CN117637912A - 一种电池的制备工艺 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种电池的制备方法，包括电池基体制备步骤和电极制备及烧结步骤。其中，电极制备及烧结步骤包括在电池基体上先后制备电池的两极并在不同温度下分别进行烧结，即得到所述电池。本申请可应用于正负电极浆料对烧结温度需求不同的电池，可以最大程度的发挥正负极浆料特性，提高电池效率。
Description
技术领域
本申请涉及光伏太阳能领域，尤其涉及一种电池制备方法中的烧结工艺。
背景技术
在光伏太阳能领域，以TOPCon电池为代表的钝化接触电池由于具有更高的效率极限而逐渐成为研发的主流。与其他类型的电池相比，TOPCon技术通过在电池背面制备一层超薄氧化硅，再沉积一层掺杂硅薄层，从而共同形成一种钝化接触结构，有效降低表面复合和金属接触复合，可提升电池的开路电压和填充因子，大幅提高光伏的转换率。但是，TOPCon电池工艺中，背面自由载流子的吸收问题是进一步提升效率的痛点。现有技术中，由于背面poly过薄容易导致烧穿，所以往往将poly做厚，一般厚度需达到在100nm以上以匹配烧结工艺，但poly层过厚会增加自由载流子的吸收，也会导致成本的上升。因此，如何进一步提高电池的效率仍是当前需要探索和解决的问题。
发明内容
为解决上述技术中的问题，本申请提供了一种双面电池的制备方法，针对正负电极浆料的烧结步骤进行改进，有效改善电池效率。本申请具体技术方案如下：
本申请涉及一种电池的制备方法，其中包括如下步骤：
电池基体制备步骤，其包括对硅片进行钝化处理，
电极制备及烧结步骤，其包括在钝化处理后的所述电池基体上先后制备电池的两极并在不同温度下分别进行烧结，即得到所述电池。
进一步的，所述电极制备及烧结步骤包括：在钝化处理后的所述电池基体上先制备电池的正极或负极并进行高温烧结后，再制备另一极并进行低温烧结。
进一步的，所述电池基体制备步骤包括：
硅片双面制绒步骤，其对硅片的双面进行制绒；
硅片正面扩散掺杂步骤，其对经制绒后的硅片的正面进行扩散掺杂；
硅片背面去绕镀并形成钝化层步骤，其在经扩散掺杂后的硅片的背面上形成钝化层；
硅片双面镀膜步骤，其在形成钝化层后的硅片的两面制备减反射层或保护层。
进一步的，所述电极制备及烧结步骤包括：
硅片正面印刷丝网步骤，其在经钝化处理后的硅片的正面印刷丝网；
硅片正面高温烧结步骤，其对正面印刷丝网后的硅片的正面进行高温烧结；
硅片背面印刷丝网步骤，其在进行高温烧结后的硅片的背面印刷丝网；
硅片背面低温烧结步骤，其对背面印刷丝网后的硅片的背面进行低温烧结。
进一步的，所述硅片正面高温烧结的反应温度为850～900℃，烧结时间为1-5分钟。
进一步的，所述硅片背面低温烧结的反应温度低于所述正面高温烧结的反应温度，且温差为150℃，烧结时间为1-5分钟。
进一步的，所述硅片正面扩散掺杂为硼掺杂或磷掺杂。
进一步的，所述硅片背面形成钝化层包括在硅片背面沉积隧穿氧化层和磷掺杂多晶硅层，进一步还包括在沉积隧穿氧化层和磷掺杂多晶硅层后进行晶化退火。
进一步的，所述隧穿氧化层厚度为1～2nm。
进一步的，所述磷掺杂多晶硅层厚度为15～130nm，进一步优选为15～50nm。
进一步的，所述晶化退火的退火温度为700～940℃，退火时间为40～150min。
进一步的，所述制备方法中，还包括在所述硅片双面镀膜步骤前对正面去除绕镀的步骤，进一步还包括清除双面的氧化层的步骤。
进一步的，所述硅片双面镀膜步骤包括在硅片正面沉积氧化铝层，并对双面分别镀氮化硅层。
进一步的，本申请中所述硅片为N型单晶硅片或P型单晶硅片。
本申请还涉及一种电池，其是通过本申请所述的制备方法制备得到的。
进一步的，所述电池为双面电池。进一步优选的，所述电池为TOPCon电池。
上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够使得本申请的技术手段更加清楚明白，达到本领域技术人员可依照说明书的内容予以实施的程度，并且为了能够让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，下面以本申请的具体实施方式进行举例说明。
