CN118019400A - 显示面板 - Google Patents

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申铉亿
朴俊龙
李东敏
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Abstract

公开了一种显示面板。该显示面板包括：基体层；第一电极，在基体层上；像素限定层，在基体层上并且具有在第一电极的一部分之上穿过像素限定层的发光开口；导电壁，在像素限定层上，并且具有在导电壁中的与发光开口对应的分隔开口；第二电极，在分隔开口中；以及发光图案，在分隔开口中并且在第一电极与第二电极之间，其中：导电壁包括第一层、在第一层上的第二层以及在第二层上的第三层；第二电极接触第二层；并且第三层的厚度大于第一层的厚度。

Description

显示面板
本申请要求于2022年11月10日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0149861号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开的一些实施例的方面在这里涉及一种显示面板。
背景技术
显示装置可以根据电信号来激活。显示装置可以包括显示图像的显示面板。关于显示面板，有机发光显示面板具有诸如相对低的功耗、相对高的亮度和相对高的响应速度的特性。
在显示面板之中，有机发光显示面板包括阳极、阴极和发光层。对于每个发光区域，发光层是分离的，并且阴极向每个发光区域提供共电压。
在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对背景技术的理解，因此在该背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。
发明内容
本公开的一些实施例的方面在这里涉及一种显示面板，并且例如涉及一种具有相对改善的可靠性和可加工性的显示面板。
根据本公开的一些实施例，显示面板包括在不使用金属掩模的情况下形成的发光元件。
根据本公开的一些实施例，显示面板可以具有相对增大的显示效率和相对改善的可靠性。
根据本公开的一些实施例，显示面板可以具有相对改善的可加工性。
根据本公开的一些实施例，显示面板可以包括：基体层；第一电极，在基体层上；像素限定层，在基体层上，并且具有使第一电极的一部分暴露并且限定在像素限定层中的发光开口；导电壁，在像素限定层上，并且具有与发光开口对应并且限定在导电壁中的分隔开口；第二电极，在分隔开口中；以及发光图案，在分隔开口中并且在第一电极与第二电极之间，其中：导电壁包括第一层、在第一层上的第二层以及在第二层上的第三层；第二电极与述第二层接触；并且第三层的厚度大于第一层的厚度。
根据一些实施例，第三层的厚度为约3000埃或更大，并且第一层的厚度为约2000埃或更小。
根据一些实施例，第一层可以包括限定分隔开口的第一区域的第一内侧表面，第二层可以包括限定分隔开口的第二区域的第二内侧表面，并且第三层可以包括限定分隔开口的第三区域的第三内侧表面。
根据一些实施例，第二内侧表面与第一内侧表面和第三内侧表面相比可以更向内，并且第二电极可以与第二内侧表面接触。
根据一些实施例，第二层可以包含铜(Cu)，并且第一层和第三层中的每个可以包含钛(Ti)。
根据一些实施例，显示面板还可以包括辅助电极，辅助电极在第二电极上，与第二内侧表面接触，并且比第二电极厚。
根据一些实施例，辅助电极可以包含透明导电氧化物。
根据一些实施例，第二层可以包含银(Ag)，并且第一层和第三层中的每个可以包含透明导电氧化物。
根据一些实施例，第二层可以包含与第二电极的材料相同的材料。
根据一些实施例，导电壁还可以包括第一中间层，第一中间层在第二层与第三层之间并且包含与第三层的材料不同的材料，其中，第一中间层可以包括第四内侧表面，第四内侧表面限定分隔开口的第四区域并且与第二内侧表面和第三内侧表面中的每个相比更向内。
根据一些实施例，第一中间层可以包含透明导电氧化物，并且第一中间层的蚀刻速率可以高于第三层的蚀刻速率。
根据一些实施例，第三层可以包含氧化铟锡(ITO)，并且第一中间层可包含氧化铟镓锌(IGZO)和氧化铟锌(IZO)中的任一种。
根据一些实施例，第一中间层的厚度可以大于发光图案的厚度。
根据一些实施例，导电壁还可以包括第二中间层，第二中间层在第一中间层与第二层之间并且包含与第三层的材料相同的材料，其中，第二中间层可以包括第五内侧表面，第五内侧表面限定分隔开口的第五区域并且从第二内侧表面和第四内侧表面中的每个朝向分隔开口的内部突出。
根据一些实施例，导电壁还可以包括：第一中间层，在第一层与第二层之间并且包括限定分隔开口的第四区域的第四内侧表面；以及第二中间层，在第二层与第三层之间并且包括限定分隔开口的第五区域的第五内侧表面，并且第二内侧表面可以从第四内侧表面和第五内侧表面中的每个朝向分隔开口的内部突出。
根据一些实施例，第二电极可以与第二层的从第二中间层暴露的上表面接触。
根据一些实施例，第一层与第二层之间的距离可以小于或等于发光图案的厚度和第二电极的厚度的总和。
根据一些实施例，第四内侧表面与第三内侧表面相比可以更向内。
根据一些实施例，第一层和第二层中的每个可以包含金属氮化物，第三层可以包含金属，并且第一中间层和第二中间层可以包含与第三层的金属不同的金属。
根据一些实施例，第一中间层和第二中间层中的每个的蚀刻速率可以高于第一层和第二层中的每个的蚀刻速率。
根据一些实施例，第一层和第二层中的每个可以包含氮化钛(TiN)，第三层可以包含钛(Ti)，并且第一中间层和第二中间层中的每个可以包含铝(Al)。
根据一些实施例，导电壁还可以包括上层，上层在第三层上并且包括限定分隔开口的第六区域的第六内侧表面，其中，上层的模量可以大于第三层的模量。
根据一些实施例，导电壁可以接收偏置电压。
根据一些实施例，第二电极可以包含银(Ag)或包含银(Ag)的合金。
根据一些实施例，显示面板还可以包括虚设图案，虚设图案在导电壁上并且与第二电极间隔开，其中，虚设图案可以包括第一层和第二层，第一层包括与发光图案的材料相同的材料，第二层包括与第二电极的材料相同的材料。
附图说明
包括附图以提供对根据本公开的实施例的进一步理解，并且附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了本公开的一些实施例的方面，并且与说明书一起用于解释根据本公开的实施例的原理。在附图中：
图1A是根据本公开的一些实施例的显示装置的透视图；
图1B是根据本公开的一些实施例的显示装置的分解透视图；
图2是根据本公开的一些实施例的显示模块的剖视图；
图3是根据本公开的一些实施例的显示面板的平面图；
图4是根据本公开的一些实施例的显示面板的显示区域的一部分的放大平面图；
图5是沿着图4的线I-I'截取的根据本公开的一些实施例的显示面板的剖视图；
图6是根据本公开的一些实施例的显示面板的一个区域的放大剖视图；
图7A至图7G是示出根据本公开的一些实施例的制造显示面板的方法的步骤的剖视图；
图8是根据本公开的一些实施例的显示面板的一个区域的放大剖视图；
图9是根据本公开的一些实施例的显示面板的一个区域的放大剖视图；
图10A至图10C是示出根据本公开的一些实施例的制造显示面板的方法的步骤的剖视图；
图11是根据本公开的一些实施例的显示面板的一个区域的放大剖视图；
图12A和图12B是示出根据本公开的一些实施例的制造显示面板的方法的步骤的剖视图；
图13是根据本公开的一些实施例的显示面板的一个区域的放大剖视图；
图14是根据本公开的一些实施例的显示面板的一个区域的放大剖视图；
图15A至图15C是示出根据本公开的一些实施例的制造显示面板的方法的步骤的剖视图；以及
图16是根据本公开的一些实施例的显示面板的一个区域的放大剖视图。
具体实施方式
在本说明书中，将理解的是，当元件(或区域、层、部分、部件等)被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件时，它可以直接在所述另一元件上、直接连接或直接结合到所述另一元件，或者可以存在居间元件。
同样的附图标记始终指同样的元件。另外，在附图中，为了技术内容的有效描述，夸大了元件的厚度、比例和尺寸。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关构造可以定义的任何组合和所有组合。
将理解的是，尽管这里可以使用术语第一、第二等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本发明的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。除非另外清楚地指出，否则单数形式的术语包括复数形式。
另外，为了易于描述，这里使用诸如“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”等的术语来描述如图中所示的一个元件与另一(些)元件的关系。以上术语是相对概念，并且基于附图中指示的方向来描述。
将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“具有”时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，术语(诸如在常用词典中定义的术语)应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的意思一致的意思，并且将不以理想化或过于形式化的含义解释，除非在这里明确地如此定义。
在下文中，将参照附图更详细地描述本公开的一些实施例的方面。
图1A是根据本公开的一些实施例的显示装置的透视图。图1B是根据本公开的一些实施例的显示装置的分解透视图。图2是根据本公开的一些实施例的显示模块的剖视图。
根据本公开的一些实施例，显示装置DD可以是诸如电视、监视器或外部广告牌的大型电子装置。另外，显示装置DD可以是诸如个人计算机、笔记本计算机、个人数字终端、汽车导航单元、游戏机、智能电话、平板电脑和相机的中小型电子装置。这些仅作为示例呈现，并且可以在其他显示装置中采用，只要它们不脱离根据本公开的实施例的精神和范围即可。根据一些实施例，显示装置DD被示例性地示出为智能电话。
