式布拉格反射器(DBR)，它通过交替淀积成对的具有不同折射率的掺杂半导体层形成。第二上反射器55也是一种通过交替淀积成对的具有不同折射率以及与第二下反射器51的半导体类型相反的掺杂半导体层而形成的DBR。
第二活性层53是一个当电流施加给上电极57和下电极35时由第二上反射器55和第二下反射器51分别产生的空穴和电子发生复合的区域。由于电子和空穴复合而发生的能量迁移，第二活性层53发射一个激光束。为了提高经第二窗口57a发射的第二波长λ2的光的输出量，最好通过把质子注入除窗口57a之下的一个区段以外的第二上反射器55中而提供第二高阻部分56。因为第二高阻部分56限制电流的流动，所以光只从第二窗口57a的下方产生并发射。这里，第二高阻部分56可以通过一个氧化工艺制造，取代上述的质子注入法。从以上激光的第二面发射激光器发射的光波长由第二上反射器55和第二下反射器51的结构以及第二活性层53的结构决定。另外，第二上反射器55、第二下反射器51和第二活性层53的高度设置成不同于第一面发射激光器的情形。
下面参见图3A～3F描述制造具有上述结构的多波长面发射激光器的方法。
参见图3A，制备衬底30，并在衬底30上形成一个第一面发射激光器，该激光器具有适于发射波长为λ1的光束的结构。第一面发射激光器通过在衬底30上依次淀积第一下反射器41、第一活性层43和第一上反射器45形成。第一下反射器41通过交替淀积两层具有相同的杂质类型但折射率不同的半导体材料形成，而第一上反射器45通过交替淀积两层具有不同折射率且杂质类型与第一下反射器41相反的半导体材料形成。这里，第一面发射激光器通过在衬底30上按外延生长法利用诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备或分子束外延(MBE)设备生长所需的半导体材料制成。此处，取代外延生长法，第一上反射器45可以制作成一个由电介质如SiO2或TiO2制成的电介质反射镜。
接下来，去除第一面激光器的一部分，使得衬底30的部分上表面可以暴露出来。在去除的区域中形成一个第二面发射激光器，用于发射具有第二波长λ2的光束。即，参见图3B，在第一上反射器45上淀积具有预定图案的第一蚀刻掩膜61。然后，通过执行蚀刻，例如通过干蚀刻法，去除位于预定区域中的第一上反射器45、第一活性层43和第一下反射器41。
接下来，如图3C所示，第一蚀刻掩膜61去除后，形成一个用于闭合第一面发射激光器的保护膜63。保护膜63由氮化硅或氧化硅形成。当在后面将要描述的过程中形成第二面发射激光器时，保护膜63用于进行对生长在第一面发射激光器上表面上的无用部分的去除，并且还保护在随后的过程中完成其生长的第一面发射激光器。
然后，如图3D所示，在衬底30和保护膜63上形成第二面发射激光器。用于发射第二波长λ2的光束的第二面发射激光器通过在衬底30上依次淀积第二下反射器51、第二活性层53和第二上反射器55形成。第二下反射器51通过交替淀积两层具有相同的杂质类型但折射率不同的半导体材料形成，而第二上反射器55通过交替淀积两层具有不同折射率且杂质类型与第二下反射器51相反的半导体材料形成。第二面发射激光器最好通过外延生长法利用与用于第一面发射激光器相同的半导体设备生长。接下来，在第二上反射器55的上表面上部分设置第二蚀刻掩膜67，如图3D所示，使得剩余部分除邻近第一面发射激光器形成的第二面发射激光器的部分以外可以去除。
如图3E所示，通过蚀刻除去第二面发射激光器除第二蚀刻掩膜67以下的区域之外的剩余部分。然后，除去保护层63。
最后，如图3F所示，除去第二蚀刻掩膜之后，设置有用于发射光束的第一、第二窗口47a和57a的第一和第二上电极47和57形成在第一和第二上反射器45和55的上表面上。下电极35形成在衬底30的下表面上，由此完整地制成多波长面发射激光器。
最好，在形成第一和第二上电极47和57之前执行在第一和第二每个上电极45和55中通过质子注入工艺或氧化工艺部分地形成第一和第二高阻部分46和56的步骤。
如上所述，在根据本发明实施例制造多波长面发射激光器中，因为具有不同波长的光可以从单衬底上同时发射，所以与把由另外的过程制得的面发射激光器连接到衬底上的方法相比，本方法易于光学准直。另外，因为第一和第二面发射激光器以连续地制造，所以制造工艺简单。

Claims (5)

