CN118284856A - 光阻剂的图案化方法和相关的图案化*** - Google Patents

光阻剂的图案化方法和相关的图案化*** Download PDF

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Abstract

根据本发明的示范性实施例，提供有一种图案化光阻剂的方法。所述方法包括：使用照射***选择性地照射所述光阻剂的边缘部分，以形成所述光阻剂的图案化部分。

Description

光阻剂的图案化方法和相关的图案化***
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年11月22日提交的美国临时申请No.63/281,986的优先权，其内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明关于光刻***(lithographic system)，且更特别是，关于图案化光阻剂/光刻胶的方法和***。
背景技术
在进行结合电镀过程的光阻剂的光刻图案化的微电子制程中，所述电镀过程倾向会产出不均匀厚度的传导/导电结构。具体而言，此类电镀的传导结构的厚度(或其他尺寸)倾向朝向基板边缘的方向逐渐增加。结果，有时候就会在基板边缘产生出虚置图案(dummypattern)。
因此，提供改善的图案化光阻剂的方法及其相关的图案化***是有所需求的。
发明内容
根据本发明的示范性实施例，提供有一种图案化光阻剂的方法。所述方法包括使用照射***选择性地照射该光阻剂的边缘部分，以形成该光阻剂的图案化部分。
根据本发明的另一示范性实施例，提供有另一种图案化光阻剂的方法。所述方法包括以下步骤：(a)图案化该光阻剂的第一部分，以形成该光阻剂的第一图案化部分，所述第一图案化部分对应半导体元件的主动区，以及(b)使用照射***选择性地照射该光阻剂的第二部分，以形成该光阻剂的第二图案化部分，所述第二图案化部分对应所述半导体元件的非主动区。
根据本发明的又一示范性实施例，提供有又一种图案化光阻剂的方法。所述方法包括以下步骤：(a)图案化该光阻剂的第一部分，以形成该光阻剂的第一图案化部分，所述第一图案化部分包括第一图案化特征，所述第一图案化特征具有小于10微米的尺寸，以及(b)使用照射***选择性地照射该光阻剂的第二部分，以形成该光阻剂的第二图案化部分，所述第二图案化部分包括第二图案化特征，所述第二图案化特征具有大于10微米(或大于20微米、或大于50微米)的尺寸。如本领域技术人员将会理解的，这些尺寸是在横向方向上(例如，图案化特征的宽度、图案化特征的长度、图案化特征的长度和宽度)，相对于在竖直方向上(例如，图案化特征的深度)。
根据本发明的示范性实施例，提供有一种图案化***。所述图案化***包括的支撑结构，用于支撑的光阻剂。所述***也包括照射***，所述照射***被配置成选择性地照射该光阻剂的边缘部分，以形成该光阻剂的边缘图案化部分。
附图说明
当参照所附附图阅读本发明时，可从以下详细描述得到最佳理解。要强调的是，根据常规做法，附图中的各种特征并非按比例缩放。相反地，为了清楚表示，各种特征的尺寸可任意放大或缩小。附图中包括如下图：
图1A至图1B各自包括有益于解释本发明的各种示范性实施例的工件组件的侧视图和俯视图。
图2A至图2D是根据本发明的示范性实施例绘示图案化光阻剂的方法的图案化***的一系列方框图型侧剖视图。
图2E是根据本发明的示范性实施例表示用于处理光阻剂以形成传导结构的***的方框图。
图2F至图2H是图2E的***各部分的一系列方框图型侧剖视图。
图3是根据本发明的示范性实施例的包括多个光源的图案化***的方框图型侧剖视图。
图4是根据本发明的示范性实施例的包括多个图案化子***的图案化***的方框图型侧剖视图。
图5是根据本发明的示范性实施例的包括使用多个聚光束的照射***的图案化***的方框图型侧视图。
图6A是根据本发明的各种示范性实施例的图案化光阻剂的视图，其细节采用示范性填充因子绘示于图6B至图6D中。
图7A至图7C绘示根据本发明的各种示范性实施例的照射图案。
图8是根据本发明的示范性实施例图案化的光阻剂的俯视图。
图9是根据本发明的示范性实施例图案化的光阻剂的俯视图。
图10至图12是根据本发明的示范性实施例绘示图案化光阻剂的方法的流程图。
具体实施方式
如在本文中所使用的，术语“聚光束(spot light beam)”意图要广泛地解释，而不应局限于任何具体形状或配置。因此，聚光束不局限于“圆形的”配置。
如在本文中所使用的，术语“基板(substrate)”可意指任何类型的基板，例如，半导体晶圆、面板、托盘、绝缘基板、半导体元件、多个半导体元件等等。在一些实施例中(例如，当基板为绝缘基板时)，“晶种层”(也就是，将生长传导结构的传导层)可被使用。
如在本文中所使用的，术语“半导体元件(semiconductor element)”意图要指意指任何包括(或在后面步骤配置以包括)半导体芯片或晶粒的结构。示范性半导体元件，除了别的以外，包括裸半导体晶粒、基板(例如，引线框架、PCB、载体、半导体芯片、半导体晶圆、面板、BGA基板、半导体元件等等)上的半导体晶粒、半导体晶圆、封装的半导体装置、覆晶半导体装置、嵌入基板中的晶粒、半导体晶粒堆迭。
如上面所提供的，示范性半导体元件为半导体晶圆、面板、或包括多个半导体晶圆的其他结构。如本领域技术人员将会理解的，半导体元件的“主动区/活跃区(activearea)”为被配置成之后在半导体装置制造中被使用的部分。举例而言，在半导体晶圆(或面板)中，主动区可意指包括要被使用制造半导体装置的多个半导体晶粒的部分。对照之下，半导体元件的“非主动区/非活跃区(inactive area)”为在之后半导体装置制造中不被使用的部分(例如，将被丢弃的部分)。
贯穿本文件，相似的参考数字意指相似的元件，除非另有指示。因此，关于特定附图省略特定元件的描述以避免重复造成混淆。
根据本发明的某些实施例，提供有一种将光阻剂的边缘部分图案化的方法(例如，快速直接写入图案化)。借由用于将光阻剂的边缘区域快速图案化的专属方法，电镀层的制造在厚度均匀性和处理速度方面有所改善。填充因子(fill factor)(其中，填充因子意指由导体覆盖的一部分区域，如图6B至图6D所示)可被最佳化已对特定产品图案改善厚度均匀性。另一新特征为一般边缘图案的可调性；这提供额外的自由度用于使厚度变化最小化。使用此类方法，便可提供具有可调的填充因子的一般图案。
于此说明将光阻剂的边缘部分图案化的各种方案，除了别的以外，包括，例如：扫描方案，其中来自光源的照射聚焦在单一光斑上；照射被分成多个被并行曝光(exposed inparallel)的光斑；多光斑扫描方案是基于主动元件(例如，空间光调变器)结合投影光学***。提议的实施例可使用独立边缘处理工具执行或作为一般目的光刻工具中的额外的子***。
经由本发明的各种实施例，提供有产生改善的图案化层(例如，用电镀制造)的厚度均匀性的快速曝光过程。此类曝光过程可在微电子制造中具有用处，例如，用于制造再分配和接触层。
根据本发明的特定示范性方面，多道聚光束被产生用于将光导体的边缘部分图案化。所述多道聚光束可使用照射***的主动光学组件(例如，包括空间光调变器与投影光学***相结合)或被动光学组件(例如，包括衍射光学元件)中至少之一提供。
现在参考附图，图1A绘示工件组件128的侧视图和俯视图。工件组件128包括工件124和基板104(例如，半导体晶圆等等)。工件124包括晶种层114和光阻剂102(其装设在晶种层114上)。光阻剂102包括边缘部分102a和内部部分102b。画轮廓记号130为使用虚线绘示以指示边缘部分102a与内部部分102b之间大概的区别。画轮廓记号130也指示区域118a(也就是，与半导体元件的非主动区相对应的区域)与区域118b(也就是，与半导体元件的主动区相对应的区域)之间大概的区别。也就是，在未来的某一时点(在进一步处理之后)，区域118a将会包括一个或更多个主动半导体元件，而区域118b将不会包括主动半导体元件。
现在参考图1B，绘示有工件组件129的侧视图和俯视图。工件组件129与工件组件128在很多方面相似，除了工件组件129大体上为长方形(例如，面板配置、正方形面板配置等等)，而工件组件128大体上为圆形(例如，晶圆配置)。工件组件129包括工件125和基板105。工件125包括晶种层115和光阻剂103(其装设在晶种层115上)。光阻剂103包括边缘部分103a和内部部分103b。画轮廓记号131为使用虚线绘示以指示边缘部分103a与内部部分103b之间大概的区别。画轮廓记号130也指示区域119a(也就是，与半导体元件的非主动区相对应的区域)与区域119b(也就是，与半导体元件的主动区相对应的区域)之间大概的区别。
现在参考图2A至图2D，绘示有图案化***200照射工件124(例如，图1A的工件124)。图2A至图2D绘示“投影光刻步进机(projection litho stepper)”***；然而，可理解的是，本发明的此方面并不局限于此类***，举例而言，此***可为“光刻扫描机”(标线片和基板都移动)、“光刻直接写入”(LDI)(其使用一个或以上的聚焦光束写入高解析特征)、或是本发明范畴中另一类型的***。特别参考图2A，图案化***200包括支撑结构220，用于支撑工件组件128(包括工件124和基板104)。支撑结构220能在水平的x和/或y方向上移动。图案化***200还包括照射***216a，照射***216a能在水平的x和/或y方向上移动。照射***216a包括光源206和光学组件234。光学组件234包括照射光学***232、光罩212(例如，标线片)、和投影光学***210。最后，图案化***200包括光学组件208，光学组件208装设在支撑结构220与光源206之间，并且能在水平的x和/或y方向上移动。
光源206被绘示为提供光206a至光学组件234的照射光学***232。光206a被传递通过光罩212以产生图案。光210a(也就是，内部图案化的光)被绘示为投影通过投影光学***210，在此处光210a在照射到光阻剂102的一区域(也就是，内部部分102b)之前被放大或收缩。光学组件234使用光210a照射一照射区域210a’，因此内部图案化部分102b1在该处形成。在图2B中，照射***216a已沿水平轴线(例如，x轴线)移动，同时照射内部部分102b以形成内部图案化部分102b1，从而图案化整个内部部分102b。
在图2C中，光源206已移动至光学组件208上方的位置以形成照射***216b。照射***216b被定位至光阻剂102的边缘部分102a上方。光源206被绘示为传递光206a至光学组件208。照射***216b被绘示为选择性地照射边缘部分102a。照射***216b传递光束208a(例如，聚光束)至光阻剂102的边缘部分102a，从而形成图案化部分102a1。在图2D中，照射***216b被定位至光阻剂102的边缘部分102a的另一部位的上方，以选择性地照射边缘部分102a的另一部位。照射***216b被绘示为传递另一束光束208a至光阻剂102的另一边缘部分102a，从而形成另一图案化部分102a1。因此，照射***提供聚光束，所述聚光束在边缘部分102a的不同位置处被选择性地开启和关闭，以形成光阻剂102的边缘图案化部分。
尽管光源206、光学组件234、光学组件208、照射***216a、和/或照射***216b绘示为沿水平轴线(例如，x轴线、y轴线等等)移动，但本发明并不限于此。举例而言，支撑结构220可被移动以实现预期的相对移动。其他配置为可预期的。
现在参考图2E，其中绘示有用于处理光阻剂以形成传导结构的***250的方框图。***250包括光阻剂显影台250a、导体(例如，传导结构)生长台250b、和光阻剂移除台250c。现在参考图2F，工件124被绘示为在光阻剂显影台250a中被显影。支撑结构222a支撑工件组件128。举例而言，光阻剂显影溶剂可被使用以洗掉图案化部分102a1和102b1的可溶解光阻剂，从而分别在边缘部分102a和内部部分102b中产生孔102a1’和102b1’。
在图2G中，工件124被绘示为在导体生长台250b中(例如，使用电镀或类似的过程)处理。支撑结构222b(其可为相同的支撑结构222a或不同的支撑结构)支撑工件组件128。如图所示，施加电镀至工件组件128，从而在光阻剂102的边缘部分102a中生长多个传导结构114a。同时，在光阻剂102的内部部分102b中生长多个传导结构114b。如图所示，传导结构114a可比传导结构114b高。
在图2H中，(来自图2G的)光阻剂102被绘示为在光阻剂移除台250c中被移除。支撑结构222c(其可为相同的支撑结构222a、支撑结构222b、或不同的支撑结构)支撑工件组件128。光阻剂移除材料(例如，液态光阻剂剥离剂等等)被施加至(来自图2G的)光阻剂102，以暴露多个传导结构114a和114b。为求简洁和清楚，某些可采取的步骤在这些绘示中被省略(诸如蚀刻去除晶种层114和基板104等等的不期望部分)。
如同上面关于图2A至图2D的描述，两个照射***216a和216b都包括共同的光源206。然而，各别的照射***可包括单独的光源(例如，第一照射***可包括第一光源，而且第二照射***可包括第二光源)。现在参考图3，图案化***300被绘示为具有包括光源336a的照射***316a以及包括光源336b的照射***316b。支撑结构320(其可为相同的支撑结构220或不同的支撑结构)支撑工件组件128。图3中的其他元件与图2A至图2D中的相同。
现在参考图4，图案化***400被绘示为具有两个图案化子***：图案化子***426a和图案化子***426b。图案化子***426a包括照射***416a(例如，包括直接写入照射工具)，用于选择性地照射内部部分；图案化子***426b包括照射***416b(例如，包括直接写入照射工具)，用于选择性地照射边缘部分。工件组件128被绘示为由支撑结构420、422(其可为与支撑结构220、320相同、或是不同的支撑结构)支撑。工件组件被绘示为从图案化子***426a被传送至图案化子***426b。
现在参考图5，光源206定位在光学组件208上方以形成照射***216b(类似图2C至图2D中所显示的方位配置)。照射***216b定位在光阻剂102的边缘部分102a上方。光源206被绘示为将光206a传递至光学组件208。照射***216b被绘示为将多道光束208a(例如，多道聚光束)传递至光阻剂102的边缘部分102a，从而形成图案化部分102a1。因此，照射***提供多道聚光束，在边缘部分102a不同的位置处选择性地开启和关闭所述多道聚光束，以形成光阻剂102的边缘图案化部分。
现在参考图6A，绘示了在照射步骤(例如，选择性地照射)之后的光阻剂102。在图6B显示的细节中，边缘部分102a的图案化部分102a1被绘示为具有图案化特征102a1a的低填充因子(例如，5％的填充因子)，所述图案化特征具有大于(或等于)10微米的尺寸(但也可能为大于20微米、或大于50微米、或其他尺寸)。在图6C显示的细节中，边缘部分102a的图案化部分102a1被绘示为具有图案化特征102a1b的高填充因子(例如，95％的填充因子)。在图6D显示的细节中，内部图案化部分102b1被绘示为具有图案化特征102b1a，所述图案化特征102b1a具有小于(或等于)10微米的尺寸(得以理解的是，这些图案化特征的至少一部分可大于10微米)。如本领域技术人员将理解的，与在竖直方向上(例如，图案化特征的深度)相比，这些尺寸是在横向方向(例如，图案化特征的宽度、图案化特征的长度、图案化特征的长度和宽度等等)上。
现在参考图7，绘示有各种照射图案。图7A绘示有线性光图案(例如，在2D空间光调变器上产生)，所述线性光图案被投影至基板(例如，在晶圆级别处)。所述图案包括照射部分708a1和非照射部分708a2。所述光图案(例如，光强度图案)可由空间光调变器产生。图7B绘示有线性光图案，所述线性光图案被投影至基板上。图7C绘示有光阻剂中的曝光图案。借由扫描和脉冲(也就是，开启和关闭)照射图案产生非照射部分708a3。
现在参考图8，绘示了在照射步骤(例如，选择性地照射)之后的光阻剂102。光阻剂102被指示为在方位角方向上(也就是，在顺时针方向上)被选择性地照射。照射***(图中未示)可在方位角方向上被移动，支撑结构(图中未示)可在方位角方向上移动光阻剂102，或者所述移动的组合。
现在参考图9，绘示了在照射步骤(例如，选择性地照射)之后的光阻剂102。光阻剂102被指示为以步进的方式和/或借由照射***(图中未示)或支撑结构(图中未示)的线性地扫描被选择性地照射。光阻剂的内部区域(在扫描的情况下可能是一维的，或者在步进的情况下可能是二维的)中一定宽度的照射场域被指示为210a’。
现在参考图10，绘示有图案化光阻剂的方法。在选择性的步骤1000处，光阻剂的内部部分被图案化。举例而言，光阻剂的内部部分可借由照射所述内部部分(例如使用光罩、直接写入照射工具)被图案化。在步骤1002处，使用照射***选择性地照射光阻剂的边缘部分以形成光阻剂的图案化部分。举例而言，选择性地照射光阻剂的边缘部分的步骤可包括：使用照射***的聚光束(或多道聚光束)(例如，在所述边缘部分的不同位置处选择性地开启和关闭)以形成光阻剂的图案化部分。
于此所揭露的本发明的各种实施例中(包括在图10至图12中所显示的实施例)，边缘部分的照射可经由扫描过程完成，举例而言，借由移动照射***和/或支撑光阻剂的基板。举例而言，选择性地照射光阻剂的边缘部分的步骤可包括：移动(i)照射***和(ii)支撑光阻剂的基板的至少其中之一，以形成光阻剂的图案化部分。在另一示例中，选择性地照射光阻剂的边缘部分的步骤可包括：在扫瞄过程中使用照射***的多道聚光束，其中，所述照射过程包括移动(i)照射***和(ii)支撑光阻剂的基板的至少其中之一，以形成光阻剂的图案化部分。
在选择性的步骤1004处，传导结构被形成(例如，经由用于形成传导结构的电镀或其他技术)在内部部分和边缘部分(例如，所述边缘部分包围内部部分之处)中。举例而言，形成在内部部分中的传导结构对应半导体元件的主动区，而形成在边缘部分中的传导结构对应半导体元件的非主动区。
虽然未在图10中显示，额外的步骤被预期为在本文件中揭露。举例而言，使用另一照射***照射光阻剂的内部部分已形成内部图案化部分的步骤为预期的(此种照射内部部分的步骤可在步骤1002之前或之后完成)。如在此所描述的，照射***可共享共用的光源(例如，参见图2A至图2D)，或者可具有不同的光源(例如，图3)。
现在参考图11，绘示有图案化光阻剂的另一方法。在步骤1100处，光阻剂的第一部分(例如，光阻剂的内部部分)被图案化(例如，使用光罩、使用照射源、和/或本发明的范围中的其他技术)以形成光阻剂的第一图案化部分，所述第一图案化部分对应半导体元件的主动区。在步骤1102处，使用照射***选择性地照射光阻剂的第二部分(例如，光阻剂的包围所述内部部分的边缘部分)以形成光阻剂的第二图案化部分，所述第二图案化部分对应半导体元件的非主动区。举例而言，选择性地照射光阻剂的第二部分的步骤可包括：使用照射***的聚光束(或多道聚光束)(例如，在所述边缘部分的不同位置处选择性地开启和关闭)以形成光阻剂的第二图案化部分。
如果光阻剂的第一图案化部分为使用另一照射***(与在步骤1102处用于形成第二图案化部分的照射***不同)而在步骤1100处形成，则所述照射***可共享共用的光源(例如，参见图2A至图2D)，或者可具有不同的光源(例如，图3)。
在选择性的步骤1104处，传导结构被形成在第一图案化部分和第二图案化部分的每一个中(例如，经由用于形成传导结构的电镀或其他技术)。
现在参考图12，绘示有对光阻剂图案化的又一方法。在步骤1200处，光阻剂的第一部分(例如，光阻剂的内部部分)被图案化(例如，使用光罩、使用照射源、和/或本发明的范围中的其他技术)以形成光阻剂的第一图案化部分，所述第一图案化部分包括第一图案化特征，所述第一图案化特征具有小于10微米的尺寸。在步骤1202处，使用照射***选择性地照射光阻剂的第二部分(例如，光阻剂的包围该光阻剂第一部分的边缘部分)以形成光阻剂的第二图案化部分，所述第二图案化部分包括第二图案化特征，所述第二图案化特征具有大于10微米的尺寸(或者大于20微米、或大于50微米、或其他尺寸)。举例而言，选择性地照射光阻剂的第二部分的步骤可包括：使用照射***的聚光束(或多道聚光束)(例如，在所述边缘部分的不同位置处选择性地开启和关闭)以形成光阻剂的第二图案化部分。
如果光阻剂的第一图案化部分为使用另一照射***(与在步骤1202处用于形成第二图案化部分的照射***不同)而在步骤1200处形成，则所述照射***可共享共用的光源(例如，参见图2A至图2D)，或者可具有不同的光源(例如，图3)。
在选择性的步骤1204处，传导结构被形成在第一图案化部分和第二图案化部分的每一个中(例如，经由用于形成传导结构的电镀或其他技术)。
虽然本发明借由参考特定实施例的辅助而于此绘示和描述，然而本发明并非意图局限于所显示的细节。反之，各种修饰可在权利要求等同物的范畴及范围中详细实施而不偏离本发明。

Claims (49)

1.一种图案化光阻剂的方法，所述方法包括：
使用照射***选择性地照射光阻剂的边缘部分以形成所述光阻剂的图案化部分。
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述边缘部分中形成传导结构的步骤。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述边缘部分中形成的所述传导结构对应半导体元件的非主动区。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光阻剂的所述边缘部分包围所述光阻剂的内部部分。
5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：使用另一照射***照射所述光阻剂的内部部分以形成内部图案化部分的步骤。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述照射***和所述另一照射***共享光源。
7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：借由照射所述光阻剂的内部部分来图案化所述光阻剂的内部部分的步骤。
8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：借由使用(a)光罩和(b)直接写入照射工具至少其中之一照射所述光阻剂的内部部分来图案化所述光阻剂的内部部分的步骤。
9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：在选择性地照射所述边缘部分的步骤之前，借由使用光罩照射所述光阻剂的内部部分来图案化所述光阻剂的内部部分，所述边缘部分在图案化所述内部部分的步骤期间被遮罩。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，选择性地照射所述光阻剂的所述边缘部分的步骤包括：使用在所述光阻剂的所述边缘部分的不同位置处被选择性开启和关闭的所述照射***的聚光束，以形成所述光阻剂的所述图案化部分。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，选择性地照射所述光阻剂的所述边缘部分的步骤包括：使用所述照射***关于所述光阻剂的所述边缘部分进行扫描，其中所述扫描包括：移动(i)所述照射***和(ii)支撑所述光阻剂的基板的至少其中之一，以形成所述光阻剂的所述图案化部分。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，选择性地照射所述光阻剂的所述边缘部分的步骤包括：使用在所述光阻剂的所述边缘部分的不同位置处被选择性开启和关闭的所述照射***的多道聚光束，以形成所述光阻剂的所述图案化部分。
13.根据权利要求12所述的方法，其中使用主动光学组件和被动光学组件的至少其中之一产生所述多道聚光束。
14.根据权利要求1所述的方法，其中，选择性地照射所述光阻剂的所述边缘部分的步骤包括：在扫描过程中使用所述照射***的多道聚光束，其中，所述扫描过程包括：移动(i)所述照射***和(ii)支撑所述光阻剂的基板的至少其中之一，以形成所述光阻剂的所述图案化部分。
15.一种图案化光阻剂的方法，所述方法包括以下步骤：
(a)图案化光阻剂的第一部分，以形成所述光阻剂的第一图案化部分，所述第一图案化部分对应半导体元件的主动区；以及
(b)使用照射***选择性地照射所述光阻剂的第二部分，以形成所述光阻剂的第二图案化部分，所述第二图案化部分对应所述半导体元件的非主动区。
16.根据权利要求15所述的方法，进一步包括以下步骤：(c)在所述第一图案化部分和所述第二图案化部分的每一个中形成传导结构。
17.根据权利要求15所述的方法，其中，所述光阻剂的所述第一部分包括所述光阻剂的内部部分，以及其中，所述光阻剂的所述第二部分包括所述光阻剂的边缘部分，所述边缘部分包围所述光阻剂的所述内部部分。
18.根据权利要求15所述的方法，其中，步骤(a)包括：借由使用光罩照射所述光阻剂的所述第一部分，来图案化所述光阻剂的所述第一部分。
19.根据权利要求15所述的方法，其中，步骤(b)包括：使用在所述光阻剂的所述第二部分的不同位置处被选择性开启和关闭的所述照射***的聚光束，来选择性地照射所述光阻剂的所述第二部分，以形成所述光阻剂的所述第二图案化部分。
20.根据权利要求15所述的方法，其中，步骤(b)包括：借由(i)相对于所述光阻剂移动所述照射***和(ii)相对于所述照射***移动支撑所述光阻剂的基板的至少其中之一，来选择性地照射所述光阻剂的所述第二部分。
21.根据权利要求15所述的方法，其中，步骤(b)包括：使用在所述光阻剂的所述第二部分的不同位置处被选择性开启和关闭的所述照射***的多道聚光束，来选择性地照射所述光阻剂的所述第二部分，以形成所述光阻剂的所述第二图案化部分。
22.根据权利要求15所述的方法，其中，使用与所述照射***不同的另一照射***形成所述光阻剂的所述第一图案化部分，其中所述照射***与所述另一照射***共享光源。
23.一种图案化光阻剂的方法，所述方法包括以下步骤：
(a)图案化所述光阻剂的第一部分，以形成所述光阻剂的第一图案化部分，所述第一图案化部分包括第一图案化特征，所述第一图案化特征具有小于10微米的尺寸；以及
(b)使用照射***选择性地照射所述光阻剂的第二部分，以形成所述光阻剂的第二图案化部分，所述第二图案化部分包括第二图案化特征，所述第二图案化特征具有大于10微米的尺寸。
24.根据权利要求23所述的方法，进一步包括以下步骤：(c)在所述第一图案化部分和所述第二图案化部分的每一个中形成传导结构。
25.根据权利要求23所述的方法，其中，所述光阻剂的所述第一部分包括所述光阻剂的内部部分，以及其中，所述光阻剂的所述第二部分包括所述光阻剂的边缘部分，所述边缘部分包围所述光阻剂的所述内部部分。
26.根据权利要求23所述的方法，其中，步骤(a)包括：借由使用光罩照射所述光阻剂的所述第一部分，来图案化所述光阻剂的所述第一部分。
27.根据权利要求23所述的方法，其中，步骤(b)包括：使用在所述光阻剂的所述第二部分的不同位置处被选择性开启和关闭的所述照射***的聚光束，来选择性地照射所述光阻剂的所述第二部分，以形成所述光阻剂的所述第二图案化部分。
28.根据权利要求23所述的方法，其中，步骤(b)包括：借由(i)相对于所述光阻剂移动所述照射***和(ii)相对于所述照射***移动支撑所述光阻剂的基板的至少其中之一，来选择性地照射所述光阻剂的所述第二部分。
29.根据权利要求23所述的方法，其中，步骤(b)包括：使用在所述光阻剂的所述第二部分的不同位置处被选择性开启和关闭的所述照射***的多道聚光束，来选择性地照射所述光阻剂的所述第二部分，以形成所述光阻剂的所述第二图案化部分。
30.根据权利要求23所述的方法，其中，使用与所述照射***不同的另一照射***形成所述光阻剂的所述第一图案化部分，其中所述照射***与所述另一照射***共享光源。
31.根据权利要求23所述的方法，其中，步骤(b)包括：选择性地照射所述光阻剂的所述第二部分使得，所述第二图案化部分包括具有大于20微米的尺寸的第二图案化特征。
32.根据权利要求23所述的方法，其中，步骤(b)包括：选择性地照射所述光阻剂的所述第二部分使得，所述第二图案化部分包括具有大于50微米的尺寸的第二图案化特征。
33.一种图案化***，包括：
用于支撑光阻剂的支撑结构；以及
照射***，所述照射***被配置成选择性地照射所述光阻剂的边缘部分以形成所述光阻剂的边缘图案化部分。
34.根据权利要求33所述的图案化***，进一步包括另一照射***，所述另一照射***用以照射所述光阻剂的内部部分以形成所述光阻剂的内部图案化部分。
35.根据权利要求34所述的图案化***，其中，所述照射***和所述另一照射***共享共用的光源。
36.根据权利要求34所述的图案化***，其中，所述照射***包括第一光源，以及所述另一照射***包括第二光源。
37.根据权利要求34所述的图案化***，其中，所述图案化***包括第一图案化子***和第二图案化子***，所述第一图案化子***包括用于选择性地照射所述边缘部分的所述照射***，所述第二图案化子***包括用于照射所述内部部分的所述另一照射***。
38.根据权利要求33所述的图案化***，其中，所述照射***包括直接写入照射工具。
39.根据权利要求34所述的图案化***，其中，所述另一照射***包括用于照射所述光阻剂的所述内部部分的直接写入照射工具。
40.根据权利要求34所述的图案化***，其中，所述另一照射***使用光罩来图案化所述光阻剂的所述内部部分。
41.根据权利要求33所述的图案化***，其中，所述照射***提供聚光束，在所述光阻剂的所述边缘部分的不同位置处选择性地开启和关闭所述聚光束，以形成所述光阻剂的所述边缘图案化部分。
42.根据权利要求33所述的图案化***，其中，所述照射***借由移动(i)所述照射***和(ii)支撑所述光阻剂的基板的至少其中之一来扫描所述光阻剂的所述边缘部分，以形成所述光阻剂的所述边缘图案化部分。
43.根据权利要求33所述的图案化***，其中，所述照射***提供多道聚光束，在所述光阻剂的所述边缘部分的不同位置处选择性地开启和关闭所述多道聚光束，以形成所述光阻剂的所述边缘图案化部分。
44.根据权利要求43所述的图案化***，其中，使用所述照射***的主动光学组件和被动光学组件的至少其中之一来产生所述多道聚光束。
45.根据权利要求44所述的图案化***，其中，所述主动光学组件包括与投影光学***相结合的空间光调变器，以及所述被动光学组件包括衍射光学元件。
46.根据权利要求33所述的图案化***，其中，所述照射***与扫描过程相关地提供多道聚光束，其中所述扫描过程包括移动(i)所述照射***和(ii)支撑所述光阻剂的基板的至少其中之一以形成所述光阻剂的所述边缘图案化部分。
47.根据权利要求34所述的图案化***，其中，所述内部图案化部分包括第一图案化特征，所述第一图案化特征具有小于10微米的尺寸，以及所述边缘图案化部分包括第二图案化特征，所述第二图案化特征具有大于10微米的尺寸。
48.根据权利要求34所述的图案化***，其中，所述内部图案化部分包括第一图案化特征，所述第一图案化特征具有小于10微米的尺寸，以及所述边缘图案化部分包括第二图案化特征，所述第二图案化特征具有大于20微米的尺寸。
49.根据权利要求34所述的图案化***，其中，所述内部图案化部分包括第一图案化特征，所述第一图案化特征具有小于10微米的尺寸，以及所述边缘图案化部分包括第二图案化特征，所述第二图案化特征具有大于50微米的尺寸。
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