CN117642859A - 显示基板及显示装置 - Google Patents
显示基板及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117642859A CN117642859A CN202280002018.8A CN202280002018A CN117642859A CN 117642859 A CN117642859 A CN 117642859A CN 202280002018 A CN202280002018 A CN 202280002018A CN 117642859 A CN117642859 A CN 117642859A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- test
- signal
- substrate
- display
- electrically connected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 216
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 364
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 59
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 42
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 38
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 34
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 34
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 23
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 8
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 286
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 description 37
- 230000008569 process Effects 0.000 description 37
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 33
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 18
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 8
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 6
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 101100041125 Arabidopsis thaliana RST1 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100443250 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) DIG1 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100443251 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) DIG2 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100041128 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) rst2 gene Proteins 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000006056 electrooxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
一种显示基板,包括:衬底(101)、第一封装胶基底、多条第一信号引出线(341)、多条测试连接走线(342)和多个测试信号接入引脚(361)。衬底(101)至少包括:显示区域(AA)、位于显示区域(AA)一侧的周边区域(BB)。第一封装胶基底位于周边区域(BB)。多条第一信号引出线(341)、多条测试连接走线(342)和多个测试信号接入引脚(361)位于第一封装胶基底远离显示区域(AA)的一侧。至少一条第一信号引出线(341)通过至少一条测试连接走线(342)与至少一个测试信号接入引脚(361)电连接。第一信号引出线(341)和测试连接走线(342)的连接位置与第一封装胶基底在衬底(101)的正投影没有交叠。
Description
本文涉及但不限于显示技术领域,尤指一种显示基板及显示装置。
随着显示技术的不断发展,显示产品的种类越来越多,例如,液晶显示器(LCD,Liquid Crystal Display)、有机发光二极管(OLED,Organic Light-Emitting Diode)显示器、等离子体显示面板(PDP,Plasma Display Panel)、场发射显示器(FED,Field Emission Display)等。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开实施例提供一种显示基板及显示装置。
一方面,本公开实施例提供一种显示基板,包括:衬底、第一封装胶基底、多条第一信号引出线、多条测试连接走线和多个测试信号接入引脚。衬底至少包括:显示区域、位于显示区域一侧的周边区域。第一封装胶基底位于周边区域。多条第一信号引出线、多条测试连接走线和多个测试信号接入引脚位于第一封装胶基底远离显示区域的一侧。至少一条第一信号引出线通过至少一条测试连接走线与至少一个测试信号接入引脚电连接。所述第一信号引出线和测试连接走线的连接位置与所述第一封装胶基底在所述衬底的正投影没有交叠。
在一些示例性实施方式中,显示基板还可以包括:设置在所述衬底上的封装盖板,所述第一信号引出线和测试连接走线的连接位置远离所述封装盖板。
在一些示例性实施方式中,所述周边区域包括:位于所述显示区域一侧的至少一个测试信号接入区、位于所述显示区域和所述测试信号接入区之间 的第一区域。所述多个测试信号接入引脚位于所述测试信号接入区,所述第一封装胶基底、所述多条第一信号引出线和多条测试连接走线至少位于所述第一区域。
在一些示例性实施方式中,显示基板还可以包括:设置在所述衬底上的第一有机绝缘层,所述第一有机绝缘层在所述衬底的正投影覆盖所述第一信号引出线和测试连接走线的连接位置。
在一些示例性实施方式中,所述第一有机绝缘层靠近所述显示区域的边缘与所述第一封装胶基底远离所述显示区域一侧的边缘之间的距离大于或等于50微米。
在一些示例性实施方式中,所述多条第一信号引出线被配置为传输以下至少之一信号:扫描起始信号、扫描时钟信号、发光起始信号、发光时钟信号、驱动电源信号、测试数据信号、测试控制信号。
在一些示例性实施方式中,在垂直于所述显示基板的方向上,所述第一封装胶基底和多条测试连接走线位于所述多条第一信号引出线远离所述衬底的一侧。
在一些示例性实施方式中,所述第一封装胶基底和所述多条测试连接走线为同层结构。
在一些示例性实施方式中,所述周边区域包括:沿第二方向位于所述显示区域一侧的信号接入区和测试信号接入区,所述信号接入区在第一方向上与所述测试信号接入区相邻,所述第一方向与第二方向交叉;所述多个测试信号接入引脚位于所述测试信号接入区。所述信号接入区包括:设置在所述衬底上的多个信号接入引脚。所述至少一条第一信号引出线与至少一个信号接入引脚电连接。
在一些示例性实施方式中,显示基板还包括:至少一个第一辅助标记,所述第一辅助标记在所述第一方向上位于所述测试信号接入区远离所述信号接入区的一侧。所述多条测试连接线在所述第二方向上位于所述第一辅助标记和第一封装胶基底之间。至少一条第一信号引出线和测试连接走线的连接位置在所述第一方向上位于所述第一辅助标记远离所述测试信号接入区的一侧。
在一些示例性实施方式中,显示基板还包括:至少一个第二辅助标记,所述第二辅助标记在所述第一方向上位于所述第一辅助标记远离所述测试信号接入区的一侧。所述至少一条第一信号引出线和测试连接走线的连接位置在所述第一方向上位于所述第二辅助标记靠近所述第一辅助标记的一侧。
在一些示例性实施方式中,所述第二辅助标记与所述第一封装胶基底为一体结构。
在一些示例性实施方式中,所述至少一条第一信号引出走线具有向所述第二辅助标记一侧凸出的第一弯折部;所述测试连接走线与所述第一信号引出走线的第一弯折部电连接。
在一些示例性实施方式中,所述第一封装胶基底与第一电源线电连接。
在一些示例性实施方式中,显示基板还包括:位于所述第一封装胶基底上的封装胶。
在一些示例性实施方式中,显示基板还包括:测试电路。所述测试电路包括:至少一个测试单元,所述测试单元包括多个测试晶体管,所述多个测试晶体管的第一极分别通过第一数据连接线电连接不同的测试数据线,所述多个测试晶体管的第二极分别连接所述显示区域的不同的数据线,所述多个测试晶体管的栅极与测试控制信号线电连接。所述第一数据连接线与所述多个测试晶体管的栅极为同层结构。
在一些示例性实施方式中,所述测试单元的多个测试晶体管的栅极为一体结构。
在一些示例性实施方式中,所述测试电路位于所述显示区域远离所述测试信号接入区的一侧,并与部分第一信号引出线电连接。
在一些示例性实施方式中,显示基板还包括:多路复用电路。所述多路复用电路包括:至少一个复用单元,所述复用单元包括多个复用晶体管,所述多个复用晶体管的第一极与复用数据线电连接,所述多个复用晶体管的第二极分别通过第二数据连接线电连接所述显示区域的不同的数据线,所述多个复用晶体管的栅极分别电连接不同的复用控制信号线。所述第二数据连接线与所述多个复用晶体管的栅极为同层结构。
另一方面,本公开实施例提供一种显示装置,包括如上所述的显示基板。
在阅读并理解了附图和详细描述后,可以明白其他方面。
附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案,并不构成对本公开的技术方案的限制。附图中一个或多个部件的形状和大小不反映真实比例,目的只是示意说明本公开内容。
图1为一种显示装置的外形示意图;
图2为一种显示装置的结构示意图;
图3为一种显示基板的显示区域的局部剖面结构示意图;
图4为一种像素电路的等效电路图;
图5为本公开至少一实施例的显示基板的第一边框的示意图;
图6为本公开至少一实施例的第一边框的第一平坦层的示意图;
图7为本公开至少一实施例的信号接入区和测试信号接入区的局部示意图;
图8为本公开至少一实施例的周边区域的走线示例图;
图9为图6中区域C1的局部放大示意图;
图10为图9中沿P-P’方向的局部剖面示意图;