附图说明
图1所示为EL对比图：其中左图为实施例1的EL图，中图为对比例1的EL图，右图为对比例2的EL图。
具体实施方式
本申请的以下实施方式仅用来说明实现本申请的具体实施方式，这些实施方式不能理解为是对本申请的限制。其他的任何在未背离本申请的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均视为等效的置换方式，落在本申请的保护范围之内。
本申请提供了一种双面电池的制备方法，其中，包括如下步骤：
电池基体制备步骤，其包括对硅片进行钝化处理，
电极制备及烧结步骤，其包括在钝化处理后的所述电池基体上先后制备电池的两极并在不同温度下分别进行烧结，即得到所述电池。
在一个具体的实施方式中，所述电极制备及烧结步骤包括：在钝化处理后的所述电池基体上先制备电池的正极或负极并进行高温烧结后，再制备另一极并进行低温烧结。
在一个具体的实施方式中，所述电极制备及烧结步骤包括：在钝化处理后的所述电池基体上先制备电池的正极并进行高温烧结后，再制备电池的负极并进行低温烧结。
在另一个具体的实施方式中，所述电极制备及烧结步骤包括：在钝化处理后的所述电池基体上先制备电池的负极并进行高温烧结后，再制备电池的正极并进行低温烧结。
现有技术中，一些电池由于正负电极浆料不同，在对电极进行制作烧结时需要调整正负极的厚度以适应烧结温度。例如，在双面电池TOPCon电池的制作中，即需要将poly层做厚以防止被烧穿，这在一定程度上降低了电池效率，还会提高加工成本。本申请所述提供的制备方法，通过对烧结工艺进行改进，采用对浆料不同的正负电极进行分别涂覆烧结的方式，最大程度地发挥浆料特性，提高电池效率。
本申请的技术方案适用于任何正负电极浆料对烧结温度需求不同的电池，如PERC电池，HJT电池，XBC电池等。在一个具体的实施方式中，所述电池为TOPcon电池。
在本申请的实施方式中，所述硅片可以为N型单晶硅片或P型单晶硅片。在一些实施方式中，所述硅片也可以为N型掺杂单晶硅片、N型掺杂类单晶硅片或其他可选的半导体材料。
在本申请的一个具体的实施方式中，所述电池基体制备步骤包括：
硅片双面制绒步骤，其对硅片的双面进行制绒；
硅片正面扩散掺杂步骤，其对经制绒后的硅片的正面进行扩散掺杂；
硅片背面去绕镀并形成钝化层步骤，其在经扩散掺杂后的硅片的背面上形成钝化层；
硅片双面镀膜步骤，其在形成钝化层后的硅片的两面制备减反射层或保护层。
在本申请的实施方式中，所述硅片双面制绒的步骤中包括对硅片两面进行污垢和杂质的清洗、损伤去除并形成绒面。
在本申请的实施方式中，所述硅片正面扩散掺杂的步骤中包括对制绒后的硅片的任意一面进行扩散掺杂。在本申请中，制绒后的硅片两面相同。本申请中将该扩散掺杂面表述为“硅片正面”，将另一面表述为“硅片背面”。本申请中所述“硅片正面”和“硅片背面”等并非对所述硅片或所述制备方法进行限定。
在本申请的具体实施方式中，所述硅片正面扩散掺杂包括对硅片正面进行硼掺杂或磷掺杂。在具体的实施方式中，掺杂源可根据具体制备电池种类决定。
在一个具体的实施方式中，所述硅片正面扩散掺杂为对硅片正面进行硼掺杂。在一个优选的实施方式中，以BCl3掺杂源气体在硅片正面形成BSG层，厚度为50～150nm。
在一个具体的实施方式中，在进行所述正面扩散掺杂后，去除背面绕镀并进行抛光。
在一个具体的实施方式中，以HF溶液去除背面绕镀的硼硅玻璃。
在一个具体的实施方式中，同时去除背面和侧面的绕镀。
在一个具体的实施方式中，对背面和/或侧面去除绕镀后进行碱抛光。
在本申请一个具体的实施方式中，所述硅片背面形成钝化层的步骤中包括在背面形成AL2O3/SiNx钝化层。
在本申请另一个具体的实施方式中，所述硅片背面形成钝化层的步骤中包括在背面沉积SiO2隧穿氧化层和磷掺杂多晶硅层。
在一个具体的实施方式中，采用PEVCD、PVD或LPCVD制备隧穿氧化层和磷掺杂多晶硅层。
在一个具体的实施方式中，所述隧穿氧化层厚度为1～2nm。
在一个具体的实施方式中，所述磷掺杂多晶硅层厚度为15～130nm。
在一个优选的实施方式中，所述磷掺杂多晶硅层厚度为15～50nm。
现有技术中，制备磷掺杂多晶硅层的厚度一般为100～150nm，否则容易被烧穿。本申请的制备工艺可以使磷掺杂多晶硅层厚度将至100nm以下，更优选可以将至50nm以下，有效提升了电池效率。
在本申请另一个具体的实施方式中，所述硅片背面形成钝化层的步骤中包括在背面形成氧化铝或氧化硅钝化层。
在具体的实施方式中，钝化层类型可根据具体制备电池种类决定。
在本申请的实施方式中，所述电池基体制备步骤中还包括晶化退火的步骤。
在一个具体的实施方式中，在所述硅片背面形成钝化层后，进行晶化退火。
在一个具体的实施方式中，在所述硅片背面沉积隧穿氧化层和磷掺杂多晶硅层后，进行晶化退火。在一个优选的实施方式中，所述晶化退火的反应温度为700～940℃，退火反应时间为40～150min。
本申请的实施方式中，所述电池基体制备步骤中还包括去除正面绕镀的步骤。
在一个具体的实施方式中，在硅片背面形成钝化层后，去除正面绕镀。
在一个具体的实施方式中，去除正面绕镀包括去除绕镀的磷硅玻璃和/或多晶硅。磷绕镀至硅片正面会与正面硼元素接触而造成漏电。
在一个具体的实施方式中，以HF溶液去除绕镀的磷硅玻璃，以KOH溶液或NaOH溶液去除绕镀的多晶硅。
在一个具体的实施方式中，同时去除正面和侧面的绕镀。
本申请的实施方式中，所述电池基体制备步骤中还包括去除正面和背面的氧化层的步骤。
在一个具体的实施方式中，在去除正面绕镀后，用氢氟酸去掉正背面的氧化层。
本申请的实施方式中，所述硅片双面镀膜步骤包括在硅片正面沉积氧化铝层。
在一个具体的实施方式中，在去除正面绕镀并以氢氟酸去除正背面的氧化层后，在所述硅片正面沉积氧化铝层。
正面沉积氧化铝层可以起到正面钝化作用。在一个具体的实施方式中，以原子层沉积技术(ALD)在所述硅片正面沉积氧化铝层。在一个具体的实施方式中，所述氧化铝层沉积厚度为3～5nm。
在本申请的实施方式中，所述硅片双面镀膜步骤进一步还包括在所述硅片正面和背面分别沉积氮化硅层。
氮化硅层可以起到钝化和减反射的作用，对电池的转换效率有重要影响。
在一个具体的实施方式中，采用PECVD法沉积氮化硅层。
在一个具体的实施方式中，正面沉积氮化硅层的厚度为70～80nm，背面沉积氮化硅层的厚度为80～110nm。
在本申请的实施方式中，在经上述方法制备后的电池基体上进行所述电极制备及烧结。
在一个具体的实施方式中，所述电极制备及烧结步骤包括：
在钝化处理后的所述硅片正面印刷丝网，并于印刷后对硅片正面进行高温烧结；
在所述高温烧结后，在所述硅片的背面印刷丝网，并于印刷后对所述背面进行低温烧结。
在本申请的实施方式中，所述印刷丝网包括在硅片正面或背面以印刷银浆工艺印制主栅线副栅线，形成金属电极。
在一个具体的实施方式中，在正面沉积氮化硅层上印刷丝网。
在一个具体的实施方式中，对硅片正面进行所述高温烧结的反应温度为850～900℃，烧结时间为1-5min。
在一个具体的实施方式中，在背面沉积氮化硅层上印刷丝网。
在本申请的实施方式中，所述低温烧结的步骤包括在所述硅片背面印刷丝网后，对硅片背面进行烧结。
在一个具体的实施方式中，对硅片背面进行所述低温烧结的反应温度低于所述正面高温烧结的反应温度，且温差为150℃，烧结时间为1-5min。
在一个具体的实施方式中，所述背面低温烧结的反应温度为700～750℃。本申请的技术方案可以针对正背面的具体浆料设定最适合的温度来烧结。在具体的实施方式中，先印刷正面浆料，并以较高温度烧结，此时正面朝上放置，没有炉带遮挡，整体表面受热更均匀；正面烧结完成后，降温至60度以下后，将电池片翻转后印刷背面浆料，背面朝上放置，并以相对较低温度烧结，电池背面没有炉带遮挡，受热更均匀。在一些具体的实施方式中，背面与正面的烧结温度差约在100～200℃之间。这样分开烧结的工艺方法可以最大程度地发挥浆料特性，提高电池效率。
在一个具体的实施方式中，本申请提供了一种TOPcon电池的的制备方法，具体包括：
S1，对硅片进行制绒；
S2，在制绒后的硅片正面进行硼掺杂；
S3，对硅片背面清洗去掉绕镀的硼硅玻璃并碱抛光，沉积1-2nm厚的隧穿氧化层和15-130nm厚的磷掺杂多晶硅层，进行晶化退火；
