CN1302327C - 用于防止液晶显示器件中的断开的结构及其制造方法 - Google Patents

用于防止液晶显示器件中的断开的结构及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1302327C
CN1302327C CNB031386075A CN03138607A CN1302327C CN 1302327 C CN1302327 C CN 1302327C CN B031386075 A CNB031386075 A CN B031386075A CN 03138607 A CN03138607 A CN 03138607A CN 1302327 C CN1302327 C CN 1302327C
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
active layer
gate electrode
select lines
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB031386075A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1479146A (zh
Inventor
黄旷兆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Philips LCD Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Philips LCD Co Ltd filed Critical LG Philips LCD Co Ltd
Publication of CN1479146A publication Critical patent/CN1479146A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1302327C publication Critical patent/CN1302327C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

用于防止液晶显示器件中的断开的结构及其制造方法。一种制造LCD器件的方法包括：在绝缘基板上形成有源层；在绝缘基板的表面上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成选通线和栅电极；在栅电极以及选通线和数据线交叉点处的选通线上形成光致抗蚀剂图形；使用光致抗蚀剂图形作为掩模将杂质离子注入到有源层内，以形成源和漏区；除去光致抗蚀剂图形；在绝缘基板的整个表面上形成层间绝缘层，层间绝缘层具有露出源和漏区的预定部分的第一接触孔；在层间绝缘层上形成电连接到源区并在上方与选通线交叉的数据线；形成漏电极；在绝缘基板的表面上形成钝化层，钝化层具有露出漏电极的预定部分的第二接触孔；形成通过第二接触孔与漏电极电连接的像素电极。

