CN1241054C - 半透半反式薄膜晶体管液晶显示面板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种半透半反式薄膜晶体管液晶显示面板(transflectiveTFT-LCD)及其制造方法。该方法包括：形成第一导电层于基板上方；图案化第一导电层，以形成栅极；覆盖上一介电层；形成通道于栅极上方；形成光致抗蚀剂区块；形成第二导电层；图案化第二导电层，以在栅极上方形成源极与漏极，并在光致抗蚀剂区块上方形成光反射层；覆盖上一保护层；图案化保护层，以在漏极上方形成第一开口，暴露部分漏极，并在光反射层上方形成第二开口，暴露部分光反射层；以形成透明电极，透过第一开口与第二开口，以电连接漏极与光反射层。

Description

半透半反式薄膜晶体管液晶 显示面板及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示面板(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，TFT-LCD)及其制造方法，特别涉及一种半透半反式薄膜晶体管液晶显示面板(transflective TFT-LCD)及其制造方法。

背景技术

随着科技的进步，反射式TFT-LCD与半透半反式TFT-LCD在市场上日渐扮演重要角色。尤其在目前通讯业极其发达的时代，半透半反式TFT-LCD可应用于手机的显示屏幕中，以使得使用者在暗室中，或是极明亮的室外，均可清楚辨识屏幕所显示的内容。

现有技术的反射式液晶显示面板的制造流程将绘示于图1A至图1F中。请先参照图1A。首先，提供一玻璃基板100，且在玻璃基板100的上方形成一第一金属层，并利用光刻技术图案化此第一金属层，以形成薄膜晶体管的栅极105与储存电容的电容电极110。

请参照图1B。在栅极105与电容电极110形成之后，一介电层115被覆盖于栅极105与电容电极110上方。然后，一非晶硅(amorphous Si)层形成于栅极105之上，并利用光刻工艺以形成一通道120。

请参照图1C。一第二金属层接着形成于通道120及介电层115的上，并利用光刻工艺，对第二金属层进行图案化的工艺，以形成一源极125与一漏极130。

请参照图1D。保护层135接着形成于源极125与漏极130之上，然后光致抗蚀剂层140再覆盖于保护层135之上。然后，通过光刻工艺，去除部份的光致抗蚀剂层140。

请参考图1E。接着，将光致抗蚀剂层140进行高温处理后，让部分光致抗蚀剂层140的表面形成波浪状。然后，再形成另一光致抗蚀剂层145于光致抗蚀剂层140之上，并通过光刻工艺，形成一介层洞148，以暴露部分的漏极130。

请参照图1F。最后，形成一第三金属层于光致抗蚀剂层145之上，并利用光刻工艺，图案化第三金属层以得到光反射层150。光反射层150透过介层洞148与漏极130电连接。

在上述现有技术的反射式TFT-LCD的工艺中，在形成栅极105与电容电极110、通道120、源极125与漏极130、光致抗蚀剂层140、介层洞148、与光反射层150时，各需一道掩模，共六道掩模。再加上液晶显示面板***引线的信赖性考量(reliability)，所需要的掩模则可能高达八道掩模。

若对现有技术的半透半反式TFT-LCD而言，则必须在光反射层150上，另外形成一开口，并覆以一透明电极。如此，则又更需要一道掩模来完成。因为现有技术的半透半反式TFT-LCD所需的掩模数目很多，使得现有技术的半透半反式TFT-LCD的生产成本过高。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的就是提供一种半透半反式薄膜晶体管液晶显示器面板及其制造方法，目的为使掩模的工艺数目可以有效降低以降低成本。