图11A为图9中第一栅金属层的示意图;
图11B为图9中第一源漏金属层的示意图;
图12为图9中区域C2的局部放大示意图;
图13为图12中沿R-R’方向的局部剖面示意图;
图14为本公开至少一实施例的测试电路的等效电路图;
图15A为本公开至少一实施例的测试单元的结构示意图;
图15B为图15A中形成半导体层后的测试单元的示意图;
图15C为图15A中形成第一栅金属层后的测试单元的示意图;
图15D为图15A中形成第三绝缘层后的测试单元的示意图;
图16为本公开至少一实施例的多路复用电路的等效电路图;
图17A为本公开至少一实施例的复用单元的结构示意图;
图17B为图17A中形成半导体层后的复用单元的示意图;
图17C为图17A中形成第一栅金属层后的复用单元的示意图;
图17D为图17A中形成第二栅金属层后的复用单元的示意图;
图17E为图17A中形成第三绝缘层后的复用单元的示意图。
下面将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实,就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为其他形式。因此,本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下,本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图中,有时为了明确起见,夸大表示了一个或多个构成要素的大小、层的厚度或区域。因此,本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸,附图中一个或多个部件的形状和大小不反映真实比例。此外,附图示意性地示出了理想的例子,本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置,而不是为了在数量方面上进行限定的。本公开中的“多个”表示两个及以上的数量。
在本说明书中,为了方便起见,使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系,仅是为了便于描述本说明书和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述 的构成要素的方向适当地改变。因此,不局限于在说明书中说明的词句,根据情况可以适当地更换。
在本说明书中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如,可以是固定连接,或可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,或连接;可以是直接相连,或通过中间件间接相连,或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据情况理解上述术语在本公开中的含义。
在本说明书中,“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的传输,就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线,而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有多种功能的元件等。
在本说明书中,晶体管是指至少包括栅极、漏极以及源极这三个端子的元件。晶体管在漏极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域,并且电流能够流过漏极、沟道区域以及源极。在本说明书中,沟道区域是指电流主要流过的区域。
在本说明书中,为区分晶体管除栅极之外的两极,将其中一个电极称为第一极,另一电极称为第二极,第一极可以为源极或者漏极,第二极可以为漏极或源极,另外,将晶体管的栅极称为控制极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下,“源极”及“漏极”的功能有时互相调换。因此,在本说明书中,“源极”和“漏极”可以互相调换。
在本说明书中,“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态,因此,也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外,“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态,因此,也包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本说明书中,三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等并非严格意义上的,可以是近似三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等,可以存在公差导致的一些小变形,可以存在导角、弧边以及变形等。
本公开中的“约”、“大致”,是指不严格限定界限,允许工艺和测量误差 范围内的情况。在本公开中,“大致相同”是指数值相差10%以内的情况。
在本公开中,A沿着B方向延伸是指,A可以包括主体部分和与主体部分连接的次要部分,主体部分是线、线段或条形状体,主体部分沿着B方向伸展,且主体部分沿着B方向伸展的长度大于次要部分沿着其它方向伸展的长度。以下描述中所说的“A沿着B方向延伸”均是指“A的主体部分沿着B方向延伸”。
图1为一种显示装置的外形示意图,外形为一种矩形倒圆角形状。显示装置可以包括:显示基板。在一些示例中,显示基板可以为包括线性边的闭合多边形、包括弯曲边的圆形或椭圆形、或者包括线性边和弯曲边的半圆形或半椭圆形等。在一些示例中,当衬底基板具有线性边时,衬底基板的至少一些拐角可以为曲线。当衬底基板具有矩形形状时,在相邻的线性边彼此交汇处的部分可以采用具有预定曲率的曲线代替。其中,可以根据曲线的位置不同来设定曲率。例如,可以根据曲线开始的位置、曲线的长度等来改变曲率。
在一些示例中,如图1所示,显示基板可以包括显示区域AA和位于显示区域周边的周边区域BB。在一些示例中,显示区域AA可以包括在第二方向Y上相对设置的第一边缘(下边缘)和第二边缘(上边缘),以及在第一方向X上相对设置的第三边缘(左边缘)和第四边缘(右边缘)。相邻边缘之间可以通过弧形的倒角连接,形成倒圆角的四边形形状。在一些示例中,周边区域BB可以包括:在第二方向Y上相对设置的第一边框(下边框)B1和第二边框(上边框)B2,在第一方向X上相对设置的第三边框(左边框)B3和第四边框(右边框)B4。第一边框B1与第三边框B3和第四边框B4连通,第二边框B2与第三边框B3和第四边框B4连通。
在一些示例中,如图1所示,显示区域AA至少包括多个子像素PX、多条栅线G以及多条数据线D。多条栅线G可以沿第一方向X延伸,多条数据线D可以沿第二方向Y延伸。多条栅线G和多条数据线D在衬底基板上的正投影交叉形成多个子像素区域,每个子像素区域内设置一个子像素PX。多条数据线D与多个子像素PX电连接,多条数据线D可以被配置为向多个子像素PX提供数据信号。多条栅线G与多个子像素PX电连接,多条栅线 G可以被配置为向多个子像素PX提供栅极控制信号。在一些示例中,栅极控制信号可以包括扫描信号和发光控制信号。
在一些示例中,如图1所示,第一方向X可以是显示区域中栅线G的延伸方向(行方向),第二方向Y可以是显示区域中数据线D的延伸方向(列方向)。第一方向X和第二方向Y可以相互垂直。
在一些示例中,显示区域AA的一个像素单元可以包括三个子像素,三个子像素分别为红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。然而,本实施例对此并不限定。在一些示例中,一个像素单元可以包括四个子像素,四个子像素分别为红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素。
在一些示例中,子像素的形状可以是矩形、菱形、五边形或六边形。一个像素单元包括三个子像素时,三个子像素可以采用水平并列、竖直并列或品字方式排列;一个像素单元包括四个子像素时,四个子像素可以采用水平并列、竖直并列或正方形(Square)方式排列。然而,本实施例对此并不限定。
在一些示例中,子像素可以包括:像素电路以及与像素电路连接的发光元件。像素电路可以包括多个晶体管和至少一个电容,例如,像素电路可以为3T1C(即3个晶体管和1个电容)结构、7T1C(即7个晶体管和1个电容)结构、5T1C(即5个晶体管和1个电容)结构、8T1C(即8个晶体管和1个电容)结构或者8T2C(即8个晶体管和2个电容)结构等。
在一些示例中,发光元件可以是发光二极管(LED,Light Emitting Diode)、有机发光二极管(OLED,Organic Light Emitting Diode)、量子点发光二极管(QLED,Quantum Dot Light Emitting Diodes)、微LED(包括:mini-LED或micro-LED)等中的任一者。例如,发光元件可以为OLED,发光元件在其对应的像素电路的驱动下可以发出红光、绿光、蓝光、或者白光等。发光元件发光的颜色可根据需要而定。在一些示例中,发光元件可以包括:阳极、阴极以及位于阳极和阴极之间的有机发光层。发光元件的阳极可以与对应的像素电路电连接。然而,本实施例对此并不限定。
图2为一种显示装置的结构示意图。在一些示例中,如图2所示,显示装置可以包括:时序控制器21、数据驱动器22、扫描驱动电路23、发光驱 动电路24以及显示基板25。在一些示例中,显示基板25的显示区域可以包括规则排布的多个子像素PX。扫描驱动电路23可以配置为沿扫描线将扫描信号提供到子像素PX;数据驱动器22可以配置为沿数据线将数据电压提供到子像素PX;发光驱动电路24可以配置为沿发光控制线将发光控制信号提供到子像素PX;时序控制器21可以配置为控制扫描驱动电路23、发光驱动电路24和数据驱动器22。
在一些示例中,时序控制器21可以将适于数据驱动器22的规格的灰度值和控制信号提供到数据驱动器22;时序控制器21可以将适于扫描驱动电路23的规格的扫描时钟信号、扫描起始信号等提供到扫描驱动电路23;时序控制器21可以将适于发光驱动电路24的规格的发光时钟信号、发光起始信号等提供到发光驱动电路24。数据驱动器22可以利用从时序控制器21接收的灰度值和控制信号来产生将提供到数据线D1至Dn的数据电压。例如,数据驱动器22可以利用时钟信号对灰度值进行采样,并且以子像素行为单位将与灰度值对应的数据电压施加到数据线D1至Dn。扫描驱动电路23可以通过从时序控制器21接收的扫描时钟信号、扫描起始信号等来产生将提供到扫描线S1至Sm的扫描信号。例如,扫描驱动电路23可以将具有导通电平脉冲的扫描信号顺序地提供到扫描线。在一些示例中,扫描驱动电路23可以包括移位寄存器,可以在扫描时钟信号的控制下顺序地将以导通电平脉冲形式提供的扫描起始信号传输到下一级电路的方式产生扫描信号。发光驱动电路24可以通过从时序控制器21接收的发光时钟信号、发光起始信号等来产生将提供到发光控制线E1至Eo的发光控制信号。例如,发光驱动电路24可以将具有截止电平脉冲的发光起始信号顺序地提供到发光控制线。发光驱动电路24可以包括移位寄存器,以在发光时钟信号的控制下顺序地将截止电平脉冲形式提供的发光起始信号传输到下一级电路的方式产生发光控制信号。其中,n、m和o均为自然数。
