CN1215940A - 多阈值监测、多斜率驱动保护绝缘栅管的装置及控制方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种由比较器3、20,与门4、21、NPN晶体管5、23、齐纳二极管6、二极管10、12、14,电阻9、11、13、16、17、18、22,电容15、19、24,缓冲器8、延时网络1,基准电压2、29,绝缘栅双极晶体管(IGBT)7,以及正电源(+15)30、和负电源(－7)31,输入开关控制信号25,短路报警输出信号26,功率母线或负载输出端28,负载或功率母线输出端27组成的(IG－BT)7驱动保护电路装置及控制方法,它的技术特点是设置了两个以上的基准电压源,将(IGBT)7的Vce－Ice曲线分割成三个工作区;正常工作区、过流保护区和短路保持区,将软关断和降栅压两种(IGBT)7的栅极驱动保护关断方法结合成一套多斜率的(IGBT)7的栅极驱动保护关断方法。

Description

多阈值监测、多斜率驱动保护绝缘栅管的装置及控制方法

本发明涉及一种由比较器3、20，与门4、21,NPN晶体管5、23，齐纳二极管6，二极管10、12、14，电阻9、11、13、16、17、18、22，电容15、19、24，缓冲器8、延时网络1、基准电压2、29，绝缘栅双极晶体管(IGBT)7，以及正电源(+15)30，和负电源(-7)31，输入开关控制信号25，短路报警输出信号26，功率母线或负载输出端28，负载或功率母线输出端27连接组成的(IGBT)7驱动保护电路装置。它适合用于驱动各种(IGBT)7工作于开关状态下，同时提供对(IGBT)7工作情况的监测，当(IGBT)7在导通情况下出现过流或短路，该装置立即采取相应的保护，以防止(IGBT)7烧毁，同时向主***发出报警信号。该发明具有监测准确、抗干扰能力强、保护驱动响应迅速以及关断(IGBT)7的方法安全可靠，该装置电路简单，对不同厂家生产的(IGBT)7产品均能提供有效的驱动保护，并且能与(IGBT)7组装成智能模块，应用广泛。

现有的驱动保护监测技术为：从(IGBT)7的Vce(集电极-发射极电压)取得监测电压信号(或者从IGBT7的导通电流中取得信号)，与一个预先设置好的基准值进行比较。如果在(IGBT)7导通周期内，监测到(IGBT)7的Vce电压(或者(IGBT)7的导通电流信号)超过这个预先设置好的基准值，则开始采取保护驱动，防止(IGBT)7烧毁。其预先仅设置单一基准值的缺点是：实际上不存在这样一个合理基准值点，仅设置单一的基准值点，分辨率低、误差大，即不可能有效地利用(IGBT)7的抗过流工作区，也不能满足(IGBT)7特性的离散性，而且很容易受到干扰，出现误动作。现有的保护驱动关断又分别有软关断和降栅压等两种方法。软关断保护不会产生大的dI/dt(电流时间比)，但是从正电压驱动导通，通过软关断转变到负电压驱动关断，其过程长，响应速度比较慢，不能使(IGBT)7得到快速保护；而降栅压驱动要求对过流的时间进行计数，其时间难以针对不同的过流情况选取，电路趋于复杂不易实现。

本发明的目的是：提供一种多阈值监测，多斜率驱动保护(IGBT)7的装置，它的结构简单，并能提供一种更合理准确监测(IGBT)7工作电流的方法，该方法即可以充分地利用(IGBT)7的抗过流工作区，又能防止干扰引起误动作；提供一种关断驱动保护方法，速度快，能安全地关断(IGBT)7。