Description

用于防止液晶显示器件中的断开的结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及液晶显示(LCD)器件的制造方法，更具体地，涉及防止数据线断开的LCD器件的结构和制造方法。
背景技术
随着信息社会的发展，对于各种显示器件的需求增加。因此，现已进行了许多努力以研究和开发各种平板显示器件，例如液晶显示器(LCD)、等离子体显示板(PDP)、场致发光显示器(ELD)和真空荧光显示器(VFD)，并且一些种类的平板显示器件已经应用于各种设备的显示器。在各种平板显示器件中，由于厚度薄、重量轻以及功耗低的有利特性，液晶显示(LCD)器件获得了最广泛的应用，代替了阴极射线管(CRT)。除了可移动型的LCD器件，例如用于笔记本计算机的显示器，已经开发了用于显示广播信号的计算机监视器和电视机的LCD器件。
尽管在用于不同领域的LCD技术中的各种技术的发展，但是与LCD器件的其它特性相比，在增强LCD器件的画面质量方面的研究在某些方面仍有不足。为了在各种领域中用LCD器件作为通用显示器，关键在于LCD器件可以在大尺寸屏幕中实现高质量画面，高分辨率和高亮度，而仍保持重量轻、厚度薄和功耗低。
LCD器件包括用来显示图像的LCD板和用于将驱动信号施加到LCD板的驱动部分。LCD板包括之间有间隙的互相粘合在一起的第一和第二玻璃基板，以及注入到第一和第二玻璃基板之间的液晶层。在第一玻璃基板(称作TFT基板)上具有：以固定间隔在第一方向中排列的多个选通线；以固定间隔在垂直于选通线的第二方向中排列的多个数据线；以矩阵形式布置在由选通线和数据线限定的各像素区中的多个像素电极；响应选通线上的信号进行开关的多个薄膜晶体管(TFT)，用于将数据线上的信号传送给各像素电极。第二玻璃基板(称作滤色器基板)上具有用于防止光泄露到像素区以外的黑底层，用来显示颜色的R/G/B滤色器层，以及用来实现图像的公共电极。在面内切换模式(in-plane switchingmode)LCD器件中，公共电极形成在第一基板上。
第一和第二玻璃基板之间通过隔离物保持预定的间隙。第一和第二玻璃基板用密封剂粘合在一起。密封剂具有液晶注入入口，通过入口注入液晶。在粘合的第一和第二基板之间的空间保持真空状态的同时，液晶注入孔被放入液晶容器，由此通过渗透作用把液晶注入到第一和第二基板之间。然后，当液晶完全注入到第一和第二基板之间时，密封液晶注入孔。
在相关技术的LCD器件中，通常使用非晶硅(a-Si)薄膜晶体管(TFT)。但是，由具有高迁移率的多晶硅制成的TFT可以集成到LCD器件中，由此用多晶硅TFT代替非晶硅TFT。而且，当用于驱动电路中时，多晶硅TFT可以形成为互补(CMOS)TFT。
由于多晶硅TFT与非晶硅TFT相比具有高电子迁移率，所以多晶硅TFT受到热载流子应力(HCS)和高漏电流应力(HDCS)的极大影响。随着沟道长度变得更短，多晶硅TFT受HCS和HDCS的影响更大，由此多晶硅TFT的可靠性恶化了。随着采用激光的结晶技术的发展，多晶硅TFT在与非晶硅TFT类似的温度下制造，由此，多晶硅TFT被应用于大尺寸玻璃基板。
在形成在玻璃基板上的驱动电路的TFT和像素的TFT中可以使用多晶硅TFT。由于多晶硅的高电子迁移率特性，驱动电路中的多晶硅TFT可以在高频下开关。然而，用于像素的多晶硅TFT在关断状态中具有大漏电流值，由此在把多晶硅TFT用作像素的开关器件时产生了问题。为了降低像素的多晶硅TFT中的关断状态电流，像素的多晶硅TFT被形成为具有轻掺杂漏(LDD)结构、偏置结构(offset structure)、和/或双栅极结构。
图1示出了现有技术的LCD器件的像素的平面图。参考图1，多个选通线11以固定的间距在一个方向形成在下基板10上，多个数据线12垂直于选通线11形成，由此在下基板10上形成了多个像素区P。像素电极16形成在由多个选通线和数据线11和12限定的每个像素区P中。在每个像素区P中形成薄膜晶体管T。根据来自选通线11的信号开关薄膜晶体管T，从而将数据线12的信号传送到每个像素电极16。
薄膜晶体管T包括从选通线11伸出的栅电极13、形成在下基板10整个表面和栅电极13上的栅绝缘层(未示出)、栅电极13上方的栅绝缘层(未示出)上的半导体层14、从数据线12伸出的源电极15a、以及面向源电极15a的漏电极15b。漏电极15b通过接触孔17电连接到像素电极16。
具有以上结构的下基板10以预定的间隙被粘结到上基板(未示出)。上基板包括：黑底层，限定对应于下基板10的像素区P的开口，并用于防止光泄露到像素区以外；设置在开口中用来显示颜色的红R、绿G、或蓝B滤色器层。在滤色器层R、G和B上设置公共电极，用于利用像素电极(反射电极)16驱动液晶。下和上基板之间具有通过隔离物确定的预定间隙。第一和第二玻璃基板用密封剂相互粘合在一起。密封剂具有液晶注入入口，通过入口注入液晶。
下面参考附图2A到2I介绍现有技术的LCD器件的制造方法。具体地说，图2A到图2I是示出了图1所示现有技术的LCD器件的制造工艺步骤的剖视图。参考图2A，在绝缘基板(TFT阵列基板)21上形成氧化硅材料的缓冲层22，然后在缓冲层22上形成非晶硅层。随后，如激光的能量被照射到非晶硅层，由此形成多晶硅层。通过光刻选择性地除去多晶硅层，由此形成有源层(半导体层)23。然后，如图2B所示，在栅绝缘层24上淀积具有低电阻的金属层，然后通过光刻选择性地除去，由此多个选通线25和伸出的栅电极26以固定的间距在一个方向中形成。通过溅射一种导电金属材料来形成具有低电阻的金属层，该导电金属材料例如是铝合金AlNd、铬Cr、钨W、或钼Mo。
