CN117673896A - 一种dbr高反分段大截面滤光可转向发射激光器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种DBR高反分段大截面滤光可转向发射激光器。激光器包括：衬底；DBR高反射区域，设置于衬底的第一端，且DBR高反射区域中设置有DBR反射滤光片；激光输出转向端区域，设置于衬底的第二端，用于输出激光；激光输出转向端区域包括：斜面介质HR高反射镜膜和介质AR透射膜，斜面介质HR高反射膜能够将激光反射至介质高反射镜膜，斜面介质HR高反射镜与介质高反射镜膜之间形成第一角度α；光增益单元，位于DBR高反射区域与激光输出转向端区域之间；滤光单元，滤光单元紧连光增益单元，位于DBR高反射区域与斜面介质HR高反射镜之间，滤光单元的周期为λ/4。本发明能够解决二次外延、滤光效果差、工艺复杂及光转向能耗大的问题。

Description

一种DBR高反分段大截面滤光可转向发射激光器
技术领域
本发明涉及激光芯片技术领域，具体而言，涉及一种DBR高反分段大截面滤光可转向发射激光器。
背景技术
车载激光雷达、人脸识别和光通讯领域需要大量半导体激光器。垂直面发射激光器(VCSEL)因集成度高体积小等优点越来越受到市场的欢迎。但是VCSEL普遍存在光功率低、谱线宽、工作距离短等问题，限制了其应用范围。传统DFB激光芯片通常为水平端边发射，有人层用45度斜角面实现垂直发射的，但设计过于简单没有考虑到大量光透射损失和反射损失。另外，从他DFB激光器需晶体二次外延和两种不同的半导体材料，工艺复杂成本高。再者对于某些材料，如InP基底激光器，因其光折射率差异小从而使得实现高效滤光光栅是个长期困扰半导体激光芯片产业界较大的技术挑战和现实问题。
发明内容
本发明能够解决二次外延、滤光效果差、工艺复杂及光转向能耗大的技术问题。
为解决上述问题，本发明实施例提供了一种DBR高反分段大截面滤光可转向半导体激光器，所述激光器包括：衬底；DBR高反射区域，所述DBR高反射区域设置于所述衬底的第一端，且所述DBR高反射区域中设置有DBR反射滤光片；激光输出转向端区域，所述激光输出转向端区域设置于所述衬底的第二端，用于输出激光；所述激光输出转向端区域包括：斜面介质HR高反射镜膜以及介质AR透射膜层，所述斜面介质HR高反射镜膜能够将激光反射至所述介质AR透射膜层，所述斜面介质HR高反射镜膜与所述介质AR透射膜层之间形成第一角度α；至少两个光增益单元，所述光增益单元位于所述DBR高反射区域与所述斜面介质HR高反射镜膜之间；至少两个滤光单元，所述滤光单元位于所述DBR高反射区域与所述斜面介质HR高反射镜膜之间，且所述滤光单元的周期为λ/4，其中，λ为所述激光器的工作波长；其中，至少两个所述光增益单元和至少两个所述滤光单元间隔设置在所述衬底上，且排列在一水平直线上；所述激光器在输出激光时，能够通过所述斜面介质HR高反射镜膜进行转向。
与现有技术相比，采用该技术方案所达到的技术效果：：不再需要晶体二次外延，左边高反射端不需要传统镀HR光学反射膜，DBR反射片和λ/4周期滤光片可一次性用光刻模板制成，简化了工艺，激光增益单元的设置实现了对光能量放大和传输时的导向，进而保证了激光能够沿一定的方向进行传输，深度刻蚀大截面半导体与空气间构成的滤光单元提高了透射滤光效果，多节光增益单元和滤光单元增强了光输出功率和光谱性能，左边端深度刻蚀大截面半导体与空气间构成的DBR区域在实现高反射率功能的同时也实现了高效反射滤光效果，芯片右边的转向端介质HR反射镜面和光出射口水平面的介质AR透射膜层也进一步达到滤光和减小光能损耗的效果。经多节多次透射滤光和反射滤光，结合大截面滤光，输出光谱性能大幅改善。
进一步的，在本发明的一个实施例中，所述DBR高反射区域由多个所述DBR反射滤光片以及空气介质组成，其中，所述DBR反射滤光片的半导体片厚度为λ/4，空气介质的宽度的为λ/4。