S4，对硅片正面清洗掉绕镀的磷硅玻璃和多晶硅绕度，用氢氟酸去掉正背面的氧化层；
S5，在硅片正面原子层沉积氧化铝，镀氮化硅做减反射层；
S6，在硅片背面镀氮化硅做保护层；
S7，在硅片正面印刷主栅和副栅，进行高温烧结；
S8，电池翻转，背面朝上，在硅片背面印刷主栅和副栅，低温烧结。
现有技术中TOPCon电池背面自由载流子的吸收会影响电池效率。这是由于poly层过薄容易烧穿，为匹配烧结工艺需要将poly层厚度做到100nm以上，这将增加自由载流子的吸收。本申请所提供的制备方法改善了烧结工艺，一方面使电池表面受热均匀，同时也降低了背面的烧结温度，从而使poly层可以减薄，提高电池效率。
本申请所提供的制备方法不仅适用于TOPcon电池的制备，也适用于其他正负电极使用两种或以上浆料且对烧结温度需求不同的电池，如PERC电池，HJT电池，XBC电池，都可以最大程度的发挥正负极浆料特性，提高电池效率。
例如，在另一个具体的实施方式中，所述方法也可用于异质结电池的制备。所述电池的制备方法包括制绒、非晶硅薄膜沉积、TCO层的制备以及根据需要分别制备不同浆料的正负电极并在不同温度下进行烧结等步骤。
本申请还涉及一种电池，其是通过以上所述的制备方法制备得到的。
在一个优选的实施方式中，所述双面电池为TOPCon电池。
实施例
下述所使用的实验方法如无特殊要求，均为常规方法。
下述所使用的材料、试剂等，如无特殊说明，均可从商业途径得到。
实施例1
通过如下方法制备一种双面电池：
(1)选取N型单晶硅片，采用碱液金字塔刻蚀法对硅片两面进行制绒；
(2)在硅片一面(正面)进行硼掺杂(于扩散炉中通入BCl3、O2/N2，在1050℃下反应80-240min)，掺杂厚度为50～150nm；
(3)对硅片另一面(背面)清洗去掉绕镀并进行碱抛光；
(4)采用PECVD设备在背面制备1～2nm的隧穿氧化层和50nm的磷掺杂多晶硅层，在管式炉中于920℃下进行晶化退火40-150min；
(5)对硅片正面清洗掉绕镀的磷硅玻璃和多晶硅，并用氢氟酸去掉正背面的氧化层；
(6)使用ALD设备在硅片正面沉积氧化铝层，厚度为3～5nm；
(7)采用PECVD设备在硅片正面制备厚度为70～80nm的氮化硅，在硅片背面制备厚度为80～110nm的氮化硅；
(8)在硅片正面进行银浆丝网印刷，制备电极，然后正面朝上放置于传输皮带上，由皮带传输至烧结炉的炉带上，在850℃温度下烧结1-5min；
(9)将硅片翻转，在硅片背面进行银浆丝网印刷，制备电极，然后背面朝上传输至烧结炉的炉带上，在700℃温度下烧结1-5min，得到所述双面电池。
实施例2
通过如下方法制备一种双面电池：
(1)选取N型单晶硅片，采用碱液金字塔刻蚀法对硅片两面进行制绒；
(2)在硅片一面(正面)进行硼掺杂(于扩散炉中通入BCl3、O2/N2，在1050℃下反应80-240min)，掺杂厚度为50～150nm；
(3)对硅片另一面(背面)清洗去掉绕镀并进行碱抛光；
(4)采用PECVD设备在背面制备1～2nm的隧穿氧化层和130nm的磷掺杂多晶硅层，在管式炉中于920℃下进行晶化退火40-150min；
(5)对硅片正面清洗掉绕镀的磷硅玻璃和多晶硅，并用氢氟酸去掉正背面的氧化层；
(6)使用ALD设备在硅片正面沉积氧化铝层，厚度为3～5nm；
(7)采用PECVD设备在硅片正面制备厚度为70～80nm的氮化硅，在硅片背面制备厚度为80～110nm的氮化硅；
(8)在硅片正面进行银浆丝网印刷，制备电极，然后正面朝上放置于传输皮带上，由皮带传输至烧结炉的炉带上，在850℃温度下烧结1-5min；
(9)将硅片翻转，在硅片背面进行银浆丝网印刷，制备电极，然后背面朝上传输至烧结炉的炉带上，在700℃温度下烧结1-5min，得到所述双面电池。
对比例1
通过如下方法制备一种双面电池：
(1)选取N型单晶硅片，采用碱液金字塔刻蚀法对硅片两面进行制绒；
(2)在硅片一面(正面)进行硼掺杂(于扩散炉中通入BCl3、O2/N2，在1050℃下反应80-240min)，掺杂厚度为50～150nm；
(3)对硅片另一面(背面)清洗去掉绕镀并进行碱抛光；
(4)采用PECVD设备在背面制备1～2nm的隧穿氧化层和50nm的磷掺杂多晶硅层，在管式炉中于920℃下进行晶化退火40-150min；
(5)对硅片正面清洗掉绕镀的磷硅玻璃和多晶硅，并用氢氟酸去掉正背面的氧化层；
(6)使用ALD设备在硅片正面沉积氧化铝层，厚度为3～5nm；
(7)采用PECVD设备在硅片正面制备厚度为70～80nm的氮化硅，在硅片背面制备厚度为80～110nm的氮化硅；
(8)在硅片正面和背面进行银浆丝网印刷，制备电极，然后以炉带固定，在780～850℃温度下烧结1-5min，得到所述双面电池。
对比例2
通过如下方法制备一种双面电池：
(1)选取N型单晶硅片，采用碱液金字塔刻蚀法对硅片两面进行制绒；
(2)在硅片一面(正面)进行硼掺杂(于扩散炉中通入BCl3、O2/N2，在1050℃下反应80-240min)，掺杂厚度为50～150nm；
(3)对硅片另一面(背面)清洗去掉绕镀并进行碱抛光；
(4)采用PECVD设备在背面制备1～2nm的隧穿氧化层和50nm的磷掺杂多晶硅层，在管式炉中于920℃下进行晶化退火40-150min；
(5)对硅片正面清洗掉绕镀的磷硅玻璃和多晶硅，并用氢氟酸去掉正背面的氧化层；
(6)使用ALD设备在硅片正面沉积氧化铝层，厚度为3～5nm；
(7)采用PECVD设备在硅片正面制备厚度为70～80nm的氮化硅，在硅片背面制备厚度为80～110nm的氮化硅；
(8)在硅片正面和背面进行银浆丝网印刷，制备电极，然后以炉带固定，在780～850℃温度下烧结1-5min，得到所述双面电池。
对比例3
通过如下方法制备一种双面电池：
(1)选取N型单晶硅片，采用碱液金字塔刻蚀法对硅片两面进行制绒；
(2)在硅片一面(正面)进行硼掺杂(于扩散炉中通入BCl3、O2/N2，在1050℃下反应80-240min)，掺杂厚度为50～150nm；
(3)对硅片另一面(背面)清洗去掉绕镀并进行碱抛光；
(4)采用PECVD设备在背面制备1～2nm的隧穿氧化层和50nm的磷掺杂多晶硅层，在管式炉中于920℃下进行晶化退火40-150min；
(5)对硅片正面清洗掉绕镀的磷硅玻璃和多晶硅，并用氢氟酸去掉正背面的氧化层；
(6)使用ALD设备在硅片正面沉积氧化铝层，厚度为3～5nm；
(7)采用PECVD设备在硅片正面制备厚度为70～80nm的氮化硅，在硅片背面制备厚度为80～110nm的氮化硅；
(8)在硅片正面进行银浆丝网印刷，制备电极，然后正面朝上放置于传输皮带上，由皮带传输至烧结炉的炉带上，在850℃温度下烧结1-5min；
(9)将硅片翻转，在硅片背面进行银浆丝网印刷，制备电极，然后背面朝上传输至烧结炉的炉带上，在650℃温度下烧结1-5min，得到所述双面电池。
以上述实施例和对比例方法制备得到的双面电池样品进行IV测试和EL测试，以检测其各项电池性能，各样品的主要工艺参数及实验结果见表1。
表1
小结：
以上实验结果显示，本申请的实施例1具有更高的电池效率，EL图显示正常，无云雾，无炉带印。实施例2由于poly变厚，电流降低，效率降低；对比例1为正背面同时烧结，EL图中有明显云雾、炉带印等导致的不良，IV测试显示效率降低；对比例2为poly减薄，背面金属烧穿产生复合，降低电池的开路电压和填充因子，效率降低。对比例3因烧结温度过低，填充因子降低导致效率降低。上述实验结果表明采用本申请技术方案的实施例1具有更加优异的电池性能。
尽管以上对本申请的实施方案进行了描述，但本申请并不局限于上述的具体实施方案和应用领域，上述的具体实施方案仅仅是示意性的、指导性的，而不是限制性的。本领域的普通技术人员在本说明书的启示下和在不脱离本申请权利要求所保护的范围的情况下，还可以做出很多种的形式，这些均属于本申请要求保护之列。
Claims (15)
1.一种电池的制备方法，其中，包括如下步骤：
电池基体制备步骤，其包括对硅片进行钝化处理，