如图2C所示，使用栅电极26作为掩模在绝缘基板21上的有源层23中选择性地掺杂n型杂质离子或p型杂质离子(取决于TFT的导电类型)，由此在栅电极26两侧的有源层23中形成LDD区27。然后，参考图2D，把光致抗蚀剂层28淀积在绝缘基板21的整个表面上，然后利用光刻法选择性地构图以便围绕栅电极26形成。之后，使用构图的光致抗蚀剂层28作为掩模，在图2C中的有源层23中选择性地掺杂重掺杂的p型或n型杂质离子，由此在有源层23中形成源和漏区29。
如图2E所示，当使用PH3+H2用于掺杂杂质离子以形成源和漏区29时，光致抗蚀剂28的特性已改变，因为其一部分变得更硬。因此，需要CF4+O2等离子体工艺来刻蚀光致抗蚀剂的硬化部分。但是，在用于刻蚀光致抗蚀剂的硬化部分的等离子体工艺期间，从选通线25下除去了栅绝缘层24的一部分表面。通过后续的剥离工艺完全除去光致抗蚀剂层28的其余部分。换句话说，由于CF4+O2等离子体工艺，除去了栅绝缘层24的预定厚度A。
参考图2F，在包括栅电极26的绝缘基板21的整个表面上形成层间绝缘层30。然后选择性地除去层间绝缘层30和栅绝缘层24以露出源和漏区29的上表面，由此形成第一接触孔31。如图2G所示，在包括第一接触孔31的绝缘基板21的整个表面上淀积金属层。通过使用光刻刻蚀金属层来形成源和漏电极32a和32b。源电极32a也是数据线。
如图2H所示，在包括源和漏电极32a和32b的绝缘基板21的整个表面上形成钝化层33，然后被选择性地除去以露出漏电极32b的预定部分，由此形成了图2H中的第二接触孔34。
参考图2I，在包括第二接触孔34的绝缘基板21的整个表面上淀积金属层，然后选择性地构图，由此形成了通过第二接触孔34连接到漏电极32b的像素电极35。尽管未示出，形成了面向TFT阵列基板的具有滤色器层和公共电极的滤色器基板。然后，把滤色器基板和TFT阵列基板粘接到一起，并在滤色器基板和TFT阵列基板之间注入液晶。
图3示出了根据现有技术的制造工艺步骤垂直于选通线的数据线的平面图。图4示出了沿图3的线II-II’截取的现有技术的LCD器件的剖面图。如图3和4所示，当除去图2E所示的光致抗蚀剂层28时，位于在下方与数据线32交叉的选通线25下面的栅绝缘层24如图4的“C”所示被过蚀刻。在形成数据线32时，由于层间绝缘层30中台阶覆盖的失败而产生图3虚线所示的断开。
然而，现有技术的LCD器件的制造方法具有以下缺点。例如，因为在把杂质离子掺杂到源和漏区中期间光致抗蚀剂层的表面变化，在去除光致抗蚀剂层时，栅绝缘层在与选通线邻近的预定部分被部分地刻蚀。在形成CMOS晶体管的情况下，重复地进行淀积和除去光致抗蚀剂层的工艺，由此栅绝缘层的蚀刻深度进一步增加。因此，如果在栅绝缘层被过蚀刻时在栅绝缘层上淀积层间绝缘层，那么由于层间绝缘层具有差的台阶覆盖而导致数据线的断开。
发明内容
因此，本发明涉及一种LCD器件的制造方法，基本上避免了由于现有技术的局限和不足产生的一个或多个问题。
本发明的一个目的是提供一种LCD器件的制造方法，防止了选通线和数据线交叉点处的断开，由此提高了成品率。
本发明的其它优点、目的和特点部分地阐述在下面的说明中，部分地对于研究了下文的本领域普通技术人员来说是显而易见的，或者可以从本发明的实施中获得。通过在书面的说明书和它的权利要求书以及附图中特别指出的结构可以实现和获得本发明的目的和其它优点。
为实现这些目的和其它优点，根据本发明，如这里所实施和广泛介绍的，一种制造具有选通线和数据线的LCD器件的方法包括：在绝缘基板上形成有源层；在包括有源层的绝缘基板的表面上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成选通线和栅电极，以便栅电极位于有源层上方；在栅电极以及选通线和数据线交叉点处的选通线上形成光致抗蚀剂图形，其中光致抗蚀剂图形围绕栅电极和选通线；使用光致抗蚀剂图形作为掩模将杂质离子注入到有源层内，以在有源层中形成源和漏区；除去光致抗蚀剂图形；在绝缘基板的整个表面上形成层间绝缘层，层间绝缘层具有露出源和漏区的预定部分的第一接触孔；在层间绝缘层上形成电连接到源区并在上方与选通线交叉的数据线；形成漏电极；在绝缘基板的表面上形成钝化层，钝化层具有露出漏电极的预定部分的第二接触孔；以及形成通过第二接触孔与漏电极电连接的像素电极。
在另一方面，一种LCD器件的制造方法包括：在绝缘层上形成有源层；在包括有源层的绝缘基板的表面上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成选通线和栅电极，使得栅电极位于有源层上方；在栅电极和选通线的两侧形成侧壁间隔层；使用栅电极作为掩模将杂质离子注入到有源层内，以在有源层中形成源和漏区；在绝缘基板的表面上形成层间绝缘层，其中层间绝缘层具有露出源和漏区的预定部分的第一接触孔；在层间绝缘层上形成电连接到源区并在上方与选通线交叉的数据线；形成漏电极；在绝缘基板的表面上形成钝化层，其中钝化层具有露出漏电极的预定部分的第二接触孔；以及形成通过第二接触孔与漏电极电连接的像素电极。
