CN117934454A - 发光单元检测方法、装置、电子设备及存储介质 - Google Patents

发光单元检测方法、装置、电子设备及存储介质 Download PDF

Info

Publication number
CN117934454A
CN117934454A CN202410304466.4A CN202410304466A CN117934454A CN 117934454 A CN117934454 A CN 117934454A CN 202410304466 A CN202410304466 A CN 202410304466A CN 117934454 A CN117934454 A CN 117934454A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
light intensity
emitting unit
intensity distribution
detection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202410304466.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN117934454B (zh
Inventor
柯链宝
张海裕
汪伟
毕海
何兆铭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ji Hua Laboratory
Original Assignee
Ji Hua Laboratory
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ji Hua Laboratory filed Critical Ji Hua Laboratory
Priority to CN202410304466.4A priority Critical patent/CN117934454B/zh
Priority claimed from CN202410304466.4A external-priority patent/CN117934454B/zh
Publication of CN117934454A publication Critical patent/CN117934454A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN117934454B publication Critical patent/CN117934454B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种发光单元检测方法、装置、电子设备及存储介质,属于发光元件检测技术领域,该方法包括:获取成像***中点光源的光强分布信息;根据所述光强分布信息,确定发光单元的光强响应信息;根据所述光强响应信息构建校正函数;基于所述校正函数对所述成像***生成的检测图像进行校正处理,得到校正图像。本发明通过考虑毗邻效应在发光单元批量检测中的影响,实现了提升发光单元批量检测准确度的技术效果。

Description

发光单元检测方法、装置、电子设备及存储介质
技术领域
本发明涉及发光元件检测技术领域,尤其涉及一种发光单元检测方法、装置、电子设备及存储介质。
背景技术
发光单元是显示设备的重要组成部分,包括光致发光和电致发光这些不同原理的发光类型。要保证显示设备的显示质量,就需要对发光单元进行检测,确保其发光强度等性能达标。
在新型显示高端制造行业,发光单元的发光强度一致性的要求在±3%左右,而检测过程中容易出现亮度较低的缺陷/边缘等区域过检,而亮度较强的区域漏检等问题,导致发光强度一致性检测的检测准确度较低。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种发光单元检测方法、装置、电子设备及存储介质,旨在解决因过检或漏检导致发光单元的发光强度一致性检测准确度低的技术问题。
为实现上述目的,本发明提供一种发光单元检测方法,该方法包括:
获取成像***中点光源的光强分布信息;
根据所述光强分布信息,确定标记单元的光强响应信息,所述标记单元包括至少一个发光单元;
根据所述光强响应信息构建校正函数;
基于所述校正函数对所述成像***生成的检测图像进行校正处理,得到校正图像。
可选地,所述获取成像***中点光源的光强分布信息的步骤包括:
确定所述点光源的发光性质;
根据所述发光性质,确定与所述点光源的光强分布适配的光强分布函数,得到所述光强分布信息。
可选地,所述点光源近似为高斯光束,确定所述光强分布函数为:
其中,表示纵向方向,/>表示距离点光源的第/>个像素点,在纵向方向上的光强;P表示光束总功率;/>表示点光源沿着Z方向的1/e2光束半径。
