CN117810348A - 微型发光结构的制备方法、掩膜结构及微型发光结构 - Google Patents

Abstract

本公开提供了一种微型发光结构的制备方法、掩膜结构及微型发光结构。该方法包括：获取键合结构，键合结构包括驱动芯片、与驱动芯片键合的光芯片，光芯片包括衬底层和设置于衬底层上的发光单元阵列；通过第一掩膜结构对键合结构进行激光照射，再对激光照射后的键合结构的衬底层进行剥离；第一掩膜结构包括第一透光区和第一遮挡区；通过第二掩膜结构对剥离后的键合结构进行激光照射，得到表面图案化的发光单元阵列；第二掩膜结构包括第二透光区和第二遮挡区。该方法在激光剥离时通过制备两个激光掩膜避免***电路被激光损伤的同时案对光芯片的发光单元阵列表面进行图案化在清楚表面Ga残留的同时形成适当的图案，破坏GaN的全反射并增加出光。

Description

微型发光结构的制备方法、掩膜结构及微型发光结构

技术领域

本公开涉及半导体激光剥离的技术领域，具体而言，涉及一种微型发光结构的制备方法、掩膜结构及微型发光结构。

背景技术

在Micro LED微显示模组制备过程中中，需要将蓝宝石衬底进行激光剥离。在激光剥离时(以下简称LLO)，易造成电路损伤模组失效。而且LLO后的氮化镓(GaN)表面，存在表面镓(Ga)残留影响模组出光部分。

有鉴于此，亟需提供一种微型发光结构的制备方法、掩膜结构及微型发光结构的技术方案，以便在激光剥离时保护驱动电路并添加出光。

发明内容

为了解决背景技术中提到的一种或者多种技术问题，本公开的方案提供了一种微型发光结构的制备方法、掩膜结构及微型发光结构。

根据本公开实施例的一个方面，提供了一种微型发光结构的制备方法。所述微型发光结构的制备方法包括：获取键合结构，所述键合结构包括驱动芯片、与所述驱动芯片键合的光芯片，所述光芯片包括衬底层和设置于所述衬底层上的发光单元阵列；通过第一掩膜结构对键合结构进行激光照射，再对激光照射后的键合结构的衬底层进行剥离；所述第一掩膜结构包括第一透光区和第一遮挡区；通过第二掩膜结构对剥离后的键合结构进行激光照射，得到表面图案化的发光单元阵列；所述第二掩膜结构包括第二透光区和第二遮挡区。

进一步地，在通过第一掩膜结构对键合结构进行激光照射之前，所述方法还包括：在掩膜基底上制备图案化的金属遮挡层，得到包括透光区和遮挡区的掩膜结构。

进一步地，所述透光区表征对应于键合结构中光芯片的区域，所述遮挡区表征对应于键合结构中相较光芯片露出的驱动芯片的区域。

进一步地，所述在掩膜基底上制备图案化的金属遮挡层包括：在第二掩膜基底上依次设置第一微型金属层、第二微型金属层和第三微型金属层，其中，第三微型金属层在透光区的投影面积小于第二微型金属层，第二微型金属层在透光区的投影面积小于第一微型金属层。

进一步地，所述在掩膜基底上制备图案化的金属遮挡层包括：所述第二微型金属层在透光区的投影落在所述第一微型金属层在透光区的投影内，所述第三微型金属层在透光区的投影落在所述第二微型金属层在透光区的投影内。

进一步地，所述第一微型金属层的金属光透过率小于所述第二微型金属层，所述第二微型金属层的金属光透过率小于第三微型金属层。

进一步地，所述光芯片包括第一半导体层，第二半导体层以及第三半导体层，所述通过第二掩膜结构对剥离后的键合结构进行激光照射，得到表面图案化的发光单元阵列包括：通过第二掩膜结构对第三半导体层进行激光照射，得到表面图案化的发光单元阵列。

根据本公开实施例的另一方面，提供了一种掩膜结构。所述掩膜结构包括：掩膜基底、金属遮挡层和微型金属层。所述金属遮挡层设置于掩膜基底上，以区分透光区和遮挡区，所述透光区包括所述光芯片的所在区域，所述遮挡区包括所述光芯片外侧的驱动芯片的所在区域；所述微型金属层包括在掩膜基底金属遮挡层所在的一侧依次设置的第一微型金属层、第二微型金属层和第三微型金属层。

进一步地，所述第三微型金属层在透光区的投影面积小于所述第二微型金属层，所述第二微型金属层在透光区的投影面积小于所述第一微型金属层。

根据本公开实施例的再一方面，提供了一种微型发光结构，由前述的微型发光结构的制备方法制备而成。

本公开实施例提供的一种微型发光结构的制备方法、掩膜结构及微型发光结构，可以实现以下技术效果：

应用本公开的技术方案，在激光剥离时，制备第一掩膜结构保护***电路，避免被激光损伤。同时采用不同透过率的金属制成的第二掩膜结构，通过不同的激光掩膜工艺，对显示模组的表面进行图案化，在清除表面Ga残留的同时，形成适当的图案，破坏GaN的全反射。第二掩膜结构具备不同的激光透过率，在激光照射后，形成高度差的透镜结构，增加出光以及启动光线收缩的作用，提升亮度和光准直性。

附图说明

通过参考附图阅读下文的详细描述，本公开示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本公开的若干实施方式，并且相同或对应的标号表示相同或对应的部分，其中：

图1是示出根据本公开的一个实施例的微型发光结构的制备方法的流程图；

图2是示出根据本公开的一个实施例的微型发光结构的示意图；

图3是示出根据本公开的一个实施例的激光掩膜的示意图；

图4是示出根据本公开的一个实施例的激光掩膜的另一示意图；

图5是示出根据本公开的一个实施例的激光掩膜的又一示意图；

图6是示出图5的激光掩膜的切面图。

附图标记：

1、驱动芯片；2、光芯片；21、衬底层；22、发光单元阵列；3、第一掩膜结构；31、第一透光区；32、第一遮挡区；4、第二掩膜结构；41、第二透光区；42、第二遮挡区。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本公开。

应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。

为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位旋转90度或处于其他方位，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。

现在，将参照附图更详细地描述根据本公开的示例性实施方式。然而，这些示例性实施方式可以由多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施方式。应当理解的是，提供这些实施方式是为了使得本申请的公开彻底且完整，并且将这些示例性实施方式的构思充分传达给本领域普通技术人员，在附图中，为了清楚起见，扩大了层和区域的厚度，并且使用相同的附图标记表示相同的器件，因而将省略对它们的描述。

本公开提供一种微型发光结构的制备方法，优选为一种芯片结构的激光剥离方法。参照图1至图4，图1是示出根据本公开的一个实施例的微型发光结构的制备方法的流程图。图2是示出根据本公开的一个实施例的微型发光结构的示意图。图3是示出根据本公开的一个实施例的激光掩膜的示意图。图4是示出根据本公开的一个实施例的激光掩膜的另一示意图。

如图1所示，该微型发光结构的制备方法包括以下步骤：

步骤S1：获取键合结构，该键合结构包括驱动芯片1、与驱动芯片1键合的光芯片2，光芯片包括衬底层21和设置于衬底层21上的发光单元阵列22；

步骤S2：通过第一掩膜结构3对键合结构进行激光照射，再对激光照射后的键合结构的衬底层21进行剥离；第一掩膜结构3包括第一透光区31和第一遮挡区32；

步骤S3：通过第二掩膜结构4对剥离后的键合结构进行激光照射，得到表面图案化的发光单元阵列22；第二掩膜结构4包括第二透光区41和第二遮挡区42。

如图2至图4所示，本公开实施例中，微型发光结构包括键合结构，该键合结构包括驱动芯片1、位于驱动芯片1上部且与驱动芯片1键合的光芯片2。光芯片2由衬底层21和位于衬底层21下侧的发光单元阵列22构成。其中，驱动芯片3内置驱动电路，且尺寸最大。衬底层21和发光单元阵列22的尺寸可以是大体一样的。在进行激光剥离时，通过不同的激光掩膜(Laser Mask)技术制造金属遮挡层并对光芯片2的显示模组的表面进行图案化处理，以遮挡透明的衬底层21外侧的驱动芯片3、去除透明的衬底层21并保护图案化下的GaN不被激光分解。

根据本公开的实施例，对于步骤S1，键合结构由上到下依次设置有彼此键合的光芯片2和驱动芯片1。而光芯片2又包括两层结构。该两层结构在制作时的尺寸可以是相同的。驱动芯片1的尺寸大于光芯片2的尺寸。

根据本公开的实施例，对于步骤S2，采用激光掩膜技术制备第一掩膜结构3。第一掩膜结构3中第一遮挡区32的尺寸刚好能够覆盖衬底层21外侧的驱动芯片1。位于衬底层21上的部分是第一透光区31，例如可以是镂空的方便激光照射。第一遮挡区32优选为金属遮挡层，则衬底层21外侧的驱动芯片1是金属遮挡层覆盖的，以形成不透光区防止激光照射，进而保护了驱动芯片层3里面的驱动电路。将金属遮挡层包覆住衬底层21外侧的驱动芯片1后开启激光照射，打断GaN分子键。为了减少衬底层21对出光的影响以及光串扰的影响，需要对衬底层21进行激光剥离，利用激光照射能量，让GaN分子键与衬底层21连接发生分离。

根据本公开的实施例，对于步骤S3，制备第二掩膜结构4，第二掩膜结构4中第二遮挡区42也可以是金属遮挡层。根据设计的图案，比如固定的间距大小等，在透明的衬底层21上，制备不透光金属图案。不透光金属图案是基于设计的图案的，例如可以是网格等。在激光剥离衬底层21后，将此金属遮挡层搭载在光芯片2的表面上，在光芯片2的显示区内，对部分图案进行保护，在激光照射时，保护此部分下方的GaN不被激光分解，从而产生表面图案化，破坏GaN表面的全反射现象，增加出光。

总体上说，驱动芯片1内置驱动电路，在对衬底层21进行激光剥离时，为了保护该驱动电路需要制备第一掩膜结构3将衬底层21设置为透光的区域，而将衬底层21外侧的驱动芯片3设置为不透光的区域。然后在激光剥离去除透明的衬底层21后通过第二掩膜结构4对光芯片2的显示模组的表面进行图案化处理，以能够保护第二掩膜结构4的第二遮挡区42中的GaN。从而破坏GaN的全反射，控制激光的通过以及透光的大小并增加了出光量。

在本申请的优选实施例中，在通过第一掩膜结构3对键合结构进行激光照射之前，该方法还包括在掩膜基底上制备图案化的金属遮挡层，得到包括透光区和遮挡区的掩膜结构。透光区表征对应于键合结构中光芯片2的区域，遮挡区表征对应于键合结构中相较光芯片2露出的驱动芯片1的区域。

根据本实施例，透光区是能够进行激光照射的区域，遮挡区是金属遮挡层遮挡的区域，在本申请中为衬底层21外侧的驱动芯片3的部分区域。基于此，在需要进行激光照射来剥离衬底层21时不会因为激光的照射影响遮挡区中的驱动电路。

优选地，在Micro LED微显示模组中，有一道工艺，需要将蓝宝石衬底进行激光剥离。在激光剥离时，因设备位置精度等影响，激光易照射到旁边的驱动电路，造成电路损伤模组失效。因此，为了解决该问题，在对应于驱动电路的部分的衬底层1上设置第一掩膜结构3，而第一掩膜结构3采用中间镂空四周遮挡的掩膜。实现了激光剥离过程中对周围电路的保护，提升了生产良率。

优选地，在激光剥离对应于驱动电路的部分的衬底层21后，GaN表面存在表面Ga残留影响模组出光。随后，将第二掩膜结构4搭载在光芯片2上，在光芯片2的显示区内对部分图案进行保护，在激光照射后保护此部分下方的GaN不被激光分解，同时去除了表面Ga残留，实现了表面GaN的清洗，以及表面粗化，破坏GaN的全反射，提升出光比例。

如图5至图6所示，在本申请的优选实施例中，在掩膜基底上制备图案化的金属遮挡层包括：在第二掩膜基底上依次设置第一微型金属层、第二微型金属层和第三微型金属层，其中，第三微型金属层在透光区的投影面积小于第二微型金属层，第二微型金属层在透光区的投影面积小于第一微型金属层。在掩膜基底上制备图案化的金属遮挡层包括：第二微型金属层在透光区的投影落在第一微型金属层在透光区的投影内，第三微型金属层在透光区的投影落在第二微型金属层在透光区的投影内。第一微型金属层的金属光透过率小于第二微型金属层，第二微型金属层的金属光透过率小于第三微型金属层。

根据本实施例，第二掩膜结构4的第二掩膜基底上制备有三层微型金属层。第一微型金属层、第二微型金属层和第三微型金属层采用不同透光率的金属制成，从而形成不同光强分布的激光掩膜结构。该第二掩膜结构4具有不同光强度分布，进一步提升芯片出光效率，以及提升光线准直效果。

优选地，金属材料的内部结构不同于其他透光材料，其中充满了自由电子，这些电子对光的作用导致光线被吸收或反射，从而无法透射。如图6中所示的，在本文中采用了多种不同通过率的金属。这些不同透过率的金属可以是铬(Cr)，金(Au)和钛(Ti)。并且图5中的圆圈部分从上往下依次是Cr、Au和Ti。在第二掩膜基底上依次设置Cr、Au和Ti以形成不同透光率的台阶型第二掩膜结构4，其中，Cr层的面积小于Au层，Au层的面积小于Ti层。光芯片2包括氮化镓，其中，在对不同透光率的金属进行激光照射时，因金属的透过率不一致，透过的光强度存在阶差，下方GaN根据激光强度不同，反应程度不同，从而产生不同高度差，形成类似透镜结构，从而达到光学的光线准直以及提升透过率效果。

特别地，第二掩膜基底上也可以制备两层微型金属层、四层或者更多层微型金属层。其分布规律如上文中所述。该多层微型金属层以最终形成台阶型结构，形成类似透镜结构，达到光学的光线准直以及提升透过率效果。

在本申请的优选实施例中，光芯片2包括第一半导体层，第二半导体层以及第三半导体层，通过第二掩膜结构4对剥离后的键合结构进行激光照射，得到表面图案化的发光单元阵列22包括：通过第二掩膜结构4对第三半导体层进行激光照射，得到表面图案化的发光单元阵列22。

根据本实施例，光芯片2的衬底层21之外还设置有三层半导体层，其中相对于衬底层21由近及远依次是第三层半导体层、第二半导体层和第一半导体层。由此，在对剥离后的键合结构进行激光照射时，由于第二掩膜结构4的作用会在第三层半导体层上得到表面图案化的发光单元阵列22。

本公开还提供一种掩膜结构，该掩膜结构包括掩膜基底、金属遮挡层和微型金属层。金属遮挡层设置于掩膜基底上，以区分透光区和遮挡区，透光区包括光芯片2的所在区域，遮挡区包括光芯片2外侧的驱动芯片1所在区域；微型金属层包括在掩膜基底金属遮挡层所在的一侧依次设置的第一微型金属层、第二微型金属层和第三微型金属层。

根据本实施例，金属遮挡层由于其不透光性可以将光芯片2以及光芯片2外侧的驱动芯片1的区域区分为透光区和遮挡区。而微型金属层由于其透光率的不同容易形成台阶型的透镜结构，从而提升透过率效果。

在本申请的优选实施例中，第三微型金属层在透光区的投影面积小于第二微型金属层，第二微型金属层在透光区的投影面积小于第一微型金属层。

根据本实施例，第三微型金属层、第二微型金属层和第一微型金属层是依次远离衬底层21的，从而在面积逐渐减小的情况下方便形成台阶型结构。

在本申请的优选实施例中，第二掩膜结构4的第二遮挡区42为相同间距的网格线结构。

根据本实施例，第二遮挡区42可以是各种设计的图案以满足光芯片2上表面图案化后破坏GaN表面的全反射现象而增加出光。其中，优选的，如图4所示，采用采用固定的等距大小的方式，在光芯片2的表面制备第二掩膜结构4的第二遮挡区42。

进一步地，制备第一掩膜结构3包括：在透明衬底外侧的驱动电路上，采用金属剥离工艺形成遮挡层。金属剥离工艺至少包括衬底清洗、PR涂布、光刻、显影、烘烤、金属镀膜、金属剥离和图案检查与修补的步骤。

进一步地，制备第一掩膜结构3包括：在透明衬底外侧的驱动电路上，采用金属刻蚀工艺形成遮挡层。金属刻蚀工艺至少包括衬底清洗、金属镀膜、PR涂布、光刻、显影、烘烤、ICP金属刻蚀、PR剥离和图案检查与修补的步骤。

本公开还提供一种微型发光结构，采用前述的微型发光结构的制备方法制备而成。在本申请的优选实施例中，衬底层21采用透明基板，透明基板使用石英玻璃或者蓝宝石的衬底材料。

根据本实施例，衬底材料的选择需要根据设备和LED器件的要求进行选择。透明基板的材质并不限于单晶基板，也可以为多晶基板或非晶基板。举例来说，透明基板的材料可以选自于蓝宝石、玻璃、硅、氮化镓、磷化镓、砷化镓、磷砷化镓、硒化锌、硫化锌或碳化硅等。在本文的材料选择时，衬底材料采用石英玻璃、蓝宝石等透明的衬底材料。蓝宝石衬底有很多优点，比如蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；而且蓝宝石的机械强度高，易于处理和清洗。金属遮挡层中间的空白区与蓝宝石的边缘对齐，也可以设置激光掩膜进行光学对位。石英玻璃和蓝宝石是很好的制备透明基板的衬底材料。蓝宝石基板是一种高质量的半导体材料，广泛应用于制造半导体器件。

在本申请的优选实施例中，透明基板的厚度设置在0.2mm-0.5mm之间。

根据本公开的实施例，透明基板的厚度是其最重要的属性之一。位于0.2mm-0.5mm之间时激光剥离易于进行。透明基板对发射光的穿透率高于90％。透明基板具有一基板厚度，基板厚度的尺寸影响制造发光元件时的切割速率及良率。在一个优选实施例中，透明基板的厚度取0.25mm、0.3mm等。

在本申请的优选实施例中，金属遮挡层采用金属铬或者镍。

根据本实施例，金属遮挡层主要是为了遮挡衬底层1外侧的驱动芯片层3，从而保护其内部的驱动电路不会被激光照射损伤。因此，金属遮挡层材料采取不透光金属，如Cr，镍(Ne)等。

本实施例的发光结构的制备方法，在激光剥离时，制备第一掩膜结构3保护***电路，避免被激光损伤。同时采用不同透过率的金属制成的第二掩膜结构4，通过不同的激光掩膜工艺，对显示模组的表面进行图案化，在清除表面Ga残留的同时，形成适当的图案，破坏GaN的全反射。第二掩膜结构4具备不同的激光透过率，在激光照射后，形成高度差的透镜结构，增加出光以及启动光线收缩的作用，提升亮度和光准直性。

需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。

应理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本申请的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。应理解，在本申请的各种实施例中，上述各步骤/过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各步骤/过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。并且，上述本申请实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施方式例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、***、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

以上所述仅为本公开的优选实施例而已，并不用于限制本公开，对于本领域的技术人员来说，本公开可以有各种更改和变化。凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种微型发光结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

获取键合结构，所述键合结构包括驱动芯片、与所述驱动芯片键合的光芯片，所述光芯片包括衬底层和设置于所述衬底层上的发光单元阵列；

通过第一掩膜结构对键合结构进行激光照射，再对激光照射后的键合结构的衬底层进行剥离；所述第一掩膜结构包括第一透光区和第一遮挡区；

通过第二掩膜结构对剥离后的键合结构进行激光照射，得到表面图案化的发光单元阵列；所述第二掩膜结构包括第二透光区和第二遮挡区。

2.根据权利要求1所述的微型发光结构的制备方法，其特征在于，在通过第一掩膜结构对键合结构进行激光照射之前，所述方法还包括：

在掩膜基底上制备图案化的金属遮挡层，得到包括透光区和遮挡区的掩膜结构。

3.根据权利要求2所述的微型发光结构的制备方法，其特征在于，所述透光区表征对应于键合结构中光芯片的区域，所述遮挡区表征对应于键合结构中相较光芯片露出的驱动芯片的区域。

4.根据权利要求2或3所述的微型发光结构的制备方法，其特征在于，所述在掩膜基底上制备图案化的金属遮挡层包括：

在第二掩膜基底上依次设置第一微型金属层、第二微型金属层和第三微型金属层，其中，第三微型金属层在透光区的投影面积小于第二微型金属层，第二微型金属层在透光区的投影面积小于第一微型金属层。

5.根据权利要求4所述的微型发光结构的制备方法，其特征在于，所述在掩膜基底上制备图案化的金属遮挡层包括：

所述第二微型金属层在透光区的投影落在所述第一微型金属层在透光区的投影内，所述第三微型金属层在透光区的投影落在所述第二微型金属层在透光区的投影内。

6.根据权利要求5所述的微型发光结构的制备方法，其特征在于，所述第一微型金属层的金属光透过率小于所述第二微型金属层，所述第二微型金属层的金属光透过率小于第三微型金属层。

7.根据权利要求1所述的微型发光结构的制备方法，其特征在于，所述光芯片包括第一半导体层，第二半导体层以及第三半导体层，

所述通过第二掩膜结构对剥离后的键合结构进行激光照射，得到表面图案化的发光单元阵列包括：

通过第二掩膜结构对第三半导体层进行激光照射，得到表面图案化的发光单元阵列。

8.一种掩膜结构，其特征在于，所述掩膜结构包括：

掩膜基底；

金属遮挡层，所述金属遮挡层设置于掩膜基底上，以区分透光区和遮挡区，所述透光区包括所述光芯片的所在区域，所述遮挡区包括所述光芯片外侧的驱动芯片的所在区域；

微型金属层，所述微型金属层包括在掩膜基底金属遮挡层所在的一侧依次设置的第一微型金属层、第二微型金属层和第三微型金属层。

9.根据权利要求8所述的掩膜结构，其特征在于，所述第三微型金属层在透光区的投影面积小于所述第二微型金属层，所述第二微型金属层在透光区的投影面积小于所述第一微型金属层。

10.一种微型发光结构，其特征在于，

由权利要求1至7任一项所述的制备方法制备而成。