根据上述目的，本发明提出一种半透半反式薄膜晶体管液晶显示面板的制造方法。其步骤包括：形成第一导电层于基板上方；图案化第一导电层，以形成栅极；覆盖上一介电层；形成通道于栅极上方；形成光致抗蚀剂区块；形成第二导电层；图案化第二导电层，以在栅极上方形成源极与漏极，并在光致抗蚀剂区块上方形成光反射层；覆盖上一保护层；图案化保护层，以在漏极上方形成第一开口，暴露部分的漏极，并在光反射层上方形成第二开口，暴露部分的光反射层；以及，形成透明电极，透过第一开口与第二开口，以电连接漏极与光反射层。

本发明另外提出一种半透半反式薄膜晶体管液晶显示面板。此液晶显示面板具有穿透区与反射区。此液晶显示面板包括：基板；薄膜晶体管，形成于基板上，此薄膜晶体管具有漏极、栅极与源极；介电层，用以覆盖栅极；光致抗蚀剂区块，形成于介电层上；光反射层，形成于光致抗蚀剂区块的上，光反射层位于反射区内，且光反射层与漏极电连接；以及，透明电极，形成于穿透区之内，且透过透明电极，该光反射层与漏极电连接。

为让本发明的上述目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举一优选实施例，并配合附图，作详细说明。

附图说明

图1A至图1F示出现有技术的反射式液晶显示面板的制造流程。

图2A至图2F示出本发明的半透半反式薄膜晶体管液晶显示面板的制造流程。

附图标记说明

100、200：玻璃基板

105、202：栅极

110、204：电容电极

115、206：介电层

120、208：通道

125、215：源极

130、220：漏极

135、230：保护层

140、145：光致抗蚀剂层

148：介层洞

150、225：光反射层

210：光致抗蚀剂区块

230A：第一开口

230B：第二开口

235：透明电极

具体实施方式

本发明的主要精神在于，不需形成第三金属层，而可同时在第二金属层中，形成一光反射层。因为省去第三金属层的工艺，所以本发明可以使得所需的掩模数目减少，从而降低制造成本。

本发明的半透半反式薄膜晶体管液晶显示面板的制造流程公开于第2A～2F图中。首先，如图2A所示，提供一玻璃基板200，且在玻璃基板200的上方形成一第一金属层，并利用光刻技术图案化此第一金属层，以形成薄膜晶体管的栅极202与储存电容的电容电极204。

接着，如图2B所示，在栅极202与电容电极204形成之后，将一介电层206覆盖于栅极202与电容电极204上方。然后，形成一非晶硅层，并利用光刻工艺以形成一通道208于栅极202的上。

接着，如图2C所示，形成一光致抗蚀剂层，并利用光刻工艺，对光致抗蚀剂层进行图案化工艺，以得到光致抗蚀剂区块210。此光致抗蚀剂区块210位于电容电极204的上方。其中，此光致抗蚀剂层可为正光致抗蚀剂所形成。

然后，如图2D所示，形成一第二金属层于通道208与光致抗蚀剂区块210之上，并利用光刻工艺，对第二金属层进行图案化，以形成源极215与漏极220，并同时形成一光反射层225于光致抗蚀剂区块210的上方。

如图2E所示，接着，形成保护层230，并通过光刻工艺，使保护层230具有一第一开口230A与一第二开口230B，以分别暴露部份的漏极220与光反射层225。

最后，如图2F所示，将由氧化铟锡(ITO)所组成的透明电极235覆盖于保护层230上，透明电极235经由保护层230上的第一开口230A与第二开口230B，将漏极220以及光反射层225电连接。

其中，虽然本实施例通过设置光致抗蚀剂区块210正好位于电容电极204上方，且光反射层225亦形成于对应至电容电极204上方的位置，以使本发明的TFT-LCD可以得到最大开口率。然而，本发明的并不限定于此。光反射层225也可形成于除了源极215与漏极220之外的其它地方。

请再参考图2F，经由本发明的制造方法所形成的半透半反式TFT-LCD具有一穿透区R1与一反射区R2。栅极202、通道208、源极215与漏极220形成一薄膜晶体管240。透明电极235形成穿透区R1之内，并与漏极220电连接。而光反射层225则位于反射区R2的内，并透过透明电极235与漏极220电连接。