1.一种发射具有第一波长的光和第二波长的光的多波长面发射激光器，它包括：
一个衬底；
一个用于发射具有第一波长的光的第一面发射激光器，它直接形成在衬底上表面的一部分上，并包括一个通过交替淀积两种具有相同类型的杂质但折射率不同的半导体材料而形成的一个第一下反射器、一个第一活性层和一个通过淀积两个具有不同折射率且杂质类型与第一下反射器的相反的半导体材料层形成的第一上反射器；
一个用于发射具有第二波长的光的第二面发射激光器，它直接形成在衬底上表面邻近第一面发射激光器的部分上，并包括通过交替淀积两个具有不同折射率和相同类型杂质的半导体层而形成的第二下反射器、一个第二活性层和一个通过淀积两个具有不同折射率且杂质类型与第二下反射器的相反的半导体材料层形成的第二上反射器；和
分别形成在衬底的一个表面及第一、第二上反射器上的用于供电的一个下电极层及第一、第二上电极。
2.如权利要求1所述的激光器，还包括分别部分地形成在第一和第二上反射器中用于限制电流流动的第一和第二高阻部分。
3.一种制造多波长面发射激光器的方法，包括步骤：
通过在预备的衬底上顺序淀积第一下反射器、第一活性层和第一上反射器形成一个用于发射具有第一波长的光的第一面发射激光器，其中第一下反射器通过交替淀积两个有相同杂质类型但不同折射率的半导体材料层而形成，第一上反射器通过交替淀积两个有与第一下反射器相反的杂质类型及不同折射率的半导体材料层而形成；
通过蚀刻部分地去除第一上反射器、第一活性层和第一下反射层；
在第一面发射激光器的外表面上形成一个保护膜；
通过在衬底和保护膜上顺序淀积第二下反射器、第二活性层和第二上反射器形成一个用于发射具有第二波长的光的第二面发射激光器，其中第二下反射器通过交替淀积两个具有相同的杂质类型但不同折射率的半导体材料层而形成，第二上反射器通过交替淀积两个具有与第二下反射器杂质类型相反和不同折射率的半导体材料层而形成；
通过蚀刻去除形成在保护膜上的第二下反射器、第二活性层和第二上反射层；和
除去保护膜，并分别在第一和第二上反射层的上表面上形成第一和第二上电极，在衬底的底面上形成一个下电极。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于保护膜由一种从包括氮化硅和氧化硅的组中选择出的材料形成。
5.如权利要求3所述的方法，还包括在形成第一和第二上电极之前通过在部分的第一和第二反射器中注入质子而形成第一和第二高阻部分的步骤。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100409517C (zh) * 2003-12-10 2008-08-06 安华高科技光纤Ip（新加坡）私人有限公司 可筛选水分钝化平面折射率导向型垂直腔面发射激光器
CN100524985C (zh) * 2003-10-27 2009-08-05 安华高科技光纤Ip（新加坡）私人有限公司 单模垂直腔面发射激光器及其制造方法
CN106887788A (zh) * 2017-04-27 2017-06-23 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法
CN111435781A (zh) * 2019-01-15 2020-07-21 中国科学院半导体研究所 垂直腔面发射半导体激光器结构
CN113140962A (zh) * 2020-11-30 2021-07-20 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 辐射发射器及其制备方法
CN113169520A (zh) * 2019-05-16 2021-07-23 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 垂直腔面发射激光器
US11936163B2 (en) 2020-08-24 2024-03-19 Changchun Institute Of Optics, Fine Mechanics And Physics Radiation emitter

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8129253B2 (en) * 2001-08-13 2012-03-06 Finisar Corporation Providing current control over wafer borne semiconductor devices using trenches
JP4537658B2 (ja) * 2002-02-22 2010-09-01 株式会社リコー 面発光レーザ素子、該面発光レーザ素子を用いた面発光レーザアレイ、電子写真システム、面発光レーザモジュール、光通信システム、光インターコネクションシステム、および面発光レーザ素子の製造方法
US8205385B2 (en) * 2003-06-20 2012-06-26 Konvin Associates Ltd. Dual panel system for controlling the passage of light through architectural structures
US7281353B2 (en) * 2003-06-20 2007-10-16 Konvin Associates Ltd. Dual panel system for controlling the passage of light through architectural structures
JP2005150472A (ja) * 2003-11-17 2005-06-09 Alps Electric Co Ltd 波長可変光源及びその製造方法
JP4800974B2 (ja) * 2004-01-20 2011-10-26 ビノプティクス・コーポレイション 光装置および単一チップ上に双方向光動作用の統合されたレーザおよび検出器を製造する方法
US7310358B2 (en) * 2004-12-17 2007-12-18 Palo Alto Research Center Incorporated Semiconductor lasers
US7579204B2 (en) * 2005-01-26 2009-08-25 Sony Corporation Method of production of semiconductor light emission device and method of production of light emission apparatus
JP2006313875A (ja) * 2005-04-08 2006-11-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置
EP1888858A4 (en) * 2005-06-10 2009-07-15 Cpi Internat Inc METHOD AND APPARATUS FOR SELECTIVE SOLAR CONTROL
US20070163732A1 (en) * 2006-01-13 2007-07-19 Konvin Associates Ltd. Method and device for controlling the passage of radiant energy into architectural structures
JP4985100B2 (ja) * 2007-05-28 2012-07-25 ソニー株式会社 多波長レーザ、光ピックアップ装置および光ディスク装置
US9231368B2 (en) 2012-11-30 2016-01-05 Thorlabs Quantum Electronics, Inc. Passive waveguide structure with alternating GaInAs/AlInAs layers for mid-infrared optoelectronic devices
EP2926421B1 (en) 2012-11-30 2020-09-09 Thorlabs Quantum Electronics, Inc. Multiwavelength quantum cascade laser via growth of different active and passive cores
US10868407B2 (en) * 2015-06-04 2020-12-15 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Monolithic WDM VCSELS with spatially varying gain peak and fabry perot wavelength

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63227089A (ja) * 1987-03-17 1988-09-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 多波長半導体レ−ザの製造方法
JPH042189A (ja) * 1990-04-18 1992-01-07 Nec Corp 面発光半導体レーザ
JPH06302901A (ja) * 1993-04-12 1994-10-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光パルス発生制御素子
JPH07312462A (ja) * 1994-03-24 1995-11-28 Mitsubishi Electric Corp 面発光レーザダイオードの製造方法，及び面発光レーザダイオード
US5729563A (en) * 1994-07-07 1998-03-17 Hewlett-Packard Company Method and apparatus for optically and thermally isolating surface emitting laser diodes
JPH09312462A (ja) * 1996-05-21 1997-12-02 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 電気回路の形成方法
US5699375A (en) * 1996-07-08 1997-12-16 Xerox Corporation Multiple wavelength, surface emitting laser with broad bandwidth distributed Bragg reflectors
JPH10233559A (ja) * 1997-02-20 1998-09-02 Canon Inc 半導体レーザ装置、その作製方法およびそれを用いた光通信方式
JPH10270799A (ja) * 1997-03-21 1998-10-09 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子
US6021146A (en) * 1997-09-15 2000-02-01 Motorola, Inc. Vertical cavity surface emitting laser for high power single mode operation and method of fabrication
JP2000011417A (ja) * 1998-06-26 2000-01-14 Toshiba Corp 半導体レーザアレイ及びその製造方法、光集積ユニット、光ピックアップ並びに光ディスク駆動装置
US6560262B1 (en) * 1999-01-26 2003-05-06 Triquint Technology Holding Co. Vertical cavity surface emitting laser array and a process for making same
US6546035B2 (en) * 2000-02-29 2003-04-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser diode array and method of fabricating the same
JP4002189B2 (ja) * 2003-01-06 2007-10-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板搬送装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100524985C (zh) * 2003-10-27 2009-08-05 安华高科技光纤Ip（新加坡）私人有限公司 单模垂直腔面发射激光器及其制造方法
CN100409517C (zh) * 2003-12-10 2008-08-06 安华高科技光纤Ip（新加坡）私人有限公司 可筛选水分钝化平面折射率导向型垂直腔面发射激光器
CN106887788A (zh) * 2017-04-27 2017-06-23 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法
CN106887788B (zh) * 2017-04-27 2019-07-23 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法
CN111435781A (zh) * 2019-01-15 2020-07-21 中国科学院半导体研究所 垂直腔面发射半导体激光器结构
CN111435781B (zh) * 2019-01-15 2022-03-18 中国科学院半导体研究所 垂直腔面发射半导体激光器结构
CN113169520A (zh) * 2019-05-16 2021-07-23 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 垂直腔面发射激光器
CN113169520B (zh) * 2019-05-16 2024-05-10 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 垂直腔面发射激光器
US11936163B2 (en) 2020-08-24 2024-03-19 Changchun Institute Of Optics, Fine Mechanics And Physics Radiation emitter
CN113140962A (zh) * 2020-11-30 2021-07-20 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 辐射发射器及其制备方法

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