可选地,所述根据所述光强分布信息,确定所述标记单元的光强响应信息的步骤包括:
识别所述标记单元的周围轮廓,根据所述周围轮廓确定所述标记单元所包含的目标点光源;
基于所述目标点光源的光强分布信息,构建所述标记单元的点云扩散函数,得到所述光强响应信息。
可选地,所述根据所述光强响应信息构建校正函数的步骤包括:
根据所述标记单元在基底上的排列情况,对所述标记单元的毗邻单元进行近似处理,以确定所述毗邻单元的位置;
基于所述毗邻单元的光强响应信息,构建所述标记单元的校正函数。
可选地,所述基于所述校正函数对所述成像***生成的检测图像进行校正处理,得到校正图像的步骤包括:
获取所述检测图像,确定所述检测图像中各点光源的光强分布信息;
通过所述校正函数对所述光强分布信息进行校正处理,得到与所述检测图像对应的校正图像。
可选地,在所述基于所述校正函数对所述成像***生成的检测图像进行校正处理,得到校正图像的步骤之后,所述方法还包括:
获取所述校正图像中各发光单元的光强分布情况;
根据所述光强分布情况,识别出发光强度超过预设光强范围的缺陷发光单元。
此外,为实现上述目的,本发明还提供一种发光单元检测装置,所述发光单元检测装置包括:
获取模块,用于获取成像***中点光源的光强分布信息;
确定模块,用于根据所述光强分布信息,确定标记单元的光强响应信息,所述标记单元包括至少一个发光单元;
构建模块,用于根据所述光强响应信息构建校正函数;
校正模块,用于基于所述校正函数对所述成像***生成的检测图像进行校正处理,得到校正图像。
此外,为实现上述目的,本发明还提供一种电子设备,所述电子设备包括:存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的发光单元检测程序,所述发光单元检测程序配置为实现如上文所述的发光单元检测方法的步骤。
此外,为实现上述目的,本发明还提供一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质上存储有发光单元检测程序,所述发光单元检测程序被处理器执行时实现如上文所述的发光单元检测方法的步骤。
本发明实施例提供的发光单元检测方法,获取成像***中点光源的光强分布信息,通过光强分布信息表示点光源在纵向方向上的光强分布,将成像***中的像素视为点光源,确定成像***对像素的响应;根据所述光强分布信息,确定所述标记单元的光强响应信息,标记单元中包括至少一个点光源,光强响应信息可以表示标记单元产生的光扩散;根据所述光强响应信息构建校正函数,通过校正函数描述标记单元的毗邻单元对其检测到的发光强度产生的影响;基于所述校正函数对检测图像进行校正处理,得到校正图像,经过校正处理之后,毗邻单元对标记单元检测到的发光强度的影响被扣除,得到能够准确反映标记单元自身的发光强度的校正图像。在成像***对批量发光单元进行成像,生成检测图像的基础上,通过校正函数消除标记单元的毗邻单元对其检测到的发光强度产生的影响,考虑了毗邻效应在发光单元一致性检测中的影响,从而避免过检和漏检的问题,提升发光单元一致性检测的准确度。
附图说明
图1为本发明实施例方案涉及的硬件运行环境的电子设备的结构示意图;
图2为相关技术中发光单元批量检测设备的检测场景示意图;
图3为本发明发光单元检测方法第一实施例的流程示意图;
图4为本发明实施例涉及的毗邻效应对发光单元光强检测的影响示意图;
图5为本发明实施例涉及的点云扩散函数的分析示意图;
图6为本发明实施例涉及的分析标记单元的毗邻效应影响的示意图;
图7为本发明实施例涉及的校正函数修正前的光强示意图;
图8为本发明实施例涉及的校正函数修正后的光强示意图;
图9为本发明实施例发光单元检测装置的示意图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
在相关技术中,目前的发光单元的检测方法通常只考虑发光单元自身或光致或电致所产生的光,而没有考虑到发光单元毗邻的单元对其所产生的影响。对于新型显示高端制造行业,发光单元发光强度一致性的要求在±3%左右,而毗邻效应所产生的影响最大可达5%,远超行业需求。毗邻效应的影响是随着与发光单元之间距离的增大而减小。毗邻效应会导致检测过程中出现亮度较低的缺陷或边缘等区域过检,而亮度较强的区域漏检等问题。对于目前的检测设备,均忽视了这一因素,导致发光元件的良品率出现问题。
参照图1,图1为本发明实施例方案涉及的硬件运行环境的电子设备结构示意图。
如图1所示,该电子设备可以包括:处理器1001,例如中央处理器(CentralProcessing Unit,CPU),通信总线1002、用户接口1003,网络接口1004,存储器1005。其中,通信总线1002用于实现这些组件之间的连接通信。用户接口1003可以包括显示屏(Display)、输入单元比如键盘(Keyboard),可选用户接口1003还可以包括标准的有线接口、无线接口。网络接口1004可选的可以包括标准的有线接口、无线接口(如无线保真(WIreless-FIdelity,WI-FI)接口)。存储器1005可以是高速的随机存取存储器(RandomAccess Memory,RAM)存储器,也可以是稳定的非易失性存储器(Non-Volatile Memory,NVM),例如磁盘存储器。存储器1005可选的还可以是独立于前述处理器1001的存储装置。
本领域技术人员可以理解,图1中示出的结构并不构成对电子设备的限定,可以包括比图示更多或更少的部件,或者组合某些部件,或者不同的部件布置。
如图1所示,作为一种存储介质的存储器1005中可以包括操作***、网络通信模块、用户接口模块以及发光单元检测程序。
在图1所示的电子设备中,网络接口1004主要用于与其他设备进行数据通信;用户接口1003主要用于与用户进行数据交互;本发明电子设备中的处理器1001、存储器1005可以设置在电子设备中,所述电子设备通过处理器1001调用存储器1005中存储的发光单元检测程序,并执行本发明实施例提供的发光单元检测方法。
图2为相关技术中发光单元批量检测设备的检测场景示意图,如图2所示,发光单元置于成像***的物镜下,其发出的光线通过光路中设置的元件到达CCD(Charge-coupledDevice,电荷耦合器件)处进行成像,生成的图像与实际情况之间存在一定的误差,且探测器收集光信号进行处理。目前对发光单元批量检测设备的检测方式,主要是通过成像***进行批量观测或批量收集发光单元所发射的光信号,将光信号转化成对应的电信号,而后通过计算机直接将相应的电信号对应到所属的发光单元。这一过程中认为在批量检测过程中,相应的光信号皆是由该发光单元所发射的光产生,忽略了毗邻的发光单元发射的光对该发光单元产生的影响,导致发光单元的检测强度与其实际发光强度并不一致。
本发明实施例提供了一种发光单元检测方法,参照图3,图3为本发明一种发光单元检测方法第一实施例的流程示意图。
本实施例中,所述发光单元检测方法包括:
步骤S10,获取成像***中点光源的光强分布信息;
成像***是指在检测过程中生成发光单元的图像的***,其包含用于成像的器件,例如CCD。点光源是一种对成像***中最小像素的近似,可以表达发光单元,本实施例中所指的点光源可以对应成像***中的像素。光强分布信息是指可以表示点光源发出的光的强度分布情况的信息。在发光单元的检测过程中,一般将发光单元置于水平的台面上,成像***的探测器位于发光单元的纵向方向上,此光强分布信息可以通过探测器探测得到。本实施例对进行发光单元检测的设备不做具体限制,此设备至少包括成像***,可以观测到发光单元的光强等性能指标。本实施例对光强分布信息的表现形式不做具体限制,能够表达点光源的光强分布情况即可。在多数情况下,探测器在调试之后就固定不动,因此发光单元与成像***之间在纵向上的距离也相对固定。
本实施例的发光单元检测方法,可以应用在各种不同的发光单元的检测过程中,包括Micro-LED、Mini-LED、OLED、量子点、LED等可以光致或电致发光的单元。
作为一种示例,步骤S10包括:
步骤S11,确定所述点光源的发光性质;
发光性质是指点光源发出的光束的分布性质,例如,点光源的光束分布集中或者分散的性质。具有不同发光性质的点光源,其对于相邻的发光单元的影响不同。对于光束分布较窄的发光单元,相邻的发光单元之间光束的重叠较小,重叠部分的发光强度较小,探测到重叠部分的光强对发光单元自身的影响较小。而对于光束分布分散程度高的发光单元,相邻的发光单元之间光束的重叠较大,重叠部分的光强甚至可能超过单个发光单元自身。针对不同发光性质的点光源,可以采用不同的表达形式。
步骤S12,根据所述发光性质,确定与所述点光源的光强分布适配的光强分布函数,得到所述光强分布信息。
光强分布函数是指表示点光源的光强分布的函数,通过光强分布函数,可以表示距离点光源不同位置处的光强。根据点光源类型的不同,可以采用不同的光强分布函数来进行表达,以适配其发光特点,准确建立对光强分布的近似,得到光强分布信息。
可以理解的是,本实施例采用点光源来表达发光单元仅是一种表述方式,并不表示点光源是表达发光单元的唯一方式,还可以采用多个面光源来表达发光单元,本实施例对表达点光源和发光单元的实施方式不做具体限制。
作为一种示例,点光源可以近似为高斯光束,相应的光强分布函数确定表示为公式1。
公式1:
其中,表示纵向方向,/>表示距离点光源的第/>个像素点,在纵向方向上的光强;P表示光束总功率;/>表示点光源沿着Z方向的1/e2光束半径。/>的表达式如公式2所示。
公式2:
其中,表示最窄处的束腰半径,/>表示高斯光束的瑞利长度中的参数。
束腰是指高斯光束平行传输的位置,束腰半径是指在高斯光束的横截面考察,以最大振幅处为原点,振幅下降到原点处的1/e倍的地方,形成一个圆,此时的半径就是束腰半径。
步骤S20,根据所述光强分布信息,确定标记单元的光强响应信息,所述标记单元包括至少一个发光单元;
在承载发光单元的基底上,发光单元可以按照一定的空间排列规律排列,标记单元是指包含至少一个发光单元的,在基底上具有重复性的单元。可以理解的是,基底上包含多个标记单元,单个标记单元在基底上进行位置移动,得到最终按照规律排布的发光器件。对于基底上的发光单元来说,由于具有排布的规律性,通过了解单个标记单元的光强响应信息,可以得知具有相似性质的其它位置的标记单元的情况。
在一些可实施的方式中,在成像***中,标记单元占据多个像素位置,在将成像***的最小像素视为点光源的基础上,根据点扩散函数(PSF,Point Spread Function)描述成像***对最小像素的响应,构建成像***中标记单元所显现的面光源的点云扩散函数(PCSF,Point Cloud Spread Function),根据PCSF去了解批量检测过程中其他单元对所检测的发光单元的影响。在本实施例中,点扩散函数采用与点光源的光强分布函数相同的表现形式,点云扩散函数表示的是标记单元的范围内的点光源叠加之后的光强,可以在点光源的光强分布函数的基础上进行运算得到。
作为一种示例,步骤S20包括:
步骤S21,识别所述标记单元的周围轮廓,根据所述周围轮廓确定所述标记单元所包含的目标点光源;
周围轮廓是指标记单元在成像***中显现的边界,可以通过识别算法识别标记单元的周围轮廓,确定周围轮廓中包含的目标点光源。目标点光源是指被包含在标记单元的周围轮廓中的点光源。在确定目标点光源之后,标记单元包含的像素数量和各个像素所在位置也可以确定。
在一些可实施的方式中,所使用的识别算法可以包括图像识别算法进行图像分类的算法。在识别过程中,先确定图像中的标记单元,以及标记单元所在的位置,再划分出标记单元的周围轮廓,根据周围轮廓的坐标位置确定目标点光源的坐标范围,以确定标记单元包含的目标点光源。
步骤S22,基于所述目标点光源的光强分布信息,构建所述标记单元的点云扩散函数,得到所述光强响应信息。
在成像***中,标记单元所显现的面光源面积为,其中,/>表示面积,/>表示像素和面积之间的函数关系,/>表示标记单元在成像***中X方向占据的/>个像素,/>表示标记单元在成像***中在Y方向上占据的/>个像素。
图4为毗邻效应对发光单元光强检测的影响示意图,可以看出,在只有单个发光单元发光的情况下,其光强不会受到周围其它发光物体的影响,可以较为准确地检测得到,而在基底上形成发光单元的阵列的情况下,由于发光单元之间的距离相近,取X方向上的一行发光单元检测其光强,不同位置处的发光单元的光强不同,图4中的曲线图横坐标表示位置,纵坐标表示光强,毗邻效应导致发光单元的一致性较差。
根据发光单元和标记单元之间的关系,点云扩散函数是由多个点光源共同作用的结果,则点云扩散函数可以采用如下公式3表示。
公式3:
其中,x,y为点光源在成像***中X方向和Y方向上分别距离x和y个像素数量的点。
图5为点云扩散函数的分析示意图,如图5所示,将成像***中的最小像素视为点光源,采用高斯光束近似,标记单元可视为像素的集合,在点扩散函数的基础上,采用点云扩散函数表示标记单元,可以得到图5中示出的峰,峰的高低表示光强的大小。
步骤S30,根据所述光强响应信息构建校正函数;
校正函数是指对标记单元的光强响应进行校正的函数。实际情况中,发光单元产生的光强可能受到多重因素的影响,使得成像***探测到的光强与真实值存在一定的误差,本实施例考虑待检测发光单元的毗邻单元对其光强产生的影响,以此构建校正函数,对检测到的参数进行校正。
在一些可实施的方式中,每个标记单元具有其光强响应信息,采用点云扩散函数表示,对标记单元周围的毗邻单元产生的影响进行描述,构建校正函数。位于基底上不同位置处的标记单元,其毗邻单元的数量不同,包括3个、5个和8个不等。那么对于不同位置的标记单元,就可以根据毗邻单元的影响不同,对校正函数的形式进行修改。
作为一种示例,步骤S30包括:
步骤S31,根据所述标记单元在基底上的排列情况,对所述标记单元的毗邻单元进行近似处理,以确定所述毗邻单元的位置;
排列情况是指标记单元在基底上的位置排列情况,根据排列情况,可以得知标记单元的毗邻单元的数量。标记单元可能位于基底上的边缘或中间,边缘的标记单元,其毗邻单元的数量少于中间的标记单元。可以根据标记单元的排列情况,对其毗邻单元进行不同的近似处理,确定标记单元和毗邻单元之间的相对位置。
步骤S32,基于所述毗邻单元的光强响应信息,构建所述标记单元的校正函数。
本实施例以毗邻单元为8个为例进行阐述,因此毗邻效应的影响需要综合考虑周围八个毗邻单元所发光对其产生的影响。毗邻单元和标记单元具有相同的性质,其光强响应信息也可以采用点云扩散函数表示。图6为分析标记单元的毗邻效应影响的示意图,如图6所示,其中白色矩形表示标记单元,以标记单元为例,可以近似认为标记单元左上、左下、右上、右下四个标记单元受到其各自周围三个标记单元的毗邻效应影响之和,以四个标记单元为一组,可以分析得到8个毗邻单元产生的影响,得到校正函数RF(RectificationFunction)如下公式4所示。
公式4:
步骤S40,基于所述校正函数对所述成像***生成的检测图像进行校正处理,得到校正图像。
检测图像是指成像***对发光单元进行检测的过程中生成的图像,检测图像可以反映基底上的发光单元在成像***下呈现的发光情况。在工业生产中,单个基底上包括多个发光单元,对发光单元的检测也常使用批量检测的方式,以提高检测效率,那么多个发光单元都被点亮发光进行检测,就无法避免待检测发光单元的毗邻单元产生的毗邻效应的影响。校正图像是与检测图像对应的,经过校正函数处理的图像。校正图像可以更加真实地反映发光单元自身的发光情况,更好地在批量检测中识别出存在缺陷的发光单元。
在一些可实施的方式中,将校正函数嵌入对检测图像进行处理的算法中,作为算法的一部分,在发光单元检测的过程中,成像***对基底上的发光单元进行成像生成检测图像,检测图像输入处理算法中,经过算法的校正处理,得到校正图像。校正图像中,各标记单元的光强排除了毗邻效应的影响,检测出的光强值更加准确,从而可以识别出存在缺陷的发光单元。
作为一种示例,步骤S40包括:
步骤S41,获取所述检测图像,确定所述检测图像中各点光源的光强分布信息;
检测图像由成像***生成,成像***在采集图像的过程中也可以收集其它相关信息。单张检测图像中可以包含多个标记单元,对于进行检测的标记单元,确定标记单元中各点光源的光强分布信息,可以采用光强分布函数表示。
步骤S42,通过所述校正函数对所述光强分布信息进行校正处理,得到与所述检测图像对应的校正图像。
对于检测图像的修正可视为对光强值的修正,因此,校正图像中点光源的光强可以采用如下公式5表示。
公式5:
其中,表示修正后的光强分布函数。
图7为校正函数修正前的光强示意图,图8为校正函数修正后的光强示意图,通过图7和图8的对比可以发现,修正后的标记单元,普遍得到光强减弱,这是因为每个标记单元周围都会存在毗邻单元,存在毗邻效应的影响。而图8中圈出的部分,其对应的标记单元光强明显低于其它位置的标记单元,因此存在缺陷。
在本实施例中,获取成像***中点光源的光强分布信息,通过光强分布信息表示点光源在纵向方向上的光强分布,将成像***中的像素视为点光源,确定成像***对像素的响应;根据所述光强分布信息,确定所述标记单元的光强响应信息,标记单元中包括至少一个点光源,光强响应信息可以表示标记单元产生的光扩散;根据所述光强响应信息构建校正函数,通过校正函数描述标记单元的毗邻单元对其检测到的发光强度产生的影响;基于所述校正函数对检测图像进行校正处理,得到校正图像,经过校正处理之后,毗邻单元对标记单元检测到的发光强度的影响被扣除,得到能够准确反映标记单元自身的发光强度的校正图像。在成像***对批量发光单元进行成像,生成检测图像的基础上,通过校正函数消除标记单元的毗邻单元对其检测到的发光强度产生的影响,考虑了毗邻效应在发光单元一致性检测中的影响,从而避免过检和漏检的问题,提升发光单元一致性检测的准确度。
进一步的,在本发明发光单元检测方法的第二实施例中,该方法包括:
步骤S50,获取所述校正图像中各发光单元的光强分布情况;
光强分布情况可以采用光强值、光强分布函数等表现形式进行表达。在本实施例中,在采用高斯光束近似点光源在纵向上的光强分布的基础上,将校正图像对应的光强图作为光强分布情况的表示。
步骤S60,根据所述光强分布情况,识别出发光强度超过预设光强范围的缺陷发光单元。
预设光强范围是指正常的发光单元的光强所在的范围,包括光强下限值和光强上限值。根据光强分布情况的光强图,可以识别出其中小于光强下限值或大于光强上限值的发光单元,确定其为缺陷发光单元,以进行后续的操作步骤。
在本实施例中,在得到校正图像之后进行进一步的检测,有效识别出基底上存在缺陷的发光单元,帮助提升进行发光单元批量检测的效率。
本发明实施例还提供一种发光单元检测装置,如图9所示,所述发光单元检测装置包括:
获取模块100,用于获取成像***中点光源的光强分布信息;
确定模块200,用于根据所述光强分布信息,确定标记单元的光强响应信息,所述标记单元包括至少一个发光单元;
构建模块300,用于根据所述光强响应信息构建校正函数;
校正模块400,用于基于所述校正函数对所述成像***生成的检测图像进行校正处理,得到校正图像。
可选地,获取模块100还用于:
确定所述点光源的发光性质;
根据所述发光性质,确定与所述点光源的光强分布适配的光强分布函数,得到所述光强分布信息。
可选地,所述点光源近似为高斯光束,获取模块100还用于:
确定所述光强分布函数为:
其中,表示纵向方向,/>表示距离点光源的第/>个像素点,在纵向方向上的光强;P表示光束总功率;/>表示点光源沿着Z方向的1/e2光束半径。
可选地,确定模块200还用于:
识别所述标记单元的周围轮廓,根据所述周围轮廓确定所述标记单元所包含的目标点光源;
基于所述目标点光源的光强分布信息,构建所述标记单元的点云扩散函数,得到所述光强响应信息。
可选地,构建模块300还用于:
根据所述标记单元在基底上的排列情况,对所述标记单元的毗邻单元进行近似处理,以确定所述毗邻单元的位置;
基于所述毗邻单元的光强响应信息,构建所述标记单元的校正函数。
可选地,校正模块400还用于:
获取所述检测图像,确定所述检测图像中各点光源的光强分布信息;
通过所述校正函数对所述光强分布信息进行校正处理,得到与所述检测图像对应的校正图像。
可选地,发光单元检测装置还包括识别单元,用于:
获取所述校正图像中各发光单元的光强分布情况;
根据所述光强分布情况,识别出发光强度超过预设光强范围的缺陷发光单元。
本发明实施例还提供一种电子设备,所述电子设备包括:存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的发光单元检测程序,所述发光单元检测程序配置为实现如上文所述的发光单元检测方法的步骤。本发明实施例电子设备的具体实施方式参见上述发光单元检测方法各实施例,在此不再赘述。
本发明实施例还提供一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质上存储有发光单元检测程序,所述发光单元检测程序被处理器执行时实现如上文所述的发光单元检测方法的步骤。本发明实施例计算机可读存储介质的具体实施方式参见上述发光单元检测方法各实施例,在此不再赘述。
需要说明的是,在本文中,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者***不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还 包括为这种过程、方法、物品或者***所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括该要素的过程、 方法、物品或者***中还存在另外的相同要素。
上述本发明实施例序号仅为了描述,不代表实施例的优劣。
通过以上的实施方式的描述,本领域的技术人员可以清楚地了解到上述 实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现,当然也可以通 过硬件,但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解,本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体 现出来,该计算机软件产品存储在如上所述的一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中,包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是手机,计算机,服务器,或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。
以上仅为本发明的优选实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种发光单元检测方法,其特征在于,所述发光单元检测方法包括以下步骤:
获取成像***中点光源的光强分布信息;
根据所述光强分布信息,确定标记单元的光强响应信息,所述标记单元包括至少一个发光单元;
根据所述光强响应信息构建校正函数;
基于所述校正函数对所述成像***生成的检测图像进行校正处理,得到校正图像。
2.如权利要求1所述的发光单元检测方法,其特征在于,所述获取成像***中点光源的光强分布信息的步骤包括:
确定所述点光源的发光性质;
根据所述发光性质,确定与所述点光源的光强分布适配的光强分布函数,得到所述光强分布信息。
3.如权利要求2所述的发光单元检测方法,其特征在于,所述点光源近似为高斯光束,确定所述光强分布函数为:
其中,表示纵向方向,/>表示距离点光源的第/>个像素点,在纵向方向上的光强;P表示光束总功率;/>表示点光源沿着Z方向的1/e2光束半径。
4.如权利要求1所述的发光单元检测方法,其特征在于,所述根据所述光强分布信息,确定标记单元的光强响应信息的步骤包括:
识别所述标记单元的周围轮廓,根据所述周围轮廓确定所述标记单元所包含的目标点光源;
基于所述目标点光源的光强分布信息,构建所述标记单元的点云扩散函数,得到所述光强响应信息。
5.如权利要求1所述的发光单元检测方法,其特征在于,所述根据所述光强响应信息构建校正函数的步骤包括:
根据所述标记单元在基底上的排列情况,对所述标记单元的毗邻单元进行近似处理,以确定所述毗邻单元的位置;
基于所述毗邻单元的光强响应信息,构建所述标记单元的校正函数。
6.如权利要求1所述的发光单元检测方法,其特征在于,所述基于所述校正函数对所述成像***生成的检测图像进行校正处理,得到校正图像的步骤包括:
获取所述检测图像,确定所述检测图像中各点光源的光强分布信息;
通过所述校正函数对所述光强分布信息进行校正处理,得到与所述检测图像对应的校正图像。
7.如权利要求1-6中任一项所述的发光单元检测方法,其特征在于,在所述基于所述校正函数对所述成像***生成的检测图像进行校正处理,得到校正图像的步骤之后,所述方法还包括:
获取所述校正图像中各发光单元的光强分布情况;
根据所述光强分布情况,识别出发光强度超过预设光强范围的缺陷发光单元。
8.一种发光单元检测装置,其特征在于,所述发光单元检测装置包括:
获取模块,用于获取成像***中点光源的光强分布信息;
确定模块,用于根据所述光强分布信息,确定标记单元的光强响应信息,所述标记单元包括至少一个发光单元;
构建模块,用于根据所述光强响应信息构建校正函数;
校正模块,用于基于所述校正函数对所述成像***生成的检测图像进行校正处理,得到校正图像。
9.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括:存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的发光单元检测程序,所述发光单元检测程序配置为实现如权利要求1至7中任一项所述的发光单元检测方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质上存储有发光单元检测程序,所述发光单元检测程序被处理器执行时实现如权利要求1至7中任一项所述的发光单元检测方法的步骤。
CN202410304466.4A 2024-03-18 发光单元检测方法、装置、电子设备及存储介质 Active CN117934454B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202410304466.4A CN117934454B (zh) 2024-03-18 发光单元检测方法、装置、电子设备及存储介质

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202410304466.4A CN117934454B (zh) 2024-03-18 发光单元检测方法、装置、电子设备及存储介质

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN117934454A true CN117934454A (zh) 2024-04-26
CN117934454B CN117934454B (zh) 2024-07-16

Family

ID=

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110254924A1 (en) * 2009-11-27 2011-10-20 Thales Optronic system and method dedicated to identification for formulating three-dimensional images
CN103399298A (zh) * 2013-07-30 2013-11-20 中国科学院深圳先进技术研究院 一种基于光强度的多传感器室内定位装置与方法
CN103646387A (zh) * 2013-12-16 2014-03-19 威海华菱光电股份有限公司 图像修正方法和装置
CN108088845A (zh) * 2017-12-07 2018-05-29 武汉精测电子集团股份有限公司 一种基于微弱信息保留的成像校正方法与装置
CN111121722A (zh) * 2019-12-13 2020-05-08 南京理工大学 结合激光点阵和偏振视觉的双目三维成像方法
US20210327024A1 (en) * 2018-03-13 2021-10-21 Boe Technology Group Co., Ltd. Image stitching method, image stitching apparatus, display apparatus, and computer product
CN114485938A (zh) * 2022-01-25 2022-05-13 中国科学院合肥物质科学研究院 一种光谱成像ccd的prnu评价方法及存储介质
CN115297267A (zh) * 2022-06-17 2022-11-04 北京极豪科技有限公司 一种用于校准图像采集模组曝光时长的方法以及装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110254924A1 (en) * 2009-11-27 2011-10-20 Thales Optronic system and method dedicated to identification for formulating three-dimensional images
CN103399298A (zh) * 2013-07-30 2013-11-20 中国科学院深圳先进技术研究院 一种基于光强度的多传感器室内定位装置与方法
CN103646387A (zh) * 2013-12-16 2014-03-19 威海华菱光电股份有限公司 图像修正方法和装置
CN108088845A (zh) * 2017-12-07 2018-05-29 武汉精测电子集团股份有限公司 一种基于微弱信息保留的成像校正方法与装置
US20210327024A1 (en) * 2018-03-13 2021-10-21 Boe Technology Group Co., Ltd. Image stitching method, image stitching apparatus, display apparatus, and computer product
CN111121722A (zh) * 2019-12-13 2020-05-08 南京理工大学 结合激光点阵和偏振视觉的双目三维成像方法
CN114485938A (zh) * 2022-01-25 2022-05-13 中国科学院合肥物质科学研究院 一种光谱成像ccd的prnu评价方法及存储介质
CN115297267A (zh) * 2022-06-17 2022-11-04 北京极豪科技有限公司 一种用于校准图像采集模组曝光时长的方法以及装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101868379B1 (ko) 검사 영상들 내의 분류를 위한 시스템, 방법 및 컴퓨터 프로그램 제품
US20080181458A1 (en) Light intensity measurement method and light intensity measurement system
KR20120014886A (ko) 검사 레시피 생성 및 검사 레시피를 기반으로 한 검사
US20120097848A1 (en) Scanning incremental focus microscopy
US11880971B2 (en) Inspection method and system
KR100960543B1 (ko) 미지 품질의 패턴을 사용하여 기준 이미지를 생성하기 위한시스템 및 방법
CN114429915A (zh) 提高晶圆检测灵敏度的方法、装置以及存储介质
CN117934454B (zh) 发光单元检测方法、装置、电子设备及存储介质
KR101068356B1 (ko) 화상처리를 이용한 디스플레이 패널의 픽셀 불량 검사 방법
JP2016156817A (ja) パターン計測装置、自己組織化リソグラフィに用いられる高分子化合物の評価方法、及びコンピュータープログラム
US20150002651A1 (en) Scanning-electron-microscope image processing device and scanning method
CN117934454A (zh) 发光单元检测方法、装置、电子设备及存储介质
US11862445B2 (en) Imaging mass spectrometer
CN109819242B (zh) 一种flare测试方法、***及可读存储介质
US10957035B2 (en) Defect classification by fitting optical signals to a point-spread function
TW202115762A (zh) 使用基於擴散模型以數值化補償sem誘發充電
CN113706508B (zh) 光束质量分析方法、设备、光束分析***及存储介质
CN116026835A (zh) 辅料自动检测装置、方法及***
KR20140012485A (ko) 평판 검사 방법 및 장치
CN111795987B (zh) 使用来自次级显微镜检测器的图像从初级显微镜检测器自动生成标记图像
WO2017203554A1 (ja) 検査用情報生成装置、検査用情報生成方法、及び欠陥検査装置
JP2002014062A (ja) パターン検査方法およびその装置
JP2012063327A (ja) 欠陥検査装置及びその方法並びに欠陥検査プログラム
KR20100085330A (ko) 발광소자의 전류분산을 평가하는 방법 및 이를 이용한 평가시스템
CN109378277B (zh) 一种基板图案阵列的完整性检测方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant