CN118011275A - 内桥接线主变保护桥ct电流虚回路自动校验方法与*** - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种内桥接线主变保护桥CT电流虚回路自动校验方法与***，所述方法包括：解析SCD文件并进行规范性检查和修改，得到规范化处理后的IED信息表；计算主接线中110kV侧进出线元件数量及主变数量、110kV侧断路器数量；判断智能变电站主接线型式是否为内桥接线；若为内桥接线，则解析SCD文件中不同主变保护高压桥侧的三相保护电流虚端子的电流极性；进行内桥接线主变保护桥CT电流虚回路自动校验。本发明解决了常规SCD校验工具无法自动、准确识别内桥接线方式，且无法自动校验主变保护桥CT电流虚回路正确性问题，减少了漏检错检的可能性，避免造成二次虚回路隐患，进而导致主变保护不正确动作的问题。
Description
技术领域
本发明属于变电站技术领域，涉及变电站SCD文件虚回路，更具体地，涉及一种内桥接线主变保护桥CT电流虚回路自动校验方法与***。
背景技术
现阶段智能变电站采用内桥主接线型式比较少，几乎没有针对内桥接线型式智能变电站的虚回路校验方法研究，常见的虚回路校验工具也不能正确根据SCD文件判断内桥接线型式，更不具备校验110kV内桥接线智能站主变保护桥CT电流虚回路正确性的功能。
公开号为CN108733928B的专利公开了一种基于中间模型文件的SCD文件虚回路自动校验方法，其将变电站接线方式建模于校验模板的特征信息中。变电站接线方式属性的枚举值包括内桥接线、扩大内桥接线等。
但上述方法有两个缺陷，其一，手动设置变电站主接线型式，不能通过SCD文件自动判别主接线型式，尤其是内桥主接线型式；其二，虽然建立了校验模板和校验规则，但是只能以某一个IED为中心，校验***虚回路的正确性，如只能校验主变保护桥CT电流回路三相保护电流极性一致，不具备基于某个IED断面的虚回路校验，如不能校验内桥接线不同主变保护桥CT虚回路正确性。
发明内容
为解决现有技术中存在的不足，本发明提供一种内桥接线主变保护桥CT电流虚回路自动校验方法与***，通过解析SCD文件中IED信息，确定变电站内桥接线型式，解析不同主变保护高压桥侧虚端子电流极性信息，结合提出的主变保护桥CT电流虚回路校验规则，实现110kV内桥接线智能站主变保护桥CT电流虚回路自动校验。
本发明采用如下的技术方案。
本发明的第一方面提供了一种内桥接线主变保护桥CT电流虚回路自动校验方法，包括以下步骤：
S1：解析SCD文件并进行规范性检查和修改，得到规范化处理后的IED 信息表；
S2：基于所述IED信息表，计算主接线中110kV侧进出线元件数量及主变数量，计算110kV侧断路器数量；
S3：根据110kV侧进出线元件数量及主变数量、110kV侧断路器数量，判断智能变电站主接线型式是否为内桥接线；
S4：若智能变电站主接线型式为内桥接线，则解析SCD文件中不同主变保护高压桥侧的三相保护电流虚端子的电流极性；
S5：根据所述电流极性与三相保护电流虚回路校验规则进行内桥接线主变保护桥CT电流虚回路自动校验。
优选地，所述IED信息表包括SCD文件中的IED的名称、SCD文件中IED描述，以及IED的规范名称，其中IED的规范名称包括IED类型、归属设备类型、电压等级、归属设备编号以及IED编号。
优选地，S2中，110kV侧进出线元件数量的计算方式为：采集IED信息表中线路对应的110kV进线数量与主变对应的110kV进线数量，并对线路对应的110kV进线数量与主变对应的110kV进线数量求和，获得110kV侧进出线元件数量；
主变数量的计算方式为：采集IED信息表中主变对应的110kV进线数量，作为主变数量。
优选地，线路对应的110kV进线数量的采集方式为：获取IED信息表中IED类型为保护、归属设备类型为线路以及电压等级为110kV对应的归属设备编号的最大值，作为线路对应的110kV进线数量；
主变对应的110kV进线数量的采集方式为：获取IED信息表中IED类型为保护、归属设备类型为主变以及电压等级为110kV对应的归属设备编号的最大值，作为主变对应的110kV进线数量。
优选地，S2中，110kV侧断路器数量的计算方式为：采集IED信息表中智能终端数量与合并单元和智能终端合一装置的数量，对智能终端数量与合并单元和智能终端合一装置的数量求和，获得110kV侧断路器数量。
优选地，智能终端数量的获取方式为：遍历IED信息表，获取IED类型为智能终端、电压等级为110kV对应的智能终端的所属设备类型，对获取的所属设备类型进行核减，去除所属设备类型为母线和主变本体对应的智能终端，将核减后的智能终端的不同的所属设备类型的最大归属设备编号相加，获得智能终端数量BI；
合并单元和智能终端合一装置数量的获取方式为：遍历IED信息表，获取IED类型为合并终端、电压等级为110kV对应的合并单元和智能终端合一装置，将不同所属设备类型的合并单元和智能终端合一装置的最大归属设备编号相加，获得合并单元和智能终端合一装置的数量。
优选地，S3中，智能变电站主接线型式是否为内桥接线的判断方式为：判断是否满足110kV侧进出线元件数量为4，110kV侧断路器数量为3以及主变数量为2，若是，则主接线型式为内桥接线，否则不是内桥接线。
优选地，S4具体包括：
若智能变电站主接线型式为内桥接线，则根据IED信息表确定主变保护配置；
若主变保护配置为主后一体主变保护双重化配置，则解析并遍历SCD文件中所有不同套别的主变保护的高压桥侧的三相保护电流虚端子的描述，获得主变保护的高压桥侧的三相保护电流虚端子的电流极性；
若主变保护配置为主后备保护分开双套配置，则解析并遍历SCD文件中所有主变差动保护的高压桥侧的三相保护电流虚端子的描述，获得主变差动保护的高压桥侧的三相保护电流虚端子的电流极性。
优选地，S5中，根据所述电流极性与三相保护电流虚回路校验规则进行内桥接线主变保护桥CT电流虚回路自动校验的过程为：
根据IED信息表确定主变保护配置；
若主变保护配置为主后一体主变保护双重化配置，则在#1主变保护和#2主变保护的高压桥侧的三相保护电流虚端子均为正极性或均为反极性时，判定高压桥侧的三相保护电流虚端子极性错误，校验不通过，在#1主变保护和#2主变保护对应套的三相保护电流虚端子分别为正极性和反极性时，判定高压桥侧的三相保护电流虚端子极性正确，校验通过；
若主变保护配置为主后备保护分开双套配置，则在#1主变差动保护的高压桥侧的三相保护电流虚端子电流极性与#2主变差动保护的高压桥侧的三相保护电流虚端子电流极性相反时，校验通过，否则，校验不通过。
本发明的第二方面提供了一种内桥接线主变保护桥CT电流虚回路自动校验***，包括：
规范化模块，用于解析SCD文件并进行规范性检查和修改，得到规范化处理后的IED 信息表；
计算模块，用于基于所述IED信息表，计算主接线中110kV侧进出线元件数量及主变数量，计算110kV侧断路器数量；
判断模块，用于根据110kV侧进出线元件数量及主变数量、110kV侧断路器数量，判断智能变电站主接线型式是否为内桥接线；
解析模块，用于若智能变电站主接线型式为内桥接线，则解析SCD文件中不同主变保护高压桥侧的三相保护电流虚端子的电流极性；
校验模块，用于根据所述电流极性与三相保护电流虚回路校验规则进行内桥接线主变保护桥CT电流虚回路自动校验。
一种终端，包括处理器及存储介质；所述存储介质用于存储指令；
所述处理器用于根据所述指令进行操作以执行所述方法的步骤。
计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现所述方法的步骤。
与现有技术相比：本发明的有益效果至少包括：
本发明通过解析SCD文件中IED信息，实现自动识别变电站内桥接线型式，通过解析不同主变保护高压桥侧虚端子电流极性信息，实现110kV内桥接线智能站主变保护桥CT电流虚回路自动校验，解决了常规SCD校验工具无法自动、准确识别内桥接线方式，且无法自动校验主变保护桥CT电流虚回路正确性问题，减少了漏检错检的可能性，避免造成二次虚回路隐患，进而导致主变保护不正确动作的问题。
本发明解析SCD文件并进行规范性检查和修改，得到规范化处理后的IED 信息表，通过规范化处理的IED信息表，解决了早期智能站SCD文件制作不规范的问题，能够为自动识别内桥主接线型式提供技术支撑。
本发明根据110kV侧进出线元件数量及主变数量、110kV侧断路器数量，判断智能变电站主接线型式是否为内桥接线，其通过从SCD文件中解析规范后的IED名称，计算变电站所属一次设备数量，从电力***专业角度，对内桥接线型式进行了准确识别。
本发明在智能变电站主接线型式为内桥接线时解析SCD文件中不同主变保护高压桥侧的三相保护电流虚端子的电流极性，其对于不同的主变保护配置方案，选取了特定的主变保护装置类型；同时，根据所述电流极性与三相保护电流虚回路校验规则进行内桥接线主变保护桥CT电流虚回路自动校验，首次提出了基于内桥断面的虚回路校验，用于内桥接线主变保护桥CT电流虚回路正确性校验。
附图说明
图1为本发明校验方法的流程图；
图2为110kV内桥接线智能站主接线图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述。本申请所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部实施例。基于本发明精神，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明的保护范围。
本发明实施例1提供一种110kV内桥接线智能站主变保护桥CT三相保护电流虚回路自动校验方法，如图1为实施例1对应的校验方法流程图，如图2为实施例1对应的110kV内桥接线智能站主接线图，所述方法包括以下步骤：
S1，解析SCD文件并进行规范性检查和修改，得到规范化处理后IED信息表；
具体地：解析SCD文件形成IED信息表，进行规范性检查，对不规范IED的名称name进行提示并进行规范性修改。
IED的名称name规范性检查包括以下内容：
a)IED的名称name和描述desc应确保全站唯一；
b)IED的名称name由5部分共8位合法可视字符组成，分别代表：IED类型、归属设备类型、电压等级、归属设备编号、IED编号；
c)IED的描述desc采用调度命名，由变电站主管调度机构命名。
IED的名称name规范性修改包括以下内容：
针对不符合上述步骤中第b)项中IED的名称name规范性要求的IED的名称name进行修改，修改后再进行规范性检查直至符合要求。
按照上述步骤，解析SCD文件并进行规范性检查和修改，形成规范化处理后的IED信息表，该IED信息表包括SCD文件中的IED的名称name、SCD文件中的IED的描述desc、以及IED的规范名称name，经规范化处理后的IED信息表具体如表1所示，其中SCD文件中IED名称对应的列数据是SCD文件结构中自带的元素属性值，即进行规范化处理前的名称。
表1 规范化处理后的IED信息表
S2、基于所述IED信息表，计算主接线中110kV侧进出线元件数量及主变数量，计算110kV侧断路器数量；
S2.1，依据规范化处理后的IED信息表，计算主接线中110kV侧进出线元件数量；
S2.1.1，遍历所有经规范性检查通过的IED信息表，获取IED的规范名称name中IED类型为保护、归属设备类型为线路以及电压等级为110kV对应的归属设备编号，取编号最大值为线路对应的110kV进线数量NL。
S2.1.2，遍历所有经规范性检查通过的IED信息表，获取IED的规范名称name中IED类型为保护、归属设备类型为主变以及电压等级为110kV对应的归属设备编号，取编号最大值为主变对应的110kV进线数量NT和主变数量。
S2.1.3，计算110kV侧进出线元件数量N=NL+NT。
本实施例中，从表1所示的经规范化处理后IED信息表中，统计主接线中110kV侧进出线元件数量，如下表2所示：
表2 110kV电压等级保护装置的IED信息表
根据上表2可知，110kV线路间隔有2个，分别为110kV南湖线和110kV潭南线，对应110kV线路保护的IED的规范名称name分别为P_L1101、P_L1102，归属设备编号最大值为02，即NL=2；
主变间隔有2个，分别为#1主变和#2主变，主变数量为2，对应主变保护的IED的规范名称name分别为P_T1101A、P_T1101B、P_T1102A、P_T1102B，归属设备编号最大值为02，即NT=2。
综上，110kV侧进出线元件数量N=NL+NT=2+2=4。
S2.2，基于规范化处理后IED信息表，计算110kV侧断路器数量：
S2.2.1，遍历所有经规范性检查通过的IED信息表，获取IED的规范名称name中IED类型为智能终端、电压等级为110kV对应的智能终端的所属设备类型，对获取的所属设备类型进行核减，去除所属设备类型为母线和主变本体对应的智能终端，根据核减后的智能终端的不同的所属设备类型的最大归属设备编号相加，获得智能终端数量BI。
其中，相同归属设备类型，相同归属设备编号，不同IED编号的智能终端只统计一次，不考虑归属设备类型为母线的智能终端，不考虑主变本体智能终端，取核减后所有智能终端数量之和为BI。
S2.2.2，遍历所有经规范性检查通过的IED信息表，获取IED的规范名称name中IED类型为合并单元和智能终端合一装置（对应SCD文件中名称为合并终端）、电压等级为110kV对应的合并单元和智能终端合一装置，统计合并单元和智能终端合一装置的数量，即根据合并单元和智能终端合一装置的不同的所属设备类型的最大归属设备编号相加，获得合并单元和智能终端合一装置的数量BMI。
特殊地，其中相同归属设备类型，相同归属设备编号，不同IED编号的合并单元和智能终端合一装置只统计一次，取所有合并单元和智能终端合一装置数量之和为BMI。
S2.2.3，计算110kV侧断路器数量B=BI+BMI。
本实施例中，从经规范化处理后IED信息表中,统计110kV电压等级智能终端、以及合并单元和智能终端合一装置信息，如下表3。
表3 110kV电压等级智能终端、合并单元和智能终端合一装置信息表
根据上表3可知，主变间隔有2个，分别为#1主变和#2主变，对应主变本体的智能终端的IED的规范名称name分别为INT1101、INT1102，主变本体的智能终端不参与智能终端数量统计。110kV母线间隔2个，实际只配置了1套110kV母线智能终端，母线智能终端不参与智能终端数量统计。据此可知，站内智能终端数量BI=2+1-2-1=0。
110kV线路间隔有2个，分别为110kV南湖线和110kV潭南线，线路对应的合并单元和智能终端合一装置（对应SCD文件中名称为合并终端）的IED的规范名称name分别为MIL1101A、MIL1101B、MIL1102A，MIL1102B，归属设备编号的最大值为02，线路对应的合并单元和智能终端合一装置数量统计为2；110kV分段间隔1个，对应分段的合并单元和智能终端合一装置的IED的规范名称name分别为MIK1101A、MIK1101B，归属设备编号的最大值为01，分段对应的合并单元和智能终端合一装置数量统计为1；据此可知，站内合并单元和智能终端合一装置数量BM=2+1=3。综上，B=BI+BMI=0+2+1=3。
S3，基于110kV侧进出线元件数量N和110kV侧断路器数量B以及主变数量，判断智能变电站主接线型式是否为内桥接线；判断方式为：判断是否满足110kV侧进出线元件数量为4，110kV侧断路器数量为3以及主变数量为2，若是，则主接线型式为内桥接线，否则不是内桥接线，具体的：
若110kV侧进出线元件数量N=4、110kV侧断路器数量B=3，主变数量为2，则主接线型式为内桥接线；
若110kV侧进出线元件数量N=5、110kV侧断路器数量B=4，主变数量为2，则主接线型式为三进线二主变扩大内桥接线；
若110kV侧进出线元件数量N=5、110kV侧断路器数量B=4，主变数量为3，则主接线型式为二进线三主变扩大内桥接线；
依据上述计算的110kV侧进出线元件数量N和110kV侧断路器数量B，N=4,B=3,主变数量为2，自动确定该110kV智能变电站主接线型式为内桥接线。
S4，根据S3确定智能变电站主接线型式为内桥接线型式后，解析SCD文件中不同主变保护高压桥侧三相保护电流虚回路信息，主要指高压桥侧虚端子中三相保护电流极性，具体包括如下步骤：
S4.1，根据IED信息表确定主变保护配置；所述主变保护配置分为主后一体主变保护双重化配置和主后备保护分开双套配置；
S4.2，当主变保护配置为主后一体主变保护双重化配置时，遍历所有不同套别的主变保护的高压桥侧的三相保护电流虚端子的电流极性，当高压桥侧的三相保护电流虚端子的描述包含“正”时，主变保护的高压桥侧的三相保护电流虚端子的电流极性标记为0，当高压桥侧的三相保护电流虚端子的描述包含“负”时，主变保护的高压桥侧的三相保护电流虚端子的电流极性标记为1；可以理解的是，其中高压桥侧的三相保护电流虚端子的描述在SCD文件中。
S4.3，当主变保护配置为主后备保护分开双套配置（一套为主变差动保护，一套为主变后备保护）时，遍历所有主变差动保护的高压桥侧的三相保护电流虚端子的电流极性，当高压桥侧的三相保护电流虚端子的描述包含“正”时，主变差动保护的高压桥侧的三相保护电流虚端子的电流极性标记为0，当高压桥侧的三相保护电流虚端子的描述包含“负”时，主变差动保护的高压桥侧的三相保护电流虚端子的电流极性标记为1；
主变保护的高压桥侧的三相保护电流虚端子包括高压侧2侧三相保护电流虚端子、高压桥2三相保护电流虚端子等。
特殊地，当主变保护配置为主后备保护分开双套配置时，一般主变后备保护电流不使用高压桥侧电流。
S5，根据所述电流极性与三相保护电流虚回路校验规则进行内桥接线主变保护桥CT电流虚回路自动校验。
默认110kV高压桥侧的桥CT（用于测量三相保护电流） 只配置一组，且110kV高压桥侧的桥CT的P1指向桥断路器为正极性，制定一套主变保护的三相保护电流虚回路校验规则：
主变保护配置为主后一体主变保护双重化配置时，主变保护包括#1主变保护（包括#1主变保护A套和#1主变保护B套）和#2主变保护（包括#2主变保护A套和#2主变保护B套）。
若#1主变保护A套和#1主变保护B套的高压桥侧的三相保护电流虚端子电流极性相同，#2主变保护A套和#2主变保护B套的高压桥侧的三相保护电流虚端子电流极性相同，#1主变保护A套和#1主变保护B套的高压桥侧的三相保护电流虚端子电流极性与#2主变保护A套和#2主变保护B套的高压桥侧的三相保护电流虚端子电流极性相反，则检验通过，否则校验不通过。
基于上述校验规则，可以进行主变保护的高压桥侧的三相保护电流虚端子的极性正确性校验：#1主变保护和#2主变保护的高压桥侧的三相保护电流虚端子均为正极性或均为反极性的，判定高压桥侧的三相保护电流虚端子极性错误，#1主变保护和#2主变保护对应的三相保护电流虚端子分别为正极性和反极性，判定高压桥侧的三相保护电流虚端子极性正确。
当主变保护配置为主后备保护分开双套配置（一套为主变差动保护（包括#1主变差动保护和#2主变差动保护），一套为主变后备保护）时，校验#1主变差动保护的高压桥侧的三相保护电流虚端子电流极性与#2主变差动保护的高压桥侧的三相保护电流虚端子电流极性，若#1主变差动保护的高压桥侧的三相保护电流虚端子电流极性与#2主变差动保护的高压桥侧的三相保护电流虚端子电流极性相反，则校验通过，否则，校验不通过。
在本实施例中，根据表1可知，该站主变保护配置为主后一体主变保护双重化配置。
通过解析SCD文件中#1、#2主变保护模型中M1节点下LN0逻辑节点内inputs信息，可知#1主变保护A套和#1主变保护B套的高压桥侧的三相保护电流采用虚端子描述包含“正”，#2主变保护A套和B套高压桥侧三相保护电流采用虚端子描述包含“反”，在校验时中可以分别标记为0和1。判定高压桥侧的三相保护电流虚端子极性正确，检验通过。
本发明实施例2提供一种内桥接线主变保护桥CT电流虚回路自动校验***，包括：
规范化模块，用于解析SCD文件并进行规范性检查和修改，得到规范化处理后的IED 信息表；
计算模块，用于基于所述IED信息表，计算主接线中110kV侧进出线元件数量及主变数量，计算110kV侧断路器数量；
判断模块，用于根据110kV侧进出线元件数量及主变数量、110kV侧断路器数量，判断智能变电站主接线型式是否为内桥接线；
解析模块，用于若智能变电站主接线型式为内桥接线，则解析SCD文件中不同主变保护高压桥侧的三相保护电流虚端子的电流极性；
校验模块，用于根据所述电流极性与三相保护电流虚回路校验规则进行内桥接线主变保护桥CT电流虚回路自动校验。
本发明实施例3提供了一种终端，包括处理器及存储介质，所述存储介质用于存储指令；所述处理器用于根据所述指令进行操作以执行实施例1所述方法的步骤。
本发明实施例4提供了计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现实施例1所述方法的步骤。
本发明的有益效果在于，与现有技术相比：
本发明通过解析SCD文件中IED信息，实现自动识别变电站内桥接线型式，通过解析不同主变保护高压桥侧虚端子电流极性信息，实现110kV内桥接线智能站主变保护桥CT电流虚回路自动校验，解决了常规SCD校验工具无法自动、准确识别内桥接线方式，且无法自动校验主变保护桥CT电流虚回路正确性问题，减少了漏检错检的可能性，避免造成二次虚回路隐患，进而导致主变保护不正确动作的问题。
本发明解析SCD文件并进行规范性检查和修改，得到规范化处理后的IED 信息表，通过规范化处理的IED信息表，解决了早期智能站SCD文件制作不规范的问题，能够为自动识别内桥主接线型式提供技术支撑。
本发明根据110kV侧进出线元件数量及主变数量、110kV侧断路器数量，判断智能变电站主接线型式是否为内桥接线，其通过从SCD文件中解析规范后的IED名称，计算变电站所属一次设备数量，从电力***专业角度，对内桥接线型式进行了准确识别。
本发明在智能变电站主接线型式为内桥接线时解析SCD文件中不同主变保护高压桥侧的三相保护电流虚端子的电流极性，其对于不同的主变保护配置方案，选取了特定的主变保护装置类型；同时，根据所述电流极性与三相保护电流虚回路校验规则进行内桥接线主变保护桥CT电流虚回路自动校验，首次提出了基于内桥断面的虚回路校验，用于内桥接线主变保护桥CT电流虚回路正确性校验。
本公开可以是***、方法和/或计算机程序产品。计算机程序产品可以包括计算机可读存储介质，其上载有用于使处理器实现本公开的各个方面的计算机可读程序指令。
计算机可读存储介质可以是可以保持和存储由指令执行设备使用的指令的有形设备。计算机可读存储介质例如可以是――但不限于――电存储设备、磁存储设备、光存储设备、电磁存储设备、半导体存储设备或者上述的任意合适的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子（非穷举的列表）包括：便携式计算机盘、硬盘、随机存取存储器（RAM）、只读存储器（ROM）、可擦式可编程只读存储器（EPROM或闪存）、静态随机存取存储器（SRAM）、便携式压缩盘只读存储器（CD-ROM）、数字多功能盘（DVD）、记忆棒、软盘、机械编码设备、例如其上存储有指令的打孔卡或凹槽内凸起结构、以及上述的任意合适的组合。这里所使用的计算机可读存储介质不被解释为瞬时信号本身，诸如无线电波或者其它自由传播的电磁波、通过波导或其它传输媒介传播的电磁波（例如，通过光纤电缆的光脉冲）、或者通过电线传输的电信号。
这里所描述的计算机可读程序指令可以从计算机可读存储介质下载到各个计算/处理设备，或者通过网络、例如因特网、局域网、广域网和/或无线网下载到外部计算机或外部存储设备。网络可以包括铜传输电缆、光纤传输、无线传输、路由器、防火墙、交换机、网关计算机和/或边缘服务器。每个计算/处理设备中的网络适配卡或者网络接口从网络接收计算机可读程序指令，并转发该计算机可读程序指令，以供存储在各个计算/处理设备中的计算机可读存储介质中。
用于执行本公开操作的计算机程序指令可以是汇编指令、指令集架构（ISA）指令、机器指令、机器相关指令、微代码、固件指令、状态设置数据、或者以一种或多种编程语言的任意组合编写的源代码或目标代码，所述编程语言包括面向对象的编程语言—诸如Smalltalk、C++等，以及常规的过程式编程语言—诸如“C”语言或类似的编程语言。计算机可读程序指令可以完全地在用户计算机上执行、部分地在用户计算机上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算机上部分在远程计算机上执行、或者完全在远程计算机或服务器上执行。在涉及远程计算机的情形中，远程计算机可以通过任意种类的网络—包括局域网(LAN)或广域网(WAN)—连接到用户计算机，或者，可以连接到外部计算机（例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接）。在一些实施例中，通过利用计算机可读程序指令的状态信息来个性化定制电子电路，例如可编程逻辑电路、现场可编程门阵列（FPGA）或可编程逻辑阵列（PLA），该电子电路可以执行计算机可读程序指令，从而实现本公开的各个方面。
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其限制，尽管参照上述实施例对本发明进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者等同替换，而未脱离本发明精神和范围的任何修改或者等同替换，其均应涵盖在本发明的权利要求保护范围之内。
Claims (12)
1.一种内桥接线主变保护桥CT电流虚回路自动校验方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：解析SCD文件并进行规范性检查和修改，得到规范化处理后的IED 信息表；
S2：基于所述IED信息表，计算主接线中110kV侧进出线元件数量及主变数量，计算110kV侧断路器数量；
S3：根据110kV侧进出线元件数量及主变数量、110kV侧断路器数量，判断智能变电站主接线型式是否为内桥接线；
S4：若智能变电站主接线型式为内桥接线，则解析SCD文件中不同主变保护高压桥侧的三相保护电流虚端子的电流极性；
S5：根据所述电流极性与三相保护电流虚回路校验规则进行内桥接线主变保护桥CT电流虚回路自动校验。
2.根据权利要求1所述一种内桥接线主变保护桥CT电流虚回路自动校验方法，其特征在于：
所述IED信息表包括SCD文件中的IED的名称、SCD文件中IED描述，以及IED的规范名称，其中IED的规范名称包括IED类型、归属设备类型、电压等级、归属设备编号以及IED编号。
3.根据权利要求2所述一种内桥接线主变保护桥CT电流虚回路自动校验方法，其特征在于：
S2中，110kV侧进出线元件数量的计算方式为：采集IED信息表中线路对应的110kV进线数量与主变对应的110kV进线数量，并对线路对应的110kV进线数量与主变对应的110kV进线数量进行求和，获得110kV侧进出线元件数量；
主变数量的计算方式为：采集IED信息表中主变对应的110kV进线数量，作为主变数量。
4.根据权利要求3所述一种内桥接线主变保护桥CT电流虚回路自动校验方法，其特征在于：
线路对应的110kV进线数量的采集方式为：获取IED信息表中IED类型为保护、归属设备类型为线路以及电压等级为110kV对应的归属设备编号的最大值，作为线路对应的110kV进线数量；
主变对应的110kV进线数量的采集方式为：获取IED信息表中IED类型为保护、归属设备类型为主变以及电压等级为110kV对应的归属设备编号的最大值，作为主变对应的110kV进线数量。
5.根据权利要求2所述一种内桥接线主变保护桥CT电流虚回路自动校验方法，其特征在于：
S2中，110kV侧断路器数量的计算方式为：采集IED信息表中智能终端数量与合并单元和智能终端合一装置的数量，对智能终端数量与合并单元和智能终端合一装置的数量进行求和，获得110kV侧断路器数量。
6.根据权利要求5所述一种内桥接线主变保护桥CT电流虚回路自动校验方法，其特征在于：
智能终端数量的获取方式为：遍历IED信息表，获取IED类型为智能终端、电压等级为110kV对应的智能终端的所属设备类型，对获取的所属设备类型进行核减，去除所属设备类型为母线和主变本体对应的智能终端，将核减后的智能终端的不同的所属设备类型的最大归属设备编号相加，获得智能终端数量BI；
合并单元和智能终端合一装置数量的获取方式为：遍历IED信息表，获取IED类型为合并终端、电压等级为110kV对应的合并单元和智能终端合一装置，将不同所属设备类型的合并单元和智能终端合一装置的最大归属设备编号相加，获得合并单元和智能终端合一装置的数量。
7.根据权利要求1所述一种内桥接线主变保护桥CT电流虚回路自动校验方法，其特征在于：
S3中，智能变电站主接线型式是否为内桥接线的判断方式为：判断是否满足110kV侧进出线元件数量为4，110kV侧断路器数量为3以及主变数量为2，若是，则主接线型式为内桥接线，否则不是内桥接线。
8.根据权利要求1所述一种内桥接线主变保护桥CT电流虚回路自动校验方法，其特征在于：
S4具体包括：
若智能变电站主接线型式为内桥接线，则根据IED信息表确定主变保护配置；
若主变保护配置为主后一体主变保护双重化配置，则解析并遍历SCD文件中所有不同套别的主变保护的高压桥侧的三相保护电流虚端子的描述，获得主变保护的高压桥侧的三相保护电流虚端子的电流极性；
若主变保护配置为主后备保护分开双套配置，则解析并遍历SCD文件中所有主变差动保护的高压桥侧的三相保护电流虚端子的描述，获得主变差动保护的高压桥侧的三相保护电流虚端子的电流极性。
9.根据权利要求1所述一种内桥接线主变保护桥CT电流虚回路自动校验方法，其特征在于：
S5中，根据所述电流极性与三相保护电流虚回路校验规则进行内桥接线主变保护桥CT电流虚回路自动校验的过程为：
根据IED信息表确定主变保护配置；
若主变保护配置为主后一体主变保护双重化配置，则在#1主变保护和#2主变保护的高压桥侧的三相保护电流虚端子均为正极性或均为反极性时，判定高压桥侧的三相保护电流虚端子极性错误，校验不通过，在#1主变保护和#2主变保护对应套的三相保护电流虚端子分别为正极性和反极性时，判定高压桥侧的三相保护电流虚端子极性正确，校验通过；
若主变保护配置为主后备保护分开双套配置，则在#1主变差动保护的高压桥侧的三相保护电流虚端子电流极性与#2主变差动保护的高压桥侧的三相保护电流虚端子电流极性相反时，校验通过，否则，校验不通过。
10.一种内桥接线主变保护桥CT电流虚回路自动校验***，利用权利要求1-9任一项所述的方法，其特征在于，所述***包括：
规范化模块，用于解析SCD文件并进行规范性检查和修改，得到规范化处理后的IED 信息表；
计算模块，用于基于所述IED信息表，计算主接线中110kV侧进出线元件数量及主变数量，计算110kV侧断路器数量；
判断模块，用于根据110kV侧进出线元件数量及主变数量、110kV侧断路器数量，判断智能变电站主接线型式是否为内桥接线；
解析模块，用于若智能变电站主接线型式为内桥接线，则解析SCD文件中不同主变保护高压桥侧的三相保护电流虚端子的电流极性；
校验模块，用于根据所述电流极性与三相保护电流虚回路校验规则进行内桥接线主变保护桥CT电流虚回路自动校验。
11.一种终端，包括处理器及存储介质；其特征在于：
所述存储介质用于存储指令；
所述处理器用于根据所述指令进行操作以执行根据权利要求1-9任一项所述方法的步骤。
12.计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该程序被处理器执行时实现权利要求1-9任一项所述方法的步骤。
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