本发明的任务是以如下方式完成的。图1中，一种由比较器3、比较器20，与门4和与门21,NPN晶体管5、23，齐纳二极管6，二极管10、12、14，电阻9、11、13、16、17、18、22，电容15、19、24，缓冲器8、延时网络1，基准电压2、29，绝缘栅双极晶体管(IGBT)7，以及正电源(+15V)30，和负电源(-7V)31，输入开关控制信号25，短路报警输出信号26，功率母线或负载输出端28，负载或功率母线输出端27连接组成的多阈值监测，多斜率驱动保护(IGBT)7的装置及其实现的控制方法，其特征是来自***的开关控制信号25送入电阻9的一端，电阻9的另一端连接缓冲器8的输入端、二极管14的阳极和齐纳二极管6阴极以及延时网络1的1端；缓冲器8具有电压跟随特性，其输出端连接(IGBT)7的栅极，向(IGBT)7提供栅极驱动控制电压Vgs；电源(+15)30和电源(-7)31向缓冲器8供电，使缓冲器8输出的Vgs摆幅在+15伏至-7之间；二极管10和二极管12的阴极连接(IGBT)7的集电极和功率母线或负载输出端28；二极管10的阳极连接电阻11的一端，电阻11的另一端连接比较器3的同相输入端、电阻16和电容15，二极管12的阳极连接电阻13，电阻13的另一端连接比较器20的同相输入端、电阻18和电容19；比较器3的反相输入端连接基准电压源2的正极，比较器3的输出端连接与门4的输入端1脚；比较器20反相输入端连接基准电压源29的正极，比较器20输出端连接与门21的输入端1脚；与门4、21的2脚连接延时网络1的2端；与门4的输出端连接晶体管5的基极；与门21的输出端连接晶体管23的基极，同时作为报警输出信号26，用来向***发出短路报警信号；晶体管5的集电极连接齐纳二极管6的阳极，晶体管23的集电极连接电阻22，电阻22的另一端连接电阻17和电容24；晶体管5的发射极以及(IGBT)7的发射极，负载或功率母线输出端27以及电容15、19、24，基准电压源2、29的负极连接地电位，晶体管23的发射极和电容24的一端连接负电源(-7)31。

本发明的控制方法，其特征是设定两个或两个以上的基准值(即基准电压)来监测(IGBT)7的过流情况，图2的A为现有设置方法，(IGBT)7的Vce-Ice曲线被一个监测基准电压Vref分割成两个区域：(1)正常工作区和(2)短路保护区，在图2的B中，本发明的实施例使用基准电压2(其基准值Vref1)和基准电压29(其基准值为Vref2)，其中

vref1＜Vref2

两个基准电压监测点将(IGBT)7的Vce-Ice曲线分割成为三个区域：正常工作区，过流保护区和短路保护区，即为多阈值监测；本发明的控制方法，其特征是，将软关断和降栅压两种栅极驱动关断保护方法结合成为一套多斜率的栅极驱动关断保护方法(每个区域中对IGBT7的栅极驱动保护电压Vgs的电压对时间的变化斜率是不同的)，根据监测到的(IG-BT)7的过流情况与设定的两个或两个以上的基准电压进行比较，自动组合出栅极驱动关断保护电压斜率曲线，使本发明对工作中的(IGBT)7提供更准确的监测，避免干扰，并能提供快速安全的栅极驱动关断保护，避免烧毁(IGBT)7，解决了现有技术存在的缺点。

本发明的工作原理(以实施例说明)在附图1中，来自***的输入开关控制信号25，其脉冲幅度为+15伏～-7伏，经过电阻9进入缓冲器8的输入端，由具有电压跟随性的缓冲器8输出端提供Vgs来驱动控制(IG-BT)7的栅极；

在开关信号的截止期间，输入开关控制信号25为低电平-7伏，经过电阻9进入缓冲器8的输入端，缓冲器8的输出端驱动控制(IGBT)7栅极的电压Vgs为-7伏，(IGBT)7进入截止状态，同时经过延时网络1进入两个与门4和21的2脚，使两个与门4、21被封锁输出低电平，晶体管5和23保持截止，齐二极管6截止，二极管14截止，电容24两端的电压经过电阻17充电至高电平；

                  15-(-7)=22V；

在开关信号的导通期间，输入开关控制信号25为高电平+15伏，经过电阻9进入缓冲器8的输入端，缓冲器8的输出端驱动控制(IGBT)7栅极的电压Vgs为+15伏，(IGBT)7进入导通状态，经延时网络1的延时后两个与门4和21被解除封锁，此时(IGBT)7已完全进入深度饱和导通状态，二极管10和二极管12从(IGBT)7的集电极取得电压信号，分别经过电阻11、13送到两个比较器3、20的反相端，两个比较器3、20的反相端分别连接两个基准电压源2、29的正极，基准电压源2的基准值为Vref1，基准电压源29的基准值为Vref2，它们的设置值为：

                   Vref1=4.5V～6.5V,

                   Vref2=7.5V～8.5V，当(IGBT)7导通电流正常时，(IGBT)7的Vce电压低于3.5伏，即

                   Vce＜Vref1＜Vref2，两个比较器3、20均输出低电平，两个晶体管5和23均截止，齐纳二极管6截止，二极管14截止，(IGBT)7的驱动控制电压Vgs为+15伏；

在开关信号导通期间，如果在某一时刻t1由于某种外界的原因使得工作中的(IGBT)7导通电流增加，同时(IGBT)7的Vce电压也会随之增加，如附图3(a)，两个比较器3、20的同相端的输入端电压也会随之增加，当这个变化使比较器3达到翻转阈值Vref1而比较器20尚未达到翻转阈值Vref2时，晶体管5导通并饱和，晶体管23仍然维持截止，齐纳二极管6导通，此时电阻9为齐纳二极管6提供工作电流，缓冲器8的输入端被箝位在Vz1+Vces1，其中Vz1为齐纳二极管Z1的稳压工作值，Vces1为晶体管5的饱和压降；

                      Vz1=8～12V

                      Vces1≤0.3V从而(IGBT)7的驱动控制电压Vga也从正常驱动电平的+15伏下降并被箝位在Vz1+Vces1附近，由于降栅压的作用，(IGBT)7进入了抗过流工作状态；如果产生过流的外界原因在时刻t2自动消失，(IGBT)7的Vce电压又下降恢复到正常的饱和电压值以下，如附图3(a)，这时比较器3重新输出低电平，晶体管5和齐纳二极管6截止，缓冲器8的输入端恢复到高电平+15伏，从而(IGBT)7的驱动控制电压Vgs也恢复到+15伏驱动输出，在整个降栅压期间，(IGBT)7仍然处于工作状态，整个***工作不受影响，电阻16和电容15可以滤除掉过窄的尖峰电压变化。从t1时刻过流情况发生起，Vgs对时间的变化斜率，经历了陡降(从+15伏迅速降到Vz1+Vces1电平)阶段，使(IGBT)7进入抗过流工作状态，由于Vz1+Vces1电平远高于(IGBT)7的开启阈值点，所以即不会产生大的di/dt，又不会使(IGBT)7退出饱和工作区；零斜率变化(箝位在Vz1+Vces1电平)阶段；陡升(从Vz1+Vces1电平迅速升到+15伏)阶段，恢复正常驱动状态。

因为Vref1的设置值低于过去仅设置一个基准监测点的值，(IGBT)7是在轻微过流情况下开始降栅压的，所以其抗过流工作时间耐量大大延长，故不需要计时电路来中断整个***；

如果在某一时刻t1某种外界原因使(IGBT)7导通电流增加，出现短路情况，当这个变化使(IGBT)7的Vce电压增加并且已超过比较器20翻转阈值Vref2时，如附图3(b)，但是由于电阻18和电容19的时间常数大于由电阻16和电容15的时间常数，所以仍然是比较器3先翻转，晶体管5首先进入饱和导通，此时的晶体管23保持截止，电路仍然重复上述的降栅压过程，如果短路情况的持续时间足够短，电容19的电压尚未充到比较器20的翻转阈值Vref2时，在某一时刻t2短路情况就结束了，则电路仍重复上述的过程结束降栅压，缓冲器8的输入端恢复到高电平+15，从而(IG-BT)7的驱动控制电压Vgs也恢复到正常的+15伏驱动输出。从f1时刻短路情况发生起，Vgs对时间的变化斜率，经历了陡降(从+15伏迅速降到Vz1+Vces1电平)阶段，使(IGBT)7进入抗过流工作状态，由于Vz1+Vces1电平远高于(IGBT)7的开启阈值点，所以即不会产生大的di/dt，又不会使(IGBT)7退出饱和工作区；零斜率变化(箝位在Vz1+Vcea1电平)阶段；陡升(从Vz1+Vces1电平迅速升到+15伏)阶段，恢复正常驱动状态。在整个降栅压期间，(IGBT)7仍处于工作状态，整个***工作不受影响，如附图3(b)；

如果在某一时刻t1某种外界原因使(IGBT)7导通电流增加，出现短路情况，当这个变化使(IGBT)7的Vce电压增加并且已超过比较器20的翻转阈值Vref2时，如附图3(c)，但是由于电阻18和电容19的时间常数大于由电阻16和电容15的时间常数，所以仍然是比较器3先翻转，晶体管5首先进入饱和和导通，此时的晶体管23保持截止，电路仍然重复上述的降栅压过程，如果短路情况的持续时间超过由电阻18和电容19设定的时间常数，电容19的电压在某一时刻t2后充到并超过比较器20的翻转阈值Vref2时，短路情况仍然没有消失，如附图3(c)，在t2时刻比较器20也发生翻转，短路报警输出信号26向***发出中断仪号，同时晶体管23饱和导通，晶体管23的集电极电位下降接近负电源(-7)31的电平，二极管14正向导通，导通电压为0.7伏，缓冲器8的输入端电位从箝位在Vz1+Vces1的电平，开始随二极管14阴极电平下降，由于电阻22和电容24组成放电延时网络的作用，使这个下降具有软件关断特性，因为软关断是从比+15伏低得多的Vz1+Vces1电平开始的，所以响应速度快，由于软关断阶段Vgs的电压变化斜率比较小，经过(IGBT)7开启阈值点时，不会使(IGBT)7产生大的di/dt，可安全及时地关断(IGBT)7，使其免于烧毁。Vgs对时间的变化斜率，从t1时刻短路情况发生起，经历了陡降(从+15伏下降到Vz1+Vces1电平)阶段，使(IGBT)7进入抗过流工作状况，由于Vz1+Vces1电平远高于(IGBT)7的开启阈值点，所以即不会产生大的dl/dt，又不会使(IGBT)7退出饱和工作区；零斜率变化(箝位在Vz1+Vces1电平)阶段，防止窄脉冲干扰；以及t2时刻后的软关断阶段三个斜率变化。

以下结合附图对本发明作进一步描述；

图1是本发明电原理图；

图2是绝缘栅双极晶体管(IGBT)7的Vce-Ice特性曲线图；

图3是(IGBT)7的监测驱动控制曲线示意图。

参照图1，一种由比较器3、比较器20，与门4、21,NPN晶体管5、23，齐纳二极管6，二极管10、12、14，电阻9、11、13、16、17、18、22，电容15、19、24，缓冲器8、延时网络1，基准电压2、29，绝缘栅双极晶体管(IGBT)7，以及正电源(+15)30和负电源(-7)31，输入开关控制信号25，短路报警输出信号26，功率母线或负载输出端28，负载或功率母线输出端27连接组成的多阈值监测，多斜率驱动保护(IGBT)7的装置及其实现的控制方法，其特征是来自***的开关控制信号25送入电阻9的一端，电阻9的另一端连接缓冲器8的输入端、二极管14的阳极和齐纳二极管6阴极以及延时网络1的1端；缓冲器8具有电压跟随特性，其输出端连接(IGBT)7的栅极，向(IGBT)7提供栅极驱动控制电压Vgs；电源(+15)30和电源(-7)31向缓冲器8供电，使缓冲器8输出的Vgs摆幅在+15伏至-7之间；二极管10和二极管12的阴极连接(IGBT)7的集电极和功率母线或负载输入端28、二极管10的阳极连接电阻11，电阻11的另一端连接比较器3的同相输入端、电阻16和电容15；二极管12的阳极连接电阻13，电阻13的另一端连接比较器20的同相输入端、电阻18和电容19；比较器3的反相输入端连接基准电压源2的正极，比较器3的输出端连接与门4的输入端1脚；比较器20反相输入端连接基准电压源29的正极，比较器20输出端连接与门21的输入端1脚；与门4、21的2脚连接延时网络1的2端；与门4的输出端连接晶体管5的基极；与门21的输出端连接晶体管23的基极，同时作为报警输出信号26，用来向***发出短路报警信号；晶体管5的集电极连接齐纳二极管6的阳极；晶体管23的集电极连接电阻22，电阻22的另一端连接电阻17和电容24；晶体管5的发射极以及(IGBT)7的发射极，负载或功率母线输出端27以及电容15、19、24，基准电压源2、29的负极连接地电位，晶体管23的发射极和电容24的一端连接负电源(-7)31。

参照图2，图2的A为现有监测(IGBT)7的Vce设置方法，(IGBT)7的Vce-Ice曲线被一个监测基准电压Vref分割成两个区域：(1)正常工作区和(2)短路保护区，在图2的B中，本发明的实施例使用基准电压2(其基准值为Vref1)和基准电压29(其基准值为Vref2)，其中

                    Vref1＜Vref2

两个基准电压监测点将(IGBT)7的Vce-Ice曲线分割成为三个区域：正常工作区、过流保护区和短路保护区，即为多阈值监测。

参照图3，图3(a)为在开关信号的导通期间，如果在某一时刻t1由于某种外界的原因使得工作中的(IGBT)7导通电流增加，同时(IGBT)7的Vce电压也会随之增加，两个比较器3、20的同相端的输入端电压也会随之增加，当这个变化使比较器3达到翻转阈值Vref1而比较器20尚未达到翻转阈值Vref2时，晶体管5导通并饱和，晶体管23仍然维持截止，齐纳二极管6导通，此时电阻9为齐纳二极管6提供工作电流，缓冲器8的输入端被箝位在Vz1+Vces1，其中Vz1为齐纳二极管6的稳压工作值，Vces1为晶体管5的饱和压降：

                    Vz1=8-12V；

                    Vces1≤0.3V

从而(IGBT)7的驱动控制电压Vgs也从正常驱动电平的+15伏下降并被箝位在Vz1+Vces1附近，由于降栅压的作用，(IGBT)7进入了抗过流工作状态；如果产生过流的外界原因在时刻t2自动消失了，(IGBT)7的Vce电压由下降恢复到正常的饱和电压值以下，这时比较器3重新输出低电平，晶体管5和齐纳二极管6截止，缓冲器8的输入端恢复到高电平+15伏，从而(IGBT)7的驱动控制电压Vgs也恢复到+15伏驱动输出，在整个降栅压期间，(IGBT)7仍然处于工作状态，整个***工作不受影响，电阻16和电容15可以滤除掉过窄的尖峰电压变化。从t1时刻过流情况发生起，Vgs对时间的变化斜率，经历了陡降(从+15伏迅速降到Vz1+Vces1电平)阶段，使(IGBT)7进入抗过流工作状态，由于Vz1+Vces1电平远高于(IGBT)7的开启阈值点，所以即不会产生大的dI/dt，又不会使(IGBT)7退出饱和工作区；零斜率变化(箝位在Vz1+Vces1电平)阶段；陡升(从Vz1+Vces1电平迅速升到+15伏)阶段，恢复正常驱动状态。

图3(b)，如果在某一时刻t1某种外界原因使(IGBT)7寻通电流增加，出现短路情况，当这个变化使(IGBT)7的Vce电压增加并且已超过比较器20的翻转阈值Vref2时，但是由于电阻18和电容19的时间常数大于由电阻16和电容15的时间常数，所以仍然是比较器3先翻转，晶体管5首先进入饱和导通，此时的晶体管23保持截止，电路仍然重复上述的降栅压过程，如果短路情况的持续时间足够短，电容19的电压尚未充到比较器20的翻转阈值Vref2时，在某一时刻t2短路情况就结束了，则电路仍重复上述的过程结束降栅压，缓冲器8的输入端恢复到高电平+15伏，从而(IGBT)7的驱动控制电压Vgs也恢复到正常的+15伏驱动输出。从t1时刻短路情况发生起，Vgs对时间的变化斜率，经历了陡降(从+15伏迅速降到Vz1+Vces1电平)阶段，使(IGBT)7进入抗过流工作状态，由于Vz1+Vces1电平远高于(IGBT)7的开启阈值点，所以即不会产生大的dI/dt，又不会使(IGBT)7退出饱和工作区；零斜率变化(箝位在Vz1+Vces1电平)阶段；陡升(从Vz1+Vces1电平迅速升到+15伏)阶段，恢复正常驱动状态。在整个降栅压期间，(IGBT)7仍处于工作状态，整个***工作不受影响。

图3(c)为，如果在某一时刻t1某种外界原因使(IGBT)7导通电流增加，出现短路情况，当这个变化使(IGBT)7的Vce电压增加并且已超过比较器20的翻转阈值Vref2时，但是由于电阻18和电容19的时间常数大于由电阻16和电容15的时间常数，所以仍然是比较器3先翻转，晶体管5首先进入饱和导通，此时的晶体管23保持截止，电路仍然重复上述的降栅压过程，如果短路情况的持续时间超过由电阻18和电容19设定的时间常数，电容19的电压在某一时刻t2后充到并超过比较器20的翻转阈值Vref2时，短路情况仍然没有消失，在t2时刻比较器20也发生翻转，短路报警输出信号26向***发出中断信号，同时晶体管23饱和导通，晶体管23的集电极电位下降接近负电源(-7)31的电平，二极管14正向导通，导通电压为0.7伏，缓冲器8的输入端电位从箝位在Vz1+Vces1的电平，开始随二极管14阴极电平下降，由于电阻22和电容24组成放电延时网络的作用，使这个下降具有软关断特性，因为软关断是从比+15伏低得多的Vz1+Vces1电平开始的，所以响应速度快，由于软关断阶段Vgs的电压变化斜率比较小，经过(IGBT)7开启阈值点时，不会使(IGBT)7产生大的dI/dt，可安全及时地关断(IGBT)7，使其免于烧毁。Vgs对时间的变化斜率，从t1时刻短路情况发生起，经历了陡降(从+15伏下降到Vz1+Vces1电平)阶段，使(IGBT)7进入了抗过流工作状态，由于Vz1+Vces1电平远高于(IGBT)7的开启阈值点，所以即不会产生大的dI/dt，又不会使IGBT7退出饱和工作区；零斜率变化(箝位在Vz1+Vces1电平)阶段，防止窄脉冲干扰；以及t2时刻后的软关断阶段三个斜率变化。

Claims (3)

1、一种由比较器3、比较器20、与门4、21,NPN晶体管5、23，齐纳二极管6，二极管10、12、14，电阻9、11、13、16、17、18、22，电容15、19、24，缓冲器8，延时网络1，基准电压2、29，绝缘栅双极晶体管(IGBT)7，以及正电源(+15)30，和负电源(-7)31，输入开关控制信号25，短路报警输出信号26，功率母线或负载输出端28，负载或功率母线输出端27连接组成的多阈值监测，多斜率驱动保护(IGBT)7的装置及其实现的控制方法，其特征是来自***的开关控制信号25送入电阻9的一端，电阻9的另一端连接缓冲器8的输入端、二极管14的阳极和齐纳二极管6阴极以及延时网络1的1端；缓冲器8具有电压跟随特性，其输出端连接(IGBT)7的栅极，向(IGBT)7提供栅极驱动控制电压Vgs；电源(+15)30和电源(-7)31向缓冲器8供电，使缓冲器8输出的Vgs摆幅在+15伏至-7之间；二极管10和二极管12的阴极连接(IGBT)7的集电极和功率母线或负载输出端28；二极管10的阳极连接电阻11、电阻11的另一端连接比较器3的同相输入端，电阻16和电容15；二极管12的阳极连接电阻13，电阻13的另一端连接比较器20的同相输入端、电阻18和电容19；比较器3的反相输入端连接基准电压源2的正极，比较器3的输出端连接与门4的输入端1脚；比较器20反相输入端连接基准电压源29的正极，比较器20输出端连接与门21的输入端1脚；与门4、21的2脚连接延时网络1的2端；与门4的输出端连接晶体管5的基极；与门21的输出端连接晶体管23的基极，同时作为报警输出信号26，用来向***发出短路报警信号；晶体管5的集电极连接齐纳二极管6的阳极；晶体管23的集电极连接电阻22，电阻22的另一端连接电阻17和电容24；晶体管5的发射极以及(IGBT)7的发射极，负载或功率母线输出端27以及电容15、19、24，基准电压源2、29的负极连接地电位，晶体管23的发射极和电容24的一端连接负电源(-7)31。

2、本发明的控制方法，其特征是设定两个或两个以上的基准值(即基准电压)来监测(IGBT)7的过流情况，在本发明实施例中，使用两个基准电压监测点将(IGBT)7的Vce-Ice曲线分割成为三个区域：正常工作区、过流保护区和短路保护区，即为多阈值监测；

3、根据权利要求1和权利要求2所述，其特征是将软关断和降栅压两种(IGBT)7的栅极驱动保护关断方法结合成一套多斜率的(IGBT)7的栅极驱动保护关断方法，根据监测到的(IGBT)7的过流情况与设定的基准电压源进行比较，自动组合出(IGBT)7的栅极驱动保护关断电压斜率曲线，即为多斜率驱动保护。

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