参照图1A、图1B和图2，显示装置DD可以在与第一方向DR1和第二方向DR2中的每个平行的显示表面FS上朝向第三方向DR3显示图像IM。图像IM可以包括静止图像和动态图像。在图1中，示出了手表窗和图标作为图像IM的示例。其上显示图像IM的显示表面FS可以与显示装置DD的前表面对应。
根据一些实施例，基于显示图像IM的方向来限定每个构件的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)。前表面和后表面在第三方向DR3上彼此面对，并且前表面和后表面中的每个的法线方向可以与第三方向DR3平行。同时，由第一方向至第三方向DR1、DR2和DR3指示的方向是相对概念，并且可以转换为其他方向。在本说明书中，表述“在平面上”可以是指当从第三方向DR3观看时。
如图1B中所示，根据一些实施例的显示装置DD可以包括窗WP、显示模块DM和壳体HAU。窗WP和壳体HAU可以彼此结合以构造显示装置DD的外型。
窗WP可以包含光学透明的绝缘材料。例如，窗WP可以包含玻璃或塑料。窗WP的前表面可以限定显示装置DD的显示表面FS。显示表面FS可以包括透射区域TA和边框区域BZA。透射区域TA可以是光学透明区域。例如，透射区域TA可以具有约90％或更大的可见光透射率。
与透射区域TA相比，边框区域BZA可以具有相对低的光透射率。边框区域BZA可以限定透射区域TA的形状。边框区域BZA可以与透射区域TA相邻并且围绕透射区域TA。同时，这是作为示例示出的，并且在根据本公开的一些实施例的窗WP中可以省略边框区域BZA。窗WP可以包括防指纹层、硬涂层和抗反射层之中的至少一种功能层，并且不限于任何一个实施例。
显示模块DM可以定位在窗WP下方。显示模块DM可以是基本上产生图像IM的组件。由显示模块DM产生的图像IM在显示模块DM的显示表面IS上显示，并且通过透射区域TA从外部被用户视觉识别。
显示模块DM包括显示区域DA和非显示区域NDA。可以根据电信号激活显示区域DA。非显示区域NDA与显示区域DA相邻。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。非显示区域NDA被边框区域BZA覆盖，并且不会从外部被视觉识别。
如图2中所示，根据一些实施例的显示模块DM可以包括显示面板DP和输入传感器INS。尽管未单独示出，但是根据本公开的一些实施例的显示装置DD还可以包括定位在显示面板DP的下表面上的保护构件或定位在输入传感器INS的上表面上的抗反射构件和/或窗构件。
显示面板DP可以是发光显示面板，但是不特别限于此。例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板或无机发光显示面板。有机发光显示面板中的发光层包含有机发光材料。无机发光显示面板中的发光层包含量子点、量子棒或微LED。在下文中，显示面板DP将被描述为有机发光显示面板。
显示面板DP可以包括基体层BL、定位在基体层BL上的电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED和薄膜封装层TFE。输入传感器INS可以直接定位在薄膜封装层TFE上。在本说明书中，表述“组件A直接定位在组件B上”是指没有粘合层定位在组件A与组件B之间。
基体层BL可以包括至少一个塑料膜。基体层BL是柔性基底，并且可以包括塑料基底、金属基底、有机/无机复合材料基底等。在本说明书中，显示区域DA和非显示区域NDA可以被认为是在基体层BL中限定的，并且在这种情况下，定位在基体层BL上的组件也可以被认为布置为与显示区域DA或非显示区域NDA叠置。
电路元件层DP-CL包括电路元件和至少一个绝缘层。绝缘层包括至少一个无机层和至少一个有机层。电路元件包括信号线、像素驱动电路等。
显示元件层DP-OLED包括导电壁和发光元件。发光元件可以包括阳极、发光图案和阴极，并且发光图案可以至少包括发光层。
薄膜封装层TFE包括多个薄膜。一些薄膜布置为改善光学效率，并且其他薄膜布置为保护有机发光二极管。
输入传感器INS获取外部输入的坐标信息。输入传感器INS可以具有多层结构。输入传感器INS可以包括单个导电层或多个导电层。输入传感器INS可以包括单个绝缘层或多个绝缘层。输入传感器INS可以例如以电容方式感测外部输入。根据本公开的一些实施例，输入传感器INS的操作方式不特别限于此，根据本公开的一些实施例，输入传感器INS可以以电磁感应方式或压力感测方式感测外部输入。同时，根据本公开的一些实施例，可以省略输入传感器INS。
如图1B中所示，壳体HAU可以结合到窗WP。壳体HAU可以结合到窗WP以提供内部空间(例如，设定或预定内部空间)。显示模块DM可以容纳在内部空间中。
壳体HAU可以包含具有相对高刚性的材料。例如，壳体HAU可以包括由玻璃、塑料或金属或其组合构成的多个框架和/或板。壳体HAU可以稳定地保护容纳在内部空间中的显示装置DD的组件免受外部冲击。
图3是根据本公开的一些实施例的显示面板的平面图。
参照图3，显示面板DP可以包括基体层BL，基体层BL被划分为参照图2描述的显示区域DA和非显示区域NDA。
显示面板DP可以包括定位在显示区域DA中的像素PX以及电连接到像素PX的信号线SGL。显示面板DP可以包括定位在非显示区域NDA中的驱动电路GDC和垫(pad，或称为“焊盘”)部PLD。
像素PX可以在第一方向DR1和第二方向DR2上布置。像素PX可以包括：多个像素行，在第一方向DR1上延伸并且在第二方向DR2上布置；以及多个像素列，在第二方向DR2上延伸并且在第一方向DR1上布置。
信号线SGL可以包括栅极线GL、数据线DL、电力线PL和控制信号线CSL。栅极线GL中的每条可以连接到像素PX中的对应的像素PX，并且数据线DL中的每条可以连接到像素PX中的对应的像素PX。电力线PL可以电连接到像素PX。控制信号线CSL可以连接到驱动电路GDC以向驱动电路GDC提供控制信号。
驱动电路GDC可以包括栅极驱动电路。栅极驱动电路可以产生栅极信号并且将产生的栅极信号顺序地输出到栅极线GL。栅极驱动电路还可以向像素驱动电路输出另一控制信号。
垫部PLD可以是柔性电路板所连接到的部分。垫部PLD可以包括像素垫D-PD，其中，像素垫D-PD可以是被构造为将柔性电路板连接到显示面板DP的垫。像素垫D-PD中的每个可以连接到信号线SGL中的对应的信号线。像素垫D-PD可以通过信号线SGL连接到对应的像素PX。另外，像素垫D-PD中的一个可以连接到驱动电路GDC。
另外，垫部PLD还可以包括输入垫。输入垫可以是被构造为将柔性电路板连接到输入传感器INS(见图2)的垫。然而，不限于此，输入垫可以定位在输入传感器INS(见图2)上并且连接到像素垫D-PD和单独的电路板。可选地，可以省略输入传感器INS(见图2)并且可以不包括附加的输入垫。
图4是根据本公开的一些实施例的显示面板的显示区域的一部分的放大平面图。图4示出了从显示模块DM(见图2)的显示表面IS(见图1B)观看的显示模块DM(见图2)的平面，并且示出了发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的布置。
参照图4，显示区域DA可以包括第一发光区域至第三发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B以及围绕第一发光区域至第三发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的***区域NPXA。第一发光区域至第三发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以分别与由发光元件ED1、ED2和ED3(见图5)提供的光从其发射的区域对应。第一发光区域至第三发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以根据朝向显示模块DM(见图2)的外部发射的光的颜色进行分类。
第一发光区域至第三发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以分别提供具有不同颜色的第一颜色光至第三颜色光。例如，第一颜色光可以是红光，第二颜色光可以是绿光，并且第三颜色光可以是蓝光。然而，第一颜色光至第三颜色光不必限于以上示例。
第一发光区域至第三发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每个可以被定义为其中阳极的上表面通过稍后将描述的发光开口暴露的区域。***区域NPXA可以确定第一发光区域至第三发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B之间的边界，并且防止第一发光区域至第三发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B之间的颜色混合。
第一发光区域至第三发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每个可以设置为多个，并且可以在显示区域DA中(例如，以设定或预定的布置形式)重复地布置多个发光区域。例如，第一发光区域PXA-R和第三发光区域PXA-B可以沿着第一方向DR1交替地布置以形成“第一组”。第二发光区域PXA-G可以沿着第一方向DR1布置以形成“第二组”。“第一组”和“第二组”中的每个可以设置为多个，并且“第一组”和“第二组”可以沿着第二方向DR2交替地布置。
一个第二发光区域PXA-G可以布置为在第四方向DR4上与一个第一发光区域PXA-R或一个第三发光区域PXA-B间隔开。第四方向DR4可以被定义为第一方向DR1与第二方向DR2之间的方向。
同时，图4示例性地示出了第一发光区域至第三发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的布置，但是本公开的实施例不限于此，第一发光区域至第三发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以以各种形式布置。根据本公开的一些实施例，第一发光区域至第三发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以具有如图4中所示的布置形式。可选地，第一发光区域至第三发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以具有条纹布置形式或Diamond/>布置形式。
在平面上，第一发光区域至第三发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以具有各种形状。例如，第一发光区域至第三发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以具有多边形形状、圆形形状、椭圆形形状等。图4示例性地示出了在平面上具有四边形形状(或菱形形状)的第一发光区域PXA-R和第三发光区域PXA-B以及具有八边形形状的第二发光区域PXA-G。
在平面上，第一发光区域至第三发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以具有彼此相同的形状，或者它们中的至少一些可以具有不同的形状。图4示例性地示出了在平面上具有彼此相同的形状的第一发光区域PXA-R和第三发光区域PXA-B以及具有与第一发光区域PXA-R和第三发光区域PXA-B的形状不同的形状的第二发光区域PXA-G。
在平面上，第一发光区域至第三发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的至少一些可以具有彼此不同的面积。根据本公开的一些实施例，被构造为发射红光的第一发光区域PXA-R的面积可以大于被构造为发射绿光的第二发光区域PXA-G的面积，并且小于被构造为发射蓝光的第三发光区域PXA-B的面积。然而，第一发光区域至第三发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积之间的根据发射的光的颜色的尺寸关系不限于此，并且可以根据显示模块DM(见图2)的设计而变化。另外，本公开的实施例不限于此，在平面上，第一发光区域至第三发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以具有彼此相同的面积。
同时，根据本公开的一些实施例的显示模块DM(见图2)的第一发光区域至第三发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的形状、面积和布置可以根据发射的光的颜色或显示模块DM(见图2)的尺寸和构造以各种方式设计，并且不限于相对于图4示出和描述的实施例。
图5是沿着图4的线I-I'截取的根据本公开的一些实施例的显示面板的剖视图。
参照图5，根据一些实施例的显示面板DP可以包括基体层BL、电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED和薄膜封装层TFE。
显示面板DP可以包括多个绝缘层、半导体图案、导电图案、信号线等。通过涂覆、沉积等形成绝缘层、半导体层和导电层。此后，可以通过光刻和蚀刻工艺选择性地对绝缘层、半导体层和导电层进行图案化。以这样的方式，形成包括在电路元件层DP-CL和显示元件层DP-OLED中的半导体图案、导电图案、信号线等。
电路元件层DP-CL被示出为单层，但是这仅是为了易于解释，电路元件层DP-CL可以包括用于形成各种元件的绝缘层、半导体图案、导电图案等。
电路元件层DP-CL中的像素驱动电路可以设置为多个，并且像素驱动电路可以分别连接到发光元件ED1、ED2、ED3并独立地控制发光元件ED1、ED2、ED3。像素驱动电路中的每个可以包括被构造为驱动连接的发光元件的多个晶体管、至少一个电容器以及被构造为将它们连接的信号线。
显示元件层DP-OLED可以定位在电路元件层DP-CL上。根据一些实施例，显示元件层DP-OLED可以包括发光元件ED1、ED2和ED3、像素限定层PDL、导电壁PW、虚设图案DMP1、DMP2和DMP3以及虚设无机层LIL-D。
发光元件ED1、ED2和ED3包括第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第三发光元件ED3，第一发光元件至第三发光元件ED1、ED2和ED3中的每个包括阳极(或第一电极)、阴极(或第二电极)以及定位在阳极与阴极之间的发光图案。第一发光元件ED1可以包括第一阳极AE1、第一阴极CE1和第一发光图案EP1，第二发光元件ED2可以包括第二阳极AE2、第二阴极CE2和第二发光图案EP2，并且第三发光元件ED3可以包括第三阳极AE3、第三阴极CE3和第三发光图案EP3。
第一阳极至第三阳极AE1、AE2和AE3(或第一-第一电极、第一-第二电极和第一-第三电极)可以设置为多个图案。第一阳极至第三阳极AE1、AE2和AE3可以具有导电性。例如，阳极AE1、AE2和AE3中的每个可以由诸如金属、透明导电氧化物(TCO)或导电聚合物材料的各种材料形成，只要它们具有导电性即可。例如，金属可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、锂(Li)、钼(Mo)、铜(Cu)或其合金。透明导电氧化物可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌、氧化铟、氧化铟镓或氧化铝锌。
第一阳极至第三阳极AE1、AE2和AE3中的每个被示出为单层，但是这是示例，第一阳极至第三阳极AE1、AE2和AE3中的每个可以具有多层结构，第一阳极至第三阳极AE1、AE2和AE3中的任何一个可以具有单层结构，并且它们中的一个可以具有多层结构，并且根据本公开的实施例不限于任何一个实施例。
第一发光图案至第三发光图案EP1、EP2和EP3中的每个可以定位在第一阳极至第三阳极AE1、AE2和AE3之中的对应的阳极上。第一发光图案至第三发光图案EP1、EP2和EP3可以通过限定在导电壁PW中的尖端部来图案化，这将在稍后进行描述。
根据本公开的一些实施例，第一发光图案EP1可以提供红光，第二发光图案EP2可以提供绿光，并且第三发光图案EP3可以提供蓝光。
第一发光图案至第三发光图案EP1、EP2和EP3中的每个可以包括包含发光材料的发光层。第一发光图案至第三发光图案EP1、EP2和EP3中的每个还可以包括定位在发光层与第一阳极至第三阳极AE1、AE2和AE3之中的对应的阳极之间的空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)，并且还可以包括定位在发光层上的电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。第一发光图案至第三发光图案EP1、EP2和EP3可以分别被称为“第一有机图案至第三有机图案”或“第一中间层至第三中间层”。
第一阴极至第三阴极CE1、CE2和CE3(或第二-第一电极、第二-第二电极和第二-第三电极)可以定位在第一发光图案至第三发光图案EP1、EP2和EP3之中的对应的发光图案上。第一阴极至第三阴极CE1、CE2和CE3可以通过限定在导电壁PW中的尖端部来图案化，这将在稍后进行描述。第一阴极至第三阴极CE1、CE2和CE3可以具有导电性。例如，阴极CE1、CE2和CE3中的每个可以由诸如金属、透明导电氧化物(TCO)或导电聚合物材料的各种材料形成，只要它们具有导电性即可。
像素限定层PDL可以定位在绝缘层上，该绝缘层定位在电路元件层DP-CL的最上侧。第一发光开口至第三发光开口OP1-E、OP2-E和OP3-E可以限定在像素限定层PDL中。第一发光开口至第三发光开口OP1-E、OP2-E和OP3-E可以分别与第一阳极至第三阳极AE1、AE2和AE3对应。像素限定层PDL可以通过发光开口OP1-E、OP2-E和OP3-E使阳极AE1、AE2和AE3中的每个的至少一部分暴露。
第一发光区域PXA-R被定义为第一阳极AE1的上表面的由第一发光开口OP1-E暴露的区域，第二发光区域PXA-G被定义为第二阳极AE2的上表面的由第二发光开口OP2-E暴露的区域，并且第三发光区域PXA-B被定义为第三阳极AE3的上表面的由第三发光开口OP3-B暴露的区域。
像素限定层PDL可以是无机绝缘膜。例如，像素限定层PDL可以包含氧化硅、氮化硅或其组合。例如，像素限定层PDL可以具有其中氧化硅层和氮化硅层顺序地堆叠的两层结构。然而，这是作为示例描述的，并且只要像素限定层PDL可以是无机绝缘膜，像素限定层PDL的材料和结构(无论是单层还是多层)可以进行各种改变，并且根据本公开的实施例不限于任何一个实施例。
同时，根据本公开的一些实施例，显示面板DP还可以包括牺牲图案SP1、SP2和SP3。牺牲图案SP1、SP2和SP3可以包括定位在第一阳极AE1的上表面上的第一牺牲图案SP1、定位在第二阳极AE2的上表面上的第二牺牲图案SP2和定位在第三阳极AE3的上表面上的第三牺牲图案SP3。牺牲图案SP1、SP2和SP3可以被像素限定层PDL覆盖。牺牲图案SP1、SP2和SP3中的每个使对应的阳极AE1、AE2或AE3的至少一部分暴露。牺牲图案SP1、SP2和SP3可以分别定位在不与发光开口OP1-E、OP2-E和OP3-E叠置的位置处。
当显示面板DP还包括牺牲图案SP1、SP2和SP3时，阳极AE1、AE2和AE3的上表面可以在剖面上与像素限定层PDL间隔开，且对应的牺牲图案SP1、SP2和SP3置于其间。因此，可以能够在形成发光开口OP1-E、OP2-E和OP3-E的工艺中保护阳极AE1、AE2和AE3免受损坏。
导电壁PW定位在像素限定层PDL上。第一分隔开口至第三分隔开口OP1-P、OP2-P和OP3-P可以限定在导电壁PW中。第一分隔开口至第三分隔开口OP1-P、OP2-P和OP3-P可以分别与第一发光开口至第三发光开口OP1-E、OP2-E和OP3-E对应。分隔开口OP1-P、OP2-P和OP3-P中的每个可以使对应的阳极AE1、AE2或AE3的至少一部分暴露。
导电壁PW可以在剖面上具有底切形状。导电壁PW可以包括顺序地堆叠的多个层，并且多个层中的至少一个层与相邻的堆叠层相比可以是凹陷的。因此，导电壁PW可以包括尖端部。发光图案EP1、EP2和EP3可以由导电壁PW的尖端部分离并且形成在发光开口OP1-E、OP2-E和OP3-E以及分隔开口OP1-P、OP2-P、OP3-P中的每个中，并且阴极CE1、CE2和CE3可以由导电壁PW的尖端部分离并且形成在分隔开口OP1-P、OP2-P和OP3-P中的每个中。稍后将给出导电壁PW的形状的详细描述。
根据一些实施例，导电壁PW可以包括第一层L1、定位在第一层L1上的第二层L2和定位在第二层L2上的第三层L3。第一层L1可以定位在像素限定层PDL上。根据本公开的一些实施例，导电壁PW还可以包括定位在第一层L1与第二层L2之间、第二层L2与第三层L3之间或者第三层L3上的层，并且稍后将给出其详细描述。
第一层L1和第三层L3中的每个可以包含金属、金属氧化物、金属氮化物或非金属。例如，金属可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、锂(Li)、钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)或其合金。金属氧化物可以包括透明导电氧化物(TCO)。非金属可以包括硅(Si)、氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)或其组合。
第二层L2可以包含导电材料。导电材料可以包括金属、金属氮化物、透明导电氧化物(TCO)或其组合。例如，金属可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、锂(Li)、钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)或其合金。金属氮化物可以包括氮化钛(TiN)。透明导电氧化物可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌、氧化铟、氧化铟镓、氧化铟镓锌(IGZO)或氧化铝锌。
根据一些实施例，阴极CE1、CE2和CE3可以与第二层L2直接接触。尽管图5示例性地示出了发光图案EP1、EP2和EP3以及覆盖图案CP1、CP2和CP3也与第二层L2直接接触，但是它们中的一些可以不与第二层L2接触。
导电壁PW可以接收偏置电压。阴极CE1、CE2和CE3可以在它们与导电壁PW直接接触时彼此电连接并且接收偏置电压。
根据本公开的一些实施例，由于阴极CE1、CE2和CE3可以具有与第二层L2的低接触电阻，并且共阴极电压被均匀地提供到发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B，因此可以改善电可靠性并且可以提高显示效率。下面描述根据一些实施例的进一步细节。
根据本公开的一些实施例，多个第一发光图案EP1可以通过限定在导电壁PW中的尖端部被图案化并沉积在像素单元中。也就是说，虽然第一发光图案EP1通过使用开口掩模公共地形成，但是可以通过导电壁PW容易地划分到像素单元中。
另一方面，当通过使用精细金属掩模(FMM)来对第一发光图案EP1进行图案化时，应当提供从导电壁突出的支撑间隔件以支撑精细金属掩模。另外，因为精细金属掩模与被执行图案化的基体表面间隔开与阻挡肋和间隔件的高度一样多的距离，所以获得高分辨率可能受到限制。另外，当精细金属掩模与间隔件接触时，在第一发光图案EP1的图案化工艺之后异物可能残留在间隔件上，或者间隔件可能因被精细金属掩模刺入而损坏。因此，可能形成有缺陷的显示面板。
根据一些实施例，因为显示面板DP包括导电壁PW，所以可以容易地实现发光元件ED1、ED2和ED3之间的物理分离。因此，可以防止相邻的发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B之间的电流泄漏或驱动错误，并且可以能够独立地驱动发光元件ED1、ED2和ED3中的每个。
特别地，在没有与显示区域DA(见图2)中的内部构造接触的掩模的情况下，通过对多个第一发光图案EP1进行图案化，可以降低缺陷率，因此能够提供具有改善的工艺可靠性的显示面板DP。因为即使在没有提供从导电壁PW突出的单独的支撑间隔件时也能够进行图案化，所以可以使发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积最小化，并且因此，可以能够提供容易地实现高分辨率的显示面板DP。
另外，在制造具有大面积的显示面板DP时，通过省略具有大面积的掩模的制造，可以降低工艺成本，并且通过不受大面积掩模中出现的缺陷的影响，可以提供具有改善的工艺可靠性的显示面板DP。
根据一些实施例，第三层L3的厚度t3(见图6)可以大于第一层L1的厚度t1(见图6)。因为尖端部以形成导电壁PW的下部的第一层L1和形成导电壁PW的上部的第三层L3形成，所以可以设置比第一层L1厚的第三层L3，以防止对导电壁PW的损坏。通过设置比第一层L1厚的第三层L3，可以防止形成尖端部的第三层L3由于定位在尖端部上的虚设图案DMP1、DMP2和DMP3而向下弯曲或断裂。根据本公开的一些实施例，第三层L3的厚度可以为约3000埃或更大。
同时，因为第一层L1是在导电壁PW与像素限定层PDL之间提供足够的界面粘附力的组件，所以可以通过提供具有相对小厚度的第一层L1来减小导电壁PW的总厚度。根据本公开的一些实施例，第一层L1的厚度可以为约2000埃或更小。优选地，第一层L1的厚度可以为约1000埃/>至约2000埃/>
根据本公开的一些实施例，显示面板DP还可以包括第一覆盖图案至第三覆盖图案CP1、CP2和CP3。第一覆盖图案至第三覆盖图案CP1、CP2和CP3可以分别定位在第一分隔开口至第三分隔开口OP1-P、OP2-P和OP3-P中，并且可以分别定位在第一阴极至第三阴极CE1、CE2和CE3上。第一覆盖图案至第三覆盖图案CP1、CP2和CP3中的全部可以分别被稍后将描述的下封装无机层LIL1、LIL2和LIL3覆盖。第一覆盖图案至第三覆盖图案CP1、CP2和CP3可以通过形成在导电壁PW中的尖端部来图案化。同时，根据本公开的一些实施例，可以省略覆盖图案CP1、CP2和CP3。
虚设图案DMP1、DMP2和DMP3可以定位在导电壁PW上。虚设图案DMP1、DMP2和DMP3可以包括第一虚设图案DMP1、第二虚设图案DMP2和第三虚设图案DMP3。
第一虚设图案DMP1可以具有一体的形状并且完全覆盖导电壁PW的上表面。第一虚设图案DMP1可以覆盖第三层L3的限定第一分隔开口OP1-P的部分区域的内侧表面的至少一部分。
在第一虚设图案DMP1中，可以限定与第一分隔开口OP1-P叠置的第一划分开口OP1-SP、与第二分隔开口OP2-P叠置的第一虚设图案开口OP1-DM以及与第三分隔开口OP3-P叠置的第二虚设图案开口OP2-DM。
第二虚设图案DMP2可以包括第一虚设部DPP1和第二虚设部DPP2。
第一虚设部DPP1的一部分可以在导电壁PW的上表面上定位在第一虚设图案DMP1上。第一虚设部DPP1的另一部分可以覆盖第三层L3的限定第二分隔开口OP2-P的部分区域的内侧表面和第一虚设图案DMP1的限定第一虚设图案开口OP1-DM的内侧表面。
与第二分隔开口OP2-P叠置的第二划分开口OP2-SP可以限定在第一虚设部DPP1中。在平面上，第一虚设部DPP1可以具有围绕第二发光区域PXA-G的闭合线形状。
第二虚设部DPP2可以在导电壁PW的上表面上与第一虚设部DPP1间隔开并且定位在第一虚设图案DMP1上。与第三分隔开口OP3-P叠置的第三虚设图案开口OP3-DM可以限定在第二虚设部DPP2中。在平面上，第二虚设部DPP2可以具有围绕第三发光区域PXA-B的闭合线形状。
第三虚设图案DMP3的一部分可以在导电壁PW的上表面上定位在第一虚设图案DMP1和第二虚设部DPP2上。第三虚设图案DMP3的另一部分可以覆盖第三层L3的限定第三分隔开口OP3-P的部分区域的内侧表面、第一虚设图案DMP1的限定第二虚设图案开口OP2-DM的内侧表面、以及第二虚设部DPP2的限定第三虚设图案开口OP3-DM的内侧表面。
与第三分隔开口OP3-P叠置的第三划分开口OP3-SP可以限定在第三虚设图案DMP3中。在平面上，第三虚设图案DMP3可以具有围绕第三发光区域PXA-B的闭合线形状。
根据本公开的一些实施例的显示面板DP还可以包括虚设无机层LIL-D。虚设无机层LIL-D可以定位在第二虚设部DPP2与第三虚设图案DMP3之间。与第三分隔开口OP3-P叠置的虚设无机开口OP3-IL可以限定在虚设无机层LIL-D中。虚设无机层LIL-D可以与在形成下封装无机层(例如，第二下封装无机层LIL2)的工艺中从稍后将描述的下封装无机层分离的残留物对应。
同时，根据本公开的一些实施例，第一虚设图案DMP1可以仅定位在与第一发光区域PXA-R相邻的区域中，并且可以针对多个第一发光区域PXA-R中的每个设置图案化的第一虚设图案DMP1。在这种情况下，第二虚设图案DMP2和第三虚设图案DMP3中的每个可以直接定位在导电壁PW上，并且可以省略第二虚设图案DMP2的第二虚设部DPP2。也就是说，第一虚设图案DMP1与第二虚设图案DMP2和第三虚设图案DMP3可以布置为彼此不叠置。
薄膜封装层TFE可以定位在显示元件层DP-OLED上。薄膜封装层TFE可以包括第一下封装无机层LIL1、第二下封装无机层LIL2、第三下封装无机层LIL3、封装有机层OL和上封装无机层UIL。
第一下封装无机层LIL1可以形成在导电壁PW和第一阴极CE1上并且定位在第一分隔开口OP1-P内部。第一下封装无机层LIL1可以覆盖第一虚设图案DMP1和第一阴极CE1(或第一覆盖图案CP1)。根据本发明的一些实施例，第一下封装无机层LIL1可以与第二层L2的限定第一分隔开口OP1-P的部分区域的内侧表面接触。
第一下封装无机层LIL1可以完全覆盖第一虚设图案DMP1的上表面。第一下封装无机层LIL1可以具有一体的形状。在第一下封装无机层LIL1中，可以限定与第二分隔开口OP2-P叠置的第一封装开口OP1-IL和与第三分隔开口OP3-P叠置的第二封装开口OP2-IL。
第二下封装无机层LIL2可以形成在导电壁PW和第二阴极CE2上并且定位在第二分隔开口OP2-P内部。根据本公开的一些实施例，第二下封装无机层LIL2可以覆盖第一虚设部DPP1和第二阴极CE2(或第二覆盖图案CP2)。第二下封装无机层LIL2可以在导电壁PW上与第一下封装无机层LIL1叠置。根据本公开的一些实施例，第二下封装无机层LIL2可以与第二层L2的限定第二分隔开口OP2-P的部分区域的内侧表面接触。
第三下封装无机层LIL3可以形成在导电壁PW和第三阴极CE3上并且定位在第三分隔开口OP3-P内部。根据本公开的一些实施例，第三下封装无机层LIL3可以覆盖第三虚设图案DMP3和第三阴极CE3(或第三覆盖图案CP3)。第三下封装无机层LIL3可以在导电壁PW上与第一下封装无机层LIL1和虚设无机层LIL-D叠置。
根据一些实施例，第一下封装无机层至第三下封装无机层LIL1、LIL2和LIL3中的每个也可以与第三层L3的从第二层L2暴露的下侧接触。下封装无机层LIL1、LIL2和LIL3可以完全覆盖导电壁PW的暴露部分。
封装有机层OL可以覆盖第一下封装无机层至第三下封装无机层LIL1、LIL2和LIL3，并且提供平坦的上表面。上封装无机层UIL可以定位在封装有机层OL上。
第一下封装无机层至第三下封装无机层LIL1、LIL2和LIL3以及上封装无机层UIL可以保护显示元件层DP-OLED免受湿气/氧的影响，并且封装有机层OL可以保护显示元件层DP-OLED免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。
图6是根据本公开的一些实施例的显示面板的一个区域的放大剖视图。图6是显示面板DP的一个发光区域PXA和与发光区域PXA相邻的***区域NPXA的放大剖视图。根据本公开的一些实施例，图6的一个发光区域PXA可以与图5的第一发光区域PXA-R对应。同时，不限于此，根据本公开的一些实施例，图6的一个发光区域PXA可以与第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-B对应。稍后将描述的一个发光区域PXA的描述可以应用于第一发光区域至第三发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的全部。
参照图6，在根据本公开的一些实施例的显示面板DP中，显示元件层DP-OLED可以包括发光元件ED、像素限定层PDL、导电壁PWa、覆盖图案CP和虚设图案DMP，其中，发光元件ED可以包括阳极AE、发光图案EP和阴极CE。薄膜封装层TFE可以包括下封装无机层LIL、封装有机层OL和上封装无机层UIL。
导电壁PWa可以包括在厚度方向上顺序地堆叠在像素限定层PDL上的第一层L1a、第二层L2a和第三层L3a。限定在导电壁PWa中的分隔开口OP-Pa可以包括在厚度方向上顺序地布置的第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3。
第一层L1a可以包括限定分隔开口OP-Pa的第一区域A1的第一内侧表面IS1a，第二层L2a可以包括限定分隔开口OP-Pa的第二区域A2的第二内侧表面IS2a，并且第三层L3a可以包括限定分隔开口OP-Pa的第三区域A3的第三内侧表面IS3a。
根据一些实施例，相对于发光区域PXA，第二内侧表面IS2a可以比第一内侧表面IS1a和第三内侧表面IS3a相对向内凹陷得多。也就是说，第二内侧表面IS2a可以通过相对于第三内侧表面IS3a进行底切来形成。另外，第三内侧表面IS3a的从第二内侧表面IS2a朝向发光区域PXA突出的部分可以形成尖端部。因此，发光图案EP和阴极CE可以通过形成尖端部的第三层L3a物理地分离并且形成在对应的分隔开口OP-Pa中。
根据本公开的一些实施例，第一内侧表面至第三内侧表面IS1a、IS2a和IS3a中的每个可以相对于阳极AE的上表面倾斜。例如，由第一内侧表面至第三内侧表面IS1a、IS2a和IS3a中的每个相对于阳极AE的上表面形成的内角可以是锐角。同时，第一内侧表面至第三内侧表面IS1a、IS2a和IS3a的形状可以根据每个层的材料和/或蚀刻工艺条件而变化。
第二层L2a可以具有比第一层L1a和第三层L3a的电导率高的电导率。第二层L2a的厚度t2可以相对大于第一层L1a的厚度t1和第三层L3a的厚度t3。因为第二层L2a与阴极CE直接接触并且具有相对高的电导率和相对大的厚度，所以可以降低阴极CE的接触电阻，并且可以减少与阴极CE的不良接触的发生。
根据一些实施例，第一层至第三层L1a、L2a和L3a中的每个可以包含金属。例如，第二层L2a可以包含铜(Cu)。在这种情况下，第一层L1a和第三层L3a中的每个可以包含钛(Ti)。
根据其中第二层L2a包含铝(Al)的对比实施例，氧化膜会形成在第二内侧表面IS2a上，并且第二层L2a的界面会由于氧化膜而具有绝缘性质。在这种情况下，由于阴极CE与氧化物膜直接接触，因此阴极CE的接触电阻会高。另一方面，根据一些实施例，由于第二层L2a包含具有抗氧化性的铜(Cu)，因此阴极CE可以与第二层L2a的其上未形成氧化物膜的界面接触，因此降低了阴极CE的接触电阻。
根据本公开的一些实施例，阴极CE可以由银(Ag)或银(Ag)的合金制成。因为第二层L2a包含铜(Cu)，铜(Cu)不仅与银(Ag)是同族元素，而且是具有与阴极CE的构成材料类似的化学性质的材料，所以可以能够降低阴极CE的接触电阻。
根据本公开的一些实施例的虚设图案DMP可以包括第一层D1、第二层D2和第三层D3。
第一层D1可以与发光图案EP通过同一工艺形成，因此可以具有与发光图案EP的结构相同的结构并且包含与发光图案EP的材料相同的材料。当公共地形成发光图案EP时，第一层D1可以通过导电壁PWa的尖端部与发光图案EP分离。第一层D1的面对分隔开口OP-Pa的端部可以与发光图案EP间隔开。
第二层D2可以与阴极CE通过同一工艺形成，因此可以具有与阴极CE的结构相同的结构并且包含与阴极CE的材料相同的材料。当公共地形成阴极CE时，第二层D2可以通过导电壁PWa的尖端部与阴极CE分离。第二层D2的面对分隔开口OP-Pa的端部可以与阴极CE间隔开。
第三层D3可以与覆盖图案CP通过同一工艺形成，因此可以具有与覆盖图案CP的结构相同的结构并且包含与覆盖图案CP的材料相同的材料。当公共地形成覆盖图案CP时，第三层D3可以通过导电壁PWa的尖端部与覆盖图案CP分离。第三层D3的面对分隔开口OP-Pa的端部可以与覆盖图案CP间隔开。同时，当省略覆盖图案CP时，也可以省略第三层D3。
图7A至图7G是示出根据本公开的一些实施例的制造显示面板的方法的步骤的剖视图。
首先，参照图7A，根据一些实施例的制造显示面板的方法可以包括在初始显示面板DP-I上形成掩模图案MP。
本实施例中提供的初始显示面板DP-I可以包括基体层BL、电路元件层DP-CL、阳极AE、牺牲图案SP、初始像素限定层PDL-I和初始导电壁层PWa-I。
可以通过典型的电路元件制造工艺形成电路元件层DP-CL，在所述典型的电路元件制造工艺中，通过诸如涂覆或沉积的方法形成绝缘层、半导体层和导电层，然后通过光刻和蚀刻工艺选择性地对绝缘层、半导体层和导电层进行图案化，以形成半导体图案、导电图案、信号线等。
可以通过同一图案化工艺形成阳极AE和牺牲图案SP。初始像素限定层PDL-I可以覆盖阳极AE和牺牲图案SP两者。
初始导电壁层PWa-I可以包括第一层L1a、定位在第一层L1a上的第二层L2a和定位在第二层L2a上的第三层L3a。第二层L2a可以具有比第一层L1a和第三层L3a的厚度大的厚度，并且第三层L3a可以具有比第一层L1a的厚度大的厚度。
根据一些实施例，第一层至第三层L1a、L2a和L3a中的全部可以包含金属材料。例如，第二层L2a可以包含铜(Cu)，并且第一层L1a和第三层L3a可以包含钛(Ti)。
通过在初始导电壁层PWa-I上形成光致抗蚀剂层，然后使用具有掩模开口OP-MK的光掩模MK对光致抗蚀剂层进行图案化，可以形成掩模图案MP。可以在掩模图案MP中形成与掩模开口OP-MK对应的光开口OP-MP。掩模开口OP-MK可以与阳极AE叠置。
此后，参照图7B和图7C，根据一些实施例的制造显示面板的方法可以包括：通过第一蚀刻工艺由初始导电壁层PWa-I形成具有限定在其中的分隔开口OP-Pa的导电壁PWa。
如图7B中所示，根据一些实施例的第一蚀刻工艺可以包括通过使用掩模图案MP作为掩模对第一层至第三层L1a、L2a和L3a执行第一湿蚀刻工艺来在初始导电壁层PWa-I中形成初始分隔开口OP-PaI。可以在其中第一层至第三层L1a、L2a和L3a的蚀刻选择性基本上彼此相同的蚀刻环境中执行第一湿蚀刻工艺。因此，限定初始分隔开口OP-PaI的第一层L1a的第一内侧表面、第二层L2a的第二内侧表面和第三层L3a的第三内侧表面可以彼此对齐。
此后，如图7C中所示，根据一些实施例的第一蚀刻工艺可以包括：通过使用掩模图案MP作为掩模对第一层至第三层L1a、L2a和L3a执行第二湿蚀刻工艺，由具有限定在其中的初始分隔开口OP-PaI的初始导电壁层PWa-I形成其中形成有分隔开口OP-Pa的导电壁PWa。
分隔开口OP-Pa可以包括第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3。第一区域A1可以与分隔开口OP-Pa的由第一层L1a的第一内侧表面IS1a限定的区域对应，第二区域A2可以与分隔开口OP-Pa的由第二层L2a的第二内侧表面IS2a限定的区域对应，并且第三区域A3可以与分隔开口OP-Pa的由第三层L3a的第三内侧表面IS3a限定的区域对应。
可以在其中第二层L2a与其余层L1a和L3a之间的蚀刻选择性高的环境中进行第二湿蚀刻工艺。因此，第一内侧表面至第三内侧表面IS1a、IS2a和IS3a可以通过第二湿蚀刻工艺改变，并且导电壁PWa可以在剖面上具有底切形状。具体地，第二内侧表面IS2a可以形成为比第一内侧表面IS1a和第三内侧表面IS3a向内凹陷得多。因此，分隔开口OP-Pa的形成在第二层L2a中的第二区域A2的宽度可以大于形成在第一层L1a中的第一区域A1的宽度和形成在第三层L3a中的第三区域A3的宽度。第一内侧表面IS1a和第三内侧表面IS3a可以从第二内侧表面IS2a朝向分隔开口OP-Pa的中心突出，并且第三层L3a的从第二层L2a突出的部分可以形成尖端部TP。
同时，用于形成分隔开口OP-Pa的蚀刻工艺不限于此，并且可以根据导电壁的结构和每个层的材料而变化。根据本公开的一些实施例，可以针对其中导电壁的结构/材料彼此不同的每个实施例通过不同的蚀刻方法形成分隔开口，并且下面将集中于每个实施例中的差异而给出其描述。
参照图7D，根据一些实施例的制造显示面板的方法可以包括通过第二蚀刻工艺由初始像素限定层PDL-I(见图7C)形成具有限定在其中的发光开口OP-E的像素限定层PDL。可以使用导电壁PWa的第一层L1a作为掩模通过干蚀刻方法来执行根据一些实施例的第二蚀刻工艺，并且可以使像素限定层PDL的限定发光开口OP-E的内侧表面与第一内侧表面IS1a对齐。
如图7D中所示，可以对牺牲图案SP进行图案化以使阳极AE的至少一部分暴露。可以通过独立于第二蚀刻工艺的蚀刻工艺或通过与第二蚀刻工艺相同的工艺来对牺牲图案SP进行图案化。可以通过与第二蚀刻工艺不同的方法(例如，通过湿蚀刻方法)执行单独的蚀刻工艺。
可以在牺牲图案SP中限定与发光开口OP-E对应的牺牲开口OP-S，并且可以将牺牲图案SP的限定牺牲开口OP-S的内侧表面形成为比像素限定层PDL的限定发光开口OP-E的内侧表面向内凹陷得多。同时，这作为示例示出，可以使牺牲图案SP的内侧表面与像素限定层PDL的内侧表面对齐，并且根据本公开的实施例不限于任何一个实施例。
可以在其中牺牲图案SP与阳极AE之间的蚀刻选择性高的环境中执行牺牲图案SP的图案化工艺，并且通过此，可以能够防止阳极AE被一起蚀刻。也就是说，通过在像素限定层PDL与阳极AE之间布置具有比阳极AE的蚀刻速率高的蚀刻速率的牺牲图案SP，可以能够防止阳极AE在蚀刻工艺期间被一起蚀刻和损坏。
参照图7E，根据一些实施例的制造显示面板的方法可以包括去除掩模图案MP(见图7D)并形成发光元件ED。发光元件ED的形成可以包括形成发光图案EP和形成阴极CE。根据本公开的一些实施例，可以通过热蒸发工艺执行发光图案EP的形成，并且可以通过溅射工艺执行阴极CE的形成，但是本公开的实施例不限于此。
发光图案EP和阴极CE可以由形成在导电壁PWa中的尖端部TP(参照图7C)分离并且定位在分隔开口OP-Pa中。在发光元件ED的形成中，可以一起形成虚设图案DMP。与发光图案EP相比，阴极CE以更大的入射角设置，使得阴极CE可以形成为与限定分隔开口OP-Pa的第二区域A2的第二内侧表面IS2a接触。
同时，根据一些实施例的制造显示面板的方法还可以包括形成覆盖图案CP。可以通过沉积工艺形成覆盖图案CP，并且覆盖图案CP可以通过形成在导电壁PWa中的尖端部TP(参照图7C)分离并且定位在分隔开口OP-Pa中。
参照图7F，根据一些实施例的制造显示面板的方法可以包括形成下封装无机层LIL。可以通过化学气相沉积(CVD)工艺形成下封装无机层LIL。可以在导电壁PWa和阴极CE上并且可以在分隔开口OP-Pa内部形成下封装无机层LIL。
参照图7G，根据一些实施例的制造显示面板的方法可以包括形成封装有机层OL和上封装无机层UIL以完成显示面板DP。可以通过经由喷墨方法施用有机材料来形成封装有机层OL，但是本公开的实施例不限于此。封装有机层OL提供平坦化的上表面。此后，可以通过沉积无机材料来形成上封装无机层UIL。由此，可以形成包括基体层BL、电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED和薄膜封装层TFE的显示面板DP。
在形成下封装无机层LIL与完成显示面板DP之间，可以进一步执行在导电壁PWa和像素限定层PDL中形成与不同颜色的发光区域对应的分隔开口和发光开口，形成被构造为提供不同颜色的光的发光元件，以及形成被构造为覆盖被构造为提供不同颜色的光的发光元件的下封装无机层。在该工艺中，如以上在图5中描述的。还可以形成定位在第一虚设图案DMP1上方的第二虚设图案DMP2、第三虚设图案DMP3、第二下封装无机层LIL2、第三下封装无机层LIL3和虚设无机层LIL-D。
图8是根据本公开的一些实施例的显示面板的一个区域的放大剖视图。
参照图8，在根据一些实施例的显示面板DP中，导电壁PWa可以包括第一层L1a、第二层L2a和第三层L3a。根据一些实施例，第一层至第三层L1a、L2a和L3a中的每个可以包含金属材料。例如，第二层L2a可以包含铜(Cu)，并且第一层L1a和第三层L3a中的每个可以包含钛(Ti)。
根据一些实施例，显示面板DP还可以包括定位在阴极CE上的辅助电极DE。辅助电极DE可以具有比阴极CE的厚度大的厚度。例如，辅助电极DE的厚度可以是阴极CE的厚度的10倍或更大。因此，辅助电极DE与第二层L2a的第二内侧表面IS2a接触的面积可以大于阴极CE与第二内侧表面IS2a接触的面积。由于电连接到阴极CE的辅助电极DE确保了与第二内侧表面IS2a的足够的接触面积，因此可以减小导电壁PWa与电极之间的接触电阻。
根据一些实施例，辅助电极DE可以包含透明导电氧化物(TCO)。根据本公开的一些实施例，辅助电极DE可以包含氧化铟锡(ITO)。当辅助电极DE包含氧化铟锡(ITO)时，可以降低包含铜(Cu)的第二层L2a的接触电阻。
当分隔开口OP-Pa的第二区域A2(见图6)在平面上的最小宽度设置为3.5微米时，根据其中第二层L2a包含铝(Al)的对比实施例，包含氧化铟锡(ITO)的电极的接触电阻可以为约100000欧姆(Ω)，而根据其中第二层L2a包含铜(Cu)的一些实施例，包含氧化铟锡(ITO)的电极的接触电阻可以为约0.3欧姆(Ω)。因此，在包括铜(Cu)的导电壁PWa中，可以确认辅助电极DE的接触电阻处于低水平。
根据一些实施例，虚设图案DMP'还可以包括第四层D4。第四层D4可以与辅助电极DE通过同一工艺形成，因此可以具有与辅助电极DE的结构相同的结构并且包含与辅助电极DE的材料相同的材料。当公共地形成辅助电极DE时，第四层D4可以与通过导电壁PWa的尖端部从辅助电极DE分离的残留物对应。
同时，根据本公开的一些实施例，显示面板DP还可以包括以上参照图6描述的覆盖图案CP。覆盖图案CP(见图6)可以定位在辅助电极DE上。在这种情况下，虚设图案DMP'还可以包括定位在第四层D4上的第三层D3(见图6)。
图9是根据本公开的一些实施例的显示面板的一个区域的放大剖视图。图10A至图10C是示出根据本公开的一些实施例的制造显示面板的方法的步骤的剖视图。
参照图9，在根据一些实施例的显示面板DP中，导电壁PWb1可以包括第一层L1b、第二层L2b和第三层L3b。根据一些实施例的第二层L2b可以包含银(Ag)。在这种情况下，第一层L1b和第三层L3b中的每个可以包含透明导电氧化物。
分隔开口OP-Pb1可以包括第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3。第一层L1b可以包括限定分隔开口OP-Pb1的第一区域A1的第一内侧表面IS1b，第二层L2b可以包括限定分隔开口OP-Pb1的第二区域A2的第二内侧表面IS2b，并且第三层L3b可以包括限定分隔开口OP-Pb1的第三区域A3的第三内侧表面IS3b。
相对于发光区域PXA，第二内侧表面IS2b可以比第一内侧表面IS1b和第三内侧表面IS3b中的每个向内凹陷得相对多。也就是说，第二内侧表面IS2b可以通过相对于第三内侧表面IS3b进行底切而形成。另外，第三内侧表面IS3b的从第二内侧表面IS2b朝向发光区域PXA突出的部分可以形成尖端部。因此，发光图案EP和阴极CE可以通过形成尖端部的第三层L3b物理地分离并且形成在对应的分隔开口OP-Pb1中。
根据本公开的一些实施例，第一内侧表面IS1b和第三内侧表面IS3b中的每个可以接近垂直于阳极AE的上表面。第二内侧表面IS2b可以具有曲率。第二内侧表面IS2b可以在接近发光区域PXA的方向上突出。同时，第一内侧表面至第三内侧表面IS1b、IS2b和IS3b的形状可以根据每个层的材料和/或蚀刻工艺条件而变化。
当第二层L2b包含银(Ag)时，在第二层L2b的界面上不会产生氧化膜。因为在界面上产生的氧化物膜具有绝缘性质，所以当第二层L2b包含具有抗氧化性的金属材料时可以降低阴极CE的接触电阻。
根据一些实施例，阴极CE可以由银(Ag)或具有高银(Ag)含量的银(Ag)合金形成。因为第二层L2b由与阴极CE的材料相同的材料制成，所以可以使阴极CE的接触电阻最小化。
图10A至图10C是示出由初始导电壁层PWb1-I形成具有限定在其中的分隔开口OP-Pb1的导电壁PWb1的方法的剖视图。根据一些实施例，可以通过两个湿蚀刻工艺形成分隔开口OP-Pb1。
参照图10A，根据一些实施例的初始导电壁层PWb1-I可以包括第一层L1b、第二层L2b和第三层L3b，其中，第二层L2b可以包含金属材料，并且第一层L1b和第三层L3b可以包含透明导电氧化物。例如，第二层L2b可以包含银(Ag)，并且第一层L1b和第三层L3b可以包含氧化铟锡(ITO)。
参照图10B，根据一些实施例的制造显示面板的方法可以包括：通过使用掩模图案MP作为掩模对第一层至第三层L1b、L2b和L3b执行第一湿蚀刻工艺，在初始导电壁层PWb1-I中形成初始分隔开口OP-Pb1I。
根据一些实施例的第一湿蚀刻工艺可以使用第一蚀刻溶液，并且第二层L2b相对于第一蚀刻溶液的蚀刻速率可以高于第一层L1b相对于第一蚀刻溶液的蚀刻速率和第三层L3b相对于第一蚀刻溶液的蚀刻速率。因此，限定初始分隔开口OP-Pb1I的第一层至第三层L1b、L2b和L3b的内侧表面之中的第二层L2b的内侧表面可以形成为比其他内侧表面向内凹陷得相对多。
此后，如图10C中所示，根据一些实施例的制造显示面板的方法可以包括：通过使用掩模图案MP作为掩模对第一层至第三层L1b、L2b和L3b执行第二湿蚀刻工艺，由具有限定在其中的初始分隔开口OP-Pb1I(见图10B)的初始导电壁层PWb1-I(见图10B)形成具有限定在其中的分隔开口OP-Pb1的导电壁PWb1。分隔开口OP-Pb1可以包括分别由第一层至第三层L1b、L2b和L3b限定的第一区域至第三区域A1、A2和A3。
根据一些实施例的第二湿蚀刻工艺可以使用与第一蚀刻溶液不同的第二蚀刻溶液。与使用第一蚀刻溶液的第一湿蚀刻工艺相比，第二湿蚀刻工艺可以在其中第二层L2b与其余层L1b和L3b之间的蚀刻选择性更高的环境中执行。因此，第二内侧表面IS2b可以形成为比第一内侧表面IS1b和第三内侧表面IS3b向内凹陷得多。由于第三层L3b的从第二层L2b突出的部分增大，因此稍后将形成的发光图案和阴极可以通过导电壁PWb1的尖端部TP更清楚地分离。
图11是根据本公开的一些实施例的显示面板的一个区域的放大剖视图。图12A和图12B是示出根据本公开的一些实施例的制造显示面板的方法的步骤的剖视图。
参照图11，在根据本公开的一些实施例的显示面板DP中，导电壁PWb2可以包括第一层L1b、第二层L2b、第三层L3b和第一中间层M1b。也就是说，与图9的导电壁PWb1相比，图11的导电壁PWb2还可以包括第一中间层M1b。第一中间层M1b可以定位在第二层L2b与第三层L3b之间。
分隔开口OP-Pb2还可以包括定位在第二区域A2与第三区域A3之间的第四区域A4，并且第一中间层M1b可以包括限定分隔开口OP-Pb2的第四区域A4的第四内侧表面IS4b。
根据一些实施例，第二内侧表面IS2b可以相对于发光区域PXA比第一内侧表面IS1b向内凹陷得多，并且第四内侧表面IS4b可以比第二内侧表面IS2b和第三内侧表面IS3b中的每个向内凹陷得多。也就是说，第四内侧表面IS4b可以是导电壁PWb2的内侧表面IS1b、IS2b、IS3b和IS4b之中的向内凹陷得最多的。第四内侧表面IS4b可以通过相对于第三内侧表面IS3b进行底切而形成，并且第三内侧表面IS3b的从第四内侧表面IS4b朝向发光区域PXA突出的部分可以形成尖端部。
根据一些实施例，第一中间层M1b可以包含透明导电氧化物。第一中间层M1b可以包含具有比第三层L3b的蚀刻速率高的蚀刻速率的材料。另外，第一中间层M1b可以具有比第二层L2b的蚀刻速率高的蚀刻速率。根据本公开的一些实施例，第一中间层M1b可以包含氧化铟镓锌(IGZO)和氧化铟锌(IZO)中的任何一种。在氧化铟锌(IZO)中，铟(In)含量可以等于或高于锌(Zn)含量，或者锌(Zn)含量可以高于铟(In)含量。第一中间层M1b的厚度可以大于发光图案EP的厚度。
图12A和图12B是示出由初始导电壁层PWb2-I形成具有限定在其中的分隔开口OP-Pb2的导电壁PWb2的方法的剖视图。根据一些实施例，可以通过一个湿蚀刻工艺形成分隔开口OP-Pb2。
参照图12A，根据一些实施例的初始导电壁层PWb2-I可以包括第一层L1b、第二层L2b、第一中间层M1b和第三层L3b。第二层L2b可以包含金属材料，第一层L1b和第三层L3b可以包含透明导电氧化物，并且第一中间层M1b可以包含与第一层L1b和第三层L3b的透明导电氧化物的类型不同的类型的透明导电氧化物。例如，第二层L2b可以包含银(Ag)，第一层L1b和第三层L3b可以包含氧化铟锡(ITO)，第一中间层M1b可以包含氧化铟镓锌(IGZO)和氧化铟锌(IZO)中的任何一种。
参照图12B，根据一些实施例的制造显示面板的方法可以包括：通过使用掩模图案MP作为掩模对第一层至第三层L1b、L2b和L3b以及第一中间层M1b执行一次湿蚀刻工艺，由初始导电壁层PWb2-I(见图12A)形成具有形成在其中的分隔开口OP-Pb2的导电壁PWb2。分隔开口OP-Pb2可以包括分别由第一层L1b、第二层L2b、第一中间层M1b和第三层L3b限定的第一区域A1、第二区域A2、第四区域A4和第三区域A3。
可以在其中第一中间层M1b与其余层L1b、L2b和L3b之间的蚀刻选择性高的环境中执行根据一些实施例的湿蚀刻工艺。因此，第四内侧表面IS4b可以形成为比第一内侧表面至第三内侧表面IS1b、IS2b和IS3b向内凹陷得多，并且第三层L3b的从第一中间层M1b突出的部分可以形成尖端部TP。
根据一些实施例，通过在第二层L2b与第三层L3b之间设置包含相对于第二层L2b和第三层L3b具有高蚀刻选择性的材料的第一中间层M1b，可以通过单个蚀刻工艺形成分隔开口OP-Pb2。由此，可以能够提供一种其中可加工性得到改善并且工艺得到简化的制造显示面板的方法。
图13是根据本公开的一些实施例的显示面板的一个区域的放大剖视图。
参照图13，在根据一些实施例的显示面板DP中，导电壁PWb3可以包括第一层L1b、第二层L2b、第三层L3b、第一中间层M1b和第二中间层M2b。也就是说，与图11的导电壁PWb2相比，图13的导电壁PWb3还可以包括第二中间层M2b。第二中间层M2b可以定位在第二层L2b与第一中间层M1b之间。
分隔开口OP-Pb3还可以包括定位在第二区域A2与第四区域A4之间的第五区域A5，并且第二中间层M2b可以包括限定分隔开口OP-Pb3的第五区域A5的第五内侧表面IS5b。
根据一些实施例，第二中间层M2b可以包含与第三层L3b的材料相同的材料。第二中间层M2b的第五内侧表面IS5b可以与第三内侧表面IS3b基本上对齐。第五内侧表面IS5b可以从第二内侧表面IS2b和第四内侧表面IS4b中的每个朝向发光区域PXA突出。第五内侧表面IS5b的从第二内侧表面IS2b突出的部分可以限定另一尖端部。
图14是根据本公开的一些实施例的显示面板的一个区域的放大剖视图。图15A至图15C是示出根据本公开的一些实施例的制造显示面板的方法的步骤的剖视图。
参照图14，在根据一些实施例的显示面板DP中，导电壁PWc1可以包括第一层L1c、第二层L2c、第三层L3c、第一中间层M1c(或第四层)和第二中间层M2c(或第五层)。与图5的导电壁PW相比，图14的导电壁PWc1还可以包括第一中间层M1c和第二中间层M2c。第一中间层M1c可以定位在第一层L1c与第二层L2c之间，并且第二中间层M2c可以定位在第二层L2c与第三层L3c之间。
分隔开口OP-Pc1可以包括第一区域A1、第二区域A2、第三区域A3、第四区域A4和第五区域A5。第四区域A4可以定位在第一区域A1与第二区域A2之间，第五区域A5可以定位在第二区域A2与第三区域A3之间。
第一层L1c可以包括限定分隔开口OP-Pc1的第一区域A1的第一内侧表面IS1c，第二层L2c可以包括限定分隔开口OP-Pc1的第二区域A2的第二内侧表面IS2c，并且第三层L3c可以包括限定分隔开口OP-Pc1的第三区域A3的第三内侧表面IS3c。第一中间层M1c可以包括限定分隔开口OP-Pc1的第四区域A4的第四内侧表面IS4c，并且第二中间层M2c可以包括限定分隔开口OP-Pc1的第五区域A5的第五内侧表面IS5c。
根据一些实施例，第四内侧表面IS4c可以形成为相对于发光区域PXA比第一内侧表面IS1c和第二内侧表面IS2c中的每个向内凹陷得多。第四内侧表面IS4c可以通过相对于第二内侧表面IS2c进行底切而形成。因此，第二内侧表面IS2c的从第四内侧表面IS4c突出的部分可以形成第一尖端部TP1(见图15C)。
阴极CE可以与第二层L2c的从第二中间层M2c暴露的上表面US_L2c接触。此外，阴极CE还可以与第二内侧表面IS2c接触。同时，根据每个层的厚度和/或蚀刻工艺条件，发光图案EP的一部分可以在形成发光图案EP的工艺中分离并且形成在第二层L2c的上表面和第二内侧表面IS2c上，并且在这种情况下，发光图案EP的分离部分可以与第二层L2c的未被覆盖的上表面US_L2c接触。此时，阴极CE可以与第二层L2c的未被发光图案EP的分离部分覆盖的上表面US_L2c接触。
根据一些实施例，因为第一尖端部TP1(见图15C)进一步形成在导电壁PWc1的第一层L1c与第三层L3c之间，所以可以通过形成第一尖端部TP1(见图15C)的一个层的上表面提供与阴极CE接触的表面。因此，与同侧表面接触相比，可以能够确保更宽的接触区域，从而减小阴极CE的接触电阻。
第五内侧表面IS5c可以形成为相对于发光区域PXA比第二内侧表面IS2c和第三内侧表面IS3c中的每个向内凹陷得多。第五内侧表面IS5c可以通过相对于第三内侧表面IS3c进行底切而形成。因此，第三内侧表面IS3c的从第五内侧表面IS5c突出的部分可以形成第二尖端部TP2(见图15C)。根据一些实施例，发光图案EP和阴极CE可以通过形成在导电壁PWc1中的第二尖端部TP2(见图15C)物理地分离并形成在对应的分隔开口OP-Pc1中。
根据本公开的一些实施例，第一内侧表面至第五内侧表面IS1c、IS2c、IS3c、IS4c和IS5c可以相对于像素限定层PDL的上表面倾斜。例如，由第一内侧表面至第五内侧表面IS1c、IS2c、IS3c、IS4c和IS5c中的每个相对于像素限定层PDL的上表面形成的内角可以是锐角。同时，第一内侧表面至第五内侧表面IS1c、IS2c、IS3c、IS4c和IS5c的形状可以根据每个层的材料和/或蚀刻工艺条件而变化。
根据一些实施例，第一层L1c和第二层L2c中的每个可以包含金属氮化物，并且第三层L3c、第一中间层M1c和第二中间层M2c中的每个可以包含金属材料。根据本公开的一些实施例，第一层L1c和第二层L2c中的每个可以包含氮化钛(TiN)，并且第三层L3c可以包含钛(Ti)。第一中间层M1c和第二中间层M2c中的每个可以包含铝(Al)。
尽管可以在包含铝(Al)的第一中间层M1c和第二中间层M2c的界面上形成氧化物膜，但是根据一些实施例，由于设置了包含金属氮化物的第二层L2c，因此阴极(CE)可以与第二层L2c的其上未形成氧化物膜的界面接触。也就是说，由于第二层L2c包含具有抗氧化性的金属氮化物，因此可以降低阴极CE的接触电阻。
此外，当第二层L2c包含氮化钛(TiN)时，包含银(Ag)和银(Ag)的合金的阴极CE的接触电阻可以处于低水平。
当分隔开口OP-Pc1的第二区域A2在平面上的宽度为约3.5微米时，根据其中第二层L2c包含铝(Al)的对比实施例，包含银(Ag)的电极的接触电阻为约18欧姆(Ω)，而根据其中第二层L2c包含氮化钛(TiN)的一些实施例，包含银(Ag)的电极的接触电阻可以为约0.7欧姆(Ω)。因此，在包含氮化钛(TiN)的导电壁PWc1中，可以确认包含银(Ag)的阴极CE的接触电阻处于低水平。
根据一些实施例，为了在第二层L2c上形成阴极CE，可以将第一层L1c与第二层L2c之间的距离d1设定为小于发光图案EP的厚度和阴极CE的厚度的总和。换句话说，第一中间层M1c的厚度可以小于发光图案EP的厚度和阴极CE的厚度的总和。例如，第一层L1c与第二层L2c之间的距离d1(即，第一中间层M1c的厚度)可以为约2500埃或更小。
根据一些实施例，为了在蒸发阴极CE时提供可以与第二层L2c接触的空间，即使当发光图案EP通过第二尖端部TP2(见图15C)分离时在第二层L2c上形成残留物，第二层L2c与第三层L3c之间的距离d2也可以设定为大于发光图案EP的厚度。换句话说，第二中间层M2c的厚度可以大于发光图案EP的厚度。例如，第二层L2c与第三层L3c之间的距离d2(即，第二中间层M2c的厚度)可以为约2000埃或更大。
图15A至图15C是示出由初始导电壁层PWc1-I形成具有限定在其中的分隔开口OP-Pc1的导电壁PWc1的方法的剖视图。根据一些实施例，可以通过一个干蚀刻工艺和一个湿蚀刻工艺形成分隔开口OP-Pc1。
参照图15A，根据一些实施例的初始导电壁层PWc1-I可以包括第一层L1c、第一中间层M1c、第二层L2c、第二中间层M2c和第三层L3c。第一层L1c和第二层L2c可以包含金属氮化物，并且第一中间层M1c、第二中间层M2c和第三层L3c可以包含金属材料。例如，第一层L1c和第二层L2c可以包含氮化钛(TiN)，第三层L3c可以包含钛(Ti)，并且第一中间层M1c和第二中间层M2c可以包含铝(Al)。
参照图15B，根据一些实施例的制造显示面板的方法可以包括：通过使用掩模图案MP作为掩模对第一层至第三层L1c、L2c和L3c以及第一中间层M1c和第二中间层M2c执行干蚀刻工艺，在初始导电壁层PWc1-I中形成初始分隔开口OP-Pc1I。
根据一些实施例的干蚀刻工艺可以通过使用含Cl的气体的一个干蚀刻工艺在第一层至第三层L1c、L2c和L3c以及第一中间层M1c和第二中间层M2c中形成初始分隔开口OP-Pc1I。
尽管图15B示出了限定初始分隔开口OP-Pc1I的第一层至第三层L1c、L2c和L3c的内侧表面与第一中间层M1c和第二中间层M2c的内侧表面对齐，但是本公开的实施例不限于此，一些层的内侧表面可以比其他层的内侧表面向内凹陷得相对多。
此后，参照图15C，根据一些实施例的制造显示面板的方法可以包括：通过使用掩模图案MP作为掩模对第一层至第三层L1c、L2c和L3c以及第一中间层M1c和第二中间层M2c执行湿蚀刻工艺，由具有限定在其中的初始分隔开口OP-Pc1I(见图15B)的初始导电壁层PWc1-I(见图15B)形成具有限定在其中的分隔开口OP-Pc1的导电壁PWc1。分隔开口OP-Pc1可以包括分别由第一层至第三层L1c、L2c和L3c以及第一中间层M1c和第二中间层M2c限定的第一区域至第五区域A1、A2、A3、A4和A5。
根据一些实施例的湿蚀刻工艺可以在其中第一中间层M1c和第二中间层M2c与其余层L1c、L2c和L3c之间的蚀刻选择性高的环境中进行。例如，根据一些实施例的湿蚀刻工艺可以使用聚丙烯腈(PAN)类蚀刻溶液。因此，第四内侧表面IS4c可以形成为比第一内侧表面IS1c和第二内侧表面IS2c向内凹陷得多，并且第五内侧表面IS5c可以形成为比第二内侧表面IS2c和第三内侧表面IS3c向内凹陷得多。第二层L2c的从第一中间层M1c突出的部分可以形成第一尖端部TP1，并且第三层L3c的从第二中间层M2c突出的部分可以形成第二尖端部TP2。
因为根据一些实施例的导电壁PWc1由包含氮化钛(TiN)的第一层L1c和第二层L2c、包含钛(Ti)的第三层L3c以及包含铝(Al)的第一中间层M1c和第二中间层M2c构成，所以可以通过一个干蚀刻工艺在五个层中同时形成开口(例如，初始分隔开口OP-Pc1I)。因此，可以能够提供一种其中可加工性得到改善并且工艺得到简化的制造显示面板的方法。
图16是根据本公开的一些实施例的显示面板的一个区域的放大剖视图。
参照图16，在根据一些实施例的显示面板DP中，导电壁PWc2可以包括第一层L1c、第二层L2c、第三层L3c、第一中间层M1c(或第四层)、第二中间层M2c(或第五层)和上层Uc(或第六层)。与图14的导电壁PWc1相比，图16的导电壁PWc2还可以包括上层Uc。上层Uc可以定位在第三层L3c上。
分隔开口OP-Pc2还可以包括定位在第三区域A3上的第六区域A6，并且上层Uc可以包括限定分隔开口OP-Pc2的第六区域A6的第六内侧表面IS6c。第六内侧表面IS6c可以与第三层L3c的第三内侧表面IS3c基本上对齐。
根据一些实施例，上层Uc可以具有比第三层L3c的模量高的模量。因此，可以防止第三层L3c的形成第二尖端部TP2的部分由于形成在其上的虚设图案DMP而弯曲或损坏。因此，可以能够提供具有改善的工艺可靠性的显示面板DP。另外，与其中第三层L3c形成导电壁PWc2的最上部分的情况相比，当导电壁PWc2还包括在第三层L3c上的具有较高模量的上层Uc时，尽管没有设置厚的第三层L3c，也可以减少对第二尖端部TP2的损坏。
根据本公开的一些实施例，第三层L3c可以包含钛(Ti)，并且上层Uc可以包含氮化钛(TiN)。包含氮化钛(TiN)的上层Uc的模量可以是包含钛(Ti)的第三层L3c的模量的约5倍大。另外，根据本公开的一些实施例，第一层L1c和第二层L2c可以包含氮化钛(TiN)，并且上层Uc可以包含与第一层L1c和第二层L2c的材料相同的材料。
根据本公开的一些实施例，因为可以在没有金属掩模的情况下对发光层进行图案化，所以可以能够提供具有改善的工艺可靠性并且能够容易地获得高分辨率的显示面板。
根据本公开的一些实施例，通过减小发光元件的电极与导电壁之间的接触电阻，可以能够提供具有提高的显示效率和改善的电可靠性的显示面板。
根据本公开的一些实施例，因为导电壁包括多个层并且每个层由适合于图案化工艺(或蚀刻工艺)的材料构成，所以可以能够提供具有改善的可加工性的显示面板。
尽管已经参照本公开的一些实施例的方面描述了上述内容，但是本领域技术人员或本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离所附权利要求及其等同物中描述的本公开的精神和技术领域的范围内，可以对本公开进行各种修改和改变。因此，根据本公开的实施例的技术范围不应限于说明书的详细描述中描述的内容，而是应由所附权利要求及其等同物确定。

Claims (25)

1.一种显示面板，所述显示面板包括：
基体层；
第一电极，在所述基体层上；
像素限定层，在所述基体层上，并且具有在所述第一电极的一部分之上穿过所述像素限定层的发光开口；
导电壁，在所述像素限定层上，并且具有在所述导电壁中的与所述发光开口对应的分隔开口；
第二电极，在所述分隔开口中；以及
发光图案，在所述分隔开口中并且在所述第一电极与所述第二电极之间，
其中：
所述导电壁包括第一层、在所述第一层上的第二层以及在所述第二层上的第三层；
所述第二电极接触所述第二层；并且
所述第三层的厚度大于所述第一层的厚度。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第三层的所述厚度为3000埃或更大，并且所述第一层的所述厚度为2000埃或更小。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中：
所述第一层包括限定所述分隔开口的第一区域的第一内侧表面；
所述第二层包括限定所述分隔开口的第二区域的第二内侧表面；并且
所述第三层包括限定所述分隔开口的第三区域的第三内侧表面。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其中：
所述第二内侧表面与所述第一内侧表面和所述第三内侧表面相比更向内；并且
所述第二电极接触所述第二内侧表面。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其中：
所述第二层包括铜；并且
所述第一层和所述第三层中的每个包括钛。
6.根据权利要求5所述的显示面板，所述显示面板还包括在所述第二电极上的辅助电极，所述辅助电极接触所述第二内侧表面并且比所述第二电极厚。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其中，所述辅助电极包括透明导电氧化物。
8.根据权利要求4所述的显示面板，其中：
所述第二层包括银；并且
所述第一层和所述第三层中的每个包括透明导电氧化物。
9.根据权利要求4所述的显示面板，其中，所述第二层包括与所述第二电极的材料相同的材料。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其中，所述导电壁还包括第一中间层，所述第一中间层在所述第二层与所述第三层之间并且包括与所述第三层的材料不同的材料，
其中，所述第一中间层包括第四内侧表面，所述第四内侧表面限定所述分隔开口的第四区域并且与所述第二内侧表面和所述第三内侧表面中的每个相比更向内。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其中：
所述第一中间层包括透明导电氧化物；并且
所述第一中间层的蚀刻速率高于所述第三层的蚀刻速率。
12.根据权利要求10所述的显示面板，其中：
所述第三层包括氧化铟锡；并且
所述第一中间层包括氧化铟镓锌和氧化铟锌中的至少一种。
13.根据权利要求10所述的显示面板，其中，所述第一中间层的厚度大于所述发光图案的厚度。
14.根据权利要求10所述的显示面板，其中，所述导电壁还包括第二中间层，所述第二中间层在所述第一中间层与所述第二层之间并且包括与所述第三层的材料相同的材料，
其中，所述第二中间层包括第五内侧表面，所述第五内侧表面限定所述分隔开口的第五区域并且从所述第二内侧表面和所述第四内侧表面中的每个朝向所述分隔开口的内部突出。
15.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述导电壁还包括：
第一中间层，在所述第一层与所述第二层之间并且包括限定所述分隔开口的第四区域的第四内侧表面；以及
第二中间层，在所述第二层与所述第三层之间并且包括限定所述分隔开口的第五区域的第五内侧表面，
其中，所述第二内侧表面从所述第四内侧表面和所述第五内侧表面中的每个朝向所述分隔开口的内部突出。
16.根据权利要求15所述的显示面板，其中，所述第二电极接触所述第二层的从所述第二中间层暴露的上表面。
17.根据权利要求15所述的显示面板，其中，所述第一层与所述第二层之间的距离小于或等于所述发光图案的厚度和所述第二电极的厚度的总和。
18.根据权利要求15所述的显示面板，其中，所述第四内侧表面与所述第三内侧表面相比更向内。
19.根据权利要求15所述的显示面板，其中：
所述第一层和所述第二层中的每个包括金属氮化物；
所述第三层包括第一金属；并且
所述第一中间层和所述第二中间层包括与所述第三层的所述第一金属不同的第二金属。
20.根据权利要求15所述的显示面板，其中，所述第一中间层和所述第二中间层中的每个的蚀刻速率高于所述第一层和所述第二层中的每个的蚀刻速率。
21.根据权利要求15所述的显示面板，其中：
所述第一层和所述第二层中的每个包括氮化钛；
所述第三层包括钛；并且
所述第一中间层和所述第二中间层中的每个包括铝。
22.根据权利要求15所述的显示面板，其中，所述导电壁还包括上层，所述上层在所述第三层上并且包括限定所述分隔开口的第六区域的第六内侧表面，
其中，所述上层的模量大于所述第三层的模量。
23.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述导电壁被构造为接收偏置电压。
24.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第二电极包括银或包括银的合金。
25.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括虚设图案，所述虚设图案在所述导电壁上并且与所述第二电极间隔开，
其中，所述虚设图案包括：
第一层，包括与所述发光图案的材料相同的材料；以及
第二层，包括与所述第二电极的材料相同的材料。
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