CN117796179A - 显示基板及其制作方法和显示装置 - Google Patents

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CN117796179A CN202280002444.1A CN202280002444A CN117796179A CN 117796179 A CN117796179 A CN 117796179A CN 202280002444 A CN202280002444 A CN 202280002444A CN 117796179 A CN117796179 A CN 117796179A
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成军
王海涛
苏同上
黄勇潮
方金钢
张刘
刘胜利
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Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
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Abstract

一种显示基板及其制作方法和显示装置。显示基板包括衬底、多组扫描线和参考信号线(120)，扫描线沿第一方向延伸且沿第二方向排列，参考信号线(120)在多组扫描线的端部沿第二方向延伸，参考信号线(120)在衬底上的正投影和扫描线在衬底上的正投影不交叠；扫描线包括目标扫描线(110)，目标扫描线(110)用于释放静电，目标扫描线(110)包括静电释放端(113)，静电释放端(113)位于目标扫描线(110)靠近参考信号线(120)的一侧，显示基板还包括静电释放结构，静电释放结构与静电释放端(113)和静电环电连接，静电释放结构位于静电释放端和参考信号线之间(120)。

Description

显示基板及其制作方法和显示装置 技术领域
本公开实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制作方法和显示装置。
背景技术
显示装置等电子设备的制作使用过程中,会产生静电，静电可能对电子设备的正常工作造成影响，例如，静电可能使得显示装置产生短路、显示异常等问题，因此，需要设置静电释放结构释放产生的静电，以提高电子设备的可靠性。
发明内容
本公开实施例提供一种显示基板及其制作方法和显示装置。
第一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，包括衬底、多组扫描线和参考信号线，所述扫描线沿第一方向延伸且沿第二方向排列，所述参考信号线在多组所述扫描线的端部沿所述第二方向延伸，所述参考信号线在所述衬底上的正投影和所述扫描线在所述衬底上的正投影不交叠，其中，所述第一方向和所述第二方向为相互交叉的方向；
所述扫描线包括目标扫描线，所述目标扫描线用于释放静电，所述目标扫描线包括静电释放端，所述静电释放端位于所述目标扫描线靠近所述参考信号线的一侧，所述显示基板还包括静电释放结构，所述静电释放结构与所述静电释放端和静电环电连接，所述静电释放结构位于所述静电释放端和所述参考信号线之间。
在一些实施例中，每组所述扫描线包括第一扫描线和第二扫描线，所述第一扫描线和所述第二扫描线在所述第一方向上交替排列设置；
所述目标扫描线包括两组扫描线，两组所述目标扫描线中，第一扫描线连接的静电释放结构与第一静电环连接线对应，第二扫描线连接的静电释放结构与第二静电环连接线对应。
在一些实施例中，所述显示基板还包括半导体层，所述第一静电环连接线和所述第二静电环连接线与所述半导体层同层设置。
在一些实施例中，所述第二静电环连接线位于所述第一静电环连接线和所述参考信号线之间。
在一些实施例中，所述第一静电环连接线在所述衬底上的正投影和所述第二扫描线在所述衬底上的正投影交叠。
在一些实施例中，所述显示基板还包括半导体层和屏蔽金属层，所述第一静电环连接线和所述半导体层同层设置，所述第二静电环连接线和所述屏蔽金属层同层同材料设置。
在一些实施例中，所述第一静电环连接线和所述第二静电环连接线在所述衬底上的正投影交叠。
在一些实施例中，沿所述第二方向上，所述第一静电环连接线与所述静电释放端之间的距离小于所述第一静电环连接线与所述参考信号线之间的距离；和/或
沿所述第二方向上，所述第二静电环连接线与所述静电释放端之间的距离小于所述第二静电环连接线与所述参考信号线之间的距离。
在一些实施例中，所述显示基板还包括多个驱动单元，所述参考信号线为所述驱动单元提供低压参考信号。
在一些实施例中，沿所述第二方向上，所述第一静电环连接线的尺寸小于所述参考信号线的尺寸；且/或所述第二静电环连接线的尺寸小于所述参考信号线的尺寸。
第二方面，本公开实施例提供了一种显示装置，包括以上任一项所述的显示基板。
第三方面，本公开实施例提供了一种显示基板的制作方法，包括以下步骤：
提供一衬底；
在所述衬底上制作扫描线和参考信号线，其中，所述扫描线沿第一方向延伸且沿第二方向排列，所述参考信号线在所述扫描线的端部沿所述第二方向延伸，所述参考信号线在所述衬底上的正投影和所述扫描线在所述衬底上 的正投影不交叠，所述第一方向和所述第二方向为相互交叉的方向，所述扫描线包括目标扫描线，所述目标扫描线用于释放静电，所述目标扫描线包括静电释放端，所述静电释放端位于所述目标扫描线靠近所述参考信号线的一侧，所述显示基板还包括静电释放结构，所述静电释放结构与所述静电释放端和静电环电连接，所述静电释放结构位于所述静电释放端和所述参考信号线之间。
在一些实施例中，每组所述扫描线包括第一扫描线和第二扫描线，所述第一扫描线和所述第二扫描线在所述第一方向上交替排列设置；
所述目标扫描线包括两组扫描线，两组所述目标扫描线中，第一扫描线连接的静电释放结构与第一静电环连接线对应，第二扫描线连接的静电释放结构与第二静电环连接线对应；
所述在所述衬底上制作扫描线和参考信号线之前，所述方法还包括：
在所述衬底上通过一次构图工艺制作半导体层图形、第一静电环连接线图形和第二静电环连接线图形；
将所述第一静电环连接线图形导体化形成所述第一静电环连接线，以及将所述第二静电环连接线图形导体化形成所述第二静电环连接线。
在一些实施例中，每组所述扫描线包括第一扫描线和第二扫描线，所述第一扫描线和所述第二扫描线在所述第一方向上交替排列设置；
所述目标扫描线包括两组扫描线，所述目标扫描线包括两组扫描线，两组所述目标扫描线中，第一扫描线连接的静电释放结构与第一静电环连接线对应，第二扫描线连接的静电释放结构与第二静电环连接线对应；
所述在所述衬底上制作扫描线和参考信号线之前，所述方法还包括：
在所述衬底上通过一次构图工艺制作半导体层图形、第一静电环连接线图形；
将所述第一静电环连接线图形导体化形成所述第一静电环连接线；
在所述衬底上通过一次构图工艺制作屏蔽金属层图形和第二静电环连接线图形，其中，所述第二静电环连接线图形用于作为所述第二静电环连接线。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对本公开实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本公开实施例提供的显示基板的结构示意图；
图2是本公开实施例提供的显示基板的又一结构示意图；
图3是本公开实施例提供的显示基板的制作方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
本公开实施例中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、***、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。此外，本申请中使用“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，例如A和/或B和/或C，表示包含单独A，单独B，单独C，以及A和B都存在，B和C都存在，A和C都存在，以及A、B和C都存在的7种情况。
本公开实施例提供了一种显示基板。
如图1和图2所示，在一个实施例中，该显示基板包括衬底、多组扫描线和参考信号线120，扫描线沿第一方向延伸且沿第二方向排列，参考信号线120在多组扫描线的端部沿第二方向延伸，参考信号线120在衬底上的正投影和扫描线在衬底上的正投影不交叠。
第一方向和第二方向为相互交叉的方向，示例性的，本实施例中第一方向可以是图1和图2所示的横向，第二方向可以是图1和图2所示的纵向。
如图1和图2所示，扫描线包括目标扫描线110，目标扫描线110用于释放静电，目标扫描线110包括静电释放端113，静电释放端113位于目标扫描线110靠近参考信号线120的一侧，显示基板还包括静电释放结构，静电释放结构与静电释放端113和静电环电连接，具体而言，静电释放端113、静电环和静电释放结构依次连接，静电释放结构位于静电释放端113和参考信号线120之间。
本实施例的技术方案中，通过将静电释放结构设置于静电释放端113和参考信号线120之间，能够提高目标信号线的静电释放效果，减少静电残留，从而有助于避免残留的静电与参考信号线120耦合，以降低参考信号线120一侧产生静电的可能性。
在一些实施例中，显示基板还包括多个驱动单元，示例性的，驱动单元具体可以是阵列基板行驱动单元(GOA单元)，驱动单元工作过程中，需要高压参考信号(VGH)以及低压参考信号(VGL)，本实施例中的参考信号线120可以用于为驱动单元提供低压参考信号。
在一些实施例中，每组扫描线包括第一扫描线111和第二扫描线112，第一扫描线111和第二扫描线112在第一方向上交替排列设置，可以理解的是，本实施例的技术方案中，每一组扫描线对应同一行子像素。
目标扫描线110包括两组扫描线，本实施例中，以两组扫描线作为进行静电释放的目标扫描线110，也就是说，共计包括四条用于进行静电释放的目标扫描线110。
两组目标扫描线110中的第一扫描线111的静电释放结构与第一静电环连接线131对应，具体而言，在正常状态下，第一扫描线111连接的静电释放结构在衬底上的正投影与第一静电环连接线131在衬底上的正投影交叠，两者之间通过绝缘层隔离，当静电击穿绝缘层时，第一扫描线111连接的静电释放结构与第一静电环连接线131电连接。
类似的，第二扫描线112的静电释放结构与第二静电环连接线132对应，具体而言，在正常状态下，第二扫描线112连接的静电释放结构在衬底上的正投影与第二静电环连接线132在衬底上的正投影交叠，两者之间通过绝缘层隔离，当静电击穿绝缘层时，第二扫描线112连接的静电释放结构与第二 静电环连接线132电连接。
这样，本实施例的技术方案中，即使在静电环位置产生了静电击穿，第一扫描线111和第二扫描线112之间也不会短路，在后续的测试、调试等步骤中，第一扫描线111和第二扫描线112能够分别进行信号的传输，有助于提高显示面板的可靠性。
本实施例的技术方案中，可以通过不同的方式设置第一静电环连接线131以及第二静电环连接线132。
在一些实施例中，显示基板还包括半导体层，第一静电环连接线131和第二静电环连接线132与半导体层同层设置。
本实施例中，通过导体化的半导体层制作第一静电环连接线131和第二静电环连接线132。
两条第一扫描线111通过过孔延伸至与第一静电环连接线131对应的位置，类似的，两条第二扫描线112通过过孔延伸至与第二静电环连接线132对应的位置。
在一个示例性的实施例中，第一静电环连接线131和第二静电环连接线132均沿第二方向延伸。
进一步的，在一个示例性的实施例中，第一静电环连接线131和第二静电环连接线132可以相互平行且间隔设置。这样，能够通过第一静电环连接线131实现目标扫描线110中的第一扫描线111之间的连接，通过第二静电环连接线132实现目标扫描线110中的第二扫描线112之间的连接，还能够降低第一静电环连接线131和第二静电环连接线132之间发生干扰或短接的可能性。
在一些实施例中，第二静电环连接线132位于第一静电环连接线131和参考信号线120之间，以避免两条静电环连接线之间相互干扰。
如图1所示，在一些实施例中，第一静电环连接线131在衬底上的正投影和第二扫描线112在衬底上的正投影交叠。
在一些实施例中，显示基板还包括半导体层和屏蔽金属层，第一静电环连接线131和半导体层同层设置，第二静电环连接线132和屏蔽金属层同层同材料设置。
本实施例的技术方案中，还通过不同层结构制作静电环连接线，示例性的，可以通过导体化的半导体层制作第一静电环连接线131，然后通过屏蔽金属层制作静电环连接线，同样能够实现对于静电的传输。
显然，在其他一些实施例中，还可以根据需要选择利用其它层材料制作静电环连接线，同样能够实现对于静电的传输。
在一些实施例中，第一静电环连接线131和第二静电环连接线132在衬底上的正投影交叠。
本实施例的技术方案中，两条静电环连接线是通过不同层的材料实现的情况下，两条静电环连接线的位置可以是交错设置的。在另外一些实施例中，还可以控制第一静电环连接线131和第二静电环连接线132的位置存在一定交叠，有助于减少对于空间的占用，从而有助于降低边框尺寸，提高使用体验。
如图2所示，第一静电环连接线131和静电释放结构的交叠位置在衬底上的正投影与第二静电环连接线132在衬底上的正投影不交叠；第二静电环连接线132和静电释放结构的交叠位置在衬底上的正投影与第一静电环连接线132在衬底上的正投影可以交叠，也可以不交叠。
需要理解的是，本实施例的技术方案中，屏蔽金属层位于半导体层和衬底之间，因此，为了实现第一静电环连接线131和静电释放结构的位置相对应，避免半导体层造成遮挡，调整第一静电环连接线131和静电释放结构的交叠位置，使得第一静电环连接线131和静电释放结构的交叠位置与半导体层存在一定位置偏差，降低第二静电环连接线132对于第一静电环连接线131的干扰。
在一些实施例中，沿第二方向上，第一静电环连接线131与静电释放端113之间的距离小于第一静电环连接线131与参考信号线120之间的距离；和/或沿第二方向上，第二静电环连接线132与静电释放端113之间的距离小于第二静电环连接线132与参考信号线120之间的距离。
可以理解为，第一静电环连接线131与静电释放端113之间的距离小于第一静电环连接线131与参考信号线120之间的距离，第二静电环连接线132与静电释放端113之间的距离小于第二静电环连接线132与参考信号线120 之间的距离。
通过调整第一静电环连接线131和第二静电环连接线132与参考信号线120和静电释放端113之间的相对距离，能够降低静电对参考信号线120的影响，有助于进一步提高显示基板的可靠性。
在一些实施例中，沿第二方向上，第一静电环连接线131的尺寸小于参考信号线120的尺寸；且/或第二静电环连接线132的尺寸小于参考信号线120的尺寸。可以理解为，第一静电环连接线131和第二静电环连接线132的线宽小于参考信号线120，既能够满足静电释放需求，也能够降低对于其他结构造成干扰的可能性。
本公开实施例提供了一种显示装置，包括以上任一项的显示基板。
由于本实施例的显示装置包括了上述显示基板实施例的全部技术方案，因此至少能够实现上述全部技术效果，此处不再赘述。
本公开实施例提供了一种显示基板的制作方法。
如图3所示，在一个实施例中，该显示基板的制作方法包括以下步骤：
步骤301：提供一衬底；
步骤302：在所述衬底上制作扫描线和参考信号线。
本实施例的技术方案中，制作扫描线和参考信号线的工艺以及材料选择等本身可以参考相关技术，所制作的扫描线和参考信号线的结构可以参考上述显示基板实施例，此处不再赘述。
在一些实施例中，步骤302之前，所述方法还包括：
在所述衬底上通过一次构图工艺制作半导体层图形、第一静电环连接线图形和第二静电环连接线图形；
将所述第一静电环连接线图形导体化形成所述第一静电环连接线，以及将所述第二静电环连接线图形导体化形成所述第二静电环连接线。
本实施例的技术方案中，当采用半导体层制作静电环连接线时，首先通过调整掩膜版的结构，在图形化工艺过程中，制作半导体层图形以及静电环连接线图形。进一步的，在针对半导体图形进行导体化处理的工艺过程中，同样对静电环连接线图形进行导体化，使其形成静电环连接线。这样，本实施例的技术方案并未对工艺本身的步骤等作出调整，工艺步骤相对成熟，有 助于控制工艺成本。
在一些实施例中，步骤302，所述方法还包括：
在所述衬底上通过一次构图工艺制作半导体层图形、第一静电环连接线图形；
将所述第一静电环连接线图形导体化形成所述第一静电环连接线；
在所述衬底上通过一次构图工艺制作屏蔽金属层图形和第二静电环连接线图形，其中，所述第二静电环连接线图形用于作为所述第二静电环连接线。
本实施例的技术方案中，则是通过不同的层材料制作静电环连接线。具体而言，在制作半导体层时，同时制作第一静电环连接线图形，并将其导体化形成第二静电环连接线。在通过图形化工艺制作屏蔽金属层时，调整掩膜版的结构，以同时制作第二静电环连接线图形，这样，能够在不调整工艺步骤的情况下，完成第一静电环连接线和第二静电环连接线的制作，有助于控制成本。
以上所述是本公开实施例的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本公开所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本公开的保护范围。

Claims (14)

  1. 一种显示基板，包括衬底、多组扫描线和参考信号线，所述扫描线沿第一方向延伸且沿第二方向排列，所述参考信号线在多组所述扫描线的端部沿所述第二方向延伸，所述参考信号线在所述衬底上的正投影和所述扫描线在所述衬底上的正投影不交叠，其中，所述第一方向和所述第二方向为相互交叉的方向；
    所述扫描线包括目标扫描线，所述目标扫描线用于释放静电，所述目标扫描线包括静电释放端，所述静电释放端位于所述目标扫描线靠近所述参考信号线的一侧，所述显示基板还包括静电释放结构，所述静电释放结构与所述静电释放端和静电环电连接，所述静电释放结构位于所述静电释放端和所述参考信号线之间。
  2. 如权利要求1所述的显示基板，其中，每组所述扫描线包括第一扫描线和第二扫描线，所述第一扫描线和所述第二扫描线在所述第一方向上交替排列设置；
    所述目标扫描线包括两组扫描线，两组所述目标扫描线中，第一扫描线连接的静电释放结构与第一静电环连接线对应，第二扫描线连接的静电释放结构与第二静电环连接线对应。
  3. 如权利要求2所述的显示基板，其中，所述显示基板还包括半导体层，所述第一静电环连接线和所述第二静电环连接线与所述半导体层同层设置。
  4. 如权利要求3所述的显示基板，其中，所述第二静电环连接线位于所述第一静电环连接线和所述参考信号线之间。
  5. 如权利要求4所述的显示基板，其中，所述第一静电环连接线在所述衬底上的正投影和所述第二扫描线在所述衬底上的正投影交叠。
  6. 如权利要求2所述的显示基板，其中，所述显示基板还包括半导体层和屏蔽金属层，所述第一静电环连接线和所述半导体层同层设置，所述第二静电环连接线和所述屏蔽金属层同层同材料设置。
  7. 如权利要求5所述的显示基板，其中，所述第一静电环连接线和所述第二静电环连接线在所述衬底上的正投影交叠。
  8. 如权利要求2至7中任一项所述的显示基板，其中，沿所述第二方向上，所述第一静电环连接线与所述静电释放端之间的距离小于所述第一静电环连接线与所述参考信号线之间的距离；和/或
    沿所述第二方向上，所述第二静电环连接线与所述静电释放端之间的距离小于所述第二静电环连接线与所述参考信号线之间的距离。
  9. 如权利要求2至7中任一项所述的显示基板，其中，所述显示基板还包括多个驱动单元，所述参考信号线为所述驱动单元提供低压参考信号。
  10. 如权利要求9所述的显示基板，其中，沿所述第二方向上，所述第一静电环连接线的尺寸小于所述参考信号线的尺寸；且/或所述第二静电环连接线的尺寸小于所述参考信号线的尺寸。
  11. 一种显示装置，包括权利要求1至10中任一项所述的显示基板。
  12. 一种显示基板的制作方法，包括以下步骤：
    提供一衬底；
    在所述衬底上制作扫描线和参考信号线，其中，所述扫描线沿第一方向延伸且沿第二方向排列，所述参考信号线在所述扫描线的端部沿所述第二方向延伸，所述参考信号线在所述衬底上的正投影和所述扫描线在所述衬底上的正投影不交叠，所述第一方向和所述第二方向为相互交叉的方向，所述扫描线包括目标扫描线，所述目标扫描线用于释放静电，所述目标扫描线包括静电释放端，所述静电释放端位于所述目标扫描线靠近所述参考信号线的一侧，所述显示基板还包括静电释放结构，所述静电释放结构与所述静电释放端和静电环电连接，所述静电释放结构位于所述静电释放端和所述参考信号线之间。
  13. 如权利要求12所述的方法，其中，每组所述扫描线包括第一扫描线和第二扫描线，所述第一扫描线和所述第二扫描线在所述第一方向上交替排列设置；
    所述目标扫描线包括两组扫描线，两组所述目标扫描线中，第一扫描线连接的静电释放结构与第一静电环连接线对应，第二扫描线连接的静电释放结构与第二静电环连接线对应；
    所述在所述衬底上制作扫描线和参考信号线之前，所述方法还包括：
    在所述衬底上通过一次构图工艺制作半导体层图形、第一静电环连接线图形和第二静电环连接线图形；
    将所述第一静电环连接线图形导体化形成所述第一静电环连接线，以及将所述第二静电环连接线图形导体化形成所述第二静电环连接线。
  14. 如权利要求12所述的方法，其中，每组所述扫描线包括第一扫描线和第二扫描线，所述第一扫描线和所述第二扫描线在所述第一方向上交替排列设置；
    所述目标扫描线包括两组扫描线，所述目标扫描线包括两组扫描线，两组所述目标扫描线中，第一扫描线连接的静电释放结构与第一静电环连接线对应，第二扫描线连接的静电释放结构与第二静电环连接线对应；
    所述在所述衬底上制作扫描线和参考信号线之前，所述方法还包括：
    在所述衬底上通过一次构图工艺制作半导体层图形、第一静电环连接线图形；
    将所述第一静电环连接线图形导体化形成所述第一静电环连接线；
    在所述衬底上通过一次构图工艺制作屏蔽金属层图形和第二静电环连接线图形，其中，所述第二静电环连接线图形用于作为所述第二静电环连接线。
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