CN118028764A - 基底加工设备 - Google Patents

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Abstract

一种基底加工设备包括：热处理室，提供用于对基底进行热处理的热处理空间；冷却室，布置为在水平方向上与热处理室间隔开；以及盖，密封热处理室和冷却室，其中，冷却室包括：壳体，在所述壳体中限定冷却处理空间；冷却板，在所述冷却板上放置基底；第一载入/载出口，布置在壳体的一个内壁中并且限定供基底相对于冷却室被从外部载入/被载出的路径；以及第一吹扫气体供应单元，布置在壳体的内壁中并且向冷却处理空间提供第一吹扫气体。

Description

基底加工设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年11月11日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0150980号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入本文中。
技术领域
本公开涉及一种基底加工设备，并且更具体地，涉及一种用于对基底进行热处理的设备。
背景技术
为了制造半导体装置，执行诸如光刻、蚀刻、沉积、离子注入和清洁等的各种工艺。在所述各种工艺之中，光刻工艺用于形成图案，其对于实现半导体装置的高集成度是重要的。
光刻工艺通常由涂覆工艺、曝光工艺和显影工艺组成，并且在执行曝光工艺之前或之后执行烘烤工艺。烘烤工艺用于对基底进行热处理，并且在该工艺中，在将基底放置在加热板上之后，通过提供在加热板内部的加热器对基底进行热处理。
发明内容
提供一种基底加工设备，所述基底加工设备可以通过包括用于不仅在热处理室中而且在冷却处理室中提供不活泼气体的气体供应单元来在烘烤工艺期间保持低的氧饱和度。
提供一种基底加工设备，所述基底加工设备可以通过包括用于对热处理室和冷却处理室进行密封的盖来在烘烤处理期间保持低的氧饱和度。
将通过本公开实现的技术目标不限于上述目标，并且本文中未提及的其它技术目标将被本领域技术人员通过根据本公开的描述清楚地理解。
附加方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地，根据描述将是明显的，或者可以通过实践所呈现的实施例而获知。
根据本公开的一方面，一种基底加工设备包括：热处理室，提供用于对基底进行热处理的热处理空间；冷却室，布置为在水平方向上与热处理室间隔开；以及盖，密封热处理室和冷却室，其中，冷却室包括：壳体，在壳体中限定冷却处理空间；冷却板，在冷却板上放置基底；第一载入/载出口，布置在壳体的一个内壁中并且限定供基底相对于冷却室被从外部载入/被载出的路径；以及第一吹扫气体供应单元，布置在壳体的内壁中并且向冷却处理空间提供第一吹扫气体。
在实施例中，基底加工设备还可以包括控制器，控制器配置为控制通过第一吹扫气体供应单元的第一吹扫气体的供应。
在实施例中，控制器可以还配置为控制第一吹扫气体供应单元以在第一载入/载出口打开的同时注入第一吹扫气体。
在实施例中，基底加工设备还可以包括配置为将基底从热处理室传送到冷却室传送机器人，其中，控制器还可以配置为控制通过传送机器人的基底的传送。
在实施例中，热处理室还可以包括向热处理空间提供第二吹扫气体的第二吹扫气体供应单元，并且控制器可以还配置为控制通过第二吹扫气体供应单元的第二吹扫气体的供应。
在实施例中，热处理室还可以包括限定供基底相对于热处理室被从外部载入/被载出的路径的第二载入/载出口，并且控制器还可以配置为控制第二吹扫气体供应单元以在第二载入/载出口打开的同时注入第二吹扫气体。
在实施例中，第一吹扫气体供应单元可以包括气体注入孔，第一吹扫气体通过气体注入孔被注入，并且气体注入孔可以布置为面向第一载入/载出口。
在实施例中，第一吹扫气体可以包括具有恒定温度的不活泼气体。
在实施例中，第一吹扫气体可以包括包含氮气(N2)的不活泼气体。
根据本公开的另一方面，一种基底加工设备包括：热处理室，提供用于对基底进行热处理的热处理空间；冷却室，布置为在水平方向上与热处理室间隔开；以及盖，密封热处理室和冷却室，其中，冷却室可以包括：壳体，在所述壳体中限定冷却处理空间；冷却板，在所述冷却板上放置基底；第一载入/载出口，限定供基底相对于冷却室被从外部载入/被载出的路径；以及第一吹扫气体供应单元，向冷却处理空间提供第一吹扫气体，并且其中，盖可以包括：气体供应单元，布置在盖内部的一个侧壁中并且将不活泼气体提供到盖的内部；以及排放单元，布置在与所述一个侧壁相对的另一侧壁中并且排放不活泼气体。
