CN118076161A - 显示装置 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 690
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 182
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 182
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 69
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 description 77
- 230000008569 process Effects 0.000 description 73
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 61
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 39
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 25
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 14
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 14
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 13
- -1 region Substances 0.000 description 13
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 12
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 12
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 3
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
提供了显示装置。显示装置包括包含有开口区域、围绕开口区域的至少一部分的显示区域以及在开口区域与显示区域之间的中间区域的衬底、在衬底上并且限定有孔的无机绝缘层、填充孔并且具有形成在其顶表面中的凹槽的第一有机绝缘层、设置在第一有机绝缘层上并且包括多个端部部分的金属层以及在金属层上的保护层，其中金属层的多个端部部分彼此分开地布置在凹槽上方，并且金属层的多个端部部分的顶表面和侧表面由保护层覆盖。
Description
相关申请的交叉引用
本申请基于并且要求在韩国知识产权局于2022年11月22日提交的第10-2022-0157503号韩国专利申请和于2023年8月10日提交的第10-2023-0105089号韩国专利申请的优先权，这些韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文中。
技术领域
本公开涉及显示装置和制造显示装置的方法。
背景技术
近来，显示装置已以各种方式使用。此外，显示装置由于其减小的厚度和轻的重量而趋向于被更广泛地使用。
根据显示装置中的由显示区域占据的面积的增加，添加或链接到显示装置的各种功能正在增加。作为在扩大显示装置的面积的同时添加各种功能的解决方案，已对可布置有显示区域中的各种部件的显示装置进行研究。
发明内容
可提供具有可用于各种目的的开口区域的显示装置，并且例如，在本公开的显示装置的显示区域中可布置有各种部件。然而，这仅为实例，并且本公开的范围不限于此。
附加方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过描述而显而易见，或者可通过实践本公开的呈现的实施方式而习得。
根据实施方式的方面，显示装置包括包含有开口区域、围绕开口区域的至少一部分的显示区域以及在开口区域与显示区域之间的中间区域的衬底、设置在衬底上并且限定有孔的无机绝缘层、填充孔并且具有形成在其顶表面中的凹槽的第一有机绝缘层、设置在第一有机绝缘层上并且包括多个端部部分的金属层以及在金属层上的保护层，其中金属层的多个端部部分彼此分开地布置在凹槽上方，并且金属层的多个端部部分的顶表面和侧表面由保护层覆盖。
根据一个或多个实施方式，保护层也可设置在第一有机绝缘层的凹槽上方。
根据一个或多个实施方式，显示装置还可包括在中间区域中的第一坝。
根据一个或多个实施方式，孔限定在显示区域与第一坝之间的无机绝缘层中，并且第一有机绝缘层的填充孔的部分可包括在第一有机绝缘层的顶表面中的凹槽。
根据一个或多个实施方式，显示装置还可包括在第一坝与开口区域之间的第二坝。
根据一个或多个实施方式，孔限定在第一坝与第二坝之间的无机绝缘层中，并且第一有机绝缘层的填充孔的部分可包括在第一有机绝缘层的顶表面中的凹槽。
根据一个或多个实施方式，第一坝和第二坝可包括相同的材料。
根据一个或多个实施方式，孔限定在第二坝与开口区域之间的无机绝缘层中，并且第一有机绝缘层的填充孔的部分可包括在第一有机绝缘层的顶表面中的凹槽。
根据一个或多个实施方式，显示装置可包括在第二坝与开口区域之间的第三坝。
根据一个或多个实施方式，显示装置可包括发光器件，发光器件包括在显示区域中的像素电极和相对电极以及在像素电极与相对电极之间的功能层。
根据一个或多个实施方式，保护层和像素电极可包括相同的材料。
根据一个或多个实施方式，功能层可从显示区域延伸到中间区域，并且可通过金属层的多个端部部分而短路。
根据一个或多个实施方式，相对电极可从显示区域延伸到中间区域，并且相对电极可通过金属层的端部部分而短路。
根据另一方面，制造显示装置的方法包括：在包括开口区域、围绕开口区域的至少一部分的显示区域以及在开口区域与显示区域之间的中间区域的衬底上形成无机绝缘层；通过去除中间区域的无机绝缘层的至少一部分来形成孔；在无机绝缘层中的孔中形成第一有机绝缘层；在第一有机绝缘层上形成金属层；通过蚀刻形成在孔上方的金属层的至少一部分来形成金属层的多个端部部分；以及在金属层上形成保护层，并且保护层覆盖金属层的多个端部部分的顶表面和侧表面。
根据一个或多个实施方式，在通过蚀刻形成在孔上方的金属层的至少一部分来形成金属层的多个端部部分的工艺中，可同步蚀刻第一有机绝缘层的至少一部分，并且可在第一有机绝缘层中形成凹槽。
根据一个或多个实施方式，保护层也可设置在第一有机绝缘层的凹槽上方。
根据一个或多个实施方式，金属层的多个端部部分可彼此分开地布置在凹槽上方。
根据一个或多个实施方式，通过蚀刻形成在孔上方的金属层的至少一部分来形成金属层的多个端部部分可包括：将光致抗蚀剂布置在金属层上方；去除设置在形成在孔上方的金属层的至少一部分上的光致抗蚀剂；蚀刻并且去除形成在孔上方的金属层的至少一部分；以及去除光致抗蚀剂。
根据一个或多个实施方式，保护层可与布置在显示区域中的发光器件的像素电极同时形成。
根据一个或多个实施方式，保护层和像素电极可包括相同的材料。
附图说明
通过结合附图的下面的描述中，本公开的特定实施方式的以上和其它方面、特征和优点将更显而易见，在附图中：
图1是示意性地示出根据实施方式的显示装置的透视图；
图2是示意性地示出根据实施方式的显示装置的剖视图；
图3是示意性地示出根据实施方式的显示装置的俯视图；
图4是示意性地示出根据实施方式的显示装置中的任何一个像素的等效电路图；
图5是示意性地示出根据实施方式的显示装置的部分的俯视图；
图6是示意性地示出根据实施方式的显示装置的剖视图；
图7A至图7C是示意性地示出根据实施方式的显示装置的视图；
图8A和图8B是示意性示出根据实施方式的显示装置中的区的放大图像的剖视图；以及
图9至图15是示意性地示出制造显示装置的方法的剖视图。
具体实施方式
现将详细地参照实例在附图中示出的实施方式，在附图中类似的附图标记始终是指类似的元件。在这方面，目前的实施方式可具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中阐述的描述。因此，以下仅通过参照图对实施方式进行描述，以解释本描述的各方面。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关联所列项目中的一个或者多个的任何和所有组合。在整个公开内容中，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的所有、或者其变体。
在本文中阐述的实施方式中，诸如“第一”、“第二”和类似词的术语不用于限制本公开，并且仅用于将一个部件与另一个区分开。
在本文中阐述的实施方式中，以单数使用的表述涵盖复数的表述，除非其在上下文中具有明显不同的含义。
在本文中阐述的实施方式中，诸如“包括(including)”、“具有(having)”和“包括(comprising)”的术语旨在指示特征或部件的存在，并且不旨在排除一个或多个其它特征或部件可添加的可能性。
在本文中阐述的实施方式中，当诸如膜、区域或部件的部分在另一膜、区域或部件上或上方时，该部分可直接在另一部分上，或者居间部分可存在于其间。
为了解释的便利，附图中的部件的大小可被夸大。例如，由于附图中的部件的大小和厚度为了解释的便利而被任意地示出，因此本公开不必限于此。
当实施方式可以另一方式实现时，具体工艺顺序可与描述的顺序不同。例如，两个连续描述的过程可基本上同时执行或者以与描述的顺序相反的顺序执行。
在本说明书中，“A和/或B”指示A、B、或者A和B。“A和B中的至少一个”指示A、B、或者A和B。
在本文中阐述的实施方式中，当提及膜、区域、部件和类似物彼此连接时，膜、区域、部件可彼此直接连接，或者可通过其它居间部件彼此间接连接。例如，当本说明书中的膜、区域、部件和类似物彼此电连接时，膜、区域和部件可彼此直接电连接，或者可通过其它居间部件彼此间接电连接。
x方向、y方向和z方向不限于与直角坐标系的三个轴对应的方向，并且可在更广泛的意义上解释。例如，x方向、y方向和z方向可彼此垂直，或者可表示彼此不垂直的不同方向。在本文中，x方向可意味着+x方向和/或-x方向，y方向可意味着+y方向和/或-y方向，并且z方向可意味着+z方向和/或-z方向。
图1是示意性地示出根据实施方式的显示装置1的透视图。
参照图1，作为配置为显示视频或静止图像的装置的显示装置1可用作诸如电视、笔记本计算机、监视器、广告牌、基于物联网(IOT)的装置的各种产品以及诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航***和超移动PC(UMPC)的移动电子装置的显示屏。此外，根据实施方式的显示装置1可用于诸如智能手表、手表电话和头戴式显示器(HMD)的可穿戴装置。此外，根据实施方式的显示装置1可用作车辆的仪表板、车辆的中央仪表盘、布置在仪表板上的中央信息显示器(CID)、用于替代车辆的侧视镜的内视镜显示器、用于车辆的后座中的乘客的娱乐装置、或者布置在前座的后表面上的显示器。上述电子装置为可弯曲的、可折叠的或可卷曲的。为了解释的便利，图1示出了根据实施方式的显示装置1用作智能电话。
在平面视图中，显示装置1可具有矩形形状。例如，如图1中所示，显示装置1可具有带有在x方向上的短边和在y方向上的长边的矩形平面形状。在x方向上的短边和在y方向上的长边彼此相交的拐角可形成为具有特定曲率的圆形形状，或者可形成为直角。显示装置1的平面形状不限于矩形，并且可形成为其它多边形、椭圆形、或无定形形状。
显示装置1可包括开口区域OA和至少部分地围绕开口区域OA的显示区域DA。显示装置1可包括在开口区域OA与显示区域DA之间的中间区域MA以及围绕显示区域DA的***的***区域PA。中间区域MA和***区域PA可各自对应于不发射光的非显示区域。
开口区域OA可在显示区域DA内部。作为实施方式，如图1中所示，开口区域OA可布置在显示区域DA的顶部的中间。替代性地，开口区域OA可布置在各种位置，例如，显示区域DA的中心、显示区域DA的左上部或显示区域DA的右上部。在本说明书的俯视图中，“左”、“右”、“上”和“下”指示当在垂直于显示装置1的方向(例如，z方向)上观看显示装置1时的方向。例如，“左”指示-x方向，“右”指示+x方向，“上”指示+y方向，并且“下”指示-y方向。尽管图1示出了仅布置有一个开口区域OA，但作为另一实施方式，可提供有多个开口区域OA。
图2是示意性地示出根据实施方式的显示装置1的剖视图。更具体地，图2示出了沿图1中所示的线I-I'截取的剖面。
参照图2，显示装置1可包括显示面板10和布置在显示面板10的开口区域OA中的部件70。显示面板10和部件70可容纳在壳体HS中。
显示面板10可包括衬底100、显示层200、封装层300、输入感测层400、光学功能层500和覆盖窗600。
显示层200可包括配置为发射光以显示图像的发光元件(例如，发光二极管)以及电连接到发光元件并且包括晶体管的电路元件。
封装层300可封装显示层200的发光元件。作为实施方式，封装层300可包括无机封装层和有机封装层。作为另一实施方式，封装层300可包括密封衬底，密封衬底面对包括在显示面板10中的衬底100并且包括与包括在衬底100中的材料基本上相同的材料。
输入感测层400可根据外来输入(例如，触摸事件)来获得坐标信息。输入感测层400可包括感测电极(或触摸电极)和与其连接的走线。输入感测层400可在显示层200上方。输入感测层400可以互电容方法和/或自电容方法感测外来输入。
输入感测层400可直接形成在显示层200上方，或者可单独地形成并且然后通过诸如光学透明粘合剂的粘合层接合到显示层200。例如，可在形成显示层200的工艺之后顺序地形成输入感测层400，并且在这种情况下，粘合层可不在输入感测层400与显示层200之间。尽管图2示出了输入感测层400在显示层200与光学功能层500之间，但作为另一实施方式，输入感测层400可在光学功能层500上。
光学功能层500可包括反射防止层。反射防止层可减小从外部通过覆盖窗600入射到显示面板10的光(外来光)的反射率。反射防止层可包括延迟器和偏振器。
作为另一实施方式，反射防止层可包括黑色矩阵和滤色器。可考虑从显示层200的发光二极管中的每个发射的光的颜色来排列滤色器。作为另一实施方式，反射防止层可包括相消干涉结构。相消干涉结构可包括分别布置在不同的层上的第一反射层和第二反射层。分别从第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可经历相消干涉，并且因此，可减小外来光的反射率。
光学功能层500可包括透镜层。透镜层可提高从显示层200发射的光的发射效率或者减小光的颜色偏差。透镜层可包括具有凹或凸的透镜形状的层和/或分别具有不同的折射率的多个层。光学功能层500可包括以上描述的反射防止层和透镜层两者，或者可包括它们中的任何一个。
选自衬底100、显示层200、封装层300、输入感测层400和光学功能层500之中的任何一个可包括通孔。作为实施方式，图2示出了衬底100、显示层200、封装层300、输入感测层400和光学功能层500分别包括第一通孔至第五通孔(即，第一通孔100H、第二通孔200H、第三通孔300H、第四通孔400H和第五通孔500H)。第一通孔100H、第二通孔200H、第三通孔300H、第四通孔400H和第五通孔500H可在开口区域OA中彼此重叠。
第一通孔100H可从衬底100的顶表面穿透衬底100的底表面，并且第二通孔200H可从显示层200的顶表面穿透显示层200的底表面。第三通孔300H可从封装层300的顶表面穿透封装层300的底表面，并且第四通孔400H可从输入感测层400的顶表面穿透输入感测层400的底表面。第五通孔500H可为从光学功能层500的顶表面穿透光学功能层500的底表面的通孔。第一通孔100H、第二通孔200H、第三通孔300H、第四通孔400H和第五通孔500H可在开口区域OA中定位为彼此重叠。第一通孔100H、第二通孔200H、第三通孔300H、第四通孔400H和第五通孔500H可具有相同的大小或不同的大小。
覆盖窗600可在光学功能层500上方。覆盖窗600可通过在覆盖窗600与光学功能层500之间的诸如光学透明粘合剂(OCA)的粘合层接合到光学功能层500。
覆盖窗600可包括玻璃材料或塑料材料。例如，覆盖窗600可包括超薄玻璃窗。例如，覆盖窗600可包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、乙酸丙酸纤维素或类似物。
开口区域OA可包括部件70配置为向显示装置1添加各种功能的一种部件区域(例如，传感器区域、相机区域、扬声器区域和类似区域)。部件70可在显示面板10下面与衬底100的第一通孔100H重叠。例如，部件70可在衬底100的底表面上。
部件70可包括电子元件。例如，部件70可包括使用光或声音的电子元件。例如，电子元件可包括使用光的传感器(例如，红外线传感器)、配置为收集光并且拍摄图像的相机、配置为通过输出并且感测光或声音来测量距离或识别指纹和类似物的传感器、配置为输出光的小型灯、配置为输出声音的扬声器、或类似物。使用光的电子元件可使用各种波长带的光，例如可见光、红外光、紫外光和类似光。从部件70输出到外部或者从外部朝向部件70行进的光和/或声音可通过开口区域OA行进。
作为另一实施方式，当显示装置1用作智能手表或车辆的仪表板时，部件70可用作包括表针或指示特定信息(例如，车辆的速度)的指针的构件。在这种情况下，与图2中所示不同，对于暴露于外部的诸如指针的部件70，覆盖窗600可在开口区域OA中包括开口。替代性地，当显示装置1包括作为扬声器的部件70时，覆盖窗600可包括与开口区域OA对应的开口。
图3是示意性地示出根据实施方式的显示装置1的俯视图，并且图4是示意性地示出根据实施方式的显示装置1的任何一个像素的等效电路图。
参照图3，显示装置1可包括开口区域OA、显示区域DA、中间区域MA和***区域PA。图3可理解为显示装置1中的衬底100的图像。例如，可理解的是，衬底100具有开口区域OA、显示区域DA、中间区域MA和***区域PA。
显示装置1包括布置在显示区域DA中的多个子像素P。如图4中所示，子像素P中的每个可包括像素电路PC和连接到像素电路PC的作为显示元件的有机发光二极管OLED。像素电路PC可包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。通过有机发光二极管OLED，子像素P中的每个可发射例如红色光、绿色光或蓝色光，或者可发射红色光、绿色光、蓝色光或白色光。
为开关薄膜晶体管的第二薄膜晶体管T2可连接到扫描线SL和数据线DL，并且可基于从扫描线SL输入的开关电压将从数据线DL输入的数据电压发送到第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst可连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可存储与从第二薄膜晶体管T2传送的数据电压和提供到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD之间的差对应的电压。
为驱动薄膜晶体管的第一薄膜晶体管T1可连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可响应于存储在存储电容器Cst中的电压的值来控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可通过驱动电流发射具有特定亮度的光。有机发光二极管OLED的相对电极(例如，阴极)可接收第二电源电压ELVSS。
尽管参照图4描述了包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的像素电路PC，但本公开不限于此。薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可根据像素电路PC的设计进行各种修改。例如，除了以上描述的两个薄膜晶体管之外，像素电路PC还可包括四个、五个或更多个薄膜晶体管。
再次参照图3，中间区域MA可在平面上围绕开口区域OA。中间区域MA为没有布置发射光的诸如有机发光二极管的显示元件的区域，并且将信号提供到布置在开口区域OA周围的子像素P的信号线可穿过中间区域MA。在***区域PA中可布置有配置为将扫描信号提供到子像素P中的每个的扫描驱动器1100、配置为将数据电压提供到子像素P中的每个的数据驱动器1200、配置为提供第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS的主电源布线(未示出)以及类似物。尽管图4示出了数据驱动器1200与衬底100的一侧相邻，但根据另一实施方式，数据驱动器1200可设置在与布置在显示装置1的一侧处的焊盘电连接的柔性印刷电路板(FPCB)上。
图5是示意性地示出根据实施方式的显示装置1的部分的俯视图。图5示出了显示装置1的开口区域OA、围绕开口区域OA的中间区域MA以及围绕中间区域MA的显示区域DA。
参照图5，子像素P布置在显示区域DA中，并且中间区域MA可在开口区域OA与显示区域DA之间。子像素P可在显示区域DA中排列为围绕开口区域OA和中间区域MA。
为发射光的最小区域的子像素P包括发射红色光、绿色光或蓝色光的区域，并且可通过发光元件(例如，发光二极管(LED))来发射光。子像素P的位置可对应于发光二极管(LED)的位置。子像素P布置在显示区域DA中可指示发光二极管(LED)布置在显示区域DA中。
与开口区域OA相邻的子像素P(例如，发光二极管(LED))可在平面上关于开口区域OA彼此分开地布置。子像素P(例如，发光二极管(LED))可关于开口区域OA上下分开地布置，或者可关于开口区域OA左右分开地布置。
在中间区域MA中可彼此分开地布置有凹槽GR。在平面上(例如，从垂直于衬底100(例如，参照图6)的顶表面的方向观看)，凹槽GR中的每个可具有闭环形状。在一些实施方式中，凹槽GR可排列为同心圆，如图5中所示。
在中间区域MA中可布置有多个坝D。坝D可在平面上具有闭环形状。多个坝D中的每个可在凹槽GR之间。在实施方式中，多个坝D可包括第一坝D1和第二坝D2。第一坝D1和第二坝D2可布置在中间区域MA中。第二坝D2可比第一坝D1靠近开口区域OA。第一坝D1可布置在第二坝D2与显示区域DA之间。换句话说，第一坝D1比第二坝D2靠近显示区域DA，并且第一坝D1可在第二坝D2与开口区域OA之间。然而，本公开不限于此。在另一实施方式中，在显示面板10(例如，参照图2)中，一个或三个或更多个坝D可在中间区域MA中。例如，当在显示面板10的中间区域MA中存在三个坝D时，坝D可包括第一坝D1、第二坝D2和第三坝。
多个凹槽GR可各自在开口区域OA与第二坝D2之间、第一坝D1与第二坝D2之间、或者显示区域DA与第一坝D1之间。在实施方式中，图5示出了两个凹槽GR在开口区域OA与第二坝D2之间，一个凹槽GR在第一坝D1与第二坝D2之间，并且多个凹槽GR在显示区域DA与第一坝D1之间，但本公开不限于此。例如，四个凹槽GR可在显示区域DA与第一坝D1之间。在另一实施方式中，一个或三个或更多个凹槽GR可在开口区域OA与第二坝D2之间，并且两个或更多个凹槽GR可在第一坝D1与第二坝D2之间。然而，本公开不限于此。
由于显示面板10的衬底100包括与开口区域OA对应的第一通孔100H(例如，参照图2)，因此认为本说明书中的开口区域OA指示第一通孔100H。例如，凹槽GR在坝D与开口区域OA之间可指示凹槽GR在坝D与第一通孔100H之间。
图6是示意性地示出根据实施方式的显示装置1的剖视图；图6对应于沿图5中所示的线II-II'截取的剖视图。
参照图6，衬底100可包括玻璃材料或高分子树脂。当衬底100包括高分子树脂时，衬底100可包括诸如聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素、乙酸丙酸纤维素和类似物的高分子树脂。
尽管未示出，但衬底100可包括第一基础层、第一阻挡层、第二基础层和第二阻挡层。在实施方式中，第一基础层、第一阻挡层、第二基础层和第二阻挡层可在衬底100的厚度的方向上顺序地堆叠。
为防止异物渗透的阻挡层的第一阻挡层和第二阻挡层可包括包含有诸如硅氮化物(SiNx)、氧化硅(SiO2)和/或氮氧化硅(SiON)的无机材料的单层或多层。
形成为防止杂质渗透到薄膜晶体管TFT的半导体层Act中的缓冲层105可在衬底100上。缓冲层105可包括诸如硅氮化物、氮氧化硅和硅氧化物的无机绝缘材料，并且可包括包含有上述无机绝缘材料的单层或多层。
像素电路PC可设置在缓冲层105上。像素电路PC包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。薄膜晶体管TFT可包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。尽管本实施方式示出了栅电极GE在第一绝缘层201介于其间的情况下在半导体层Act上方的顶栅型薄膜晶体管，但根据另一实施方式，薄膜晶体管TFT可包括底栅型薄膜晶体管。
半导体层Act可包括多晶硅。替代性地，半导体层Act可包括非晶硅、氧化物半导体、有机半导体和类似物。栅电极GE可包括低电阻金属材料。栅电极GE可包括包含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)和类似物的导电材料，并且可形成为包括上述材料的多层或单层。
半导体层Act与栅电极GE之间的第一绝缘层201可包括无机绝缘材料，诸如硅氧化物、硅氮化物、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪和类似物。第一绝缘层201可包括包含有上述材料的单层或多层。
源电极SE和漏电极DE可包括高导电材料。源电极SE和漏电极DE可包括包含有Mo、Al、Cu、Ti和类似物的导电材料，并且可形成为包括上述材料的多层或单层。例如，源电极SE、漏电极DE和数据线DL(例如，参照图3)可形成为包括钛层、铝层和钛层(Ti/Al/Ti)的多层结构。
存储电容器Cst可包括彼此重叠的下电极CE1和上电极CE2，而第二绝缘层203在下电极CE1与上电极CE2之间。存储电容器Cst可与薄膜晶体管TFT重叠。关于此，图6示出了薄膜晶体管TFT的栅电极GE包括存储电容器Cst的下电极CE1。作为另一实施方式，存储电容器Cst可不与薄膜晶体管TFT重叠。存储电容器Cst可由第三绝缘层205覆盖。存储电容器Cst的上电极CE2可包括包含有Mo、Al、Cu、Ti和类似物的导电材料，并且可包括包含有上述材料的多层或单层。
第四绝缘层207可在第三绝缘层205上。第二绝缘层203、第三绝缘层205和第四绝缘层207可包括无机绝缘材料，诸如硅氧化物、硅氮化物、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪和类似物。第二绝缘层203、第三绝缘层205和第四绝缘层207可包括包含有上述材料的单层或多层。然而，本公开不限于此。尽管未示出，但第五绝缘层可在第四绝缘层207上。此外，栅电极GE可在第四绝缘层207上。
包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的像素电路PC可由第一有机绝缘层209覆盖。第一有机绝缘层209可包括其顶部为大致平坦的表面。
像素电路PC可电连接到像素电极221。例如，如图6中所示，接触金属层CM可在薄膜晶体管TFT与像素电极221之间。接触金属层CM可通过在第一有机绝缘层209中形成的接触孔接触薄膜晶体管TFT，并且像素电极221可通过在接触金属层CM上的第二有机绝缘层211中形成的接触孔接触接触金属层CM。接触金属层CM可包括包含有Mo、Al、Cu、Ti和类似物的导电材料，并且可形成为包括上述材料的多层或单层。作为实施方式，接触金属层CM可形成为包括Ti/Al/Ti的多层。
第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211可包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其共混物。作为实施方式，第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211可包括聚酰亚胺。
像素电极221可形成在第二有机绝缘层211上。像素电极221可包括导电氧化物材料，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。作为另一实施方式，像素电极221可包括包含有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物的反射膜。作为另一实施方式，像素电极221还可包括在上述反射膜上方/下方的由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的膜。
第三有机绝缘层213可形成在像素电极221上。第三有机绝缘层213可包括限定子像素的发射区域的像素限定膜。第三有机绝缘层213可包括暴露像素电极221的顶表面的至少一部分的开口，并且可覆盖像素电极221的边缘。第三有机绝缘层213可包括有机绝缘材料。替代性地，第三有机绝缘层213可包括无机绝缘材料，诸如硅氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiON)或硅氧化物(SiOx)。替代性地，第三有机绝缘层213可包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
中间层222包括发射层222b。中间层222可包括布置在发射层222b下方的第一功能层222a和/或设置在发射层222b上的第二功能层222c。发射层222b可包括发射特定颜色的光的高分子或低分子有机材料。
第一功能层222a可包括单层或多层。例如，当第一功能层222a由高分子材料形成时，作为空穴传输层(HTL)，第一功能层222a可由聚((3,4)-乙烯-二氧噻吩)(PEDOT)或聚苯胺(PANI)形成。当第一功能层222a由低分子材料形成时，第一功能层222a可包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)。
未总是提供有第二功能层222c。例如，当第一功能层222a和发射层222b由高分子材料形成时，期望形成第二功能层222c。第二功能层222c可包括单层或多层。第二功能层222c可包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
来自中间层222之中的发射层222b可在显示区域DA中布置在每个子像素中。发射层222b可图案化为对应于像素电极221。与发射层222b不同，中间层222的第一功能层222a和/或第二功能层222c可朝向中间区域MA延伸以定位在中间区域MA中以及显示区域DA中。
相对电极223可包括具有小功函数的导电材料。例如，相对电极223可包括包含有Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其合金的(半)透明层。替代性地，相对电极223可在包括上述材料的(半)透明层上还包括包含有TIO、IZO、ZnO或In2O3的层。相对电极223可形成在中间区域MA中以及显示区域DA中。第一功能层222a、第二功能层222c和相对电极223可通过热沉积方法形成。
尽管未示出，但覆盖层可在相对电极223上。例如，覆盖层可包括LiF，并且可通过热沉积方法形成。在一些实施方式中，可省略覆盖层。
第四有机绝缘层217可形成在第三有机绝缘层213上。第四有机绝缘层217可包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。替代性地，第四有机绝缘层217可包括无机绝缘材料，或者可包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。
第四有机绝缘层217可包括与包括在第三有机绝缘层213中的材料相同或不同的材料。作为实施方式，第三有机绝缘层213和第四有机绝缘层217可包括聚酰亚胺。第三有机绝缘层213和第四有机绝缘层217可在使用半色调掩模的掩模工艺中一起形成。
有机发光二极管OLED由封装层300覆盖。封装层300可包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层，并且图6示出了封装层300包括第一无机封装层310、第二无机封装层330以及在第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。在其它实施方式中，有机封装层和无机封装层的数量和堆叠顺序可进行修改。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可包括来自氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、硅氧化物、硅氮化物和氮氧化硅之中的至少一种无机材料。第一无机封装层310和第二无机封装层330可包括包含有上述材料的单层或多层。有机封装层320可包括聚合物类材料。聚合物类材料可包括：诸如聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸酯的丙烯酰类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺、聚乙烯和类似物。作为实施方式，有机封装层320可包括丙烯酸酯聚合物。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可分别包括不同的材料。例如，第一无机封装层310可包括氮氧化硅，并且第二无机封装层330可包括硅氮化物。第一无机封装层310和第二无机封装层330可具有不同的厚度。第一无机封装层310的厚度可大于第二无机封装层330的厚度。替代性地，第二无机封装层330的厚度可大于第一无机封装层310的厚度，或者第一无机封装层310和第二无机封装层330可具有相同的厚度。
图7A至图7C是示意性地示出根据实施方式的显示装置1的视图。更具体地，图7A示意性地示出了根据实施方式的显示面板的沿图5中所示的线III-III'截取的剖面；图7B和图7C是示意性地示出图7A中所示的部分A和部分B的放大剖视图。
参照图7A至图7C，第一坝D1、第二坝D2、凹槽GR和金属层230的布置在凹槽GR上的端部部分可布置在中间区域MA中。多个坝D可包括第一坝D1和第二坝D2。然而，本公开不限于此。一个、三个或者四个或更多个坝D可在中间区域MA中。例如，第三坝可在第二坝D2与开口区域OA之间。
在实施方式中，第一坝D1和第二坝D2可包括相同的材料。第一坝D1和第二坝D2可包括顺序地堆叠的第二有机绝缘层211和第三有机绝缘层213。换句话说，第一坝D1和第二坝D2可包括第二有机绝缘层211和第三有机绝缘层213顺序地堆叠的结构。然而，本公开不限于此。在另一实施方式中，第二坝D2与开口区域OA之间的第三坝可由第三有机绝缘层213提供。
第一坝D1和第二坝D2可提供为相对高的高度。由于第一坝D1和第二坝D2提供为相对高的高度，因此可尽可能减少或防止形成有机封装层320的单体向着分割线的溢出。尽管图7A示出了第一坝D1防止了形成有机封装层320的单体的溢出，但本公开不限于此。在另一实施方式中，第二坝D2可防止了形成有机封装层320的单体的溢出。
在实施方式中，第一坝D1可在显示区域DA(例如，参照图5)与开口区域OA之间。第一坝D1可布置在开口区域OA周围。第二坝D2可在第一坝D1与开口区域OA之间。第二坝D2可布置在开口区域OA周围。
在实施方式中，缓冲层105和无机绝缘层IIL可设置在衬底100上。无机绝缘层IIL可包括第一绝缘层201、第二绝缘层203、第三绝缘层205和第四绝缘层207。穿透第三绝缘层205和第四绝缘层207的孔H(IIL)可在中间区域MA中限定在第三绝缘层205和第四绝缘层207中。然而，本公开不限于此。在另一实施方式中，无机绝缘层IIL可包括第一绝缘层201、第二绝缘层203、第三绝缘层205、第四绝缘层207和第五绝缘层。第五绝缘层可在第四绝缘层207上。穿透第四绝缘层207和第五绝缘层的孔可限定在中间区域MA的第四绝缘层207和第五绝缘层中。
无机绝缘层IIL的孔H(IIL)可用第一有机绝缘层209填充。凹槽GR可形成在第一有机绝缘层209的顶表面中。换句话说，凹槽GR可形成在无机绝缘层IIL的孔H(IIL)中的第一有机绝缘层209的顶表面中。在实施方式中，在第一坝D1与显示区域DA之间的无机绝缘层IIL中可限定有四个孔H(IIL)，并且在第一有机绝缘层209的顶表面中可形成有四个凹槽GR。在第一坝D1与第二坝D2之间的无机绝缘层IIL中可限定有一个孔H(IIL)，并且在第一有机绝缘层209的顶表面中可形成有一个凹槽GR。此外，在第二坝D2与开口区域OA之间的无机绝缘层IIL中可限定有两个孔H(IIL)，并且在第一有机绝缘层209的顶表面中可形成有两个凹槽GR。然而，本公开不限于此。在第一坝D1与显示区域DA之间的无机绝缘层IIL中可限定有五个或更多个孔H(IIL)，并且在第一有机绝缘层209的顶表面中可形成有五个或更多个凹槽GR。在第一坝D1与第二坝D2之间的无机绝缘层IIL中可限定有两个或更多个孔H(IIL)，并且在第一有机绝缘层209的顶表面中可形成有两个或更多个凹槽GR。在第二坝D2与开口区域OA之间的无机绝缘层IIL中可限定有三个或更多个孔H(IIL)，并且在第一有机绝缘层209的顶表面中可形成有三个或更多个凹槽GR。尽管未示出，但在另一实施方式中，当显示面板10(例如，参照图2)包括在第二坝D2与开口区域OA之间的第三坝时，在第二坝D2与第三坝之间的无机绝缘层IIL中可限定有一个孔H(IIL)，在第一有机绝缘层209的顶表面中可形成有一个凹槽GR，在第三坝与开口区域OA之间的无机绝缘层IIL中可限定有一个孔H(IIL)，并且在第一有机绝缘层209的顶表面中可形成有一个凹槽GR。然而，本公开不限于此。
在实施方式中，金属层230可在第一有机绝缘层209上。金属层230可包括与图6中所示的显示区域DA的剖视图中的接触金属层CM的材料相同的材料，并且金属层230和接触金属层CM可同时图案化并且在同一过程中形成。金属层230可包括包含有Mo、Al、Cu、Ti和类似物的导电材料，并且可包括包含有上述材料的多层或单层。作为实施方式，金属层230可形成为包括Ti/Al/Ti的多层。金属层230可包括端部部分。金属层230的端部部分可在第一有机绝缘层209的凹槽GR上方彼此分开地布置。由于金属层230包括端部部分并且设置在第一有机绝缘层209的凹槽GR上方，因此从显示区域DA朝向中间区域MA延伸的功能层(即，第一功能层222a和第二功能层222c)和相对电极223可短路。由于功能层(即，第一功能层222a和第二功能层222c)和相对电极223在中间区域MA中通过金属层230的端部部分而短路，因此防止外来湿气或空气通过功能层(即，第一功能层222a和第二功能层222c)和相对电极223渗透到显示区域DA中，并且通过这样做，可确保显示区域DA的可靠性。此外，当在显示区域DA中形成接触金属层CM和第一有机绝缘层209时，由于功能层(即，第一功能层222a和第二功能层222c)待形成在其上的金属层230的端部部分和第一有机绝缘层209的凹槽GR同步图案化，因此可提供可在不使用附加掩模的情况下形成功能层(即，第一功能层222a和第二功能层222c)和相对电极223的结构。
在实施方式中，保护层240可在金属层230上。金属层230的端部部分的顶表面和侧表面可由保护层240覆盖。换句话说，金属层230的顶表面和侧表面可由保护层240覆盖。保护层240可包括与布置在显示面板10的显示区域DA中的有机发光二极管OLED(例如，参照图6)的像素电极221(例如，参照图6)的材料相同的材料。保护层240可与布置在显示面板10的显示区域DA中的有机发光二极管OLED的像素电极221同时图案化并且在同一过程中形成。保护层240可包括导电氧化物材料，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。作为另一实施方式，保护层240可包括包含有Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物的反射膜。作为另一实施方式，保护层240还可包括在上述反射膜上方/下方的由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的膜。在制造显示面板10的工艺中，当金属层230的侧表面的Al暴露于蚀刻剂或显影剂并且经历蚀刻时，在金属层230的Ti与Al之间可能形成底切结构，并且因此，在后续层中可能出现缺陷。由于金属层230的侧表面由保护层240覆盖，因此可防止在制造显示面板10的工艺中金属层230的Al暴露于蚀刻剂或显影剂，并且通过这样做，可防止由于金属层230的Al的蚀刻而导致在后续层中出现缺陷。此外，金属层230的Al可能通过与包括在保护层240中的Ag的还原反应而引起缺陷因素。由于金属层230的侧表面由保护层240覆盖，因此可防止金属层230的Al的暴露，并且因此，可从根本上防止在显示面板10上出现缺陷。
由于保护层240也可通过包括在金属层230中的端部部分而短路，因此保护层240也可设置在第一有机绝缘层209的凹槽GR上方。从显示区域DA朝向中间区域MA延伸的功能层(即，第一功能层222a和第二功能层222c)和相对电极223可设置在保护层240上方。由于功能层(即，第一功能层222a和第二功能层222c)和相对电极223可在金属层230的端部部分处短路，因此功能层(即，第一功能层222a和第二功能层222c)和相对电极223可设置在第一有机绝缘层209的凹槽GR上方。换句话说，保护层240、功能层(即，第一功能层222a和第二功能层222c)和相对电极223可设置在第一有机绝缘层209的凹槽GR上方。保护层240、功能层(即，第一功能层222a和第二功能层222c)和相对电极223可顺序地设置在第一有机绝缘层209的凹槽GR上方。
在实施方式中，第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211可在显示区域DA的中间区域MA开始的点处短路。换句话说，第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211可在中间区域MA的与显示区域DA相邻的部分中短路。在中间区域MA的与显示区域DA相邻的部分中，第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211的端部部分可在中间区域MA的无机绝缘层IIL的上方。换句话说，在中间区域MA的与显示区域DA相邻的部分中，第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211的端部部分可在第四绝缘层207上方。在制造显示面板10的工艺中，可在形成第一有机绝缘层209之后形成金属层230，并且然后可顺序地形成第二有机绝缘层211和保护层240。由于在形成金属层230之后形成第二有机绝缘层211，因此在中间区域MA的与显示区域DA相邻的部分中，第二有机绝缘层211的端部部分的侧表面和金属层230的端部部分的侧表面可彼此接触。在随后的工艺中，由于金属层230的顶表面和侧表面由保护层240覆盖，因此与第二有机绝缘层211的端部部分接触的金属层230的端部部分的顶表面和侧表面可由保护层240覆盖。详细地，在与显示区域DA相邻的中间区域MA开始的点处的金属层230的端部部分的侧表面和顶表面可由第二有机绝缘层211和保护层240覆盖。此外，第一坝D1可包括第三有机绝缘层213。第一坝D1的第三有机绝缘层213可在形成金属层230和保护层240之后形成。因此，第一坝D1的第三有机绝缘层213的端部部分可在保护层240上方。第一坝D1的第三有机绝缘层213可覆盖金属层230和保护层240的与第三有机绝缘层213接触的端部部分。更具体地，在中间区域MA中的金属层230和保护层240的接触第一坝D1的端部部分可由包括在第一坝D1中的第三有机绝缘层213覆盖。然而，本公开不限于此。
在实施方式中，从中间区域MA的自中间区域MA中的金属层230开始的点起在第一方向(例如，+x方向)上到第一坝D1的长度可为约59.5μm。第一坝D1在第一方向(例如，+x方向或-x方向)上的长度可为约30μm。第一坝D1与第二坝D2之间在第一方向(例如，+x方向或-x方向)上的长度可为约15.5μm。第二坝D2在第一方向(例如，+x方向或-x方向)上的长度可为约30μm。从第二坝D2到开口区域OA在第一方向(例如，+x方向)上的长度可为约51μm。在另一实施方式中，显示面板10可包括在第二坝D2与开口区域OA之间的第三坝。在这种情况下，第二坝D2与第三坝之间在第一方向(例如，+x方向或-x方向)上的长度可为约15.5μm。第三坝在第一方向(例如，+x方向或-x方向)上的长度可为约20μm。第三坝与开口区域OA之间在第一方向(例如，+x方向或-x方向)上的长度可为约15.5μm。然而，本公开不限于此。
在实施方式中，在填充限定在中间区域MA的无机绝缘层IIL中的孔H(IIL)的第一有机绝缘层209的顶表面中形成的凹槽GR可由有机封装层320覆盖。当有机封装层320的单体的流动因第一坝D1中断时，第一坝D1与显示区域DA之间的第一有机绝缘层209的凹槽GR可由有机封装层320覆盖。在其它实施方式中，当有机封装层320的单体的流动因第二坝D2中断时，第一坝D1与显示区域DA之间的第一有机绝缘层209的凹槽GR以及第一坝D1与第二坝D2之间的第一有机绝缘层209的凹槽GR也可由有机封装层320覆盖。
封装层300的第一无机封装层310可连续地覆盖第一有机绝缘层209的凹槽GR的内表面，并且有机封装层320可覆盖中间区域MA的部分。第一无机封装层310可连续地覆盖中间区域MA。然而，如上所述，有机封装层320可覆盖第一坝D1与显示区域DA之间的第一有机绝缘层209的凹槽GR以及第一坝D1与第二坝D2之间的第一有机绝缘层209的凹槽GR。第二无机封装层330可完全覆盖中间区域MA。
当形成有机封装层320时，可通过第一坝D1或第二坝D2控制单体的流动。在中间区域MA中，有机封装层320可由于第一坝D1或第二坝D2而不连续。有机封装层320的端部部分可在第一坝D1或第二坝D2的一侧处。有机封装层320可凭借第一坝D1或第二坝D2而不朝向开口区域OA延伸。第二无机封装层330的部分可直接接触第一坝D1或第二坝D2上的第一无机封装层310的部分。然而，本公开不限于此。
参照图7A中所示的开口区域OA，显示面板10可包括开口区域OA。显示面板10的开口区域OA可包括显示面板10中包括的部件的开口。例如，显示面板10的开口可包括衬底100的开口100OP(即，第一通孔100H)、封装层300中的第一无机封装层310的开口310OP和第二无机封装层330的开口330OP。
图7A中所示的显示装置1的剖视图可理解为围绕开口区域OA的结构的剖视图。例如，在垂直于衬底100的顶表面的方向上观看，图7A中所示的凹槽GR可具有围绕开口区域OA的环的形状，如图5中所示。换句话说，在垂直于衬底100的顶表面的方向上观看，凹槽GR可具有围绕开口区域OA的闭环形状。在垂直于衬底100的顶表面的方向上观看，第一坝D1和第二坝D2也可具有围绕开口区域OA的环形形状。换句话说，在垂直于衬底100的顶表面的方向上观看，第一坝D1和第二坝D2可具有围绕开口区域OA的闭环形状。
图8A是示意性地示出图7A中所示的区C的放大图像的剖视图。图8B是图8A中所示的区的放大图像的剖视图。更具体地，图8B是示出图8A中所示的金属层230的端部部分的放大图像的剖视图。
参照图8A，保护层240可不设置在第一有机绝缘层209的与金属层230的端部部分相邻的至少一部分上。由于保护层240不设置在第一有机绝缘层209的与金属层230的端部部分相邻的至少一部分上，因此在制造显示装置1的工艺中在第一有机绝缘层209中生成的气体(或排气)可排出到外部，并且因此，第一有机绝缘层209可不出现缺陷。
形成金属层230的端部部分和第一有机绝缘层209的凹槽GR的工艺可包括第一工艺和第二工艺。第一工艺可包括通过蚀刻布置为与第一有机绝缘层209的顶表面接触的金属层230的至少一部分来形成金属层230的端部部分的工艺。第二工艺可包括通过蚀刻第一有机绝缘层209的至少一部分来形成第一有机绝缘层209的凹槽GR的工艺。在时间上，第二工艺可在第一工艺之后执行。然而，实施方式不限于此。在通过蚀刻金属层230的至少一部分来形成金属层230的端部部分的第一工艺中，可同步蚀刻第一有机绝缘层209的至少一部分，并且因此可形成第一有机绝缘层209的凹槽GR。
从金属层230的底表面到第一有机绝缘层209的凹槽GR的最小距离t2可大于金属层230的端部部分在朝向第一有机绝缘层209的凹槽GR的方向上突出的长度t1。凹槽GR的深度t2(即，从金属层230的底表面到第一有机绝缘层209的凹槽GR的最小距离t2)可包括在通过蚀刻布置为与第一有机绝缘层209的顶表面接触的金属层230的至少一部分来形成金属层230的端部部分的工艺(或第一工艺)和通过蚀刻第一有机绝缘层209的至少一部分来形成第一有机绝缘层209的凹槽GR的工艺(或第二工艺)中在第三方向(例如，-z方向)上蚀刻第一有机绝缘层209的深度t2。金属层230的端部部分朝向第一有机绝缘层209的凹槽GR突出的长度t1可包括在蚀刻第一有机绝缘层209的至少一部分以形成第一有机绝缘层209的凹槽GR的工艺中在第一方向(例如，+x方向或-x方向)上蚀刻第一有机绝缘层209的长度t1。从金属层230的底表面到第一有机绝缘层209的凹槽GR的最小距离t2(例如，凹槽GR的深度t2)可包括在执行两个工艺(即，第一工艺和第二工艺)的同时在第三方向(例如，-z方向)上蚀刻第一有机绝缘层209的长度t2，而金属层230的端部部分在朝向第一有机绝缘层209的凹槽GR的方向上突出的长度t1可包括在执行一个工艺(即，第二工艺)的同时在第一方向(例如，+x方向或-x方向)上蚀刻第一有机绝缘层209的长度t1，相应地，从金属层230的底表面到第一有机绝缘层209的凹槽GR的最小距离t2可大于金属层230的端部部分在朝向第一有机绝缘层209的凹槽GR的方向上从第一有机绝缘层209突出的长度t1。
金属层230的端部部分在朝向第一有机绝缘层209的凹槽GR的方向上突出的长度t1可为2.0μm或更小。当金属层230的端部部分在朝向第一有机绝缘层209的凹槽GR的方向上突出的长度t1大于2.0μm时，金属层230的端部部分在第一方向(例如，+x方向或-x方向)上的长度t1增加，并且因此，在制造显示装置1的工艺中，金属层230的端部部分接收应力并且金属层230的端部部分的至少一部分可能损坏。
金属层230的厚度t3可为或更大。当金属层230的厚度t3小于/>时，在蚀刻金属层230的第一工艺之后，在蚀刻第一有机绝缘层209以形成第一有机绝缘层209的凹槽GR的第二工艺中，金属层230可能由于过应力而断裂。
参照图8B，金属层230可包括第一层230a、第二层230b和第三层230c。第三层230c可堆叠在第一层230a上，并且第二层230b可设置在第一层230a与第三层230c之间。第一层230a可包括钛(Ti)，第二层230b可包括铝(Al)，并且第三层230c可包括钛(Ti)。在蚀刻金属层230的至少一部分和第一有机绝缘层209的至少一部分的工艺(或第一工艺和第二工艺)中，由于第一层230a和第二层230b包括不同的材料，因此第一层230a和第二层230b可被蚀刻到不同的程度，并且与第二层230b相比，第一层230a可在朝向第一有机绝缘层209的凹槽GR的方向上进一步突出。换句话说，在包括在金属层230中的第一层230a和第二层230b之间可生成台阶差。
保护层240可覆盖金属层230的顶表面和侧表面。包括在金属层230中的第一层230a和第二层230b之间的台阶差也可由保护层240覆盖。由于在蚀刻金属层230和第一有机绝缘层209的工艺中生成的第一层230a与第二层230b之间的台阶差的侧表面可由保护层240覆盖，因此防止由于金属层230中的第二层230b暴露于蚀刻剂或显影剂以及金属层230的第二层230b的进一步蚀刻而导致在随后的工艺中出现缺陷是可能的。
图9至图15是示意性地示出制造显示装置1的方法的剖视图。在下文中，将参照图9至图15来描述制造显示装置1的方法。
根据实施方式的制造显示装置1的方法可包括：在衬底100上形成无机绝缘层IIL，衬底100包括开口区域OA(例如，参照图5)、围绕开口区域OA的至少一部分的显示区域DA(例如，参照图5)以及在开口区域OA与显示区域DA之间的中间区域MA；通过去除中间区域MA的无机绝缘层IIL的部分来形成孔H(IIL)；在无机绝缘层IIL的孔H(IIL)中形成第一有机绝缘层209；在第一有机绝缘层209上形成金属层230；通过蚀刻形成在无机绝缘层IIL的孔H(IIL)上方的金属层230的至少一部分来形成金属层230的端部部分；以及在金属层230上形成覆盖金属层230的端部部分的顶表面和侧表面的保护层240。
参照图9，可在衬底100上顺序地形成缓冲层105、第一绝缘层201、第二绝缘层203、第三绝缘层205和第四绝缘层207。缓冲层105、第一绝缘层201、第二绝缘层203、第三绝缘层205和第四绝缘层207可各自包括无机绝缘材料，诸如硅氧化物、硅氮化物、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪和类似物。然而，本公开不限于此。尽管未示出，但在另一实施方式中，第五绝缘层可在第四绝缘层207上。
在实施方式中，可去除第三绝缘层205和第四绝缘层207中的每个的至少一部分，并且可限定穿透第三绝缘层205和第四绝缘层207的孔H(IIL)。然而，本公开不限于此。当第五绝缘层在第四绝缘层207上时，可去除第四绝缘层207和第五绝缘层中的每个的至少一部分，并且因此，可限定穿透第四绝缘层207和第五绝缘层的孔H(IIL)。
参照图10，第一有机绝缘层209可填充限定在无机绝缘层IIL中的孔H(IIL)。为了用第一有机绝缘层209填充限定在无机绝缘层IIL中的孔H(IIL)，首先，可在衬底100上设置用于形成第一有机绝缘层209的材料。可向用于形成第一有机绝缘层209的材料的填充无机绝缘层IIL的孔H(IIL)的部分照射光，并且可不向用于形成第一有机绝缘层209的材料的另一部分照射光。可固化用于形成第一有机绝缘层209的材料中的照射光的部分，并且可去除没有照射光的部分。通过仅向用于形成第一有机绝缘层209的材料的填充无机绝缘层IIL的孔H(IIL)的部分照射光，可形成填充无机绝缘层IIL的孔H(IIL)的第一有机绝缘层209。然而，本公开不限于此。
图11至图14B示出了在设置在第一有机绝缘层209上的金属层230上形成端部部分的工艺和在同步蚀刻在金属层230下方的第一有机绝缘层209的部分时形成凹槽GR的工艺。然而，实施方式不限于此。在通过蚀刻金属层230的至少一部分来形成金属层230的端部部分的第一工艺之后，可执行通过蚀刻第一有机绝缘层209的至少一部分来形成第一有机绝缘层209的凹槽GR的第二工艺。
参照图11至图13以及图14A和图14B，金属层230可在第一有机绝缘层209上。更具体地，金属层230可在第一有机绝缘层209和第四绝缘层207上。如上所述，金属层230可形成为包括Ti/Al/Ti的多层。
在实施方式中，当蚀刻金属层230的部分时，可在金属层230上形成端部部分。详细地，当蚀刻在填充无机绝缘层IIL的孔H(IIL)的第一有机绝缘层209上的金属层230的部分时，可在金属层230上形成端部部分。
为了蚀刻形成在无机绝缘层IIL的孔H(IIL)上方的金属层230的部分并且在金属层230上形成端部部分，光致抗蚀剂PR可在金属层230上。可去除设置在形成在无机绝缘层IIL的孔H(IIL)上方的金属层230的至少一部分上的光致抗蚀剂PR。换句话说，可去除设置在待从金属层230去除的部分上方的光致抗蚀剂PR。由于通过蚀刻可去除金属层230的已去除光致抗蚀剂PR的部分，因此可在金属层230上形成端部部分。换句话说，可蚀刻形成在无机绝缘层IIL的孔H(IIL)上方的金属层230的至少一部分，并且然后可形成金属层230的端部部分。详细地，通过干蚀刻可去除形成在无机绝缘层IIL的孔H(IIL)上方的金属层230的至少一部分。金属层230的端部部分可彼此分开地布置在无机绝缘层IIL的孔H(IIL)上方。由于在金属层230上形成端部部分，因此从显示区域DA延伸到中间区域MA的功能层(即，第一功能层222a和第二功能层222c(例如，参照图7A))和相对电极223(例如，参照图7A)可通过金属层230的端部部分而短路。保护层240也可通过金属层230而短路。由于功能层(即，第一功能层222a和第二功能层222c)和相对电极223通过金属层230的端部部分而短路，因此可防止外来湿气或空气通过中间区域MA的功能层(即，第一功能层222a和第二功能层222c)和相对电极223渗透到显示区域DA中。
当蚀刻形成在无机绝缘层IIL的孔H(IIL)上方的金属层230的部分并且在金属层230上形成端部部分时，可同步去除金属层230下方的第一有机绝缘层209的至少一部分，并且因此，可在第一有机绝缘层209中形成凹槽GR。由于金属层230的至少一部分经历干蚀刻并且在金属层230上形成端部部分，因此可以比蚀刻金属层230的速率高的速率来蚀刻金属层230下方的第一有机绝缘层209。详细地，在蚀刻工艺中，当金属层230的端部部分在第一方向(例如，+x方向或-x方向)上比第一有机绝缘层209更突出的长度t1为0.3μm时，第一有机绝缘层209的凹槽GR在垂直于衬底100的方向(例如，+z方向或-z方向)上的长度t2(即，深度t2)可为0.675μm。换句话说，在蚀刻工艺中，金属层230的端部部分在第一方向(例如，+x方向或-x方向)上比第一有机绝缘层209更突出的长度t1与第一有机绝缘层209的凹槽GR在垂直于衬底100的方向(例如，+z方向或-z方向)上的长度t2的比率可为1∶2.25。然而，本公开不限于此。
在已同步蚀刻金属层230和第一有机绝缘层209并且已分别形成金属层230的端部部分和第一有机绝缘层209的凹槽GR之后，可去除光致抗蚀剂PR。换句话说，图14A和图14B可省略了光致抗蚀剂PR。然而，本公开不限于此。
在实施方式中，参照图14A和图14B，形成金属层230的端部部分和第一有机绝缘层209的凹槽GR的工艺可包括第一工艺和第二工艺。第一工艺可包括通过蚀刻布置为与第一有机绝缘层209的顶表面接触的金属层230的至少一部分来形成金属层230的端部部分的工艺。第二工艺可包括通过蚀刻第一有机绝缘层209的至少一部分来形成第一有机绝缘层209的凹槽GR的工艺。在时间上，第二工艺可在第一工艺之后执行。由于在第一工艺和第二工艺中分别对不同的目标(即，金属层230和第一有机绝缘层209)进行去除，因此可在第一工艺和第二工艺中使用不同类型的蚀刻剂。
从金属层230的底表面到第一有机绝缘层209的凹槽GR的最小厚度t2(即，最小距离t2)可大于金属层230的端部部分在朝向第一有机绝缘层209的凹槽GR的方向上从第一有机绝缘层209突出的长度t1。深度t2(即，从金属层230的底表面到第一有机绝缘层209的凹槽GR的最小距离t2)可包括在通过蚀刻布置为与第一有机绝缘层209的顶表面接触的金属层230的至少一部分来形成金属层230的端部部分的工艺(或第一工艺)和通过蚀刻第一有机绝缘层209的至少一部分来形成第一有机绝缘层209的凹槽GR的工艺(或第二工艺)中在第三方向(例如，-z方向)上蚀刻第一有机绝缘层209的深度t2。金属层230的端部部分在朝向第一有机绝缘层209的凹槽GR的方向上突出的长度t1可包括在蚀刻第一有机绝缘层209的至少一部分以形成第一有机绝缘层209的凹槽GR的工艺中在第一方向(例如，+x方向或-x方向)上蚀刻第一有机绝缘层209的长度t1。从金属层230的底表面到第一有机绝缘层209的凹槽GR的最小距离t2(或凹槽GR的深度t2)可包括在执行两个工艺(即，第一工艺和第二工艺)的同时在第三方向(例如，-z方向)上蚀刻第一有机绝缘层209的长度t2，而金属层230的端部部分在朝向第一有机绝缘层209的凹槽GR的方向上突出的长度t1可包括在执行一个工艺(即，第二工艺)的同时在第一方向(例如，+x方向或-x方向)上蚀刻第一有机绝缘层209的长度t1。因此，从金属层230的底表面到第一有机绝缘层209的凹槽GR的最小距离t2可大于金属层230的端部部分在朝向第一有机绝缘层209的凹槽GR的方向上从第一有机绝缘层209突出的长度t1。
参照图15，保护层240可在金属层230和第一有机绝缘层209上。保护层240可与布置在显示区域DA中的有机发光二极管OLED(例如，参照图6)的像素电极221(例如，参照图6)同时图案化并且同时形成，并且可包括与包括在像素电极221中的材料相同的材料。如上所述，保护层240可包括导电氧化物材料，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。作为另一实施方式，保护层240可包括包含有Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物的反射膜。作为另一实施方式，保护层240还可包括在上述反射膜上方/下方的由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的膜。
保护层240可覆盖金属层230的顶表面和侧表面。由于保护层240通过金属层230的端部部分而短路，因此保护层240也可设置在第一有机绝缘层209的凹槽GR上方。由于保护层240覆盖金属层230的顶表面和侧表面，因此可防止由于金属层230的Al和保护层240的Ag之间的还原反应而导致出现缺陷因素，并且可防止由于因在随后的工艺中通过另一层的蚀刻剂蚀刻金属层230的Al而在金属层230的Al和Ti之间形成底切结构而导致在后续层中出现缺陷。
孔H(IIL)形成在显示面板10(例如，参照图2)的中间区域MA中的无机绝缘层IIL中，凹槽GR形成在填充无机绝缘层IIL的孔H(IIL)的第一有机绝缘层209中，并且第一有机绝缘层209上的金属层230可包括端部部分。通过布置在显示面板10的中间区域MA中的金属层230的端部部分和第一有机绝缘层209的凹槽GR，从显示面板10的显示区域DA延伸到中间区域MA的功能层(即，第一功能层222a和第二功能层222c)和相对电极223可短路。通过具有从中间区域MA起短路的功能层(即，第一功能层222a和第二功能层222c)和相对电极223，可防止外来空气或湿气通过功能层(即，第一功能层222a和第二功能层222c)和相对电极223渗透到显示区域DA中。
在通过蚀刻设置在第一有机绝缘层209上的金属层230来形成金属层230的端部部分的工艺中，可同步蚀刻第一有机绝缘层209的至少一部分，并且因此可形成凹槽GR。由于可在不使用附加掩模的情况下形成金属层230的端部部分和第一有机绝缘层209的凹槽GR，因此可减少用于制造显示面板10的工艺所花费的时间，并且可尽可能改善制造工艺上的效率。
保护层240可形成在金属层230上，并且保护层240可覆盖金属层230的端部部分的顶表面和侧表面。由于保护层240覆盖金属层230的侧表面，因此可防止由于金属层230的Al和保护层240的Ag之间的还原反应而导致出现缺陷因素，并且可防止由于因在随后的工艺中通过另一层的蚀刻剂蚀刻金属层230的Al而在金属层230的Al和Ti之间形成底切结构而导致在后续层中出现缺陷。
关于开口区域，有关本公开的实施方式的显示装置可防止诸如湿气的外来杂质引起对显示元件的损坏。然而，这仅为实例，并且将在随附的描述中详细地描述根据实施方式的效果。
应理解的是，本文中描述的实施方式应仅被视为描述性意义，并且不出于限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述通常应被视为可用于其它实施方式中的其它相似特征或方面。虽然已参照图对一个或多个实施方式进行描述，但本领域普通技术人员将理解的是，在不背离如由随附权利要求书限定的精神和范围的情况下，其中可进行形式和细节上的各种改变。
Claims (13)
1.一种显示装置，包括：
衬底，所述衬底包括开口区域、围绕所述开口区域的至少一部分的显示区域以及在所述开口区域与所述显示区域之间的中间区域；
无机绝缘层，所述无机绝缘层设置在所述衬底上方并且在所述无机绝缘层中限定有孔；
第一有机绝缘层，所述第一有机绝缘层填充所述孔并且具有形成在所述第一有机绝缘层的顶表面中的凹槽；
金属层，所述金属层设置在所述第一有机绝缘层上并且包括多个端部部分；以及
保护层，所述保护层在所述金属层上，
其中，所述金属层的所述多个端部部分彼此分开地布置在所述凹槽上方，并且
所述金属层的所述多个端部部分的顶表面和侧表面由所述保护层覆盖。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述保护层也设置在所述第一有机绝缘层的所述凹槽上方。
3.根据权利要求1所述的显示装置，还包括布置在所述中间区域中的第一坝。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述孔限定在布置在所述显示区域与所述第一坝之间的所述无机绝缘层中，并且
所述第一有机绝缘层的填充所述孔的部分包括在所述第一有机绝缘层的所述顶表面中的所述凹槽。
5.根据权利要求3所述的显示装置，还包括在所述第一坝与所述开口区域之间的第二坝。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述孔限定在布置在所述第一坝与所述第二坝之间的所述无机绝缘层中，并且
所述第一有机绝缘层的填充所述孔的部分包括在所述第一有机绝缘层的所述顶表面中的所述凹槽。
7.根据权利要求5所述的显示装置，还包括在所述第一有机绝缘层上的第二有机绝缘层。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一坝和所述第二坝中的每个包括所述第二有机绝缘层和设置在所述第二有机绝缘层上的第三有机绝缘层。
9.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述孔限定在布置在所述第二坝与所述开口区域之间的所述无机绝缘层中，并且
所述第一有机绝缘层的填充所述孔的部分包括在所述第一有机绝缘层的所述顶表面中的所述凹槽。
10.根据权利要求1所述的显示装置，还包括发光器件，所述发光器件包括设置在所述显示区域中的像素电极和相对电极以及在所述像素电极与所述相对电极之间的功能层，并且
所述保护层和所述像素电极包括相同的材料。
11.根据权利要求7所述的显示装置，其中，在所述中间区域的与所述显示区域相邻的部分中，所述保护层覆盖与所述第二有机绝缘层接触的所述金属层的端部部分的侧表面和顶表面。
12.根据权利要求8所述的显示装置，其中，包括在所述第一坝中的所述第三有机绝缘层覆盖与包括在所述第一坝中的所述第二有机绝缘层接触的所述金属层和所述保护层。
13.根据权利要求8所述的显示装置，其中，包括在所述第二坝中的所述第三有机绝缘层覆盖与包括在所述第二坝中的所述第二有机绝缘层接触的所述金属层和所述保护层。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2022-0157503 | 2022-11-22 | ||
| KR10-2023-0105089 | 2023-08-10 | ||
| KR1020230105089A KR20240078304A (ko) | 2022-11-22 | 2023-08-10 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN118076161A true CN118076161A (zh) | 2024-05-24 |
Family
ID=91094443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311491171.4A Pending CN118076161A (zh) | 2022-11-22 | 2023-11-10 | 显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN118076161A (zh) |
-
2023
- 2023-11-10 CN CN202311491171.4A patent/CN118076161A/zh active Pending
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| PB01 | Publication |