电极制备及烧结步骤，其包括在钝化处理后的所述电池基体上先后制备电池的两极并在不同温度下分别进行烧结，即得到所述电池。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述电极制备及烧结步骤包括：在钝化处理后的所述电池基体上先制备电池的正极或负极并进行高温烧结后，再制备另一极并进行低温烧结。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中，所述电池基体制备步骤包括：
硅片双面制绒步骤，其对硅片的双面进行制绒；
硅片正面扩散掺杂步骤，其对经制绒后的硅片的正面进行扩散掺杂；
硅片背面去绕镀并形成钝化层步骤，其在经扩散掺杂后的硅片的背面上形成钝化层；
硅片双面镀膜步骤，其在形成钝化层后的硅片的两面制备减反射层或保护层。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其中，所述电极制备及烧结步骤包括：
硅片正面印刷丝网步骤，其在经钝化处理后的硅片的正面印刷丝网；
硅片正面高温烧结步骤，其对正面印刷丝网后的硅片的正面进行高温烧结；
硅片背面印刷丝网步骤，其在进行高温烧结后的硅片的背面印刷丝网；
硅片背面低温烧结步骤，其对背面印刷丝网后的硅片的背面进行低温烧结。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其中，所述硅片正面高温烧结的反应温度为850～900℃，烧结时间为1-5分钟。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其中，所述硅片背面低温烧结的反应温度低于所述正面高温烧结的反应温度，且温差为150℃，烧结时间为1-5分钟。
7.根据权利要求3～6中任一项所述所述的制备方法，其中，所述硅片正面扩散掺杂为硼掺杂或磷掺杂。
8.根据权利要求3～6中任一项所述的制备方法，其中，所述硅片背面形成钝化层包括在硅片背面沉积隧穿氧化层和磷掺杂多晶硅层，进一步还包括在沉积隧穿氧化层和磷掺杂多晶硅层后进行晶化退火。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其中，所述隧穿氧化层厚度为1～2nm。
10.根据权利要求8所述的制备方法，其中，所述磷掺杂多晶硅层厚度为15～130nm，优选为15～50nm。
11.根据权利要求8所述的制备方法，其中，所述晶化退火的退火温度为700～940℃，退火时间为40～150min。
12.根据权利要求3～11中任一项所述的制备方法，其中还包括，在所述硅片双面镀膜步骤前对正面去除绕镀的步骤，进一步还包括清除双面的氧化层的步骤。
13.根据权利要求3～12中任一项所述的制备方法，其中，所述硅片双面镀膜步骤包括在硅片正面沉积氧化铝层，并对双面分别镀氮化硅层。
14.根据权利要求1～13中任一项所述的制备方法，其中，所述硅片为N型单晶硅片或P型单晶硅片。
15.一种电池，其是通过权利要求1～14中任一项所述的制备方法制备得到的，优选的，所述电池为双面电池，进一步优选的，所述电池为TOPCon电池。
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| CN202311565796.0A CN117637912A (zh) | 2023-11-20 | 2023-11-20 | 一种电池的制备工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202311565796.0A CN117637912A (zh) | 2023-11-20 | 2023-11-20 | 一种电池的制备工艺 |
Publications (1)
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202311565796.0A Pending CN117637912A (zh) | 2023-11-20 | 2023-11-20 | 一种电池的制备工艺 |
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2023
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