在实施例中，基底加工设备还可以包括控制器，控制器配置为控制通过第一吹扫气体供应单元的第一吹扫气体的供应以及通过气体供应单元的不活泼气体的供应。
在实施例中，控制器还可以配置为控制气体供应单元以在第一载入/载出口打开的同时注入不活泼气体。
在实施例中，基底加工设备可以还包括配置为将基底从热处理室传送到冷却室的传送机器人，其中，控制器还可以配置为控制通过传送机器人的基底的传送。
在实施例中，热处理室还可以包括向热处理空间提供第二吹扫气体的第二吹扫气体供应单元，并且控制器还可以配置为控制通过第二吹扫气体供应单元的第二吹扫气体的供应。
在实施例中，热处理室还可以包括限定供基底相对于热处理室被从外部载入/被载出的路径的第二载入/载出口，并且控制器还可以配置为控制第二吹扫气体供应单元以在第二载入/载出口打开的同时注入第二吹扫气体。
在实施例中，盖可以包括限定供基底被从外部载入/被载出的路径的入口，并且控制器还可以配置为控制气体供应单元以在入口打开的同时注入不活泼气体。
在实施例中，控制器可以还配置为控制排放单元以在气体供应单元注入不活泼气体的同时打开。
在实施例中，第一吹扫气体可以包括包含氮气(N2)的不活泼气体。
根据本公开的另一方面，一种基底加工设备包括：热处理室，提供用于对基底进行热处理的热处理空间；冷却室，布置为在水平方向上与热处理室间隔开；以及盖，密封热处理室和冷却室，其中，冷却室可以包括：壳体，在所述壳体中限定冷却处理空间；冷却板，在所述冷却板上放置基底；第一载入/载出口，限定供基底相对于冷却室被从外部载入/被载出的路径；以及第一吹扫气体供应单元，布置在壳体的内壁中并且向冷却处理空间提供第一吹扫气体，其中热处理室可以包括：第二吹扫气体供应单元，向热处理空间提供第二吹扫气体；以及第二载入/载出口，限定供基底相对于热处理室从被外部载入/被载出的路径，其中第一吹扫气体供应单元可以包括气体注入孔，第一吹扫气体通过气体注入孔被注入并且所述气体注入孔布置为面向第一载入/载出口，并且其中，第一吹扫气体可以包括包含氮气(N2)并且具有恒定温度的不活泼气体。
在实施例中，基底加工设备还可以包括：控制器，配置为控制通过第一吹扫气体供应单元的第一吹扫气体的供应；以及传送机器人，配置为将基底从热处理室传送到冷却处理室，其中，控制器还可以配置为：控制第一吹扫气体供应单元以在第一载入/载出口打开的同时注入第一吹扫气体；控制通过传送机器人的基底的传送；控制通过第二吹扫气体供应单元的第二吹扫气体的供应，并且控制第二吹扫气体供应单元以在第二载入/载出口打开的同时注入第二吹扫气体。
附图说明
根据下面结合附图对实施例的描述，这些和/或其它方面将变得明显且更易于领会，在附图中：
图1是示意性示出根据实施例的基底加工设备的视图；
图2是当从方向A-A观察时的图1的基底加工设备的截面图；
图3是当从方向B-B观察时的图1的基底加工设备的截面图；
图4A和图4B是图3中所示的烘烤单元的截面图；
图5是示出了控制器、传送机器人、热处理室和冷却室的示意图；
图6A和图6B是示出控制器、传送机器人和吹扫气体供应单元之间的机构的示意图；
图7是根据另一实施例的包含在基底加工设备中的烘烤单元的截面图；以及
图8A和8B是示出控制器、气体供应单元和排放单元之间的机构的示意图。
具体实施方式
现在将详细参考实施例，实施例的示例在附图中示出，在附图中，相同的附图标记始终指示相同的元件。在这方面，本实施例可以具有不同形式，并且不应被解释为局限于本文中阐述的描述。
在下文中，将参考附图详细地描述本公开的实施例。然而，本公开不必配置为局限于以下描述的实施例，并且可以以各种其它形式实现。提供以下实施例不是为了充分使本公开完整，而是为了向本领域技术人员充分传达本公开的范围。
图1至图3是示出根据实施例的基底加工设备1的示意图。图1是基底加工设备1的平面图，并且图2是当从方向A-A观察时的图1的基底加工设备1的截面图。图3是当从方向B-B观察时的图1的基底加工设备1的截面图。
参考图1至图3，基底加工设备1包括装载口100、转位模块(index module)200、缓冲模块300、涂覆和显影模块400、接口模块700、以及吹扫模块(purge module)800。装载口100、转位模块200、缓冲模块300、涂覆和显影模块400、以及接口模块700在一个方向上顺序地布置成行。吹扫模块800可以提供于接口模块700中。与上述不同，吹扫模块800可以提供在各种位置处(诸如在接口模块700的后端处的连接曝光装置的位置或在接口模块700的侧部中等)。
在下文中，布置装载口100、转位模块200、缓冲模块300、涂覆和显影模块400、以及接口模块700的方向被称为第一方向(x方向)。当从顶部观察时，与第一方向(x方向)垂直的方向被称为第二方向(y方向)，并且与第一方向(x方向)和第二方向中的每一者垂直的方向被称为第三方向(z方向)。
基底W在容纳于盒20中的状态下移动。盒20具有从外部密封的结构。作为示例，在前侧具有门的前开式晶圆传送盒(FOUP)可以用作盒20。
在以下描述中，描述了装载口100、转位模块200、缓冲模块300、涂覆和显影模块400、接口模块700以及吹扫模块800。装载口100具有基座120，容纳基底W的盒20放置在基座120上。基座120可以包括多个基座，并且多个基座120可以在第二方向(y方向)上布置成行。图1示出了四个基座120。
转位模块200在放置在装载口100的基座120上的盒20与缓冲模块300之间传送基底W。转位模块200可以包括框架210、转位机器人220和导轨230。框架210通常具有空的立方体形状。框架210布置在装载口100与缓冲模块300之间。转位模块200的框架210可以提供在比下面描述的缓冲模块300的框架310低的高度处。转位机器人220和导轨230布置在框架210内部。转位机器人220具有4轴可驱动结构以允许手221将基底W直接操纵为在第一方向(x方向)、第二方向(y方向)和第三方向(z方向)上可旋转和可移动。转位机器人220包括手221、臂222、支撑部223以及基体224。手221固定地安装在臂222上。臂222具有可抽出结构和可旋转结构。支撑部223被布置为使得其长度方向与第三方向(z方向)对齐。臂222耦接到支撑部223以沿着支撑部223可移动。支撑部223固定地耦接到基体224。导轨230被布置为使得其长度方向与第二方向(y方向)对齐。基体224耦接到导轨230以沿着导轨230可线性移动。
此外，尽管未示出，但是框架210还提供有用于打开/关闭盒20的门的门开口。
缓冲模块300包括框架310、第一缓冲器320、第二缓冲器330、冷却室350和第一缓冲机器人360。框架310具有空的立方体形状，并且布置在转位模块200与涂覆和显影模块400之间。第一缓冲器320、第二缓冲器330、冷却室350和第一缓冲机器人360布置在框架310内部。冷却室350、第二缓冲器330和第一缓冲器320在第三方向(z方向)上顺序向上布置。第一缓冲器320定位在与下面描述的涂覆和显影模块400的涂覆模块401相对应的高度处，并且第二缓冲器330和冷却室350提供在与下面描述的涂覆和显影模块400的显影模块402相对应的高度处。第一缓冲机器人360在第二方向(y方向)上与第二缓冲器330、冷却室350和第一缓冲器320间隔一距离。
第一缓冲器320和第二缓冲器330各自临时储存基底W。第二缓冲器330包括壳体331和多个支撑部332。多个支撑部332在壳体331中布置为在第三方向(z方向)上彼此间隔开。在多个支撑部332中的每一个上放置一个基底W。壳体331在提供转位机器人220的方向上以及在提供第一缓冲机器人360的方向上具有开口(未示出)，使得转位机器人220和第一缓冲机器人360可以相对于在壳体331中的多个支撑部332中的每一个将基底W载入或带出。第一缓冲器320具有与第二缓冲器330大致类似的结构。然而，第一缓冲器320的壳体321在提供第一缓冲机器人360的方向上以及在提供定位在涂覆模块401中的涂覆模块机器人432的方向上具有开口(未示出)。在第一缓冲器320中提供的支撑部322的数量和在第二缓冲器330中提供的支撑部332的数量可以彼此相同或彼此不同。在示例中，在第二缓冲器330中提供的支撑部332的数量可以大于在第一缓冲器320中提供的支撑部322的数量。
第一缓冲机器人360在第一缓冲器320与第二缓冲器330之间传送基底W。第一缓冲机器人360包括手361、臂362和支撑部363。手361固定地安装到臂362。臂362具有可抽出结构，使得手361在第二方向(y方向)上可移动。臂362耦接到支撑部363以沿着支撑部363在第三方向(z方向)上可线性移动。支撑部363具有从与第二缓冲器330相对应的位置延伸到与第一缓冲器320相对应的位置的长度。支撑部363可以在上方向或下方向上比上述长度长。可以提供第一缓冲机器人360使得手361能够在第二方向(y方向)和第三方向(z方向)上进行仅2轴的驱动。
冷却室350使每个基底W冷却。冷却室350包括壳体351和冷却板352。冷却板352具有其上放置基底W的上表面以及用于使基底W冷却的冷却装置353。诸如使用冷却剂的冷却以及使用热电装置的冷却等的各种方法可以用作冷却装置353。此外，冷却室350可以提供有用于将基底W放置在冷却板352上的升降销组件。壳体351在提供转位机器人220的方向上以及在提供显影模块机器人482的方向上具有开口(未示出)，使得转位机器人220和在显影模块402中提供的显影模块机器人482可以相对于冷却板352将基底W载入或带出。此外，冷却室350可以提供有用于打开和关闭上面描述的开口的门。
涂覆模块401包括在基底W上涂覆诸如光致抗蚀剂的光敏溶液的抗蚀剂涂覆工艺以及在抗蚀剂涂覆工艺之前和之后对基底W进行加热的热处理工艺和对基底W进行冷却的冷却处理工艺。涂覆模块401具有液体加工室410、烘烤单元500以及传送室430。液体加工室410、传送室430和烘烤单元500顺序地布置在第二方向(y方向)上。液体加工室410可以提供为对基底W执行抗蚀剂涂布工艺的抗蚀剂涂覆室410。抗蚀剂涂覆室410包括布置在第一方向(x方向)和第三方向(z方向)中的每一者上的多个抗蚀剂涂覆室。烘烤单元500包括布置在第一方向(x方向)和第三方向(z方向)中的每一者上的多个烘烤单元。
传送室430定位为在第一方向(x方向)上与缓冲模块300的第一缓冲器320平行。涂覆模块机器人432和导轨433定位在传送室430中。传送室430具有近似矩形形状。涂覆模块机器人432在烘烤单元500、抗蚀剂涂覆室410、以及缓冲模块300的第一缓冲器320之间传送基底W。导轨433布置为使得其长度方向与第一方向(x方向)平行。导轨433将涂覆模块机器人432引导为在第一方向(x方向)上线性移动。涂覆模块机器人432包括手434、臂435、支撑部436和基体437。手434固定地安装在臂435上。臂435具有可抽出结构，使得手434在水平方向上可移动。支撑部436被提供为使得其长度方向被布置在第三方向(z方向)上。臂435耦接到支撑部436以沿着支撑部436在第三方向(z方向)上可线性移动。支撑部436固定地耦接到基体437，并且基体437耦接到导轨433以沿着导轨433可移动。
抗蚀剂涂覆室410全部具有相同的结构。然而，在多个抗蚀剂涂覆室410中的每一个中使用的光致抗蚀剂的类型可以彼此不同。在示例中，可以使用化学增幅抗蚀剂作为光致抗蚀剂。抗蚀剂涂覆室410被提供为在基底W上涂覆光致抗蚀剂。抗蚀剂涂覆室410包括壳体411、支撑板412以及喷嘴413。壳体411具有具备敞开的上部的杯形状。支撑板412定位在壳体411中，并且支撑基底W。支撑板412是可旋转的。喷嘴413将光致抗蚀剂供应到放置在支撑板412上的基底W。喷嘴413具有圆管形状，并且可以将光致抗蚀剂供应到基底W的中心。可选地，喷嘴413可以具有与基底W的直径相对应的长度，并且喷嘴413的排放孔可以被提供为狭缝。此外，抗蚀剂涂覆室410还可以提供有喷嘴414，喷嘴414用于供应诸如去离子水的清洗液以对其上涂覆有光致抗蚀剂的基底W的表面进行清洗。
参考图1至图3，显影模块402包括供应光致抗蚀剂并去除光致抗蚀剂的一部分以在基底W上获得图案的显影工艺以及在显影工艺之前和之后对基底W进行加热的热处理工艺和对基底W进行冷却的冷却处理工艺。显影模块402包括液体加工室460、烘烤单元500以及传送室480。液体加工室460、传送室480和烘烤单元500顺序地布置在第二方向(y方向)上。液体加工室460可以提供为显影室460。显影室460和烘烤单元500布置为在第二方向(y方向)上彼此间隔开，且传送室480在显影室460和烘烤单元500之间。显影室460包括布置在第一方向(x方向)和第三方向(z方向)中的每一者上的多个显影室。
传送室480定位为在第一方向(x方向)上与缓冲模块300的第二缓冲器330平行。显影模块机器人482和导轨483定位在传送室480中。传送室480具有近似矩形形状。显影模块机器人482在烘烤单元500、显影室460、缓冲模块300的第二缓冲器330、以及冷却室350之间传送基底W。导轨483布置为使得其长度方向与第一方向(x方向)平行。导轨483将显影模块机器人482引导为在第一方向(x方向)上线性移动。显影模块机器人482包括手484、臂485、支撑部486和基体487。手484固定地安装在臂485上。臂485具有可抽出结构，使得手484在水平方向上可移动。支撑部486被提供为使得其长度方向被布置在第三方向(z方向)上。臂485耦接到支撑部486以沿着支撑部486在第三方向(z方向)上可线性移动。支撑部486固定地耦接到基体487。基体487耦接到导轨483以沿着导轨483可移动。
显影室460全部具有相同的结构。然而，在每个显影室460中使用的显影剂的类型可以彼此不同。显影室460从基底W上的光致抗蚀剂去除光照射到的区域。在这种状态下，从保护膜/钝化膜去除光照射到的区域。可选地，根据使用的光致抗蚀剂的类型，可以从光致抗抗蚀剂和保护膜/钝化膜的区域仅去除光未照射到的区域。显影室460包括壳体461、支撑板462以及喷嘴463。壳体461具有具备敞开的上部的杯形状。支撑板462定位在壳体461中，并且支撑基底W。支撑板462是可旋转的。喷嘴463将显影剂供应到放置在支撑板462上的基底W。喷嘴463具有圆管形状，并且可以将显影剂供应到基底W的中心。可选地，喷嘴463具有与基底W的直径相对应的长度，并且喷嘴463的排放孔被提供为狭缝。此外，显影室460还可以提供有喷嘴464，喷嘴464用于供应诸如去离子水的清洗液以对其上供应显影剂的基底W的表面进行清洗。
提供到显影模块402的热处理室可以与上面描述的烘烤单元500相同。
如上所述，在涂覆和显影模块400中，涂覆模块401和显影模块402彼此分离提供。此外，当从顶部观察时，涂覆模块401和显影模块402可以具有相同的腔室布置。
接口模块700传送基底W。接口模块700包括框架710、第一缓冲器720、第二缓冲器730和接口机器人740。第一缓冲器720、第二缓冲器730和接口机器人740定位在框架710内部。第一缓冲器720和第二缓冲器730彼此分离一定距离并且彼此堆叠。第一缓冲器720布置为高于第二缓冲器730。
接口机器人740布置为在第二方向(y方向)上远离第一缓冲器720和第二缓冲器730。接口机器人740在第一缓冲器720、第二缓冲器730和曝光装置900之间传送基底W。
第一缓冲器720临时储存在被移动到曝光装置900之前已经被加工的基底W。第二缓冲器730临时储存在被移动之前已经在曝光装置900中完成加工的基底W。第一缓冲器720包括壳体721和多个支撑部722。多个支撑部722布置在壳体721内部，并且布置为在第三方向(z方向)上彼此间隔开。在多个支撑部722中的每一个上放置一个基底W。壳体721在提供接口机器人740的方向上以及在提供预处理机器人的方向上具有开口(未示出)，使得接口机器人740和预处理机器人可以相对于壳体721将支撑部722上的基底W载入或带出。第二缓冲器730与第一缓冲器720具有类似的结构。如上所述，接口模块700可以仅提供有缓冲器和机器人，而不提供用于对晶圆执行特定加工的室。
图4A和图4B是示出作为图3中所示的烘烤单元500的示例的烘烤单元500a的截面图。
参考图4A和图4B，烘烤单元500a可以包括提供对基底W进行热处理的热处理空间的热处理室2000以及在水平方向上布置为与热处理室2000间隔开的冷却室1000。在热处理室2000中，可以用高温的热量对基底W执行烘烤工艺。已经完成用高温的热量的烘烤工艺的基底W可以被传送到冷却室1000。对冷却室1000的详细描述将稍后详细呈现。然而，根据实施例，在用高温的热量在热处理室2000中执行烘烤工艺之前，基底W可以在冷却室1000中等待，并且然后可以被传送到热处理室2000并且被传送回冷却室1000以被冷却。
根据实施例，烘烤单元500a可以包括用于密封热处理室2000和冷却室1000的盖510。此外，盖510可以包括提供供基底W可以通过所述路径被从外部载入/被载出路径的入口512。包括氧气的空气可以通过入口512被引入到烘烤单元500a中。
对于精密装置的制造，烘烤单元500a可以保持相对低的氧饱和度。因此，为了防止在烘烤工艺期间包括氧气的空气从外部被引入，盖510可以执行密封热处理室2000和冷却室1000。
根据实施例，热处理室2000和冷却室1000可以分别包括第一升降销2240和第二升降销1240。尽管在附图中示出了三个第一升降销2240和三个第二升降销1240，但是本公开不限于上述数量。多个升降销(第一升降销2240和第二升降销1240)可以执行提升，使得基底W可以相对于热处理室2000和冷却室1000中的每一者被适当地装载/卸载。
图5是控制器610、传送机器人620、热处理室2000和冷却室1000的示意图。
参考图5，热处理室2000可以包括其中可以执行烘烤工艺的内部空间中的加热板2100。在基底W被放置在加热板2100上之后，加热板2100保持在高温下，使得可以执行烘烤工艺。
冷却室1000可以在其中包括用于限定冷却处理空间CS的壳体1050。冷却室1000可以在冷却处理空间CS中包括用于执行冷却处理工艺的冷却板1100。在基底W被放置在冷却板1100上之后，冷却板1100保持在低温下，使得基底W可以保持在低温下。
根据实施例，烘烤单元500a可以包括用于将基底W从热处理室2000传送到冷却室1000的传送机器人620以及用于控制通过传送机器人620的基底W的传送的控制器610。控制器610可以通过硬件、固件、软件或其组合来实现。例如，控制器610可以是诸如工作站计算机、台式计算机、膝上型计算机和平板计算机等的计算机装置。例如，控制器610可以包括存储器装置(诸如只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)等)以及配置为执行特定计算和算法的处理器(诸如微处理器、中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)等)等。
根据实施例，冷却室1000可以包括布置在壳体1050的一个内壁中并且限定供基底W相对于冷却室1000被从外部载入/被载出的路径的第一载入/载出口1300。此外，冷却室1000可以包括第一吹扫气体供应单元1200，第一吹扫空气供应单元1200布置在壳体1050的内壁中并且向冷却处理空间CS提供第一吹扫气体G1(参见图6B)。在这种状态下，第一吹扫气体供应单元1200可以包括第一气体注入孔1210，第一吹扫气体G1通过第一气体注入孔1210被注入，并且第一气体注入孔1210可以布置为面向第一载入/载出口1300。当基底W通过第一载入/载出口1300被载入/载出时，包括氧气的空气可以与基底W一起被引入，并且因此，第一吹扫气体G1通过第一气体注入孔1210被注入，使得可以保持冷却处理空间CS的低的氧饱和度。
根据实施例，热处理室2000可以包括用于限定供基底W相对于热处理室2000被从外部载入/被载出的路径的第二载入/载出口2300。此外，热处理室2000可以包括用于向热处理室2000中的热处理空间HS提供第二吹扫气体G2(参见图6A)的第二吹扫气体供应单元2200。在这种状态下，第二吹扫气体供应单元2200可以包括第二气体注入孔2210，第二吹扫气体G2通过第二气体注入孔2210被注入，并且第二气体注入孔2210可以布置为面向第二载入/载出口2300。当基底W通过第二载入/载出口2300从热处理室2000被载入/载出时，包括氧气的空气可以与基底W一起被引入，并且因此，第二吹扫气体G2通过第二气体注入孔2210被注入，使得可以保持热处理空间HS的低的氧饱和度。
根据实施例，多个吹扫气体供应单元1200、2200可以分别包括多条供应管线1220、2220并且分别包括多个储存器1230、2230。详细地，第一吹扫气体供应单元1200可以包括用于储存第一吹扫气体G1的第一储存器1230以及供第一吹扫气体G1从第一储存器1230被供应到第一气体注入孔1210的第一供应管线1220。同样地，第二吹扫气体供应单元2200可以包括用于储存第二吹扫气体G2的第二储存器2230以及供第二吹扫气体G2从第二储存器2230被供应到第二气体注入孔2210的第二供应管线2200。
根据实施例，第一吹扫气体G1和第二吹扫气体G2可以是包括氮气(N2)的不活泼气体。此外，第一吹扫气体G1和第二吹扫气体G2可以是当通过多个吹扫气体供应单元1200、2200被供应到冷却处理空间CS或热处理空间HS时具有恒定温度的不活泼气体。
图6A和图6B是控制器610、传送机器人620和多个吹扫气体供应单元1200，2200之间的机构的示意图。
参考图6A，热处理室2000的第二载入/载出口2300打开，并且冷却室1000的第一载入/载出口1300关闭。控制器610可以配置为控制第二吹扫气体供应单元2200的第二吹扫气体G2的供应。当热处理室2000的第二载入/载出口2300打开时，基底W可以被引入到热处理室之中。在这种状态下，包括氧气的空气可以被引入到热处理室2000中。
控制器610可以控制第二吹扫气体供应单元2200的第二吹扫气体G2的供应。如图6A中所示，控制器610可以控制第二吹扫气体供应单元2200以在热处理室2000的第二载入/载出口2300为打开的同时注入第二吹扫气体G2。当基底W通过第二载入/载出口2300被载入到热处理室2000中时，包括氧气的空气可以与基底W一起被引入，并且因此，第二吹扫气体G2通过第二气体注入孔2210被注入，使得可以保持热处理空间HS的低的氧饱和度。
参考图6B，冷却室1000的第一载入/载出口1300打开，并且热处理室2000的第二载入/载出口2300关闭。控制器610可以配置为控制第一吹扫气体供应单元1200的第一吹扫气体G1的供应。当冷却室1000的第一载入/载出口1300打开时，基底W可以被引入到冷却室1000中。在这种状态下，包括氧气的空气可以被引入到冷却室1000中。
控制器610可以控制第一吹扫气体供应单元1200的第一吹扫气体G1的供应。如图6B中所示，控制器610可以控制第一吹扫气体供应单元1200以在冷却室1000的第一载入/载出口1300打开的同时注入第一吹扫气体G1。当基底W通过第一载入/载出口1300被载入冷却室1000中时，包括氧气的空气可以与基底W一起被引入，并且因此，第一吹扫气体G1通过第一气体注入孔1210被注入，使得可以保持冷却处理空间CS的低的氧饱和度。
图7是根据另一实施例的包含在基底加工设备1中的烘烤单元500b的截面图。
除了用于密封冷却室1000和热处理室2000的盖510还包括气体供应单元580和排放单元590之外，图7的烘烤单元500b与图4A至图6B中所示的烘烤单元500a基本上相同。因此，省略了对图4A至图6B中所示的烘烤单元500a的构成元件的冗余描述。
根据实施例，盖510可以包括布置在盖510的一个侧壁中并且将不活泼气体供应到盖510内部的气体供应单元580。此外，盖510可以包括布置在与所述一个侧壁相对的另一侧壁中并且供不活泼气体排放的排放单元590。
气体供应单元580可以包括提供在盖510的一侧中的主供应管道582以及从主供应管道582分支并连接到供应孔516的供应管线584。此外，排放单元590可以包括提供在盖510的另一侧中的主排放管道592以及从主排放管道593分支并连接到排放孔518的排放管线594。
如参考图5、图6A和图6B描述的，控制器610可以配置为控制通过传送机器人620传送基底W。此外，控制器610可以配置为控制图5的冷却室1000的第一吹扫气体供应单元1200的第一吹扫气体G1的供应以及热处理室2000的图5的第二吹扫气体供应单元2200的第二吹扫气体G2的供应。通过控制器610对第一吹扫气体供应单元1200和第二吹扫气体供应单元2200的控制与参考图6A和图6B呈现的描述相同。
根据实施例，盖510可以包括用于限定供基底W可以被从外部载入/被载出的路径的入口512。
图8A和图8B是控制器610、气体供应单元580和排放单元590之间的机构的示意图。
参考图8A和图8B，当基底W被引入到烘烤单元500b中时，入口512可以打开。在这种状态下，包括氧气的空气可以与基底W一起从外部被引入。如图8A中所示，控制器610可以控制使得在入口512打开的同时从气体供应单元580注入不活泼气体G。从气体供应单元580注入的不活泼气体G可以增加盖510中的压力，并且可以降低来自外部的包括氧气的空气的流入量。因此，盖510中的氧饱和度可以保持为低。
根据实施例，控制器610可以控制排放单元590以在不活泼气体G从气体供应单元580注入的同时打开。因此，从气体供应单元580注入的不活泼气体G可以通过排放单元590排放。
应当理解的是，本文中描述的实施例应当仅在描述性意义上考虑，并且不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应当被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。
虽然已经参考附图描述了一个或多个实施例，但将由本领域普通技术人员理解的是，在不脱离如由随附权利要求限定的本公开的精神和范围的情况下，可以在其中在形式和细节上进行各种改变。

Claims (20)

1.一种基底加工设备，包括：
热处理室，提供用于对基底进行热处理的热处理空间；
冷却室，布置为在水平方向上与所述热处理室间隔开；以及
盖，密封所述热处理室和所述冷却室，
其中，所述冷却室包括：
壳体，在所述壳体中限定冷却处理空间；
冷却板，在所述冷却板上放置所述基底；
第一载入/载出口，布置在所述壳体的一个内壁中并且限定供所述基底相对于所述冷却室被从外部载入/被载出的路径；以及
第一吹扫气体供应单元，布置在所述壳体的内壁中并且向所述冷却处理空间提供第一吹扫气体。
2.根据权利要求1所述的基底加工设备，还包括控制器，所述控制器配置为控制通过所述第一吹扫气体供应单元的所述第一吹扫气体的供应。
3.根据权利要求2所述的基底加工设备，其中，所述控制器还配置为控制所述第一吹扫气体供应单元以在所述第一载入/载出口打开的同时注入第一吹扫气体。
4.根据权利要求2所述的基底加工设备，还包括配置为将所述基底从所述热处理室传送到所述冷却室的传送机器人，
其中，所述控制器还配置为控制通过所述传送机器人的所述基底的传送。
5.根据权利要求2所述的基底加工设备，其中，所述热处理室还包括向所述热处理空间提供第二吹扫气体的第二吹扫气体供应单元，并且
所述控制器还配置为控制通过所述第二吹扫气体供应单元的所述第二吹扫气体的供应。
6.根据权利要求5所述的基底加工设备，其中，所述热处理室还包括限定供所述基底相对于所述热处理室被从外部载入/被载出的路径的第二载入/载出口，并且
所述控制器还配置为控制所述第二吹扫气体供应单元以在所述第二载入/载出口打开的同时注入所述第二吹扫气体。
7.根据权利要求1所述的基底加工设备，其中，所述第一吹扫气体供应单元包括气体注入孔，所述第一吹扫气体通过所述气体注入孔被注入，并且
所述气体注入孔布置为面向所述第一载入/载出口。
8.根据权利要求1所述的基底加工设备，其中，所述第一吹扫气体包括具有恒定温度的不活泼气体。
9.根据权利要求1所述的基底加工设备，其中，所述第一吹扫气体包括包含氮气(N2)的不活泼气体。
10.一种基底加工设备，包括：
热处理室，提供用于对基底进行热处理的热处理空间；
冷却室，布置为在水平方向上与所述热处理室间隔开；以及
盖，密封所述热处理室和所述冷却室，
其中，所述冷却室包括：
壳体，在所述壳体中限定冷却处理空间；
冷却板，在所述冷却板上放置所述基底；
第一载入/载出口，限定供所述基底相对于所述冷却室被从外部载入/被载出的路径；以及
第一吹扫气体供应单元，向所述冷却处理空间提供第一吹扫气体，并且
其中，所述盖包括：
气体供应单元，布置在所述盖的内部的一个侧壁中并且将不活泼气体提供到所述盖的所述内部；以及
排放单元，布置在与所述一个侧壁相对的另一侧壁中并且排放所述不活泼气体。
11.根据权利要求10所述的基底加工设备，还包括控制器，所述控制器配置为控制通过所述第一吹扫气体供应单元的所述第一吹扫气体的供应以及通过所述气体供应单元的所述不活泼气体的供应。
12.根据权利要求11所述的基底加工设备，其中，所述控制器还配置为控制所述气体供应单元以在所述第一载入/载出口打开的同时注入所述不活泼气体。
13.根据权利要求12所述的基底加工设备，还包括配置为将所述基底从所述热处理室传送到所述冷却室的传送机器人，
其中，所述控制器还配置为控制通过所述传送机器人的所述基底的传送。
14.根据权利要求12所述的基底加工设备，其中，所述热处理室还包括向所述热处理空间提供第二吹扫气体的第二吹扫气体供应单元，并且
所述控制器还配置为控制通过所述第二吹扫气体供应单元的所述第二吹扫气体的供应。
15.根据权利要求14所述的基底加工设备，其中，所述热处理室还包括限定供所述基底相对于所述热处理室被从外部载入/被载出的路径的第二载入/载出口，并且
所述控制器还配置为控制所述第二吹扫气体供应单元以在所述第二载入/载出口打开的同时注入所述第二吹扫气体。
16.根据权利要求12所述的基底加工设备，其中，所述盖包括限定供所述基底被从外部载入/被载出的路径的入口，并且
所述控制器还配置为控制所述气体供应单元以在所述入口打开的同时注入所述不活泼气体。
17.根据权利要求11所述的基底加工设备，其中，所述控制器还配置为控制所述排放单元以在所述气体供应单元注入所述不活泼气体的同时打开。
18.根据权利要求11所述的基底加工设备，其中，所述第一吹扫气体包括包含氮气(N2)的不活泼气体。
19.一种基底加工设备，包括：
热处理室，提供用于对基底进行热处理的热处理空间；
冷却室，布置为在水平方向上与所述热处理室间隔开；以及
盖，密封所述热处理室和所述冷却室，
其中，所述冷却室包括：
壳体，在所述壳体中限定冷却处理空间；
冷却板，所述冷却板上放置所述基底；
第一载入/载出口，限定供所述基底相对于所述冷却室被从外部载入/被载出的路径；以及
第一吹扫气体供应单元，布置在所述壳体的内壁中并且向所述冷却处理空间提供第一吹扫气体，
其中，所述热处理室包括：
第二吹扫气体供应单元，向所述热处理空间提供第二吹扫气体；以及
第二载入/载出口，限定供所述基底相对于所述热处理室被从外部载入/被载出的路径，
其中，所述第一吹扫气体供应单元包括气体注入孔，所述第一吹扫气体通过所述气体注入孔被注入，并且所述气体注入孔布置为面向所述第一载入/载出口，并且
其中，所述第一吹扫气体包括包含氮气(N2)并且具有恒定温度的不活泼气体。
20.根据权利要求19所述的基底加工设备，还包括：
控制器，配置为控制通过所述第一吹扫气体供应单元的所述第一吹扫气体的供应；以及
传送机器人，配置为将所述基底从所述热处理室传送到所述冷却处理室，
其中，所述控制器还配置为：
控制所述第一吹扫气体供应单元以在所述第一载入/载出口打开的同时注入第一吹扫气体；
控制通过所述传送机器人的所述基底的传送；
控制通过所述第二吹扫气体供应单元的所述第二吹扫气体的供应；并且
控制所述第二吹扫气体供应单元以在所述第二载入/载出口打开的同时注入所述第二吹扫气体。
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