CN117882187A - 半导体装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

半导体装置包括：半导体芯片；支撑体，其具有上表面以及下表面，半导体芯片固定于上表面；封固树脂，其用于对半导体芯片以及支撑体进行封固；以及散热器，其接合于支撑体的下表面，在散热器的上表面形成有凹部，支撑体的下表面经由接合构造接合于凹部的底面，封固树脂进入支撑体以及接合构造中的至少接合构造与凹部的侧面之间的间隙。

Description

半导体装置及其制造方法
技术领域
本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。
背景技术
开发了一种半导体装置，其包括半导体芯片、在上表面固定有半导体芯片的支撑体、用于对半导体芯片以及支撑体进行封固的封固树脂以及接合于支撑体的下表面的散热器(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2018/207856号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在这种半导体装置中，存在支撑体与散热器之间的接合界面经年劣化、散热效果降低这样的课题。
本公开的目的在于提供一种半导体装置及其制造方法，其能够抑制支撑体与散热器之间的接合界面的经年劣化。
用于解决课题的方案
本公开的一个实施方式提供一种半导体装置，其包括：半导体芯片；支撑体，其具有上表面以及下表面，所述半导体芯片固定于所述上表面；封固树脂，其用于对所述半导体芯片以及所述支撑体进行封固；以及散热器，其与所述支撑体的下表面接合，在所述散热器的上表面形成有凹部，所述支撑体的下表面经由接合构造接合于所述凹部的底面，所述封固树脂进入所述支撑体以及所述接合构造中的至少所述接合构造与所述凹部的侧面之间的间隙。
在该结构中，能够抑制支撑体与散热器之间的接合界面的经年劣化。
本公开的一个实施方式提供一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括：半导体芯片；支撑体，其具有上表面以及下表面，所述半导体芯片固定于所述上表面；散热器，其接合于所述支撑体的下表面；以及封固树脂，其对所述半导体芯片以及所述支撑体进行封固，包括：接合所述半导体芯片、所述支撑体以及所述散热器的接合工序；以及通过所述封固树脂对所述半导体芯片以及所述支撑体进行封固的封固工序。
在该制造方法中，能够制造一种能够抑制支撑体与散热器之间的接合界面的经年劣化的半导体装置。
本公开中的上述或其他目的、特征以及效果通过参照附图接下来叙述的实施方式的说明而变得清楚。
附图说明
图1是用于说明本公开的第一实施方式的半导体装置的结构的图解性的剖视图。
图2是图1的A部的放大剖视图。
图3A是表示图1的半导体装置的制造工序的一个例子的剖视图，是与图1的剖切面对应的剖视图。
图3B是表示图3A的下一工序的剖视图。
图3C是表示图3B的下一工序的剖视图。
图3D是表示图3C的下一工序的剖视图。
图4是表示绝缘基板的变形例的放大剖视图。
图5A是表示散热器的变形例的放大剖视图。
图5B是表示散热器的其他变形例的放大剖视图。
图6是表示凹部的侧面的形状的变形例的放大剖视图。
图7是表示凹部的深度的变形例的放大剖视图。
图8是用于说明本公开的第二实施方式的半导体装置的结构的图解性的剖视图。
图9是图8的A部的放大剖视图。
图10是用于说明本发明的第三实施方式的半导体装置的结构的图解性的剖视图。
图11是图10的A部的放大剖视图。
具体实施方式
[本公开的实施方式的说明]
本公开的一个实施方式提供一种半导体装置，其包括：半导体芯片；支撑体，其具有上表面以及下表面，所述半导体芯片固定于所述上表面；封固树脂，其用于对所述半导体芯片以及所述支撑体进行封固；以及散热器，其与所述支撑体的下表面接合，在所述散热器的上表面形成有凹部，所述支撑体的下表面经由接合构造接合于所述凹部的底面，所述封固树脂进入所述支撑体以及所述接合构造中的至少所述接合构造与所述凹部的侧面之间的间隙。
在该结构中，能够抑制支撑体与散热器之间的接合界面的经年劣化。
在本公开的一实施方式中，所述凹部的侧面形成为所述凹部的横截面的面积从所述凹部的底面朝向所述散热器的上表面中的所述凹部的开口逐渐变大的曲面状或倾斜面状。