在一些示例中,扫描驱动电路和发光驱动电路可以直接设置在显示基板上。例如,扫描驱动电路可以设置在显示基板的第三边框,发光驱动电路可以设置在显示基板的第四边框;或者,显示基板的第三边框和第四边框均可以设置扫描驱动电路和发光驱动电路。在一些示例中,扫描驱动电路和发光 驱动电路可以在形成子像素的工艺中与子像素一起形成。
在一些示例中,数据驱动器可以设置在单独的芯片或印刷电路板上,以通过显示基板上的信号接入引脚连接到子像素。例如,数据驱动器可以采用玻璃上芯片、塑料上芯片、膜上芯片等形成设置在显示基板的第一边框,以连接到信号接入引脚。时序控制器可以与数据驱动器分开设置或者与数据驱动器一体设置。然而,本实施例对此并不限定。在一些示例中,数据驱动器可以直接设置在显示基板上。
图3为一种显示基板的显示区域的局部剖面结构示意图。图3示意了显示基板的三个子像素的结构。在一些示例中,如图3所示,在垂直于显示基板的方向上,显示基板可以包括:衬底101、以及依次设置在衬底101上的电路结构层102、发光结构层103、封装结构层104以及封装盖板200。在一些可能的实现方式中,显示基板可以包括其它膜层,如隔垫柱等,本公开在此不做限定。
在一些示例中,衬底101可以为刚性基底,例如玻璃基底。然而,本实施例对此并不限定。例如,衬底可以为柔性基底,例如由树脂等绝缘材料制备。另外,衬底可以为单层结构或多层结构。当衬底为多层结构时,例如氮化硅、氧化硅和氮氧化硅的无机材料可以以单层或多层置于多个层之间。
在一些示例中,每个子像素的电路结构层102可以包括构成像素电路的多个晶体管和存储电容,图3中以每个子像素包括的一个晶体管和一个存储电容为例进行示意。在一些可能的实现方式中,每个子像素的电路结构层102可以包括:设置在衬底101上的有源层;覆盖有源层的第一绝缘层11;设置在第一绝缘层11上的第一栅金属层(例如包括栅电极和第一电容电极);覆盖第一栅金属层的第二绝缘层12;设置在第二绝缘层12上的第二栅金属层(例如包括第二电容电极);覆盖第二栅金属层的第三绝缘层13,第一绝缘层11、第二绝缘层12和第三绝缘层13上开设有过孔,过孔暴露出有源层;设置在第三绝缘层13上的第一源漏金属层(例如包括晶体管的源电极和漏电极),源电极和漏电极可以分别通过过孔与有源层连接;覆盖前述结构的第一平坦层14,第一平坦层14上开设有过孔,过孔暴露出漏电极。有源层、栅电极、源电极和漏电极可以组成晶体管105,第一电容电极和第二电容电 极可以组成存储电容106。
在一些示例中,发光结构层103可以包括阳极层、像素定义层、有机发光层和阴极。阳极层可以包括发光元件的阳极,阳极可以设置在平坦层上,通过平坦层上开设的过孔与像素电路的晶体管的漏电极连接;像素定义层设置在阳极层和平坦层上,像素定义层上设置有像素开口,像素开口暴露出阳极;有机发光层至少部分设置在像素开口内,有机发光层与阳极连接;阴极设置在有机发光层上,阴极与有机发光层连接;有机发光层在阳极和阴极驱动下出射相应颜色的光线。
在一些示例中,封装结构层104可以包括叠设的第一封装层、第二封装层和第三封装层,第一封装层和第三封装层可采用无机材料,第二封装层可采用有机材料,第二封装层设置在第一封装层和第三封装层之间,可以保证外界水汽无法进入发光结构层103。
在一些示例中,有机发光层可以至少包括在阳极上叠设的空穴注入层、空穴传输层、发光层和空穴阻挡层。在一些示例中,所有子像素的空穴注入层可以是连接在一起的共通层,所有子像素的空穴传输层可以是连接在一起的共通层,相邻子像素的发光层可以有少量的交叠,或者可以是隔离的,空穴阻挡层可以是连接在一起的共通层。然而,本实施例对此并不限定。
图4为一种像素电路的等效电路图。在一些示例中,如图4所示,本示例的像素电路可以包括七个晶体管(即第一晶体管T1至第七晶体管T7)和一个存储电容Cst。其中,第三晶体管T3的栅极与第一节点N1电连接,第三晶体管T3的第一极与第二节点N2电连接,第三晶体管T3的第二极与第三节点N3电连接。第三晶体管T3还可以称为驱动晶体管。第四晶体管T4的栅极与第一扫描线GL电连接,第四晶体管T4的第一极与数据线DL电连接,第四晶体管T4的第二极与第三晶体管T3的第一极电连接。第四晶体管T4还可以称为数据写入晶体管。第二晶体管T2的栅极与第一扫描线GL电连接,第二晶体管T2的第一极与第三晶体管T3的栅极电连接,第二晶体管T2的第二极与第三晶体管T3的第二极电连接。第二晶体管T2还可以称为阈值补偿晶体管。第五晶体管T5的栅极与发光控制线EML电连接,第五晶体管T5的第一极与第二电源线VDD电连接,第五晶体管T5的第二极与第 三晶体管T3的第一极电连接。第六晶体管T6的栅极与发光控制线EML电连接,第六晶体管T6的第一极与第三晶体管T3的第二极电连接,第六晶体管T6的第二极与发光元件EL的阳极电连接。第五晶体管T5和第六晶体管T6还可以称为发光控制晶体管。第一晶体管T1与第三晶体管T3的栅极电连接,并配置为对第三晶体管T3的栅极进行复位,第七晶体管T7与发光元件EL的阳极电连接,并配置为对发光元件EL的阳极进行复位。第一晶体管T1的栅极与第二扫描线RST1电连接,第一晶体管T1的第一极与第一初始信号线INIT1电连接,第一晶体管T1的第二极与第三晶体管T3的栅极电连接。第七晶体管T7的栅极与第三扫描线RST2电连接,第七晶体管T7的第一极与第二初始信号线INIT2电连接,第七晶体管T7的第二极与发光元件EL的阳极电连接。第一晶体管T1和第七晶体管T7还可以称为复位控制晶体管。存储电容Cst的第一电容极板与第三晶体管T3的栅极电连接,存储电容Cst的第二电容极板与第二电源线VDD电连接。
在本示例中,第一节点N1为存储电容Cst、第一晶体管T1、第三晶体管T3和第二晶体管T2的连接点,第二节点N2为第五晶体管T5、第四晶体管T4和第三晶体管T3的连接点,第三节点N3为第三晶体管T3、第二晶体管T2和第六晶体管T6的连接点,第四节点N4为第六晶体管T6、第七晶体管T7和发光元件EL的连接点。
在一些示例中,第一晶体管T1到第七晶体管T7可以是P型晶体管,或者可以是N型晶体管。像素驱动电路中采用相同类型的晶体管可以简化工艺流程,减少显示面板的工艺难度,提高产品的良率。在一些可能的实现方式中,第一晶体管T1到第七晶体管T7可以包括P型晶体管和N型晶体管。
在一些示例中,第二电源线VDD可以配置为向像素电路提供恒定的第二电压信号,第一电源线VSS可以配置为向像素电路提供恒定的第一电压信号,并且第二电压信号可以大于第一电压信号。第一扫描线GL可以配置为向像素电路提供扫描信号SCAN,数据线DL可以配置为向像素电路提供数据信号DATA,发光控制线EML可以配置为向像素电路提供发光控制信号EM,第二扫描线RST1可以配置为向像素电路提供第一复位控制信号RESET1,第三扫描线RST2可以配置为向像素电路提供第二复位控制信号 RESET2。在一些示例中,第n行像素电路电连接的第二扫描线RST1可以与第n-1行像素电路的第一扫描线GL电连接,以被输入扫描信号SCAN(n-1),即第一复位控制信号RESET1(n)与扫描信号SCAN(n-1)可以相同。第n行像素电路的第三扫描线RST2可以与第n行像素电路的第一扫描线GL电连接,以被输入扫描信号SCAN(n),即第二复位控制信号RESET2(n)与扫描信号SCAN(n)可以相同。其中,n为大于0的整数。如此,可以减少显示基板的信号线,实现显示基板的窄边框设计。然而,本实施例对此并不限定。
在一些示例中,第一初始信号线INIT1可以配置为向像素电路提供第一初始信号,第二初始信号线INIT2可以配置为向像素电路提供第二初始信号。例如,第一初始信号可以不同于第二初始信号。第一初始信号和第二初始信号可以为恒压信号,其大小例如可以介于第一电压信号和第二电压信号之间,但不限于此。在另一些示例中,第一初始信号与第二初始信号可以相同,可以仅设置第一初始信号线来提供第一初始信号。
在一些实现方式中,显示基板可以采用Frit封装方式,即封装胶(玻璃粉)封装方式。在衬底上依次形成电路结构层、发光结构层和封装结构层之后,可以通过Frit封装工艺在封装结构层上覆盖封装盖板。例如,显示基板的Frit封装工艺例如可以为:通过点胶或者印刷工艺在衬底的封装区涂覆封装胶,并将衬底与封装盖板对准并贴合在一起;随后,通过激光使得封装胶熔融,将衬底与封装盖板结合在一起。对衬底和封装盖板贴合形成的显示母板进行切割可以得到单个显示基板。通过Frit封装工艺可以防止空气中的气体和水汽进入显示基板内部。然而,在封装胶印刷过程中或者是印刷后激光烧结过程中,由于涉及或者工艺裕量不足,容易引起封装胶出现偏移,改变封装胶的偏移量和宽度,而引起附近的金属膜层内的信号引线熔融,导致信号引线与封装胶基底(Frit sub)短路,会引起整个显示基板显示异常。
本实施例提供一种显示基板,包括:衬底、第一封装胶基底、多条第一信号引出线、多条测试连接走线和多个测试信号接入引脚。衬底至少包括:显示区域、位于显示区域一侧的周边区域。第一封装胶基底位于周边区域。多条第一信号引出线、多条测试连接走线和多个测试信号接入引脚位于第一 封装胶基底远离显示区域的一侧。至少一条第一信号引出线通过至少一条测试连接走线与至少一个测试信号接入引脚电连接。第一信号引出线和测试连接走线的连接位置与第一封装胶基底在衬底的正投影没有交叠。在一些示例中,衬底可以为玻璃衬底,封装盖板可以为玻璃盖板。
本实施例提供的显示基板,通过设置测试连接走线和第一信号引出线的连接位置远离第一封装胶基底,可以确保测试连接走线和第一信号引出线的连接位置与第一封装胶基底之间保持足够距离,避免两者因距离过近而发生走线短路、电化学腐蚀或测试连接走线被烧伤等情况。本实施例可以提高显示基板的高温高湿信赖性,并减少良率损失。
在一些示例性实施方式中,显示基板还可以包括:设置在衬底上的封装盖板,第一信号引出线和测试连接走线的连接位置可以远离封装盖板。例如,第一信号引出线和测试连接走线的连接位置与封装盖板在衬底的正投影可以没有交叠。第一封装胶基底在衬底的正投影与封装盖板在衬底的正投影可以存在交叠。在一些示例中,第一信号引出线和测试连接走线的连接位置可以位于针对封装盖板的第一切割道远离第一封装胶基底的一侧。第一切割道远离第一封装胶基底一侧区域的封装盖板可以被切割去除。在本示例中,在切割工艺中不会切除测试信号接入引脚,测试信号接入引脚可以保留在显示基板中。本示例提供的显示基板,通过将测试连接走线和第一信号引出线的连接位置设置在第一切割道远离第一封装胶基底的一侧,可以确保测试连接走线和第一信号引出线的连接位置与第一封装胶基底之间保持足够距离,避免两者因距离过近而发生走线短路、电化学腐蚀或测试连接走线被烧伤等情况。本实施例可以提高显示基板的高温高湿信赖性,并减少良率损失。
