CN117997287A - 电感切换模块、毫米波可重构低噪声放大器、芯片及设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了电感切换模块、毫米波可重构低噪声放大器、芯片及设备，属于射频移动通信领域。其中电感切换模块包括第一电感、第二电感和电子开关；所述第一电感和所述第二电感耦合；所述第二电感和所述电子开关连接，并与地形成回路；通过控制所述电子开关的闭合情况，以控制所述第二电感的通电状态，进而切换所述第一电感的感值。本发明通过磁耦合增强技术，设计一种高差值可变电感，实现大频率差值的输入匹配切换。本申请还提供一种两级可重构负载低噪声放大器结构，结合基于磁耦合增强的可变电感，降低了可重构结构对放大器噪声系数的影响。

Description

电感切换模块、毫米波可重构低噪声放大器、芯片及设备

技术领域

本发明涉及移动通信领域，尤其涉及一种电感切换模块、毫米波可重构低噪声放大器、芯片及设备。

背景技术

为了降低5G(The 5th Generation)射频接收机***的成本，提高接收端对不同工作场景的适应性，可重构的多频段射频前端以及相应电路模块设计已经成为当今的研究热点。毫米波可重构低噪声放大器是5G多频段无线接收***的核心模块，是典型的双频段或多频段工作的电路模块。主要应用于5G移动通信领域，用于5G通信基站、5G移动通信终端等毫米波无线通信设备上。

在现有的毫米波可重构低噪声放大器设计中，一直以射频开关MOS管为基础的可重构电路结构作为有效的设计手段，包括开关式电容和开关式电感等设计方案。通过开关对电路器件参数或者对局部电路结构的改变，来实现通过改变偏置电位使电路工作在不同频段的功能。在毫米波频段设计中，由于电容对于低噪声放大器的匹配与增益的调谐能力有限，其可重构设计以开关式电感为主。开关式电感切换差值高，但是相应的Q值(品质因数)较低。总的来说，现有的毫米波可重构低噪声放大器存有以下缺点：难以实现在Q值较好的前提下实现大的感值切换。

发明内容

为至少一定程度上解决现有技术中存在的技术问题之一，本发明的目的在于提供一种电感切换模块、毫米波可重构低噪声放大器、芯片及设备。

本发明所采用的第一技术方案是：

一种电感切换模块，包括第一电感、第二电感和电子开关；

所述第一电感和所述第二电感耦合；所述第二电感和所述电子开关连接，并与地形成回路；

通过控制所述电子开关的闭合情况，以控制所述第二电感的通电状态，进而切换所述第一电感的感值。

进一步地，所述电子开关采用第四晶体管来实现，所述第四晶体管的栅极用于输入控制信号；

所述第四晶体管的源极连接所述第二电感的正端，所述第二电感的负端接地，所述第四晶体管的漏极接地；或，所述第四晶体管的漏极连接所述第二电感的负端，所述第二电感的正端接地，所述第四晶体管的源极接地。

进一步地，所述电子开关采用第四晶体管来实现，所述第四晶体管的栅极用于输入控制信号，所述第二电感由两个结构对称的电感组成，其中第一个电感的正端接地，第一个电感的负端连接所述第四晶体管的漏极，所述第四晶体管的源极连接第二个电感的正端，第二个电感的负端接地。

进一步地，所述第一电感包括相互连接的螺旋线段、第一直线段和第二直线段；

所述第二电感包含第一耦合地环与第二耦合地环，所述第一耦合地环和第二耦合地环与第一电感相互耦合，所述第一耦合地环通过两股或多股并联的直线段与所述第一直线段进行耦合，所述第二耦合地环通过两股或多股并联的直线段与所述第二直线段进行耦合。

进一步地，所述第一电感包括螺旋线段、第一直线段和第二直线段，所述螺旋线段的一端与所述第一直线段的一端连接，所述螺旋线段的另一端与所述第二直线段的一端连接，所述第一直线段的另一端作为第一电感的正端，所述第二直线段的另一端作为第一电感的负端；

所述第二个电感包括第一曲线段、第三直线段、第四直线段和第五直线段；所述第一曲线段位于所述螺旋线段的内部空白区间，所述第一曲线段的一端与所述第三直线段的一端连接，所述第三直线段的另一端作为所述第二个电感的正端，所述第一曲线段的另一端与所述第四直线段的一端连接，所述第五直线段的一端与所述第一曲线段连接，所述第四直线段的另一端与所述第五直线段的另一端均作为所述第二个电感的负端；其中，所述第四直线段和第五直线段分别设置在所述第一直线段的两侧，且与所述第一直线段平行；

所述第一个电感包括第二曲线段、第六直线段、第七直线段和第八直线段；所述第二曲线段位于所述螺旋线段的内部空白区间，所述第二曲线段的一端与所述第六直线段的一端连接，所述第六直线段的另一端作为所述第一个电感的负端，所述第二曲线段的另一端与所述第七直线段的一端连接，所述第八直线段的一端与所述第二曲线段连接，所述第七直线段的另一端与所述第八直线段的另一端均作为所述第一个电感的正端；其中，所述第七直线段和第八直线段分别设置在所述第二直线段的两侧，且与所述第二直线段平行。

本发明所采用的第二技术方案是：

一种毫米波可重构低噪声放大器，包括：

第一可变电感，采用如上所述的电感切换模块来实现，所述第一可变电感的第一端连接电源电压；

第一放大电路，包括第一晶体管；所述第一晶体管用于输入交流信号，所述第一放大电路采用所述第一可变电感作为负载；

第二放大电路，包括第二晶体管和第三晶体管；所述第二晶体管用于输入经过所述第一放大电路放大后的交流信号，所述第二晶体管与所述第三晶体管的相互级联，所述第三晶体管的负载处输出放大后的交流信号。

进一步地，所述第一放大电路还包括第三电感，所述第三电感的一端连接所述第一晶体管漏极，所述第三电感的另一端连接所述第一可变电感的第二端。

进一步地，所述第二放大电路还包括第四电感和第五电感，所述第四电感一端连接所述第一晶体管的栅极，所述第四电感另一端作为所述毫米波可重构低噪声放大器的输入端；所述第五电感的一端连接所述第一晶体管的源极，所述第五电感的另一端接地。

进一步地，所述第二放大电路还包括低耦合变压器，所述低耦合变压器包括第六电感和第七电感；

所述第六电感的正端连接所述第二晶体管的漏极，所述第六电感的负端连接所述第三晶体管的源极；所述第七电感的正端连接所述第三晶体管的栅极，所述第七电感的负端连接电源电压。

进一步地，所述毫米波可重构低噪声放大器还包括第二可变电感；

所述第二可变电感采用如上所述的电感切换模块来实现，所述第二可变电感的第一端连接电源电压，所述第二可变电感的第二端连接所述第三晶体管的漏极。

本发明所采用的第三技术方案是：

一种芯片，包括如上所述的电感切换模块或者如上所述的毫米波可重构低噪声放大器。

本发明所采用的第三技术方案是：

一种通信设备，包括外壳、***电路板，所述***电路板包括如上所述的芯片。

本发明的有益效果是：本发明通过磁耦合增强技术，设计一种高差值可变电感，实现大频率差值的输入匹配切换。本申请还提供一种两级可重构负载低噪声放大器结构，结合基于磁耦合增强的可变电感，降低了可重构结构对放大器噪声系数的影响；另外，采用基于低耦合变压器的前向耦合技术，在确保电路稳定性的前提下，改善了共源共栅极的增益性能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或者现有技术中的技术方案，下面对本发明实施例或者现有技术中的相关技术方案附图作以下介绍，应当理解的是，下面介绍中的附图仅仅为了方便清晰表述本发明的技术方案中的部分实施例，对于本领域的技术人员而言，在无需付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取到其他附图。

图1是本发明实施例2中毫米波可重构低噪声放大器的电路图；

图2是本发明实施例2中应用磁耦合增强技术的可变电感结构示意图；

图3a是本发明实施例2中在晶体管M₄断开时可变电感电流密度分布示意图；

图3b是本发明实施例2中在晶体管M₄导通时可变电感电流密度分布示意图；

图4a是本发明实施例2中应用磁耦合增强技术的可变电感的感值示意图；

图4b是本发明实施例2中应用磁耦合增强技术的可变电感的Q值示意图；

图5是本发明实施例2中低耦合设计的变压器结构示意图；

图6是本发明实施例2中毫米波可重构低噪声放大器的S21参数仿真结果图；

图7是本发明实施例2中毫米波可重构低噪声放大器的S11参数仿真结果图；

图8是本发明实施例2中毫米波可重构低噪声放大器的噪声系数仿真结果图；

图9是本发明实施例2中毫米波可重构低噪声放大器的稳定系数仿真结果图；

图10是本发明实施例3中毫米波可重构低噪声放大器的电路图；

图11是本发明实施例4中毫米波可重构低噪声放大器的电路图；

图12是本发明实施例5中毫米波可重构低噪声放大器的电路图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。对于以下实施例中的步骤编号，其仅为了便于阐述说明而设置，对步骤之间的顺序不做任何限定，实施例中的各步骤的执行顺序均可根据本领域技术人员的理解来进行适应性调整。

在本发明的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。

此外，在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

本发明的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本发明中的具体含义。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案包括：提供一种基于磁基于耦合增强技术的可变电感，以及基于可变电感的可重构低噪声放大器。基于变压器前向耦合的共源-共源共栅放大器结构。通过将耦合地环提高到M9层并将其耦合到主电感两匝线圈中间，采用部分结构通过两股并行互联线耦合的结构，实现高的主电感与地环的耦合系数，实现高的感值差值切换。

实施例1

本实施例提供一种电感切换模块，包括第一电感、第二电感和电子开关；

第一电感和第二电感耦合；第二电感和电子开关连接，并与地形成回路；

通过控制电子开关的闭合情况，以控制第二电感的通电状态，进而切换第一电感的感值；

第一电感的正端作为电感切换模块的第一端，第一电感的负端作为电感切换模块的第二端。

在本实施例中，第一电感和第二电感耦合，当电子开关闭合时，第二电感所在的回路导通，第二电感上产生感应电流，进而影响第一电感的感值；当电子开关断开时，第二电感所在的回路不导通，第二电感上没有电流。因此，通过控制电子开关的闭合情况实现切换第一电感的感值。本实施例的电子开关可以采用场效应管或者双极性晶体管来实现；另外，本实施例电感切换模块可以应用于多种电路结构中，并不局限于低噪声放大器。

实施例2

参见图1，本实施例提供一种毫米波可重构低噪声放大器，包括：

磁耦合可变电感L_d1，该磁耦合可变电感L_d1由一个主电感线圈及两部分对称的单边接地的耦合地环组成，耦合地环中的第一个电感正端接地，第一个电感的负端连接第四晶体管M₄的漏极，第四晶体管M₄的源极连接耦合地环中的第二个电感的正端，第二个电感的负端接地；

共源极电路，包括第一晶体管M₁；第一晶体管M₁的栅极用于输入交流信号，第一晶体管M₁的漏极与可变电感的第二端连接，第一晶体管M₁的源极接地；

共源共栅极电路，包括第二晶体管M₂和第三晶体管M₃；第二晶体管M₂的栅极用于输入经过共源极电路放大后的交流信号，第二晶体管M₂的漏极连接第三晶体管M₃的源极，第二晶体管M₂的源极接地，第三晶体管M₃的漏极输出放大后的交流信号。

作为一种可选的实施方式，共源极电路还包括第三电感L_d3、第四电感L_g1和第五电感L_s1。第三电感L_d3的一端连接第一晶体管M₁漏极，第三电感L_d3的另一端连接第一可变电感的第二端。第四电感L_g1一端连接第一晶体管M₁的栅极，第四电感L_g1另一端作为毫米波可重构低噪声放大器的输入端；第五电感L_s1的一端连接第一晶体管M₁的源极，第五电感L_s1的另一端接地。

作为一种可选的实施方式，共源极电路还包括低耦合变压器，低耦合变压器包括第六电感和第七电感；

第六电感的正端连接第二晶体管M₂的漏极，第六电感的负端连接第三晶体管M₃的源极；第七电感的正端连接第三晶体管M₃的栅极，第七电感的负端连接电源电压。

作为一种可选的实施方式，共源共栅极电路还包括电感L_d2，电感L_d2的一端连接电源电压，电感L_d2的一端连接第三晶体管M₃的漏极。

另外，作为一种可选的实施方式，放大器电路中还包括直流偏置电路的相关元器件，比如隔直电容、偏置电阻以及偏置电压等。这些元器件并非本申请的重要元器件，故不一一赘述。

以下结合附图对上述放大器的电路结构和工作原理进行详细地说明。

(1)电路结构说明

如图1所示，本实施例放大器的电路具体连接结构为：在电路第一级共源级，射频信号从IN输入端输入，电感L_g1将输入端与M₁栅极串接起来，L_g1与M₁之间还串有隔直电容C₁，Vgg通过大电阻R_bias连接到M₁的栅极，为M₁提供栅极电压偏置。晶体管M₁的源极与电感L_s1一端连接，L_s1另一端接地。晶体管M₁漏级连接到电感L_d3的一端，另一端与磁耦合可变电感L_d1的负端相接，同时也与下一级共源共栅极的输入隔直电容C₂相接。磁耦合可变电感L_d1的另一端与V_dd供电相接。磁耦合可变电感L_d1由一个主电感线圈及两部分对称的单边接地的耦合地环组成，两部分地环未接地的另一端分别接在M₄的漏极与源极上，M₄的栅极上通过大电阻R_bias，使用具有两种切换状态(0V/1.2V)的V_bias的进行M₄的通断控制，以控制耦合地环的通断状态。在电路第二级共源共栅极，M₂的源极直接与地相接。M₂的漏极与变压器tr其中一个电感的正端相连，该电感的负端与M₃的源极相接。M₃的栅极与变压器tr的另一电感的正端相接，该电感的负端与V_dd供电相接。M₃的漏极与电感L_d2相接，同时通过一个隔直电容C₃与射频输出端OUT相接，L_d2的另一端与Vdd供电相接。

(2)电路工作原理说明

本实施例的放大器是一种聚焦输入匹配可重构、低噪声系数的毫米波可重构低噪声放大器。该低噪声放大器是共源-共源共栅极结构，共源极作为第一级用来减小噪声系数，共源共栅极作为第二级用来提高电路的整体增益。V_dd提供可重构低噪声放大器所需要的直流电压，直流从V_dd开始，在第一级依次流经可变电感L_d1、电感L_d3、晶体管M₁和电感L_s1，最终流入地；在第二级依次流经电感L_d2、晶体管M₃、变压器tr、晶体管M₂，最终流入地。

输入共源级由电感L_g1、电感L_d1、电感L_d3、电感L_s1、晶体管M₁和晶体管M₄构成，输入级采用共源级一定程度上提升噪声性能。在晶体管M₁的漏极，可变电感L_d1通过开关管M₄控制改变电感的感值，从而对输入匹配具有良好的调谐作用。在第一级共源级的在晶体管M₄工作于断开的状态时，可变电感L_d1的两部分耦合地环断开，交流小信号无法通过耦合进入耦合地环的回路，此时耦合地环仅提供一个较小的寄生电容。该寄生电容使得电感的自谐振频率往低频偏移，使得电感的感值小幅提升。M₄工作于断开的状态时，电感的电流密度分布如图3a所示。在晶体管M₄工作于导通的状态时，可变电感L_d1的两部分耦合地环闭合，耦合地环形成对地回路，交流小信号通过可变电感L_d1主电感线圈与耦合地环的高耦合，形成了较强的额外对地回路，使得主电感线圈的感值大幅下降，从而实现了高切换差值的可重构无源电感。M₄工作于导通的状态时，电感的电流密度分布如图3b所示。在不同状态下，可变电感的感值如图4a所示，可变电感的Q值如图4b所示。

(3)版图设计

本实施例中应用的磁耦合增强技术的可变电感结构如图2所示，该电感具有四个端口P1～P4，其在电路中的连接关系依次为：P1与V_dd供电相接，P2与M₁漏极相接，P3和P4与M₄的源极和漏极相接。P1到P2的通路为两匝线圈构成的主电感，P3与P4各自对地的通路分别为两部分1/4匝线圈构成的耦合地环电感，该耦合地环的末端分叉为两条并行的支路接地，并在主电感线圈的直线部分两端耦合，两条支路的末端均通过过孔接地。主电感与耦合地环两部分结构与M₄开关一起，共同构成了应用磁耦合增强技术的高感值切换差值可变电感。其中，图2中M8、M9表示的是第8层金属层和第9层金属层。

进一步地，为了提高电路的增益性能，本实施例提出基于低耦合变压器的前向耦合结构，低耦合变压器的版图设计如图5所示。通过低耦合系数将晶体管M₂漏极的交流小信号耦合到晶体管M₃栅极处进行额外的信号放大，从而小幅提高电路的增益。同时，低的耦合系数确保了电路的稳定性，保证电路能够正常稳定地工作。

(4)实验结果

本实施例的放大器可用于5G毫米波28GHz与39GHz频段的无线设备通信，其中，S21参数仿真结果如图6所示，峰值增益在28GHz与39GHz频段分别为14.311dB/13.534dB。S11参数仿真结果如图7所示，S11在28GHz与39GHz频段分别为-20.081dB/-36.237dB。噪声系数仿真结果如图8所示，噪声系数在28GHz与39GHz频段分别为3.259dB/4.307dB。稳定系数仿真结果如图9所示，稳定系数在28GHz与39GHz频段分别有最低值为2.468/4.181。

实施例3

如图10所示，实施例3提供的毫米波可重构低噪声放大器的电路结构与实施例2中的电路结构相同，同样采用磁耦合增强可变电感设计，其中的区别在于：实施例3中的共源极电路去掉电感L_d3，通过去掉电感L_d3可以大幅缩减面积，同时会小幅影响匹配，具体电路结构可以根据实际电路需求来折中选择。

实施例4

如图11所示，实施例4提供的毫米波可重构低噪声放大器的电路结构与实施例2中的电路结构相同，同样采用磁耦合增强可变电感设计，其中的区别在于：实施例4的磁耦合可变电感L_d1中，耦合地环采用单个完整耦合地环的设计；相比与实施例2中两个耦合地环的设计，单个完整耦合地环的设计可以降低版图的设计难度，并且能够取得与实施例2设计相近的性能。故具体电路结构可以根据实际电路需求来折中选择。

实施例5

如图12所示，实施例5提供的毫米波可重构低噪声放大器的电路结构与实施例2中的电路结构相同，同样采用磁耦合增强可变电感设计，其中的区别在于：实施例5中采用多个磁耦合增强可变电感，在第一晶体管M₁的漏极和第三晶体管M₃的漏极同时采用了磁耦合增强可变电感，两个磁耦合增强可变电感的应用可以更好地兼顾增益峰值频率的调谐，但是可能会使得噪声性能变差。故具体电路结构可以根据实际电路需求来折中选择。

综上所述，本发明相对于现有技术，至少包括以下优点及有益效果：

(1)本发明提出了一种磁基于耦合增强技术的小面积高差值可变电感设计技术，用较小的面积实现了Q值合理，感值差值较大的可变电感，能够在保证优良切换功能的前提下，减小芯片的面积。另外，本发明还提供一种相应的版图设计，耦合地环的末端分叉为两条并行的支路接地，并在主电感线圈的直线部分两端耦合，两条支路的末端均通过过孔接地，这种设计使得耦合地环与主电感线圈之间的耦合明显提升，提高了感值切换性能。

(2)本发明提出了一种基于高差值可变电感的可重构低噪声放大器，用较小的面积实现了大频率差值的输入匹配切换。基于磁耦合增强的可变电感设计，提出的共源-共源共栅极低噪声放大器结构，实现大频率差值的输入匹配切换，降低了可重构结构对放大器噪声和增益性能的影响。

(3)本发明提出了低耦合变压器前向耦合技术，通过低耦合系数为共栅管提供了额外的放大通路，实现了电路增益的提升。即基于低耦合变压器的前向耦合技术，在确保电路稳定性的前提下，改善了共源共栅极的增益性能。

在本说明书的上述描述中，参考术语“一个实施方式/实施例”、“另一实施方式/实施例”或“某些实施方式/实施例”等的描述意指结合实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。

尽管已经示出和描述了本发明的实施方式，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

以上是对本发明的较佳实施进行了具体说明，但本发明并不限于上述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下还可做作出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。

Claims (11)

1.一种电感切换模块，其特征在于，包括第一电感、第二电感和电子开关；

所述第一电感和所述第二电感耦合；所述第二电感和所述电子开关连接，并与地形成回路；

通过控制所述电子开关的闭合情况，以控制所述第二电感的通电状态，进而切换所述第一电感的感值。

2.根据权利要求1所述的一种电感切换模块，其特征在于，所述电子开关采用第四晶体管来实现，所述第四晶体管的栅极用于输入控制信号；

所述第四晶体管的源极连接所述第二电感的正端，所述第二电感的负端接地，所述第四晶体管的漏极接地；或，所述第四晶体管的漏极连接所述第二电感的负端，所述第二电感的正端接地，所述第四晶体管的源极接地。

3.根据权利要求1所述的一种电感切换模块，其特征在于，所述电子开关采用第四晶体管来实现，所述第四晶体管的栅极用于输入控制信号，所述第二电感由两个结构对称的电感组成，其中第一个电感的正端接地，第一个电感的负端连接所述第四晶体管的漏极，所述第四晶体管的源极连接第二个电感的正端，第二个电感的负端接地。

4.根据权利要求3所述的一种电感切换模块，其特征在于，所述第一电感包括相互连接的螺旋线段、第一直线段和第二直线段；

所述第二电感包含第一耦合地环与第二耦合地环，所述第一耦合地环和第二耦合地环与第一电感相互耦合，所述第一耦合地环通过两股或多股并联的直线段与所述第一直线段进行耦合，所述第二耦合地环通过两股或多股并联的直线段与所述第二直线段进行耦合。

5.一种毫米波可重构低噪声放大器，其特征在于，包括：

第一可变电感，采用如权利要求1-4任一项所述的电感切换模块来实现，所述第一可变电感的第一端连接电源电压；

第一放大电路，包括第一晶体管；所述第一晶体管用于输入交流信号，所述第一放大电路采用所述第一可变电感作为负载；

第二放大电路，包括第二晶体管和第三晶体管；所述第二晶体管用于输入经过所述第一放大电路放大后的交流信号，所述第二晶体管与所述第三晶体管的相互级联，所述第三晶体管的负载处输出放大后的交流信号。

6.根据权利要求5所述的一种毫米波可重构低噪声放大器，其特征在于，所述第一放大电路还包括第三电感，所述第三电感的一端连接所述第一晶体管漏极，所述第三电感的另一端连接所述第一可变电感的第二端。

7.根据权利要求5所述的一种毫米波可重构低噪声放大器，其特征在于，所述第二放大电路还包括第四电感和第五电感，所述第四电感一端连接所述第一晶体管的栅极，所述第四电感另一端作为所述毫米波可重构低噪声放大器的输入端；所述第五电感的一端连接所述第一晶体管的源极，所述第五电感的另一端接地。

8.根据权利要求1所述的一种毫米波可重构低噪声放大器，其特征在于，所述第二放大电路还包括低耦合变压器，所述低耦合变压器包括第六电感和第七电感；

所述第六电感的正端连接所述第二晶体管的漏极，所述第六电感的负端连接所述第三晶体管的源极；所述第七电感的正端连接所述第三晶体管的栅极，所述第七电感的负端连接电源电压。

9.根据权利要求5-8任一项所述的一种毫米波可重构低噪声放大器，其特征在于，所述毫米波可重构低噪声放大器还包括第二可变电感；

所述第二可变电感采用如权利要求1-4任一项所述的电感切换模块来实现，所述第二可变电感的第一端连接电源电压，所述第二可变电感的第二端连接所述第三晶体管的漏极。

10.一种芯片，其特征在于，包括如权利要求1-4任一项所述的电感切换模块或者如权利要求5-9任一项所述的毫米波可重构低噪声放大器。

11.一种电子设备，其特征在于，包括外壳、***电路板，所述***电路板包括如权利要求10所述的芯片。