CN118221990A - 一种高稳定性透明电磁屏蔽薄膜及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种高稳定性透明电磁屏蔽薄膜及其制备方法，属于电磁屏蔽技术领域。所述方法包括以下步骤：S1.将聚酰胺酸溶液涂布在基材上，然后进行预固化，得到聚酰胺酸薄膜；S2.将聚酰胺酸薄膜进行等离子体处理，在聚酰胺酸薄膜上涂布银纳米线分散液，再在90～120℃下进行热处理；S3.在银纳米线网络层上涂布聚酰胺酸溶液，进行梯度热亚胺化，剥离后即得。本发明可以增强银纳米线与衬底的键合强度，并将银纳米线网络层包裹在具有一体式结构的聚酰亚胺层中，相比于现有技术中具有明显界面层的两层聚酰亚胺层，本发明的一体式聚酰亚胺层具有优异的机械强度，可以更好的将导电网络保护起来，增强导电网络的稳定性，进而提升电磁屏蔽薄膜的耐候性和稳定性。

Description

一种高稳定性透明电磁屏蔽薄膜及其制备方法

技术领域

本发明属于电磁屏蔽技术领域，具体涉及一种高稳定性透明电磁屏蔽薄膜及其制备方法。

背景技术

现代电子技术和无线通信技术的迅猛发展在极大方便社会生活的同时也带来了严重的电磁干扰，由射频辐射引起的电磁干扰已成为重要的全球污染源。因此，越来越多的关注点集中在如何开发高性能电磁屏蔽材料上。尽管传统的金属电磁屏蔽材料展现了优良的屏蔽性能，但是微纳尺寸的金属材料在极端环境下极易受损，如高温导致熔断、低温的脆性以及化学腐蚀，并且在许多特殊应用场景中，需要同时实现电磁屏蔽和可见光透明，以确保信号检测和光学观察功能，而传统的金属电磁屏蔽材料存在质量大、表面坚硬、耐腐蚀性差且不透明等弊端，在很多场景中应用受限。

近年来，柔性透明电磁屏蔽薄膜因具有重量轻、耐腐蚀等优点而引起广泛的关注。柔性透明电磁屏蔽薄膜主要由柔性基膜和导电材料两部分组成，其制备工艺一般为将导电墨水涂覆在柔性基膜表面，经干燥后得到。目前，大部分的柔性电磁屏蔽薄膜的制备工艺均是在完全固化的第一柔性基膜上涂覆导电墨水，然后再涂覆胶液形成第二柔性基膜；但是，在完全固化的第一柔性基膜上再次涂覆胶液形成的第二柔性基膜与第一柔性基膜是存在界面分层的，上下层无法通过银纳米线形成的孔隙进行化学交联，会导致上下两层柔性基膜之间的机械强度不足，在极端环境下或长期工作后会发生分离破损，进而使电磁屏蔽薄膜失去原有的电磁屏蔽效果，电磁屏蔽薄膜的耐候性和稳定性较差。如中国专利202110167796.X公开了一种电磁屏蔽层，从上到下依次包括第一含氟聚酰亚胺保护层、第一银纳米线层、含氟聚酰亚胺衬底、第二银纳米线层、第二含氟聚酰亚胺保护层；含氟聚酰亚胺衬底、第一含氟聚酰亚胺保护层以及第二含氟聚酰亚胺保护层均由含氟聚酰亚胺胶液涂布制备；第一银纳米线层以及第二银纳米线层均由银纳米线涂布液涂布制备。该电磁屏蔽层的电池屏蔽性能好，对不同频段的电磁波均具有屏蔽效益。但是，该电磁屏蔽层的含氟聚酰亚胺衬底与第一含氟聚酰亚胺保护层、第二含氟聚酰亚胺保护层之间是存在界面分层的，会导致含氟聚酰亚胺衬底与第一含氟聚酰亚胺保护层、第二含氟聚酰亚胺保护层之间的机械强度差，进而使电磁屏蔽层在极端环境下的耐候性和稳定性较差。同时，含氟聚酰亚胺衬底是疏水的，银纳米线在疏水的衬底上较难均匀涂布，导致部分网络线密度较小，进而降低了银纳米线网络的整体导电性。此外，由于银纳米线层与含氟聚酰亚胺衬底之间的剪切力较弱，在银纳米线层上涂布高粘性的含氟聚酰亚胺胶液时会使银纳米线发生位移，破坏银纳米线组成的导电网络，降低了银纳米线网络导电性和方阻均匀性。

因此，研究如何制备出轻质、超薄且电磁屏蔽性、耐候性和稳定性优异的透明电磁屏蔽薄膜具有重要意义。

发明内容

针对以上现有技术的不足，本发明的目的之一是提供一种高稳定性透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，可以制备出质轻、透明、屏蔽性能优异且耐候性和稳定性优异的电磁屏蔽薄膜。

为实现上述目的，本发明的具体技术方案如下：

一种高稳定性透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，包括以下步骤：

S1.将聚酰胺酸溶液涂布在基材上，然后进行预固化，得到聚酰胺酸薄膜；

S2.将聚酰胺酸薄膜进行等离子体处理，然后在聚酰胺酸薄膜上涂布银纳米线分散液形成银纳米线网络层，再在90～120℃下进行热处理；

S3.在银纳米线网络层上涂布聚酰胺酸溶液，然后进行梯度热亚胺化，剥离后得到AgNWs@PI透明电磁屏蔽薄膜。

本发明首先在基材上涂布聚酰胺酸(PAA)溶液，经预固化后得到PAA薄膜，在此过程中，PAA溶液部分脱水缩聚，预固化为非流动的PAA薄膜，但是又并未完全固化成PI；然后对PAA薄膜进行等离子体轰击，可以提升PAA薄膜的亲水性，使银纳米线分散液可以均匀地涂布在PAA薄膜上，解决现有技术中银纳米线在疏水PI薄膜上无法均匀分布的问题。形成银纳米线网络层后进行热处理，热处理可以焊接AgNWs节点，消除银纳米线表面绝缘封端层导致的巨大接触电阻，提高薄膜的导电性性；更重要的是，通过热处理可以增强银纳米线网络与PAA薄膜悬挂键的键合，从而提升银纳米线网络层与PAA薄膜之间的粘附力，使银纳米线网络紧固的锚定在PAA薄膜上，避免在涂布上层高粘性的聚酰胺酸溶液的过程中破坏银纳米线网络结构，进而改善银纳米线网络导电性和面内方阻均匀性；随后，在涂布上层聚酰胺酸溶液后进行整体的热亚胺化，在此过程中，上层聚酰胺酸溶液透过银纳米线网络层孔隙并与下层的PAA薄膜发生互穿交联，一同完全固化，成为一个没有界面层的聚酰亚胺层整体，从而将银纳米线网络层封装于具有一体式结构的聚酰亚胺层中，可以增强聚酰亚胺层的机械强度，进而提升薄膜的耐候性和稳定性。

优选的，步骤S1中，预固化的温度为75～85℃，时间为2～4h。在本发明限定的条件下进行聚酰胺酸的预固化，可以得到非流动的PAA薄膜，但是又不会完全固化成PI薄膜。

优选的，步骤S1中，等离子体处理的时间为5～10min。

优选的，步骤S2中，热处理的时间为5～30min。

优选的，步骤S3中，热亚胺化的温度梯度为30℃、60℃、90℃、120℃、150℃、180℃。

优选的，所述聚酰胺酸溶液的制备方法如下：在惰性气氛中，将二酐单体和二胺单体溶于有机溶剂中，经缩聚后即得到聚酰胺酸溶液。

优选的，所述二胺单体包括4,4-二氨基二苯醚、对苯二胺、4,4-二氨基二苯基甲烷中的至少一种；所述二酐单体包括均苯四甲酸二酐、联苯四甲酸二酐、酮酐、二苯醚四甲酸二酐中的至少一种；所述有机溶剂包括二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺中的至少一种。

在本发明中，聚酰胺酸溶液的固含量为8～16wt％；银纳米线分散液的固含量为0.01～1wt％。

本发明的另一目的在于提供所述制备方法制备得到的高稳定性透明电磁屏蔽薄膜，所述电磁屏蔽薄膜包括银纳米线网络层、以及包裹在所述银纳米线网络层***的聚酰亚胺层，所述聚酰亚胺层穿过所述银纳米线网络层孔隙并构成一体式结构。

与现有技术相比，本发明的有益之处在于：

(1)与现有技术在PI薄膜上涂布银纳米线相比，本发明在预固化得到的PAA薄膜表面涂布银纳米线可以增强银纳米线与衬底的键合强度，进而为多层高粘性聚合物保护层的制备提供了解决方案。

(2)本发明通过等离子体轰击提高PAA薄膜的亲水性，使银纳米线在基膜(PAA薄膜)表面均匀分布，并且通过热处理增强银纳米线网络与PAA薄膜之间的粘附力，避免均匀分布的银纳米线网络在涂布高粘性的聚酰胺酸溶液时遭到破坏，进而改善银纳米线网络导电性和面内方阻均匀性。

(3)本发明的方法可以将银纳米线网络层包裹在具有一体式结构的聚酰亚胺层中，相比于现有技术中具有明显界面层的两层聚酰亚胺层，本发明得到的一体式聚酰亚胺层具有优异的机械强度，可以更好的将导电网络保护起来，增强导电网络的稳定性，进而提升电磁屏蔽薄膜的耐候性和稳定性。

附图说明

图1为本发明制备方法各阶段薄膜的水接触角；

图2为实施例1制备的AgNWs@PI透明电磁屏蔽薄膜的截面SEM图；

图3为实施例1和对比例1的AgNWs与衬底的粘附力图；

图4为实施例1、对比例1和对比例2的聚酰亚胺层之间的剪切力图；

图5为测试实施例1聚酰亚胺层剪切力测试试件的剖面示意图；

图6为实施例1和对比例3的AgNWs@PI薄膜的扫描电镜图和方阻图。

具体实施方式

下面将对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动条件下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明的高稳定性透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，包括以下步骤：

S1.将聚酰胺酸溶液涂布在基材上，然后在75～85℃下预固化2～4h，得到聚酰胺酸薄膜；

S2.将聚酰胺酸薄膜进行等离子体处理5～10min，然后在聚酰胺酸薄膜上涂布银纳米线分散液形成银纳米线网络层，再在90～120℃下热处理5～30min；

S3.在银纳米线网络层上涂布聚酰胺酸溶液，然后进行梯度热亚胺化，剥离后得到AgNWs@PI透明电磁屏蔽薄膜。

本发明中，聚酰胺酸溶液的制备方法如下：在惰性气氛中，将二酐单体和二胺单体溶于有机溶剂中，经缩聚后即得到固含量为8～16wt％的聚酰胺酸溶液。其中，二胺单体可选自4,4-二氨基二苯醚、对苯二胺、4,4-二氨基二苯基甲烷中的至少一种；二酐单体可选自均苯四甲酸二酐、联苯四甲酸二酐、酮酐、二苯醚四甲酸二酐中的至少一种；有机溶剂可选自N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺中的至少一种。

本发明中，银纳米线分散液的固含量可为0.01～1wt％。

以下实施例和对比例中，如无特殊说明，聚酰胺酸溶液的制备方法如下：(1)称取相同摩尔比的均苯四甲酸二酐(PMDA)1.02g，4,4-二氨基二苯醚(ODA)0.92g，开启机械搅拌，将ODA全部溶于12.5g的N,N-二甲基乙酰胺(DMSO)溶剂中，待完全溶解后，在冰水浴的条件下，分批加入PMDA，持续机械搅拌直到出现包轴效应，得到粘度适中的聚酰胺酸溶液。银纳米线分散液的制备方法如下：将1份长度为20～200μm、直径为10～30nm的银纳米线溶于99份乙醇中，即得到银纳米线分散液。

实施例1

本实施例提供一种高稳定性透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，包括以下步骤：

S1.用去离子水、丙酮和乙醇清洗玻璃基板20min，用氮气干燥后，将聚酰胺酸溶液旋涂在玻璃基板上，在80℃的烤箱中预固化2h，得到聚酰胺酸(PAA)薄膜，作为衬底；

S2.用等离子体处理步骤S1得到的聚酰胺酸薄膜10min，然后将银纳米线分散液喷涂在聚酰胺酸薄膜表面，形成银纳米线网络层，再将样品在100℃空气中热处理10min；

S3.在银纳米线网络层表面旋涂聚酰胺酸溶液，然后将样品放入烤箱中，在温度梯度下进行热亚胺化，温度梯度为30℃、60℃、90℃、120℃、150℃、180℃，每个温度下固化30min，升温速率为0.5℃/min，在此过程中，下层的聚酰胺酸薄膜和上层的聚酰胺酸溶液发生互穿交联，同时完全固化并包裹AgNWs。

图1为本发明制备方法各阶段薄膜的亲水性，从图中可以看出，较溶液状态相比，经预固化形成PAA薄膜后接触角有明显增加，而经等离子处理接触角显著降低至59°；相比于完全固化形成的疏水PI薄膜(接触角80°)，经等离子处理的PAA薄膜的亲水性明显提升，可以使银纳米线分散液可以均匀地涂布在PAA薄膜上，解决现有技术中银纳米线在疏水PI薄膜上无法均匀分布的问题。

图2为实施例1制备的AgNWs@PI透明电磁屏蔽薄膜薄膜的截面SEM图，从图中可以看出，AgNWs@PI薄膜的厚度约为10μm，由于上层的聚酰胺酸溶液透过银纳米线网络层的孔隙与下层的PAA薄膜发生互穿交联，一同完全固化形成一体式的PI薄膜，因此无法看出明显的界面分层，说明银纳米线被很好的封装在一体结构的PI基体中，这种牢固型的复合使薄膜的稳定性得到极大的提升。

实施例2

本实施例提供一种高稳定性透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，包括以下步骤：

S1.用去离子水、丙酮和乙醇清洗玻璃基板30min，用氮气干燥后，将聚酰胺酸溶液旋涂在玻璃基板上，在75℃的烤箱中预固化4h，得到聚酰胺酸(PAA)薄膜，作为衬底；

S2.用等离子体处理步骤S1得到的聚酰胺酸薄膜5min，然后将银纳米线分散液喷涂在聚酰胺酸薄膜表面，形成银纳米线网络层，再将样品在120℃空气中热处理5min；

S3.在银纳米线网络层表面旋涂聚酰胺酸溶液，然后将样品放入烤箱中，在温度梯度下进行热亚胺化，温度梯度为30℃、60℃、90℃、120℃、150℃、180℃，每个温度下固化30min，升温速率为0.5℃/min，在此过程中，下层的聚酰胺酸薄膜和上层的聚酰胺酸溶液发生互穿交联，同时完全固化并包裹AgNWs。

实施例3

本实施例提供一种高稳定性透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，包括以下步骤：

S1.用去离子水、丙酮和乙醇清洗玻璃基板10min，用氮气干燥后，将聚酰胺酸溶液旋涂在玻璃基板上，在85℃的烤箱中预固化2h，得到聚酰胺酸(PAA)薄膜，作为衬底；

S2.用等离子体处理步骤S1得到的聚酰胺酸薄膜10min，然后将银纳米线分散液喷涂在聚酰胺酸薄膜表面，形成银纳米线网络层，再将样品在90℃空气中热处理30min；

S3.在银纳米线网络层表面旋涂聚酰胺酸溶液，然后将样品放入烤箱中，在温度梯度下进行热亚胺化，温度梯度为30℃、60℃、90℃、120℃、150℃、180℃，每个温度下固化30min，升温速率为0.5℃/min，在此过程中，下层的聚酰胺酸薄膜和上层的聚酰胺酸溶液发生互穿交联，同时完全固化并包裹AgNWs。

对比例1

本对比例的制备方法与实施例1基本相同，区别之处仅在于，步骤S1如下：将聚酰胺酸溶液涂布在基材上，然后将样品放入烤箱中，在30℃、60℃、120℃、150℃、180℃下各固化30min，得到聚酰亚胺(PI)薄膜，作为衬底。

即与实施例1相比，本对比例步骤S1得到的是完全固化的PI薄膜。

对比例2

本对比例的制备方法与实施例1基本相同，区别之处仅在于，省略步骤S2中的等离子体处理操作。

图3为实施例1和对比例1的AgNWs与衬底的粘附力图。具体测试过程如下：采用3M胶带分别对实施例1和对比例1步骤S2得到的薄膜进行粘附力测试。备注：为了排除衬底材质对粘附力的影响(实施例1的衬底为PAA薄膜，对比例1的衬底为PI薄膜，PAA薄膜和PI薄膜对3M胶带的粘附力不同)，测试前先将实施例1步骤S2得到的涂覆银纳米线的PAA薄膜交联成PI薄膜，再进行测试(目的：将衬底的材质统一为PI薄膜)。从图3可以看出，相较于直接在PI薄膜上涂覆银纳米线(对比例1-图中黑线)，在PAA薄膜上涂覆银纳米线(实施例1-图中红线)后再将PAA交联成PI薄膜，AgNWs与衬底的剪切力增加了3倍。这说明银纳米线与PAA薄膜衬底之间存在键合，而且在PAA完全交联形成PI后依然保持键合，导致剥离更加困难。

从图3的比较结果可以看出，与现有技术在PI薄膜上涂布银纳米线相比，本发明在预固化得到的PAA薄膜表面涂布银纳米线分散液可以增强银纳米线与衬底的键合强度。

图4为实施例1、对比例1和对比例2聚酰亚胺层之间的剪切力图，通过比较实施例1和对比例1可以发现，实施例1通过互穿交联形成的一体式的聚酰亚胺层的剪切力明显高于对比例1两层聚酰亚胺层的剪切力(增强了近20倍)。说明与现有技术中具有明显界面层的两层聚酰亚胺层相比，本发明制备方法制备得到的一体式聚酰亚胺层具有更加优异的机械强度，可以更好的将导电网络保护起来，增强导电网络的稳定性，进而提升电磁屏蔽薄膜的耐候性和稳定性。通过比较实施例1和对比例2可以发现，等离子体处理在一定程度上也可以增强聚酰亚胺层之间的剪切力。

备注：由于本发明制备得到的聚酰亚胺层为一体式结构，无法检测上下聚酰亚胺之间的剪切力，为此发明人做了特殊的测试试件，测试试件的剖面示意图如图5所示。制作测试试件的具体操作如下：在步骤S3旋涂聚酰胺酸溶液之前，在PAA薄膜的一侧放置一块铜箔纸，从而使聚酰亚胺层在局部位置产生分离部(如图5所示)，便于测试时夹持。

对比例3

研究步骤S2的热处理对AgNWs@PI透明电磁屏蔽薄膜的影响：

本对比例的制备方法与实施例1基本相同，区别之处仅在于，省略步骤S2的热处理操作。

图6为实施例1和对比例3的AgNWs@PI薄膜的扫描电镜图和方阻图，图6a为实施例1的扫描电镜图，图6b为对比例3的扫描电镜图；从图中可以看出，在旋涂高粘性的聚酰胺酸溶液后，实施例1的银纳米线仍可以在衬底上保持均匀分散的状态，而对比例3的银纳米线在局部区域内被冲刷损坏，产生了破坏区域；从实施例1和对比例3的方阻变化(图6c)也可以看出，未经热处理的样品在银纳米线导电网络被局部破坏后方阻急剧增加了10倍。说明热处理可以提升银纳米线网络层与PAA薄膜之间的粘附力，使银纳米线网络紧固的锚定在PAA薄膜上，避免在涂布上层高粘性的聚酰胺酸溶液的过程中破坏银纳米线网络结构，进而改善银纳米线网络导电性和面内方阻均匀性。

试验例

根据国标《GJB 6190-2008电磁屏蔽材料屏蔽效能测量方法》对实施例1～3以及对比例1～3所制备的电磁屏蔽薄膜进行屏蔽性能测试。测试结果如表1所示。

表1电磁屏蔽性能测试结果

将实施例1和对比例1的电磁屏蔽薄膜于强腐蚀化学试剂中浸泡1h，测试电磁屏蔽薄膜在强腐蚀性化学试剂下的耐腐蚀性。测试结果如表2所示。

表2电磁屏蔽的耐久性及耐腐蚀测试结果

将实施例1和对比例1的电磁屏蔽薄膜放入鼓风干燥箱和液氮中(完全浸入)，将电磁屏蔽薄膜分别在220℃和-170℃下处理1h，测试电磁屏蔽薄膜在极端温度条件下的稳定性，测试结果见表3所示。

表3电磁屏蔽薄膜的高低温稳定性测试结果

综上所述，本发明制备的电磁屏蔽薄膜的电磁屏蔽性能优异，对不同频段的电磁波均具有屏蔽性能。同时本发明制备的电磁屏蔽薄膜的抗腐蚀性能良好，在5wt.％浓度下的NaOH、HCl和CH₄N₂S分别腐蚀1小时后，薄膜外观良好，透过率和方阻都没有明显变化。此外本发明制备的电磁屏蔽薄膜稳定性能好，在低温-170℃、高温220℃下透光率和方阻几乎没有损失。

对比例1为传统双层聚酰亚胺所制备的电磁屏蔽薄膜，从表1数据可以看出，与实施例1相比，对比例1薄膜的电磁屏蔽性能明显降低，尤其是在高频段下，电磁屏蔽效能下降显著；从表2数据可以看出，与实施例1相比，对比例1薄膜的耐化学试剂腐蚀性也明显变差(在化学试剂中浸泡1h后，透光率明显降低，方阻明显增加)；耐久性也明显变差(在常温常湿的空气中放置60天后，方阻增加较明显)；此外，从表3数据可以看出，与实施例1相比，对比例1薄膜的耐高低温稳定性也明显变差。

综上，相比于现有技术中具有明显界面层的两层聚酰亚胺层，本发明得到的一体式聚酰亚胺层具有优异的机械强度，可以更好的将导电网络保护起来，增强导电网络的稳定性，进而提升电磁屏蔽薄膜的屏蔽性能，同时可以提升薄膜的耐候性和稳定性。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (8)

1.一种高稳定性透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.将聚酰胺酸溶液涂布在基材上，然后进行预固化，得到聚酰胺酸薄膜；

S2.将聚酰胺酸薄膜进行等离子体处理，然后在聚酰胺酸薄膜上涂布银纳米线分散液形成银纳米线网络层，再在90～120℃下进行热处理；

S3.在银纳米线网络层上涂布聚酰胺酸溶液，然后进行梯度热亚胺化，剥离后得到AgNWs@PI。

2.根据权利要求1所述的一种高稳定性透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S1中，预固化的温度为75～85℃，时间为2～4h。

3.根据权利要求1所述的一种高稳定性透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S1中，等离子体处理的时间为5～10min。

4.根据权利要求1所述的一种高稳定性透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2中，热处理的时间为5～30min。

5.根据权利要求1所述的一种高稳定性透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S3中，热亚胺化的温度梯度为30℃、60℃、90℃、120℃、150℃、180℃。

6.根据权利要求1所述的一种高稳定性透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，所述聚酰胺酸溶液的制备方法如下：在惰性气氛中，将二酐单体和二胺单体溶于有机溶剂中，经缩聚后即得到聚酰胺酸溶液。

7.根据权利要求6所述的一种高稳定性透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，所述二胺单体包括4,4-二氨基二苯醚、对苯二胺、4,4-二氨基二苯基甲烷中的至少一种；所述二酐单体包括均苯四甲酸二酐、联苯四甲酸二酐、酮酐、二苯醚四甲酸二酐中的至少一种；所述有机溶剂包括二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺中的至少一种。

8.权利要求1～7任一项所述制备方法制备得到的高稳定性透明电磁屏蔽薄膜，其特征在于，所述电磁屏蔽薄膜包括银纳米线网络层、以及包裹在所述银纳米线网络层***的聚酰亚胺层，所述聚酰亚胺层穿过所述银纳米线网络层孔隙并构成一体式结构。