CN1320710C - 面发射激光器同轴封装用的热沉 - Google Patents

面发射激光器同轴封装用的热沉 Download PDF

Info

Publication number
CN1320710C
CN1320710C CNB2003101180412A CN200310118041A CN1320710C CN 1320710 C CN1320710 C CN 1320710C CN B2003101180412 A CNB2003101180412 A CN B2003101180412A CN 200310118041 A CN200310118041 A CN 200310118041A CN 1320710 C CN1320710 C CN 1320710C
Authority
CN
China
Prior art keywords
metal electrode
heat sink
emitting laser
metallization via
coaxial packaging
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2003101180412A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1622405A (zh
Inventor
张胜利
孙建伟
祝宁华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Institute of Semiconductors of CAS
Original Assignee
Institute of Semiconductors of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institute of Semiconductors of CAS filed Critical Institute of Semiconductors of CAS
Priority to CNB2003101180412A priority Critical patent/CN1320710C/zh
Publication of CN1622405A publication Critical patent/CN1622405A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1320710C publication Critical patent/CN1320710C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本发明一种面发射激光器同轴封装用的热沉，其中包括：一热沉；一第一金属电极和一第二金属电极制作在热沉的上表面；一第三金属电极制作在热沉的下表面；一第一金属化导通孔和一第二金属化导通孔分别位于第一金属电极和第二金属电极上。

Description

面发射激光器同轴封装用的热沉
技术领域
本发明属于光电子器件领域，更具体说是一种面发射激光器同轴封装用的热沉。
背景技术
垂直腔面发射激光器(VCSEL)在光通信、光互联以及光存储等诸多领域都是一种有吸引力的光源，同轴封装的VCSEL因成本低、使用方便而被广泛应用。同轴封装用的热沉作为VCSEL芯片的直接载体，主要解决芯片的散热和电极的连接问题。一般VCSEL芯片有P、N上下两个不共面电极，热沉上也对应有两个电极。在同轴封装的过程中，首先要把VCSEL芯片的下电极焊接在热沉的一个电极上，芯片的上电极则通过一根金丝连接到热沉的另一电极上，然后把热沉焊接在TO座上，分别用金丝把热沉电极上的两电极与TO管脚的两管脚连接起来。连接用的金丝因为受到VCSEL芯片电极大小的限制，普遍直径较小(φ＜25μm)，电感效应比较明显，大约1nh/mm。这些电感会影响VCSEL特别是高速VCSEL的调制特性，限制了器件整体性能的提高。金丝越多，引入的寄生参数越大，影响会越明显。
发明内容
为了解决以上问题，本发明的目的在于提供一种面发射激光器同轴封装用的热沉，使用该热沉能够减少金丝数量、降低金丝引入的寄生电感影响。
本发明解决其技术问题的技术方案是：
本发明一种面发射激光器同轴封装用的热沉，其特征在于，其中包括：
一热沉；
一第一金属电极和一第二金属电极，该第一金属电极和第二金属电极制作在热沉的上表面；
一第三金属电极，该第三金属电极制作在热沉的下表面；
一第一金属化导通孔和一第二金属化导通孔分别制作在第一金属电极和第二金属电极上。
其中热沉所采用的是金刚石或氮化铝或氧化铍或碳化硅材料。
其中第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极的表面经过镀金工艺处理。
其中该第一金属化导通孔和第二金属化导通孔的直径等于450μm。
其中该第一金属化导通孔和第二金属化导通孔为台阶状的导通孔，形成于热沉和第三金属电极之间。
附图说明
为进一步说明本发明的技术内容，以下结合附图和实施例对本发明作进一步说明，其中：
图1是本发明同轴面发射激光器封装用热沉的俯视图
图2是本发明同轴面发射激光器封装用热沉的仰视图
图3是本发明同轴面发射激光器封装用热沉剖面侧视图。
具体实施方式
请参阅图1、图2、和图3，本发明一种面发射激光器同轴封装用的热沉，其中包括：
一热沉1，热沉1所采用的是金刚石或氮化铝或氧化铍或碳化硅材料；
一第一金属电极2和一第二金属电极3，该第一金属电极2和第二金属电极3制作在热沉1的上表面，该第一金属电极2和第二金属电极3的表面经过镀金工艺处理；
一第三金属电极6制作在热沉1的下表面，该第三金属电极6的表面经过镀金工艺处理；
一第一金属化导通孔4和一第二金属化导通孔5分别位于第一金属电极2和第二金属电极3上，该第一金属化导通孔4和第二金属化导通孔5的直径等于450μm；其中该第一金属化导通孔4和第二金属化导通孔5为台阶状的导通孔。
在图1、图2和图3的实施例中，其制作的过程为：首先采用数控钻孔或激光打孔的技术在热沉1上制成第一金属化导通孔4和第二金属化导通孔5；然后用化学沉铜工艺及全板电镀工艺实现第一金属化导通孔4和第二金属化导通孔5的金属化；最后使用光刻和电镀等工艺在热沉1的上表面制成第一金属电极2和第二金属电极3，在热沉1的下表面制成第三金属电极6，并对第一金属电极2、第二金属电极3和第三金属电极6的表面进行镀金处理。

Claims (5)

1、一种面发射激光器同轴封装用的热沉，其特征在于，其中包括：
一热沉；
一第一金属电极和一第二金属电极，该第一金属电极和第二金属电极制作在热沉的上表面；
一第三金属电极，该第三金属电极制作在热沉的下表面；
一第一金属化导通孔和一第二金属化导通孔分别制作在第一金属电极和第二金属电极上。
2、如权利要求1所述的一种面发射激光器同轴封装用的热沉，其特征在于，其中热沉所采用的是金刚石或氮化铝或氧化铍或碳化硅材料。
3、如权利要求1所述的一种面发射激光器同轴封装用的热沉，其特征在于，其中第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极的表面经过镀金工艺处理。
4、如权利要求1所述的一种面发射激光器同轴封装用的热沉，其特征在于，其中该第一金属化导通孔和第二金属化导通孔的直径等于450μm。
5、如权利要求1或4所述的一种面发射激光器同轴封装用的热沉，其特征在于，其中该第一金属化导通孔和第二金属化导通孔为台阶状的导通孔，形成于热沉和第三金属电极之间。
CNB2003101180412A 2003-11-24 2003-11-24 面发射激光器同轴封装用的热沉 Expired - Fee Related CN1320710C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2003101180412A CN1320710C (zh) 2003-11-24 2003-11-24 面发射激光器同轴封装用的热沉

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2003101180412A CN1320710C (zh) 2003-11-24 2003-11-24 面发射激光器同轴封装用的热沉

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1622405A CN1622405A (zh) 2005-06-01
CN1320710C true CN1320710C (zh) 2007-06-06

Family

ID=34761046

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2003101180412A Expired - Fee Related CN1320710C (zh) 2003-11-24 2003-11-24 面发射激光器同轴封装用的热沉

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN1320710C (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105720477B (zh) * 2016-02-29 2018-08-10 中国科学院半导体研究所 应用于异面电极激光器芯片的封装结构
CN111106524A (zh) * 2018-10-29 2020-05-05 深圳市中光工业技术研究院 一种半导体激光器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07273407A (ja) * 1995-04-26 1995-10-20 Sony Corp ワイヤボンド対応ペルチェ素子
CN1189000A (zh) * 1997-01-09 1998-07-29 日本电气株式会社 半导体激光组件
CN1359177A (zh) * 2000-11-29 2002-07-17 三菱化学株式会社 半导体发光器件
CN1365169A (zh) * 2001-06-21 2002-08-21 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 有源大通道金刚石厚膜热沉及制备方法
CN1367556A (zh) * 2002-02-01 2002-09-04 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 背散热有源小通道热沉
EP1341275A2 (en) * 2002-02-18 2003-09-03 Monocrom Laser module

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07273407A (ja) * 1995-04-26 1995-10-20 Sony Corp ワイヤボンド対応ペルチェ素子
CN1189000A (zh) * 1997-01-09 1998-07-29 日本电气株式会社 半导体激光组件
CN1359177A (zh) * 2000-11-29 2002-07-17 三菱化学株式会社 半导体发光器件
CN1365169A (zh) * 2001-06-21 2002-08-21 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 有源大通道金刚石厚膜热沉及制备方法
CN1367556A (zh) * 2002-02-01 2002-09-04 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 背散热有源小通道热沉
EP1341275A2 (en) * 2002-02-18 2003-09-03 Monocrom Laser module

Also Published As

Publication number Publication date
CN1622405A (zh) 2005-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11139279B2 (en) Light-emitting diode device
JP5999929B2 (ja) 発光素子パッケージ及びこれを利用した照明システム
CN101499429B (zh) 注射成形用模具、半导体封装和半导体封装的制造方法
EP1169735B1 (en) Semiconductor radiation emitter package
CN107741618B (zh) 一种高速dml发射组件
EP1537603A2 (en) Power surface mount light emitting die package
CN101621101A (zh) 发光二极管及其制造方法
CN108988120A (zh) 同轴封装的激光器以及光模块
JP2015149471A (ja) 発光素子パッケージ
CN106025040B (zh) 一种单面出光的发光元器件及其生产方法
CN110867724B (zh) 一种高速率tof结构及制作方法
CN100342558C (zh) 陶瓷封装发光二极管的封装方法
CN1320710C (zh) 面发射激光器同轴封装用的热沉
CN204966534U (zh) 一种大功率led支架
US20080230797A1 (en) LED module and manufacturing method thereof
US20060145173A1 (en) Light emitting diode package and process of making the same
CN1275368C (zh) 半导体激光器热沉
CN1764026A (zh) 半导体激光器高频封装用具有微带结构的热沉
CN1879268A (zh) 高频信号传输光学模块及其制造方法
CN105070813A (zh) 一种大功率led支架及其封装方法
CN204696445U (zh) 用于激光器同轴封装的新型底座
CN2570979Y (zh) 芯片封装结构
CN1290185C (zh) 集成电路封装装置及其制造方法
JP2004342882A (ja) 半導体ステム
CN101034790A (zh) 用于垂直腔面发射激光器to封装用的管座

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C19 Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20070606