CN1215462C - 磁复录方法和磁复录装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种磁复录方法和磁复录装置，它是在从属介质上面或下面，至少一个面上，以磁极轴与从属介质面平行方式，配置具有磁极轴对称磁场的单一永久磁铁，沿磁道方向旋转从属介质或永久磁铁，通过沿从属介质面的磁道方向施加磁场，预先沿磁道方向将从属介质进行初期直流磁化后，将磁复录用主载体和上述初期直流磁化的从属介质紧密接触，沿与从属介质面初期直流磁化方向相反的磁道方向施加复录用磁场，进行磁复录。本发明在从磁复录用主载体向从属介质进行磁复录中，相对于从属介质的Hcs，通过付与特定强度的复录用磁场，不管图形位置和形状如何，都可以得到具有高品位复录图形的从属介质。

Description

磁复录方法和磁复录装置

技术领域

本发明是关于在磁复录介质上一次复录很多情报的方法和装置，特别是关于向大容量，高复录刻度的磁场复录介质复录记录情报的方法和装置。

背景技术

在数字图像应用的进展中，以个人电脑等处理情报的数量飞速地增加着，随着情报量的增加，则要求一种能以大容量并廉价地复录情报，而且复录和读取时间极短的磁复录介质。

在硬盘等高密度复录介质和以ZIP(IOMEGA)为代表的高密度软盘型的磁复录介质中，其构成是与一般的软盘比较，以狭窄的磁道构成情报复录区域，为了能使磁头准确地扫描狭窄磁道的宽度和以较高的S/N比进行信号的记录和再生，需要使用跟踪伺服技术进行准确的扫描。

因此，在像硬盘、可再移动(Removable)型的磁复录介质一类的大容量磁复录介质中，在盘中以1周的间隔复录着跟踪用的伺服信号、地址情报信号和再生时钟信号等，所谓形成予格式化。

磁头在读取予格式化的信号时，可修正自己的位置，准确地在磁道上移动。

现在的予格式化是使用专门的伺服复录装置，在盘上进行制作，每1张，每1个磁道地进行复录。从而产生的问题是，伺服复录装置昂贵，由于予格式化制作需要很长时间，所以制造需要很长时间，并对制造费用产生影响。

因此，有提出用磁复录方式，每1个磁道地进行予格式化的方案。例如，特开昭63-183623号公报、特开平10-40544号公报，和特开平10-269566号公报中介绍的复录技术。然而，在该磁复录方法中，主要是着重于复录时施加磁场的条件和产生该磁场的具体装置，但实际上该提案并没有执行。

作为解决这种老问题的复录方法，在特开昭63-183623号公报和特开平10-40544号公报中提出了一种方法，即，在基板表面上形成与情报信号相对应的凹凸形状，凹凸形状中，至少在凸部表面上形成强磁性薄膜，将这样的磁复录用主载体的表面与形成强磁性薄膜或强磁性粉涂布层的片状或盘状磁复录介质的表面接触，或者进一步施加交流偏置磁场或直流磁场，将构成凸部表面的强磁性材料进行激磁，将与凹凸形状相对应的磁化图形复录在磁复录介质上。

该方法的特征是将磁复录用主载体的凸部表面与予格式化的整个磁复录介质，即从属介质紧密接触，同时对构成凸部的强磁性材料进行激磁，通过复录在从属介质上形成规定格式的方法，不使磁复录用主载体和从属介质的相对位置发生变化，而是在静止下进行复录，可准确地进行予格式化复录，而且还有复录所用时间极短的特征。即，在上述用磁头进行复录的方法中，通常需要数分钟到数十分钟，而且存在复录所用时间与复录容量成比例地增加的问题，而这种磁复录方法，具有的特征，可以说是与复录容量和复录密度没有任何关系，仅在1秒以内就可完成复录。

如图1所示，是对复录磁复录用主载体中予格式化用的图形进行说明，图1A是对磁复录用主载体的磁性层面进行模式说明的平面图，图1B是说明复录过程的断面图。

在磁复录用主载体1的磁道规定区域内形成予格式化区域2和数据区域3，在予格式化区域2中形成有全部复录跟踪用的伺服信号和地址信号的图形，通过将磁复录用主载体1和从属介质4紧密接触，沿磁道方向5施加复录用外部磁场6，由于能将予格式化情报作为复录情报7复录在从属介质一侧上，所以可高效地制造从属介质。

然而，在利用这种方法进行复录时，会产生情报信号品位低劣的现象，也有时产生伺服工作不准确地现象，但对这种情况还不明确。

发明内容

本发明的目的是提供一种稳定的复录方法和装置，即将磁复录用主载体和从属介质紧密接触，施加外部磁场，通过复录予格式化图形制作成从属介质，从而可防止伺服工作不准确的现象。

本发明的磁复录方法，是将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和由接受复录的磁复录介质形成的从属介质紧密接触，施加复录用磁场的磁复录方法，包括在从属介质的上面或下面，至少一个面上配置具有与磁极轴对称磁场的一个永久磁铁，并使磁极轴与从属介质面平行，沿磁道方向旋转从属介质或永久磁铁，通过沿从属介质面的磁道方向施加磁场，沿磁道方向，预先将从属介质形成初期直流磁化后，将磁复录用主载体和上述初期直流磁化的从属介质紧密接触，沿与从属介质面的初期直流磁化方向相反的磁道方向施加复录用磁场，并进行磁复录。

本发明的磁复录方法，是将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和由接受复录的磁复录介质形成的从属介质紧密接触，施加复录用磁场的磁复录方法，包括沿从属介质面的磁道方向施加磁场，沿磁道方向，预先将从属介质形成初期直流磁化后，将磁复录用主载体和上述初期直流磁化的从属介质紧密接触，在从属介质的上面或下面，至少一个面上配置具有与磁极轴对称磁场的一个永久磁铁，并使磁极轴与从属介质面平行，沿磁道方向旋转永久磁铁或与磁复录用主载体紧密接触的从属介质，沿与初期直流磁化方向相反的磁道方向施加复录用磁场，并进行磁复录。

上述磁复录方法中在从属介质上面或下面，至少一面个上，以磁极轴与从属介质面平行的方式配置具有与磁极轴对称磁场的一个永久磁铁，此时产生的磁场在磁道方向上的磁场强度分布，在磁道方向位置上，至少具有1处以上高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分。

上述磁复录方法中，在从属介质上面或下面，至少一面个上，以磁极轴与从属介质面平行的方式配置具有与磁极轴对称磁场的一个永久磁铁，此时产生的磁场在磁道方向上的磁场强度分布，仅在沿磁道的方向上，具有高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分，而沿磁道的反方向的磁场强度在任何一个位置上都低于从属介质的保磁力Hcs。

上述的磁复录方法中，在从属介质上面或下面，至少一个面上，以磁极轴与从属介质面平行的方式配置具有与磁极轴对称磁场的一个永久磁铁，此时产生的磁场，在磁道方向上的磁场强度分布，在任何一个磁道方向位置上，都不存在超过复录磁场强度范围为从属介质保磁力Hcs的0.6×hcs～1.3×Hcs的最大值的磁场强度，在一个磁道方向上至少存在1处以上存在形成上述复录磁场强度范围内的磁场强度部分，而沿磁道的反方向的磁场强度，在任何一个位置上都低于上述复录磁场强度范围的最小值。

上述磁复录方法中，相对于从属介质的保磁力Hcs，最适宜复录的磁场强度为0.6×hcs～1.3×Hcs。

一种磁复录装置，是将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和由接受复录的磁复录介质形成的从属介质紧密接触，施加复录用磁场的磁复录装置，包括在从属介质上面或下面，至少一个面上，以磁极轴与从属介质面平行的方式，配置具有与磁极轴对称磁场的一个永久磁铁，沿磁道方向旋转从属介质或永久磁铁，通过沿从属介质面的磁道方向施加磁场，预先沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化的初期直流磁化装置，将磁复录用主载体和上述初期直流磁化的从属介质紧密接触的紧密接触装置、沿与从属介质面初期直流磁化方向相反的磁道方向施加复录用磁场的复录磁场施加装置。

一种磁复录装置，是将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和由接受复录的磁复录介质形成的从属介质紧密接触，施加复录用磁场的磁复录装置，包括沿从属介质面的磁道方向施加磁场，预先沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化的初期直流磁化装置，将磁复录用主载体和上述初期直流磁化的从属介质紧密接触的紧密接触装置、在从属介质上面或下面，至少一面上，以磁极轴与从属介质面平行的方式，配置具有与磁极轴对称磁场的一个永久磁铁，沿磁道方向旋转永久磁铁或将磁复录用主载体和从属介质紧密接触的紧密接触体，沿与初期直流磁化方向相反的磁道方向施加复录用磁场的复录磁场施加装置。

上述的磁复录装置中，在从属介质上面或下面，至少一个面上，以磁极轴与从属介质面平行的方式，配置具有与磁极轴对称磁场的一个永久磁铁，此时产生的磁场沿磁道方向的磁场强度分布，在磁道方向位置上，至少有1处以上高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分。

上述的磁复录装置中，在从属介质上面或下面，至少一个面上，以磁极轴与从属介质面平行的方式，配置具有与磁极轴对称磁场的一个永久磁铁，此时产生的磁场沿磁道方向的磁场强度分布，仅在沿磁道的方向上，具有高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分，而沿磁道的反方向的磁场强度在任何一个位置上都低于从属介质的保磁力Hcs。

上述的磁复录装置中，在从属介质上面或下面，至少一个面上，以磁极轴与从属介质面平行的方式，配置具有与磁极轴对称磁场的一个永久磁铁，此时产生的磁场沿磁道方向的磁场强度分布，在任何一个磁道方向位置上，都不存在超过复录磁场强度范围为从属介质保磁力Hcs的0.6×hcs～1.3×Hcs的最大值的磁场强度，在一个磁道方向上至少存在1处以上存在形成上述复录磁场强度范围内的磁场强度部分，而沿磁道的反方向的磁场强度，在任何一个位置上都低于上述复录磁场强度范围的最小值。

在将主载体和从属介质紧密接触，由外部施加复录用磁场时，由于复录不稳定，产生信号品位降低的部分，本发明者们发现了原因，是由于复录时施加磁场不当造成信号品位降低，并由此想到了本发明。

一般认为在从磁复录用主载体向从属载体进行磁复录中，当施加高于从属介质保磁力Hcs的外部磁场时，在施加方向上整个从属介质形成磁化状态，因此，不能复录原本应该复录的整个图形。例如在特开平10-40544号公报0064号段落中记载的，最好与磁复录介质保磁力同等程度以下。

因此，根据本发明者们的研究可知，本方式中的磁复录原理，如图1所示，磁复录用主载体1与从属介质4实际接触的凸形磁性层部分，复录用外部磁场6，向该凸形部分吸收的磁场为6a，在接触的从属介质4的磁性层上不能形成可复录的磁场强度，但在与磁复录用主载体1与从属介质4没有接触的凹形部分相对应的从属介质4的磁性层上，形成可复录的磁场强度，如图中7所示，沿复录用外部磁场6的方向进行磁化，可将磁复录用主载体1的予格式化用的图形作为复录情报7，向从属介质4上进行复录。

因而，在从磁复录用主载体向从属介质复录时，与从属介质接触部分，由于大量的磁场进入磁复录用主载体的图形部分内，在从属介质上施加了高于保磁力Hcs的复录磁场，而没有颠倒。和从属介质的保磁力Hcs比较，通过使用具有特定关系强度的复录用磁场，从而可得到信号品位很高的从属介质。

为了对任何图形实现明了的复录，首先在一个方向上用足够大的磁场，高于保磁力，最好用1.2倍以上Hcs的磁场对从属介质进行初期直流磁化，再施加特定强度的复录用磁场，即最适宜复录磁场强度范围内的磁场，最好的复录用磁场为0.6×Hcs≤复录用磁场≤1.3×Hcs，施加方向为与初期直流磁化的方向相反。

复录用磁场更好为0.8～1.2Hcs，尤其好为1～1.1Hcs。

伺服用进行予格式化的磁复录介质是圆盘状的复录介质，沿着从旋转中心开始描绘成同心圆状的磁道复录情报。在这样的圆盘状磁复录介质上施加复录放射状图形的磁场，其方法是在从属介质面的磁道方向，即任意的磁道方向位置上，以圆弧切线的方向施加磁场，沿磁道方向，预先将从属介质形成初期直流磁化。

接着，将磁复录用主载体和上述初期直流磁化的从属介质紧密接触，沿从属介质面的磁道方向施加复录用磁场，进行磁复录，预先在从属介质上沿磁道方向施加磁场，初期直流磁化的方向和为进行磁复录而施加的复录用磁场，在从属介质面上必须是反向。

为了在整个圆盘状介质面上施加上述施加磁场条件的磁场，在磁道方向的一部分上产生像在磁道方向位置上至少具有1处以高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分那样的磁场强度分布的磁场，通过将从属介质或磁场沿磁道方向旋转1周，可实现初期直流磁化。

在磁道方向位置上，仅在一个方向上具有高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分，在磁道方向的一部分上产生像在任何磁道方向位置上反方向磁场强度低于从属介质保磁力Hcs那样的磁场强度分布的磁场，通过沿磁道方向将从属介质或磁场旋转1周，可施加沿磁道方向预先将从属介质形成初期直流磁化的磁场。

在任何一个磁道方向位置上不存在超过最适宜复录磁场强度范围最大值的磁场强度，在一个磁道方向上至少存在1处以上形成最适宜复录磁场强度范围内的磁场强度部分，在磁道方向的一部分上产生像在任何磁道方向位置上与其相反磁道方向的磁场强度低于最适宜复录磁场强度范围最小值那样的磁场强度分布的磁场，在将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属载体紧密接触的状态下，通过沿磁道方向旋转，或者通过沿磁道方向旋转磁场，可实现沿从属介质面的磁道方向施加复录用磁场。

初期直流磁化和磁复录中用的永久磁铁，大小最好和从从属介质一端的磁道到另一端磁道的距离同等大小，或者大于该距离。当为圆盘状从属介质时，最好和从从属介质最外周磁道到最内周磁道的半径方向距离同等大小，或大于该距离的磁铁。通过使用这样大小的磁铁，将从属介质，从属介质和磁复录用主载体的紧密接触体、和永久磁铁中的任何一个，在磁道总长中沿一个方向移动或仅旋转1周，就可以在从属介质面上付与均匀的磁场。

使用永久磁铁施加的磁场强度，要求在整个磁道位置上是均匀的，它的偏差大小，在整个磁道位置上最好在±5％以内，更好在±2.5％以内。

附图说明

以下参照附图对复录方法和复录装置进行说明。

图1(图1A-1B总称)是复录磁复录用主载体中予格式化用图形的说明图

图1A是对磁复录用主载体的磁性层面进行模式说明的平面图

图1B是说明复录过程的断面图

图2(图2A-2E总称)是使用单一横向永久磁铁施加磁场的说明图

图2A是在从属介质上面配置永久磁铁的示意图

图2B是对图2A中从属介质的面付与磁场的示意图

图2C是付与从属介质的磁场强度示意图

图2D是在从属介质的上面和下面对称配置永久磁铁的示意图

图2E是对图2D中从属介质的面付与磁场的示意图

图3(图3A-3C总称)是从磁复录用主载体向从属介质进行复录方法的说明图

图3A是向从属介质和磁复录用主载体的紧密接触体施加磁场的示意图

图3B是对图3A中由施加磁场付与磁场强度的示意图

图3C是在紧密接触体的两个面上配置具有与磁极轴对称磁场的示意图

如图2所示，是使用单一横向永久磁铁施加磁场方法的说明图，如图2A所示，为一实施例，即在从属介质4的上面，以磁级轴与从属介质4面平行配置具有与磁极轴对称磁场的永久磁铁8，在此状态下旋转从属介质4。

从配置在从属介质4上面的单一永久磁铁8(如图2B所示)，对从属介质4的面付与磁场9。

如图2C所示，是付与从属介质的磁场强度示意图，在付与从属介质的磁场中存在超过从属介质保磁力Hcs的峰值10，通过旋转从属介质或旋转磁铁，可使从属介质形成初期直流磁化。

如图2D所示，为另一实施例，即，在从属介质4的上面和下面，两个面上，以磁极轴与从属介质4平行，并将磁极轴的方向取为同一方向的方式，配置具有对磁极轴对称磁场的永久磁铁8，在此配置状态下旋转从属介质4，从在从属介质4的两个面分别配置1个的永久磁铁8，对从属介质4的面付与磁场9(如图2E所示)。

如图3所示，是从磁复录用主载体向从属介质进行复录方法的说明图。

如图3A所示，是向从属介质和磁复录用主载体的紧密接触体施加磁场的说明图，如图3B所示，是图3A中由施加磁场付与磁场强度的说明图。

对将从属介质4和磁复录用主载体1紧密接触的紧密接触体11表面，配置具有与磁极轴对称磁场，能沿磁道方向付与高于从属介质保磁力Hcs磁场的单一永久磁铁8，付与磁场12，通过相对于紧密接触体11的中心轴沿磁道方向旋转紧密接触体11或永久磁铁8中的至少一个，在紧密接触体11的整个面上付与和初期直流磁化的磁化方向相反方向的磁场。

在付与磁场中，强度小的峰值13对从磁复录用主载体向从属介质复录图形不会产生任何影响，只有强度大的峰值14才能进行磁复录。

通过付与最适宜复录磁场强度范围内的磁场，强度大的峰值14可以从磁复录用主载体向从属介质形成良好的图形，与图形的形状没有任何关系。

如图3C所示，在紧密接触体11的两个面上配置具有与磁极轴对称磁场，可沿磁道方向付与高于从属介质保磁力Hcs的磁场的永久磁铁8，在付与磁场12的状态下，相对于紧密接触体11的中心轴，沿磁道方向旋转紧密接触体11或永久磁铁8中的至少一个，向紧密接触体11的整个面付与和初期直流磁化的磁化方向相反向的磁场，磁场强度大的峰值对磁复录产生作用。

如图2和图3所示，磁复录方法中使用的装置中，设有可任意调整从属介质面和永久磁铁间距离的机构，通过调整从属介质和永久磁铁间的距离，在从属介质面上可获得所要求的磁场强度。

对本发明磁复录中使用的磁复录用主载体的制造方法进行说明。

作为磁复录用主载体用的基板，是硅、石英板、玻璃、铝等非磁性金属或合金、陶瓷、合成树脂等表面光滑的板状体，可以使用在腐蚀，成膜工序中的温度等处理环境具有耐性的板材。

在表面光滑的基板上涂布光致抗蚀膜，根据予格式化的图形使用光掩膜进行曝光、显像，或对光致抗蚀膜直接画线等方法，根据予格式化的情报在光致抗蚀膜上形成图形。

接着，在腐蚀工序中，根据反应性腐蚀、使用氩等离子体的物理腐蚀，使用液体的腐蚀等基板腐蚀装置，依照图形对基板进行腐蚀。

利用腐蚀形成穴的深度，其形成深度相当于作为复录情报复录部分形成的磁性层厚度，最好在20nm以上，1000nm以下，当过厚时，由于形成宽阔幅度大的磁场，所以不理想。

形成的穴最好是在底面与基板表面平行的平面上，形成深度均等的穴。

穴的形状最好是垂直于面的磁道方向的断面为长方形形状。

接着，将磁性材料利用真空蒸镀法，喷溅法、镀敷法等真空成膜装置形成磁性材料膜，以与利用电镀法形成穴相对应的厚度，直达基板表面。复录情报部分的磁特性，抗磁力(Hc)在199kA/m(2500Oe)以下，最好为0.4～119kA/m(5～1500Oe)，作为饱和磁束密度(Bs)在0.3T(特斯拉)以上，最好在0.5T以上。

接着用去除法(lift-off)除去光致抗蚀膜，研磨表面，存在毛刺时，除去，形成光滑的表面。

以上说明中，虽然对在基板上形成穴，在形成穴上形成磁性材料的方法进行了描述，利用平版照相制造法在基板上规定部位形成磁性材料，在形成复录情报的凸形部分后，在凸形部分之间形成非磁性材料膜或进行填充，最好使复录情报部分和非磁性材料部分的表面形成同一平面。

作为磁性层中可用的磁性材料，可使用磁束密度大的钴、铁或它们的合金。具体可以举出有Co、CoPtCr、CoCr、CoPtCrTa、CoPtCrNbTa、CoCrB、CoNi、Fe、FeCo、FePt等。

作为磁性层的厚度为20～1000nm，最好30～500nm。太厚时会降低复录分解能力。

为了进行明了的复录，最好使用磁束密度大的，和从属介质同方向，例如面内复录时，在面内方向，垂直复录时，在垂直方向具有磁异向性的磁性材料，从可形成锐利边缘考虑，最好是具有细微磁粒子或非晶形结构的磁性材料。

为了使磁材料形成磁异向性，最好设置非磁性底层，其结晶结构和晶格常数必须和磁性层一样。具体讲，作为这样的底层，可以利用喷溅法将Cr、CrTi、CoCr、CrTa、CrMo、NiAl、Ru等形成膜。

在磁性层上也可以设置金刚石状碳膜等保护膜，也可设置润滑剂。作为保护膜，最好是存在5～30nm的金刚石状碳膜和润滑剂。在其上必须设置润滑剂的理由，是因为在修正和从属介质接触过程中产生偏离时，要产生摩擦，当没有润滑剂层时，耐久性就显得不足。

本发明的磁复录用主载体，不仅对硬盘，大容量(Removable)型磁复录介质等盘型磁复录介质可进行复录情报，而且也可以对磁卡型磁复录介质、磁带型磁复录介质进行复录磁复录情报。

具体实施方式

以下示出实施例说明本发明。

实施例1和比较例1

※磁复录用主载体的制作

在真空成膜装置中，室温下减压到1.33×10^-5Pa(10^-7托)后，通入氩气，在形成0.4Pa(3×10^-3托)的条件下，在硅基板上形成200nm厚的FeCo膜，制成3.5型圆盘状的磁复录用主载体。

保磁力Hc为8kA/m(100Oe)、磁束密度Ms为28.9T(23000Gauss)。

从圆盘中心到半径方向20mm～40mm的位置以10um宽的间隔，形成放射线状态的圆盘状图形，在半径方向20mm的最内周位置，线间隔为10um间隔。

※从属介质的制作

在真空成膜装置中，室温下减压到1.33×10^-5Pa(10^-7托)后，通入氩气，在形成0.4Pa(3×10^-3托)的条件下，将玻璃板加热到200℃，制作成CoCrPt25nm，Ms：5.7(4500 Gauss)、保磁力Hcs：199kA/m(2500Oe)的3.5型圆盘状磁复录介质。

※初期直流磁化方法

如图2所示，在从属介质的两个面上配置永久磁铁，以峰值磁场强度为2倍从属介质保磁力Hcs 388kA/m(5000Oe)，在从属介质表面上，对从属介质进行初期直流磁化。

※磁复录试验方法

将初期直流磁化的从属介质和磁复录用主载体紧密接触，使用图3所示的两面具有永久磁铁的装置，以和从属介质磁化相反的方向施加磁场进行磁复录。磁复录用主载体和从属介质的紧密接触，是用橡胶板夹持，从铝板上加压。

※电磁变换特性的评价方法

利用电磁变换特性测定装置(协同电子制SS-60)进行从属介质的复录信号评价。对于磁头，使用再生磁头间隙：0.33um、再生磁道宽度：2.6um、复录磁头间隙：0.4um、复录磁道宽度：3.5um的MR磁头。

使用光谱分析仪对读取信号进行频率分解，测定1次信号峰值强度C和外推介质噪音N之差值C/N。各磁场强度的C/N中，将最大值取为OdB，以相对值ΔC/N进行评价，示于表1。C/N值在-20dB以下时，由于磁复录的信号品位没有实用水平，所以用*号表示。

表1

从属介质的Hcs为199kA/m

复录用磁场的

峰值强度Oe               与Hcs的比              ΔC/N(dB)

59.7                       0.3                      *

99.5                       0.5                      -10.2

119                        0.6                      -4.3

159                        0.8                      -1.7

179                        0.9                      -0.3

199                        1.0                      0.0

219                        1.1                      -0.2

239                        1.2                      -1.4

259                        1.3                      -3.8

279                        1.4                      -9.6

298                        1.5                      -15.8

318                        1.6                      *

398                        2.0                      *

实施例2和比较例2

对保磁力Hcs为199kA/m(2500Oe)的从属介质，用峰值磁场强度为239kA/m(3000Oe)，即1.2倍从属介质保磁力Hcs的磁场强度，进行初期直流磁化，接着将初期直流磁化的从属介质和磁复录用主载体紧密接触，进行磁复录，除此之外，和实施例1一样，进行磁复录后和实施例1一样进行测定磁复录图形的显像，结果示于表2。复录用磁场的峰值强度为图3所示磁场强度分布的峰值。

表2

从属介质的Hcs为199kA/m

复录用磁场的

峰值强度Oe            与Hcs的比                ΔC/N(dB)

59.7                    0.3                        *

99.5                    0.5                        -10.5

119                     0.6                        -2.2

159                0.8                 -0.1

179                0.9                 -0.2

199                1.0                 -0.1

219                1.1                 0.0

239                1.2                 -1.2

259                1.3                 -1.9

279                1.4                 -7.5

298                1.5                 -10.8

318                1.6                 *

398                2.0                 *

比较例3

对保磁力Hcs为199kA/m(2500Oe)的从属介质，用峰值磁场强度为159kA/m(2000Oe)，即0.8倍从属介质保磁力Hcs的磁场强度，进行从属介质的初期直流磁化，接着将初期直流磁化的从属介质和磁复录用主载体紧密接触，进行磁复录，除此之外，和实施例1一样，进行磁复录后，和实施例1一样进行测定磁复录图形显像，结果示于表3。

表3

从属介质的Hcs为199kA/m

复录用磁场的

峰值强度Oe               与Hcs的比                ΔC/N(dB)

59.7                       0.3                       *

99.5                       0.5                       *

119                        0.6                       *

159                        0.8                       *

179                        0.9                       *

199                        1.0                       *

219                        1.1                       *

239                        1.2                       *

259                        1.3                       *

279                        1.4                       *

298                        1.5                       *

318                        1.6                       *

398                     2.0                  *

实施例3和比较例4

对和实施例1一样制作的保磁力Hcs为159kA/m(2000Oe)的从属介质，用峰值磁场强度为318kA/m(4000Oe)，即2倍从属介质保磁力Hcs的磁场强度，进行从属介质的初期直流磁化，将初期直流磁化的从属介质和磁复录用主载体紧密接触，使用图3所示装置进行磁复录，除此之外，和实施例1一样，进行磁复录后，进行测定磁复录图形的显像，结果示于表4。复录磁场的峰值强度为图3所示磁场强度分布的峰值。

表4

从属介质的Hcs为159kA/m

复录用磁场的

峰值强度Oe                与Hcs的比                ΔC/N(dB)

47.7                        0.3                      *

79.6                        0.5                      -10.6

95.5                        0.6                      -3.2

127                         0.8                      -0.8

143                         0.9                      0.0

159                         1.0                      -0.2

175                         1.1                      -1.1

191                         1.2                      -2.3

207                         1.3                      -4.6

223                         1.4                      -9.6

239                         1.5                      -15.6

255                         1.6                      *

318                         2.0                      *

实施例4和比较例5

对保磁力Hcs为159kA/m(2000Oe)的从属介质，用峰值磁场强度为191kA/m(2400Oe)，即1.2倍从属介质保磁力Hcs的磁场强度，进行从属介质的初期直流磁化，除此之外，和实施例4一样，将初期直流磁化的从属介质和磁复录用主载体紧密接触，进行磁复录，进行测定所得磁复录图形的显像，结果示于表5。

表5

从属介质的Hcs为159kA/m

复录用磁场的

峰值强度Oe                 与Hcs的比              ΔC/N(dB)

47.7                         0.3                     *

79.6                         0.5                     -15.2

95.5                         0.6                     -6.3

127                          0.8                     -5.6

143                          0.9                     -0.1

159                          1.0                     0.0

175                          1.1                     -0.2

191                          1.2                     -1.8

207                          1.3                     -2.5

223                          1.4                     -8.6

239                          1.5                     -16.3

255                          1.6                     *

318                          2.0                     *

比较例6

对和实施例1一样制作的保磁力Hcs为159kA/m(2000Oe)的从属介质，用峰值磁场强度为127kA/m(1600Oe)，即0.8倍从属介质保磁力的磁场强度，进行从属介质的初期直流磁化，接着将初期直流磁化的从属介质和磁复录用主载体紧密接触，使用图4所示装置进行磁复录，除此之外，和实施例1一样，进行磁复录后，进行测定磁复录图形的显像，结果示于表6。

表6

从属介质的Hcs为159KA/m

复录用磁场的

峰值强度Oe                  与Hcs的比              ΔC/N(dB)

47.7                           0.3                   *

79.6                           0.5                   *

95.5                           0.6                   *

127                            0.8                   *

143                            0.9                   *

159                            1.0                   *

175                            1.1                   *

191                   1.2                  *

207                   1.3                  *

223                   1.4                  *

239                   1.5                  *

255                   1.6                  *

318                   2.0                  *

本发明在从磁复录用主载体向从属介质进行磁复录中，相对于从属介质的Hcs，通过付与特定强度的复录用磁场，不管图形位置和形状如何，都可以得到具有高品位复录图形的从属介质。

Claims (10)

1、一种磁复录方法，其特征在于：在将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和由接受复录的磁复录介质形成的从属介质紧密接触施加复录用磁场的磁复录方法中，包括在从属介质上面或下面，至少一个面上，以磁极轴与从属介质面平行的方式，配置具有与磁极轴对称磁场的一个永久磁铁，沿磁道方向旋转从属介质或永久磁铁，通过沿从属介质面的磁道方向施加磁场，预先沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化后，将磁复录用主载体和上述初期直流磁化的从属介质紧密接触，沿与从属介质面初期直流磁化方向相反的磁道方向施加复录用磁场，进行磁复录。

2、一种磁复录方法，其特征在于：在将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和由接受复录的磁复录介质形成的从属介质紧密接触施加复录用磁场的磁复录方法中，包括沿从属介质面的磁道方向施加磁场，预先沿磁道方向将从属介质进行初期直流磁化后，将磁复录用主载体和上述初期直流磁化的从属介质紧密接触，在从属介质上面或下面，至少一个面上，以磁极轴与从属介质面平行的方式，配置具有与磁极轴对称磁场的一个永久磁铁，沿磁道方向旋转永久磁铁或和磁复录用主载体紧密接触的从属介质，沿与初期直流磁化方向相反的磁道方向施加复录用磁场，进行磁复录。

3、根据权利要求1所述的磁复录方法，其特征在于：在从属介质上面或下面，至少一个面上，以磁极轴与从属介质面平行的方式，配置具有与磁极轴对称磁场的一个永久磁铁，此时产生的磁场在磁道方向上的磁场强度分布，在磁道方向位置上，至少有1处以上高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分。

4、根据权利要求1所述的磁复录方法，其特征在于：在从属介质上面或下面，至少一个面上，以磁极轴与从属介质面平行的方式，配置具有与磁极轴对称磁场的一个永久磁铁，此时产生的磁场在磁道方向上的磁场强度分布，仅在沿磁道的方向上，具有高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分，而沿磁道的反方向的磁场强度在任何一个位置上都低于从属介质的保磁力Hcs。

5、根据权利要求2所述的磁复录方法，其特征在于：在从属介质上面或下面，至少一个面上，以磁极轴与从属介质面平行的方式，配置具有与磁极轴对称磁场的一个永久磁铁，此时产生磁场在磁道方向上的磁场强度分布，在任何一个磁道方向位置上，都不存在超过复录磁场强度范围为从属介质保磁力Hcs的0.6×hcs～1.3×Hcs的最大值的磁场强度，而在一个磁道方向上至少存在1处以上形成上述复录磁场强度范围内的磁场强度部分，而沿磁道的反方向的磁场强度在任何一个位置上，都低于上述复录磁场强度范围的最小值。

6、一种磁复录装置，其特征在于：在将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和由接受复录的磁复录介质形成的从属介质紧密接触施加复录用磁场的磁复录装置中，包括在从属介质上面或下面，至少一个面上，以磁极轴与从属介质面平行的方式，配置具有与磁极轴对称磁场的一个永久磁铁，沿磁道方向旋转从属介质或永久磁铁，通过沿从属介质面的磁道方向施加磁场，预先沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化的初期直流磁化装置，将磁复录用主载体和上述初期直流磁化的从属介质紧密接触的紧密接触装置，沿与从属介质面初期直流磁化方向相反的磁道方向施加复录用磁场的复录磁场施加装置。

7、一种磁复录装置，其特征在于：在将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和由接受复录的磁复录介质形成的从属介质紧密接触施加复录用磁场的磁复录装置中，包括沿从属介质面的磁道方向施加磁场，预先沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化的初期直流磁化装置，将磁复录用主载体和上述初期直流磁化的从属介质紧密接触的紧密接触装置，在从属介质上面或下面，至少一个面上，以磁极轴与从属介质面平行的方式，配置具有与磁极轴对称磁场的一个永久磁铁，沿磁道方向旋转永久磁铁或将磁复录用主载体和从属介质紧密接触的紧密接触体，沿与初期直流磁化方向相反的磁道方向上施加复录用磁场的复录磁场施加装置。

8、根据权利要求7所述的磁复录装置，其特征在于：在从属介质的上面或下面，至少一个面上，以磁极轴与从属介质面平行的方式，配置具有与磁极轴对称磁场一个永久磁铁，此时产生的磁场沿磁道方向上的磁场强度分布，在磁道方向位置上，至少有1处以上高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分。

9、根据权利要求7所述的磁复录装置，其特征在于：在从属介质的上面或下面，至少一个面上，以磁极轴与从属介质面平行的方式，配置具有与磁极轴对称磁场的一个永久磁铁，此时产生的磁场沿磁道方向上的磁场强度分布，仅在沿磁道的方向上，具有高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分，而沿磁道的反方向的磁场强度在任何一个位置上都低于从属介质的保磁力Hcs。

10、根据权利要求8所述的磁复录装置，其特征在于：在从属介质的上面或下面，至少一个面上，以磁极轴与从属介质面平行的方式，配置具有与磁极轴对称磁场的一个永久磁铁，此时产生的磁场沿磁道方向上的磁场强度分布，在任何一个磁道方向位置上，都不存在超过复录磁场强度范围为从属介质保磁力Hcs的0.6×hcs～1.3×Hcs的最大值的磁场强度，而在一个磁道方向上，至少存在1处以上形成上述复录磁场强度范围内的磁场强度部分，而沿磁道的反方向的磁场强度，在任何一个位置上都低于上述复录磁场强度范围的最小值。

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