在另一个方面，一种LCD器件包括：在绝缘层上的有源层；在包括有源层的绝缘基板的表面上形成的栅绝缘层；在栅绝缘层上形成的选通线和栅电极，使得栅电极位于有源层上方；在栅电极和选通线两侧形成的侧壁间隔层；通过使用栅电极和侧壁间隔层作为掩模将杂质离子注入有源层而在有源层中形成的源和漏区；在绝缘基板的表面上形成的层间绝缘层，其中层间绝缘层具有露出源和漏区的预定部分的第一接触孔；连接到漏区的漏电极；连接到源区并沿着像素区边界直接在选通线的一部分上方与其交叉的数据线，其中该部分选通线具有侧壁间隔层；在绝缘基板的表面上形成的钝化层，其中钝化层具有露出漏电极的预定部分的第二接触孔；和通过第二接触孔与漏电极电接触的像素电极。
在另一个方面，一种LCD器件包括：在绝缘层上的有源层；在包括有源层的绝缘基板的表面上形成的栅绝缘层；在栅绝缘层上形成的选通线和栅电极，使得栅电极位于有源层上方；通过使用栅电极和侧壁间隔层作为掩模将杂质离子注入有源层而在有源层中形成的源和漏区；在绝缘基板的表面上形成的层间绝缘层，其中层间绝缘层具有露出源和漏区的预定部分的第一接触孔；连接到漏区的漏电极；连接到源区并沿着像素区边界直接在选通线的一部分上方与其交叉的数据线，其中该部分选通线位于栅绝缘层的一个台面上；在绝缘基板的表面上形成的钝化层，其中钝化层具有露出漏电极的预定部分的第二接触孔；和通过第二接触孔与漏电极电接触的像素电极，其中所述台面的宽度大于选通线的宽度。
应该理解以上的概述和以下本发明的详细说明仅为示例性的和说明性的，意在进一步说明本发明的权利要求。
附图说明
被包括以便进一步理解本发明并引入并构成本说明书一部分的附图示出了本发明的各实施例并和说明书一起介绍本发明的原理。
在附图中：
图1示出了现有技术的LCD器件的平面图；
图2A到图2I示出了沿图1的线I-I’截取的现有技术的LCD器件的制造工艺步骤的剖面图；
图3示出了根据现有技术的制造工艺步骤形成垂直于选通线的数据线的状态平面图；
图4示出了沿图3的线II-II’截取的现有技术的LCD器件的剖面图；
图5A到5I示出了根据本发明示例实施例沿图1的线I-I’截取的LCD器件的制造工艺步骤的剖面图；
图6示出了根据本发明示例实施例的制造工艺步骤形成垂直于选通线的数据线的平面图；
图7示出了根据本发明沿图6的线IV-IV’截取的LCD器件的剖面图；
图8A到8H示出了根据本发明的另一示例实施例LCD器件的制造工艺步骤的剖面图。
具体实施方式
现在参考附图中的例子详细介绍本发明的优选实施例。只要可能，各图中相同的参考数字表示相同或类似的部分。
图5A到5I示出了根据本发明示例实施例的LCD器件的制造工艺步骤的剖面图。参考图5A，在绝缘层或TFT阵列基板51上形成氧化硅材料的缓冲层52。然后在缓冲层52上形成非晶硅层。通过等离子体增强CVD(PECVD)、使用硅烷气体的低压CVD(LPCVD)或溅射或其它类似方法，在约300℃和400℃之间的温度下，在缓冲层52上淀积非晶硅。随后，激光照射到非晶硅层以晶化非晶硅层，由此形成了多晶硅层。接着，通过光刻选择性地除去多晶硅层，从而形成有源层53。另选地，可以使用其它再结晶方法。用于晶化非晶硅层的方法一般分为三种，准分子激光退火(ELA)法、固相晶化(SPC)法以及金属诱发晶化(MIC)法。在ELA法中，把准分子激光照射到其上淀积有非晶硅层的基板上，由此产生多晶硅层。在SPC法中，在高温下对非晶硅层进行长时间的热处理，由此形成多晶硅层。在MIC法中，把金属淀积在非晶硅层上并加热以形成多晶硅层，这适合于大尺寸的玻璃基板。
如图5B所示，把氮化硅层淀积在包括有源层53的绝缘层51的整个表面上，由此形成栅绝缘层54。然后，把具有低阻的金属层形成在栅绝缘层54上，通过光刻选择性地除去，由此以固定的间隔形成具有伸出的栅电极56的多个选通线55。可以通过利用化学汽相淀积(CVD)淀积氧化硅或氮化硅材料形成栅绝缘层54。金属层可以是溅射的导电材料，例如铝Al、铝合金AlNd、铬Cr、钨W、或钼Mo。参考图5C，使用栅电极56作为掩模，把轻掺杂的n型或p型杂质离子选择性地掺杂到有源层53中，由此在栅电极66两侧的有源层53内形成LDD区57。
如图5D所示，在绝缘层51的整个表面上淀积光致抗蚀剂层58，然后通过光刻选择性地构图以围绕栅电极56和选通线55。其上形成有光致抗蚀剂层58的选通线55在下方与随后形成的数据线交叉。然后，使用构图的光致抗蚀剂层58做掩模，在有源层53中选择性地掺杂n型杂质离子或p型杂质离子(取决于TFT的导电类型)，由此在有源层53中形成源和漏区59。
如图5E所示，在为了CMOS工艺掺杂重掺杂杂质离子(例如PH3+H2等离子体，B2H6+H2等离子体或二者)期间，光致抗蚀剂层58的表面发生变化。更具体地说，光致抗蚀剂层58的表面部分硬化，使得它不能被O2等离子体刻蚀。因此，利用CF4/O2等离子体刻蚀除去光致抗蚀剂层58的硬化部分。在光致抗蚀剂层58、栅电极56和选通线55下的栅绝缘层54的部分不暴露于CF4/O2等离子体，从而防止光致抗蚀剂层58下的栅绝缘层54的那些部分被刻蚀。因此，选通线55在栅绝缘层54的一个台面上。更具体地说，该平台的宽度W1大于选通线55的宽度W2，如图5F所示。虚线“B”示出了当除去光致抗蚀剂层58的硬化部分时除去的栅绝缘层54的厚度。
参考图5F，用如激光的热能对绝缘层51的表面进行退火工艺，由此激活了形成在有源层53中的各离子区。之后，在包括栅电极56的绝缘层51的整个表面上形成层间绝缘层60，然后选择性地除去层间绝缘层60和栅绝缘层54以露出源和漏区59的上表面，由此形成了第一接触孔61。层间绝缘层60由如氮化硅或氧化硅等的无机绝缘材料、或者如丙烯酸有机化合物、Teflon、BCB、cytop或PFCB等低介电常数的有机绝缘材料形成。
