CN117826524A - 一种opc修正方法、装置及掩膜版结构 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种OPC修正方法、装置及掩膜板结构，应用于半导体技术领域。其首先对测试版图中的正方形图形进行辅助图形添加，并得到第一仿真图形，然后利用预设公式分别为正方形图形设置一图形形貌参数，以确定出周边区域添加有辅助图形后的正方形图形的实际曝光图形与圆形图形的相似度，即评估出通孔结构在周边环境影响下的整体形貌，然后筛选出实际曝光图形与圆形图形相比相差较大的正方形图形，并将其沿着仿真图形上关键尺寸CD偏小的方向旋转，从而弥补通孔结构所对应的正方形图形在OPC修正中其周边环境的不对称对其形貌的影响，进而实现了降低芯片部件与其他芯片部件发生短接的风险，以实现提高半导体器件性能的稳定性的目的。

Description

一种OPC修正方法、装置及掩膜版结构

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种OPC修正方法、装置及掩膜版结构。

背景技术

通常，在版图刻印在掩模版上之前，需要先采用OPC修正方法对版图进行修正，防止在光刻过程中产生光学邻近效应 (Optical Proximity Effect，OPE)，即避免刻印在硅片上的图形与设计不一致而产生图形失真。尤其是在90nm及以下节点的光刻工艺中，OPC修正更是必不可少。

目前，在利用OPC模型对版图上的图形进行OPC修正之后，还会利用OPC模型中的光刻规则检查LRC（Lithography Rule Check）检验OPC修正后的版图图形与该图形的目标值之间的差别，以查找出不符合预先设定规格的版图图形，并对其再次进行OPC修正，直至符合预先设定规格。

具体地说，在光刻工艺中，孔层次的成像是通过光源照射到掩模板上的正方形图形后，在硅片上形成圆形的孔（通孔结构）的图像。

然而，由于通孔结构所对应的正方形图形在OPC修正中主要受到难以控制的周围环境的影响，且其整体形貌并不会体现在通孔结构的关键尺寸CD上，因此，即使OPC修正后的正方形图形在曝光后其沿X方向和Y方向上的光刻实际关键尺寸CD均能达到目标值，但其整体形貌则并不一定是圆形，而形状不是圆形的通孔结构，例如椭圆形的通孔，则增大了通孔结构所连接的芯片部件与其他芯片部件发生短接的风险，即降低了半导体器件性能的稳定性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种OPC修正方法、装置及掩膜版结构，以弥补测试版图上通孔结构所对应的正方形图形在OPC修正中其周边环境的不对称对其曝光后的形貌的影响，进而实现了降低通孔结构所连接的芯片部件与其他芯片部件发生短接的风险，以及提高半导体器件性能的稳定性的目的。

第一方面，为解决上述技术问题，本发明提供一种OPC修正方法，包括：

对测试版图中的多个正方形图形进行OPC修正，以得到每一个所述正方形图形的第一仿真图形，其中所述正方形图形为用于在硅片上形成圆形通孔结构的版图图形。

针对每一个所述正方形图形及其对应的第一仿真图形，利用预设公式，分别计算每一个所述正方形图形的图形形貌参数，其中所述图形形貌参数用于表征所述第一仿真图形与圆形图形的相似度。

将每一个所述正方形图形的图形形貌参数与参数阈值进行比较，并将图形形貌参数大于所述参数阈值的正方形图形旋转一预设角度，以使各个旋转角度后的正方形图形所对应的第二仿真图形为圆形图形。

进一步的，对测试版图中的多个正方形图形进行OPC修正的步骤，具体可以包括：按照预设的辅助图形添加规则，在所述正方形图形的周围区域内添加相应的辅助图形，并对添加了所述辅助图形的测试版图进行光刻仿真，以得到每一个所述正方形图形在硅片上的实际曝光图形，即所述第一仿真图形。

进一步的，利用所述预设公式计算出每一个所述正方形图形的图形形貌参数的步骤，具体可以包括：

获取每一个所述正方形图形的目标值，以得到每一个所述正方形图形的目标图形。

在每一个所述正方形图形的目标图形上分别设置多条切分线段，其中多条所述切分线段均穿过该目标图形的几何中心，且分别与穿过该几何中心的轴向中心线呈不同夹角。

利用OPC模型中的光刻模型分别提取每条所述切分线段的光强分布曲线，以确定出每一个目标图形所对应的正方形图形在每条所述切分线段上的成像阈值。

将多条所述切分线段的成像阈值中的最大成像阈值和最小成像阈值作为所述预设公式的输入，并将所述预设公式的输出作为所述正方形图形的图形形貌参数。

进一步的，用于计算所述正方形图形的图形形貌参数的预设公式为：

其中，C为每一个所述正方形图形的图形形貌参数，为每一个所述正方形图形的目标图形上的一条切分线段的成像阈值，j为切分线段的条数，/>为每一个所述正方形图形的目标图形上所对应的j条切分线段的成像阈值中的最大成像阈值，为每一个所述正方形图形的目标图形上所对应的j条切分线段的成像阈值中的最小成像阈值。

进一步的，每条所述切分线段与所述轴向中心线之间所呈的夹角范围具体可以为：0~180°。

进一步的，所述正方形图形所旋转的预设角度为该正方形图形的目标图形上所设置的一切分线段与所述轴向中心线之间的夹角，且该切分线段为所述最小成像阈值所对应的切分线段。

进一步的，在所述将图形形貌参数大于所述参数阈值的正方形图形旋转一预设角度的步骤之后，所述OPC修正方法还可以包括如下步骤：

基于所述第二仿真图形，计算所述旋转角度后的正方形图形的图形形貌参数，并判断该图形形貌参数是否大于所述参数阈值，若是，则再次对该正方形图形进行一预设角度的旋转，直至该正方形图形所对应的仿真图形均为圆形图形。

第二方面，基于如上所述的OPC修正方法，本发明还提供了一种OPC修正装置，具体可以包括：

第一仿真图形确定模块，用于对测试版图中的多个正方形图形进行OPC修正，以得到每一个所述正方形图形的第一仿真图形，其中所述正方形图形为用于在硅片上形成圆形通孔结构的版图图形。

图形形貌参数计算模块，用于针对每一个所述正方形图形及其对应的第一仿真图形，利用预设公式，分别计算每一个所述正方形图形的图形形貌参数，其中所述图形形貌参数用于表征所述第一仿真图形与圆形图形的相似度。

图形旋转模块，用于将每一个所述正方形图形的所述图形形貌参数与参数阈值进行比较，并将图形形貌参数大于所述参数阈值的正方形图形旋转一预设角度，以使各个旋转角度后的正方形图形所对应的第二仿真图形为圆形图形。

第三方面，基于如上所述的OPC修正方法，本发明还提供了一种掩膜版结构，具体可以包括：如上所述的OPC修正方法修正后所得到的版图图形，其中，所述版图图形至少包括多个旋转一预设角度后的正方形图形。

第四方面，基于如上所述的OPC修正方法或所述掩膜版结构，本发明还提供了一种通孔结构的形貌优化方法，其特征在于，包括：

基于如上所述的OPC修正方法，形成相应的掩膜版。

利用所述掩膜版，在预先提供的硅片上形成至少一通孔结构，其中所述通孔结构的形状为圆形。

第五方面，本发明还提供了一种电子设备，包括处理器、通信接口、存储器和通信总线，其中，处理器，通信接口，存储器通过通信总线完成相互间的通信；

存储器，用于存放计算机程序；

处理器，用于执行存储器上所存放的程序时，实现如上所述的OPC修正方法或所述掩膜版结构的步骤。

与现有技术相比，本发明提供的技术方案至少具有如下有益效果之一：

本发明提供了一种OPC修正方法、装置及掩膜板版图。在本发明提供的OPC修正方法中，首先利用常规的OPC修正方法，对测试版图中的正方形图形进行辅助图形添加，并得到其对应的第一仿真图形，然后，利用本发明提供的预设公式，分别为每一个所述正方形图形设置一图形形貌参数，以确定出周边区域添加有辅助图形后的正方形图形的实际曝光图形与圆形图形的相似度，即评估出该通孔结构在周边环境影响下的整体形貌，然后，筛选出实际曝光图形（仿真图形）与圆形图形相比相差较大的正方形图形，并将每一个筛选出的正方形沿着根据其仿真图形上所确定出的关键尺寸CD偏小的切分线段方向旋转，从而得到意想不到的效果是：通过调整所述测试版图上的正方形图形的旋转角度的方式，来弥补通孔结构所对应的正方形图形在OPC修正中其周边环境的不对称对其形貌的影响，进而实现了降低通孔结构所连接的芯片部件与其他芯片部件发生短接的风险，以及提高半导体器件性能的稳定性的目的。

并且，本发明所提供的OPC修正方法中，还具体提出了一种用于计算表征正方形图形（通孔结构的版图图形）的实际仿真图形与圆形图形的相似度的计算公式，进而实现利用该公式评估出该通孔结构在周边环境影响下的整体形貌的目的。

附图说明

图1为本发明一实施例中所提供的未旋转、沿与Y轴方向呈20°旋转后以及沿与Y轴方向呈45°旋转后的三种状态下的正方形图形和其各自曝光后对应的第一仿真图形的对比关系图。

图2为本发明一实施例中的OPC修正方法的流程示意图。

图3为本发明一实施例中所提供的在正方形图形的目标图形以及第一仿真图形上建立直角坐标系以及设置多条切分线段的结构示意图。

图4为本发明一实施例中所提供的将测试版图中的正方形图形沿最小成像阈值所对应的切分线段所在的方向进行旋转的对比图。

图5为本发明一实施例中的OPC修正装置的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明提出的OPC修正方法、装置及掩膜版结构作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

如本申请和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。一般说来，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列，方法或者设备也可能包含其他的步骤或元素。 在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作 局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

如背景技术所述，目前，由于通孔结构所对应的正方形图形在OPC修正中主要受到难以控制的周围环境的影响，且其整体形貌并不会体现在通孔结构的关键尺寸CD上，因此，即使OPC修正后的正方形图形在曝光后其沿X方向和Y方向上的光刻实际关键尺寸CD均能达到目标值，但其整体形貌则并不一定是圆形，而形状不是圆形的通孔结构，例如椭圆形的通孔，则增大了通孔结构所连接的芯片部件与其他芯片部件发生短接的风险，即降低了半导体器件性能的稳定性。

针对此问题，本发明研究人员发现，形状为圆形的通孔结构（如半导体器件中的通孔）在版图上所对应的正方形图形，无论按照其几何中心如何旋转，其在理想情况下光刻仿真之后的仿真图形均是以该几何中心为原点，且以所述正方形图形的关键尺寸CD/2（也可以理解为正方形图形的一条边的边长的一半）为半径的圆，如图1所示。但是，在实际情况中，旋转不同预设角度后的正方形图形的测试版图，其在硅片上所形成的通孔结构的形状并不完全都是整体形貌为圆形的圆形图形，并且其与圆形图形的相似程度并不相同，即测试版图中的正方形图形在硅片上的实际曝光图形的整体形貌可以通过调整所述正方形图形的旋转角度来改变。

为此，本发明提供了一种OPC修正方法、装置及掩膜版结构，以弥补测试版图上通孔结构所对应的正方形图形在OPC修正中其周边环境的不对称对其曝光后的形貌的影响，进而实现了降低通孔结构所连接的芯片部件与其他芯片部件发生短接的风险，以及提高半导体器件性能的稳定性的目的。

下面首先对本发明提供的一种OPC修正方法进行介绍。

参考图2，图2为本发明一实施例中提供的一种OPC修正方法的流程示意图，该方法包括如下步骤：

步骤S100，对测试版图中的多个正方形图形进行OPC修正，以得到每一个所述正方形图形的第一仿真图形，其中所述正方形图形为用于在硅片上形成圆形通孔结构的版图图形。

在本实施例中，可以先根据预制作的版图确定其对应的测试版图，而所述测试版图中则可以包含多个正方形图形，其中，所述正方形图形为用于在硅片上形成圆形通孔结构的版图图形。因此，本发明实施例中所提供的OPC修正方法主要是针对用于形成通孔结构的测试版图中，其正方形图形的周边环境的不对称对其实际曝光后所对应的通孔结构的形貌的影响，而进行的修正方法。

之后，在得到所述包含有多个正方形图形的测试版图之后，可以按照预设的辅助图形添加规则，在所述测试版图中的每一个所述正方形图形的周围区域内添加相应的辅助图形，并对添加了所述辅助图形的测试版图进行光刻仿真，以得到每一个所述正方形图形在硅片上的实际曝光图形，即所述第一仿真图形。

步骤S200，针对每一个所述正方形图形及其对应的第一仿真图形，利用预设公式，分别计算每一个所述正方形图形的图形形貌参数，其中所述图形形貌参数用于表征所述第一仿真图形与圆形图形的相似度。

在本实施例中，在得到所述测试版图上的每一个所述正方形图形所对应的第一仿真图形之后，可以将所述第一仿真图形以及所述正方形图形的目标图形（根据所述正方形图形的目标值所形成的图形）的几何中心对准，并将对准后的几何中心作为原点，建立一直角坐标系，如图3所示的点0，而在该图3中，S1为目标图形，S2为第一仿真图形。之后，利用本发明实施例中所提供的预设公式，计算每一个所述正方形图形的图形形貌参数，以确定出周边区域添加有辅助图形后的正方形图形的实际曝光图形（第一仿真图形）与圆形图形的相似度。

具体的，本发明实施例中提供了一种利用所述预设公式计算出每一个所述正方形图形的图形形貌参数的具体步骤，包括：

步骤S201，获取每一个所述正方形图形的目标值，以得到每一个所述正方形图形的目标图形。

步骤S202，在每一个所述正方形图形的目标图形上分别设置多条切分线段，其中多条所述切分线段均穿过该目标图形的几何中心，且分别与穿过该几何中心的轴向中心线呈不同夹角。

步骤S203，利用OPC模型中的光刻模型分别提取每条所述切分线段的光强分布曲线，以确定出每一个目标图形所对应的正方形图形在每条所述切分线段上的成像阈值。

步骤S204，将多条所述切分线段的成像阈值中的最大成像阈值和最小成像阈值作为所述预设公式的输入，并将所述预设公式的输出作为所述正方形图形的图形形貌参数。

作为一种优选示例，用于计算所述正方形图形的图形形貌参数的预设公式为：

其中，C为每一个所述正方形图形的图形形貌参数，为每一个所述正方形图形的目标图形上的一条切分线段的成像阈值，j为切分线段的条数，/>为每一个所述正方形图形的目标图形上所对应的j条切分线段的成像阈值中的最大成像阈值，为每一个所述正方形图形的目标图形上所对应的j条切分线段的成像阈值中的最小成像阈值。

在本实施例中，如图3所示，可以在基于每一个所述正方形图形的第一仿真图形和其目标图形所建立的直角坐标系上设置多条，例如，4条，5条，6条，7条等穿过该直角坐标系的原点0（即为所述目标图形S1的几何中心）的切分线段CutlineN，其中，所述多条切分线段CutlineN分别与穿过该直角坐标系的原点0的Y轴（所述轴向中心线）呈不同夹角。

作为一种优选示例，如图3所示，本发明实施例中是在每一个所述正方形图形的第一仿真图形S2和其目标图形S1所建立的直角坐标系上设置与Y轴之间的夹角分别为0°、45°、90、135°的Cutline1、Cutline2、Cutline3和Cutline4，这四条切分线段。

而在其他实施例中，只要每条所述切分线段与所述轴向中心线（Y轴）之间所呈的夹角范围为：0~180°，即具体可以为0°、10°、30°、40°、45°、50°、60°、70°、90°、120°、135°、160°、180°等以及上述任意两个数值所组成的区间范围或是该区间范围内的任意一数值。

之后，针对每一个所述正方形图形及其对应的第一仿真图形和目标图形，分别形成一光强分布曲线，而从所述光强分布曲线图上可以得到所述正方形图形或者其目标图形上可曝光显影出的光强值和距离区间的对应关系，而该距离区间即为每一个目标图形所对应的正方形图形在每条所述切分线段上的成像阈值（实质上是一个区间距离范围）。然后，将通过每一个所述正方形图形的目标图形上设置的4条切分线段所得到的4个成像阈值（实质上是4个区间距离范围）中的最大成像阈值和最小成像阈值挑选出，作为所述公式（1）的输入，便可得到每一个所述正方形图形的图形形貌参数C。

并且，根据图3所示可知，最小成像阈值所在的切分线段Cutline2所在的方向上，所述目标图形S1与其第一仿真图形（实际曝光图形）S2之间的差异（间距）最大，即为表示该处的第一仿真图形S2畸变情况最严重，也就是该处所对应的正方形图形的相对位置处的周边环境的不对称性，在该正方形图形的实际曝光过程中影响最大。

可选的方案，还可以将通过每一个所述正方形图形的目标图形上设置的4条切分线段所得到的4个成像阈值（实质上是4个区间距离范围）中的某一成像阈值和另一成像阈值挑选出，作为所述公式（1）的输入，以得到每一个所述正方形图形的图形形貌参数C。

步骤S300，将每一个所述正方形图形的所述图形形貌参数与参数阈值进行比较，并将图形形貌参数大于所述参数阈值的正方形图形旋转一预设角度，以使各个旋转角度后的正方形图形所对应的第二仿真图形为圆形图形。

在本实施例中，在通过上述步骤S200得到所述测试版图上的每一个正方形图形的图形形貌参数之后，可以将该图形形貌参数与预先设置的参数阈值进行比较，若该图形形貌参数小于所述参数阈值，则说明该图形形貌参数所对应的正方形图形在实际曝光后所形成的通孔结构即为圆形图形，因此该正方形图形不必再次进行OPC修正，可以直接作为掩膜板的版图进行版图刻印；若该图形形貌参数不小于所述参数阈值，则说明该图形形貌参数所对应的正方形图形在实际曝光后所形成的通孔结构的整体形貌与圆形图形相差较大，因此，针对此类正方形图形，本发明实施例提出了将该类正方形图形进一步沿某一预设角度旋转的OPC修正，以通过调整所述正方形图形的旋转角度来改变测试版图中的正方形图形在硅片上的实际曝光图形的整体形貌。

作为一种优选示例，所述预设角度为该正方形图形的目标图形上所设置的一切分线段与所述轴向中心线之间的夹角，且该切分线段为所述最小成像阈值所对应的切分线段，例如图3所示的切分线段Cutline2。

参阅图4，图4为本发明一实施例中所提供的将测试版图中的正方形图形沿最小成像阈值所对应的切分线段所在的方向进行旋转的对比图。在图4中，正方形图形为测试版图上的版图图形，圆形或椭圆形图形则为测试版图上的正方形图形所对应的实际曝光图形（第一仿真图形）。

可选的方案，在上述步骤S300在将图形形貌参数大于所述参数阈值的正方形图形旋转一预设角度的步骤之后，所述OPC修正方法还包括：

步骤S400，基于所述第二仿真图形，计算所述旋转角度后的正方形图形的图形形貌参数，并判断该图形形貌参数是否大于所述参数阈值，若是，则再次对该正方形图形进行一预设角度的旋转，直至该正方形图形所对应的仿真图形均为圆形图形。

在本实施例中，在对所述测试版图上的某一实际曝光后所形成的通孔结构的整体形貌与圆形图形相差较大的正方形图形进行一次所述预设角度的旋转之后，还可以对该旋转后的正方形图形返回执行上述步骤S200~步骤S300，以对其进行多次预设角度的旋转，直至所述测试版图上的每一个正方形图形所对应的仿真图形均为圆形图形。

基于如上所述的OPC修正方法，本实施例中还提供了OPC修正装置，具体可参考图5，图5为本发明一实施例中的OPC修正装置的结构示意图，所述装置包括：

第一仿真图形确定模块510，用于对测试版图中的多个正方形图形进行OPC修正，以得到每一个所述正方形图形的第一仿真图形，其中所述正方形图形为用于在硅片上形成圆形通孔结构的版图图形。

图形形貌参数计算模块520，用于针对每一个所述正方形图形及其对应的第一仿真图形，利用预设公式，分别计算每一个所述正方形图形的图形形貌参数，其中所述图形形貌参数用于表征所述第一仿真图形与圆形图形的相似度。

图形预设角度旋转模块530，用于将每一个所述正方形图形的所述图形形貌参数与参数阈值进行比较，并将图形形貌参数大于所述参数阈值的正方形图形旋转一预设角度，以使各个旋转角度后的正方形图形所对应的第二仿真图形为圆形图形。

此外，基于如上所述的OPC修正方法，本发明还提供了一种掩膜版结构，该掩膜版结构具体可以包括如上所述的OPC修正方法修正后所得到的版图图形，即，所述版图图形至少包括多个旋转一预设角度后的正方形图形。

并且，基于如上所述的OPC修正方法以及所述掩膜板版图，本发明实施例中还进一步提供了一种通孔结构的形貌优化方法，其具体可以包括如下步骤：

步骤S1，基于如上所述的OPC修正方法，形成相应的掩膜版。

步骤S2，利用所述掩膜版，在预先提供的硅片上形成至少一通孔结构，其中所述通孔结构的形状为圆形。

综上所述，本发明提供了一种OPC修正方法、装置及掩膜板版图。在本发明提供的OPC修正方法中，首先利用常规的OPC修正方法，对测试版图中的正方形图形进行辅助图形添加，并得到其对应的第一仿真图形，然后，利用本发明提供的预设公式，分别为每一个所述正方形图形设置一图形形貌参数，以确定出周边区域添加有辅助图形后的正方形图形的实际曝光图形与圆形图形的相似度，即评估出该通孔结构在周边环境影响下的整体形貌，然后，筛选出实际曝光图形（仿真图形）与圆形图形相比相差较大的正方形图形，并将每一个筛选出的正方形沿着根据其仿真图形上所确定出的关键尺寸CD偏小的切分线段方向旋转，从而得到意想不到的效果是：通过调整所述测试版图上的正方形图形的旋转角度的方式，来弥补通孔结构所对应的正方形图形在OPC修正中其周边环境的不对称对其形貌的影响，进而实现了降低通孔结构所连接的芯片部件与其他芯片部件发生短接的风险，以及提高半导体器件性能的稳定性的目的。

并且，本发明所提供的OPC修正方法中，还具体提出了一种用于计算表征正方形图形（通孔结构的版图图形）的实际仿真图形与圆形图形的相似度的计算公式，进而实现利用该公式评估出该通孔结构在周边环境影响下的整体形貌的目的。

本发明实施例还提供了一种电子设备，包括处理器、通信接口、存储器和通信总线，其中，处理器，通信接口，存储器通过通信总线完成相互间的通信，

存储器，用于存放计算机程序；

处理器，用于执行存储器上所存放的程序时，实现本发明实施例提供的一种OPC修正方法，或者，一种通孔结构的形貌优化方法。

另外，处理器执行存储器上所存放的程序而实现的辅助图形的添加方法的其他实现方式，与前述方法实施例部分所提及的实现方式相同，这里也不再赘述。

上述控制终端提到的通信总线可以是外设部件互连标准（Peripheral ComponentInterconnect，PCI）总线或扩展工业标准结构（Extended Industry StandardArchitecture，EISA）总线等。该通信总线可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。为便于表示，图中仅用一条粗线表示，但并不表示仅有一根总线或一种类型的总线。

通信接口用于上述电子设备与其他设备之间的通信。

存储器可以包括随机存取存储器（Random Access Memory，RAM），也可以包括非易失性存储器（Non-Volatile Memory，NVM），例如至少一个磁盘存储器。可选的，存储器还可以是至少一个位于远离前述处理器的存储装置。

上述的处理器可以是通用处理器，包括中央处理器（Central Processing Unit，CPU）、网络处理器（Network Processor，NP）等；还可以是数字信号处理器（Digital SignalProcessing，DSP）、专用集成电路（Application Specific Integrated Circuit，ASIC）、现场可编程门阵列（Field-Programmable Gate Array，FPGA）或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。

在本发明提供的又一实施例中，还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质中存储有指令，当其在计算机上运行时，使得计算机执行上述实施例中任一所述的一种OPC修正方法，或者，一种通孔结构的形貌优化方法。

在上述实施例中，可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意组合来实现。当使用软件实现时，可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。所述计算机程序产品包括一个或多个计算机指令。在计算机上加载和执行所述计算机程序指令时，全部或部分地产生按照本发明实施例所述的流程或功能。所述计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络、或者其他可编程装置。所述计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输，例如，所述计算机指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线（例如同轴电缆、光纤、数字用户线（DSL））或无线（例如红外、无线、微波等）方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。所述计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质集成的服务器、数据中心等数据存储设备。所述可用介质可以是磁性介质，(例如，软盘、硬盘、磁带)、光介质(例如，DVD)、或者半导体介质（例如固态硬盘Solid State Disk (SSD)）等。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

本说明书中的各个实施例均采用相关的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于装置、电子设备以及计算机可读存储介质实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种OPC修正方法，其特征在于，包括：

对测试版图中的多个正方形图形进行OPC修正，以得到每一个所述正方形图形的第一仿真图形，其中所述正方形图形为用于在硅片上形成圆形通孔结构的版图图形；

针对每一个所述正方形图形及其对应的第一仿真图形，利用预设公式，分别计算每一个所述正方形图形的图形形貌参数，其中所述图形形貌参数用于表征所述第一仿真图形与圆形图形的相似度；

将每一个所述正方形图形的图形形貌参数与参数阈值进行比较，并将图形形貌参数大于所述参数阈值的正方形图形旋转一预设角度，以使各个旋转角度后的正方形图形所对应的第二仿真图形为圆形图形。

2.如权利要求1所述的OPC修正方法，其特征在于，对测试版图中的多个正方形图形进行OPC修正的步骤，包括：

按照预设的辅助图形添加规则，在所述正方形图形的周围区域内添加相应的辅助图形，并对添加了所述辅助图形的测试版图进行光刻仿真，以得到每一个所述正方形图形在硅片上的实际曝光图形，即所述第一仿真图形。

3.如权利要求1所述的OPC修正方法，其特征在于，利用所述预设公式计算出每一个所述正方形图形的图形形貌参数的步骤，包括：

获取每一个所述正方形图形的目标值，以得到每一个所述正方形图形的目标图形；

在每一个所述正方形图形的目标图形上分别设置多条切分线段，其中多条所述切分线段均穿过该目标图形的几何中心，且分别与穿过该几何中心的轴向中心线呈不同夹角；

利用OPC模型中的光刻模型分别提取每条所述切分线段的光强分布曲线，以确定出每一个目标图形所对应的正方形图形在每条所述切分线段上的成像阈值；

将多条所述切分线段的成像阈值中的最大成像阈值和最小成像阈值作为所述预设公式的输入，并将所述预设公式的输出作为所述正方形图形的图形形貌参数。

4.如权利要求3所述的OPC修正方法，其特征在于，用于计算所述正方形图形的图形形貌参数的预设公式为：

其中，C为每一个所述正方形图形的图形形貌参数，为每一个所述正方形图形的目标图形上的一条切分线段的成像阈值，j为切分线段的条数，/>为每一个所述正方形图形的目标图形上所对应的j条切分线段的成像阈值中的最大成像阈值，为每一个所述正方形图形的目标图形上所对应的j条切分线段的成像阈值中的最小成像阈值。

5.如权利要求4所述的OPC修正方法，其特征在于，每条所述切分线段与所述轴向中心线之间所呈的夹角范围为：0~180°。

6.如权利要求5所述的OPC修正方法，其特征在于，所述正方形图形所旋转的预设角度为该正方形图形的目标图形上所设置的一个切分线段与所述轴向中心线之间的夹角，且该切分线段为所述最小成像阈值所对应的切分线段。

7.如权利要求1所述的OPC修正方法，其特征在于，在所述将图形形貌参数大于所述参数阈值的正方形图形旋转一预设角度的步骤之后，所述OPC修正方法还包括：

基于所述第二仿真图形，计算所述旋转角度后的正方形图形的图形形貌参数，并判断该图形形貌参数是否大于所述参数阈值，若是，则再次对该正方形图形进行一预设角度的旋转，直至该正方形图形所对应的仿真图形均为圆形图形。

8.一种OPC修正装置，其特征在于，包括：

第一仿真图形确定模块，用于对测试版图中的多个正方形图形进行OPC修正，以得到每一个所述正方形图形的第一仿真图形，其中所述正方形图形为用于在硅片上形成圆形通孔结构的版图图形；

图形形貌参数计算模块，用于针对每一个所述正方形图形及其对应的第一仿真图形，利用预设公式，分别计算每一个所述正方形图形的图形形貌参数，其中所述图形形貌参数用于表征所述第一仿真图形与圆形图形的相似度；

图形旋转模块，用于将每一个所述正方形图形的图形形貌参数与参数阈值进行比较，并将图形形貌参数大于所述参数阈值的正方形图形旋转一预设角度，以使各个旋转角度后的正方形图形所对应的第二仿真图形为圆形图形。

9.一种掩膜版结构，其特征在于，包括权利要求1~7中任一项所述的OPC修正方法修正后所得到的版图图形，所述版图图形至少包括多个旋转一预设角度后的正方形图形。

10.一种通孔结构的形貌优化方法，其特征在于，包括：

基于权利要求1~7中任一项所述的OPC修正方法，形成相应的掩膜版；

利用所述掩膜版，在预先提供的硅片上形成至少一通孔结构，其中所述通孔结构的形状为圆形。