在一些示例性实施方式中,周边区域可以包括:位于显示区域一侧的至少一个测试信号接入区、位于显示区域和测试信号接入区之间的第一区域。多个测试信号接入引脚可以位于测试信号接入区,第一封装胶基底、多条第一信号引出线和多条测试连接走线可以至少位于第一区域。例如,多条第一信号引出线和多条测试连接走线可以均位于第一区域;又如,多条第一信号引出线和多条测试连接走线的部分可以向远离显示区域的一侧延伸出第一区域。然而,本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中,显示基板还可以包括:设置在衬底上的第一有机绝缘层。第一有机绝缘层在衬底的正投影可以覆盖第一信号引出线和测试连接走线的连接位置。在一些示例中,第一有机绝缘层可以为第一平坦层。通过设置第一有机绝缘层覆盖第一信号引出线和测试连接走线的连接位置,可以对该连接位置进行保护,改善电化学腐蚀或测试连接走线被烧伤等情况,从而提高显示基板的高温高湿信赖性,并减少良率损失。
在一些示例性实施方式中,第一有机绝缘层靠近显示区域的边缘与第一封装胶基底远离显示区域一侧的边缘之间的距离可以大于或等于50微米。例如,第一有机绝缘层靠近显示区域的边缘与第一封装胶基底远离显示区域一侧的边缘之间的距离可以大于或等于120微米。本示例中,第一有机绝缘层覆盖第一信号引出线和测试连接走线的连接位置,通过增大第一有机绝缘层靠近显示区域的边缘与第一封装胶基底远离显示区域的边缘之间的距离,可以避免前述连接位置与第一封装胶基底因距离过近而发生走线短路的情况,从而减少良率损失。
在一些示例性实施方式中,多条第一信号引出线可以被配置为传输以下至少之一信号:扫描起始信号、扫描时钟信号、发光起始信号、发光时钟信号、驱动电源信号、测试数据信号、测试控制信号。例如,传输扫描起始信号、扫描时钟信号和驱动电源信号的多条第一信号引出线可以与扫描驱动电路电连接。传输发光起始信号、发光时钟信号和驱动电源信号的多条第一信号引出线可以与发光驱动电路电连接。传输测试数据信号和测试控制信号的多条第一信号引出线可以与测试电路电连接。
在一些示例性实施方式中,在垂直于显示基板的方向上,第一封装胶基底和多条测试连接走线可以位于多条第一信号引出线远离衬底的一侧。例如,第一封装胶基底和多条测试连接走线可以为同层结构。例如,第一封装胶基底和多条测试连接走线可以位于第一源漏金属层。多条第一信号引出线可以位于第一栅金属层。然而,本实施例对此并不限定。
图5为本公开至少一实施例的显示基板的第一边框的示意图。在一些示例中,如图5所示,显示基板的第一边框(下边框)B1可以至少包括:位于显示区域AA一侧的信号接入区B15和两个测试信号接入区(例如,第一测 试信号接入区B16a和第二测试信号接入区B16b)、以及位于信号接入区B15和显示区域AA之间的第一区域B10。信号接入区B15和两个测试信号接入区在第一方向X上可以相邻。例如,两个测试信号接入区在第一方向X上可以位于信号接入区B15的相对两侧。例如,第一测试信号接入区B16a在第一方向X上可以位于信号接入区B15的左侧,第二测试信号接入区B16b在第一方向X上可以位于信号接入区B15的右侧。然而,本实施例对此并不限定。在另一些示例中,可以仅设置一个与信号接入区相邻的测试信号接入区。
在一些示例中,如图5所示,第一区域B10可以包括:在第二方向Y上沿着远离显示区域AA的方向依次设置的周边电路区B11、扇出走线区B12、封装区B13以及测试走线区B14。信号接入区B15、第一测试信号接入区B16a和第二测试信号接入区B16b可以位于测试走线区B14远离封装区B13的一侧。封装区B13可以为涂覆或印刷封装胶的区域。在一些示例中,封装区B13可以为围绕显示区AA的环形区域,从而有利于提高封装效果。
在一些示例中,如图5所示,第一边框B1的周边电路区B11可以设置有多路复用电路311和静电释放(ESD)电路312。静电释放电路312可以位于多路复用电路311远离显示区域AA的一侧。多路复用电路311可以包括多个复用单元,每个复用单元可以与显示区域AA内的多条数据线电连接,可以被配置为使一个信号源为所述多条数据线提供数据信号。例如,每个复用单元可以电连接一条复用数据线,通过复用数据线可以电连接提供数据信号的信号源。复用数据线可以与静电释放电路312电连接,以便释放静电。
在一些示例中,如图5所示,扇出走线区B12可以设置有多条数据扇出线333。多条数据扇出线333可以与周边电路区B11的多条复用数据线电连接。例如,多条数据扇出线333可以与多条复用数据线一一对应电连接。多条数据扇出线可以延伸至信号接入区B15,并与信号接入区B15内的多个第一信号接入引脚对应电连接。在一些示例中,多条数据扇出线333可以为同层结构,例如可以位于第一栅金属层。
在一些示例中,如图5所示,第一区域B10还可以设置有第一电源线321a和321b以及第二电源线322。第一电源线321a可以延伸至第三边框,第一电源线321b可以延伸至第四边框。例如,第一电源线321a和321b可以在第 二边框内连接,形成一体结构。第一电源线321a和321b可以被配置为连接低电位电源线,传输第一电压信号。第二电源线322可以被配置为连接显示区域AA的高电位电源线,传输第二电压信号。第一电源线321a和321b在第一方向X上可以位于第二电源线322的相对两侧。第一电源线321a和321b可以均延伸至信号接入区,并与信号接入区的第一电源接入引脚电连接,第二电源线322可以延伸至信号接入区,并与信号接入区的第二电源接入引脚电连接。在一些示例中,第一电源线321a和321b以及第二电源线322可以为同层结构,例如可以位于第一源漏金属层。第一电源线321a和321b和第二电源线322与多条数据扇出线333可以为异层设置。第一电源线321a和321b在衬底的正投影与多条数据扇出线333在衬底的正投影可以部分交叠,第二电源线322在衬底的正投影与多条数据扇出线333在衬底的正投影可以部分交叠。
在一些示例中,如图5所示,第一电源线321a和321b以及第二电源线322可以从扇出走线区B12经过封装区B13延伸至测试走线区B14。位于封装区B13的第一电源线321a和321b可以作为第一封装胶基底,位于封装区B13的第二电源线322可以作为第二封装胶基底。换言之,第一封装胶基底可以与第一电源线321a或321b电连接,第二封装胶基底可以与第二电源线322电连接。第一封装胶基底和第二封装胶基底可以开设有多个开孔。通过在封装胶基底设置多个开孔,使得在封装胶基底上涂覆封装胶时,封装胶会漏入开孔内,相当于在封装胶基底的上面和内部都有封装胶,在通过激光进行封装胶熔融时,可以进一步提高封装胶的粘合强度,增强衬底基板和封装盖板的结合力,从而提高产品良率。
在一些示例中,如图5所示,第一区域B10还可以设置有第一周边电源连接线323。第一周边电源连接线323可以与第一电源线321a或321b电连接。第一周边电源连接线323可以位于第一电源线321a和321b靠近衬底的一侧,例如可以位于第一栅金属层。第一周边电源连接线323可以设置有多个过孔。第一周边电源连接线323在第一方向X上可以位于第一电源线321a或321b远离第二电源线322的一侧。以第一周边电源连接线323和第一电源线321a电连接为例,第一周边电源连接线323和第一电源线321a在第二方 向Y上相邻,第一周边电源连接线323在第二方向Y上与第一电源线321a靠近的边缘具有多个第一凸出部,第一电源线321a在第二方向Y上与第一周边电源连接线323靠近的边缘具有多个第二凸出部,多个第二凸出部和多个第一凸出部可以一一对应电连接,实现第一周边电源连接线323和第一电源线321a之间的电连接。在一些示例中,通过增加第一周边电源连接线323在第一方向X的长度,可以减小第一电源线321a沿第一方向X的长度。通过减少第一电源线沿第一方向的长度,可以改善高温高湿环境下第一封装胶基底容易腐蚀或开裂的情况,从而提高产品良率。
在一些示例中,如图5所示,测试走线区B14可以设置有多条第一信号引出线341和多条测试连接走线342。多条第一信号引出线341在测试走线区B14可以沿第一方向X延伸,还可以沿第二方向Y向显示区域AA一侧延伸。例如,多条第一信号引出线341可以在扇出走线区B12与多条信号连接线电连接,以进一步延伸至第三边框和第四边框。多条第一信号引出线341可以延伸至信号接入区B15,并与信号接入区B15内的多个信号接入引脚电连接。多条第一信号引出线341可以为同层结构,例如可以位于第一栅金属层。多条第一信号引出线341还可以通过多条测试连接走线342与测试信号接入区B16a或B16b内的多个测试信号接入引脚361电连接。例如,多条第一信号引出线341与多条测试连接走线342可以一一对应电连接。多条测试连接走线342可以位于多条第一信号引出线341远离衬底的一侧,例如可以位于第一源漏金属层。
图7为本公开至少一实施例的信号接入区和测试信号接入区的局部示意图。在一些示例中,如图7所示,信号接入区B15可以包括多个并排平行设置的信号接入引脚351,多个信号接入引脚351可以沿第一方向X依次排布。多个信号接入引脚351可以被配置为与柔性线路板或驱动芯片绑定连接,从而获取来自柔性线路板或驱动芯片的信号。多个信号接入引脚351可以包括:多个第一电源接入引脚、多个第二电源接入引脚以及多个第一信号接入引脚。第一电源接入引脚可以与第一电源线321a或321b电连接,第二电源接入引脚可以与第二电源线322电连接,至少部分第一信号接入引脚可以与多条数据扇出线333电连接,至少部分第一信号接入引脚可以与多条第一信号引出 线341电连接。在一些示例中,在第一方向X上,第一电源接入引脚和第二电源接入引脚可以位于多个第一信号接入引脚的相对两侧。第一电源接入引脚可以与测试信号接入区B16a或B16b相邻。在一些示例中,第一电源接入引脚和第二电源接入引脚沿第一方向X的长度可以大于第一信号接入引脚沿第一方向X的长度,第一电源接入引脚、第二电源接入引脚和第一信号接入引脚沿第二方向Y的长度可以相同。在一些示例中,第一电源接入引脚和第二电源接入引脚的尺寸可以大于第一信号接入引脚的尺寸。然而,本实施例对此并不限定。
在一些示例中,如图7所示,以第一测试信号接入区B16a为例进行说明。第一测试信号接入区B16a可以包括多个并排平行设置的测试信号接入引脚361,多个测试信号接入引脚361可以沿第一方向X依次排布。多个测试信号接入引脚361与信号接入区域B15的多个信号接入引脚351可以平行设置。多个测试信号接入引脚361可以配置为在电子测试(ET,Electronic Test)过程中,与测试装置(例如,柔性线路板)的测试探针接触,从而获得来自测试探针的信号。在一些示例中,第一测试信号接入区域B16a的测试信号接入引脚361可以通过测试连接走线342和第一信号引出线341与边框区域的测试电路和扫描驱动电路电连接,配置为给测试电路和扫描驱动电路提供测试信号。然而,本实施例对此并不限定。
在一些示例中,如图7所示,多个测试信号接入引脚361沿第一方向X的长度可以大致相同,多个测试信号接入引脚361沿第二方向Y的长度可以大致相同。多个测试信号接入引脚361的尺寸可以大致相同。然而,本实施例对此并不限定。
在一些示例中,如图5所示,第二测试信号接入区域B16b的多个测试信号接入引脚361可以通过测试连接走线342和第一信号引出线341与边框区域的测试电路和发光驱动电路电连接,配置为给测试电路和发光驱动电路提供测试信号。关于第二测试信号接入区B16b的测试信号接入引脚的结构可以参照第一测试信号接入区B16a的说明,故于此不再赘述。
在一些示例中,在电子测试过程中,可以通过信号接入区B15的第一电源接入引脚和第二电源接入引脚(即连接第一电源线和第二电源线的引脚) 向显示基板提供第一电压信号和第二电压信号。本示例中,在电子测试过程中,可以借用信号接入区B15的第一电源接入引脚提供第一电压信号,借用信号接入区B15的第二电源接入引脚提供第二电压信号。然而,本实施例对此并不限定。例如,可以设置至少部分测试信号接入引脚与第一电源线和第二电源线电连接。
图8为本公开至少一实施例的周边区域的走线示例图。在一些示例中,如图8所示,显示基板的第二边框B1可以设置有测试电路313,第三边框B3可以设置扫描驱动电路23,第四边框B4可以设置发光驱动电路24。在电子测试过程中,第一边框B1的第一测试信号接入区B16a内的多个测试信号接入引脚可以通过向第三边框B3延伸的多条第一信号引出线341给扫描驱动电路23提供扫描起始信号(GSTV)、扫描时钟信号以及驱动电源信号,还可以通过多条第一信号引出线341给测试电路313提供测试数据信号和测试控制信号。在电子测试过程中,第一边框B1的第二测试信号接入区B16b内的多个测试信号接入引脚可以通过向第四边框B4延伸的多条第一信号引出线341给发光驱动电路24提供发光起始信号(ESTV)、发光时钟信号以及驱动电源信号,还可以通过多条第一信号引出线341给测试电路313提供测试数据信号和测试控制信号。多条第一信号引出线341可以经由第三边框B3或第四边框B4与第二边框B2内的测试电路313电连接。然而,本实施例对此并不限定。在另一些示例中,第三边框和第四边框可以均设置有扫描驱动电路和发光驱动电路,测试信号接入引脚可以通过多条第一信号引出线分别给第三边框和第四边框内的扫描驱动电路提供信号,分别给第三边框和第四边框内的发光驱动电路提供信号。
在一些示例中,多条第一信号引出线341还可以与信号接入区B15内的信号接入引脚电连接。例如,与信号接入引脚电连接的多条第一信号引出线可以提供扫描起始信号、扫描时钟信号、发光起始信号、发光时钟信号以及驱动电源信号,以便在正常显示过程中向扫描驱动电路和发光驱动电路提供信号。
在一些示例中,如图5所示,在显示基板的制备过程中,在制备封装结构层后可以在衬底上贴设封装盖板,随后,可以沿第二切割道Q2进行切割 以得到单个显示基板。第二切割道Q2所在位置可以对应切割后的单个显示基板的边缘。沿第一切割道Q1进行切割可以将部分封装盖板去除,可以暴露出信号接入区B15的信号接入引脚和两个测试信号接入区的测试信号接入引脚361。暴露的信号接入引脚可以与柔性线路板或驱动芯片进行绑定连接。暴露的测试信号接入引脚361可以与测试装置接触进行电子测试。第一信号引出线341和测试连接走线342的连接位置可以位于第一切割道Q1远离第一封装胶基底的一侧,从而避免测试连接走线与第一封装胶基底之间的距离过近而导致短路的情况。
在一些示例中,如图5所示,第一测试信号接入区B16a在第一方向X上远离信号接入区B15的一侧可以设置有第一辅助标记371。第一辅助标记371在第一方向X上远离第一测试信号接入区B16a的一侧可以设置有第二辅助标记372。同理,在第二测试信号接入区B16b远离信号接入区B15的一侧也设置有第一辅助标记371和第二辅助标记372。例如,第一辅助标记371的尺寸可以小于第二辅助标记372的尺寸。在一些示例中,第一辅助标记371和第二辅助标记372在衬底的正投影可以为十字型。然而,本实施例对此并不限定。例如,第一辅助标记和第二辅助标记中至少之一可以为L型。本示例通过设置第一辅助标记,可以有助于在电子测试过程中,测试探针与测试信号接入区内的测试信号接入引脚的准确对位。在另一些示例中,第一边框的空间有限时可以仅设置第一辅助标记。
在一些示例中,如图5所示,第一辅助标记371和第二辅助标记372可以为同层结构,例如可以位于第一源漏金属层。然而,本实施例对此并不限定。
在一些示例中,如图5所示,第一电源线321a可以通过一条第一连接线381与一个第二辅助标记372电连接。第一电源线321b可以通过另一条第一连接线381与另一个第二辅助标记372电连接。第一连接线381可以沿第二方向Y延伸。例如,第一电源线321a、第一连接线381和第二辅助标记372可以为一体结构。然而,本实施例对此并不限定。
图6为本公开至少一实施例的第一边框的第一平坦层的示意图。在一些示例中,如图6所示,第一边框B1还可以设置有第一平坦层14。图6中黑 点阴影覆盖区域的第一平坦层14可以被去除,暴露出第一源漏金属层的表面。第一边框B1的周边电路区内的第一平坦层14可以保留,测试走线区的部分区域的第一平坦层14可以保留。第一边框B1内保留的第一平坦层14在衬底的正投影可以覆盖多条第一信号引出线341和多条测试连接走线342的连接位置。
在一些示例中,如图6所示,第一平坦层14靠近显示区域AA的边缘与第一封装胶基底远离显示区域AA边缘之间的距离可以大于或等于50微米,例如可以大于或等于120微米。在一些示例中,第一切割道Q1在衬底的正投影可以为与第一平坦层14存在交叠。第一切割道Q1可以位于第一平坦层14靠近显示区域AA一侧的边缘远离显示区域AA的一侧。例如,第一切割道Q1与第一封装胶基底远离显示区域AA边缘之间的距离可以约为200微米。然而,本实施例对此并不限定。
本示例通过将第一信号引出线341和测试连接走线342的连接位置设置在第一切割道Q1远离显示区域AA的一侧,且该连接位置可以被第一平坦层14覆盖和保护,从而可以避免走线在高温高湿情况下失效,避免发生电化学腐蚀而引起的显示异常。
在一些示例中,第一边框B1的左侧区域和右侧区域的结构可以大致相同,下述示例以第一边框B1的左侧区域为例进行说明。图9为图6中区域C1的局部放大示意图。图10为图9中沿P-P’方向的局部剖面示意图。图11A为图9中第一栅金属层的示意图。图11B为图9中第一源漏金属层的示意图。
在一些示例中,如图9和图11A所示,测试走线区的第一信号引出线341可以包括第一主体341a和第一弯折部341b。第一主体341a可以沿第一方向X延伸,第一弯折部341b可以沿第二方向Y向第二辅助标记372一侧凸出。第一弯折部341b可以具有依次连接的第一延伸部、第二延伸部和第三延伸部。第一延伸部和第三延伸部可以与第一主体341a连接,第二延伸部连接在第一延伸部和第三延伸部之间。第二延伸部可以沿第一方向X延伸,第一延伸部和第三延伸部的延伸方向可以相互交叉,并可以与第一方向X和第二方向Y均交叉。第一延伸部和第三延伸部向远离显示区域AA一侧延伸。第一弯折部341b在衬底的正投影可以呈凹槽状。在本示例中,多条第一信号引出线 341可以均位于测试走线区内。然而,本实施例对此并不限定。在另一些示例中,至少一条第一信号引出线341的第一弯折部341b可以延伸至与第二辅助标记372交叠,或者,可以延伸至在第一方向X上位于第二辅助标记372远离第一测试信号接入区B16a一侧的区域内。
在一些示例中,如图9、图11A和图11B所示,多条测试连接走线342与多条第一信号引出线341可以一一对应电连接。例如,一部分测试连接走线342可以与对应的第一信号引出线341的第一弯折部341b电连接,例如可以与第一弯折部341b的第二延伸部电连接。在一些示例中,第一测试信号接入区B16a内靠近第一辅助标记371的测试信号接入引脚361可以与靠近第一封装胶基底的第一信号引出线341电连接,远离第一辅助标记371的测试信号接入引脚361可以与远离第一封装胶基底的第一信号引出线341电连接。靠近第一辅助标记371的测试信号接入引脚361电连接的测试连接走线342可以与对应的第一信号引出线341的第一弯折部341b电连接。远离第一辅助标记371的测试信号接入引脚361电连接的测试连接走线342可以沿第二方向Y延伸后与对应的第一信号引出线341的第一主体341a电连接。在本示例中,多条测试连接走线342和多条第一信号引出线341的连接位置在第一方向X上可以位于第一连接线381靠近第一辅助标记371的一侧。然而,本实施例对此并不限定。在另一些示例中,在第一边框的空间足够时,至少一条测试连接走线和至少一条第一信号引出线的连接位置在第一方向X上可以位于第一连接线381远离第一辅助标记371的一侧。
在一些示例中,如图10所示,测试信号接入引脚361可以包括:第一子引脚3611和第二子引脚3612。第一子引脚3611与第二子引脚3612可以相互电连接。第一子引脚3611可以位于第一栅金属层,第二子引脚3612可以位于第一源漏金属层。第二子引脚3612可以通过第三绝缘层13和第二绝缘层12开设的凹槽与第一子引脚3611电连接。第二子引脚3612在衬底101的正投影可以包含第一子引脚3611在衬底101的正投影。第二子引脚3612与对应电连接的测试连接走线342可以为一体结构。
图12为图9中区域C2的局部放大示意图。图13为图12中沿R-R’方向的局部剖面示意图。在一些示例中,如图12和图13所示,测试连接走线342 与第一信号引出线341的连接端可以为T字型。至少一条测试连接走线342可以沿第二方向Y向远离显示区域AA一侧延伸后再沿第一方向X延伸,直至连接测试信号接入引脚361的第二子引脚3612。至少一条测试连接走线342可以沿第二方向Y向靠近显示区域AA一侧延伸后再沿第一方向X延伸,直至连接测试信号接入引脚361的第二子引脚3612。
在一些示例中,如图13所示,第一信号引出线341可以位于第一栅金属层,测试连接走线342可以位于第一源漏金属层。然而,本实施例对此并不限定。
在一些示例中,如图8所示,显示基板可以包括:测试电路(CT)313。测试电路(CT)313可以位于显示区域AA远离测试信号接入区的一侧。例如,测试电路313可以位于第二边框B2。测试电路313可以包括多个测试单元。每个测试单元可以连接显示区域AA的多个数据线,被配置为向显示区域AA的多个数据线提供测试数据信号。
在一些示例中,测试电路可以包括:至少一个测试控制信号线、多个测试数据线和多个测试单元。每个测试单元与测试控制信号线、测试数据线以及显示区域的多个数据线电连接。测试单元可以配置为根据测试控制信号线的控制,将测试数据线的信号(测试数据信号)提供给(同时提供或分别提供)与其连接的显示区域的多个数据线,以检测和定位显示区域发生不良的子像素。
图14为本公开至少一实施例的测试电路的等效电路图。在一些示例中,测试电路可以包括至少一个测试控制信号线、n1条测试数据线和m1个测试单元,m1个测试单元中的至少一个测试单元包括n1个测试晶体管,m1和n1可以为大于或等于2的正整数。图14以一个测试控制信号线、三条测试数据线以及一个测试单元包括三个测试晶体管为例进行了示意。如图12所示,在同一个测试单元40的三个测试晶体管41中,三个测试晶体管41的栅极均连接同一个测试控制信号线45。三个测试晶体管41的第一极分别连接不同的测试数据线,即第一个测试晶体管的第一极连接第一测试数据线46-1,第二个测试晶体管的第一极连接第二测试数据线46-2,第三个测试晶体管的第一极连接第三测试数据线46-3。三个测试晶体管41的第二极分别连接显示 区域中不同的数据线DL,即第一个测试晶体管的第二极连接一个数据线DL,第二个测试晶体管的第二极连接另一个数据线DL,第三个测试晶体管的第二极连接又一个数据线DL。这样,通过测试控制信号线45可以控制测试单元40中的三个测试晶体管41的导通,可以控制不同的测试数据线的信号写入不同的数据线DL。在进行测试时,通过控制装置向测试控制信号线42提供导通信号,向多个测试数据线分别提供所需的测试数据信号,使显示区域中多个数据线获得测试数据信号,实现检测。在一些示例中,测试控制信号线和测试数据线可以设置在边框区域,可以是围绕显示区域环形的闭合走线。
