CN118175897A - 显示基板、显示面板及制备显示基板的方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 165
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 164
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 62
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 101100068676 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) gln-1 gene Proteins 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
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Abstract
本公开提供一种显示基板、显示面板及制备显示基板的方法，属于显示技术领域，其可解决现有的显示基板中出光量低的问题。本公开的显示基板包括：衬底基板、设置在所述衬底基板上的像素单元和平坦化层；所述像素单元包括发光器件，所述平坦化层位于所述发光器件的第一电极靠近衬底基板的一侧；其中，所述像素单元还包括形成在所述平坦化层上的微结构，且所述微结构与所述发光器件在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。本发明可以提高显示基板中发光器件的光耦合效率从而提高器件出光量。
Description
技术领域
本公开属于显示技术领域，具体涉及一种显示基板、显示面板及制备显示基板的方法。
背景技术
有机发光二极管(英文：Organic Light－Emitting Diode，缩写：OLED)又称有机电激发光显示器(英文：Organic Electroluminescence Display，缩写：OELD)、有机发光半导体，与薄膜晶体管液晶显示器为不同类型的产品。其中，OLED具有自发光性、广视角、高对比、低耗电、厚度薄、高反应速率、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、全彩化及构造以及制程较简单等优异特性，一致被公认为是下一代显示的主流技术，得到了各大显示器厂家的青睐。
但由于OLED的外量子效率与内量子效率存在巨大差异，极大地制约了OLED的发展。常规的OLED器件的出光效率约为20％，因此，如何提高OLED器件的光取出效率成为研究的热点。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种提高OLED出光量的显示基板、显示面板及制备显示基板的方法。
第一方面，解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示基板，其包括：衬底基板、设置在所述衬底基板上的像素单元和平坦化层；所述像素单元包括发光器件，所述平坦化层位于所述发光器件的第一电极靠近衬底基板的一侧；其中，
所述像素单元还包括形成在所述平坦化层上的凹凸结构，且所述凹凸结构与所述发光器件在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；
在所述凹凸结构的凹部背离所述衬底基板的方向和凸部背离所述衬底基板的方向均具有微结构。
在一些实施例中，其还包括像素限定层，所述像素限定层包括像素挡墙和由所述像素挡墙限定出的容纳部；
所述发光器件的第一电极位于所述像素限定层靠近所述衬底基板的一侧，所述发光器件的有机发光层至少位于所述容纳部，且设置在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧，所述发光器件的第二电极位于所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧；其中，
所述凹凸结构在所述衬底基板的正投影位于所述容纳部在所述衬底基板的正投影内。
在一些实施例中，所述凹凸结构包括至少一个透镜结构，所述透镜结构在所述衬底基板所在平面方向上的最大宽度与在垂直所述衬底基板所在平面的方向上的最大高度与的比值为1.2～1.5。
在一些实施例中，所述透镜结构在所述衬底基板的正投影的形貌为富勒烯形貌。
第二方面，本公开实施例提供一种显示面板，其中，包括如上述第一方面任一项所述的显示基板。
第三方面，本公开实施例还提供一种制备显示基板的方法，其包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成像素单元和平坦化层，其中，所述像素单元包括发光器件，所述平坦化层位于所述发光器件的第一电极靠近衬底基板的一侧；所述像素单元还包括形成在所述平坦化层上的凹凸结构，且所述凹凸结构与所述发光器件在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；
在所述凹凸结构的凹部背离所述衬底基板的方向和凸部背离所述衬底基板的方向均具有微结构。
在一些实施例中，所述方法还包括：
形成像素限定层，所述像素限定层包括像素挡墙和由所述像素挡墙限定出的容纳部；所述发光器件的第一电极位于所述像素限定层靠近所述衬底基板的一侧，所述发光器件的有机发光层至少位于所述容纳部，且设置在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧，所述发光器件的第二电极位于所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧；其中，
所述凹凸结构在所述衬底基板的正投影位于所述容纳部在所述衬底基板的正投影内。
在一些实施例中，在所述平坦化层上形成凹凸结构具体包括：
在所述衬底基板上形成平坦化层；
通过曝光或者热回流工艺在所述平坦化层形成所述凹凸结构。在一些实施例中，在所述凹凸结构上形成所述微结构具体包括：在所述平坦化层的凹凸结构上通过二次曝光或刻蚀工艺形成所述微结构。
在一些实施例中，所述在所述平坦化层的凹凸结构上通过二次曝光或刻蚀工艺形成所述微结构，具体包括：在所述平坦化层的凹凸结构上通过二次曝光或刻蚀工艺形成富勒烯形状的微透镜阵列形貌，得到所述微结构。
附图说明
图1为现有技术中显示基板的出光量损失的示意图；
图2a为本公开实施例提出的一种显示基板的示意图；
图2b为本公开实施例提供的一种平坦化层凹凸部的示意图；
图2c为本公开实施例提供的一种在凹凸部形成的微结构的放大示意图；
图3为本公开实施例中提供的一种凹凸结构的凸部示意图；
图4为本公开实施例中提供的一种凹凸结构的凹部示意图；
图5为本公开实施例中提供的一种MLA结构的凸部示意图；
图6为本公开实施例中提供的一种MLA结构的凹部示意图；
图7为本公开实施例提供的一种微结构中凹凸部的微结构平面图；
图8a-图8c为本公开实施例提供的一种制备显示基板的方法示意图；
图9为本公开至少一实施例提供的一种显示基板中的像素驱动电路的等效电路图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
影响显示基板的光取出效率的因素包括外量子效率与内量子效率。外量子效率(External Quantum Efficiency，简称EQE)是指光伏器件(例如显示基板)在外部环境中的光转换效率，它表示光伏器件从外部环境中接受的光照射所产生的电流与照射在器件表面的光照度之比。内量子效率指的是当光子入射到光敏器材(如显示基板、电荷耦合器件CCD等)的表面时，被吸收的部分光子会激发光敏材料产生电子空穴对，形成电流，把产生的电子(没有诸如电子空穴复合过程引起的电子损失)与被吸收的光子之比称为内量子效率(internal quantum efficiency)。
图1为现有技术中显示基板的出光量损失的示意图。如图1所示，该显示基板包括衬底基板10和设置在衬底基板10上的发光器件1，其中，发光器件1包括依次设置在衬底基板10上的第一电极11、有机发光层12和第二电极13。
显示基板等显示器件发光主要通过激子的复合，然后从有机发光层12出射到空气中，光出射的路径为：有机发光层12-第一电极11-衬底基板10-空气。经过四个路径才可以达到空气中入射到人的眼睛。光从有机发光层12出射到空气中，一共有四种模态：外部模态14，波导模态16，基板模态15，表面等离子模态17。其中，只有外部模态14的光可以出射到空气中，其余模态的光都在显示基板内部损失掉了。其中，一部分光会以表面等离子模态17损失掉，表面等离子模态17的产生是由于有机发光层12发射的光子与金属阴极的电子发生耦合引起的，这部分的光并不会出射到空气中；一部分光以波导形式限制在有机发光层12、ITO薄膜和衬底基板10中；还有一部分光在ITO薄膜和衬底基板10的界面及衬底基板10和空气的界面处会发生全反射，使出射到显示基板前向外部空间损失的光，约占有机发光层12总量的20％。
为了减少显示基板中由于全反射效应而损失的光，本公开实施例提供一种显示基板。
图2a为本公开实施例提出的一种显示基板的示意图。图2b为本公开实施例提供的一种平坦化层凹凸部的示意图。图2c为本公开实施例提供的一种在凹凸部形成的微结构的放大示意图。如图2a-图2c所示，该显示基板包括：衬底基板10、设置在衬底基板10上的像素单元和平坦化层14。其中，像素单元包括发光器件，平坦化层10位于发光器件的第一电极11靠近衬底基板10的一侧。像素单元还包括形成在平坦化层14上的凹凸结构，且该凹凸结构与发光器件在衬底基板101上的正投影至少部分重叠。在该凹凸结构的凹部100背离衬底基板10的方向和凸部200背离衬底基板10的方向均具有微结构300。
具体地，如上文所述，有机发光层12发出的光出射到空气中，需要经过有机发光层12-第一电极11-衬底基板10-空气四个路径，才可以到达空气中最终入射到人的眼睛。在这个过程中，现有技术中由于发光器件中第一电极11、有机发光层12及第二电极13的表面均为平坦的表面，因此，光会发生全反射，导致部分光在光纤中传导，进而存在部分光会在显示基板内的各个膜层中损耗，降低了显示基板的光出量。
在本公开实施例中，平坦化层14中具有凹凸结构，且平坦化层14中的凹凸结构，与发光器件在衬底基板10上的正投影至少部分重叠，使得在后续工艺中相应的发光器件(包括第一电极11、有机发光层12和第二电极13)也具有相应的凹凸结构。进一步，在该凹凸结构的凹部100背离衬底基板10的方向和凸部200背离衬底基板10的方向均具有微结构300，然后再依次在平坦化层14上的此形貌上进行第一电极11、有机发光层12、第二电极13工艺，使得当光入射有机发光层12后，经过有机发光层12的微结构则不会直接发生全反射，而是会经过反复反射才会被反射出去，反射路径由直接反射变为漫反射，在此过程中被反射的光线亮度也会不断衰减，降低了入射光的反射率，提高了光取出度。利用此工艺制作的发光器件有微透镜的效果，破坏了在显示基板内光的全反射条件，使全反射改为漫反射，可以提高发光器件的光耦合效率从而提高发光器件的出光量。
需要说明的是，凹凸结构形成在平坦化层14中，对显示基板的影响最小，主要是为了在第一电极11、有机发光层12和第二电极13上形成凹凸结构，破坏全反射条件。对该凹凸结构的具体结构不做限制。另外，该凹凸结构还可以形成在除平坦化层14之外的其他膜层，例如，该微结构还可以设置在平坦化层14靠近衬底基板10一侧的层间介质层(图中未示出)，还可以是其他膜层，只要该膜层设置在第一电极11靠近衬底基板10的一侧，在后续的工艺构图中即可使得发光器件也具有相应的凹凸结构，进而改变光的全反射条件，提高显示基板的出光量。
还需要说明的是，具有凹凸结构的膜层形成在越靠近有机发光层12的膜层效果越好。当具有凹凸结构的膜层形成在远离有机发光层12的膜层表面时，经过多层膜层的覆盖，有机发光层12表面的凹凸结构就会越来越不明显，最终影响光的漫反射。可以理解的是，图2a-图2c中平坦化层14上的凹凸结构以及该凹凸结构上的微结构的具体轮廓仅仅是一种示例，本公开对其具体的轮廓不做限制。
在一些实施例中，显示基板不仅包括衬底基板10、像素单元和平坦化层14，还包括像素限定层15，该像素限定层15包括像素挡墙和由像素挡墙限定出的容纳部；发光器件的第一电极11位于像素限定层15靠近衬底基板10的一侧，发光器件的有机发光层12至少位于该容纳部，且设置在第一电极11远离衬底基板10的一侧，该发光器件的第二电极13位于有机发光层12远离衬底基板10的一侧；其中，该凹凸结构在衬底基板10的正投影位于该容纳部在衬底基板10的正投影内。
具体地，在像素限定层15中的容纳部设置有发光器件，平坦化层14的凹凸结构与发光器件对应设置，使得在后续工艺中相对应的发光器件(包括第一电极11、有机发光层12和第二电极13)也形成相应的凹凸结构，破坏全反射条件，提高显示基板的出光量。
在一些实施例中，该凹凸结构包括至少一个透镜结构，该透镜结构在衬底基板10所在平面方向上的最大宽度与在垂直衬底基板10所在平面的方向上的最大高度与的比值为1.2～1.5。
具体地，该微结构为凹凸结构，一方面可以增加发光面积，另一方面，该凹凸结构可以破坏全反射条件，提高显示基板的出光量。同时，该凹凸结构的宽高比设置在1.2～1.5之间，如此设置，能够达到更好效果。
在一些实施例中，该透镜结构在衬底基板10的正投影的形貌为富勒烯形貌。
具体地，图3为本公开实施例中提供的一种凹凸结构的凸部示意图。图4为本公开实施例中提供的一种凹凸结构的凹部示意图。图5为本公开实施例中提供的一种MLA结构的凸部示意图。图6为本公开实施例中提供的一种MLA结构的凹部示意图。参见图3-图6所示，在制备显示基板时，先在平坦化层14先形成凹凸结构，再在凹凸结构上通过曝光实现微透镜阵列(MLA)结构。相比于现有技术中平坦化层14为平面结构，本公开实施例中在平坦化层14先形成凹凸结构，再在该凹凸结构的凹部100和凸部200形成微结构300，使发光面积增加，而且MLA结构可以通过改变光的全反射条件提高器件的出光量。
在一些实施例中，该微结构为微透镜阵列(MLA)结构。的MLA结构由五边形和六边形组成。图7为本公开实施例提供的一种微结构中微结构的平面图。参见图7，该凹凸结构的凹部100和凸部200均是有五边形和六边形组成的微结构，如此设置是因为五边形和六边形进行组合可以最大效率的利用发光面积，而且凹凸结构有聚光的作用，可以更好的提高出光量。当然，凹凸结构的微结构结构也可以由其他形状组成，例如三角形、矩形等，当凹凸结构的微结构由其他形状组成时，显示基板中的发光面积相对于由五边形和六边形组成时，会稍有减小，但是仍然可以达到改变光的全反射条件提高器件的出光量的效果，本公开对凹凸结构的微结构的形状不做限制。
在一些实施例中，像素单元不仅包括发光器件，还包括像素驱动电路。像素驱动电路设置在衬底基板10上靠近发光器件的一侧。举例而言，在一些实施例中，该显示基板不仅包括衬底基板10、平坦化层14、像素限定层15以及发光器件，还包括缓冲层102。该像素驱动电路可形成在缓冲层102上。其中，此像素驱动电路可包括层间介质层17，此层间介质层17采用无机材料制作而成，例如：氧化硅、氮化硅等无机材料，以达到阻水氧和阻隔碱性离子的效果。
具体来说，像素驱动电路可包括薄膜晶体管和电容结构。薄膜晶体管可为顶栅型，此薄膜晶体管可包括有源层104、第一栅绝缘层、栅极202、第二栅绝缘层、层间介质层17、源极203、漏极204。具体地，有源层104可形成在缓冲层102上，第一栅绝缘层覆盖缓冲层102及有源层104，栅极202形成在第一栅绝缘层背离有源层104的一侧，第二栅绝缘层覆盖栅极202和第一栅绝缘层，层间介质层17覆盖第二栅绝缘层，源极203和漏极204形成在层间介质层17背离衬底基板10的一侧并分别位于栅极202的相对两侧，该源极203和漏极204可分别通过过孔(例如：金属过孔)与有源层104的相对两侧接触。应当理解的是，此薄膜晶体管也可为底栅型。
电容结构可包括第一极板和第二极板，此第一极板与栅极202同层设置，第二极板位于第二栅绝缘层与层间介质层17之间，并与第一极板相对设置。举例而言，栅极202和第一极板、第二极板的材料可以包括金属材料或者合金材料，例如包括钼、铝及钛等。源极203和漏极204可以包括金属材料或者合金材料，例如由钼、铝及钛等形成的金属单层或多层结构，例如，该多层结构为多金属层叠层，例如钛、铝、钛三层金属叠层(Al/Ti/Al)等。
图9为本公开至少一实施例提供的一种显示基板中的像素驱动电路的等效电路图。
在一些实施例中，如图9所示，驱动电路层中位于显示区的像素驱动电路包括多个薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、连接到多个薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的多条信号线和存储电容Cst，多条信号线包括栅线GL(即扫描信号线)、发光控制线EM、初始化线RL、数据线DAT和第一电源线VDD。栅线GL可包括第一栅线GLn和第二栅线GLn-1，例如第一栅线GLn可用于传输栅极扫描信号，第二栅线GLn-1可用于传输复位信号。发光控制线EM可用于传输发光控制信号。由此，像素驱动电路为7T1C的像素电路。
需要说明的是，本公开实施例包括但并不限于此，像素驱动电路也可采用其他类型的电路结构，例如7T2C结构或者9T2C结构等，本公开实施例对此不作限制。
例如，如图9所示，第一薄膜晶体管T1的第一栅极G1与第三薄膜晶体管T3的第三漏极D3和第四薄膜晶体管T4的第四漏极D4电连接。第一薄膜晶体管T1的第一源极S1与第二薄膜晶体管T2的第二漏极D2和第五薄膜晶体管T5的第五漏极D5电连接。第一薄膜晶体管T1的第一漏极D1与第三薄膜晶体管T3的第三源极S3和第六薄膜晶体管T6的第六源极S6电连接。
例如，如图9所示，第二薄膜晶体管T2的第二栅极G2被配置为与第一栅线GLn电连接以接收栅极扫描信号，第二薄膜晶体管T2的第二源极S2被配置为与数据线DAT电连接以接收数据信号，第二薄膜晶体管T2的第二漏极D2与第一薄膜晶体管T1的第一源极S1电连接。
例如，如图9所示，第三薄膜晶体管T3的第三栅极G3被配置为与第一栅线GLn电连接，第三薄膜晶体管T3的第三源极S3与第一薄膜晶体管T1的第一漏电极D1电连接，第三薄膜晶体管T3的第三漏极D3与第一薄膜晶体管T1的第一栅极G1电连接。
例如，如图9所示，第四薄膜晶体管T4的第四栅极G4被配置为与第二栅线GLn-1电连接以接收复位信号，第四薄膜晶体管T4的第四源极S4被配置为与初始化线RL电连接以接收初始化信号，第四薄膜晶体管T4的第四漏极D4与第一薄膜晶体管T1的第一栅极G1电连接。
例如，如图9所示，第五薄膜晶体管T5的第五栅极G5被配置为与发光控制线EM电连接以接收发光控制信号，第五薄膜晶体管T5的第五源极S5被配置为与第一电源线VDD电连接以接收第一电源信号，第五薄膜晶体管T5的第五漏极D5与第一薄膜晶体管T1的第一源极S1电连接。
例如，如图9所示，第六薄膜晶体管T6的第六栅极G6被配置为与发光控制线EM电连接以接收发光控制信号，第六薄膜晶体管T6的第六源极S6与第一薄膜晶体管T1的第一漏极D1电连接，第六薄膜晶体管T6的第六漏极D6与发光子像素1d的第一显示电极(例如：第一电极112)电连接。
例如，如图9所示，第七薄膜晶体管T7的第七栅极G7被配置为与第二栅线GLn-1电连接以接收复位信号，第七薄膜晶体管T7的第七源极S7与发光子像素1d的第一显示电极(例如第一电极112)电连接，第七薄膜晶体管T7的第七漏极D7被配置为与初始化线RL电连接以接收初始化信号。例如，第七薄膜晶体管T7的第七漏极D7可以通过连接到第四薄膜晶体管T4的第四源极S4以实现与初始化线RL电连接。
例如，如图9所示，存储电容Cst包括第一电容电极CE1(即：第一极板130)和第二电容电极CE2(即：第二极板131)。第二电容电极CE2与第一电源线VDD电连接，第一电容电极CE1与第一薄膜晶体管T1的第一栅极G1和第三薄膜晶体管T3的第三漏极D3电连接。
例如，如图9所示，发光子像素1d的第二显示电极(例如第二电极115)与第二电源线VSS电连接。
需要说明的是，第一电源线VDD和第二电源线VSS之一为提供高电压的电源线，另一个为提供低电压的电源线。在如图9所示的实施例中，第一电源线VDD提供恒定的第一电压，第一电压为正电压；而第二电源线VSS提供恒定的第二电压，第二电压可以为负电压等。例如，在一些示例中，第二电压可以为接地电压。
需要说明的是，上述的复位信号和上述的初始化信号可为同一信号。
还需要说明的是，按照晶体管的特性，晶体管可以分为N型晶体管和P型晶体管，为了清楚起见，本公开的实施例以晶体管为P型晶体管(例如，P型TFT)为例详细阐述了本公开的技术方案，也就是说，在本公开的描述中，第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6和第七薄膜晶体管T7等均可以为P型晶体管。然而本公开的实施例的晶体管不限于P型晶体管，本领域技术人员还可以根据实际需要利用N型晶体管(例如，N型TFT)实现本公开的实施例中的一个或多个晶体管的功能。
需要说明的是，本公开的实施例中采用的晶体管可以为薄膜晶体管或场效应晶体管或其他特性相同的开关器件，薄膜晶体管可以包括氧化物半导体薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管或多晶硅薄膜晶体管等。晶体管的源极、漏极在结构上可以是对称的，所以其源极、漏极在物理结构上可以是没有区别的，本公开的实施例中全部或部分晶体管的源极和漏极根据需要是可以互换的。
在一些实施例中，该显示基板不仅包括衬底基板10、平坦化层14、像素限定层15、发光器件以及括缓冲层102，还包括封装层16。
具体地，封装层6包括了阻隔水氧的无机薄膜层和起应力释放和平坦化作用的有机薄膜层。无机薄膜层利用化学气相沉积或者是原子层沉积制备，材料可以是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛等，但不仅限于此。有机薄膜层利用喷墨打印、丝网印刷、点胶等方法制备得到。
本公开实施例提供的显示基板，通过在平坦化层14中设置凹凸结构，且进一步在该凹凸结构的凹部100和凸部200分别形成微结构300，可以减少光全反射，提高显示基板的出光量。同时，通过在平坦化层14先形成凹凸结构，再在凹凸结构上通过曝光实现MLA结构，形成平坦化层14的微结构。相比于传统平坦化层14为平面结构，显示基板的发光面积增加，而且MLA结构可以通过改变光的全反射条件提高器件的出光量。进一步，凹凸结构的MLA结构由五边形和六边形组成，可以最大效率的利用发光面积，而且凹凸结构有聚光的作用，可更好的提高出光量。
基于同样的发明创造，本公开实施例还提供一种显示面板，其包括上述实施例中任意一种显示基板。
基于同样的发明创造，本公开实施例还提供一种制备显示基板的方法。图8a-图8c为本公开实施例提供的一种制备显示基板的方法示意图，如图8a-图8c，该方法具体包括：
S801、制备平坦化层。
具体地，如图8a所示，提供一衬底基板10，该衬底基板10可以是玻璃材质、也可以是柔性材质。其中，柔性材质包括了聚酰亚胺(PI)、PEN、PET等。柔性衬底基板10可以是一层结构也可以多层。如果是多层结构，则在层与层之间可以增加缓冲层，缓冲层为无机薄膜，可以是SiNx，SiOx或者其复合层。在衬底基板10上制作薄膜晶体管结构，具体为在衬底基板10上形成缓冲层102、图案化的有源层104、第一栅绝缘层、栅极202、源极203、漏极204、层间介质层17、平坦化层14，并在平坦化层14上制作第一电极11图案。
其中，平坦化层14具有凹凸结构，凹凸结构与第一电极11在衬底基板10上的正投影至少部分重叠。进一步，在该凹凸结构的凹部100和凸部200均形成微结构。具体地，在完成显示基板的平坦化层14工艺后，通过曝光或者热回流工艺在平坦化层14形成凹凸结构，然后在平坦化层14的凹凸结构的凹部100和凸部200上通过二次曝光或刻蚀工艺均形成微结构。在一些实施例中，在平坦化层14的凹凸结构的凹部100和凸部200上通过二次曝光或刻蚀工艺均形成富勒烯形状的MLA形貌。具体地，该微结构可以为透镜阵列结构(MLA结构)。在一些实施例中，微结构凹凸处的透镜阵列结构(MLA结构)由五边形和六边形组成。具体地，在平坦化层14的凹凸结构上通过二次曝光或刻蚀工艺形成富勒烯形状的MLA形貌。如此设置，还可以最大效率的利用发光面积，而且凹凸结构有聚光的作用，可更好的提高出光量。具体凸部100与凹部200的形貌可分别参考图5和图6所示。
在一些实施例中，该凹凸结构包括至少一个透镜结构，该透镜结构在衬底基板10所在平面方向上的最大宽度与在垂直衬底基板10所在平面的方向上的最大高度与的比值为1.2～1.5。
本公开实施例提供的制备显示基板的方法，通过在平坦化层14上形成凹凸结构，进一步，在该凹凸结构的凹部100和凸部200均形成微结构。该微结构为凹凸结构，一方面可以增加发光面积，另一方面，该凹凸结构上的微结构可以破坏全反射条件，提高显示基板的出光量。同时，该凹凸结构的宽高比设置在1.2～1.5之间，如此设置，能够达到更好效果。
S802、进行标准OLED。
具体地，如图8b所示，在形成第一电极11后，利用真空蒸镀工艺在凹凸的平坦化层14上依次完成像素限定层15、有机发光层12和第二电极13的工艺。其中，像素限定层15包括像素挡墙和由像素挡墙限定出的容纳部；发光器件的第一电极11位于像素限定层15靠近衬底基板10的一侧，发光器件的有机发光层12至少位于容纳部，且设置在第一电极11远离衬底基板10的一侧，发光器件的第二电极13位于有机发光层12远离衬底基板10的一侧。在一些实施例中，该凹凸结构在衬底基板10的正投影位于容纳部在衬底基板10的正投影内。
在一些实施中，有机发光层12包括不仅限于空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层等。在像素单元的发光区域里形成富勒烯形貌。参考如图5和图6所示。其中，凹凸结构可以增加发光器件的有效发光面积，凹凸部的微结构的平面图如图7所示，MLA形貌可以减少光在器件中的全反射，提高出光率，从而实现OLED器件的亮度的提高。
S803、形成封装层16。
具体地，如图8c所示，封装层16包括了阻隔水氧的无机薄膜层和起应力释放和平坦化作用的有机薄膜层。无机薄膜层利用化学气相沉积或者是原子层沉积制备，材料可以是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛等，但不仅限于此。有机薄膜层利用喷墨打印、丝网印刷、点胶等方法制备得到。首先步骤为：在OLED器件上沉积第一无机层，第一无机层可以是前述材料中的一种也可以是多种交叠组合。第一无机层的保护面积要大于显示基板AA区域的显示面积。在第一无机层上制备第一有机层，第一有机层的覆盖面积要小于第一无机层，其覆盖面积的垂直投影至少要大于阴极。在第一有机层上制作第二无机层，第二无机层的制作方法、材料同第一无机层，其覆盖面积可以与第一无机层相同、也可以大于第一无机层。同样的，可以是一种无机材料组成也可以是前述多种无机层组合组。
制备显示基板的过程中的其他细节与上述显示基板实施例中相同，此处不再赘述。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种显示基板，其包括：衬底基板、设置在所述衬底基板上的像素单元和平坦化层；所述像素单元包括发光器件，所述平坦化层位于所述发光器件的第一电极靠近衬底基板的一侧；其中，
所述像素单元还包括形成在所述平坦化层上的凹凸结构，且所述凹凸结构与所述发光器件在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；
在所述凹凸结构的凹部背离所述衬底基板的方向和凸部背离所述衬底基板的方向均具有微结构。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其还包括像素限定层，所述像素限定层包括像素挡墙和由所述像素挡墙限定出的容纳部；
所述发光器件的第一电极位于所述像素限定层靠近所述衬底基板的一侧，所述发光器件的有机发光层至少位于所述容纳部，且设置在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧，所述发光器件的第二电极位于所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧；其中，
所述凹凸结构在所述衬底基板的正投影位于所述容纳部在所述衬底基板的正投影内。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述凹凸结构包括至少一个透镜结构，所述透镜结构在所述衬底基板所在平面方向上的最大宽度与在垂直所述衬底基板所在平面的方向上的最大高度与的比值为1.2～1.5。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其中，所述透镜结构在所述衬底基板的正投影的形貌为富勒烯形貌。
5.一种显示面板，其中，包括如权利要求1-4任一项所述的显示基板。
6.一种制备显示基板的方法，其包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成像素单元和平坦化层，其中，所述像素单元包括发光器件，所述平坦化层位于所述发光器件的第一电极靠近衬底基板的一侧；所述像素单元还包括形成在所述平坦化层上的凹凸结构，且所述凹凸结构与所述发光器件在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；
在所述凹凸结构的凹部背离所述衬底基板的方向和凸部背离所述衬底基板的方向均具有微结构。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述方法还包括：
形成像素限定层，所述像素限定层包括像素挡墙和由所述像素挡墙限定出的容纳部；所述发光器件的第一电极位于所述像素限定层靠近所述衬底基板的一侧，所述发光器件的有机发光层至少位于所述容纳部，且设置在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧，所述发光器件的第二电极位于所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧；其中，
所述凹凸结构在所述衬底基板的正投影位于所述容纳部在所述衬底基板的正投影内。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述平坦化层上形成凹凸结构具体包括：
在所述衬底基板上形成平坦化层；
通过曝光或者热回流工艺在所述平坦化层形成所述凹凸结构。
9.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述凹凸结构上形成所述微结构具体包括：
在所述平坦化层的凹凸结构上通过二次曝光或刻蚀工艺形成所述微结构。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述在所述平坦化层的凹凸结构上通过二次曝光或刻蚀工艺形成所述微结构，具体包括：在所述平坦化层的凹凸结构上通过二次曝光或刻蚀工艺形成富勒烯形状的微透镜阵列形貌，得到所述微结构。
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