本发明的特点在于，利用第二金属层，在形成薄膜晶体管的源极215与漏极220时，同时形成光反射层225于反射区R2内。如此，因为不需要现有技术的工艺中的第三金属层，所以本发明所需的掩模数目比现有技术的作法还少，而且本发明的工艺比现有技术的作法更加简化。

本发明的实施例仅需要五道掩模的工艺。在本发明的半透半反式TFT-LCD工艺中，仅在形成栅极202与电容电极204、通道208、源极215漏极130与光反射层225、光致抗蚀剂区块210、以及保护层230时，各需一道掩模，共五道掩模。与现有技术的作法相较，本发明确实可达到简化工艺，降低成本的目的。

本发明上述实施例所公开的半透半反式薄膜晶体管液晶显示面板及其制造方法，可使所需的掩模数目减少，并大幅降低制造的成本。

虽然本发明已通过一优选实施例公开如上，然而其并非用以限定本发明，本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可以作各种的调整与改进，因此本发明的保护范围应当以所附权利要求为标准。

Claims (12)

1.一种半透半反式薄膜晶体管液晶显示面板的制造方法，包括：

形成一第一导电层于一基板上方；

图案化该第一导电层，以形成一栅极；

覆盖上一介电层；

形成一通道于该栅极上方；

形成一光致抗蚀剂区块；

形成一第二导电层；

图案化该第二导电层，以在该栅极上方形成一源极与一漏极，并在该光致抗蚀剂区块上方形成一光反射层；

覆盖上一保护层；

图案化该保护层，以在该漏极上方形成一第一开口，暴露部分的该漏极，并在该光反射层上方形成一第二开口，暴露部分的该光反射层；以及

形成一透明电极，透过该第一开口与该第二开口，以电连接该漏极与该光反射层。

2.如权利要求1所述的制造方法，其中，在图案化该第一导电层的步骤中更形成一电容电极，该电容电极位于该光致抗蚀剂区块下方。

3.如权利要求1所述的制造方法，其中该第一导电层为一第一金属层。

4.如权利要求1所述的制造方法，其中该基板为玻璃基板。

5.如权利要求1所述的制造方法，其中该光致抗蚀剂区块由正光致抗蚀剂所组成。

6.如权利要求1所述的制造方法，其中该第二导电层为一第二金属层。

7.如权利要求1所述的制造方法，其中该透明电极由氧化铟锡(ITO)所组成。

8.一种半透半反式薄膜晶体管液晶显示面板的制造方法，该液晶显示面板具有一穿透区与一反射区，该方法包括：

形成一薄膜晶体管与一电容电极于一基板上方，其中，在形成该薄膜晶体管的一源极与一漏极时，同时形成一光反射层于该反射区内；以及

形成一透明电极于该穿透区内。

9.如权利要求8所述的制造方法，其中该光反射层形成于对应于该电容电极上方的位置。

10.如权利要求8所述的制造方法，其中，在形成该光反射层之前，先形成一光致抗蚀剂区块于该电容电极的上方。

11.一种半透半反式薄膜晶体管液晶显示面板，该液晶显示面板具有一穿透区与一反射区，该液晶显示面板包括：

一基板；

一薄膜晶体管，形成于该基板上，该薄膜晶体管具有一漏极、一栅极与一源极；

一介电层，用以覆盖该栅极；

一光致抗蚀剂区块，形成于该介电层上；

一光反射层，形成于该光致抗蚀剂区块上，该光反射层位于该反射区内；以及

一透明电极，形成于该穿透区内，且通过该透明电极，该光反射层与该漏极电连接。

12.如权利要求11所述的液晶显示面板，其中，该面板更具有一电容电极，形成于该基板上，并为该介电层所覆盖，而该光致抗蚀剂区块与该光反射层位于该电容电极的上方。

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