在本公开的一个实施方式中，所述接合构造包括固相扩散接合片。
在本公开的一个实施方式中，所述固相扩散接合片由Al层、在所述Al层的下表面依次形成有Ni层和Ag层的第一层叠膜以及在所述Al层的上表面依次形成有Ni层和Ag层的第二层叠膜构成。
在本公开的一个实施方式中，所述接合构造包括第一固相扩散接合片、配置于所述第一固相扩散接合片的上侧的第二固相扩散接合片以及设置于所述第一固相扩散接合片与所述第二固相扩散接合片之间的应力缓冲层。
在本公开的一个实施方式中，各所述固相扩散接合片由Al层、在所述Al层的下表面依次形成有Ni层和Ag层的第一层叠膜以及在所述Al层的上表面依次形成有Ni层和Ag层的第二层叠膜构成。
在本公开的一个实施方式中，所述应力缓冲层由CuMo层构成。
在本公开的一实施方式中，所述接合构造包含烧结银。
在本公开的一实施方式中，所述接合构造包含焊料。
在本公开的一个实施方式中，所述支撑体包括绝缘基板以及配置在所述绝缘基板上的金属基板，在所述金属基板的与所述绝缘基板侧相反的一侧的表面固定有所述半导体芯片。
在本公开的一个实施方式中，所述支撑体由绝缘基板构成。
在本公开的一个实施方式中，所述散热器为水冷却器。
在本公开的一个实施方式中，所述散热器为空气冷却器。
在本公开的一个实施方式中，所述散热器由Cu块构成。
本公开的一个实施方式提供一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括：半导体芯片；支撑体，其具有上表面以及下表面，所述半导体芯片固定于所述上表面；散热器，其接合于所述支撑体的下表面；以及封固树脂，其对所述半导体芯片以及所述支撑体进行封固，包括：接合所述半导体芯片、所述支撑体以及所述散热器的接合工序；以及通过所述封固树脂对所述半导体芯片以及所述支撑体进行封固的封固工序。
在该制造方法中，能够制造一种能够抑制支撑体与散热器之间的接合界面的经年劣化的半导体装置。
在所述接合工序中，所述半导体芯片与所述支撑体的接合以及所述支撑体与所述散热器的接合中的至少所述支撑体与所述散热器的接合通过固相扩散接合来进行。
[本公开的实施方式的详细说明]
以下，参照附图对本公开的实施方式进行详细说明。
图1是用于说明本公开的第一实施方式的半导体装置的结构的图解性的剖视图。图2是图1的A部的放大剖视图。为了便于说明，将图1的纸面的左侧称为“左”，将图1的纸面的右侧称为“右”。
半导体装置1是功率模块。半导体装置1包括散热器2、接合于散热器2的上表面的支撑体3、固定于支撑体3的上表面的半导体芯片4A、4B以及对半导体芯片4A、4B以及支撑体3进行封固的封固树脂5。半导体装置1中的除了散热器2以外的主要部分(模块部分)具有长方体形状。
在本实施方式中，散热器2是使冷却水、油等冷却液在形成于散热器2内的孔中流动的水冷却器。
支撑体3包括经由第一接合构造11接合于散热器2的上表面的绝缘基板6以及经由左右一对第二接合构造12A、12B接合于绝缘基板6上的左右一对金属基板7A、7B。
在本实施方式中，绝缘基板6由DBC(Direct Bonded Copper)基板制成，由陶瓷板61、形成于陶瓷板61的下表面的铜箔62以及在陶瓷板61的上表面隔开间隔配置的左右一对铜箔62A、62B构成。
右侧的金属基板7A经由右侧的第二接合构造12A接合于右侧的铜箔62A的上表面。左侧的金属基板7B经由左侧的第二接合构造12B接合于左侧的铜箔62B的上表面。在本实施方式中，金属基板7A、7B由铜基板构成。
在右侧的金属基板7A上，经由第三接合构造13A(右侧的第三接合构造13A)接合有半导体芯片4A。在左侧的金属基板7B上，经由第三接合构造13B(左侧的第三接合构造13B)接合有半导体芯片4B以及后述的间隔件8。右侧的半导体芯片4A是高侧用的开关元件，左侧的半导体芯片4B是低侧用的开关元件。
第一接合构造11、第二接合构造12A、12B以及第三接合构造13A、13B包括固相扩散接合片。即，在该实施方式中，绝缘基板6与散热器2通过固相扩散接合而接合。另外，绝缘基板6与金属基板7A、7B通过固相扩散接合而接合。另外，半导体芯片4A通过固相扩散接合接合于金属基板7A。另外，半导体芯片4B以及间隔件8通过固相扩散接合接合于金属基板7B。
在该实施方式中，如图2所示，固相扩散接合片由Al预成形片构成。Al预成形片包括Al层31、形成于Al层31的下表面的第一层叠膜32以及形成于Al层的上表面的第二层叠膜33。第一层叠膜32由形成于Al层31的下表面的Ni层以及形成于Ni层的下表面的Ag层构成。第二层叠膜33由形成于Al层31的上表面的Ni层以及形成于Ni层的上表面的Ag层构成。
半导体装置1包括配置在左侧的金属基板7B上的间隔件8、连接于间隔件8或半导体芯片4A、4B的布线9以及端子10。端子10包括正极侧电源端子、负极侧电源端子、输出端子、栅极端子等，但在图1中仅出现其一部分。
在散热器2的上表面形成具有在俯视时包围支撑体3的下表面的外周缘(开口缘)的凹部21。并且，支撑体3的下表面(绝缘基板6的下表面)经由第一接合构造11接合于凹部21的底面21a。在本实施方式中，第一接合构造11的大致整体配置于凹部21内。即，凹部21的侧面21b以包围第一接合构造11的外周面的方式配置。
在该实施方式中，凹部21的侧面21b形成为凹部21的横截面的面积从凹部21的底面朝向散热器2的上表面中的凹部21的开口逐渐变大的曲面状。在该实施方式中，如后述那样，凹部21在制造半导体装置1的过程中，更详细而言，在将散热器2、绝缘基板6、金属基板7A、7B、半导体芯片4A、4B以及间隔件8一并接合时形成。
封固树脂5在俯视时具有比支撑体3稍大的四边形状，形成为覆盖端子10的一部分、布线9、支撑体3以及散热器2上表面的支撑体3的附近区域。封固树脂5的一部分进入第一接合构造11以及支撑体3中的配置于凹部21内的部分(在该实施方式中，第一接合构造11的大致整体)与凹部21的侧面21b之间的空间部整个区域。此外，端子10中的从封固树脂5突出的部分成为用于将该端子10连接于外部布线的外部布线连接部。封固树脂5例如由环氧树脂构成。
在本实施方式的半导体装置1中，在散热器2上表面形成有凹部21，支撑体3的下表面经由第一接合构造11接合于凹部21的底面21a。而且，封固树脂5的一部分进入第一接合构造11以及支撑体3中的配置于凹部21内的部分(在该实施方式中，第一接合构造11的大致整体)与凹部21的侧面21b之间的空间部整个区域。由此，所谓的锚固效应发挥作用，封固树脂5难以从散热器2剥离。由此，能够提高散热器2与支撑体3(绝缘基板6)的接合强度。由此，能够抑制支撑体3与散热器2之间的接合界面的经年劣化。
另外，在本实施方式的半导体装置1中，散热器2与支撑体3(绝缘基板6)通过固相扩散接合而接合，因此与它们被焊料接合、银烧制接合的情况相比，能够抑制它们的接合界面的经年劣化。
图3A～图3D是依次表示图1以及图2所示的半导体装置1的制造工序的图解性剖视图，是与图1的切断面对应的剖视图。
首先，如图3A所示，在散热器2上配置用于形成第一接合构造11的Al预成形片91，在Al预成形片91上配置绝缘基板6。绝缘基板6由DBC基板制成，由陶瓷板51、形成于陶瓷板51的下表面的铜箔62以及在陶瓷板51的上表面隔开间隔配置的左右一对铜箔62A、62B构成。
另外，在绝缘基板6的上侧的一对铜箔62A、62B上配置用于形成第二接合构造12A、12B的Al预成形片92A、92B，在Al预成形片92A、92B上配置金属基板7A、7B。
另外，在金属基板7A上配置用于形成第三接合构造13A的Al预成形片93A，在Al预成形片93A上配置半导体芯片4A。进而，在金属基板7B上配置用于形成第三接合构造13B的Al预成形片93B，在Al预成形片93B上配置半导体芯片4B以及间隔件8。
然后，在150℃至400℃的温度环境下，以20MPa以上的压力按压配置在散热器2上的部件。由此，如图3B所示，在散热器2形成凹部21，在凹部21的底面经由包括Al预成形片91的第一接合构造11接合(在本实施方式中为固相扩散接合)绝缘基板6的下表面。另外，在绝缘基板6的上层侧的62A、62B的上表面，经由包括Al预成形片91A、91B的第二接合构造12A、12B接合(在本实施方式中为固相扩散接合)金属基板7A、7B。另外，在金属基板7A的上表面，经由包括Al预成形片93A的第三接合构造13A，接合(在本实施方式中为固相扩散接合)半导体芯片4A。另外，在金属基板7B的上表面，经由包括Al预成形片93B的第三接合构造13B，接合(在本实施方式中为固相扩散接合)半导体芯片4B以及间隔件8。
另外，也可以在时间上分别进行散热器2与绝缘基板6的接合、绝缘基板6与金属基板7A、7B的接合、金属基板7A、7B与半导体芯片4A、4B以及间隔件8的接合。
接着，如图3C所示，布线9接合于半导体芯片4A、4B、间隔件8。
接着，如图3D所示，端子10接合于金属基板7A、7B、布线9等。
最后，以覆盖端子10的一部分、布线9、支撑体3以及散热器2上表面中的支撑体3的附近区域的方式形成封固树脂5。由此，得到图1以及图2所示那样的半导体装置1。
对该制造方法的优点进行说明。在一般的制造方法中，在制造散热器以外的部分(包括封固树脂5的模块部分)之后，将模块部分接合于散热器。若通过固相扩散接合进行模块部分与散热器的接合，则必须将散热器以及模块部分加热至比较高的温度(300℃左右)，因此封固树脂5劣化。因此，在一般的制造方法中，在适于固相扩散接合的温度环境下，难以将散热器2与支撑体3(绝缘基板6)进行固相扩散接合。
相对于此，在本实施方式的制造方法中，在形成封固树脂5之前，将散热器2与支撑体3(绝缘基板6)进行固相扩散接合，因此能够在适于固相扩散接合的温度环境下，将散热器2与支撑体3(绝缘基板6)进行固相扩散接合。由此，能够将散热器2与支撑体3(绝缘基板6)牢固地接合。
此外，也可以进行银烧制接合来代替固相扩散接合散热器2和支撑体3(绝缘基板6)。在该情况下，通过以与图3A～图3D相同的顺序制造半导体装置，也能够在适于银烧制接合的温度环境下，将散热器2与支撑体3(绝缘基板6)进行银烧制接合。由此，能够将散热器2与支撑体3(绝缘基板6)牢固地接合。
另外，在本实施方式的制造方法中，能够使封固树脂5的一部分进入第一接合构造11以及支撑体3中的配置于凹部21内的部分(在本实施方式中为第一接合构造11的大致整体)与凹部21的侧面21b之间的空间部整个区域。由此，所谓的锚固效应发挥作用，封固树脂5难以从散热器2剥离。由此，能够提高散热器2与支撑体3(绝缘基板6)的接合强度。由此，能够抑制支撑体3与散热器2之间的接合界面的经年劣化。
在前述的实施方式中，绝缘基板6由陶瓷板61、形成于陶瓷板61的下表面的铜箔62以及隔开间隔地配置于陶瓷板61的上表面的左右一对铜箔62A、62B构成。
但是，如图4所示，绝缘基板6也可以由沿左右方向隔开间隔地配置的左右一对绝缘基板6A、6B构成。一个绝缘基板6A由DBC基板制成，由陶瓷板61A、形成于陶瓷板61A的下表面的铜箔63A以及形成于陶瓷板61A的上表面的铜箔62A构成。另一个绝缘基板6B由DBC基板制成，由陶瓷板61B、形成于陶瓷板61B的下表面的铜箔63B以及形成于陶瓷板61B的上表面的铜箔62B构成。在图4中，对与图1的各部对应的部分标注与图1相同的附图标记来表示。
另外，在上述的实施方式中，散热器2是水冷却器。但是，如图5A所示，散热器2也可以是带风扇的空气冷却器。另外，如图5B所示，散热器2也可以由铜块构成。在图5A以及图5B中，对与图1的各部对应的部分标注与图1相同的附图标记来表示。
另外，在前述的实施方式中，凹部21的侧面21b形成为凹部21的横截面的面积从凹部21的底面朝向散热器2的上表面中的凹部21的开口逐渐变大的曲面状。但是，如图6所示，凹部21的侧面21b也可以形成为凹部21的横截面的面积从凹部21的底面朝向散热器2的上表面中的凹部21的开口逐渐变大的倾斜面状(锥面状)。
此外，图6是与图2对应的放大剖视图。在图6中，对与图2对应的各部标注与图2相同的附图标记来表示。在该变形例中，封固树脂5的一部分也进入第一接合构造11以及支撑体3中的配置于凹部21内的部分(在图6的例子中为第一接合构造11的大致整体)与凹部21的侧面21b之间的空间部整个区域。
另外，在前述的实施方式中，凹部21的深度与第一接合构造11的厚度大致相等，但凹部21的深度也可以比第一接合构造11的厚度小。另外，如图7所示，凹部21的深度也可以是供第一接合构造11整体以及支撑体3的下端部进入的深度。即，凹部21的深度也可以大于第一接合构造11的厚度。
此外，图7是与图2对应的放大剖视图。在图7中，对与图2对应的各部标注与图2相同的附图标记来表示。在该变形例中，封固树脂5的一部分进入第一接合构造11以及支撑体3中的配置于凹部21内的部分与凹部21的侧面21b之间的空间部整个区域。
图8是用于说明本公开的第二实施方式的半导体装置的结构的图解性的剖视图。图9是图8的A部的放大剖视图。在图8以及图9中，对与图1以及图2对应的各部标注与图1以及图2相同的附图标记来表示。
在第二实施方式的半导体装置1A中，第一接合构造11由配置在散热器2的底面21a上的下侧接合构造41、配置在下侧接合构造41的上方的上侧接合构造42以及介于下侧接合构造41与上侧接合构造42之间的应力缓冲层43构成。下侧接合构造41以及上侧接合构造42分别具有与第一实施方式的半导体装置1的第一接合构造11相同的构造。其他构成与第一实施方式的半导体装置1相同。应力缓冲层43例如由CuMo层构成。
在第二实施方式的半导体装置1A中，封固树脂5的一部分也进入第一接合构造11以及支撑体3中的配置于凹部21内的部分(在图8、图9的例子中为下侧接合构造41的大致整体)与凹部21的侧面21b之间的空间部整个区域。
在第二实施方式中，第一接合构造11包括应力缓冲层43，因此与第一实施方式相比，能够更有效地抑制支撑体3与散热器2之间的接合界面的经年劣化。
图10是用于说明本公开的第三实施方式的半导体装置的结构的图解性的剖视图。图11是图10的A部的放大剖视图。在图10以及图11中，对与图1以及图2对应的各部标注与图1以及图2相同的附图标记来表示。
在第三实施方式的半导体装置1B中，绝缘基板6由绝缘层65以及形成于绝缘层65之下的金属层(金属化层)66构成。并且，在绝缘层65上隔开间隔地配置有金属基板7A和金属基板7B。绝缘层65与金属基板7A、7B不是通过固相扩散接合，而是通过喷镀、气溶胶沉积法等陶瓷涂层来进行。因此，在第三实施方式的半导体装置1B中，不具备第二接合构造12A、12B。其他结构与第一实施方式的半导体装置1相同。
绝缘层65例如由Al2O3层构成。绝缘层65也可以是Si3N4层、AlN层。金属层66例如由Cu层、Ag层、Au层、Ni层、Al层等构成。
在第三实施方式的半导体装置1B中，封固树脂5的一部分也进入第一接合构造11以及支撑体3中的配置于凹部21内的部分(在图10、图11的例子中为第一接合构造11的大致整体)与凹部21的侧面21b之间的空间部整个区域。
在前述的第一实施方式～第三实施方式中，第一接合构造11包括固相扩散接合片，但第一接合构造11也可以包括烧结银或焊料。即，散热器2与支撑体3(绝缘基板6)可以通过银烧制接合而接合，也可以通过焊料接合而接合。
同样地，在前述的第一实施方式～第三实施方式中，第三接合构造13A、13B包括固相扩散接合片，但第三接合构造13A、13B也可以包括烧结银或焊料。即，支撑体3(金属基板7A、7B)与半导体芯片4A、4B可以通过银烧制接合而接合，也可以通过焊料接合而接合。
另外，在第一实施方式以及第二实施方式中，第二接合构造12A、12B包括固相扩散接合片，但第二接合构造12A、12B也可以包括烧结银或焊料。即，绝缘基板6(铜箔62A、62B)与金属基板7A、7B可以通过银烧制接合而接合，也可以通过焊料接合而接合。
在前述的第一实施方式～第三实施方式中，通过将散热器2与支撑体3(绝缘基板6)以压接的状态接合，从而在散热器2的上表面形成凹部21。但是，也可以在将支撑体3(绝缘基板6)接合于散热器2的上表面之前的阶段，在散热器2的上表面形成凹部21。
以上，对本公开的实施方式进行了详细说明，但这些只不过是为了明确本公开的技术内容而使用的具体例，本公开不应限定于这些具体例来解释，本公开的范围仅由所附的技术方案的范围限定。
此申请对应于在2021年9月2日向日本专利局提出的日本特愿2021-143182号，这些申请的全部公开通过引用而编入于此。
符号说明
1、1A、1B—半导体装置，2—散热器，3—支撑体，4A、4B—半导体芯片，5—封固树脂，6、6A、6B—绝缘基板，61、61A、61B—陶瓷板，62、62A、62B、63A、63B—铜箔，7A、7B—金属基板，8—间隔件，9—布线，10—端子，11—第一接合构造，12A、12B—第二接合构造，13A、13B—第三接合构造，21—凹部，21a—底面，21b—侧面，31—Al层，32—第一层叠膜，32—第二层叠膜，41—下侧接合构造，42—上侧接合构造，43—应力缓冲层，91、92A、92B、93A、93B—Al预成形片。

Claims (16)

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
半导体芯片；
支撑体，其具有上表面以及下表面，所述半导体芯片固定于所述上表面；
封固树脂，其用于对所述半导体芯片以及所述支撑体进行封固；以及
散热器，其与所述支撑体的下表面接合，
在所述散热器的上表面形成有凹部，
所述支撑体的下表面经由接合构造接合于所述凹部的底面，
所述封固树脂进入所述支撑体以及所述接合构造中的至少所述接合构造与所述凹部的侧面之间的间隙。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述凹部的侧面形成为所述凹部的横截面的面积从所述凹部的底面朝向所述散热器的上表面中的所述凹部的开口逐渐变大的曲面状或倾斜面状。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述接合构造包括固相扩散接合片。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
所述固相扩散接合片由Al层、在所述Al层的下表面依次形成有Ni层和Ag层的第一层叠膜以及在所述Al层的上表面依次形成有Ni层和Ag层的第二层叠膜构成。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述接合构造包括第一固相扩散接合片、配置于所述第一固相扩散接合片的上侧的第二固相扩散接合片以及设置于所述第一固相扩散接合片与所述第二固相扩散接合片之间的应力缓冲层。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
各所述固相扩散接合片由Al层、在所述Al层的下表面依次形成有Ni层和Ag层的第一层叠膜以及在所述Al层的上表面依次形成有Ni层和Ag层的第二层叠膜构成。
7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，
所述应力缓冲层由CuMo层构成。
8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述接合构造包括烧结银。
9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述接合构造包括焊料。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述支撑体包括绝缘基板和配置在所述绝缘基板上的金属基板，
在所述金属基板的与所述绝缘基板侧相反的一侧的表面固定有所述半导体芯片。
11.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述支撑体由绝缘基板构成。
12.根据权利要求1～12中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述散热器是水冷却器。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述散热器是空气冷却器。
14.根据权利要求1～12中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述散热器由Cu块构成。
15.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置包括：半导体芯片；支撑体，其具有上表面以及下表面，所述半导体芯片固定于所述上表面；散热器，其接合于所述支撑体的下表面；以及封固树脂，其对所述半导体芯片以及所述支撑体进行封固，该半导体装置的制造方法的特征在于，包括下述工序：
接合所述半导体芯片、所述支撑体以及所述散热器的接合工序；以及
通过所述封固树脂对所述半导体芯片以及所述支撑体进行封固的封固工序。
16.根据权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述接合工序中，所述半导体芯片与所述支撑体的接合以及所述支撑体与所述散热器的接合中的至少所述支撑体与所述散热器的接合通过固相扩散接合来进行。
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