CN118284146A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开关于显示面板及其制备方法、显示装置，涉及显示面板技术领域。该显示面板包括层叠设置的衬底基板和像素层，像素层包括电荷产生层；像素层设置有阵列分布的子像素，子像素包括第一子像素和第二子像素；电荷产生层具有隔断区，使得电荷产生层至少分为不相连的电荷产生层的第一部分和电荷产生层的第二部分；第二子像素的至少部分发光区域在衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第二部分在衬底基板上的正投影内；第一子像素的发光区域在衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第一部分在衬底基板上的正投影内。该显示面板通过将电荷产生层隔断，降低横向电流的串扰。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置

技术领域

本公开涉及显示面板技术领域，具体而言，涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术

显示屏幕朝着高像素，大色域，低功耗方向不断发展。而OLED柔性显示屏相比TFT-LCD具有的明显优势，使得柔性屏幕成为显示屏幕发展的趋势。柔性屏的可折叠，可弯曲，更是备受电子设备爱好者的亲睐。

目前OLED器件由于色彩饱和度高，高PPI而广泛用于电子设备的显示屏幕。面对越来越高的功耗要求，目前最广泛使用的单层OLED器件已无法满足设备需求。如使用叠层(Tandem)器件，在效率上可以大幅提升，同时寿命得到接近双倍提升，这样的叠层器件兼顾效率和寿命，广泛用于手机，平板和车载显示等设备。Tandem器件可以采用两个发光层发光，来提高整个器件的亮度，进而降低功耗并提高器件寿命。

但是Tandem器件由于是两个发光层，中间需要引入电荷产生层(电荷产生层CGL)，向两个发光层分别注入电子和空穴，来保证两个发光层能正常发光。因此为保证能顺利产生电荷并注入到发光层，需要在电荷产生层CGL中掺杂。如在N型电荷产生层NCGL中掺杂金属Li或者Yb，同时在P型电荷产生层PCGL中加大P-dopant材料的掺杂量，这会导致在实际的器件中产生横向电流(cross talk)。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供显示面板及其制备方法、显示装置，降低横向电流的串扰，优化显示面板的画面质量。

根据本公开的一个方面，提供一种显示面板，包括层叠设置的衬底基板和像素层，所述像素层包括依次层叠设置的第一发光层、电荷产生层、第二发光层；

所述像素层设置有阵列分布的子像素，所述子像素包括第一子像素和第二子像素；

所述电荷产生层具有隔断区，所述隔断区使得所述电荷产生层至少分为不相连的电荷产生层的第一部分和电荷产生层的第二部分；

所述第二子像素的至少部分发光区域在所述衬底基板上的正投影位于所述电荷产生层的第二部分在衬底基板上的正投影内；

所述第一子像素的发光区域在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第一部分在所述衬底基板上的正投影内。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第二子像素包括第二子像素的第一部分和第二子像素的第二部分；

所述第二子像素的第一部分的发光区域在所述衬底基板上的正投影，位于电荷产生层的第一部分在所述衬底基板上的正投影内；

所述第二子像素的第二部分的发光区域在所述衬底基板上的正投影，位于所述电荷产生层的第二部分在衬底基板上的正投影内。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第二子像素的第二部分的发光区域在所述衬底基板上的正投影面积，大于所述第二子像素的第一部分的发光区域在所述衬底基板上的正投影面积。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第二子像素的发光波长小于所述第一子像素的发光波长。

在本公开的一种示例性实施例中，所述像素层还包括位于电荷产生层和第二发光层之间的第二空穴传输层；

所述第二空穴传输层被隔断为不相连的第二空穴传输层的第一部分和第二空穴传输层的第二部分；

所述第二空穴传输层的第一部分在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第一部分在所述衬底基板上的正投影内；所述第二空穴传输层的第二部分在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第二部分在所述衬底基板上的正投影内。

在本公开的一种示例性实施例中，所述像素层还包括位于第二发光层远离电荷产生层一侧的第二空穴阻挡层；

所述第二空穴阻挡层被隔断为不相连的第二空穴阻挡层的第一部分和第二空穴阻挡层的第二部分；

所述第二空穴阻挡层的第一部分在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第一部分在所述衬底基板上的正投影内；所述第二空穴阻挡层的第二部分在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第二部分在所述衬底基板上的正投影内。

在本公开的一种示例性实施例中，所述像素层还包括位于第二发光层远离电荷产生层一侧的第二电子传输层；

所述第二电子传输层被隔断为不相连的第二电子传输层的第一部分和第二电子传输层的第二部分；

所述第二电子传输层的第一部分在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第一部分在所述衬底基板上的正投影内；所述第二电子传输层的第二部分在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第二部分在所述衬底基板上的正投影内。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第二子像素具有位于第二发光层的第二蓝色发光层，所述第二蓝色发光层被隔断为不相连的第二蓝色发光层的第一部分和第二蓝色发光层的第二部分；

所述第二蓝色发光层的第一部分在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第一部分在所述衬底基板上的正投影内；所述第二蓝色发光层的第二部分在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第二部分在所述衬底基板上的正投影内。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第二子像素具有位于第一发光层的第一蓝色发光层，所述第一蓝色发光层被隔断为不相连的第一蓝色发光层的第一部分和第一蓝色发光层的第二部分；

所述第一蓝色发光层的第一部分在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第一部分在所述衬底基板上的正投影内；所述第一蓝色发光层的第二部分在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第二部分在所述衬底基板上的正投影内。

在本公开的一种示例性实施例中，像素层还包括位于第二发光层靠近电荷产生层一侧的第二电子阻挡层；第二子像素具有位于第二电子阻挡层的蓝色子像素的第二电子阻挡层，所述蓝色子像素的第二电子阻挡层被隔断为不相连的蓝色子像素的第二电子阻挡层的第一部分和蓝色子像素的第二电子阻挡层的第二部分；

所述蓝色子像素的第二电子阻挡层的第一部分在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第一部分在所述衬底基板上的正投影内；所述蓝色子像素的第二电子阻挡层的第二部分在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第二部分在所述衬底基板上的正投影内。

在本公开的一种示例性实施例中，像素层还包括位于第一发光层远离电荷产生层一侧的第一电子阻挡层；第二子像素具有位于第一电子阻挡层的蓝色子像素的第一电子阻挡层，所述蓝色子像素的第一电子阻挡层被隔断为不相连的蓝色子像素的第一电子阻挡层的第一部分和蓝色子像素的第一电子阻挡层的第二部分；

所述蓝色子像素的第一电子阻挡层的第一部分在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第一部分在所述衬底基板上的正投影内；所述蓝色子像素的第一电子阻挡层的第二部分在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第二部分在所述衬底基板上的正投影内。

在本公开的一种示例性实施例中，所述像素层还包括像素定义层，所述像素定义层具有与所述第二子像素的第一部分对应的第一像素开口和与第二子像素的第二部分对应的第二像素开口；所述第二子像素的第一部分暴露所述第二子像素的部分像素电极且所述第二子像素的第二部分暴露所述第二子像素的部分像素电极。

根据本公开的第二个方面，提供一种显示面板的制备方法，包括在衬底基板的一侧形成像素层，所述像素层包括依次层叠设置的第一发光层、电荷产生层、第二发光层；所述像素层设置有阵列分布的子像素，所述子像素包括第一子像素和第二子像素；

其中，在制备所述电荷产生层时，使得所述电荷产生层具有隔断区，所述隔断区使得所述电荷产生层至少分为不相连的电荷产生层的第一部分和电荷产生层的第二部分；

所述第二子像素的至少部分发光区域在所述衬底基板上的正投影位于所述电荷产生层的第二部分在衬底基板上的正投影内；

所述第一子像素的发光区域在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第一部分在所述衬底基板上的正投影内。

根据本公开的第三个方面，提供一种显示装置，包括上述任意一项所述的显示面板。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本公开一种实施方式中，显示面板的俯视示意图。

图2为本公开一种实施方式中，显示面板的剖视示意图。

图3为本公开一种实施方式中，显示面板的像素层结构示意图。

图4为相关技术中，显示面板的像素层结构示意图。

图5为本公开一种实施方式中，显示面板的像素层结构示意图。

图6为本公开一种实施方式中，显示面板的像素层结构示意图。

图7为本公开一种实施方式中，显示面板的子像素矩阵排列俯视图。

图8为本公开一种实施方式中，显示面板的像素层结构示意图。

图9为本公开一种实施方式中，显示面板的像素层结构示意图。

图10为本公开一种实施方式中，显示面板的像素层结构示意图。

图11为本公开一种实施方式中，显示面板的制备方法流程示意图。

附图标记如下：

HBL2、第二空穴阻挡层；HBL21、第二空穴阻挡层的第一部分；HBL22、第二空穴阻挡层的第二部分；HIL、空穴注入层；HIL1、第一空穴注入层；HIL2、第二空穴注入层；HIL21、第二空穴注入层的第一部分；HIL22、第二空穴注入层的第二部分；HTL、空穴传输层；HTL1、第一空穴传输层；HTL2、第二空穴传输层；HTL21、第二空穴传输层的第一部分；HTL22、第二空穴传输层的第二部分；IJP、有机封装层；ILD、层间电介质层；ITO、铟锡氧化物；NCGL、N型电荷产生层；NCGLA、N型电荷产生层的第一部分；NCGLB、N型电荷产生层的第二部分；PCGL、P型电荷产生层；PCGLA、P型电荷产生层的第一部分；PCGLB、P型电荷产生层的第二部分；PDL、像素定义层；PE、像素电极；PEL、像素电极层；PIX、子像素；PIX1、第一子像素；PIX2、第二子像素；PIX21、第二子像素的第一部分；PIX22、第二子像素的第二部分；PIXL、像素层；PLN、平坦化层；PNL、显示面板；RD、第二客体材料；REBL、红色子像素的电子阻挡层；REBL1、红色子像素的第一电子阻挡层；REBL2、红色子像素的第二电子阻挡层；REML、红色发光层；REML1、第一红色发光层；REML2、第二红色发光层；RH、第二主体材料；RHN、第一电子型主体材料；RHP、第一空穴型主体材料；RPIX、红色子像素；SBT、衬底基板；SCL、半导体层；SD、源漏金属层；TFE、薄膜封装层；TFT、薄膜晶体管；TSL、触控功能层；HBL1、第一空穴阻挡层；HBL、空穴阻挡层；GT、栅极层；GPIX、绿色子像素；GI、栅极绝缘层；GHP、第二空穴型主体材料；GHN、第二电子型主体材料；GH、第三主体材料；GEML2、第二绿色发光层；GEML1、第一绿色发光层；GEML、绿色发光层；GEBL2、绿色子像素的第二电子阻挡层；GEBL1、绿色子像素的第一电子阻挡层；GEBL、绿色子像素的电子阻挡层；GD、第三客体材料；ETL22、第二电子传输层的第二部分；ETL21、第二电子传输层的第一部分；ETL2、第二电子传输层；ETL1、第一电子传输层；ETL、电子传输层；EML2、第二发光层；EML1、第一发光层；EML、发光层；EIL2、第二电子注入层；EIL1、第一电子注入层；EFU、发光功能单元；EFL、发光功能层；EBL2、第二电子阻挡层；EBL1、第一电子阻挡层；DRL、驱动层；DBP、驱动背板；CVD2、第二无机封装层；CVD1、第一无机封装层；CPL、覆盖层；COML、公共电极层；CGLB、电荷产生层的第二部分；CGLA、电荷产生层的第一部分；CGL、电荷产生层；CFL、彩膜层；CE、阴极；BPIX、蓝色子像素；BH、第一主体材料；BEML2B、第二蓝色发光层的第二部分；BEML2A、第二蓝色发光层的第一部分；BEML2、第二蓝色发光层；BEML1B、第一蓝色发光层的第二部分；BEML1A、第一蓝色发光层的第一部分；BEML1、第一蓝色发光层；BEML、蓝色发光层；BEBL2B、蓝色子像素的第二电子阻挡层的第二部分；BEBL2A、蓝色子像素的第二电子阻挡层的第一部分；BEBL2、蓝色子像素的第二电子阻挡层；BEBL1B、蓝色子像素的第一电子阻挡层的第二部分；BEBL1A、蓝色子像素的第一电子阻挡层的第一部分；BEBL1、蓝色子像素的第一电子阻挡层；BEBL、蓝色子像素的电子阻挡层；BD、第一客体材料；BB、***区；AE、阳极；AA、显示区；DH、行方向；DV、列方向。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。

用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少部分”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。

本公开实施方式提供一种显示面板PNL，参见图1，该显示面板PNL包括显示区AA和位于显示区AA至少一侧的***区BB，例如***区BB围绕显示区AA。在显示区AA中，显示面板PNL设置有用于显示的子像素；在***区BB中，显示面板PNL可以不设置用于显示的子像素，或者所设置的子像素并不用于显示画面。

在本公开实施方式中，显示面板PNL中的子像素为薄膜型自发光元件，例如为OLED、PLED、QLED等。进一步的，位于显示区AA的子像素PIX包括多种不同颜色的子像素PIX。举例而言，子像素PIX可以包括用于发出红光的红色子像素RPIX、用于发出绿光的绿色子像素GPIX和用于发出蓝光的蓝色子像素BPIX。可以理解的是，在本公开的其他实施方式中，显示区AA中的子像素PIX也可以仅包括两种颜色的子像素PIX，或者也可以具有其他颜色的子像素PIX(例如用于发出黄光的黄色子像素、用于发出青光的子像素、用于发出白光的白色子像素等)。

在本公开的一种实施方式中，参见图2，显示面板PNL可以包括依次层叠设置的驱动背板DBP和像素层PIXL，像素层PIXL中设置有子像素PIX，且驱动背板DBP用于驱动像素层PIXL中的子像素PIX。其中，驱动背板DBP可以采用有源驱动的方式来驱动各个子像素PIX，也可以采用无源驱动的方式来驱动各个子像素PIX。

在本公开的一种实施方式中，参见图2，驱动背板DBP包括衬底基板SBT和设于衬底基板SBT一侧的驱动层DRL；像素层PIXL设于驱动层DRL远离衬底基板SBT的一侧。驱动层DRL设置有用于驱动子像素PIX的像素驱动电路；各个子像素PIX可以在像素驱动电路的驱动下发光以显示画面。进一步的，显示面板PNL还包括位于像素层PIXL远离驱动背板DBP一侧的薄膜封装层TFE，薄膜封装层TFE可以对像素层PIXL进行封装保护。

可选的，衬底基板SBT可以为无机材料的衬底基板，也可以为有机材料的衬底基板；当然的，也可以为无机材料的衬底基板和有机材料的衬底基板层叠而成的复合基板。举例而言，在本公开的一些实施方式中，衬底基板SBT的材料可以为钠钙玻璃、石英玻璃、蓝宝石玻璃等玻璃材料。在本公开的另外一些实施方式中，衬底基板SBT的材料可以为聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、聚乙烯基苯酚、聚醚砜、聚酰亚胺、聚酰胺、聚缩醛、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯或其组合。在本公开的另一些实施方式中，衬底基板SBT也可以为柔性衬底基板，例如衬底基板SBT的材料可以包括聚酰亚胺。

可选的，在驱动层DRL中，任意一个像素驱动电路可以包括有薄膜晶体管TFT和存储电容。进一步地，薄膜晶体管TFT可以选自顶栅型薄膜晶体管、底栅型薄膜晶体管或者双栅型薄膜晶体管。薄膜晶体管的有源层的材料可以为非晶硅半导体材料、低温多晶硅半导体材料、金属氧化物半导体材料、有机半导体材料、碳纳米管半导体材料或者其他类型的半导体材料。薄膜晶体管可以为N型薄膜晶体管或者P型薄膜晶体管。

可以理解的是，像素驱动电路中的各个晶体管中，任意两个晶体管之间的类型可以相同或者不相同。示例性地，在一些实施方式中，在一个像素驱动电路中，部分晶体管可以为N型晶体管且部分晶体管可以为P型晶体管。再示例性地，在另一些实施方式中，在一个像素驱动电路中，部分晶体管的有源层的材料可以为低温多晶硅半导体材料，且部分晶体管的有源层的材料可以为金属氧化物半导体材料。在本公开的一些实施方式中，薄膜晶体管为低温多晶硅晶体管。在本公开的另外一些实施方式中，部分薄膜晶体管为低温多晶硅晶体管，部分薄膜晶体管为金属氧化物晶体管。

可选地，驱动层DRL可以包括层叠于衬底基板SBT和像素层PIXL之间的半导体层SCL、栅极绝缘层GI、栅极层GT、层间电介质层ILD、源漏金属层SD、平坦化层PLN等。各个薄膜晶体管和存储电容可以由半导体层SCL、栅极绝缘层GI、栅极层GT、层间电介质层ILD、源漏金属层SD等膜层形成。其中，各个膜层的位置关系可以根据薄膜晶体管的膜层结构确定。进一步地，半导体层SCL可以用于形成晶体管的沟道区，在必要时也可以通过导体化而形成部分走线或者导电结构。栅极层可以用于形成扫描走线、复位控制走线、发光控制走线等栅极层走线中的一种或者多种，也可以用于形成晶体管的栅极，还可以用于形成存储电容的部分或者全部电极板。源漏金属层可以用于形成数据走线、驱动电源电压走线等源漏金属层走线，也可以用于形成存储电容的部分电极板。当然的，在本公开的其他实施方式中，驱动层DRL还可以根据需要而包括其他膜层，例如还可以包括位于半导体层SCL和衬底基板SBT之间的遮光层等。根据需要，上述半导体层SCL、栅极层GT、源漏金属层SD等膜层中的任意一种还可以为多层，例如驱动层DRL中可以包括不同的两层半导体层SCL，或者包括两层或者三层源漏金属层SD，或者包括两层或者三层的栅极层GT；相应的，驱动层DRL中的绝缘性膜层(例如栅极绝缘层GI、层间电介质层ILD、平坦化层PLN等)可以适应性的增加或者减少，或者根据需要增设新的绝缘性膜层。

可选地，驱动层DRL还可以包括有钝化层，钝化层可以设于源漏金属层SD远离衬底基板SBT的表面，以便保护源漏金属层SD。

作为一种示例，参见图2，驱动层DRL可以包括依次层叠设置的无机缓冲层Buff、半导体层SCL、栅极绝缘层GI、栅极层GT、层间电介质层ILD、源漏金属层SD和平坦化层PLN，如此所形成的薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。

可以理解的是，上述对驱动背板DBP的示例仅仅为本公开实施方式的驱动背板DBP的一种可能方式。在本公开的其他实施方式中，驱动背板DBP还可以为其他结构，例如驱动背板DBP也可以为无源驱动玻璃基板、硅基驱动基板等。

参见图2和图3，像素层PIXL中的子像素PIX为薄膜型发光元件，其可以包括层叠设置的两个电极以及夹设于两个电极之间的发光功能单元EFU。举例而言，参见图2，像素层PIXL可以包括依次层叠设置的像素电极层PEL、发光功能层EFL和公共电极层COML。其中，像素电极层PEL在显示面板的显示区具有多个像素电极PE；发光功能层EFL与像素电极PE连接的部分作为子像素PIX的发光功能单元EFU，公共电极层COML作为公共电极与各个子像素PIX的发光功能单元EFU电连接。

进一步的，像素层PIXL还可以包括位于像素电极层PEL和发光功能层EFL之间的像素定义层PDL。像素定义层PDL具有多个贯通的像素开口，任意一个像素开口暴露对应的像素电极PE的至少部分区域。在一些实施方式中，如图3所示，像素开口与像素电极一一对应设置。在另一些实施方式中，多个像素开口可以与同一个像素电极对应设置。举例而言，蓝光子像素包括两个发光区域，两个发光区域可以分别对应两个像素开口，且两个发光区域可以在同一像素驱动电路控制下发光。再举例而言，像素定义层PDL覆盖像素电极PE的边缘且暴露像素电极PE的至少部分内部区域，以使得像素定义层PDL可以有效的定义像素电极PE的实际有效区域(直接与发光功能单元EFU连接的区域)，进而定义子像素PIX的发光区域和发光面积。发光功能层EFL至少覆盖被像素定义层PDL所暴露的像素电极PE。公共电极层COML在显示区可以覆盖发光功能层EFL。像素电极PE和公共电极层COML向发光功能层EFL提供电子、空穴等载流子，以使得发光功能层EFL发光。发光功能层EFL位于像素电极PE和公共电极层COML之间的部分，可以作为发光功能单元EFU。像素电极PE、公共电极层COML、发光功能单元EFU形成子像素PIX。其中，像素电极PE和公共电极层COML中的一者作为子像素PIX的阳极AE，且另一者作为子像素PIX的阴极CE。

在一种示例中，像素电极PE作为子像素PIX的阳极AE，且公共电极层COML作为子像素PIX的阴极CE。

可以理解的是，子像素的类型不同，发光功能单元EFU的材料和膜层不同。举例而言，发光功能单元中的发光材料可以为有机发光材料或者量子点发光材料。

参见图2，薄膜封装层TFE可以设于像素层PIXL远离衬底基板SBT的表面，其可以包括交替层叠设置的无机封装层和有机封装层。无机封装层可以有效的阻隔外界的水分和氧气，避免水氧入侵像素层PIXL而导致像素层PIXL中的材料老化。可选地，无机封装层的边缘可以位于***区。有机封装层位于相邻的两层无机封装层之间，以便实现平坦化和减弱无机封装层之间的应力。其中，有机封装层的边缘可以位于显示区的边缘和无机封装层的边缘之间。示例性地，薄膜封装层TFE包括依次层叠于像素层PIXL远离衬底基板SBT一侧的第一无机封装层CVD1、有机封装层IJP和第二无机封装层CVD2。当然的，在本公开的其他实施方式中，显示面板也可以不设置薄膜封装层，而是采用其他方式对像素层进行封装和保护。

在本公开的一些实施方式中，参见图2，显示面板PNL还可以包括触控功能层TSL，触控功能层TSL可以设置于薄膜封装层TFE远离驱动背板DBP的一侧，以使得该显示面板PNL具有触控功能。在本公开的一些实施方式中，参见图2，显示面板PNL还可以包括彩膜层CFL，彩膜层CFL可以设置于薄膜封装层TFE远离驱动背板DBP的一侧，以降低对环境光线的反射，提高显示质量。

在相关技术中，由于工艺原因，例如采用开放式掩膜工艺时，发光功能层EFL中可以存在公共材料层，该公共材料层可以覆盖相邻多个子像素PIX所在的区域以及所述多个子像素PIX之间的间隙，这使得相邻子像素PIX之间通过公共材料层相连。举例而言，公共材料层可以覆盖显示区AA而同时应用于各个发光功能单元EFU。

如图4所示，在叠层(Tandem)器件中，不同颜色的子像素PIX的工作电压存在差异，在对工作电压较高的子像素(例如蓝色子像素)施加工作电压的情况下，会有小部分电流通过电荷产生层CGL等公共材料层流向工作电压较低的子像素(如红光子像素或者绿光子像素)，导致单色画面不纯和色彩失真等低灰阶串扰现象。

为解决上述问题，本公开实施方式提供一种显示面板，该显示面板包括层叠设置的衬底基板SBT和像素层PIXL，如图5所示，所述像素层PIXL包括依次层叠设置的第一发光层EML1、电荷产生层CGL、第二发光层EML2。所述像素层PIXL设置有阵列分布的子像素PIX，子像素PIX包括第一子像素PIX1和第二子像素PIX2。所述电荷产生层CGL具有隔断区，所述隔断区使得所述电荷产生层CGL至少分为不相连的电荷产生层的第一部分CGLA和电荷产生层的第二部分CGLB。所述第二子像素PIX2的至少部分发光区域在所述衬底基板SBT上的正投影位于所述电荷产生层的第二部分CGLB在衬底基板SBT上的正投影内；所述第一子像素PIX1的发光区域在所述衬底基板SBT上的正投影位于电荷产生层的第一部分CGLA在所述衬底基板SBT上的正投影内。如此，电荷产生层CGL被隔断成不连续的区域，可以在加载工作电压时降低电流通过电荷产生层CGL产生的横向串扰，降低横向电流对显示画面的影响。在一种示例中，电荷产生层的第二部分CGLB数量为多个且阵列分布，电荷产生层的第一部分CGLA围绕各个电荷产生层的第二部分CGLB且与电荷产生层的第二部分CGLB之间不连接。如此，电荷产生层的第一部分CGLA具有阵列分布的镂空孔，电荷产生层的第二部分CGLB位于各个镂空孔中。

在本公开的一种实施方式中，子像素包括依次层叠设置的像素电极(示例性的，可以为阳极)、第一发光单元、电荷产生单元、第二发光单元和公共电极(示例性的，可以为阴极)。其中，第一发光单元位于第一发光层EML1且呈阵列分布，电荷产生单元位于电荷产生层CGL且呈阵列分布，第二发光单元位于第二发光层EML2且呈阵列分布。换言之，第一发光层EML1位于像素电极和公共电极之间的部分为该子像素的第一发光单元，第二发光层EML2位于像素电极和公共电极之间的部分为该子像素的第二发光单元，电荷产生层CGL位于像素电极和公共电极之间的部分为该子像素的电荷产生单元。示例性的，如图5所示，红色子像素RPIX具有第一发光单元(第一红色发光层REML1)、第二发光单元(第二红色发光层REML2)，以及位于红色子像素的第一发光单元和红色子像素的第二发光单元之间的电荷产生单元(位于电荷产生层的第一部分CGLA)。再示例性的，如图5所示，绿色子像素GPIX具有第一发光单元(第一绿色发光层GEML1)、第二发光单元(第二绿色发光层GEML2)，以及位于绿色子像素的第一发光单元和绿色子像素的第二发光单元之间的电荷产生单元(位于电荷产生层的第一部分CGLA)。再示例性的，如图5所示，蓝色子像素BPIX具有第一发光单元(第一蓝色发光层BEML1)、第二发光单元(第二蓝色发光层BEML2)，以及位于蓝色子像素的第一发光单元和蓝色子像素的第二发光单元之间的电荷产生单元(至少部分位于电荷产生层的第二部分CGLB)。

在图5的示例中，第一子像素PIX1可以包括红色子像素和绿色子像素，所述第二子像素PIX2可以为蓝色子像素。电荷产生层CGL被隔断为不相连的电荷产生层的第一部分CGLA和电荷产生层的第二部分CGLB。图5中，蓝色子像素的发光区域在所述衬底基板SBT上的正投影位于所述电荷产生层的第二部分CGLB在衬底基板SBT上的正投影内；红色子像素和绿色子像素的发光区域在所述衬底基板SBT上的正投影位于电荷产生层的第一部分CGLA在所述衬底基板SBT上的正投影内。可以理解的是，本公开实施方式不局限于此。在另外一些示例中，参见图6，蓝色子像素的部分发光区域在所述衬底基板SBT上的正投影，位于所述电荷产生层的第二部分CGLB在衬底基板SBT上的正投影内，所述蓝色子像素的另一部分发光区域在所述衬底基板SBT上的正投影，位于所述电荷产生层的第一部分CGLA在衬底基板SBT上的正投影内。

图5为示例性的显示了具有两层发光层EML的像素层。在本公开的一些实施方式中，像素层可以包括但不限于两层的发光层EML。例如，所述像素层可以包括层叠设置阳极、三层以上的发光层EML、阴极，且任意相邻两层发光层EML之间设置有电荷产生层CGL。其中，第一发光层EML1和第二发光层EML2为所述三层以上的发光层EML中的任意相邻两层。示例性的，所述第二发光层EML2设置在第一发光层EML1远离阳极AE一侧。

在本公开的一种实施方式中，如图6所示，所述第二子像素PIX2包括第二子像素的第一部分PIX21和第二子像素的第二部分PIX22。所述第一子像素PIX1和第二子像素的第一部分PIX21的发光区域在所述衬底基板SBT上的正投影，均位于电荷产生层的第一部分CGLA在所述衬底基板SBT上的正投影范围内。所述第二子像素的第二部分PIX22的发光区域在所述衬底基板SBT上的正投影，位于所述电荷产生层的第二部分CGLB在衬底基板SBT上的正投影范围内。

在一种示例中，如图6所示，第二子像素PIX2具有位于第二发光层EML2的第二蓝色发光层BEML2，所述第二蓝色发光层BEML2被隔断为不相连的第二蓝色发光层的第一部分BEML2A和第二蓝色发光层的第二部分BEML2B。所述第二蓝色发光层的第一部分BEML2A在所述衬底基板SBT上的正投影位于电荷产生层的第一部分CGLA在所述衬底基板SBT上的正投影范围内；所述第二蓝色发光层的第二部分BEML2B在所述衬底基板SBT上的正投影位于电荷产生层的第二部分CGLB在所述衬底基板SBT上的正投影范围内。进一步地，所述第二子像素PIX2具有位于第一发光层EML1的第一蓝色发光层BEML1，所述第一蓝色发光层BEML1被隔断为不相连的第一蓝色发光层的第一部分BEML1A和第一蓝色发光层的第二部分BEML1B；所述第一蓝色发光层的第一部分BEML1A在所述衬底基板SBT上的正投影位于电荷产生层的第一部分CGLA在所述衬底基板SBT上的正投影范围内；所述第一蓝色发光层的第二部分BEML1B在所述衬底基板SBT上的正投影位于电荷产生层的第二部分CGLB在所述衬底基板SBT上的正投影范围内。

在该示例中，蓝色子像素BPIX具有蓝色子像素的第一发光单元和蓝色子像素的第二发光单元。蓝色子像素BPIX包括第二子像素的第一部分PIX21和第二子像素的第二部分PIX22。蓝色子像素的第一发光单元包括第一蓝色发光层的第一部分BEML1A和第一蓝色发光层的第二部分BEML1B。蓝色子像素的第二发光单元包括第二蓝色发光层的第一部分BEML2A和第二蓝色发光层的第二部分BEML2B。如此，所述第二子像素的第一部分PIX21包括阳极、第一蓝色发光层的第一部分BEML1A、第二蓝色发光层的第一部分BEML2A、阴极，以及位于阳极和阴极之间的部分电荷产生层的第一部分CGLA。所述第二子像素的第二部分PIX22包括阳极、第一蓝色发光层的第二部分BEML1B、第二蓝色发光层的第二部分BEML2B、阴极，以及位于阳极和阴极的之间的部分电荷产生层的第二部分CGLB。一方面，蓝色子像素BPIX相对于红色子像素RPIX和绿色子像素GPIX，寿命较低，因此在像素设计中，蓝色子像素BPIX的发光区域比较大，从而增加发光面积，提高蓝色子像素BPIX的亮度。另一方面，像素定义层PDL放气会导致像素层收缩，从而使得子像素的使用寿命降低。在该实施方式中，将面积最大的蓝色子像素拆分成两个，可以改善像素定义层PDL放气对像素层的影响。

举例而言，如图7所示，显示面板PNL上的子像素的排列方式为sRGB。在该示例中，各个子像素PIX排列出第一子像素列和第二子像素列，所述第一子像素列和第二子像素列沿行方向DH交替排列。第一子像素列包括沿列方向DV交替设置的红色子像素RPIX和绿色子像素GPIX；第二子像素列仅包括沿列方向DV依次设置的多个蓝色子像素BPIX。所述第二子像素列的蓝色子像素BPIX包括第一蓝色发光区域B1和第二蓝色发光区域B2，所述第一蓝色发光区域B1、第二蓝色发光区域B2沿列方向DV交替排列。其中，第一蓝色发光区域B1在衬底基板SBT上的正投影，位于电荷产生层的第一部分CGLA在所述衬底基板SBT上的正投影内；第二蓝色发光区域B2在衬底基板SBT上的正投影，位于所述电荷产生层的第二部分CGLB在衬底基板SBT上的正投影内。红色子像素RPIX的发光区域和绿色子像素GPIX的发光区域在衬底基板SBT上的正投影，均位于电荷产生层的第一部分CGLA在所述衬底基板SBT上的正投影内。

在本公开的一种实施方式中，所述像素层中的像素定义层PDL具有与所述第二子像素的第一部分PIX21对应的第一像素开口，和与第二子像素的第二部分PIX22对应的第二像素开口。所述第二子像素的第一部分PIX21暴露所述第二子像素PIX2的部分像素电极且所述第二子像素的第二部分PIX22暴露所述第二子像素PIX2的部分像素电极。在该实施方式中，第二子像素的第一部分PIX21和第二子像素的第二部分PIX22在同一个像素驱动电路的驱动下同时发光。举例而言，第二子像素PIX2为蓝光子像素，将发光面积较大的蓝光子像素分成两个发光区域，并且分别具有两个像素开口，降低像素定义层PDL排气对像素寿命的影响。进一步地，在一些示例中，与第二子像素的第一部分PIX21对应的像素电极和与第二子像素的第二部分PIX22对应的像素电极可以不连接。在另一些示例中，与第二子像素的第一部分PIX21对应的像素电极和与第二子像素的第二部分PIX22对应的像素电极可以为一个整体的像素电极。

在本公开的一种实施方式中，第二子像素PIX2的发光波长小于第一子像素PIX1的发光波长。示例性的，第二子像素PIX2可以为蓝光，第一子像素PIX1可以红光和/或绿光。

在本公开的一种实施方式中，所述第二子像素的第一部分PIX21与所述第二子像素的第二部分PIX22在衬底基板SBT上的正投影面积可以相同，也可以不相同。进一步地，所述第二子像素的第二部分PIX22的发光区域在所述衬底基板SBT上的正投影面积，大于所述第二子像素的第一部分PIX21的发光区域在所述衬底基板SBT上的正投影面积。如此，可以将发光区域较大的第二子像素的第二部分PIX22与电荷产生层的第二部分CGLB层叠对应设置，可以更大程度的降低电荷产生层CGL引起的横向电流。

在本公开的一种实施方式中，如图6所示，所述电荷产生层CGL包括N型电荷产生层NCGL和P型电荷产生层PCGL，所述N型电荷产生层NCGL用于向阳极侧注入电子，P型电荷产生层PCGL用于向阴极侧注入空穴。所述N型电荷产生层NCGL被所述隔断区分为不相连的N型电荷产生层的第一部分NCGLA和N型电荷产生层的第二部分NCGLB，所述P型电荷产生层PCGL被所述隔断区分为不相连的P型电荷产生层的第一部分PCGLA和P型电荷产生层的第二部分PCGLB。所述N型电荷产生层的第一部分NCGLA在所述衬底基板SBT上的正投影与所述P型电荷产生层的第一部分PCGLA在所述衬底基板SBT上的正投影重合，所述N型电荷产生层的第二部分NCGLB在所述衬底基板SBT上的正投影与所述P型电荷产生层的第二部分PCGLB在所述衬底基板SBT上的正投影重合。也就是说，所述电荷产生层的第一部分CGLA包括N型电荷产生层的第一部分NCGLA和P型电荷产生层的第一部分PCGLA，所述电荷产生层的第二部分CGLB包括N型电荷产生层的第二部分NCGLB和P型电荷产生层的第二部分PCGLB。

在本公开的一种实施方式中，如图8所示，所述像素层还包括位于电荷产生层CGL和第二发光层EML2之间的第二空穴传输层HTL2。所述第二空穴传输层HTL2可以包括不相连的第二空穴传输层的第一部分HTL21和第二空穴传输层的第二部分HTL22。所述第二空穴传输层的第一部分HTL21在所述衬底基板SBT上的正投影，位于电荷产生层的第一部分CGLA在所述衬底基板SBT上的正投影范围内；所述第二空穴传输层的第二部分HTL22在所述衬底基板SBT上的正投影，位于电荷产生层的第二部分CGLB在所述衬底基板SBT上的正投影范围内。如图8所示，所述第二空穴传输层HTL2位于P型电荷产生层PCGL和第二发光层EML2之间。进一步地，所述像素层还可以包括位于P型电荷产生层PCGL和第二空穴传输层HTL2之间的第二空穴注入层。所述第二空穴注入层可以包括不相连的第二空穴注入层的第一部分和第二空穴注入层的第二部分；所述第二空穴注入层的第一部分在所述衬底基板SBT上的正投影位于电荷产生层的第一部分CGLA在所述衬底基板SBT上的正投影范围内；所述第二空穴注入层的第二部分在所述衬底基板SBT上的正投影位于电荷产生层的第二部分CGLB在所述衬底基板SBT上的正投影范围内。空穴调节层较电子调节层更易产生横向电流，在该实施方式中，通过将第二空穴传输层HTL2和第二空穴注入层隔断为不相连的两部分，可以进一步降低加载蓝色子像素BPIX的工作电压时，“横向电流”对红色子像素RPIX产生的串扰影响。

可以理解的是，在图8的示例中，第二空穴传输层HTL2被隔断为不连接的第二空穴传输层的第一部分HTL21和第二空穴传输层的第二部分HTL22。在本公开的其他实施方式中，第二空穴传输层HTL2也可以不被隔断而呈整面结构，这可以减少制备过程中的掩膜版数量，降低制备成本。同样的，第二空穴注入层也可以不被隔断而呈整面结构。

在本公开的一种实施方式中，如图9所示，所述像素层还包括位于第二发光层EML2远离电荷产生层CGL一侧的第二空穴阻挡层HBL2；所述第二空穴阻挡层HBL2被隔断为不相连的第二空穴阻挡层的第一部分HBL21和第二空穴阻挡层的第二部分HBL22。所述第二空穴阻挡层的第一部分HBL21在所述衬底基板SBT上的正投影位于电荷产生层的第一部分CGLA在所述衬底基板SBT上的正投影范围内；所述第二空穴阻挡层的第二部分HBL22在所述衬底基板SBT上的正投影位于电荷产生层的第二部分CGLB在所述衬底基板SBT上的正投影范围内。可以理解的是，在图9的示例中，第二空穴阻挡层HBL2被隔断为不连接的第二空穴阻挡层的第一部分HBL21和第二空穴阻挡层的第二部分HBL22。在本公开的其他实施方式中，第二空穴阻挡层HBL2也可以不被隔断而呈整面结构，以减少制备过程中的掩膜版数量。

在本公开的一种实施方式中，如图10所示，所述像素层还包括位于第二发光层EML2远离电荷产生层CGL一侧的第二电子传输层ETL2；所述第二电子传输层ETL2被隔断为不相连的第二电子传输层的第一部分ETL21和第二电子传输层的第二部分ETL22。所述第二电子传输层的第一部分ETL21在所述衬底基板SBT上的正投影位于电荷产生层的第一部分CGLA在所述衬底基板SBT上的正投影范围内；所述第二电子传输层的第二部分ETL22在所述衬底基板SBT上的正投影位于电荷产生层的第二部分CGLB在所述衬底基板SBT上的正投影范围内。可以理解的是，在图10的示例中，第二电子传输层ETL2被隔断为不连接的第二电子传输层的第一部分ETL21和第二电子传输层的第二部分ETL22。在本公开的其他实施方式中，第二电子传输层ETL2也可以不被隔断而呈整面结构，以减少制备过程中的掩膜版数量，降低制备成本。

在本公开的一些实施方式中，发光功能层EFL可以包括多个发光结构，及位于任意相邻发光结构之间的电荷产生层CGL。也就是说，所述发光结构包括位于像素电极层与电荷产生层CGL之间，或者相邻的电荷产生层CGL之间，或者电荷产生层CGL与公共电极层之间的膜层结构。可以理解的是，不同的发光结构的膜层结构可以相同，也可以不相同。举例而言，参见图10，所述显示面板PNL包括阳极、第一发光结构、电荷产生层CGL、第二发光结构及阴极；其中，第一发光结构与第二发光结构中所包含的膜层结构不相同。第一发光结构包括第一空穴注入层HIL1、第一空穴传输层HTL1、第一电子阻挡层EBL1、第一发光层EML1、第一空穴阻挡层HBL1及第一电子传输层ETL1。第二发光结构包括第二空穴传输层HTL2、第二电子阻挡层EBL2、第二发光层EML2、第二空穴阻挡层HBL2、第二电子传输层ETL2及第二电子注入层EIL2。

在本公开的一种实施方式中，如图6-图10所示，像素层PIXL还包括位于第二发光层EML2靠近电荷产生层CGL一侧的第二电子阻挡层EBL2；所述第二电子阻挡层EBL2包括红色子像素的第二电子阻挡层REBL2、绿色子像素的第二电子阻挡层GEBL2和蓝色子像素的第二电子阻挡层BEBL2。其中，所述蓝色子像素的第二电子阻挡层BEBL2被隔断为不相连的蓝色子像素的第二电子阻挡层的第一部分BEBL2A和蓝色子像素的第二电子阻挡层的第二部分BEBL2B。所述蓝色子像素的第二电子阻挡层的第一部分BEBL2A在所述衬底基板SBT上的正投影位于电荷产生层的第一部分CGLA在所述衬底基板SBT上的正投影范围内，且蓝色子像素的第二电子阻挡层的第一部分BEBL2A在所述衬底基板SBT上的正投影与第二蓝色发光层的第一部分BEML2A在所述衬底基板SBT上的正投影重合。所述蓝色子像素的第二电子阻挡层的第二部分BEBL2B在所述衬底基板SBT上的正投影位于电荷产生层的第二部分CGLB在所述衬底基板SBT上的正投影范围内，且蓝色子像素的第二电子阻挡层的第二部分BEBL2B在所述衬底基板SBT上的正投影与第二蓝色发光层的第二部分BEML2B在所述衬底基板SBT上的正投影重合。可以理解的是，蓝色子像素的第二电子阻挡层BEBL2也可以不被隔断，也就是说，第二蓝色发光层的第一部分BEML2A和第二蓝色发光层的第二部分BEML2B在衬底基板SBT上的正投影均落在蓝色子像素的第二电子阻挡层BEBL2在衬底基板SBT上的正投影范围内。

在本公开的一种实施方式中，如图6-图10所示，像素层PIXL还包括位于第一发光层EML1远离电荷产生层CGL一侧的第一电子阻挡层EBL1；所述第一电子阻挡层EBL1包括红色子像素的第一电子阻挡层REBL1、绿色子像素的第一电子阻挡层GEBL1和蓝色子像素的第一电子阻挡层BEBL1。其中，所述蓝色子像素的第一电子阻挡层BEBL1被隔断为不相连的蓝色子像素的第一电子阻挡层的第一部分BEBL1A和蓝色子像素的第一电子阻挡层的第二部分BEBL1B。所述蓝色子像素的第一电子阻挡层的第一部分BEBL1A在所述衬底基板SBT上的正投影位于电荷产生层的第一部分CGLA在所述衬底基板SBT上的正投影范围内，且蓝色子像素的第一电子阻挡层的第一部分BEBL1A在所述衬底基板SBT上的正投影与第一蓝色发光层的第一部分BEML1A在所述衬底基板SBT上的正投影重合。所述蓝色子像素的第一电子阻挡层的第二部分BEBL1B在所述衬底基板SBT上的正投影位于电荷产生层的第二部分CGLB在所述衬底基板SBT上的正投影范围内，且蓝色子像素的第一电子阻挡层的第二部分BEBL1B在所述衬底基板SBT上的正投影与第一蓝色发光层的第二部分BEML1B在所述衬底基板SBT上的正投影重合。可以理解的是，蓝色子像素的第一电子阻挡层BEBL1也可以不被隔断，也就是说，第一蓝色发光层的第一部分BEML1A和第一蓝色发光层的第二部分BEML1B在衬底基板SBT上的正投影均落在蓝色子像素的第一电子阻挡层BEBL1在衬底基板SBT上的正投影范围内。

进一步地，所述红色子像素的第一电子阻挡层REBL1在衬底基板SBT上的正投影与第一红色发光层在衬底基板SBT上的正投影完全重合。所述绿色子像素的第一电子阻挡层GEBL1在衬底基板SBT上的正投影与第一绿色发光层GEML1在衬底基板SBT上的正投影完全重合。所述蓝色子像素的第一电子阻挡层BEBL1在衬底基板SBT上的正投影与第一蓝色发光层BEML1在衬底基板SBT上的正投影完全重合。如此，红色子像素的第一电子阻挡层REBL1与第一红色发光层REML1、绿色子像素的第一电子阻挡层GEBL1与第一绿色发光层GEML1、蓝色子像素的第一电子阻挡层BEBL1与第一蓝色发光层BEML1可以采用相同的掩膜版，简化制备工艺。同样的，红色子像素的第二电子阻挡层REBL2与第二红色发光层REML2、绿色子像素的第二电子阻挡层GEBL2与第二绿色发光层GEML2、蓝色子像素的第二电子阻挡层BEBL2与第二蓝色发光层BEML2可以采用相同的掩膜版。

本公开还提供一种上述显示面板的制备方法，该制备方法包括在衬底基板SBT的一侧形成像素层，所述像素层包括依次层叠设置的第一发光层EML1、电荷产生层CGL、第二发光层EML2；所述像素层设置有阵列分布的子像素PIX，所述子像素PIX包括第一子像素PIX1和第二子像素PIX2。其中，在制备所述电荷产生层CGL时，使得所述电荷产生层CGL具有隔断区，所述隔断区使得所述电荷产生层CGL至少分为不相连的电荷产生层的第一部分CGLA和电荷产生层的第二部分CGLB。所述第二子像素PIX2的至少部分发光区域在所述衬底基板SBT上的正投影位于所述电荷产生层的第二部分CGLB在衬底基板SBT上的正投影内。所述第一子像素PIX1的发光区域在所述衬底基板SBT上的正投影位于电荷产生层的第一部分CGLA在所述衬底基板SBT上的正投影内。

在一种示例中，显示面板的制备方法还可以包括制备第二子像素的第一部分PIX21和第二子像素的第二部分PIX22，使得所述第二子像素的第一部分PIX21的发光区域在所述衬底基板SBT上的正投影，位于电荷产生层的第一部分CGLA在所述衬底基板SBT上的正投影内；所述第二子像素的第二部分PIX22的发光区域在所述衬底基板SBT上的正投影，位于所述电荷产生层的第二部分CGLB在衬底基板SBT上的正投影内。也就是说将，第二子像素PIX2分为第二子像素的第一部分PIX21和第二子像素的第二部分PIX22两个像素发光区域，第二子像素的第一部分PIX21的发光区域和第二子像素的第二部分PIX22的发光区域大小可以相同，也可以不相同。

在一种示例中，显示面板的制备方法还包括制备第二空穴阻挡层HBL2，所述第二空穴阻挡层HBL2位于第二发光层EML2远离电荷产生层CGL一侧，获得不相连的第二空穴阻挡层的第一部分HBL21和第二空穴阻挡层的第二部分HBL22，使得所述第二空穴阻挡层的第一部分HBL21在所述衬底基板SBT上的正投影位于电荷产生层的第一部分CGLA在所述衬底基板SBT上的正投影内；所述第二空穴阻挡层的第二部分HBL22在所述衬底基板SBT上的正投影位于电荷产生层的第二部分CGLB在所述衬底基板SBT上的正投影内。

在一种示例中，显示面板的制备方法还包括制备第二电子传输层ETL2，所述第二电子传输层ETL2位于第二发光层EML2远离电荷产生层CGL一侧，获得不相连的第二电子传输层的第一部分ETL21和第二电子传输层的第二部分ETL22，使得所述第二电子传输层的第一部分ETL21在所述衬底基板SBT上的正投影位于电荷产生层的第一部分CGLA在所述衬底基板SBT上的正投影内；所述第二电子传输层的第二部分ETL22在所述衬底基板SBT上的正投影位于电荷产生层的第二部分CGLB在所述衬底基板SBT上的正投影内。

本公开还提供一种显示装置，该显示装置包括上述显示面板。显示装置中还可以包括衬底基板、薄膜晶体管TFT、平坦层、像素定义层等。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、智能手表、健身腕带、个人数字助理等任何具有显示功能的产品或部件。除了满足本公开的上述显示面板的结构以外，阴极、阳极、封装层、衬底基板、薄膜晶体管TFT、平坦层、像素定义层等的具体结构、材料组成和制备方法可以采用任何适合的结构、材料组成和制备方法而没有特别限制。本公开不涉及对这些组件的改进，因此对于这些组件不做详细描述，以避免模糊本公开的主要技术创意。

参见图11，以下结合具体的制备工艺，进一步说明本公开实施方式提供的显示面板。示例性的，在以下实施例中，蓝色发光层BEML(包括第一蓝色发光层BEML1和第二蓝色发光层BEML2)包括第一主体材料BH和第一客体材料BD，红色发光层REML(包括第一红色发光层REML1和第二红色发光层REML2)含有第二客体材料RD和两种第二主体材料RH，两种第二主体材料分别为第一电子型主体材料RHN和第一空穴型主体材料RHP。绿色发光层GEML(包括第一绿色发光层GEML1和第二绿色发光层GEML2)含有第三客体材料GD和两种第三主体材料GH，两种第三主体材料分别为第二电子型主体材料GHN和第二空穴型主体材料GHP。示例性的，阴极CE在远离阳极AE一侧具有覆盖层CPL，所述覆盖层CPL可以包括高折射率材料层和低折射率材料层。

像素层的结构参数包括：

蓝光部分：HIL1(10nm)/HTL1(20nm)/BEBL1(10nm)/(BH:BD(20nm,2％)(BEML1)/HBL1(5nm)/ETL1:LIQ(10nm，50％)；N-CGL(18nm)/P-CGL(90nm)；HTL2(40nm)/BEBL2(10nm)/BH:BD(20nm,2％)(BEML2)/HBL2(5nm)/ETL2:LIQ(35nm,50％)/EIL2(Yb)(1nm)/Mg：Ag13nm/CPL70nm。

绿光部分发光层：BEBL1(10nm)/GH:GD(35nm,8％)(GEML1)；BEBL2(10nm)/GH:GD(35nm,8％)(GEML2)。

红光部分发光层：REBL1(10nm)/RH:RD(55nm,2％)(REML1)；REBL2(10nm)/RH:RD(55nm,2％)(REML2)。

对比实施例

S100、获得驱动背板DBP，在驱动背板DBP上制备铟锡氧化物ITO层；

S200、在铟锡氧化物ITO层远离驱动背板DBP一侧依次蒸镀第一发光结构、电荷产生层CGL及第二发光结构。

在步骤S200中，第一发光结构包括依次层叠设置的第一空穴注入层HIL1、第一空穴传输层HTL1、第一电子阻挡层EBL1、第一发光层EML1、第一空穴阻挡层HBL1及第一电子传输层ETL1。其中，第一空穴注入层HIL1、第一空穴传输层HTL1、第一空穴阻挡层HBL1、第一电子传输层ETL1均采用open mask(开放掩膜版)进行蒸镀，制备的第一空穴注入层HIL1、第一空穴传输层HTL1、第一空穴阻挡层HBL1、第一电子传输层ETL1作为公共膜层。第一电子阻挡层EBL1和第一发光层EML1采用FMM mask(精密金属掩膜版)进行蒸镀。三个发光层的蒸镀顺序可以为蓝色子像素的第一电子阻挡层BEBL1、第一蓝色发光层BEML1、绿色子像素的第一电子阻挡层GEBL1、第一绿色发光层GEML1、红色子像素的第一电子阻挡层REBL1、第一红色发光层REML1。其中，获得的蓝色子像素的第一电子阻挡层BEBL1、绿色子像素的第一电子阻挡层GEBL1、红色子像素的第一电子阻挡层REBL1被隔断为不相连的区域；获得的第一蓝色发光层BEML1、第一绿色发光层GEML1、第一红色发光层REML1同样被隔断为不相连的区域。并满足第一蓝色发光层BEML1在衬底基板SBT上的正投影，与蓝色子像素的第一电子阻挡层BEBL1在衬底基板SBT上的正投影重合；第一绿色发光层GEML1在衬底基板SBT上的正投影，与绿色子像素的第一电子阻挡层GEBL1在衬底基板SBT上的正投影重合；第一红色发光层REML1在衬底基板SBT上的正投影，与红色子像素的第一电子阻挡层REBL1在衬底基板SBT上的正投影重合。

电荷产生层CGL包括N型电荷产生层NCGL和P型电荷产生层PCGL。N型电荷产生层NCGL和P型电荷产生层PCGL均采用open mask进行蒸镀，制备的N型电荷产生层NCGL和P型电荷产生层PCGL作为公共膜层。其中，N型电荷产生层NCGL所用的材料可以为但不限于含有1％Li掺杂的电荷产生层CGL材料；P型电荷产生层PCGL所用的材料可以为但不限于含有5％P-dopant(P型掺杂剂)掺杂的空穴传输层HTL材料。

第二发光结构包括依次层叠设置的第二空穴传输层HTL2、第二电子阻挡层EBL2、第二发光层EML2、第二空穴阻挡层HBL2、第二电子传输层ETL2及第二电子注入层EIL2。第二空穴传输层HTL2、第二空穴阻挡层HBL2、第二电子传输层ETL2、第二电子注入层EIL2均采用open mask进行蒸镀，制备的第二空穴传输层HTL2、第二空穴阻挡层HBL2、第二电子传输层ETL2、第二电子注入层EIL2作为公共膜层。第二电子阻挡层EBL2和第二发光层EML2采用FMMmask进行蒸镀。三个发光层的蒸镀顺序可以为蓝色子像素的第二电子阻挡层BEBL2、第二蓝色发光层BEML2、绿色子像素的第二电子阻挡层GEBL2、第二绿色发光层GEML2、红色子像素的第二电子阻挡层REBL2、第二红色发光层REML2。其中，获得的蓝色子像素的第二电子阻挡层BEBL2、绿色子像素的第二电子阻挡层GEBL2、红色子像素的第二电子阻挡层REBL2被隔断为不相连的区域；获得的第二蓝色发光层BEML2、第二绿色发光层GEML2、第二红色发光层REML2同样被隔断为不相连的区域。并满足第二蓝色发光层BEML2在衬底基板SBT上的正投影，与蓝色子像素的第二电子阻挡层BEBL2在衬底基板SBT上的正投影重合；第二绿色发光层GEML2在衬底基板SBT上的正投影，与绿色子像素的第二电子阻挡层GEBL2在衬底基板SBT上的正投影重合；第二红色发光层REML2在衬底基板SBT上的正投影，与红色子像素的第二电子阻挡层REBL2在衬底基板SBT上的正投影重合。

S300、在第二发光结构远离驱动背板DBP一侧蒸镀阴极，获得具有如图4所示的像素层的显示面板。

实施例1

S100、获得驱动背板DBP，在驱动背板DBP上制备铟锡氧化物ITO基板；

S200、在铟锡氧化物ITO基板远离驱动背板DBP一侧依次蒸镀第一发光结构、电荷产生层CGL及第二发光结构。

在步骤S200中，第一发光结构包括依次层叠设置的第一空穴注入层HIL1、第一空穴传输层HTL1、第一电子阻挡层EBL1、第一发光层EML1、第一空穴阻挡层HBL1及第一电子传输层ETL1。第一空穴注入层HIL1、第一空穴传输层HTL1、第一空穴阻挡层HBL1、第一电子传输层ETL1均采用open mask进行蒸镀，制备的第一空穴注入层HIL1、第一空穴传输层HTL1、第一空穴阻挡层HBL1、第一电子传输层ETL1作为公共膜层。第一电子阻挡层EBL1和第一发光层EML1采用FMM mask进行蒸镀。在该实施例中，蓝色子像素BPIX分为第二子像素的第一部分PIX21和第二子像素的第二部分PIX22，第二子像素的第一部分PIX21包括蓝色子像素的第一电子阻挡层的第一部分BEBL1A和第一蓝色发光层的第一部分BEML1A，第二子像素的第二部分PIX22包括蓝色子像素的第一电子阻挡层的第二部分BEBL1B和第一蓝色发光层的第二部分BEML1B。

其中，制备获得的蓝色子像素的第一电子阻挡层的第一部分BEBL1A、蓝色子像素的第一电子阻挡层的第二部分BEBL1B、绿色子像素的第一电子阻挡层GEBL1、红色子像素的第一电子阻挡层REBL1被隔断为不相连的区域；获得的第一蓝色发光层的第一部分BEML1A、第一蓝色发光层的第二部分BEML1B、第一绿色发光层GEML1、第一红色发光层REML1同样被隔断为不相连的区域。并满足第一蓝色发光层的第一部分BEML1A在衬底基板SBT上的正投影，与蓝色子像素的第一电子阻挡层的第一部分BEBL1A在衬底基板SBT上的正投影重合；第一蓝色发光层的第二部分BEML1B在衬底基板SBT上的正投影，与蓝色子像素的第一电子阻挡层的第二部分BEBL1B在衬底基板SBT上的正投影重合；第一绿色发光层GEML1在衬底基板SBT上的正投影，与绿色子像素的第一电子阻挡层GEBL1在衬底基板SBT上的正投影重合；第一红色发光层REML1在衬底基板SBT上的正投影，与红色子像素的第一电子阻挡层REBL1在衬底基板SBT上的正投影重合。

制备获得的电荷产生层CGL包括N型电荷产生层NCGL和P型电荷产生层PCGL。N型电荷产生层NCGL包括不相连的N型电荷产生层的第一部分NCGLA和N型电荷产生层的第二部分NCGLB，P型电荷产生层PCGL包括不相连的P型电荷产生层的第一部分PCGLA和P型电荷产生层的第二部分PCGLB。第一绿色发光层GEML1、第一红色发光层REML1、第一蓝色发光层的第一部分BEML1A在衬底基板SBT上的正投影，均位于N型电荷产生层的第一部分NCGLA在衬底基板SBT上的正投影范围内，同样的，第一绿色发光层GEML1、第一红色发光层REML1、第一蓝色发光层的第一部分BEML1A在衬底基板SBT上的正投影，位于P型电荷产生层的第一部分PCGLA在衬底基板SBT上的正投影范围内。第一蓝色发光层的第二部分BEML1B在衬底基板SBT上的正投影，位于N型电荷产生层的第二部分NCGLB在衬底基板SBT上的正投影范围内，同样的，第一蓝色发光层的第二部分BEML1B在衬底基板SBT上的正投影，位于P型电荷产生层的第二部分PCGLB在衬底基板SBT上的正投影范围内。

N型电荷产生层的第一部分NCGLA、P型电荷产生层的第一部分PCGLA、N型电荷产生层的第二部分NCGLB、P型电荷产生层的第二部分PCGLB均采用FMM mask进行蒸镀。其中，N型电荷产生层的第一部分NCGLA、N型电荷产生层的第二部分NCGLB所用的材料可以为但不限于含有1％Li掺杂的电荷产生层CGL材料；P型电荷产生层的第一部分PCGLA、P型电荷产生层的第二部分PCGLB所用的材料可以为但不限于含有5％ P-dopant掺杂的空穴传输层HTL材料。

第二发光结构包括依次层叠设置的第二空穴传输层HTL2、第二电子阻挡层EBL2、第二发光层EML2、第二空穴阻挡层HBL2、第二电子传输层ETL2及第二电子注入层EIL2。第二空穴传输层HTL2、第二空穴阻挡层HBL2、第二电子传输层ETL2、第二电子注入层EIL2均采用open mask进行蒸镀，制备的第二空穴传输层HTL2、第二空穴阻挡层HBL2、第二电子传输层ETL2、第二电子注入层EIL2作为公共膜层。第二电子阻挡层EBL2和第二发光层EML2采用FMMmask进行蒸镀。在该实施例中，蓝色子像素BPIX分为第二子像素的第一部分PIX21和第二子像素的第二部分PIX22，第二子像素的第一部分PIX21包括蓝色子像素的第二电子阻挡层的第一部分BEBL2A和第二蓝色发光层的第一部分BEML2A，第二子像素的第二部分PIX22包括蓝色子像素的第二电子阻挡层的第二部分BEBL2B和第二蓝色发光层的第二部分BEML2B。

其中，采用FMM mask蒸镀获得的蓝色子像素的第二电子阻挡层的第一部分BEBL2A、蓝色子像素的第二电子阻挡层的第二部分BEBL2B、绿色子像素的第二电子阻挡层GEBL2、红色子像素的第二电子阻挡层REBL2被隔断为不相连的区域；获得的第二蓝色发光层的第一部分BEML2A、第二蓝色发光层的第二部分BEML2B、第二绿色发光层GEML2、第二红色发光层REML2同样被隔断为不相连的区域。并满足第二绿色发光层GEML2、第二红色发光层REML2、第二蓝色发光层的第一部分BEML2A在衬底基板SBT上的正投影，均位于N型电荷产生层的第一部分NCGLA在衬底基板SBT上的正投影范围内，同样的，绿色子像素的第二电子阻挡层GEBL2、红色子像素的第二电子阻挡层REBL2、蓝色子像素的第二电子阻挡层的第一部分BEBL2A在衬底基板SBT上的正投影，均位于N型电荷产生层的第一部分NCGLA在衬底基板SBT上的正投影范围内。第二蓝色发光层的第二部分BEML2B在衬底基板SBT上的正投影，位于N型电荷产生层的第二部分NCGLB在衬底基板SBT上的正投影范围内，同样的，蓝色子像素的第二电子阻挡层的第二部分BEBL2B在衬底基板SBT上的正投影，位于N型电荷产生层的第二部分NCGLB在衬底基板SBT上的正投影范围内。

S300、在第二发光结构远离驱动背板DBP一侧蒸镀阴极，获得具有如图6所示的像素层的显示面板。

实施例2

S100、获得驱动背板DBP，在驱动背板DBP上制备铟锡氧化物ITO基板；

S200、在铟锡氧化物ITO基板远离驱动背板DBP一侧依次蒸镀第一发光结构、电荷产生层CGL及第二发光结构。

在步骤S200中，第一发光结构包括依次层叠设置的第一空穴注入层HIL1、第一空穴传输层HTL1、第一电子阻挡层EBL1、第一发光层EML1、第一空穴阻挡层HBL1及第一电子传输层ETL1。第一空穴注入层HIL1、第一空穴传输层HTL1、第一空穴阻挡层HBL1、第一电子传输层ETL1均采用open mask进行蒸镀，制备的第一空穴注入层HIL1、第一空穴传输层HTL1、第一空穴阻挡层HBL1、第一电子传输层ETL1作为公共膜层。第一电子阻挡层EBL1和第一发光层EML1采用FMM mask进行蒸镀。在该实施例中，蓝色子像素BPIX分为第二子像素的第一部分PIX21和第二子像素的第二部分PIX22，第二子像素的第一部分PIX21包括蓝色子像素的第一电子阻挡层的第一部分BEBL1A和第一蓝色发光层的第一部分BEML1A，第二子像素的第二部分PIX22包括蓝色子像素的第一电子阻挡层的第二部分BEBL1B和第一蓝色发光层的第二部分BEML1B。

其中，获得的蓝色子像素的第一电子阻挡层的第一部分BEBL1A、蓝色子像素的第一电子阻挡层的第二部分BEBL1B、绿色子像素的第一电子阻挡层GEBL1、红色子像素的第一电子阻挡层REBL1被隔断为不相连的区域；获得的第一蓝色发光层的第一部分BEML1A、第一蓝色发光层的第二部分BEML1B、第一绿色发光层GEML1、第一红色发光层REML1同样被隔断为不相连的区域。并满足第一蓝色发光层的第一部分BEML1A在衬底基板SBT上的正投影，与蓝色子像素的第一电子阻挡层的第一部分BEBL1A在衬底基板SBT上的正投影重合；第一蓝色发光层的第二部分BEML1B在衬底基板SBT上的正投影，与蓝色子像素的第一电子阻挡层的第二部分BEBL1B在衬底基板SBT上的正投影重合；第一绿色发光层GEML1在衬底基板SBT上的正投影，与绿色子像素的第一电子阻挡层GEBL1在衬底基板SBT上的正投影重合；第一红色发光层REML1在衬底基板SBT上的正投影，与红色子像素的第一电子阻挡层REBL1在衬底基板SBT上的正投影重合。

制备获得的电荷产生层CGL包括N型电荷产生层NCGL和P型电荷产生层PCGL。N型电荷产生层NCGL包括不相连的N型电荷产生层的第一部分NCGLA和N型电荷产生层的第二部分NCGLB，P型电荷产生层PCGL包括不相连的P型电荷产生层的第一部分PCGLA和P型电荷产生层的第二部分PCGLB。N型电荷产生层的第一部分NCGLA、P型电荷产生层的第一部分PCGLA、N型电荷产生层的第二部分NCGLB、P型电荷产生层的第二部分PCGLB均采用FMM mask进行蒸镀。第一绿色发光层GEML1、第一红色发光层REML1、第一蓝色发光层的第一部分BEML1A在衬底基板SBT上的正投影，均位于N型电荷产生层的第一部分NCGLA在衬底基板SBT上的正投影范围内，同样的，第一绿色发光层GEML1、第一红色发光层REML1、第一蓝色发光层的第一部分BEML1A在衬底基板SBT上的正投影，均位于P型电荷产生层的第一部分PCGLA在衬底基板SBT上的正投影范围内。第一蓝色发光层的第二部分BEML1B在衬底基板SBT上的正投影，位于N型电荷产生层的第二部分NCGLB在衬底基板SBT上的正投影范围内，同样的，第一蓝色发光层的第二部分BEML1B在衬底基板SBT上的正投影，位于P型电荷产生层的第二部分PCGLB在衬底基板SBT上的正投影范围内。

其中，N型电荷产生层的第一部分NCGLA、N型电荷产生层的第二部分NCGLB所用的材料可以为但不限于含有1％Li掺杂的电荷产生层CGL材料。P型电荷产生层的第一部分PCGLA、P型电荷产生层的第二部分PCGLB所用的材料可以为但不限于含有5％ P-dopant掺杂的空穴传输层HTL材料。

第二发光结构包括依次层叠设置的第二空穴传输层HTL2、第二电子阻挡层EBL2、第二发光层EML2、第二空穴阻挡层HBL2、第二电子传输层ETL2及第二电子注入层EIL2。

在该实施例中，蓝色子像素BPIX分为第二子像素的第一部分PIX21和第二子像素的第二部分PIX22，第二子像素的第一部分PIX21还包括蓝色子像素的第二电子阻挡层的第一部分BEBL2A和第二蓝色发光层的第一部分BEML2A，第二子像素的第二部分PIX22还包括蓝色子像素的第二电子阻挡层的第二部分BEBL2B和第二蓝色发光层的第二部分BEML2B。其中，采用open mask蒸镀制备获得蓝色子像素的第二电子阻挡层的第一部分BEBL2A和第二蓝色发光层的第一部分BEML2A，采用FMM mask蒸镀制备获得蓝色子像素的第二电子阻挡层的第二部分BEBL2B和第二蓝色发光层的第二部分BEML2B。获得的蓝色子像素的第二电子阻挡层的第一部分BEBL2A、蓝色子像素的第二电子阻挡层的第二部分BEBL2B、绿色子像素的第二电子阻挡层GEBL2、红色子像素的第二电子阻挡层REBL2被隔断为不相连的区域；获得的第二蓝色发光层的第一部分BEML2A、第二蓝色发光层的第二部分BEML2B、第二绿色发光层GEML2、第二红色发光层REML2同样被隔断为不相连的区域。并满足第二绿色发光层GEML2、第二红色发光层REML2、第二蓝色发光层的第一部分BEML2A在衬底基板SBT上的正投影，均位于N型电荷产生层的第一部分NCGLA在衬底基板SBT上的正投影范围内，同样的，绿色子像素的第二电子阻挡层GEBL2、红色子像素的第二电子阻挡层REBL2、蓝色子像素的第二电子阻挡层的第一部分BEBL2A在衬底基板SBT上的正投影，均位于N型电荷产生层的第一部分NCGLA在衬底基板SBT上的正投影范围内。第二蓝色发光层的第二部分BEML2B在衬底基板SBT上的正投影，位于N型电荷产生层的第二部分NCGLB在衬底基板SBT上的正投影范围内，同样的，蓝色子像素的第二电子阻挡层的第二部分BEBL2B在衬底基板SBT上的正投影，位于N型电荷产生层的第二部分NCGLB在衬底基板SBT上的正投影范围内。

在该实施方式中，采用open mask蒸镀制备获得第二空穴传输层的第一部分HTL21，采用FMM mask蒸镀制备获得第二空穴传输层的第二部分HTL22，第二空穴传输层的第一部分HTL21和第二空穴传输层的第二部分HTL22构成不相连的第二空穴传输层HTL2。所述第二绿色发光层GEML2、第二红色发光层REML2、第二蓝色发光层的第一部分BEML2A在衬底基板SBT上的正投影，位于第二空穴传输层的第一部分HTL21在衬底基板SBT上的正投影范围内；第二蓝色发光层的第二部分BEML2B在衬底基板SBT上的正投影，位于第二空穴传输层的第二部分HTL22在衬底基板SBT上的正投影范围内。

采用FMM mask蒸镀制备获得第二空穴阻挡层的第一部分HBL21、第二空穴阻挡层的第二部分HBL22，第二空穴阻挡层的第一部分HBL21和第二空穴阻挡层的第二部分HBL22构成不相接的第二空穴阻挡层HBL2。所述第二绿色发光层GEML2、第二红色发光层REML2、第二蓝色发光层的第一部分BEML2A在衬底基板SBT上的正投影，位于第二空穴阻挡层的第一部分HBL21在衬底基板SBT上的正投影范围内；第二蓝色发光层的第二部分BEML2B在衬底基板SBT上的正投影，位于第二空穴阻挡层的第二部分HBL22在衬底基板SBT上的正投影范围内。采用FMM mask蒸镀制备获得第二电子传输层的第一部分ETL21、第二电子传输层的第二部分ETL22，第二电子传输层的第一部分ETL21和第二电子传输层的第二部分ETL22构成不相接的第二电子传输层ETL2。所述第二绿色发光层GEML2、第二红色发光层REML2、第二蓝色发光层的第一部分BEML2A在衬底基板SBT上的正投影，位于第二电子传输层的第一部分ETL21在衬底基板SBT上的正投影范围内；第二蓝色发光层的第二部分BEML2B在衬底基板SBT上的正投影，位于第二电子传输层的第二部分ETL22在衬底基板SBT上的正投影范围内。

S300、在第二发光结构远离驱动背板DBP一侧蒸镀阴极,获得具有如图10所示的像素层的显示面板。

分别对实施例1、实施例2及对比实施例制备的显示面板进行蓝光点亮测试，测试对应的光谱，结果参见表1。

表1各个实施例蓝光点亮测试结果

从表1中可以看到，显示面板PNL在点亮蓝光的时候，会有红色子像素的伴随发光。其中，对比实施例的红光占比远大于实施例1和实施例2的红光占比，而实施例2的红光占比也较实施例1的红光占比稍有降低。这是因为，对比实施例提供的制备方法所制备的显示面板中，由于N型电荷产生层NCGL和P型电荷产生层PCGL都采用open mask蒸镀制备成公共膜层，容易发生横向串扰的问题。在点亮蓝光时，进入蓝色子像素BPIX的电荷可通过电荷产生层CGL横向进入红色子像素RPIX，而红色子像素RPIX的启亮电压低，容易被点亮，从而引起颜色串扰更严重。采用实施例1提供的制备方法所制备的显示面板中，N型电荷产生层NCGL和P型电荷产生层PCGL均分为不相连的两部分，可以有效地避免蓝色子像素BPIX对红色子像素RPIX、绿色子像素GPIX的电流串扰，从而改善横向串扰。采用实施例2提供的制备方法所制备获得的显示面板PNL中，电荷产生层CGL及第二发光结构中的第二空穴传输层HTL2、第二空穴阻挡层HBL2、第二电子传输层ETL2均分为不相连的两部分，进一步降低横向串扰导致的红色子像素RPIX发光，与实施例1比较，进一步降低蓝光显示时红光的干扰。

上述实施方式中使用的材料结构示例如下：

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (14)

1.一种显示面板，其特征在于，包括层叠设置的衬底基板和像素层，所述像素层包括依次层叠设置的第一发光层、电荷产生层、第二发光层；

所述像素层设置有阵列分布的子像素，所述子像素包括第一子像素和第二子像素；

所述电荷产生层具有隔断区，所述隔断区使得所述电荷产生层至少分为不相连的电荷产生层的第一部分和电荷产生层的第二部分；

所述第二子像素的至少部分发光区域在所述衬底基板上的正投影位于所述电荷产生层的第二部分在衬底基板上的正投影内；

所述第一子像素的发光区域在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第一部分在所述衬底基板上的正投影内。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二子像素包括第二子像素的第一部分和第二子像素的第二部分；

所述第二子像素的第一部分的发光区域在所述衬底基板上的正投影，位于电荷产生层的第一部分在所述衬底基板上的正投影内；

所述第二子像素的第二部分的发光区域在所述衬底基板上的正投影，位于所述电荷产生层的第二部分在衬底基板上的正投影内。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二子像素的第二部分的发光区域在所述衬底基板上的正投影面积，大于所述第二子像素的第一部分的发光区域在所述衬底基板上的正投影面积。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二子像素的发光波长小于所述第一子像素的发光波长。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述像素层还包括位于电荷产生层和第二发光层之间的第二空穴传输层；

所述第二空穴传输层被隔断为不相连的第二空穴传输层的第一部分和第二空穴传输层的第二部分；

所述第二空穴传输层的第一部分在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第一部分在所述衬底基板上的正投影内；所述第二空穴传输层的第二部分在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第二部分在所述衬底基板上的正投影内。

6.根据权利要求1-4任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述像素层还包括位于第二发光层远离电荷产生层一侧的第二空穴阻挡层；

所述第二空穴阻挡层被隔断为不相连的第二空穴阻挡层的第一部分和第二空穴阻挡层的第二部分；

所述第二空穴阻挡层的第一部分在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第一部分在所述衬底基板上的正投影内；所述第二空穴阻挡层的第二部分在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第二部分在所述衬底基板上的正投影内。

7.根据权利要求1-4任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述像素层还包括位于第二发光层远离电荷产生层一侧的第二电子传输层；

所述第二电子传输层被隔断为不相连的第二电子传输层的第一部分和第二电子传输层的第二部分；

所述第二电子传输层的第一部分在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第一部分在所述衬底基板上的正投影内；所述第二电子传输层的第二部分在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第二部分在所述衬底基板上的正投影内。

8.根据权利要求1-4任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述第二子像素具有位于第二发光层的第二蓝色发光层，所述第二蓝色发光层被隔断为不相连的第二蓝色发光层的第一部分和第二蓝色发光层的第二部分；

所述第二蓝色发光层的第一部分在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第一部分在所述衬底基板上的正投影内；所述第二蓝色发光层的第二部分在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第二部分在所述衬底基板上的正投影内。

9.根据权利要求1-4任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述第二子像素具有位于第一发光层的第一蓝色发光层，所述第一蓝色发光层被隔断为不相连的第一蓝色发光层的第一部分和第一蓝色发光层的第二部分；

所述第一蓝色发光层的第一部分在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第一部分在所述衬底基板上的正投影内；所述第一蓝色发光层的第二部分在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第二部分在所述衬底基板上的正投影内。

10.根据权利要求1-4任意一项所述的显示面板，其特征在于，像素层还包括位于第二发光层靠近电荷产生层一侧的第二电子阻挡层；第二子像素具有位于第二电子阻挡层的蓝色子像素的第二电子阻挡层，所述蓝色子像素的第二电子阻挡层被隔断为不相连的蓝色子像素的第二电子阻挡层的第一部分和蓝色子像素的第二电子阻挡层的第二部分；

所述蓝色子像素的第二电子阻挡层的第一部分在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第一部分在所述衬底基板上的正投影内；所述蓝色子像素的第二电子阻挡层的第二部分在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第二部分在所述衬底基板上的正投影内。

11.根据权利要求1-4任意一项所述的显示面板，其特征在于，像素层还包括位于第一发光层远离电荷产生层一侧的第一电子阻挡层；第二子像素具有位于第一电子阻挡层的蓝色子像素的第一电子阻挡层，所述蓝色子像素的第一电子阻挡层被隔断为不相连的蓝色子像素的第一电子阻挡层的第一部分和蓝色子像素的第一电子阻挡层的第二部分；

所述蓝色子像素的第一电子阻挡层的第一部分在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第一部分在所述衬底基板上的正投影内；所述蓝色子像素的第一电子阻挡层的第二部分在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第二部分在所述衬底基板上的正投影内。

12.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述像素层还包括像素定义层，所述像素定义层具有与所述第二子像素的第一部分对应的第一像素开口和与第二子像素的第二部分对应的第二像素开口；所述第二子像素的第一部分暴露所述第二子像素的部分像素电极且所述第二子像素的第二部分暴露所述第二子像素的部分像素电极。

13.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括在衬底基板的一侧形成像素层，所述像素层包括依次层叠设置的第一发光层、电荷产生层、第二发光层；所述像素层设置有阵列分布的子像素，所述子像素包括第一子像素和第二子像素；

其中，在制备所述电荷产生层时，使得所述电荷产生层具有隔断区，所述隔断区使得所述电荷产生层至少分为不相连的电荷产生层的第一部分和电荷产生层的第二部分；

所述第二子像素的至少部分发光区域在所述衬底基板上的正投影位于所述电荷产生层的第二部分在衬底基板上的正投影内；

所述第一子像素的发光区域在所述衬底基板上的正投影位于电荷产生层的第一部分在所述衬底基板上的正投影内。

14.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-12任意一项所述的显示面板。