如图5G所示，在包括图5F中的第一接触孔61的绝缘层51的整个表面上淀积金属层。然后，通过光刻形成在上方与选通线55交叉的数据线62以及连接到源和漏区59的漏电极。金属层通过CVD或溅射由金属材料形成，例如铝Al、铜Cu、钨W、铬Cr、或钼Mo、或钼合金例如MoW，MoTa或MoNb。
参考图5H，在包括源电极62a和漏电极62b的绝缘层51的整个表面上形成钝化层63。钝化层63的一部分被选择性地除去以露出漏电极62b的预定部分，由此形成第二接触孔64。钝化层63由氮化硅、氧化硅、BCB或丙烯酸树脂形成。如图5I所示，在包括图5H中的第二接触孔64的绝缘层51的整个表面上淀积金属层，然后选择性地构图以形成通过图5H中的第二接触孔64连接到漏电极62b的像素电极65。金属层通过CVD或溅射由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、Al、AlNd、Cr、或Mo形成。虽然未示出，但具有滤色器层和公共电极的滤色器基板被粘结到TFT阵列基板，然后在滤色器基板和TFT阵列基板之间形成液晶层。
图6示出了根据本发明示例实施例的制造工艺步骤形成垂直于选通线的数据线的平面图。图7示出了沿图6的线IV-IV’截取的LCD器件的剖面图。参考图6和7，图5D的光致抗蚀剂层58形成在与数据线62交叉的选通线55上。因此，当如图5E所示除去了光致抗蚀剂层58时，可以防止选通线55下面的栅绝缘层54被蚀刻。
图8A到8H示出了根据本发明的另一示例实施例LCD器件的制造工艺步骤的剖面图。参考图8A，在绝缘层(TFT阵列基板)71上形成氧化硅材料的缓冲层72，在缓冲层72上形成非晶硅层。通过等离子体增强CVD(PECVD)、使用硅烷气体的低压CVD(LPCVD)或溅射，在约300℃和400℃之间的温度下，在缓冲层72上淀积非晶硅。随后，把激光照射到非晶硅层上以使非晶硅层晶化成多晶硅层。然后，通过光刻选择性地除去多晶硅层，由此形成有源层73。
如图8B所示，在包括有源层73的绝缘层71的表面上形成栅绝缘层74。然后，在栅绝缘层74上形成具有低阻的金属层，然后通过光刻选择性地把它除去，由此以固定的间隔在一个方向形成具有伸出的栅电极76的多个选通线75。可以通过化学汽相淀积(CVD)淀积氧化硅或氮化硅以形成栅绝缘层74。金属层可以通过溅射如铝Al、铝合金AlNd、铬Cr、钨W、或钼Mo等的一种导电金属制成。
参考图8C，使用栅电极76作为掩模，在有源层73中选择性地掺杂轻掺杂的n型或p型杂质离子，由此在栅电极76两侧的有源层73内形成LDD区77。如图8D所示，在包括栅电极76的绝缘层71的表面上形成绝缘层，然后分别在栅电极76和选通线75的两侧形成侧壁间隔层78。随后，用栅电极76和侧壁间隔层78作为掩模，在有源层73中选择性地掺杂重掺杂的p型或n型杂质离子，由此在有源层73内形成源和漏区79。
如图8E所示，用如激光的热能对有源层73进行退火工艺，由此激活了形成在有源层73中的各离子区。之后，在包括栅电极76的绝缘层71的整个表面上形成层间绝缘层80，然后选择性地除去层间绝缘层80和栅绝缘层74以露出源和漏区79的上表面，由此形成了第一接触孔81。层间绝缘层80可以由如氮化硅或氧化硅等的无机绝缘材料、或者如丙烯酸有机化合物、Teflon、BCB、cytop或PFCB等低介电常数的有机绝缘材料形成。
如图8F所示，在包括第一接触孔81的绝缘层71的整个表面上淀积金属层。然后，通过光刻形成在上方与选通线75交叉的多个数据线82以及连接到源和漏区79的漏电极82b。金属层由金属材料形成，例如铝Al、铜Cu、钨W、铬Cr、钼Mo、钛Ti、或钽Ta、或钼合金例如MoW，MoTa或MoNb。因此，源电极82a或数据线82沿着像素区边界直接在选通线75的一部分上方与其交叉，其中该部分选通线75具有侧壁间隔层78。
参考图8G，在包括源电极82a和漏电极82b的绝缘层71的表面上形成钝化层83，然后选择性地除去以露出漏电极82b的预定部分，由此形成第二接触孔84。钝化层83可以由氮化硅、氧化硅、BCB或丙烯酸树脂形成。
如图8H所示，在包括第二接触孔84的绝缘层71的整个表面上淀积金属层，然后选择性地构图以形成通过第二接触孔84连接到漏电极82b的像素电极85。金属层通过CVD或溅射由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、Al、AlNd、Cr、或Mo形成。
本发明的优选实施例介绍了形成NMOS晶体管或PMOS晶体管的工艺。然而，当通过重复地进行光致抗蚀剂层淀积和除去工艺形成CMOS晶体管时，光致抗蚀剂层形成在与数据线交叉的选通线上，然后被除去。因此，可以防止选通线两侧和选通线下的栅绝缘层被蚀刻，由此防止了由台阶覆盖失败造成的数据线断开。
因此，当掺杂杂质离子以形成源和漏区时，光致抗蚀剂层形成在与数据线交叉的选通线上。由此，可以防止除去光致抗蚀剂层时选通线下的栅绝缘层被蚀刻，由此防止了随后在栅绝缘层上形成的层间绝缘层中的台阶覆盖失败造成的数据线断开。此外，在栅电极和选通线的两侧形成侧壁间隔层之后，掺杂杂质离子以形成源和漏区，由此可以省略了淀积和完全除去光致抗蚀剂层的工艺步骤，由此改善了台阶覆盖和制造裕量。
对于本领域的技术人员来说显然可以在本发明中进行多种修改和变型。由此，本发明意在覆盖在本发明的附带的权利要求书及等同物范围内的本发明的修改和变型。

Claims (19)

1.一种制造具有选通线和数据线的LCD器件的方法，包括：
在绝缘基板上形成有源层；
在包括有源层的绝缘基板的表面上形成栅绝缘层；
在栅绝缘层上形成选通线和栅电极，以便栅电极位于有源层上方；
在栅电极以及选通线和数据线交叉点处的选通线上形成光致抗蚀剂图形，其中光致抗蚀剂图形围绕栅电极和选通线；
使用光致抗蚀剂图形作为掩模将杂质离子注入到有源层内，以在有源层中形成源和漏区；
除去光致抗蚀剂图形；
在绝缘基板的整个表面上形成层间绝缘层，层间绝缘层具有露出源和漏区的预定部分的第一接触孔；
在层间绝缘层上形成电连接到源区并在上方与选通线交叉的数据线；
形成漏电极；
在绝缘基板的表面上形成钝化层，钝化层具有露出漏电极的预定部分的第二接触孔；以及
形成通过第二接触孔与漏电极电连接的像素电极。
2.根据权利要求1的方法，还包括使用栅电极作为掩模通过将轻掺杂的杂质离子注入到有源层内在栅电极两侧的有源层中形成LDD区的步骤。
3.根据权利要求1的方法，形成有源层的步骤还包括：
在绝缘基板上形成非晶硅层；
通过把能量施加到非晶硅层来形成多晶硅层；以及
选择性地除去多晶硅层。
4.根据权利要求3的方法，还包括在绝缘基板和非晶硅层之间形成缓冲层的步骤。
5.根据权利要求1的方法，其中层间绝缘层由氮化硅、氧化硅、丙烯酸有机化合物、聚四氟乙烯、苯并环丁烯、全氟化聚合物或过氟环丁烷形成。
6.根据权利要求1的方法，其中栅电极由铝、铝合金、铬、钨、或钼形成。
7.根据权利要求1的方法，其中像素电极由ITO，IZO，ITZO，Al，AlNd，Cr或Mo形成。
8.根据权利要求1的方法，其中钝化层由氮化硅、氧化硅、BCB或丙烯酸树脂形成。
9.一种LCD器件的制造方法，包括：
在绝缘层上形成有源层；
在包括有源层的绝缘基板的表面上形成栅绝缘层；
在栅绝缘层上形成选通线和栅电极，使得栅电极位于有源层上方；
在栅电极和选通线的两侧形成侧壁间隔层；
使用栅电极和侧壁间隔层作为掩模将杂质离子注入到有源层内，以在有源层中形成源和漏区；
在绝缘基板的表面上形成层间绝缘层，其中层间绝缘层具有露出源和漏区的预定部分的第一接触孔；
在层间绝缘层上形成电连接到源区并在上方与选通线交叉的数据线；
形成漏电极；
在绝缘基板的表面上形成钝化层，其中钝化层具有露出漏电极的预定部分的第二接触孔；以及
形成通过第二接触孔与漏电极电连接的像素电极。
10.根据权利要求9的方法，形成有源层的步骤还包括：
在绝缘基板上形成非晶硅层；
通过把能量施加到非晶硅层来形成多晶硅层；以及
选择性地除去多晶硅层。
11.根据权利要求10的方法，还包括在绝缘基板和非晶硅层之间形成缓冲层的步骤。
12.根据权利要求9的方法，其中层间绝缘层由氮化硅、氧化硅、丙烯酸有机化合物、聚四氟乙烯、苯并环丁烯、全氟化聚合物或过氟环丁烷形成。
13.根据权利要求9的方法，其中栅电极由铝、铝合金、铬、钨、或钼形成。
14.根据权利要求9的方法，其中像素电极由ITO，IZO，ITZO，Al，AlNd，Cr或Mo形成。
15.根据权利要求9的方法，其中钝化层由氮化硅、氧化硅、BCB或丙烯酸树脂形成。
16.一种LCD器件，包括：
在绝缘层上的有源层；
在包括有源层的绝缘基板的表面上形成的栅绝缘层；
在栅绝缘层上形成的选通线和栅电极，使得栅电极位于有源层上方；
在栅电极和选通线两侧形成的侧壁间隔层；
通过使用栅电极和侧壁间隔层作为掩模将杂质离子注入有源层而在有源层中形成的源和漏区；
在绝缘基板的表面上形成的层间绝缘层，其中层间绝缘层具有露出源和漏区的预定部分的第一接触孔；
连接到漏区的漏电极；
连接到源区并沿着像素区边界直接在选通线的一部分上方与其交叉的数据线，其中该部分选通线具有侧壁间隔层；
在绝缘基板的表面上形成的钝化层，其中钝化层具有露出漏电极的预定部分的第二接触孔；和
通过第二接触孔与漏电极电接触的像素电极。
17.根据权利要求16的LCD器件，其中有源层是多晶硅层。
18.根据权利要求16的LCD器件，还包括位于绝缘基板和有源层之间的缓冲层。
19.一种LCD器件，包括：
在绝缘层上的有源层；
在包括有源层的绝缘基板的表面上形成的栅绝缘层；
在栅绝缘层上形成的选通线和栅电极，使得栅电极位于有源层上方；
通过使用栅电极作为掩模将杂质离子注入有源层而在有源层中形成的源和漏区；
在绝缘基板的表面上形成的层间绝缘层，其中层间绝缘层具有露出源和漏区的预定部分的第一接触孔；
连接到漏区的漏电极；
连接到源区并沿着像素区边界直接在选通线的一部分上方与其交叉的数据线，其中该部分选通线位于栅绝缘层的一个台面上；
在绝缘基板的表面上形成的钝化层，其中钝化层具有露出漏电极的预定部分的第二接触孔；和
通过第二接触孔与漏电极电接触的像素电极，
其中所述台面的宽度大于选通线的宽度。
CNB031386075A 2002-08-28 2003-05-28 用于防止液晶显示器件中的断开的结构及其制造方法 Expired - Fee Related CN1302327C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0051184A KR100493382B1 (ko) 2002-08-28 2002-08-28 액정표시장치의 제조방법
KR0051184/2002 2002-08-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1479146A CN1479146A (zh) 2004-03-03
CN1302327C true CN1302327C (zh) 2007-02-28

Family

ID=31973554

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB031386075A Expired - Fee Related CN1302327C (zh) 2002-08-28 2003-05-28 用于防止液晶显示器件中的断开的结构及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6876406B2 (zh)
KR (1) KR100493382B1 (zh)
CN (1) CN1302327C (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101030523B1 (ko) * 2004-06-14 2011-04-21 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 어레이기판 제조방법
KR101021777B1 (ko) * 2004-06-26 2011-03-15 엘지디스플레이 주식회사 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR101050284B1 (ko) * 2004-08-31 2011-07-19 엘지디스플레이 주식회사 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
KR101166577B1 (ko) * 2005-05-20 2012-07-23 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
KR101198127B1 (ko) * 2005-09-30 2012-11-12 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치와 그 제조방법
US7615495B2 (en) * 2005-11-17 2009-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method of the same
KR101276662B1 (ko) * 2006-06-30 2013-06-19 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
US7456475B2 (en) * 2006-10-27 2008-11-25 Hannstar Display Corp. Display panel
US20130207111A1 (en) 2012-02-09 2013-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including semiconductor device, electronic device including semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
KR20150027434A (ko) * 2013-09-03 2015-03-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102215853B1 (ko) * 2014-03-10 2021-02-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법
CN104656333A (zh) * 2015-03-18 2015-05-27 深圳市华星光电技术有限公司 Coa型液晶面板的制作方法及coa型液晶面板
US10263114B2 (en) 2016-03-04 2019-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same
CN108364871A (zh) * 2018-03-30 2018-08-03 武汉华星光电技术有限公司 一种薄膜晶体管及其制备方法
JP7243521B2 (ja) * 2019-08-19 2023-03-22 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5561075A (en) * 1991-05-08 1996-10-01 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing an active matrix panel
JPH08330588A (ja) * 1995-03-27 1996-12-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JPH1144892A (ja) * 1997-05-29 1999-02-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd プロジェクションｔｖ
US5990999A (en) * 1998-06-19 1999-11-23 Lg Electronics, Inc. Liquid crystal display with a protection layer formed by the layer used to form the pixel electrode
US6326270B1 (en) * 1998-10-16 2001-12-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of forming integrated circuit memory devices using masking layers to inhibit overetching of impurity regions and conductive lines

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5823479A (ja) * 1981-08-05 1983-02-12 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US5414278A (en) * 1991-07-04 1995-05-09 Mitsushibi Denki Kabushiki Kaisha Active matrix liquid crystal display device
US5545571A (en) * 1991-08-26 1996-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making TFT with anodic oxidation process using positive and negative voltages
US5747355A (en) * 1993-03-30 1998-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing a transistor using anodic oxidation
JPH098138A (ja) * 1995-06-20 1997-01-10 Nippon Steel Corp 半導体装置及びその製造方法
US5771110A (en) * 1995-07-03 1998-06-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Thin film transistor device, display device and method of fabricating the same
US6617648B1 (en) * 1998-02-25 2003-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Projection TV
KR100601169B1 (ko) * 1999-06-30 2006-07-13 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100729763B1 (ko) * 2000-12-04 2007-06-20 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5561075A (en) * 1991-05-08 1996-10-01 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing an active matrix panel
US5583366A (en) * 1991-05-08 1996-12-10 Seiko Epson Corporation Active matrix panel
JPH08330588A (ja) * 1995-03-27 1996-12-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JPH1144892A (ja) * 1997-05-29 1999-02-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd プロジェクションｔｖ
US5990999A (en) * 1998-06-19 1999-11-23 Lg Electronics, Inc. Liquid crystal display with a protection layer formed by the layer used to form the pixel electrode
US6326270B1 (en) * 1998-10-16 2001-12-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of forming integrated circuit memory devices using masking layers to inhibit overetching of impurity regions and conductive lines

Also Published As

Publication number Publication date
US6876406B2 (en) 2005-04-05
KR100493382B1 (ko) 2005-06-07
US20040041956A1 (en) 2004-03-04
KR20040019593A (ko) 2004-03-06
CN1479146A (zh) 2004-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100335957C (zh) 共平面开关模式液晶显示装置及其制造方法
CN102629585B (zh) 一种显示装置、薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法
CN1302327C (zh) 用于防止液晶显示器件中的断开的结构及其制造方法
CN107968097B (zh) 一种显示设备、显示基板及其制作方法
US7790582B2 (en) Method for fabricating polysilicon liquid crystal display device
US20100128191A1 (en) Increasing lcd aperture ratios
US7414691B2 (en) Liquid crystal display device with prevention of defective disconnection of drain/pixel electrodes by forming two conductive layers on top of entire pixel electrode and then removing a portion of both therefrom
KR100546707B1 (ko) 박막트랜지스터 및 그의 형성방법
KR100502685B1 (ko) 능동매트릭스기판 및 그 제조방법
KR20040013273A (ko) 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR100720445B1 (ko) 액정표시소자의 콘택 배선 및 그 형성방법
US6757033B2 (en) Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
KR100922792B1 (ko) 액정표시장치의 어레이기판 제조방법
KR20070109162A (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법
KR100390457B1 (ko) 박막트랜지스터의 구조 및 제조 방법
KR20040090302A (ko) 박막트랜지스터 및 그 형성방법
JP3674260B2 (ja) 液晶表示パネルの製造方法、薄膜トランジスタアレイ基板、液晶表示パネル並びに液晶プロジェクタ
KR20080110382A (ko) 액정표시소자 및 그 제조방법
JP3780653B2 (ja) 液晶表示パネルの製造方法
KR20050041544A (ko) 박막트랜지스터의 형성방법
KR101030523B1 (ko) 액정표시장치의 어레이기판 제조방법
KR100816563B1 (ko) 박막 트랜지스터의 제조방법
KR100514764B1 (ko) 액정 표시 장치의 구조 및 그 액정 표시 장치 제조 방법
KR100977223B1 (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR20080050080A (ko) 액정표시소자의 박막트랜지스터 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: LG DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME OR ADDRESS: LG PHILIP LCD CO., LTD.

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Seoul, South Kerean

Patentee after: LG Display Co., Ltd.

Address before: Seoul, South Kerean

Patentee before: LG. Philips LCD Co., Ltd.

C19 Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee