CN1205652C

CN1205652C - 基板清洗***

Info

Publication number: CN1205652C
Application number: CN 01118479
Authority: CN
Inventors: 大藏领一; 小野祐司; 山口弘; 高石美雪; 上川内秀夫
Original assignee: Ses Corp
Current assignee: Ses Corp; SES Co Ltd
Priority date: 2001-06-01
Filing date: 2001-06-01
Publication date: 2005-06-08
Anticipated expiration: 2021-06-01
Also published as: CN1389906A

Abstract

一种基板清洗***在以可密封的方式形成的装置主体1的内部，设置有装卸室A，该装卸室由清洗处理前的晶片W进行送入等待的基板送入部Aa和清洗处理后的晶片进行送出等待的基板送出部Ab构成；处理室C，该处理室C具有逐张地对晶片W进行清洗处理的两个单张式的基板清洗腔10；机器人室B，该机器人室B具有在上述两个室A，C之间逐张地输送晶片W的输送机器人70，这些室A，B，C按照具有必要的最小程度的开口面积的隔壁2，3，分隔形成。

Description

基板清洗***

本发明涉及基板清洗***，更具体地说，本发明涉及湿法清洗技术，该清洗技术用于在半导体或电子部件等的器件制造步骤中，在采用溅射或CVD处理等方式形成薄膜的处理步骤的前阶段所进行的将半导体片等进行晶片清洗处理的湿法清洗技术中。

作为对半导体片等(下面简称为“晶片”)进行湿法清洗的方法，在过去，所谓的批式湿法清洗成为主流，在批式湿法清洗中，相对多个清洗槽连续地排列的湿法多段式(bench)清洗槽，通过传送装置依次对接纳于装载盒中的多个晶片依次进行浸渗处理，或省略装载盒，直接通过传送装置依次对多张晶片进行浸渗处理，但是，在半导体装置也面临半导体装置的亚微米时代，伴随这样的装置结构细微化，高集成化，晶片外表面也所要求的非常高的清洁度的最近，作为满足更高的清洁度的要求的湿法清洗技术，到目前人们开发提出了下述的单张式湿法清洗法，其在封闭的清洗室中，在没有盒的情况下，逐张地对晶片进行湿法清洗。

该单张式湿法清洗具有下述优点，即也没有微粒的再次附着等情况，可以较高精度在较高的清洁度气氛中进行清洗，此外，装置结构简单，整体尺寸减小，还可有效地应付对多品种少量的生产。

但是，在过去的批式和单张式湿法清洗中的任何一种中，由于清洗装置本身设置于保持于较高清洁气氛中的除尘室中，故装置整体采用下述装置结构，其中将衬底或晶片送入送出部等打开，并且装置主体的内部的各室之间相互开放等，作业性优良。

然而，这样的装置结构具有下述问题，即微粒再次附着于清洗处理后的晶片上，或不能够完全防止伴随该晶片的清洗处理的清洗液等的飞沫或来自晶片本身的灰尘对作业人员造成的不利影响，此外，还有必要对装置主体的整个壁面，进行耐腐蚀性的材料涂敷，装置成本较高。

本发明是针对上述已有的问题而提出的，本发明的目的在于提供一种基板清洗***，该基板清洗***具有在密封的清洗室内部，逐张地，在无盒的情况下对晶片进行湿法清洗的单张式湿法清洗的优点，同时也没有微粒的再次附着等情况，可以较高的精度在较高清洁度的气氛中进行清洗，此外，装置结构简单，整体尺寸减小，成本性能也优良。

为了实现上述目的，本发明的基板清洗***的特征在于在以可密封的方式构成的装置主体内部，设置有装卸室，该装卸室由多个清洗处理前的基板按照叠置的方式实现送入等待的基板送入部和多个清洗处理后的基板按照叠置的方式实现送出等待的基板送出部构成；处理室，处理室具有通过多种清洗液逐张地对基板进行清洗处理的至少一个单张式的基板清洗腔；机器人室，该机器人室具有在上述处理室与装卸室之间，逐张地输送基板的输送机器人，这些室通过具有必要的最小程度的开口面积的隔壁，分隔形成。

作为优选的实施例，在上述装置主体的前后两侧，分别设置上述装卸室和处理室，并且在该装卸室与处理室之间，设置上述机器人室，在上述装卸室中，开设有可朝向装置主体的外部的操作空间开放的开闭口。

上述装卸室按照下述方式构成，该方式为：叠置于上述基板送入部和基板送出部中的基板沿上下方式以规定的排列间距，按照水平状态排列，并且在上述装卸室内部流动的清洁空气从上述基板送出部朝向基板送入部水平地流动。

上述机器人室中的输送机器人采用具有能进行升降动作同时也能进行水平动作的一对手部的摆动臂机器人的形式，该输送机器人按照其中一个手部对清洗处理前的基板进行输送处理，并且另一手部对清洗处理后的基板进行输送处理的方式构成。

对上述处理室的内壁面进行氯乙烯树脂的耐腐蚀性涂敷处理，并且对其它的壁面进行耐酸涂敷处理。此外，上述处理室的单张式基板清洗腔由腔主体和基板旋转装置形成，该腔主体包括沿上下方向排列的多个环状处理槽，沿上下方向进行升降动作，该基板旋转装置在该腔主体的中间部，与腔主体呈同心状设置，在于水平状态支承一张基板的同时，使其水平旋转，该清洗腔按照下述方式形成，该方式为：通过上述腔主体的沿上下方向的升降，实现支承于上述基板旋转装置上的基板和上述环状处理槽的定位。还有，上述腔主体采用具有可开闭的基板送入送出用的门的密封容器的形式。

在本发明中，由于在按照可密封的方式的构成的装置主体内部，设置有上述装卸室，处理室和机器人室，这些室通过具有必要的最小程度的开口面积的隔壁，分隔形成，故可将空气相对装置主体的内部和外部的除尘室的进出抑制在必要的最小程度，可使装置主体内部保持在非常高的清洁度的气氛中。

另外，由于采用逐张地对晶片进行处理的单张式，故微粒等的再次附着也几乎没有，可对每个晶片进行精密的处理，基板清洗腔的清洗空间较小，清洗液用量也较少。

此外，由于采用单腔式，其中通过借助多种清洗液逐张地对晶片进行清洗处理的，即在一个基板清洗腔内，进行全部清洗步骤，故在清洗步骤中，晶片不进出，不受到在与大气接触后，金属污染，离子或氧气等的影响，还可简化各基板清洗腔的结构，并且使其整体尺寸减小。

如果在上述装置主体的前后两侧，分别设置有装卸室和处理室，并且在该装卸室与处理室之间，设置有机器人室，故在处理室中的清洗处理时所产生的有害气体或微粒不会泄漏到装置主体外部的操作空间。

还有，由于上述装卸室按照下述方式构成，该方式为：叠置于上述基板送入部和基板送出部中的晶片沿上下方式以规定的排列间距，按照水平状态排列，并且在上述装卸室内部流动的清洁空气从上述基板送出部朝向基板送入部水平地流动，或者由于上述机器人室中的输送机器人采用具有一对手部的摆动臂机器人的形式，其按照其中一个手部对清洗处理前的晶片进行输送处理，并且另一手部对清洗处理后的晶片进行输送处理的方式构成，故有效地防止来自清洗处理前的晶片的微粒等再次附着于清洗处理好的晶片上。

下面通过附图，对本发明的实施例进行描述。

图1为表示本发明的一个实施例的基板清洗***的外观的正视图；

图2为表示上述基板清洗***的外观的右侧视图；

图3为表示上述基板清洗***的外观的左侧视图；

图4为表示上述基板清洗***的外观的背面图；

图5为上述基板清洗***的装卸室A的内部结构的正视图；

图6为表示上述基板清洗***的内部结构的侧面剖视图；

图7为表示上述基板清洗***的内部结构的平面剖视图；

图8为表示上述基板清洗***的装卸室的基板保持部和升降装置的正视图；

图9为表示上述基板保持部和升降装置的侧视图；

图10为表示上述基板保持部和升降装置的平面图；

图11为以局部剖面表示上述升降装置的侧视图；

图12为表示上述装卸室的晶片映像传感器和基板突出修正装置的平面图；

图13为表示上述晶片映像传感器和基板突出修正装置的背面图；

图14为表示上述基板清洗***的机器人室的输送机器人的平面图；

图15为表示上述输送机器人的侧视图；

图16为表示上述基板清洗***的机器人室的基板反转装置的正视图；

图17为表示上述基板反转装置的侧面剖视图；

图18为表示上述基板反转装置的平面图；

图19为表示上述基板清洗***的处理室中的基板清洗腔的侧视图；

图20为表示上述基板清洗腔的平面图；

图21为表示上述基板清洗腔的正面剖视图；

图22为表示上述基板清洗腔中的旋转装置的平面图；

图23为表示上述旋转装置的正面剖视图；

图24为以放大方式表示上述旋转装置中的基板支承部的主要部分的正面剖视图。

图1～22表示本发明的基板清洗***。具体来说，该基板清洗***以逐张地对晶片W进行清洗的单张式的基板清洗腔为基本单元而构成，其设置于形成清洁气氛的除尘室内部。

该基板清洗***在按照可密封的方式构成的装置主体1的内部，设置有装卸室A，机器人室B和处理室C，这些室A，B，C通过隔壁2，3分隔形成。

在图示的实施例中，在装置主体1的前后两侧，分别设置有装卸室A和处理室C，并且在该装卸室A与处理室C之间，设置有机器人室B，在上述装卸室A的前面侧，设置有可朝向装置主体1的外部的操作空间○敞开的开闭口4，5。另外，在处理室C内部，采用的是设置有多台(在图的实例中为两台)的基板清洗腔10，10的双腔式。

上述基板清洗腔10分别与作为清洗液的供给源的清洗液供给装置D连接，各室和装置A～D按照通过***控制装置E，相互保持联动而驱动控制的方式构成。下面依次对每个组成部分进行描述。

I.装置主体1：

如上所述，装置主体1采用下述结构，该结构可相对外部的除尘室，保持封闭，以便保持促进装置主体1的内部的清洁度。

对装置主体1的外周壁的钢板的外表面，进行耐酸涂敷处理，并且仅仅对上述处理室C的内周壁的，钢板的外周，进行耐腐蚀性材料的涂敷处理，具体来说进行氯乙烯树脂(PVC)的涂敷处理，从而确保抵抗清洗液的耐腐蚀性。按照上述方式，可仅仅对处理室C的内壁面进行耐腐蚀性处理的原因在于装置主体1内部的各室A，B，C形成尽可能地通过隔壁2，3间隔开的空间，通过这样的壁面结构，使装置框架制造的成本降低，使施工时间的缩短。

如图1所示，在装置主体1的前壁面上，设置装卸室A用的装载口11与卸载口12，如后面所述的那样，这两个开口11，12采用下述自动开闭机构，该自动开闭机构的开口面积可按照分上下两层的方式***接纳有晶片W，W...的装载器，并且可由看到其内部的透明盖形成，该开口形成沿上下滑动而可自动开闭的封闭结构。由此，在装卸室A内部，将来自除尘室的微粒等的侵入量抑制到最小程度。标号13表示HEPA过滤器，通过该HEPA过滤器13，向装卸室A内部，清洁空气被吸入。标号14表示同时用作接触面板的显示器，通过该显示器14，设定各种配方或参数的装置程序的运用方式。在显示器14的右侧，设置有紧急停止按钮(红)15和暂时停止按钮(绿)16，此外在其右邻处，设置有用于连接操作盘的手写笔管连接件17和分区灯18。另外，在上述显示器14的左侧，设置有警报蜂呜器20，在其底侧，设置有进行各种组成装置的启动停止的通断开关21。在上述显示器14的顶侧，主要并排设置有装置的电气***或定序器等的各电气部的带锁定机构的开闭门22，23。此外，在前壁面底部，以可开闭的方式设置有装卸室A的各种驱动机构用的机械维修口24，25。

如图2所示，在装置主体1的右侧壁面，在中间部分，设置有传送***用的开口30，该开口30采用可看到内部的透明盖形成的自动开闭机构，该开口形成可自动开闭的封闭结构。另外，在该开口30的周围，以可开闭的方式设置有各种维修口31～34。

如图3所示，在装置主体1的左侧壁面，在中间部分设置有机器人室B的机器人维修用开口40，该开口40具有作业人员可进出的开口面积，并且对该开口40采取下述安全措施，在该措施中，可通过带有钥匙开关的门而实现开闭，如果***钥匙而释放该开关，则装置的通电中断(暂停状态)。另外，在开口40的两侧，分别设置有目视窗41和目视窗42，该目视窗41用于目视装卸室A的内部，该目视窗42用于目视处理室C的内部，在其底侧，分别设置有维修口43，44。

如图4所示，在装置主体1的背面侧壁面，设置有紧急停止按钮45和暂停(暂时停止)按钮46和手写笔管连接件47，并且设置有面板48，其中在其底侧，设置有基板清洗腔10的运用的使用点的N₂压力或空气压力的显示仪、调节器等。标号49，50表示处理室C的基板清洗腔10用的维修口，这些开口49，50形成双重密封结构，以便有效地防止清洗液等朝向装置外部的泄漏。标号51，52表示装置主体1的内部的空气的排气口，标号53，53，...表示各种管线连接用的连接口。

II.装卸室A：

该装卸室A由基板送入部Aa和基板送出部Ab形成。

该基板送入部Aa为从前一步骤送入晶片W的部位，在这里，多个清洗处理前的晶片W，W，...以叠置方式送入等待。另外，基板送出部Ab为将晶片W朝向下一步骤送出的部位，在这里，多个清洗处理后的晶片W，W，...以叠置方式送出等待。这两个部分Aa，Ab具有与下面描述的那样的相同的基本结构。

即以实例对基板送入部进行描述，如图5～7所示，该基板送入部Aa可通过上述装置主体1的前面侧壁面的装载口11，相对操作空间○，实现开闭，并且通过隔壁2的开口55，与机器人室B连通。将该开口55的开口面积设定为必要最小程度的尺寸，即后面将要描述的输送机器人70的手保持晶片W，可穿过的最小的尺寸。

另外，基板输入部Aa包括基板保持部60，该基板保持部60保持装载器56，该装载器56沿上下方向具有规定的排列间距，按照水平状态接纳有多张晶片W，W，...；升降定位装置61，该升降定位装置61进行装载器56内部的晶片W，W...的送入或送出用的定位。

具体来说，如图8～10所示，基板保持部60包括保持台60a，该保持台60a具有放置保持装载器56的水平放置面，该装载器56中接纳有多张(在图示的情况为26张)晶片W，W，...，在图示的实施例中，在支承架62上，沿上下方向，按照规定间距，设置两个保持台60a，60a。与此相对应，如上所述，上述装载口11的开口面积可同时将两个装载器56，56，相对上述两层的保持台60a，60a***放置。

此外，上述装载器56同时用作本***之外的晶片传送之用，在其内部，按照规定的排列间距，设置有保持晶片W的周缘部的保持槽，虽然这一点在图中未示出。此外，在传送晶片时，按照使晶片W，W，...保持垂直直立状的姿势对装载器56操纵，在放置于上述保持台60a上时，按照使晶片W，W，...保持水平卧倒的状态的姿势对该装载器56操纵。

具体来说，如图8～11所示，升降定位装置61采用装载器升降机构的形式，该机构由进给丝杆机构61a，以及驱动马达61b构成，该进给丝杆61a使上述支承架62实现升降，该驱动马达61b使该进给丝杆机构61a旋转驱动。此外，通过按照与后面将要描述的输送机器人70的动作相对应的方式动作的驱动马达61的驱动，借助进给丝杆61a，使保持台60a，60a以及装载器56，56内部的晶片W，W，...每次按照规定间距沿上下方向升降，进行用于该晶片的送入送出的定位。

还有，对应于上述结构，设置有装载器倾斜检测传感器63，晶片突出对齐机构64和晶片映像传感器65。

装载器倾斜检测传感器63对装载器56是否正确地设置于保持台60a，60a上的情况进行检测，在图示的情况下，为对装载器56是否正确地沿水平方向放置在保持台60a，60a上的情况进行检测的透射型光学传感器，其用作下述安全机构，该安全机构在将装载器56倾斜地放置于保持台60a，60a上时，不能够进行检测，从而停止装置的驱动。

晶片突出对齐机构64用于顺利并且准确地通过后面将要描述的输送机器人70，进行晶片W的抽取动作等，如图12和图13所示，在可水平摆动的摆动臂64a的前端部分，设置有可与晶片W，W...的边缘接触，压动该晶片的接触件64b，并且具有使上述摆动臂64a摆动的驱动马达64c。

另外，通过驱动马达64c的驱动，相对保持台60a，60a上的装载器56，56，晶片突出对齐机构64中的摆动臂64a水平摆动，接触件64b与装载器56内部的晶片W，W...的边缘接触，由此，按压已突出的晶片的边缘，将该晶片W对齐地排列于规定位置。该晶片突出对齐机构64按照升降定位装置61确定的装载器56，56的每个规定间距的升降程度动作，确保在平时将晶片W，W...在规定位置对齐排列。

此外，也可采用下述结构，其中设置检测晶片W的突出的光学传感器，通过该光学传感器，检测晶片W的突出，仅仅在晶片W突出的情况，使上述晶片突出对齐机构64动作。

晶片映像传感器65为用于控制机器人室B的输送机器人70的驱动的透射型光学传感器，如图12和图13所示，在可水平摆动的摆动臂65a的前端部分，设置有与具有晶片W，W...相对应的多个槽的梳形的检测部65b，并且具有使上述摆动臂65a摆动的驱动马达65c。

还有，通过驱动马达65c的驱动，相对保持台60a，60a上的装载器56，56，晶片映像传感器65的摆动臂65a水平摆动，检测部65b接近装载器56内部的晶片W，W...，由此，检测晶片W，W...按照什么样的排列进入装载器56，56，或检测在晶片W，W...的排列中，是否有脱齿状的部分等。将其检测结果发送给***控制装置E，对输送机器人70的运动进行控制。晶片映像传感器65在放置于保持台60a，60a上的装载器56，56上时，仅仅动作一次。

在本实施例中，***控制装置E的输送机器人70的驱动控制采用可进行四种选择设定的结构。即，可从下述的四种方法中选择，该四种方法包括i)从基板送入部Aa的相应装载器56的顶侧的晶片W抽出，使处理后的晶片W从基板送出部Ab的各装载器56的顶侧进入，ii)从基板送出部Ab的各装载器56的顶侧的晶片W抽出，使处理后的晶片W从基板送出部Ab的各装载器56的底侧进入，iii)从基板输入部Aa的各装载器56的底侧的晶片W抽出，使处理后的晶片W从基板送出部Ab的各装载器56的顶侧进入，以及iv)从基板送入部Aa的各装载器56的底侧的晶片W抽出，使处理后的晶片W从基板送出部Ab的各装载器56的底侧进入。

基板送出部Ab除了未设置有晶片映像传感器65的方面以外，其它的基本结构与上述基板送入部***，卸载口12的结构也与上述的卸载口11相同。

还有，在装卸室A中，如上所述，叠置于基板送入部Aa和基板送出部Ab上的晶片W，W...按照上下方向，具有规定的排列间隙地水平排列，并且在装卸室A内不流动的清洁空气的流路按照从上述基板送出部Ab，朝向基板送入部Aa的方向沿水平流动的方式构成。具体来说，从装置主体1的前面部的HEPA过滤器13吸入的清洁空气首先从作为卸载侧的基板送出部Ab的处理好的晶片W，W...之间通过，然后，从作为装载侧的基板送入部Aa的处理前的晶片W，W...之间通过，从装置主体1的背面部的排气口51，送向图外的工厂排气通路。

通过进行考虑了这样的晶片W，W...的设置结构的清洁空气的气流控制，确保处理好的晶片W，W...的较高的清洁度。与此相对应，在机器人室B和处理室C内部流动的清洁空气的流路分别从设置于装置主体1的平顶部上的HEPA过滤器66，67朝向下方垂直地流动，从装置主体1的背面部的排气口52，送向图外的工厂排气通路，此时，各隔壁2，3起对这些清洁空气流换向的换向作用，形成在装卸室A内部流动的清洁空气的流路的隔壁，由此确保装置主体1内部的平顺的空气流路。

再有，装卸室A中的机械机构的驱动部，即升降定位装置61，晶片突出对齐机构64和晶片映像传感器65等的机械式驱动部全部按照SEMI标准，设置于高度900mm处的底侧，进行扬尘防止措施。

III.机器人室B：

机器人室B为在装卸室A与处理室C之间逐张地输送晶片W的部位，按照上述方式，其通过隔壁2的开口55，55，与装卸室A连通，并且通过相同的隔壁3的开口72，72，与处理室C连通。与上述隔壁2的开口55相同，将该开口72的开口面积设定在必要最小程度的尺寸即设定为使输送机器人70的手保持晶片，可穿过的最小的尺寸。

另外，采用下述结构，其中在处理室C的开口72，72的顶侧部分，设置有电离器94(参照图6)，在晶片W出入清洗处理腔10时，通过电离器94进行离子簇射(供给离子化的N₂等)，由此，防止晶片W的静电。即，由于在清洗处理腔10中，在晶片W的干燥时实现很高速度的旋转，故在晶片W中，产生静电，发生带电的可能性较高。由于这样的静电使灰尘等附着于晶片W上，故设置离子簇射94，以便防止上述静电。

机器人室B的主要部分由输送机器人70和基板翻转装置71构成。

输送机器人70在基板送入部Aa和基板清洗腔10之间，以及基板清洗腔10和基板送出部Ab之间，逐张地在水平状态输送晶片W。

具体来说，如图14和图15所示，该输送机器人70采用下述双臂机器人的形式，该双臂机器人具有进行升降动作和水平动作的一对手部70a，70b。该对手部70a，70b按照下述方式构成，该方式为：其中一个手部70a对清洗处理前的晶片W进行输送处理，另一手部70b对清洗处理后的晶片W进行输送处理，防止在处理好的晶片W上附着微粒等的杂质。

此外，设置于输送机器人70的手部70a，70b的前端部的基板保持部75采用放置晶片W的底面的软着陆式的支承形式，形成防止晶片W破损等的结构。

具体来说，输送机器人70可在机器人室B内部沿横向水平移动，输送机器人70中的手部70a，70b按照可升降和旋转的方式设置于机器人主体70c上。该手部70a，70b的驱动源由设置于机器人主体70c的内部的驱动马达形成。另外，虽然具体的结构没有示出，但是形成下述的结构，其中作为上述基板保持部75，采用陶瓷制的叉状部件，通过该基板保持部75的平直的顶面，从底侧将晶片W保持在水平状态，通过设置于该基板保持部75的顶面上的多个带锥体的定位销，使晶片W的外周缘实现定位。

此外，虽然在图中未示出，但是也可采用过去公知的真空吸附式的输送机器人的形式，为此，手部70a，70b的前端部分的基板保持部75为以真空吸附的方式夹紧晶片W的基板吸附部是可更换的结构，并且可与真空泵等的负压源连通，但是这一点在图中未示出。

还有，在输送机器人70中，通过手部70a或70b的手连杆动作，基板保持部75在水平状态，抽取基板送入部Aa的装载器56内部或基板清洗腔10中的基板支承部104上的晶片W，在输送机器人70移动后，或在其位置，朝向水平方向旋转运动规定角度，然后将该晶片转移上述基板支承部104上或基板送出部Ab的装载器56上。

在此情况，在基板送入部Aa或基板送出部Ab上，在晶片W相对装载器56进出时，通过按照随输送机器人70的动作而动作的升降定位装置61，装载器56沿垂直方向按照一个间距的量进行升降动作，实现晶片W，W...的送入送出用的定位。

再有，与上述的实施例相反，也可采用下述结构，其中在晶片W相对装载器56进出时，输送机器人70的手部70a或70b沿垂直方向按照一个间距量进行升降动作，然后，按照依次反复进行与上述相同的动作的方式，进行驱动控制。在此情况，无需升降定位装置61。

基板翻转装置71采用下述结构，其中对晶片W的内表面的上下位置进行转换处理，不仅对晶片W的外表面，也对内面进行清洗处理，进行工作。

具体来说，如图16～18所示，基板翻转装置71的主要部分由夹紧机构76，驱动缸装置77和驱动马达78构成。夹紧机构76采用下述结构，其中按照持握的方式夹紧支承晶片W的外周缘，一对活动夹头76a，76b按照可开闭的方式设置，在两个夹头76a，76b上，以嵌合方式支承晶片W的外周缘的带环状槽的支承辊79，79，79分别对应于晶片W的圆周，按照每三个呈环状设置，呈这样的环状设置的支承辊79，79，79分别成对地设置于同一轴上，同时可通过夹头支承两张晶片W，W。

上述活动夹头76a，76b采用通过驱动缸装置77，朝向水平方向中心实现开闭动作的结构。驱动缸装置77具体由将压缩空气作为工作媒体的气缸形成。

此外，两个夹头76a，76a通过驱动马达78，借助传动转矩机构，以沿垂直方向可旋转的方式被支承。

另外，不仅对晶片W的外表面，也对内面进行清洗处理，通过输送机器人70，将外表面侧的清洗处理完成的晶片W，W输送到基板翻转装置71上，对其进行翻转处理。即，基板翻转装置71通过驱动缸装置77，使夹紧机构76工作，呈持握方式夹紧支承晶片W的外周缘，然后通过驱动马达78的驱动，以低速，使以夹紧方式支承晶片W，W的夹紧机构76旋转180°，将晶片W，W翻转。再次通过输送机器人70，按照处理前的内面为顶侧的方式，分别将其内表面翻转的晶片W，W供给到处理腔C的基板清洗腔10，10中，还对该内面，进行清洗处理。

此外，与装卸室A相同，机器人室B的机械机构的驱动部，即输送机器人70和基板翻转装置71的机械式驱动部均按照SEMI标准，设置于高度900mm处的底侧，进行扬尘防止措施。

IV.处理室C：

处理室C包括至少一个单张式基板清洗腔10，该基板清洗腔10通过多种清洗液，逐张地对晶片W进行清洗，在图示的实施例中，如上所述，采用具有两台基板清洗腔10，10的双腔式。另外，作为通过量的对应措施，也可采用适当地使基板清洗腔10增加的，三腔式，四腔式。

如图19～24所示，基板清洗腔10的主要部分由可进行相对的上下方向移动的腔主体80和基板旋转装置81形成，基板旋转装置81呈同心状设置于腔主体80的中间部。

腔主体80采用下述结构，其中具有沿上下方向排列的多个(在图示的实施例中，为四个)的圆环状处理槽85～88，可沿上下方向进行升降动作。

具体来说，腔主体80采用具有可开闭的基板送入出用门90的密封容器的形式，具有化学药剂供给部91，惰性气体供给部92和排放部93，93’等。

腔主体80采用一个清洗槽的结构，其接纳一张晶片W，可实现封闭，该腔主体80由顶部处理等待部95和底部处理部96形成。

顶部处理等待部95为送入送出晶片W的部位，其采用下述结构，其中在其侧部，设置有送入送出晶片W用的上述门90，在该上半部上，按照可通过扳手拆下的方式设置有腔盖95a，容易进行腔主体80的内部的维修。

上述门90构成腔主体80的基板送入送出口，可实现开闭，具体来说，门90的开口面积可使将晶片W保持在水平状态的上述输送机器人70的手部70a，70b通过。另外，上述门90的门体90a通过气缸等的驱动源，可沿上下方向实现开闭，按照具有气密水密性的方式封闭。

还有，在顶部处理等待部95的内部，设置有上述化学药剂供给部91和惰性气体供给部92。

化学药剂供给部91向支承于基板旋转装置81上的晶片W的表面，供给清洗液，具体来说，其采用喷嘴的形式，其中该喷嘴从顶侧，向支承于基板旋转装置81的基板支承部104上的晶片W的表面，喷射供给清洗液。

该喷嘴91按照在朝向下方的状态，可水平旋转的方式，设置于上述腔主体80的顶部处理等待部95的内部，可与清洗液供给装置D连通。标号97表示喷嘴91的摆动用的驱动马达。

再有，喷嘴91在相对以水平状态旋转地支承于基板旋转装置81的基板支承部104上的晶片W的外表面，从其外周转到中心而水平旋转的同时，或在水平旋转而静止后，以喷射方式供给清洗液。

在图示的实施例中，在喷嘴91上，设置四个喷射孔(图中省略)，它们分别用作后面将要描述的APM液，纯水，DHF液，N₂的供给口。这些喷射孔呈椭圆锥状，它们按照将化学药剂呈椭圆锥状扩散地供给到晶片W的外表面上的方式构成。由此，随着晶片W的旋转动作的进行，清洗液相对晶片W外表面的供给分布快速并且均匀。

惰性气体供给部92供给惰性气体，该惰性气体用于排出置换腔主体80内部的清洗液，其设置于顶部处理等待部95的顶部，并且可与惰性气体供给源(图中省略)连通。在图示的实施例中，惰性气体采用N₂。另外，上述惰性气体供给源也可与上述喷嘴91连通，该喷嘴91还可采用能够用作惰性气体供给部的结构。

底部处理部96为对晶片W进行清洗处理的部位，如后面所述，其内径尺寸按照与基板旋转装置81的基板支承部104的关系设定。具体来说，基板支承部104的外径边缘和上述底部处理部96的内径边缘是不接触的，并且形成于这两个边缘之间形成的环状间隙按照阻止清洗液等朝向底侧泄漏的程度的微小间隙的方式设定。

另外，在底部处理部96的内部，上述四个圆环状处理槽85～88沿上下方向呈多层式或层状设置，并且在各处理槽85～88与底部处理部96的底部96a，分别设置有与装置外部连通的上述排放部93，93’，通过这些排放部93，93’，将各处理槽85～88内部的清洗液或惰性气体朝向装置外部排出。另外，各处理槽85～88中的排放部93采用下述结构，其中其仅仅在进行清洗处理时开口，在进行另一处理槽的清洗处理时其封闭。

此外，腔主体80通过LM导向部98，按照可沿上下方向垂直地升降的方式支承，并且具有升降机构100，该升降机构100相对基板旋转装置81的基板支承部104，每次按照规定行程的量实现升降。

具体来说，如图21所示，该升降机构100由进给丝杆100a和驱动马达100b，该进给丝杆100a使上述支承臂62进行升降动作，该驱动马达100b使该进给丝杆100a旋转驱动。

还有，通过随后面所述的基板旋转装置81的动作而动作的驱动马达100b的驱动，通过进给丝杆100a，腔主体80沿上下方向每次按照升降量升降规定行程，应进行清洗处理步骤的圆环状处理槽85～88中的任何有一个处理槽相对上述旋转装置81的基板支承部104，有选择地在其规定方向实现定位。

基板旋转装置81在对一张晶片W进行旋转清洗时和旋转干燥时，按照水平状态支承的同时，实现水平旋转，如图21～24所示，其包括驱动马达105，该驱动马达105将基板支承部104按照水平状态安装支承于旋转轴103的前端部分，并且旋转驱动该旋转轴103。

基板支承部104和旋转轴103按照下述方式构成，该方式为：通过轴承支承筒体106，以可旋转的方式呈同心状设置于腔主体80的中间部，按照水平状态将一张晶片W支承在基板支承部104上。具体来说，如图22～24所示，基板支承部104包括以夹紧方式支承晶片W的周缘部的多个(在图示的实例中，为六个)的夹紧臂110，110，...。

如图所示，这些夹紧臂110，110在水平状态，呈放射状设置，并且可通过开闭机构111沿放射方向作往复移动。分别设置于夹紧臂110，110...的前端的夹紧爪112，112...按照处于同一高度的方式设定，由此，在夹紧时，在水平状态以夹紧方式支承晶片W的周缘部。

再有，夹紧爪112的夹紧面112a的截面形状与晶片W的周缘部的截面形状相对应。即，具体来说，夹紧面112a按照下述方式形成，该方式为：其形成沿上下方向倾斜的直角平面，相对晶片W的矩形截面的周缘部，在点接触状态或线接触状态，以接触方式支承该周缘角部，虽然这一点在图中未示出。

由此，在夹紧臂110，110，...进行夹紧时，晶片W的周缘部通过上述夹紧面112a，112a，...按照沿上下方向约束的状态的方式支承。另外，该支承状态按照晶片W的周缘部不是固定的，允许周缘部有一定的移动的方式设定。由于通过形成这样的结构，仅仅支承晶片W的周缘部，故不将晶片W的内侧弄脏，由于夹紧面112a与晶片W的周缘部的截面形状相对应，故具有夹紧晶片W的周缘部不发生破损等的效果。

上述开闭机构111的主要部分由设置于旋转轴103的内部的驱动缸装置111a，以及连接金属丝111b，111b，...构成，该连接金属丝111b，111b，...将该驱动缸装置111a和上述夹紧臂110，110，...连接。

另外，形成下述结构，其中通过上述驱动缸装置111a的伸出动作，借助连接金属丝111b，111b，...，将夹紧臂110，110，...朝向径向内侧拉入，进行夹紧动作，通过驱动缸装置111a的回收动作，在恢复弹簧111c，111c，...的弹性恢复力的作用下，将夹紧臂110，110，...朝向径向外侧推动，解除夹紧动作。

此外，形成下述结构，其中旋转轴103通过轴承支承筒体106，呈直立状旋转地支承，并且其底端部以可通过带驱动的方式与驱动马达105连接，通过该驱动马达105的驱动，实现旋转驱动，上述基板支承部104按照规定的旋转数量实现旋转。在图示的实施例中，轴承支承筒体106的旋转速度在旋转清洗处理时，设定在40～50r.p.m的范围内，并且在旋转干燥时，设定在约3000r.p.m。

于是，在按照上述方式构成的基板清洗腔10中，通过上述腔主体80沿上下方向的升降，实现支承于基板旋转装置81的基板支承部104上的晶片W与上述腔主体80的处理槽85～88中的任何一个的定位，并且通过基板旋转装置81，按照规定的旋转速度，使支承于基板支承部104上的晶片W水平旋转。

按照上述方式，由于基板清洗腔10按照下述方式构成，该方式为：将基板旋转装置81沿上下方向的移动固定，并且上述腔主体80沿上下方向升降，故具有下述优点，即实现高速旋转的基板旋转装置81的支承结构简单，并且牢固，有效地防止在基板旋转装置81的旋转部，即基板支承部104上，产生旋转振动，其结果是，正确地保持底部处理部96的内径边缘和基板旋转装置81的基板支承部104的外径边缘之间的微小间隙，可长期稳定地阻止清洗液等朝向底侧泄漏。但是，对应于此目的，也可采用与此相反的方案，即采用下述方案，其具有确保基板旋转装置81沿上下方向移动的结构，并且上述腔主体80沿上下方向固定。

V.清洗液供给装置D：

清洗液供给装置D为供给源，该供给源将清洗液供给处理室C的基板清洗腔10，在图示的实施例中，采用双化学药剂***，该***有选择地包括用于进行APM(NH₄OH+H₂+O₂+H₂O)液的清洗的结构，用于进行DHF(HF+H₂O)液的清洗的结构，与此相对应，在基板清洗腔10的腔主体80中的处理槽85～88中，最底层的处理槽85用于采用APM液的清洗步骤，其上层的处理槽86用于采用DHF液的清洗步骤，其上层的处理槽87用于采用纯水的冲洗，最顶层的处理槽88用于旋转干燥。

另外，通过有选择地设定清洗步骤的配方，可有选择地进行i)APM+DHF+O₃+DIW+DRY，ii)APM+DHF+DRY，iii)APM+DRY和DHF+DRY等的清洗步骤。

VI.***控制装置E：

***控制装置E按照相互保持联动的方式，对上述的基板送入部Aa，输送机器人70，基板翻转装置71，基板清洗腔10，10和基板送出部Ab进行驱动控制，通过该***控制装置E，下面的基板清洗***的一系列的晶片处理步骤从晶片W的前步骤的送入时到下一步骤的送出时，全自动地进行。

(1) 晶片W，W，...的送入：

清洗处理前的晶片W，W...通过AGV等，从前一步骤，按照接纳于装载器56中的垂直状态，传送到操作空间○。

将装置主体1的装载口11打开，清洗处理前的晶片W，W...从将装载器56卧倒的垂直状态，变化到水平状态，然后通过自动送入装置(图中省略)或操作人员的手动作业，借助上述装载口11，在接纳于装载器56中的状态，分别送入设置到装卸室A的基板输入部Aa的基板保持部60中的上下两层的保持台60a，60a上。

在此情况，首先，将装载器56放置到顶侧的第一层的保持台60上，然后，通过升降定位装置61，基板保持部60上升，将下一装载器56放置到底侧的第二层的保持台60上。

在再次关闭上述装载口11后，通过装载器倾斜检测传感器63，检测装载器56的倾斜的有无进行检测，如果未倾斜，则通过晶片突出对齐机构64，将其对齐，并且通过晶片映像传感器65，检测晶片W，W，...的排列状态，等待机器人室B的输送机器人70。

输送机器人70对应于晶片映像传感器65的检测结果，逐张地在水平状态，抽取装载器56内的晶片W，依次将其送入处理室C的各处理清洗腔10的腔主体80的内部。

此时的输送机器人70的晶片W的抽取通过隔壁2的开口55进行，按照晶片映像传感器65的检测结果，随着借助升降定位装置61进行的装载器56的定位动作(装载器56沿垂直方向按照一个间距量升降，晶片W，W，...的送入用的定位动作)的进行，依次从最顶部或最底部的晶片W进行上述抽取动作。

借助输送机器人70的晶片W的输入在下述状态，通过隔壁3的开口72和腔主体80的门90进行，该状态指基板清洗腔10的基板支承部104上升等待于腔主体80的顶部处理等待部95内部的晶片送入送出位置。上述门90仅仅在晶片W的送入送出时打开，从而有效地防止腔主体80内部的烟尘的扩散，腔主体80内部的微粒的流入等情况。

如果将晶片W送入到腔主体80内部的基板支承部104上，则夹紧臂110，110，...在水平状态，以夹紧方式支承晶片W的周缘部。

(2) 基板清洗腔10中的湿法处理：

如果基板支承部104以夹紧方式支承晶片W，则通过腔主体80的升降动作，将该晶片定位于底部处理部96内部的晶片清洗处理位置，然后按照预定的顺序，进行上述的各种清洗处理。

比如，如果采用上述ii)的清洗处理步骤(APM+DHF+DRY)，则通过腔主体80的升降定位，将基板支承部104上的晶片W首先定位设置于最底层的处理槽85中，从喷嘴91供给APM液，并且通过基板选择装置81的低速旋转，进行旋转清洗，然后，将该晶片W定位设置于从上方数的第二层的处理槽87中，从喷嘴91，供给纯水，与此同时，通过基板旋转装置81的低速旋转，进行冲洗。接着，将该晶片W定位设置于从上方数的第3层的处理槽86中，从喷嘴91，供给DHF液，并且通过基板选择装置81的低速选择，进行旋转清洗，然后，再次将其定位设置于处理槽87中，从喷嘴91，供给纯水，与此同时，通过基板旋转装置81的低速选择，进行冲洗。最后，将其定位设置于最顶层的处理槽88中，从喷嘴91，喷射惰性气体，即N₂(氮气)，与此同时，通过基板旋转装置81的高速旋转，进行旋转干燥。

在此情况，通过来自惰性气体供给部92的惰性气体，即在本实施例的情况，为N₂(氮气)的送入，通过该N₂对该腔主体80内部进行洗涤，从各腔的排放部93，强制排放气体，由此，在腔主体80的内部，产生从惰性气体供给部92，到各腔的排放部93的通路的气流，有效地防止腔主体80的内部的烟雾的卷起。

此外，各处理槽85～88的排放部93仅仅在于该处理槽中进行清洗处理时打开，在另一处理槽中进行清洗处理时关闭，由此，促进上述腔主体80的内部的N₂的洗涤效果。

如果对晶片W外表面的一系列的清洗处理结束，则通过腔主体80的下降动作，再次将基板支承部104相对地上升到顶部处理等待部95内部的晶片送入送出位置，然后等待机器人室B中的输送机器人70。

在此情况，当还对晶片W的内面进行清洗处理时，通过输送机器人70将晶片W朝向基板翻转装置71传送，在将内表面翻转后，再次将其送入上述基板支承部104，对该晶片W的内面，进行上述一系列的清洗处理。

(3) 晶片W，W，...的送出：

再次通过输送机器人70，按照与前述相反的步骤，从各基板清洗腔10的腔主体80中，将进行完基板清洗腔10的一系列的清洗处理的晶片W送出，依次按照水平状态，将其送出接纳于装载器56，56的内部，该装载器56，56分别等待于基板送出部Ab的基板保持部60的上下两层的保持台60a，60a上。

此情况的具体送出接纳动作与上述的(1)的晶片W，W，...的送入动作的核心内容相同。

接着，如果在这些装载器56，56的内部的全部保持槽中，排列满清洗后的晶片W，W，...，则将装置主体1的卸载口12打开，将装载器56，56朝向下一步骤的溅射或CVD处理等的薄膜形成用的处理步骤传送。

在以上的一系列的动作中，借助输送机器人70的装载器56内的晶片W，W...的处理顺序按照前述的方式，从四种的方法i)～ii)中选择设定。

还有，装卸室A的基板送入部Aa与基板送出部Ab的装载作业与卸载作业实际上是同时进行的。

于是，在按照上述方式构成的基板清洗***中，由于在以可密封的方式形成的装置主体1的内部，设置有装卸室A，机器人室B和处理室C，各室A，B，C按照具有必要最小程度的开口面积的隔壁2，3分隔形成，故将装置主体1内部与外部的除尘室的空气的进出抑制到必要的最小程度，可将装置主体1的内部保持在非常高的清洁度的气氛中。

再有，由于采用逐张地对晶片W进行处理的单张式，故可在几乎不会再次付着微粒等的情况下，对每张晶片W进行精密处理，另外基板清洗腔10的清洗空间也较小，此外清洗液的量也较少。

另外，由于采用下述单腔式，其中通过借助多种清洗液，逐张地对晶片W进行清洗处理的，即以一个基板清洗腔10，进行全部清洗步骤，故在清洗步骤中，晶片W没有进出动作，也不受到在与大气接触后，金属污染，离子或氧气等的影响，还可简化各基板清洗腔的结构，使其整体尺寸减小。

此外，在上述装置主体1的前后两侧，分别设置上述装卸室A和处理室C，并且在这两个室A，C之间，设置机器人室B，这样在处理室C的清洗处理时所产生的有害气体或微粒不会泄漏到装置主体1的外部的操作空间○。

还有，上述装卸室A按照下述方式构成，该方式为：叠置于上述基板送入部Aa和基板送出部Ab上的晶片W以规定间距，沿上下方向，按水平状态排列，并且在装卸室A内部流动的清洁空气从基板送出部Ab，朝向基板送入部Aa水平地流动，故有效地防止来自清洗处理前的晶片W的微粒等再次附着于清洗处理后的晶片W上。

同样，由于机器人室中的输送机器人70采用具有一对手部的摆动臂机器人的形式，其按照其中一个手部对清洗处理前的晶片W进行输送处理，并且另一手部对清洗处理后的晶片W进行输送处理的方式构成，故有效地防止来自清洗处理前的晶片W的微粒等再次附着于清洗处理完的晶片W上。

再有，上述的实施例完全给出的是本发明的优选的实施形式，本发明可不限于该实施例，可在本发明的范围内，进行各种设计变更。

比如，本实施例的基板清洗腔10具有下述结构，其中该腔显然用作作为上述的基板清洗***的基本单元组成部分的基板清洗装置，即使在本装置独立的情况下，其也可用作单腔单张式的基板清洗装置，该装置在单一的腔主体80的内部逐张地通过多种清洗液对晶片W进行清洗处理，本装置也可单独使用。

另外，本实施例中所采用的清洗液完全是一个实例，也可根据使用目的，采用比如，HPM(HCl+H₂O₂+H₂O)或SPM(H₂SO₄+H₂O₂+H₂O)等的其它的清洗液。

如上面具体描述的那样，根据本发明，由于在以可密封的方式构成的装置主体内部，设置有装卸室，该装卸室由多个清洗处理前的基板按照叠置的方式实现送入等待的基板送入部和多个清洗处理后的基板按照叠置的方式实现送出等待的基板送出部构成；处理室，处理室具有通过多种清洗液逐张地对基板进行清洗处理的至少一个单张式的基板清洗腔；机器人室，该机器人室具有在上述处理室与装卸室之间，逐张地输送基板的输送机器人，这些室按照具有必要的最小程度的开口面积的隔壁，分隔形成，故可提供下述基板清洗***，该基板清洗***具有密封的清洗室内部，在不带盒的情况下逐张地对晶片进行湿法清洗的单张式湿法清洗的优点，并且微粒也不再次附着，可高精度地在较高清洁度气氛中进行清洗，此外装置结构简单，整体尺寸较小，成本性能也优良。

因此，可迎接最近的半导体装置的亚微米时代的到来，即使对于伴随这样的装置结构细微化，高集成化，晶片外表面所要求的非常高的清洁度，仍可充分地应对。

即，由于在按照可密封的方式构成的装置主体内部，设置上述装卸室，处理室和机器人室，这些室通过具有必要的最小程度的开口面积的隔壁，分隔形成，故可将空气相对装置主体的内部和外部的除尘室的进出抑制在必要的最小程度，可使装置主体内部保持在非常高的清洁度的气氛中。

其结果是，可有效地防止微粒再次附着于清洗处理后的晶片上，或有效防止伴随晶片的清洗处理的清洗液等的飞沫或来自晶片本身的灰尘对作业人员造成的不利影响。

此外，由于各室通过具有必要的最小程度的开口面积的隔壁，分隔形成，故可仅仅在处于最腐蚀性气氛中的处理室中，进行耐腐蚀性材料的涂敷处理，不必在装置主体的整个壁面上，进行耐腐蚀性涂敷处理。因此，可减小***的制造成本和装置成本。

还有，由于采用逐张地处理晶片的单张式，故微粒等也几乎不再次附着，可对每个晶片进行精密处理，基板清洗腔的清洗空间也减小，清洗液用量也较少，还可降低成本。

再有，由于采用单腔式，其中通过借助多种清洗液逐张地对晶片进行清洗处理的，即以一个基板清洗腔，进行全部清洗步骤，故在清洗步骤中，晶片不进出，不受到在与大气接触后，金属污染，离子或氧气等的影响，还可简化各基板清洗腔的结构，并且使其整体尺寸减小。

另外，由于采用下述结构，其中在上述装置整体的前后两侧，分别设置有装卸室和处理室，并且在该装卸室与处理室之间，设置有机器人室，故在处理室中的清洗处理时所产生的有害气体或微粒不会泄漏到装置主体外部的操作空间，可进一步有效地防止对作业人员的不利影响。

由于上述装卸室按照下述方式构成，该方式为：叠置于上述基板送入部和基板送出部中的晶片沿上下方式以规定的排列间距，按照水平状态排列，并且在上述装卸室内部流动的清洁空气从上述基板送出部朝向基板送入部水平地流动，故可有效地防止来自清洗处理前的晶片的微粒等再次附着于清洗处理好的晶片上。

同样，由于上述机器人室的输送机器人采用具有一对手部的摆动臂机器人的形式，其按照其中一个手部对清洗处理前的晶片进行输送处理，并且另一手部对清洗处理后的晶片进行输送处理的方式构成，故有效地防止来自清洗处理前的晶片的微粒等再次附着于清洗处理好的晶片上。

Claims

1.一种基板清洗***，其特征在于在以可密封的方式构成的装置主体内部，设置有装卸室，该装卸室由多个清洗处理前的基板按照叠置的方式实现送入等待的基板送入部和多个清洗处理后的基板按照叠置的方式实现送出等待的基板送出部构成；处理室，处理室具有通过多种清洗液逐张地对基板进行清洗处理的至少一个单张式的基板清洗腔；机器人室，该机器人室具有在上述处理室与装卸室之间，逐张地输送基板的输送机器人，这些室通过具有必要的最小程度的开口面积的隔壁，分隔形成；

在上述装置主体的前后两侧，分别设置上述装卸室和处理室，并且在该装卸室与处理室之间，设置上述机器人室；

在上述装卸室中，开设有可朝向装置主体的外部的操作空间开放的开闭口；

上述装卸室按照下述方式构成，叠置于上述基板送入部和基板送出部中的基板沿上下方式以规定的排列间距，按照水平状态排列，并且在上述装卸室内部流动的清洁空气从上述基板送出部朝向基板送入部水平地流动。

2.如权利要求1所述的基板清洗***，其特征在于在上述基板送入部和基板送出部中，分别具有基板保持部，该基板保持部保持下述装载器，该装载器沿上下方向，以规定排列间距按照水平状态接纳有多张基板；升降定位装置，该升降定位装置使该基板保持部沿上下方向移动，进行上述装载器内部的基板的送入或送出用的定位。

3.如权利要求2所述的基板清洗***，其特征在于上述基板保持部沿上下方向，按照至少两个规定间距，设置保持上述装载器的保持台。

4.如权利要求1所述的基板清洗***，其特征在于上述机器人室中的输送机器人具有能进行升降动作的同时也能进行水平动作的一对手部的摆动臂机器人的形式；

该输送机器人按照其中一个手部对清洗处理前的基板进行输送处理，并且另一手部对清洗处理后的基板进行输送处理的方式构成。

5.如权利要求4所述的基板清洗***，其特征在于设置于上述输送机器人中的手部的前端部分的基板保持部通过该基板保持部的平直的顶面，从底侧将基板保持在水平状态。

6.如权利要求1所述的基板清洗***，其特征在于上述机器人室包括对基板的内外表面的上下位置进行转换处理的基板翻转装置。

7.如权利要求1所述的基板清洗***，其特征在于对上述处理室的内壁面进行氯乙烯树脂的耐腐蚀性涂敷处理，并且对其它的壁面进行耐酸涂敷处理。

8.如权利要求1所述的基板清洗***，其特征在于上述处理室的单张式基板清洗腔由腔主体和基板旋转装置形成，该腔主体包括沿上下方向排列的多个环状处理槽，沿上下方向进行升降动作，该基板旋转装置在该腔主体的中间部，与腔主体呈同心状设置，在于水平状态支承一张基板的同时，使其水平旋转；

该清洗腔按照下述方式形成，该方式为：通过上述腔主体的沿上下方向的升降，实现支承于上述基板旋转装置上的基板和上述环状处理槽的定位。

9.如权利要求8所述的基板清洗***，其特征在于上述腔主体采用具有可开闭的基板送入送出用的门的密封容器的形式。

10.如权利要求8或9所述的基板清洗***，其特征在于上述腔主体包括化学药剂供给部，该化学药剂供给部向支承于上述基板旋转装置上的基板的外表面，供给清洗液；惰性气体供给部，该惰性气体供给部供给排出置换腔主体内部的清洗液用的惰性气体；排放部，该排放部设置于上述各处理槽中，将该处理槽内的清洗液或惰性气体排出。