在一些示例中,数据线的数量可以等于m1*n1,每条数据线连接的子像素颜色相同,测试时向同一颜色的子像素对应的数据线提供相同的测试数据信号,使这些子像素进行相同的显示,通过显示画面的颜色确定是否有发生不良的子像素,以及定位发生不良的子像素。
图15A为本公开至少一实施例的测试单元的结构示意图。图15A为图8中区域C3内的局部放大示意图。在一些示例中,如图15A所示,测试单元可以包括三个测试晶体管(例如,第一测试晶体管TC1、第二测试晶体管TC2和第三测试晶体管TC3)。第一测试晶体管TC1和第三测试晶体管TC3沿第一方向X依次排布,第二测试晶体管TC2在第二方向Y上位于第一测试晶体管TC1和第三测试晶体管TC3的一侧。三个测试晶体管例如呈品字型排布。
图15B为图15A中形成半导体层后的测试单元的示意图。图15C为图15A中形成第一栅金属层后的测试单元的示意图。图15D为图15A中形成第三绝缘层后的测试单元的示意图。
在一些示例中,如图15A和图15B所示,第一测试晶体管TC1的第一有源层401、第二测试晶体管TC2的第二有源层402和第三测试晶体管TC3的第三有源层403在衬底的正投影可以均为矩形。第一有源层401、第二有源层402和第三有源层403可以呈品字形排布。
在一些示例中,如图15A和图15C所示,第一测试晶体管TC1的第一栅极411、第二测试晶体管TC2的第二栅极421和第三测试晶体管TC3的第三栅极431可以为一体结构。测试单元的第一栅金属层还可以包括:第一数 据连接线441、442和443、以及第三数据连接线444、445和446。第三数据连接线444、445和446可以位于三个测试晶体管的有源层靠近显示区域的一侧,且可以沿第二方向Y向显示区域一侧延伸,以便与显示区域的数据线电连接。第一数据连接线441、442和443可以位于三个测试晶体管的有源层远离显示区域的一侧,且可以沿第二方向Y向远离显示区域一侧延伸,以便与测试数据线电连接。第一数据线441、442和443可以沿第一方向X依次排布,第三数据连接线444、445和446可以沿第一方向X依次排布。
在一些示例中,如图15A和图15D所示,第二边框的第三绝缘层可以开设有多个过孔,例如可以包括第一过孔V1至第十六过孔V16。其中,第一过孔V1至第六过孔V6内的第三绝缘层、第二绝缘层和第一绝缘层可以被去掉,暴露出三个测试晶体管的有源层的表面。第七过孔V7至第十六过孔V16内的第三绝缘层和第二绝缘层可以被去掉,暴露出测试单元的第一栅金属层的表面。
在一些示例中,如图15A至图15D所示,测试单元的第一源漏金属层可以包括:测试控制信号线45、第一测试数据线46-1、第二测试数据线46-2、第三测试数据线46-3、以及三个测试晶体管的第一极和第二极。三个测试晶体管靠近显示区域的一侧可以设置有第一初始信号线INIT1和第二周边电源连接线324。第一初始信号线INIT1和第二周边电源连接线324可以是围绕显示区域环形的闭合走线。第二周边电源连接线324可以与显示区域的高电位电源线(VDD)电连接。第二周边电源连接线324还可以与第二电源线322电连接。
在一些示例中,如图15A至图15D所示,第一测试晶体管T1的第一极471可以通过竖排设置的两个第三过孔V3与第一有源层401电连接,还可以通过竖排设置的两个第八过孔V8与一条第一数据连接线441电连接。第一测试晶体管T1的第二极472可以通过竖排设置的两个第四过孔V4与第一有源层401电连接,还可以通过横排设置的两个第十四过孔V14与一条第三数据连接线444电连接。第二测试晶体管T2的第一极473可以通过竖排设置的两个第一过孔V1与第二有源层402电连接,还可以通过竖排设置的两个第十过孔V10与一条第一数据连接线442电连接。第二测试晶体管T2的第 二极474可以通过竖排设置的两个第二过孔V2与第二有源层402电连接,还可以通过横排设置的两个第十五过孔V15与一条第三数据连接线445电连接。第三测试晶体管T3的第一极476可以通过竖排设置的两个第六过孔V6与第三有源层403电连接,还可以通过竖排设置的两个第十二过孔V12与一条第一数据连接线443电连接。第三测试晶体管T3的第二极475可以通过竖排设置的两个第五过孔V5与第三有源层403电连接,还可以通过横排设置的两个第十六过孔V16与一条第三数据连接线446电连接。
在一些示例中,如图15A至图15D所示,第一数据连接线441可以通过横排设置的两个第九过孔V9与第一测试数据线46-1电连接。第一数据连接线442可以通过横排设置的两个第十一过孔V11与第二测试数据线46-2电连接。第一数据连接线443可以通过横排设置的两个第十三过孔V13与第三测试数据线46-3电连接。测试控制信号线45可以通过横排设置的两个第七过孔V7与第二栅极421电连接。在一些示例中,第一测试数据线46-1、第二测试数据线46-2、第三测试数据线46-3以及测试控制信号线45可以分别与第一信号引出线电连接,并通过第一信号引出线与测试信号接入引脚电连接,以便分别接收测试数据信号和测试控制信号。
在本公开中,横排设置可以表示沿第一方向X排布,竖排设置可以表示沿第二方向Y排布。
在本示例中,测试单元的测试晶体管可以通过位于第一栅金属层的第一数据连接线与多条测试数据线电连接。由于第一栅金属层和第一源漏金属层交叠的单位面积产生的寄生电容小于第二栅金属层和第一源漏金属层交叠的单位面积产生的寄生电容,通过将第一数据连接线设置在第一栅金属层,可以有效降低寄生电容,从而达到降低负载的作用,优化测试效果。
在一些示例中,显示基板的第一边框内设置的多路复用电路(MUX)可以包括:多个复用控制信号线、多个复用数据线和多个复用单元,每个复用单元电连接显示区域的多个数据线,复用单元可以配置为根据多个复用控制信号线的控制,将一个复用数据线的信号(数据信号)分时提供给与其连接的多个数据线。
图16为本公开至少一实施例的多路复用电路的等效电路图。在一些示例 中,多路复用电路可以包括n2条复用控制信号线、至少一个复用数据线和m2个复用单元50,m2个复用单元中的至少一个复用单元可以包括n2个复用晶体管,m2和n2可以为大于或等于2的正整数。图16以六条复用控制信号线、二条复用数据线以及一个复用单元包括六个复用晶体管为例进行了示意。如图16所示,在同一个复用单元50的六个复用晶体管51中,六个复用晶体管51的栅极分别连接不同的复用控制信号线,即第一个复用晶体管的栅极连接第一复用控制信号线55-1,第二个复用晶体管的栅极连接第二复用控制信号线55-2,第三个复用晶体管的栅极连接第三复用控制信号线55-3,第四个复用晶体管的栅极连接第四复用控制信号线55-4,第五个复用晶体管的栅极连接第五复用控制信号线55-5,第六个复用晶体管的栅极连接第六复用控制信号线55-6。六个复用晶体管51的第一极均连接同一个复用数据线,即第一个复用单元50中的第一个晶体管至第六个复用晶体管的第一极均连接第一复用数据线54-1,第二个复用单元50中的第一个复用晶体管至第六个复用晶体管的第一极均连接第二复用数据线54-2。六个复用晶体管51的第二极分别连接显示区域中不同的数据线DL,即第一个复用晶体管的第二极连接显示区域中的一个数据线DL,第二个复用晶体管的第二极连接显示区域中的另一个数据信号线DL……。在显示过程中,通过控制装置分时向六条复用控制信号线提供导通信号,使每个复用单元50中的六个复用晶体管51分时导通,在任一复用晶体管51导通时,复用数据线提供与导通的复用晶体管51连接的数据线所需的数据信号,数据线将数据信号写入相应的子像素。
在一些示例中,数据线的数量可以等于m2*n2。通过设置多路复用电路,可以使一个信号源(例如驱动芯片的一个引脚)为多个数据线提供数据信号,可以大大降低实际的信号源数量,简化产品结构。在另一些示例中,复用单元50可以包括三个复用晶体管51,控制三条数据线(即一拖三)。
图17A为本公开至少一实施例的复用单元的结构示意图。图17A为图8中区域C4内的局部放大示意图。在一些示例中,如图17A所示,复用单元可以包括六个复用晶体管(例如,第一复用晶体管TF1至第六复用晶体管TF6)。第一复用晶体管TF1至第六复用晶体管TF6可以沿第一方向X依次 排布。
图17B为图17A中形成半导体层后的复用单元的示意图。图17C为图17A中形成第一栅金属层后的复用单元的示意图。图17D为图17A中形成第二栅金属层后的复用单元的示意图。图17E为图17A中形成第三绝缘层后的复用单元的示意图。
在一些示例中,如图17A和图17B所示,第一复用晶体管TF1的第一有源层501、第二复用晶体管TF2的第二有源层502、第三复用晶体管TF3的第三有源层503、第四复用晶体管TF4的第四有源层504、第五复用晶体管TF5的第五有源层505和第六复用晶体管TF6的第六有源层506在衬底的正投影可以为矩形,且可以沿第一方向X依次排布。
在一些示例中,如图17A和图17C所示,复用单元的第一栅金属层可以包括:多个复用晶体管的栅极以及多条第二数据连接线(例如,第二数据连接线521至526)。第一复用晶体管TF1的第一栅极511、第二复用晶体管TF2的第二栅极512、第三复用晶体管TF3的第三栅极513、第四复用晶体管TF4的第四栅极514、第五复用晶体管TF5的第五栅极515和第六复用晶体管TF6的第六栅极516可以沿第一方向X依次排布,且沿第二方向Y的长度可以逐渐增加。第二数据连接线521至526可以沿第一方向X依次排布。第二数据连接线521至526可以向显示区域一侧延伸,以便与显示区域的数据线电连接。
在一些示例中,如图17A和图17D所示,复用单元的第二栅金属层可以包括:复用数据线54-1。复用数据线54-1可以位于复用晶体管的有源层远离显示区域的一侧。
在一些示例中,如图17A和图17E所示,第一边框的第三绝缘层可以开设有多个过孔,例如可以包括第二十一过孔V21至第四十五过孔V45。第二十一过孔V21至第三十二过孔V32过孔内的第三绝缘层、第二绝缘层和第一绝缘层可以被去掉,暴露出复用单元的六个复用晶体管的有源层的表面。第三十三过孔V33至第三十八过孔V38以及第四十过孔V40至第四十五过孔V45内的第三绝缘层和第二绝缘层可以被去掉,暴露出第一栅金属层的表面。第三十九过孔V39内的第三绝缘层可以被去掉,暴露出第二栅金属层的表面。
在一些示例中,如图17A至图17E所示,复用单元的第一源漏金属层可以包括:六个复用晶体管的第一极和第二极、第一复用控制信号线55-1至第六复用控制信号线55-6。六个复用晶体管靠近显示区域的一侧可以设置有第一初始信号线INIT1和第二周边电源连接线324。
在一些示例中,如图17A至图17E所示,第一复用晶体管TF1的第一极、第二复用晶体管TF2的第一极、第三复用晶体管TF3的第一极、第四复用晶体管TF4的第一极、第五复用晶体管TF5的第一极以及第六复用晶体管TF6的第一极可以为一体结构。第一复用晶体管TF1的第一极531可以通过竖排设置的六个第二十一过孔V21与第一有源层501电连接,还可以通过竖排设置的六个第二十三过孔V23与第二有源层502电连接,还可以通过竖排设置的六个第二十五过孔V25与第三有源层503电连接,还可以通过竖排设置的六个第二十七过孔V27与第四有源层504电连接,还可以通过竖排设置的六个第二十九过孔V29与第五有源层505电连接,还可以通过竖排设置的六个第三十一过孔V31与第六有源层506电连接,还可以通过横排设置的两个第三十九过孔V39与复用数据线54-1电连接。
在一些示例中,如图17A至图17E所示,第一复用晶体管TF1的第二极532可以通过竖排设置的六个第二十二过孔V22与第一有源层501电连接,还可以通过第四十过孔V40与第二数据连接线521电连接。第二复用晶体管TF2的第二极533可以通过竖排设置的六个第二十四过孔V24与第二有源层502电连接,还可以通过第四十一过孔V41与第二数据连接线522电连接。第三复用晶体管TF3的第二极534可以通过竖排设置的六个第二十六过孔V26与第三有源层503电连接,还可以通过第四十二过孔V42与第二数据连接线523电连接。第四复用晶体管TF4的第二极535可以通过竖排设置的六个第二十八过孔V28与第四有源层504电连接,还可以通过第四十三过孔V43与第二数据连接线524电连接。第五复用晶体管TF5的第二极536可以通过竖排设置的六个第三十过孔V30与第五有源层505电连接,还可以通过第四十四过孔V44与第二数据连接线525电连接。第六复用晶体管TF6的第二极537可以通过竖排设置的六个第三十二过孔V32与第六有源层506电连接,还可以通过第四十五过孔V45与第二数据连接线526电连接。
在一些示例中,如图17A至图17E所示,第一复用晶体管TF1的第一栅极511可以通过横排设置的两个第三十三过孔V33与第一复位控制信号线55-1电连接。第二复用晶体管TF2的第二栅极512可以通过横排设置的两个第三十四过孔V34与第二复位控制信号线55-2电连接。第三复用晶体管TF3的第三栅极513可以通过横排设置的两个第三十五过孔V35与第三复位控制信号线55-3电连接。第四复用晶体管TF4的第四栅极514可以通过横排设置的两个第三十六过孔V36与第四复位控制信号线55-4电连接。第五复用晶体管TF5的第五栅极515可以通过横排设置的两个第三十七过孔V37与第五复位控制信号线55-5电连接。第六复用晶体管TF6的第六栅极516可以通过横排设置的两个第三十八过孔V38与第六复位控制信号线55-6电连接。
在本示例中,复用单元的复用晶体管可以通过位于第一栅金属层的第二数据连接线与多条数据线电连接。由于第一栅金属层和第一源漏金属层交叠的单位面积产生的寄生电容小于第二栅金属层和第一源漏金属层交叠的单位面积产生的寄生电容,通过将第二数据连接线设置在第一栅金属层,可以有效降低寄生电容,从而达到降低负载的作用,优化显示效果。
下面通过显示基板的制备过程的示例说明本公开显示基板的结构。本公开所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等处理。沉积可以采用选自溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种,涂覆可以采用选自喷涂和旋涂中的任意一种或多种,刻蚀可以采用选自干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺,则该“薄膜”还可以称为“层”。当在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺,则在构图工艺前称为“薄膜”,构图工艺后称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。
本公开中所说的“A和B为同层结构”是指,A和B通过同一次构图工艺同时形成。“相同层”不总是意味着层的厚度或层的高度在截面图中是相同的。“A的正投影包含B的正投影”是指,B的正投影落入A的正投影范围内,或者A的正投影覆盖B的正投影。
在一些示例性实施方式中,本实施例的显示基板的制备过程可以包括以 下步骤。
(1)、提供衬底。在一些示例中,衬底101可以为刚性基板,例如玻璃基板。然而,本实施例对此并不限定。例如,衬底可以为柔性基板。
(2)、制备半导体层。在一些示例中,在衬底101上沉积半导体薄膜,通过构图工艺对半导体薄膜进行构图,形成半导体层。如图3所示,显示区域的半导体层至少可以包括像素电路的晶体管的有源层。如图15B所示,第二边框的半导体层至少可以包括:测试晶体管的有源层。如图17B所示,第一边框的半导体层至少可以包括:复用晶体管的有源层。
(3)、制备第一栅金属层。在一些示例中,在形成上述结构的衬底101上,依次沉积第一绝缘薄膜和第一金属薄膜,通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图,形成覆盖半导体层的第一绝缘层11,以及设置在第一绝缘层11上的第一栅金属层。如图3所示,显示区域的第一栅金属层至少包括:像素电路的晶体管的栅电极和存储电容的第一电容电极。如图15C所示,第二边框的第一栅金属层至少可以包括:测试晶体管的第一栅极411至第三栅极431、第一数据连接线441至443以及第三数据连接线444至446。如图5和图17C所示,第一边框的第一栅金属层至少可以包括:多条数据扇出线333、第一周边电源连接线323、多条第一信号引出线341、位于信号接入区B15的多个信号接入引脚的第一子引脚、位于测试信号接入区的多个测试信号接入引脚361的第一子引脚、以及复用晶体管的栅极和第二数据连接线521至526。
(4)、制备第二栅金属层。在一些示例中,在形成上述结构的衬底101上,依次沉积第二绝缘薄膜和第二金属薄膜,通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图,形成第二绝缘层12以及设置在第二绝缘层12上的第二栅金属层。如图3所示,显示区域的第二栅金属层可以至少包括像素电路的存储电容的第二电容电极。如图17D所示,第一边框的第二栅金属层可以至少包括:复用单元电连接的复用数据线54-1。
(5)、制备第三绝缘层。在一些示例中,在形成上述结构的衬底101上,沉积第三绝缘薄膜,通过构图工艺对第三绝缘薄膜进行构图,形成第三绝缘层。第三绝缘层13可以开设有多个过孔或凹槽。
(6)、制备第一源漏金属层。在一些示例中,在形成上述结构的衬底 101上,沉积第三金属薄膜,通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图,形成第一源漏金属层。如图3所示,显示区域的第一源漏金属层可以至少包括:像素电路的多个晶体管的源电极和漏电极。如图5和图17A所示,第一边框的第一源漏金属层可以至少包括:第一电源线321a和321b、第二电源线322、多条测试连接走线342、第一辅助标记371、第二辅助标记372、位于信号接入区域的多个信号接入引脚的第二子引脚、位于测试信号接入区的多个测试信号接入引脚361的第二子引脚、复用晶体管的第一极和第二极、以及多条复用控制信号线。测试连接走线342可以通过第三绝缘层和第二绝缘层开设的过孔与第一信号引出线341电连接。测试信号接入引脚361的第二子引脚可以通过第三绝缘层和第二绝缘层开设的凹槽与对应的第一子引脚电连接。信号接入引脚的第二子引脚可以通过第三绝缘层和第二绝缘层开设的凹槽与对应的第一子引脚电连接。如图15A所示,第二边框的第一源漏金属层可以至少包括:测试晶体管的第一极和第二极以及多条测试数据线。测试数据线可以通过第三绝缘层和第二绝缘层开设的过孔与第一数据连接线电连接。
至此,在衬底101上制备完成显示区域的电路结构层,如图3所示。在一些示例中,第一绝缘薄膜至第三绝缘薄膜可以均采用无机材料,例如,硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种,可以是单层、多层或复合层。
(7)、在衬底上依次制备平坦层、发光结构层和封装结构层。在一些示例中,在形成前述结构的衬底101上,涂覆第一平坦薄膜,通过构图工艺形成第一平坦层14。在第一边框B1内保留部分第一平坦层14以覆盖测试连接走线342和第一信号引出线341的连接位置。
随后,在显示区域沉积第一导电薄膜,通过构图工艺对第一导电薄膜进行构图,形成阳极层图案。阳极层的阳极可以通过第一平坦层上的过孔与像素电路电连接。随后,涂覆像素定义薄膜,通过掩膜、曝光、显影工艺,形成像素定义层图案。像素定义层形成在显示区域。显示区域的像素定义层上开设有像素开口,像素开口内的像素定义薄膜被显影掉,暴露出阳极的表面。随后,在形成前述图案的衬底上依次形成有机发光层和阴极。例如,有机发光层包括叠设的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入 层,形成在显示区域的像素开口内,实现有机发光层与阳极连接。阴极的一部分形成在有机发光层上。
在一些示例中,在形成前述图案的衬底上,形成封装结构层。封装结构层可以形成在显示区域,可以采用无机材料/有机材料/无机材料的叠层结构。有机材料层设置在两个无机材料层之间。
在一些示例性实施方式中,第一平坦层、像素定义层可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等有机材料。
在上述制备过程中,边框区域的扫描驱动电路和发光驱动电路的制备过程类似于显示区域的电路结构层的制备过程,故于此不再赘述。
在一些示例中,在制备完成封装结构层之后,可以通过封装工艺贴合衬底和封装盖板,然后通过切割得到单个显示基板,并按照第一切割道对封装盖板进行切割,以暴露出信号接入区的信号接入引脚和测试信号接入区的测试信号接入引脚。在一些示例中,封装盖板远离衬底一侧可以设置有触控结构层,从而形成触控显示基板。然而,本实施例对此并不限定。
本示例性实施例的制备工艺利用现有成熟的制备设备即可实现,可以很好地与现有制备工艺兼容,工艺实现简单,易于实施,生产效率高,生产成本低,良品率高。
本示例性实施例的显示基板的结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。在一些示例性实施方式中,可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺。例如,显示区域可以设置第一源漏金属层和第二源漏金属层,第一源漏金属层可以包括晶体管的源电极和漏电极,第二源漏金属层可以包括发光元件和晶体管的漏电极之间的连接电极。此时,第一封装胶基底和测试连接走线可以位于第二源漏金属层;或者,第一封装胶基底可以位于第二源漏金属层,测试连接走线可以位于第一源漏金属层。然而,本实施例对此并不限定。
本公开实施例还提供一种显示装置,包括前述实施例的显示基板。显示基板可以为OLED显示基板。显示装置可以为:OLED显示装置、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。然而,本实施例对此并不限定。
本公开中的附图只涉及本公开涉及到的结构,其他结构可参考通常设计。在不冲突的情况下,本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。本领域的普通技术人员应当理解,可以对本公开的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本公开技术方案的精神和范围,均应涵盖在本公开的权利要求的范围当中。
Claims (20)
- 一种显示基板,包括:衬底,至少包括:显示区域、位于所述显示区域一侧的周边区域;第一封装胶基底,位于所述周边区域;多条第一信号引出线、多条测试连接走线和多个测试信号接入引脚,位于所述第一封装胶基底远离所述显示区域的一侧;至少一条第一信号引出线通过至少一条测试连接走线与至少一个测试信号接入引脚电连接;所述第一信号引出线和测试连接走线的连接位置与所述第一封装胶基底在所述衬底的正投影没有交叠。
- 根据权利要求1所述的显示基板,还包括:设置在所述衬底上的封装盖板,所述第一信号引出线和测试连接走线的连接位置远离所述封装盖板。
- 根据权利要求1或2所述的显示基板,其中,所述周边区域包括:位于所述显示区域一侧的至少一个测试信号接入区、位于所述显示区域和所述测试信号接入区之间的第一区域;所述多个测试信号接入引脚位于所述测试信号接入区,所述第一封装胶基底、所述多条第一信号引出线和多条测试连接走线至少位于所述第一区域。
- 根据权利要求1至3中任一项所述的显示基板,还包括:设置在所述衬底上的第一有机绝缘层,所述第一有机绝缘层在所述衬底的正投影覆盖所述第一信号引出线和测试连接走线的连接位置。
- 根据权利要求4所述的显示基板,其中,所述第一有机绝缘层靠近所述显示区域的边缘与所述第一封装胶基底远离所述显示区域一侧的边缘之间的距离大于或等于50微米。
- 根据权利要求1至5中任一项所述的显示基板,其中,所述多条第一信号引出线被配置为传输以下至少之一信号:扫描起始信号、扫描时钟信号、发光起始信号、发光时钟信号、驱动电源信号、测试数据信号、测试控制信号。
- 根据权利要求1至6中任一项所述的显示基板,其中,在垂直于所述 显示基板的方向上,所述第一封装胶基底和多条测试连接走线位于所述多条第一信号引出线远离所述衬底的一侧。
- 根据权利要求7所述的显示基板,其中,所述第一封装胶基底和所述多条测试连接走线为同层结构。
- 根据权利要求1至8中任一项所述的显示基板,其中,所述周边区域包括:沿第二方向位于所述显示区域一侧的信号接入区和测试信号接入区,所述信号接入区在第一方向上与所述测试信号接入区相邻,所述第一方向与第二方向交叉;所述多个测试信号接入引脚位于所述测试信号接入区;所述信号接入区包括:设置在所述衬底上的多个信号接入引脚;所述至少一条第一信号引出线与至少一个信号接入引脚电连接。
- 根据权利要求9所述的显示基板,还包括:至少一个第一辅助标记,所述第一辅助标记在所述第一方向上位于所述测试信号接入区远离所述信号接入区的一侧;所述多条测试连接线在所述第二方向上位于所述第一辅助标记和第一封装胶基底之间;至少一条第一信号引出线和测试连接走线的连接位置在所述第一方向上位于所述第一辅助标记远离所述测试信号接入区的一侧。
- 根据权利要求10所述的显示基板,还包括:至少一个第二辅助标记,所述第二辅助标记在所述第一方向上位于所述第一辅助标记远离所述测试信号接入区的一侧;所述至少一条第一信号引出线和测试连接走线的连接位置在所述第一方向上位于所述第二辅助标记靠近所述第一辅助标记的一侧。
- 根据权利要求11所述的显示基板,其中,所述第二辅助标记与所述第一封装胶基底为一体结构。
- 根据权利要求11所述的显示基板,其中,所述至少一条第一信号引出走线具有向所述第二辅助标记一侧凸出的第一弯折部;所述测试连接走线与所述第一信号引出走线的第一弯折部电连接。
- 根据权利要求1至13中任一项所述的显示基板,其中,所述第一封 装胶基底与第一电源线电连接。
- 根据权利要求1至14中任一项所述的显示基板,还包括:位于所述第一封装胶基底上的封装胶。
- 根据权利要求1至15中任一项所述的显示基板,还包括:测试电路;所述测试电路包括:至少一个测试单元,所述测试单元包括多个测试晶体管,所述多个测试晶体管的第一极分别通过第一数据连接线电连接不同的测试数据线,所述多个测试晶体管的第二极分别连接所述显示区域的不同的数据线,所述多个测试晶体管的栅极与测试控制信号线电连接;所述第一数据连接线与所述多个测试晶体管的栅极为同层结构。
- 根据权利要求16所述的显示基板,其中,所述测试单元的多个测试晶体管的栅极为一体结构。
- 根据权利要求16或17所述的显示基板,其中,所述测试电路位于所述显示区域远离所述测试信号接入区的一侧,并与部分第一信号引出线电连接。
- 根据权利要求1至18中任一项所述的显示基板,还包括:多路复用电路,所述多路复用电路包括:至少一个复用单元,所述复用单元包括多个复用晶体管,所述多个复用晶体管的第一极与复用数据线电连接,所述多个复用晶体管的第二极分别通过第二数据连接线电连接所述显示区域的不同的数据线,所述多个复用晶体管的栅极分别电连接不同的复用控制信号线;所述第二数据连接线与所述多个复用晶体管的栅极为同层结构。
- 一种显示装置,包括如权利要求1至19中任一项所述的显示基板。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/CN2022/102421 WO2024000287A1 (zh) | 2022-06-29 | 2022-06-29 | 显示基板及显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117642859A true CN117642859A (zh) | 2024-03-01 |
Family
ID=89383448
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202280002018.8A Pending CN117642859A (zh) | 2022-06-29 | 2022-06-29 | 显示基板及显示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN117642859A (zh) |
WO (1) | WO2024000287A1 (zh) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101344650A (zh) * | 2007-07-11 | 2009-01-14 | 上海天马微电子有限公司 | 显示器件的测试装置、测试方法以及具有测试装置的基板 |
CN105139787A (zh) * | 2015-07-24 | 2015-12-09 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 测试引出线结构及测试装置 |
KR20180070309A (ko) * | 2016-12-16 | 2018-06-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시 장치 |
CN110148592B (zh) * | 2019-05-21 | 2020-12-11 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板、包含其的显示装置 |
KR20210044356A (ko) * | 2019-10-14 | 2021-04-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN112838106A (zh) * | 2019-11-22 | 2021-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
CN113327946A (zh) * | 2021-06-04 | 2021-08-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN113380656A (zh) * | 2021-06-16 | 2021-09-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 待切割显示基板、显示基板及其显示装置 |
-
2022
- 2022-06-29 WO PCT/CN2022/102421 patent/WO2024000287A1/zh active Application Filing
- 2022-06-29 CN CN202280002018.8A patent/CN117642859A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2024000287A1 (zh) | 2024-01-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN112186019B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN113130463B (zh) | 一种发光基板及其制备方法、显示装置 | |
CN115294889B (zh) | 显示基板、显示面板及显示装置 | |
CN113748518B (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
WO2023246338A1 (zh) | 显示基板及显示装置 | |
US20220320241A1 (en) | Display Substrate and Preparing Method Thereof, and Display Apparatus | |
CN114730543B (zh) | 显示基板及其检测方法、制备方法、显示装置 | |
CN113748534B (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
AU2022309241B2 (en) | Display panel and display apparatus | |
CN117642859A (zh) | 显示基板及显示装置 | |
CN115802834A (zh) | 显示基板及显示装置 | |
CN112740101A (zh) | 显示装置及其制备方法 | |
CN115968231A (zh) | 显示面板和显示装置 | |
US20230351970A1 (en) | Display Substrate and Preparation Method thereof, and Display Apparatus | |
CN117678344A (zh) | 显示基板及显示装置 | |
CN115668346A (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
CN115885335A (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
CN219679162U (zh) | 显示基板及显示装置 | |
CN114531922A (zh) | 显示基板及显示装置 | |
CN221127828U (zh) | 显示基板及显示装置 | |
EP4280279A1 (en) | Display substrate and display device | |
US11955088B2 (en) | Display substrate and display apparatus | |
WO2023216200A1 (zh) | 显示基板及显示装置 | |
CN117082926A (zh) | 显示基板及显示装置 | |
CN116195380A (zh) | 显示基板、显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |