CN117908599A - 一种用于动态控制湿式蚀刻工艺的温度的方法和设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用于动态控制湿式蚀刻工艺的温度的方法和设备，方法包括：对蚀刻池中的反应液体进行多点位温度检测，获得温度分布数据获得蚀刻池的进液速率和出液速率，获得蚀刻池的液体交换速率的速率变化数据；将温度分布数据与标准温度三维模型相比较，判断是否满足温度调整条件，若不满足，不对蚀刻池内的反应液体进行温度调整；若满足执行步骤：温度控制模块根据蚀刻池的速率变化数据以及监测到的多点位温度分布数据计算调整温度，加热模块按照计算出的调整温度进行相应点位的加热，以使得设定数量的点位的检测温度与相应的点位的标准温度之间的差值小于等于设定的差值阈值。通过调整蚀刻池不同区域的温度对蚀刻工艺的进程进行精确控制。
Description
技术领域
本发明涉及湿式蚀刻技术领域，具体涉及一种用于动态控制湿式蚀刻工艺的温度的方法和设备。
背景技术
湿式蚀刻过程的原理是利用化学溶液将固体材料转化为液体化合物，选择性非常高，因为所使用的化学物质可以非常精确地适应于单个薄膜。对于大多数溶液的选择性大于100：1。液体化学必须满足以下要求：掩模层不能攻击选择性必须高蚀刻过程必须能够停止稀释水反应产物必须是气态，因为他们可以阴影其他区域恒定蚀刻率整个过程反应产物必须溶解，以避免颗粒环境安全和易于处置是必要的。
在蚀刻池中对反应液体的温度控制需要进行精确的控制，但现有技术一般是对蚀刻池中反应液体进行整体控制，其温度控制的精度并不高。
发明内容
本发明提供一种用于动态控制湿式蚀刻工艺的温度的方法和设备，以解决现有技术中存在的上述问题。
本发明提供一种用于动态控制湿式蚀刻工艺的温度的方法，该用于动态控制湿式蚀刻工艺的温度的方法包括：
本申请提供一种用于动态控制湿式蚀刻工艺的温度的方法，该方法包括：
S100，对蚀刻池中的反应液体进行多点位温度检测，获得温度分布数据；
S200，获得蚀刻池的进液速率和出液速率，获得蚀刻池的液体交换速率的速率变化数据；
S300，将温度分布数据与标准温度三维模型相比较，判断是否满足温度调整条件，若满足执行步骤S400；若不满足，不对蚀刻池内的反应液体进行温度调整；
S400，温度控制模块根据蚀刻池的速率变化数据以及监测到的多点位温度分布数据计算调整温度，加热模块按照计算出的调整温度进行相应点位的加热，以使得设定数量的点位的检测温度与相应的点位的标准温度之间的差值小于等于设定的差值阈值。
优选的，所述S100包括：
S101，在蚀刻池中划分不同的区域，每个区域通过所述蚀刻池的子加热模块进行温度调整；
S102，针对每个区域，在每个区域设定预设数量的监测点位；
S103，根据每个区域设定的监测点位，确定每个区域的子温度分布数据；
S104，将所有区域的子温度分布数据汇总，构成蚀刻池的温度分度数据。
优选的，所述S103包括：
S1031，将每个区域的中心位置设定为相应区域的最佳蚀刻位置；所述最佳蚀刻位置用于将待蚀刻晶圆放置在该位置进行蚀刻；
S1032，在每个区域内，建立中心位置与周围各监测点位之间的映射关系；
S1033，若监测点位与中心位置重合，则将中心位置的监测到的温度设定为中心位置的区域中心温度；
S1034，若监测点位与中心位置不重合，通过监测中心位置与周围各监测点位之间的映射关系确定中心位置的区域中心温度；
S1035，为每个区域建立空间温度分度模型，根据每个区域的监测点位的分布情况得出每个区域的子温度分布数据，所述子温度分布数据包括中心位置的区域中心温度。
优选的，所述S200包括：
S201，监测蚀刻池的进液口的进液速率，监测蚀刻池的出液口的出液速率；
S202，根据监测的进液速率和出液速率确定在监测温度时刻之前的液体交换速率；
S203，根据液体交换速率确定液体交换速率的速率变化数据。
优选的，所述S300包括：构建标准温度三维模型，构建标准温度三维模型采用如下步骤：
S301，在蚀刻池中预设点位作为蚀刻位置；
S302，以蚀刻位置的温度范围为基准，计算蚀刻位置周围的动态温度变化规律以及周围的动态温度变化对蚀刻位置的温度的对应关系；
S303，根据对应关系，确定标准温度三维模型中的空间内的温度分布情况。
优选的，所述S300中，判断是否满足温度调整条件，包括：
S304，判断温度分布数据中每个监测点位的温度与标准温度三维模型中对应的位置的温度之差是否小于等于差值阈值；
S305，若小于等于差值阈值，则不满足温度调整条件，若大于差值阈值，则满足温度调整条件。
优选的，所述S400包括：
S401，根据蚀刻池的速率变化数据确定进液速率和出液速率对温度分布数据的温度差值映射关系；
S402，确定蚀刻池中的反应液体的散热分布数据；
S403，根据温度差值映射关系、散热分布数据以及蚀刻池中每个点位的标准数据，计算出调整温度；
S404，加热模块根据调整温度对相应的点位进行加热，调整蚀刻池中反应液体的整体温度分布数据，保证设定数量的点位的检测温度与相应的点位的标准温度之间的差值小于等于设定的差值阈值。
优选的，所述S400还包括：
S405，确定加热模块的子加热模块的位置分布，每个子加热模块对应蚀刻池相应的区域；
S406，通过温度控制模块对每个子加热模块进行单独控制，控制每个子加热模块的加热调整温度。
优选的，所述S406包括：
S4061，获取调整温度的第一正向值；所述第一正向值指调整温度为温度增加；
S4062，判断所述调整温度的第一正向值是否小于等于设定的初始预设值；
S4063，若所述调整温度的第一正向值小于等于设定的初始预设值，根据初始映射关系确定当前的调控参数；当所述调整温度的正向值大于所述初始预设值时，根据次级映射关系确定当前的调控参数；所述初始映射关系和所述次级映射关系通过控制规则获取；
S4064，获取蚀刻池整体温度与标准温度之间差值的第二正向值；所述第二正向值指蚀刻池整体温度大于标准温度；
S4065，判断所述第二正向值是否小于等于最终预设值；
S4066，当所述第二正向值小于等于所述最终预设值，获取当前的调控参数的修正参数；根据所述修正参数和所述当前的调控参数确定当前的最终调控参数。
本申请还提供一种用于动态控制湿式蚀刻工艺的温度的设备，该设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有能够被所述处理器执行的计算机可执行指令，所述处理器执行所述计算机可执行指令以实现上述用于动态控制湿式蚀刻工艺的温度的方法。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
本发明提供一种用于动态控制湿式蚀刻工艺的温度的方法和设备，其中，方法包括：对蚀刻池中的反应液体进行多点位温度检测，获得温度分布数据获得蚀刻池的进液速率和出液速率，获得蚀刻池的液体交换速率的速率变化数据；将温度分布数据与标准温度三维模型相比较，判断是否满足温度调整条件，若不满足，不对蚀刻池内的反应液体进行温度调整；若满足执行步骤：温度控制模块根据蚀刻池的速率变化数据以及监测到的多点位温度分布数据计算调整温度，加热模块按照计算出的调整温度进行相应点位的加热，以使得设定数量的点位的检测温度与相应的点位的标准温度之间的差值小于等于设定的差值阈值。本方案通过对多点的温度进行监控并调整，保证蚀刻池中每个点位都可以精确的控制，并且可以根据进液出液对温度的影响，进一步计算调整温度，以保证调整后的温度达到蚀刻晶圆时所需的温度，并且，由于反应液体的温度越高，蚀刻速度越快，本方案在同一蚀刻池中可以进行不同温度的晶圆蚀刻，针对不同蚀刻工艺所需时间不同，通过调整同一蚀刻池的不同区域的温度进一步对蚀刻工艺的进程进行精确控制。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1为本发明实施例中一种用于动态控制湿式蚀刻工艺的温度的方法的流程图；
图2为本发明实施例中获得温度分布数据的方法流程图；
图3为本发明实施例中构建标准温度三维模型的方法流程图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例提供了一种用于动态控制湿式蚀刻工艺的温度的方法，请参照图1，该方法包括：
S100，对蚀刻池中的反应液体进行多点位温度检测，获得温度分布数据；
S200，获得蚀刻池的进液速率和出液速率，获得蚀刻池的液体交换速率的速率变化数据；
S300，将温度分布数据与标准温度三维模型相比较，判断是否满足温度调整条件，若满足执行步骤S400；若不满足，不对蚀刻池内的反应液体进行温度调整；
S400，温度控制模块根据蚀刻池的速率变化数据以及监测到的多点位温度分布数据计算调整温度，加热模块按照计算出的调整温度进行相应点位的加热，以使得设定数量的点位的检测温度与相应的点位的标准温度之间的差值小于等于设定的差值阈值。
上述技术方案的工作原理及有益效果为：本实施例采用的方案是S100，对蚀刻池中的反应液体进行多点位温度检测，获得温度分布数据；S200，获得蚀刻池的进液速率和出液速率，获得蚀刻池的液体交换速率的速率变化数据；S300，将温度分布数据与标准温度三维模型相比较，判断是否满足温度调整条件，若满足执行步骤S400；若不满足，不对蚀刻池内的反应液体进行温度调整；S400，温度控制模块根据蚀刻池的速率变化数据以及监测到的多点位温度分布数据计算调整温度，加热模块按照计算出的调整温度进行相应点位的加热，以使得设定数量的点位的检测温度与相应的点位的标准温度之间的差值小于等于设定的差值阈值。本实施例通过对多点的温度进行监控并调整，保证蚀刻池中每个点位都可以精确的控制，并且可以根据进液出液对温度的影响，进一步计算调整温度，以保证调整后的温度达到蚀刻晶圆时所需的温度，并且，由于反应液体的温度越高，蚀刻速度越快，本实施例提供的方案在同一蚀刻池中可以进行不同温度的晶圆蚀刻，针对不同蚀刻工艺所需时间不同，通过调整同一蚀刻池的不同区域的温度进一步对蚀刻工艺的进程进行精确控制。
在另一实施例中，请参照图2，所述S100包括：
S101，在蚀刻池中划分不同的区域，每个区域通过所述蚀刻池的子加热模块进行温度调整；
S102，针对每个区域，在每个区域设定预设数量的监测点位；
S103，根据每个区域设定的监测点位，确定每个区域的子温度分布数据；
S104，将所有区域的子温度分布数据汇总，构成蚀刻池的温度分度数据。
上述技术方案的工作原理及有益效果为：所述对蚀刻池中的反应液体进行多点位温度检测，获得温度分布数据，采用的具体步骤包括：S101，在蚀刻池中划分不同的区域，每个区域通过所述蚀刻池的子加热模块进行温度调整；S102，针对每个区域，在每个区域设定预设数量的监测点位；S103，根据每个区域设定的监测点位，确定每个区域的子温度分布数据；S104，将所有区域的子温度分布数据汇总，构成蚀刻池的温度分度数据。本实施例提供的方案在同一蚀刻池中可以进行不同温度的晶圆蚀刻，针对不同蚀刻工艺所需时间不同，通过调整同一蚀刻池的不同区域的温度进一步对蚀刻工艺的进程进行精确控制。
在另一实施例中，所述S103包括：
S1031，将每个区域的中心位置设定为相应区域的最佳蚀刻位置；所述最佳蚀刻位置用于将待蚀刻晶圆放置在该位置进行蚀刻；
S1032，在每个区域内，建立中心位置与周围各监测点位之间的映射关系；
S1033，若监测点位与中心位置重合，则将中心位置的监测到的温度设定为中心位置的区域中心温度；
S1034，若监测点位与中心位置不重合，通过监测中心位置与周围各监测点位之间的映射关系确定中心位置的区域中心温度；
S1035，为每个区域建立空间温度分度模型，根据每个区域的监测点位的分布情况得出每个区域的子温度分布数据，所述子温度分布数据包括中心位置的区域中心温度。
上述技术方案的工作原理及有益效果为：所述S103包括：S1031，将每个区域的中心位置设定为相应区域的最佳蚀刻位置；所述最佳蚀刻位置用于将待蚀刻晶圆放置在该位置进行蚀刻；S1032，在每个区域内，建立中心位置与周围各监测点位之间的映射关系；S1033，若监测点位与中心位置重合，则将中心位置的监测到的温度设定为中心位置的区域中心温度；S1034，若监测点位与中心位置不重合，通过监测中心位置与周围各监测点位之间的映射关系确定中心位置的区域中心温度；S1035，为每个区域建立空间温度分度模型，根据每个区域的监测点位的分布情况得出每个区域的子温度分布数据，所述子温度分布数据包括中心位置的区域中心温度。本实施例提供的方案每个区域的温度分布数据不仅包括各监测点位的温度分布情况，还可以确定每个区域的中心位置的中心温度，该中心位置设定为蚀刻位置，因为在中心位置的温度是相对稳定的，保证蚀刻工艺的温度控制的精准性。
在另一实施例中，所述S200包括：
S201，监测蚀刻池的进液口的进液速率，监测蚀刻池的出液口的出液速率；
S202，根据监测的进液速率和出液速率确定在监测温度时刻之前的液体交换速率；
S203，根据液体交换速率确定液体交换速率的速率变化数据。
上述技术方案的工作原理及有益效果为：所述S200包括：S201，监测蚀刻池的进液口的进液速率，监测蚀刻池的出液口的出液速率；S202，根据监测的进液速率和出液速率确定在监测温度时刻之前的液体交换速率；S203，根据液体交换速率确定液体交换速率的速率变化数据。蚀刻池的进口以及出口的液体的流速直接影响进液的量以及出液的量，由于液体量的变化也将直接影响蚀刻池中各个监测点位的温度变化，因此，将这一因素与温度变化之间的映射关系计算调整温度，保证计算和监测的准确性。
在另一实施例中，所述S300包括：构建标准温度三维模型，请参照图3，构建标准温度三维模型采用如下步骤：
S301，在蚀刻池中预设点位作为蚀刻位置；
S302，以蚀刻位置的温度范围为基准，计算蚀刻位置周围的动态温度变化规律以及周围的动态温度变化对蚀刻位置的温度的对应关系；
S303，根据对应关系，确定标准温度三维模型中的空间内的温度分布情况。
上述技术方案的工作原理及有益效果为：所述S300包括：构建标准温度三维模型，构建标准温度三维模型采用如下步骤：S301，在蚀刻池中预设点位作为蚀刻位置；S302，以蚀刻位置的温度范围为基准，计算蚀刻位置周围的动态温度变化规律以及周围的动态温度变化对蚀刻位置的温度的对应关系；S303，根据对应关系，确定标准温度三维模型中的空间内的温度分布情况。通过构建标准温度三维模型的方式构建预设的标准温度，该标准温度可以根据蚀刻工艺的具体需求进行相应的设置及可调，通过模型数据与监测数据对比的方式确定是否需要进行温度调整。
在另一实施例中，所述S300中，判断是否满足温度调整条件，包括：
S304，判断温度分布数据中每个监测点位的温度与标准温度三维模型中对应的位置的温度之差是否小于等于差值阈值；
S305，若小于等于差值阈值，则不满足温度调整条件，若大于差值阈值，则满足温度调整条件。
上述技术方案的工作原理及有益效果为：所述S300中，判断是否满足温度调整条件，包括：S304，判断温度分布数据中每个监测点位的温度与标准温度三维模型中对应的位置的温度之差是否小于等于差值阈值；S305，若小于等于差值阈值，则不满足温度调整条件，若大于差值阈值，则满足温度调整条件。设置温度调整条件，保证每个监测点位的温度与标准温度的偏差在设定的范围内，同时也是为了保证蚀刻工艺过程中的反应液体的精确温度控制。
在另一实施例中，所述S400包括：
S401，根据蚀刻池的速率变化数据确定进液速率和出液速率对温度分布数据的温度差值映射关系；
S402，确定蚀刻池中的反应液体的散热分布数据；
S403，根据温度差值映射关系、散热分布数据以及蚀刻池中每个点位的标准数据，计算出调整温度；
S404，加热模块根据调整温度对相应的点位进行加热，调整蚀刻池中反应液体的整体温度分布数据，保证设定数量的点位的检测温度与相应的点位的标准温度之间的差值小于等于设定的差值阈值。
上述技术方案的工作原理及有益效果为：所述S400包括：S401，根据蚀刻池的速率变化数据确定进液速率和出液速率对温度分布数据的温度差值映射关系；S402，确定蚀刻池中的反应液体的散热分布数据；S403，根据温度差值映射关系、散热分布数据以及蚀刻池中每个点位的标准数据，计算出调整温度；S404，加热模块根据调整温度对相应的点位进行加热，调整蚀刻池中反应液体的整体温度分布数据，保证设定数量的点位的检测温度与相应的点位的标准温度之间的差值小于等于设定的差值阈值。本实施例通过对多点的温度进行监控并调整，保证蚀刻池中每个点位都可以精确的控制，并且可以根据进液出液对温度的影响，进一步计算调整温度，以保证调整后的温度达到蚀刻晶圆时所需的温度，并且，由于反应液体的温度越高，蚀刻速度越快，本实施例提供的方案在同一蚀刻池中可以进行不同温度的晶圆蚀刻，针对不同蚀刻工艺所需时间不同，通过调整同一蚀刻池的不同区域的温度进一步对蚀刻工艺的进程进行精确控制。
在另一实施例中，所述S400还包括：
S405，确定加热模块的子加热模块的位置分布，每个子加热模块对应蚀刻池相应的区域；
S406，通过温度控制模块对每个子加热模块进行单独控制，控制每个子加热模块的加热调整温度。
上述技术方案的工作原理及有益效果为：所述S400还包括：S405，确定加热模块的子加热模块的位置分布，每个子加热模块对应蚀刻池相应的区域；S406，通过温度控制模块对每个子加热模块进行单独控制，控制每个子加热模块的加热调整温度。本实施例通过子加热模块的方式针对不同区域进行加热，该加热可以通过在蚀刻池的池壁设置加热模块的方式，也可以通过红外加热或微波加热的方式进行无接触加热。
在另一实施例中，所述S406包括：
S4061，获取调整温度的第一正向值；所述第一正向值指调整温度为温度增加；
S4062，判断所述调整温度的第一正向值是否小于等于设定的初始预设值；
S4063，若所述调整温度的第一正向值小于等于设定的初始预设值，根据初始映射关系确定当前的调控参数；当所述调整温度的正向值大于所述初始预设值时，根据次级映射关系确定当前的调控参数；所述初始映射关系和所述次级映射关系通过控制规则获取；
S4064，获取蚀刻池整体温度与标准温度之间差值的第二正向值；所述第二正向值指蚀刻池整体温度大于标准温度；
S4065，判断所述第二正向值是否小于等于最终预设值；
S4066，当所述第二正向值小于等于所述最终预设值，获取当前的调控参数的修正参数；根据所述修正参数和所述当前的调控参数确定当前的最终调控参数。
上述技术方案的工作原理及有益效果为：所述S406包括：S4061，获取调整温度的第一正向值；所述第一正向值指调整温度为温度增加；S4062，判断所述调整温度的第一正向值是否小于等于设定的初始预设值；S4063，若所述调整温度的第一正向值小于等于设定的初始预设值，根据初始映射关系确定当前的调控参数；当所述调整温度的正向值大于所述初始预设值时，根据次级映射关系确定当前的调控参数；所述初始映射关系和所述次级映射关系通过控制规则获取；S4064，获取蚀刻池整体温度与标准温度之间差值的第二正向值；所述第二正向值指蚀刻池整体温度大于标准温度；S4065，判断所述第二正向值是否小于等于最终预设值；S4066，当所述第二正向值小于等于所述最终预设值，获取当前的调控参数的修正参数；根据所述修正参数和所述当前的调控参数确定当前的最终调控参数。采用本实施例提供的方案可以实现精准的温度控制以及控制***的参数调整，保证温度调整的准确性。
在另一实施例中，本实施例还提供一种用于动态控制湿式蚀刻工艺的温度的设备，该设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有能够被所述处理器执行的计算机可执行指令，所述处理器执行所述计算机可执行指令以实现上述用于动态控制湿式蚀刻工艺的温度的方法。本实施例通过对多点的温度进行监控并调整，保证蚀刻池中每个点位都可以精确的控制，并且可以根据进液出液对温度的影响，进一步计算调整温度，以保证调整后的温度达到蚀刻晶圆时所需的温度，并且，由于反应液体的温度越高，蚀刻速度越快，本实施例提供的方案在同一蚀刻池中可以进行不同温度的晶圆蚀刻，针对不同蚀刻工艺所需时间不同，通过调整同一蚀刻池的不同区域的温度进一步对蚀刻工艺的进程进行精确控制。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种用于动态控制湿式蚀刻工艺的温度的方法，其特征在于，包括：
S100，对蚀刻池中的反应液体进行多点位温度检测，获得温度分布数据；
S200，获得蚀刻池的进液速率和出液速率，获得蚀刻池的液体交换速率的速率变化数据；
S300，将温度分布数据与标准温度三维模型相比较，判断是否满足温度调整条件，若满足执行步骤S400；若不满足，不对蚀刻池内的反应液体进行温度调整；
S400，温度控制模块根据蚀刻池的速率变化数据以及监测到的多点位温度分布数据计算调整温度，加热模块按照计算出的调整温度进行相应点位的加热，以使得设定数量的点位的检测温度与相应的点位的标准温度之间的差值小于等于设定的差值阈值。
2.根据权利要求1所述的一种用于动态控制湿式蚀刻工艺的温度的方法，其特征在于，所述S100包括：
S101，在蚀刻池中划分不同的区域，每个区域通过所述蚀刻池的子加热模块进行温度调整；
S102，针对每个区域，在每个区域设定预设数量的监测点位；
S103，根据每个区域设定的监测点位，确定每个区域的子温度分布数据；
S104，将所有区域的子温度分布数据汇总，构成蚀刻池的温度分度数据。
3.根据权利要求2所述的一种用于动态控制湿式蚀刻工艺的温度的方法，其特征在于，所述S103包括：
S1031，将每个区域的中心位置设定为相应区域的最佳蚀刻位置；所述最佳蚀刻位置用于将待蚀刻晶圆放置在该位置进行蚀刻；
S1032，在每个区域内，建立中心位置与周围各监测点位之间的映射关系；
S1033，若监测点位与中心位置重合，则将中心位置的监测到的温度设定为中心位置的区域中心温度；
S1034，若监测点位与中心位置不重合，通过监测中心位置与周围各监测点位之间的映射关系确定中心位置的区域中心温度；
S1035，为每个区域建立空间温度分度模型，根据每个区域的监测点位的分布情况得出每个区域的子温度分布数据，所述子温度分布数据包括中心位置的区域中心温度。
4.根据权利要求1所述的一种用于动态控制湿式蚀刻工艺的温度的方法，其特征在于，所述S200包括：
S201，监测蚀刻池的进液口的进液速率，监测蚀刻池的出液口的出液速率；
S202，根据监测的进液速率和出液速率确定在监测温度时刻之前的液体交换速率；
S203，根据液体交换速率确定液体交换速率的速率变化数据。
5.根据权利要求1所述的一种用于动态控制湿式蚀刻工艺的温度的方法，其特征在于，所述S300包括：构建标准温度三维模型，构建标准温度三维模型采用如下步骤：
S301，在蚀刻池中预设点位作为蚀刻位置；
S302，以蚀刻位置的温度范围为基准，计算蚀刻位置周围的动态温度变化规律以及周围的动态温度变化对蚀刻位置的温度的对应关系；
S303，根据对应关系，确定标准温度三维模型中的空间内的温度分布情况。
6.根据权利要求1所述的一种用于动态控制湿式蚀刻工艺的温度的方法，其特征在于，所述S300中，判断是否满足温度调整条件，包括：
S304，判断温度分布数据中每个监测点位的温度与标准温度三维模型中对应的位置的温度之差是否小于等于差值阈值；
S305，若小于等于差值阈值，则不满足温度调整条件，若大于差值阈值，则满足温度调整条件。
7.根据权利要求1所述的一种用于动态控制湿式蚀刻工艺的温度的方法，其特征在于，所述S400包括：
S401，根据蚀刻池的速率变化数据确定进液速率和出液速率对温度分布数据的温度差值映射关系；
S402，确定蚀刻池中的反应液体的散热分布数据；
S403，根据温度差值映射关系、散热分布数据以及蚀刻池中每个点位的标准数据，计算出调整温度；
S404，加热模块根据调整温度对相应的点位进行加热，调整蚀刻池中反应液体的整体温度分布数据，保证设定数量的点位的检测温度与相应的点位的标准温度之间的差值小于等于设定的差值阈值。
8.根据权利要求7所述的一种用于动态控制湿式蚀刻工艺的温度的方法，其特征在于，所述S400还包括：
S405，确定加热模块的子加热模块的位置分布，每个子加热模块对应蚀刻池相应的区域；
S406，通过温度控制模块对每个子加热模块进行单独控制，控制每个子加热模块的加热调整温度。
9.根据权利要求8所述的一种用于动态控制湿式蚀刻工艺的温度的方法，其特征在于，所述S406包括：
S4061，获取调整温度的第一正向值；所述第一正向值指调整温度为温度增加；
S4062，判断所述调整温度的第一正向值是否小于等于设定的初始预设值；
S4063，若所述调整温度的第一正向值小于等于设定的初始预设值，根据初始映射关系确定当前的调控参数；当所述调整温度的正向值大于所述初始预设值时，根据次级映射关系确定当前的调控参数；所述初始映射关系和所述次级映射关系通过控制规则获取；
S4064，获取蚀刻池整体温度与标准温度之间差值的第二正向值；所述第二正向值指蚀刻池整体温度大于标准温度；
S4065，判断所述第二正向值是否小于等于最终预设值；
S4066，当所述第二正向值小于等于所述最终预设值，获取当前的调控参数的修正参数；根据所述修正参数和所述当前的调控参数确定当前的最终调控参数。
10.一种用于动态控制湿式蚀刻工艺的温度的设备，其特征在于，该设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有能够被所述处理器执行的计算机可执行指令，所述处理器执行所述计算机可执行指令以实现权利要求1至9任一项所述用于动态控制湿式蚀刻工艺的温度的方法。
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Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030173351A1 (en) * | 2002-03-15 | 2003-09-18 | Boris Atlas | Semiconductor processing temperature control |
| CN105065914A (zh) * | 2015-07-21 | 2015-11-18 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种湿法刻蚀工艺中刻蚀液输送管路***及输送方法 |
| CN105225982A (zh) * | 2014-05-30 | 2016-01-06 | 盛美半导体设备（上海）有限公司 | 一种半导体加工装置和加工半导体工件的工艺方法 |
| CN107978523A (zh) * | 2016-10-24 | 2018-05-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 多区域差速刻蚀的控制方法 |
| CN207781540U (zh) * | 2018-01-18 | 2018-08-28 | 德淮半导体有限公司 | 一种单片湿法蚀刻工艺的蚀刻液输送装置 |
| CN109326498A (zh) * | 2018-09-04 | 2019-02-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种用于半导体刻蚀设备的温度控制*** |
| CN109473381A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-03-15 | 上海华力微电子有限公司 | 湿法刻蚀清洗设备和方法 |
| CN110491803A (zh) * | 2019-07-19 | 2019-11-22 | 长江存储科技有限责任公司 | 刻蚀装置、刻蚀***及刻蚀方法 |
| CN114063479A (zh) * | 2021-11-12 | 2022-02-18 | 华科电子股份有限公司 | 应用于蚀刻机的多路输出模块的射频电源控制方法及*** |
| CN114121724A (zh) * | 2021-11-04 | 2022-03-01 | 长江存储科技有限责任公司 | 半导体湿法刻蚀装置和半导体设备 |
| CN114267588A (zh) * | 2020-09-16 | 2022-04-01 | 长鑫存储技术有限公司 | 蚀刻工作台的温控方法、装置、电子设备以及存储介质 |
-
2024
- 2024-01-18 CN CN202410069978.7A patent/CN117908599A/zh active Pending
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030173351A1 (en) * | 2002-03-15 | 2003-09-18 | Boris Atlas | Semiconductor processing temperature control |
| CN105225982A (zh) * | 2014-05-30 | 2016-01-06 | 盛美半导体设备（上海）有限公司 | 一种半导体加工装置和加工半导体工件的工艺方法 |
| CN105065914A (zh) * | 2015-07-21 | 2015-11-18 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种湿法刻蚀工艺中刻蚀液输送管路***及输送方法 |
| CN107978523A (zh) * | 2016-10-24 | 2018-05-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 多区域差速刻蚀的控制方法 |
| CN207781540U (zh) * | 2018-01-18 | 2018-08-28 | 德淮半导体有限公司 | 一种单片湿法蚀刻工艺的蚀刻液输送装置 |
| CN109326498A (zh) * | 2018-09-04 | 2019-02-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种用于半导体刻蚀设备的温度控制*** |
| CN109473381A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-03-15 | 上海华力微电子有限公司 | 湿法刻蚀清洗设备和方法 |
| CN110491803A (zh) * | 2019-07-19 | 2019-11-22 | 长江存储科技有限责任公司 | 刻蚀装置、刻蚀***及刻蚀方法 |
| CN114267588A (zh) * | 2020-09-16 | 2022-04-01 | 长鑫存储技术有限公司 | 蚀刻工作台的温控方法、装置、电子设备以及存储介质 |
| CN114121724A (zh) * | 2021-11-04 | 2022-03-01 | 长江存储科技有限责任公司 | 半导体湿法刻蚀装置和半导体设备 |
| CN114063479A (zh) * | 2021-11-12 | 2022-02-18 | 华科电子股份有限公司 | 应用于蚀刻机的多路输出模块的射频电源控制方法及*** |
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