进一步的，在本发明的一个实施例中，所述DBR反射滤光片采用深度刻蚀片状结构，其中深度从脊背波导顶部一直刻到衬底表面，甚至可深刻到衬底内部去，大幅增加了反射截面面积和反射效率以及滤光效果。
进一步的，在本发明的一个实施例中，所述滤光单元由多个半导体滤光片以及空气介质组成，其中，所述半导体滤光片厚度为λ/8，空气介质的宽度为λ/8。
进一步的，在本发明的一个实施例中，所述滤光单元采用深度刻蚀片状结构，其中深度从脊背波导顶部一直刻到衬底表面，甚至可深刻到衬底内部去，大幅增加了光透射截面面积和透射透射效率以及滤光效果。
进一步的，在本发明的一个实施例中，所述第一角度α满足：α∈(0°，180°)。
与现有技术相比，采用该技术方案所达到的技术效果：激光信号会首先在斜面介质HR高反射镜膜上进行反射，其次再会在介质AR透射膜透射下，输送至外部，通过改变第一角度α的大小，能够使激光器能够在任意方向输出激光。
进一步的，在本发明的一个实施例中，在所述第一角度α满足：α＝90°时，在转向HR高反膜斜面的第一角度α满足：在α＝90°时，为水平边端发射激光器，所述斜面介质HR高反射镜膜省略，同时将所述斜面介质HR高反射镜膜替换为所述介质AR透射膜层。
进一步的，在本发明的一个实施例中，所述光输出转向高反膜斜面的HR高反射镜膜表面渡有介质HR高反射镜膜，所述介质HR高反射镜膜大幅减少了光转向时的能量透射损耗。
与现有技术相比，采用该技术方案所达到的技术效果：由于斜面介质HR高反射镜膜具有高反射、低透射的效果，在采用斜面介质HR高反射镜膜后，极大地提升了对激光输出功率的利用，而相反的，AR增透膜具有高透射、低反射的效果，在采用AR增透膜后，极大地提升了对激光的透射率；通过在激光输出转向端区域设置斜面介质HR高反射镜膜以及光出射口面介质AR透射膜层后，降低了激光在光输出端的损耗，进一步提升了激光器的输出功率。
进一步的，在本发明的一个实施例中，在所述转向HR高反膜斜面的第一角度α满足：0°＜α＜90°时，所述激光器的激光沿远离所述衬底的一侧输出；在所述第一角度α满足：90°＜α＜180°时，所述激光器的激光朝向所述衬底的一侧输出；其中，在所述第一角度α满足：α＝45°或者α＝135°时，所述激光器的输出方向与所述衬底垂直，从而实现垂直面发射激光器。
与现有技术相比，采用该技术方案所达到的技术效果：将第一角度α满足：0°＜α＜90°时，此时激光器的发射的激光沿远离衬底的一侧输出，即此时可看作，当衬底水平设置时，激光的输出方向在衬底上方；当将第一角度α满足：90°＜α＜180°时，此时激光器的发射的激光朝向衬底的一侧输出，即此时可看作，当衬底水平设置时，激光的输出方向在衬底下方；通过改变第一角度的大小，进而能够使激光器在任意方向上的输出，从而提高了激光器的适用性。
进一步的，在本发明的一个实施例中，光输出端口介质AR透射膜层采取两种介质周期为λ/4的AR低反射光学膜，其中，每层介质的厚度为λ/8；所述AR低反射光学膜大幅减少了激光透射时的反射能量损耗。
综上所述，采用本发明的技术方案后，能够达到如下技术效果：
i)光增益单元与滤光单元的设置，实现了半导体材料与空气介质之间的滤光，避免了激光的二次外延：同时在光增益单元设置有多个时，光增益单元之间的激光会相互进行干扰、相互激发，从而增强了激光的输出功率；深度刻蚀大截面半导体与空气间构成的滤光单元提高了透射滤光效果，多节光增益单元和滤光单元增强了光输出功率和光谱性能，左边端深度刻蚀大截面半导体与空气间构成的DBR区域在实现高反射率功能的同时也实现了高效反射滤光效果，芯片右边的转向端介质HR高反射镜膜面和介质AR透射膜层面也进一步达到滤光效果；经多节多次透射滤光和反射滤光，结合大截面滤光，输出光谱性能大幅改善；同时由于半导体材料与空气属于两种不同的介质，因而使得两种介质的折射率存在较大的差异，相较于在传统的在激光器中的导波区中设置的两种半导体材料而言，极大地提升了滤光性能，进一步的，相较于传统的激光芯片来说，简化了激光器的工艺成本；
iii)至少两个光增益单元与至少两个滤光单元的设置，实现了激光的高质量光束输出：光增益单元与滤光单元的间隔设置，进而保证了激光能够以设定的输送波长进行传送，同时相邻的两个光增益单元之间也能相互激发，相互干扰，进而提升了激光的输出效率；
iv)在采用一种半导体材料后，避免了二次晶体外延，实现了高质量光束输出以及大功率光输出的目的，进一步的简化了工艺，降低了成本，同时通过改变第一角度α的大小，能够使激光器在任意方向输出激光；
v)在采用半导体材DBR高反单元后，避免了左边端传统HR高反光学镀膜工艺流程。
附图说明：
图1为本发明第一实施例中提供的激光器50的结构示意图。
图2为图1中圈示部分A处的放大视图。
图3为图1的俯视图。
图4为图1的左视图。
图5为本发明第二实施例中提供的激光器50的结构示意图。
图6为本发明第三实施例中提供的激光器50的结构示意图。
附图标记说明：
50-激光器；10-DBR高反射区域；11-DBR反射滤光片；20-光增益和滤光区域；21-光增益单元；211-电流注入正极区域；22-滤光单元；30-激光输出转向端区域；31-斜面介质HR高反射镜膜；32-介质AR低反射增透膜；40-衬底；401-第一端；402-第二端；41-n+负电极导电层；42-光增益层。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。在本发明的描述中，需要理解的是，术语“横向”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
【第一实施例】
参见图1-图4，本发明实施例提供了一种DBR高反分段大截面滤光可转向发射激光器50，发射激光器50包括：衬底40、DBR高反射区域10、激光输出转向端区域30以及激光增益和滤光区域20；DBR高反射区域10设置于衬底40的第一端401，激光输出转向端区域30设置于衬底40的第二端402，光增益和滤光区域20设置于DBR高反射区域10与激光输出转向端区域30之间，用于对激光进行光放大、滤光和导向。
优选的，激光器50，还包括：n+负电极导电层41以及光增益层42；其中，衬底40、n+负电极导电层41以及光增益层42自下而上依次设置，同时当向光增益和滤光区域20输入电流时，光增益层42对应光增益和滤光区域20的位置会发光，即当对激光器50接入电流后，在激光器50中会形成激光；其中，光增益和滤光区域20为正极，即p+极，衬底40为负极，即n-极；在激光器50接入电流后，激光器50中的电流会由光增益和滤光区域20流向衬底40；需要说明的是，在本发明实施例中，采用了脊背型激光二极管单元块。
优选的，光增益和滤光区域20能够对激光进行光能量放大、滤光以及导向，使得激光器50中的激光能够沿特定方向进行传输，在本发明实施例中，设定激光的输出方向为自左向右；且光增益和滤光区域20包括：至少两个光增益单元21以及至少两个滤光单元22，且至少两个光增益单元21与至少两个滤光单元22重复排列位于一条直线上形成多节高增益高性能结构；滤光单元22用于对特定波长的激光进行滤光，只有满足用户设定波长的激光才能够穿过滤光单元22，不满足设定波长的激光则被阻挡；其中，激光器50的工作波长为λ，滤光单元22采用深度刻蚀片状结构，其中深度从脊背波导顶部一直刻到衬底40表面，甚至可深刻到衬底40内部去，大幅增加了光透射截面面积和透射效率以及滤光效果。
优选的，在每个光增益单元21远离衬底40的一侧(即光增益单元21的上方)设置有电流注入正极区域211；电流注入正极区域211用于接通电流，且在激光器50接入电流时，在每个光增益单元21中，电流会由电流注入正极区域211经n+负电极导电层41流向光增益层42，从而使光增益层42对应每个光增益单元21发光。
进一步的，由于光具有发散性，在通入电流后，每个光增益单元21中的激光会沿两个方向传输，其中，一部分的激光会自左向右传输(如图1中L1方向所示)，另一部分激光会自右向左传输(如图1中L2方向所示)，为保证所有的激光都能传输至激光输出转向端区域30，因而在光增益和滤光区域20左侧设置了DBR高反射区域10，DBR高反射区域10能够对激光进行反射，进而改变激光的方向，最终使得所有的激光都能够传输至激光输出转向端区域30，并且最终使得所有的激光能够通过激光输出转向端区域30的端口输送至外部。
具体的，DBR高反射区域10采用DBR半导体滤光片与空气间隙组合，且半导体滤光片厚度为λ/4，空气间隙厚度为λ/4，从而DBR周期厚度为λ/2；由于DBR反射片具有高反射、低透射的效果，因而DBR高反射区域10几乎能够对激光进行完全反射，从而极大的降低了激光在传输过程中的损耗，保证了激光的输送效率；同时在本发明实施例中，利用DBR高反射区域替代了传统介质HR镜面，从而省去一道高效镀膜工艺流程；DBR反射滤光片11同样的采用深度刻蚀片状结构，其中深度从脊背波导顶部一直刻到衬底40表面，甚至可深刻到衬底40内部去，大幅增加了反射截面面积和反射效率以及滤光效果。
需要说明的是，DBR高反射区域10的反射率与DBR半导体滤光片设置的个数有关，DBR高反射区域10在采用DBR半导体滤光片后，DBR半导体滤光片设置越多时，DBR高反射区域10的反射率越高，对应的DBR半导体滤光片设置越多时，相应的尺寸会越高，故在设置DBR半导体滤光片个数时，可根据根据激光器50的实际使用情况以及用户的实际需求而定，不限于本发明实施例中个数的限定。
优选的，由于激光具有相干性和受激激发特性，即在激光增益单元21设置有多个时，每个激光增益单元21中发出的激光相对其它任何一个增益单元都是外部光泵浦源会相互干涉激发，从而增强了光输出激发功率和单色性；需要说明的是，光增益单元21设置的个数越多，对应的激光的输出功率越高，在本发明实施例中，光增益单元21设置有四个，当然了，光增益单元21的个数可根据激光器50的实际使用情况与用户的实际需求而定，不局限于发明实施例中的个数限定。
优选的，由于半导体材料与空气属于两种不同的介质，故半导体材料与空气之间的较大的折射率差，从而激光在半导体与空气介质之间传输时，提升了滤光性能；相较于在传统的在激光器50中的导波区中设置的两种半导体材料而言，极大地提升了滤光性能，同时相较于传统的DFB激光芯片来说，还避免了二次外延，进一步的简化了激光器50的工艺成本，尤其对于InP基底器件光折射率差小滤光效果差，本发明启用的半导体与空气性滤光效果好特征解决了此类器件纯半导体光栅滤光效果不理想光谱质量差问题。
优选的，无论是λ/2为周期的DBR高反片还是λ/4为周期的滤光片均采用深度刻蚀大截面滤光片滤光，前者为反射滤光，后者为透射滤光。不论哪一种，增加滤光截面积将提高滤光效果。
优选的，激光输出转向端区域30包括：斜面介质HR高反射镜膜31以及水平介质AR增透膜层；介质AR增透膜层位于衬底40远离DBR高反射区域10的一端；斜面介质HR高反射镜膜31设置于衬底40靠近介质AR增透膜层的一侧，且斜面介质HR高反射镜膜31位于衬底40与水平介质AR增透膜层之间；其中，斜面介质HR高反射镜膜31能够对激光的输送进行转向；具体的，经过斜面介质HR高反射镜膜31能够将光增益和滤光区域20输送的激光反射至介质AR透射膜层，进而在介质AR增透膜层的增透下，能够将激光向外进行输送。
进一步的，介质AR增透膜层采用介质AR低反射增透膜32，且斜面介质HR高反射镜膜31与介质AR低反射增透膜32之间形成第一角度α，激光器50在输出激光时，能够通过斜面介质HR高反射镜膜31进行转向；举例来说，当衬底40水平设置时，介质AR低反射增透膜32与衬底40平行设置，为保证激光器50的激光能够完全输出，此时的第一角度α即为介质AR低反射增透膜32与斜面介质HR高反射镜膜31之间的角度，或者可以看作，第一角度α为斜面介质HR高反射镜膜31与水平面之间的角度；进一步的，第一角度α满足：α∈(0°，180°)，在所述第一角度α满足：0°＜α＜90°时，激光器50的激光沿远离衬底40的一侧输出；其中，当α为90°时，此时斜面介质HR高反射镜膜31与衬底40相互垂直，为保证激光的正常输出，此时可取消斜面介质HR高反射镜膜31的设置，此时激光器50的输出方向为水平向右，此时无需再镀介质AR低反射增透膜32，因为半导体滤光单元22本身就有滤光增透功能；在第一角度α满足：α＝45°或者α＝135°时，激光器50的输出方向与衬底40垂直，从而实现垂直面发射激光器50。
进一步的，在所述第一角度α满足：90°＜α＜180°时，激光器50的激光朝向衬底40的一侧输出；需要说明的是，激光会依次经过斜面介质HR高反射镜膜31与介质AR低反射增透膜32，即激光信号会首先在斜面介质HR高反射镜膜31上进行反射，其次再会在介质AR低反射增透膜32的透射下，输送至外部；同时，当第一角度α为45°时，激光经过斜面介质HR高反射镜膜31反射后，会与衬底40垂直的方向输送至介质AR低反射增透膜32，即在第一角度α为45°时，当激光自左向右水平输送(如图1中L1的方向所示)至斜面介质HR高反射镜膜31后，会沿竖直向上的方向输送至介质AR低反射增透膜32(如图2中L11的方向所示)；当然了，第一角度α还可以设置为其他度数，具体的可根据用户的实际需求而定，不局限于本发明实施例中第一角度α中45。的限定。
再进一步的，为保证反射模块的反射效率，在斜面介质HR高反射镜膜31渡有介质HR高反射镜膜，介质HR高反射镜膜大幅减少了激光反射时的功率损耗；光输出端口介质AR低反射增透膜32采取两种介质周期为λ/4的AR低反射光学膜，其中，每层介质的厚度为λ/8；AR低反射光学膜大幅减少了激光透射时的反射能量损耗。
【第二实施例】
优选的，参见图5，在本发明的第二实施例在第一实施例的基础上提供了另一种激光器50，在本实施例中，对第一实施例中的激光输出转向端区域30的结构进行了调整；其中，在本实施例中介质AR低反射增透膜32位于斜面介质HR高反射镜膜31下方，且斜面介质HR高反射镜膜31与介质AR低反射增透膜32之间形成的第一角度α，当激光自左向右水平输送(如图5中L3的方向所示)至斜面介质HR高反射镜膜31后，且当第一角度α在135°时，激光在斜面介质HR高反射镜膜31的反射下，激光沿竖直向下的方向(如图5中L31的方向所示)传输至介质AR低反射增透膜32中，最后再由介质AR低反射增透膜32输送至外部，当然了还可以通过改变第一角度α的大小，使得激光的向任意方向输出，具体的可根据激光器的实际使用情况以及用户的实际需求而定，此处不作唯一限定。
进一步的，在本发明实施例中，当激光器50通入电流后，每个光增益单元21中的激光会沿两个方向传输，其中，一部分的激光会自左向右传输(如图5中L3方向所示)，另一部分激光会自右向左传输(如图5中L4方向所示)，其中，沿L4方向传输的激光在DBR高反射区域10的反射下，会传输至激光输出转向端区域30。
【第三实施例】
优选的，参见图6，在本发明第三实施例在上述第一实施例的基础上提供了再一种激光器50，在本实施例中，对第一实施例中的激光输出转向端区域30的结构进行了调整；具体的，在本实施例中设置第一夹角α等于90°，同时取消水平介质AR低反射增透膜32，同时将斜面介质HR高反射镜膜31变为介质AR低反射增透膜32；或者斜面介质HR高反射镜膜31省略，同时将斜面介质HR高反射镜膜31替换为介质AR透射膜层，此时，激光器50的激光能够实现水平边端发射。
进一步的，在本发明实施例中，当激光器50通入电流后，每个光增益单元21中的激光会沿两个方向传输，其中，一部分的激光会自左向右传输(如图6中L5方向所示)，另一部分激光会自右向左传输(如图6中L6方向所示)，其中，沿L6方向传输的激光在DBR高反射区域10的反射下，会传输至激光输出转向端区域30。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (10)

1.一种DBR高反分段大截面滤光可转向发射激光器，其特征在于，包括：
衬底；
DBR高反射区域，所述DBR高反射区域设置于所述衬底的第一端，且所述DBR高反射区域中设置有DBR反射滤光片；
激光输出转向端区域，所述激光输出转向端区域设置于所述衬底的第二端，用于输出激光；所述激光输出转向端区域包括：斜面介质HR高反射镜膜以及介质AR透射膜层，所述斜面介质HR高反射镜膜能够将激光反射至所述介质AR透射膜层，所述斜面介质HR高反射镜膜与所述介质AR透射膜层之间形成第一角度α；
至少两个光增益单元，所述光增益单元位于所述DBR高反射区域与所述斜面介质HR高反射镜膜之间；
至少两个滤光单元，所述滤光单元位于所述DBR高反射区域与所述斜面介质HR高反射镜膜之间，且所述滤光单元的周期为λ/4，其中，λ为所述激光器的工作波长；
其中，至少两个所述光增益单元和至少两个所述滤光单元间隔设置在所述衬底上，且排列在一水平直线上；所述激光器在输出激光时，能够通过所述斜面介质HR高反射镜膜进行转向。
2.根据权利要求1所述的DBR高反分段大截面滤光可转向发射激光器，其特征在于，所述DBR高反射区域由多个所述DBR反射滤光片以及空气介质组成，其中，所述DBR反射滤光片的厚度为λ/4，空气介质的宽度的为λ/4。
3.根据权利要求2所述的DBR高反分段大截面滤光可转向发射激光器，其特征在于，所述DBR反射滤光片采用深度刻蚀片状结构，其中深度从脊背波导顶部一直刻到衬底表面，甚至可深刻到衬底内部去，大幅增加了反射截面面积和反射效率以及滤光效果。
4.根据权利要求1所述的DBR高反分段大截面滤光可转向发射激光器，其特征在于，所述滤光单元由多个半导体滤光片以及空气介质组成，其中，所述半导体滤光片厚度为λ/8，空气介质的宽度为λ/8。
5.根据权利要求4所述的DBR高反分段大截面滤光可转向发射激光器，其特征在于，所述滤光单元采用深度刻蚀片状结构，其中深度从脊背波导顶部一直刻到衬底表面，甚至可深刻到衬底内部去，大幅增加了光透射截面面积和透射效率以及滤光效果。
6.根据权利要求1所述的DBR高反分段大截面滤光可转向发射激光器，其特征在于，所述第一角度α满足：α∈(0°，180°)。
7.根据权利要求6所述的DBR高反分段大截面滤光可转向发射激光器，其特征在于，在转向HR高反膜斜面的所述第一角度α满足：在α＝90°时，为水平边端发射激光器，所述斜面介质HR高反射镜膜省略，同时将所述斜面介质HR高反射镜膜替换为所述介质AR透射膜层。
8.根据权利要求1-7任意一项所述的DBR高反分段大截面滤光可转向发射激光器，其特征在于，所述光输出转向高反膜斜面的斜面介质HR高反射镜膜表面渡有介质HR高反射镜膜，所述介质HR高反射镜膜大幅减少了光转向时的能量透射损耗。
9.根据权利要求6所述的DBR高反分段大截面滤光可转向发射激光器，其特征在于，在所述转向HR高反膜斜面的第一角度α满足：0°＜α＜90°时，所述激光器的激光沿远离所述衬底的一侧输出；在所述第一角度α满足：90°＜α＜180°时，所述激光器的激光朝向所述衬底的一侧输出；其中，在所述第一角度α满足：α＝45°或者α＝135°时，所述激光器的输出方向与所述衬底垂直，从而实现垂直面发射激光器。
10.根据权利要求9所述的DBR高反分段大截面滤光可转向发射激光器，其特征在于，光输出端口介质AR透射膜层采取两种介质周期为λ/4的AR低反射光学膜，其中，每层介质的厚度为λ/8；所述AR低反射光学膜大幅减少了激光透射时的反射能量损耗。
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