CN117604477A - 磁控溅射设备及磁控溅射方法 - Google Patents

磁控溅射设备及磁控溅射方法 Download PDF

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Abstract

本申请涉及一种磁控溅射设备及磁控溅射方法。本申请的磁控溅射设备包括：溅射腔室、位于溅射腔室内且相对设置的基片台和溅射阴极。磁控溅射设备还包括位于溅射腔室内且相对设置的第一对向靶阴极和第二对向靶阴极，以及设置于第一对向靶阴极的第一磁控组件和设置于第二对向靶阴极的第二磁控组件，第一磁控组件和第二磁控组件用于在基片台和溅射阴极之间形成磁场。上述磁控溅射设备能够增加粒子的离化率，进而提升镀膜的膜层性能。

Description

磁控溅射设备及磁控溅射方法
技术领域
本申请涉及磁控溅射技术领域，特别是涉及一种磁控溅射设备及磁控溅射方法。
背景技术
传统的磁控溅射通常采用圆柱靶或平面靶作为阴极进行溅射薄膜沉积，其工作过程为：在真空腔体中充入惰性气体，电源馈入阴极提供电场使电子发生定向运动，电子撞击到惰性气体使惰性气体电离产生正离子，正离子在电场作用下轰击阴极靶材，使靶材剥离并以气相状态沉积到基材上，离子轰击靶材的同时会生成二次电子，二次电子在正交的电磁场下在E×B方向作螺旋摆线运动，运动过程中再次与惰性气体碰撞生成大量正离子，并继续对靶材进行溅射，电子碰撞后能量耗散跑向阳极，此过程维持了放电过程。
传统的磁控溅射方法中，靶材粒子的离化率较低，镀膜的膜层性能难以进一步提升。
发明内容
基于此，有必要提供一种磁控溅射设备及磁控溅射方法。使用本申请的磁控溅射设备对基片进行磁控溅射时，能够提高靶材粒子的离化率，进而能够提升镀膜的膜层性能。
第一方面，本申请提供一种磁控溅射设备，包括：溅射腔室、位于所述溅射腔室内且相对设置的基片台和溅射阴极；
所述磁控溅射设备还包括位于所述溅射腔室内且相对设置的第一对向靶阴极和第二对向靶阴极，以及设置于所述第一对向靶阴极的第一磁控组件和设置于所述第二对向靶阴极的第二磁控组件，所述第一磁控组件和所述第二磁控组件用于在所述基片台和所述溅射阴极之间形成闭合磁场。
在其中一些实施方式中，所述第一对向靶阴极和所述第二对向靶阴极均垂直于所述基片台设置。
在其中一些实施方式中，所述第一磁控组件包括多个顺序排列的第一磁铁，所述第二磁控组件包括多个顺序排列的第二磁铁，所述第一磁铁和所述第二磁铁之间一一对应，相对应的所述第一磁铁和所述第二磁铁的磁性相反。
在其中一些实施方式中，所述第一磁控组件中，相邻的所述第一磁铁的朝向所述第二磁控组件方向的磁性相反。
在其中一些实施方式中，所述第二磁控组件中，相邻的所述第二磁铁的朝向所述第一磁控组件方向的磁性相反。
在其中一些实施方式中，所述磁控溅射设备还包括第一阳极和/或第二阳极，所述第一阳极设置于所述第一对向靶阴极的侧边，所述第二阳极设置于所述第二对向靶阴极的侧边。
在其中一些实施方式中，所述磁控溅射设备还包括偏压电源，所述偏压电源用于向所述基片台施加偏压。
在其中一些实施方式中，所述磁控溅射设备还包括第三磁控组件，所述第三磁控组件设置于所述溅射阴极远离所述基片台的一侧，或者，所述第三磁控组件设置于所述溅射阴极内部；
所述第三磁控组件包括内磁体和位于所述内磁体两侧的两个外磁体，所述内磁体的极性与所述外磁体的极性相反。
第二方面，本申请提供一种磁控溅射方法，使用上述任一项所述的磁控溅射设备，包括如下步骤：
通过所述第一磁控组件和所述第二磁控组件在所述基片台和所述溅射阴极之间形成闭合磁场；
通过所述第一对向靶阴极和所述第二对向靶阴极形成等离子体，并通过所述磁场于所述基片台和所述溅射阴极之间形成等离子体团；
通过所述溅射阴极形成溅射粒子，控制所述溅射粒子通过所述等离子团，对设置于所述基片台上的基片进行镀膜。
在其中一些实施方式中，控制所述溅射粒子通过所述等离子团，对设置于所述基片台上的基片进行镀膜包括：
向设置于所述基片台上的基片施加偏压，控制所述溅射粒子到达所述基片时的能量。
在其中一些实施方式中，所述等离子体团的密度为1016/m3~1018/m3。
在其中一些实施方式中，通过所述第一对向靶阴极和所述第二对向靶阴极形成等离子体包括：
对所述第一对向靶阴极上的靶材和所述第二对向靶阴极上的靶材施加高能脉冲，以形成等离子体。
在其中一些实施方式中，对所述第一对向靶阴极上的靶材和所述第二对向靶阴极上的靶材施加高能脉冲的靶材平均功率密度为103W/m~104W/m。
在其中一些实施方式中，所述高能脉冲的频率为0.5khz~2khz。
在其中一些实施方式中，所述高能脉冲的占空比为大于0且小于或等于5%。
在其中一些实施方式中，所述高能脉冲的峰值电流为100A~500A。
在其中一些实施方式中，所述高能脉冲的脉冲气压为0.1Pa~2Pa。
上述磁控溅射设备中，能够通过相对设置的第一磁控组件和第二磁控组件于基片台和溅射阴极之间形成闭合磁场，通过第一对向靶阴极和第二对向靶阴极的设置，能够在磁场区域内形成高密度等离子体，等离子体被束缚在基片台和溅射阴极之间的区域内，形成区域内的等离子体团。使用该磁控溅射设备通过溅射阴极向设置在基片台上的基片进行镀膜时，溅射阴极处的靶材溅射出来的靶材粒子在通过等离子体团时，靶材粒子会与等离子体发生碰撞，能够增加粒子的离化率，进而提升镀膜的膜层性能。
附图说明
图1为本申请一实施例提供的磁控溅射设备的结构示意图；
图2为本申请又一实施例提供的磁控溅射设备的结构示意图；
图3为本申请又一实施例提供的磁控溅射设备的结构示意图；
图4为本申请又一实施例提供的磁控溅射设备的结构示意图；
图5为本申请又一实施例提供的磁控溅射设备的结构示意图。
附图标记说明
1、基片台；2、溅射阴极；3、第一对向靶阴极；4、第二对向靶阴极；5、第一磁控组件；6、第二磁控组件；7、第一阳极；8、第二阳极；9、第三磁控组件；10、第三阳极。
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“和／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
此外，术语“第一”，“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”，“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
参照图1所示，本申请一实施例提供了一种磁控溅射设备，包括：溅射腔室、位于溅射腔室内且相对设置的基片台1和溅射阴极2。磁控溅射设备还包括位于溅射腔室内且相对设置的第一对向靶阴极3和第二对向靶阴极4，以及设置于第一对向靶阴极3的第一磁控组件5和设置于第二对向靶阴极4的第二磁控组件6，第一磁控组件5和第二磁控组件6在基片台1和溅射阴极2之间形成闭合磁场。
上述磁控溅射设备中，能够通过相对设置的第一磁控组件5和第二磁控组件6于基片台1和溅射阴极2之间形成闭合磁场，通过第一对向靶阴极3和第二对向靶阴极4的设置，能够在磁场区域内形成等离子体，等离子体被束缚在基片台1和溅射阴极2之间的区域内，形成区域内的等离子体团。使用该磁控溅射设备通过溅射阴极2向设置在基片台1上的基片进行镀膜时，溅射阴极2处的靶材溅射出来的靶材粒子在朝向基片运动的过程中经过高密度的等离子体团时，有很大概率与等离子体团中的高速运动的电子以及亚稳态原子发生碰撞被电离为靶材离子后再沉积到基片的表面。该磁控溅射设备能够增加靶材粒子的离化率，进而提升镀膜的膜层性能。
进一步地，通过粒子与等离子体之间的碰撞，不仅能够增加粒子的离化率，还能够通过多次碰撞使得负性离子的能量降低后到达基片台1的基片，减少负性粒子对基片的高能损伤。同时，在使用该设备进行磁控溅射时，第一对向靶阴极3和第二对向靶阴极4能够提升空间内的等离子体的密度，这有利于降低传统磁控溅射中的溅射阴极2的放电电压，进而使得轰击基片的负性粒子的能量较低，能够降低粒子对基片的轰击损伤。即本申请的磁控溅射设备在使用时，不仅能够增加粒子的离化率，同时还能够降低对基片的损伤。
在其中一些实施方式中，第一对向靶阴极3和第二对向靶阴极4均垂直于基片台1设置。
第一对向靶阴极3和第二对向靶阴极4均垂直于基片台1设置，能够在基片台1和溅射阴极2之间形成横向的磁力线，以实现将等离子体在区域内较好的束缚效果。
参照图3所示，在其中一些实施方式中，第一磁控组件5包括多个顺序排列的第一磁铁，第二磁控组件6包括多个顺序排列的第二磁铁，第一磁铁和第二磁铁之间一一对应，相对应的第一磁铁和第二磁铁的磁性相反。
可以理解的是，顺序排列指的是多个磁铁呈一列间隔设置。一一对应指的是，第一磁铁的数量和第二磁铁的相同，且多个第一磁铁的排列方式和多个第二磁铁的排列方式相同。通过一一对应且磁性相反的第一磁铁和第二磁铁，能够形成横向的磁场，对等离子体实现较好的束缚效果，以形成较高密度的等离子体团。
在其中一些实施方式中，位于第一磁控组件5最外侧的两个第一磁铁的磁性相同。
在其中一些实施方式中，位于第二磁控组件6最外侧的两个第二磁铁的磁性相同。
在其中一些实施方式中，第一磁铁的数量为三个以上。三个以上的第一磁铁能够提高靶材表面的磁通量。
在其中一些实施方式中，第二磁铁的数量为三个以上。
再次参照图3所示，在其中一些实施方式中，第一磁控组件5中，相邻的第一磁铁的朝向第二磁控组件6方向的磁性相反。
相邻的第一磁铁的朝向第二磁控组件6方向的磁性相反，能够在相邻的第一磁铁之间形成平行靶面方向的磁力线，即在平行靶面方向上提供磁场分量，能够使电子在平行靶面表面方向上存在螺旋振荡运动，能够提供磁场对电子的束缚能力，增强电子与气体分子或者对向靶材粒子的碰撞概率，进而提高第一对向靶阴极3和第二对向靶阴极4之间形成的等离子体团的密度。
在其中一些实施方式中，第二磁控组件6中，相邻的第二磁铁的朝向第一磁控组件5方向的磁性相反。
相邻的第二磁铁的朝向第一磁控组件5方向的磁性相反，能够在相邻的第二磁铁之间形成平行靶面方向的磁力线，即在平行靶面方向上提供磁场分量，能够使电子在平行靶面表面方向上存在螺旋振荡运动，能够提供磁场对电子的束缚能力，增强电子与气体分子或者对向靶材粒子的碰撞概率，进而提高第一对向靶阴极3和第二对向靶阴极4之间形成的等离子体团的密度。
在其中一些实施方式中，磁控溅射设备还包括第一阳极7，优先的，第一阳极7设置于第一对向靶阴极3的侧边且垂直于第一对向靶阴极3。通过垂直于第一对向靶阴极3的第一阳极7的设置，能够和磁场一起约束等离子体。二次电子飞出第一对向靶阴极3和第二对向靶阴极4的靶材表面后，被垂直靶的阴极降区的电场加速，二次电子在朝向阳极运动的过程中受到磁场作用做螺旋运动，能够有效将靶材产生的二次电子封闭在第一对向靶阴极3和第二对向靶阴极4之间，以形成高密度的等离子体团。
在其中一些实施方式中，第一阳极7的数量为两个，且相对设置于第一对向靶阴极3的两相对侧边。
在其中一些实施方式中，磁控溅射设备还包括第二阳极8，优先的，第二阳极8设置于第二对向靶阴极4的侧边且垂直于第二对向靶阴极4。
在其中一些实施方式中，磁控溅射设备还包括偏压电源，偏压电源用于向基片台1施加偏压。
溅射阴极2的靶材粒子被离化后其入射到基片表面的能量可以通过基片表面的偏压进行控制，使用偏压电源对基片施加不同电位从而控制离子入射到基片的能量，以适用不同应用场景下膜层需要的离子能量。
在其中一些实施方式中，磁控溅射设备还包括第三磁控组件9，第三磁控组件9设置于溅射阴极2远离基片台1的一侧，或者，第三磁控组件9设置于溅射阴极2内部。第三磁控组件9包括内磁体和位于内磁体两侧的两个外磁体，内磁体的极性与外磁体的极性相反。
具体的，参照图1所示，在其中一些实施方式中，溅射阴极2为圆柱型靶阴极，第三磁控组件9设置于圆柱型靶阴极的环内。
参照图2所示，在其中一些实施方式中，溅射阴极2为平面靶阴极，第三磁控组件9设置于平面靶阴极远离基片台1的表面上。
在其中一些实施方式中，磁控溅射还包括第三阳极10，第三阳极10设置于平面靶阴极的两相对侧边。
参照图4所示，在其中一些实施方式中，溅射阴极2为圆柱型靶阴极，第三磁控组件9设置于圆柱型靶阴极的环内，溅射阴极2的数量为多个，多个溅射阴极2均朝向基片台1设置。
此外，需要说明的，在该实施中，溅射阴极2也可以为平面靶阴极，且溅射阴极2的数量为多个，多个溅射阴极2均朝向基片台1设置。
参照图5所示，在其中一些实施方式中，第一对向靶阴极3和第二对向靶阴极4的数量为多个，每个第一对向靶阴极3和一个第二对向靶阴极4为一组，每组第一对向靶阴极3和第二对向靶阴极4均相对设置，以在溅射阴极2和基片台1之间形成等离子体团。
在其中一些实施方式中，每组第一对向靶阴极3和第二对向靶阴极4和一个溅射阴极2相对应。
此外，需要说明的，在该实施中，溅射阴极2也可以为平面靶阴极，且溅射阴极2的数量为多个，每溅射阴极2均朝向基片台1设置，且设置在每组第一对向靶阴极3和第二对向靶阴极4之间。
本申请又一实施例提供一种磁控溅射方法，使用上述任一项的磁控溅射设备，包括如下步骤：
通过第一磁控组件和第二磁控组件在基片台和溅射阴极之间形成磁场；
通过第一对向靶阴极和第二对向靶阴极形成等离子体，并通过磁场于基片台和溅射阴极之间形成等离子体团；
通过溅射阴极形成溅射粒子，控制溅射粒子通过等离子团，对设置于基片台上的基片进行镀膜。
通过溅射阴极向设置在基片台上的基片进行镀膜时，溅射阴极处的靶材溅射出来的靶材粒子在朝向基片运动的过程中经过高密度的等离子体团时，有很大概率与等离子体团中的高速运动的电子以及亚稳态原子发生碰撞被电离为靶材离子后再沉积到基片的表面，能够增加靶材粒子的离化率，进而提升镀膜的膜层性能。
在其中一些实施方式中，等离子体团的密度为1016/m3~1018/m3。可以理解的是，等离子体团的密度是指等离子团在单位体积内的带电粒子的数量。在该等离子体团的密度范围内，溅射靶阴极溅射出的粒子在经过等离子体团的过程中，粒子和等离子体之间碰撞的概率较高，能够实现较高的粒子离化率。可选地，等离子体团的密度为1017/m3~1018/m3。进一步可选地，等离子体团的密度为1017/m3、1.5×1017/m3、2×1017/m3、2.5×1017/m3、3×1017/m3、3.5×1017/m3、4×1017/m3、4.5×1017/m3、5×1017/m3、5.5×1017/m3、6×1017/m3、6.5×1017/m3、7×1017/m3、7.5×1017/m3、8×1017/m3、8.5×1017/m3、9×1017/m3、9.5×1017/m3或1018/m3。或者，等离子体团的密度也可以在上述任意两个密度之间的范围内。
值得一提的是，传统的磁控溅射中，通过惰性气体所产生的等离子体的密度通常在1016/m3以下，溅射阴极溅射出的粒子与惰性气体所产生的等离子体之间碰撞并离化的概率较低。
在其中一些实施方式中，通过溅射阴极对设置于基片台上的基片进行镀膜包括：向基片施加偏压以控制离子朝向基片运动的速率。
溅射阴极靶材的原子或分子朝向基片运动过程中经过高密度的等离子体团时被电子或亚稳态原子碰撞被电离为靶材离子然后沉积到基片表面。如果基片被施加负偏压则正靶材离子在达到基片表面前会被基片表面的鞘层加速然后沉积到基片表面，如果基片被施加正偏压则负靶材离子在到达基片表面前会被加速，通过调整基片偏压的大小及正负性等参数可以达到控制膜层性能的效果。同时，负性气体粒子在被溅射阴极表面鞘层加速后运动至基片过程中同样会在等离子体团中被多次碰撞，发生减速或复合或二次电离等行为，会使其携带的能量降低后到达基片表面，能够减少对基片表面或基片表面膜层的损伤。
在其中一些实施方式中，第一对向靶阴极的靶材和第二对向靶阴极的靶材和溅射阴极的靶材相同。第一对向靶阴极的靶材和第二对向靶阴极的靶材能够提供部分成膜粒子，能够提高成膜效率。
在其中一些实施方式中，通过第一对向靶阴极和第二对向靶阴极形成等离子体包括：对第一对向靶阴极上的靶材和第二对向靶阴极上的靶材施加高能脉冲，以形成等离子体。
通过高能脉冲向对靶阴极提供瞬时的较高的靶材平均功率密度，能够通过对向靶阴极产生较高密度的等离子体团。
在其中一些实施方式中，对第一对向靶阴极上的靶材和第二对向靶阴极上的靶材施加高能脉冲的靶材平均功率密度为103W/m~104W/m。在该靶材平均功率密度的范围内，能够实现较高密度的等离子体团。可选地，靶材平均功率密度为103W/m、1.5×103W/m、2×103W/m、2.5×103W/m、3×103W/m、3.5×103W/m、4×103W/m、4.5×103W/m、5×103W/m、5.5×103W/m、6×103W/m、6.5×103W/m、7×103W/m、7.5×103W/m、8×103W/m、8.5×103W/m、9×103W/m、9.5×103W/m或104W/m。或者，对第一对向靶阴极上的靶材和第二对向靶阴极上的靶材施加高能脉冲的靶材平均功率密度也可以在上述任意两个靶材平均功率密度之间的范围内。
在其中一些实施方式中，高能脉冲的频率为0.5khz~2khz。可选地，高能脉冲的频率为0.5khz、0.6khz、0.7khz、0.8khz、0.9khz、1khz、1.1khz、1.2khz、1.3khz、1.4khz、1.5khz、1.6khz、1.7khz、1.8khz、1.9khz或2khz。或者，高能脉冲的频率也可以在上述任意两个频率之间的范围内。
在其中一些实施方式中，高能脉冲的占空比为大于0且小于或等于5%。可选地，高能脉冲的占空比为0.01%、0.1%、0.2%、0.5%、1%、1.5%、2%、2.5%、3%、3.5%、4%、4.5%或5%。或者，高能脉冲的占空比也可以在上述任意两个占空比之间的范围内。
在其中一些实施方式中，高能脉冲的峰值电流为100A~500A。在该高能脉冲的峰值电流的范围内，能够实现较高的靶材平均功率密度。可选地，高能脉冲的峰值电流为100A、150A、200A、250A、300A、350A、400A、450A或500A。或者，高能脉冲的峰值电流也可以在上述两个电流之间的范围内。
在其中一些实施方式中，高能脉冲的脉冲气压为0.1Pa~2Pa。可选地，高能脉冲的脉冲气压为0.1Pa、0.2Pa、0.3Pa、0.4Pa、0.5Pa、0.6Pa、0.7Pa、0.8Pa、0.9Pa、1Pa、1.1Pa、1.2Pa、1.3Pa、1.4Pa、1.5Pa、1.6Pa、1.7Pa、1.8Pa、1.9Pa或2Pa。或者，高能脉冲的脉冲气压也可以在上述任意两个气压之间的范围内。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准，说明书及附图可以用于解释权利要求的内容。

Claims (10)

1.一种磁控溅射设备，其特征在于，包括：溅射腔室、位于所述溅射腔室内且相对设置的基片台和溅射阴极；
所述磁控溅射设备还包括位于所述溅射腔室内且相对设置的第一对向靶阴极和第二对向靶阴极，以及设置于所述第一对向靶阴极的第一磁控组件和设置于所述第二对向靶阴极的第二磁控组件，所述第一磁控组件和所述第二磁控组件用于在所述基片台和所述溅射阴极之间形成闭合磁场。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述第一对向靶阴极和所述第二对向靶阴极均垂直于所述基片台设置。
3.根据权利要求2所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述第一磁控组件包括多个顺序排列的第一磁铁，所述第二磁控组件包括多个顺序排列的第二磁铁，所述第一磁铁和所述第二磁铁之间一一对应，相对应的所述第一磁铁和所述第二磁铁的磁性相反。
4.根据权利要求3所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述第一磁控组件中，相邻的所述第一磁铁的朝向所述第二磁控组件方向的磁性相反；和/或，
所述第二磁控组件中，相邻的所述第二磁铁的朝向所述第一磁控组件方向的磁性相反。
5.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述磁控溅射设备还包括第一阳极和/或第二阳极，所述第一阳极设置于所述第一对向靶阴极的侧边，所述第二阳极设置于所述第二对向靶阴极的侧边；和/或，
所述磁控溅射设备还包括偏压电源，所述偏压电源用于向所述基片台施加偏压。
6.根据权利要求1~5任一项所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述磁控溅射设备还包括第三磁控组件，所述第三磁控组件设置于所述溅射阴极远离所述基片台的一侧，或者，所述第三磁控组件设置于所述溅射阴极内部；
所述第三磁控组件包括内磁体和位于所述内磁体两侧的两个外磁体，所述内磁体的极性与所述外磁体的极性相反。
7.一种磁控溅射方法，其特征在于，使用权利要求1~6任一项所述的磁控溅射设备，包括如下步骤：
通过所述第一磁控组件和所述第二磁控组件在所述基片台和所述溅射阴极之间形成闭合磁场；
通过所述第一对向靶阴极和所述第二对向靶阴极形成等离子体，并通过所述磁场于所述基片台和所述溅射阴极之间形成等离子体团；
通过所述溅射阴极形成溅射粒子，控制所述溅射粒子通过所述等离子团，对设置于所述基片台上的基片进行镀膜。
8.根据权利要求7所述的磁控溅射方法，其特征在于，控制所述溅射粒子通过所述等离子团，对设置于所述基片台上的基片进行镀膜包括：
向设置于所述基片台上的基片施加偏压，控制所述溅射粒子到达所述基片时的能量。
9.根据权利要求7所述的磁控溅射方法，其特征在于，所述等离子体团的密度为1016/m3~1018/m3。
10.根据权利要求7~9任一项所述的磁控溅射方法，其特征在于，通过所述第一对向靶阴极和所述第二对向靶阴极形成等离子体包括：
对所述第一对向靶阴极上的靶材和所述第二对向靶阴极上的靶材施加高能脉冲，以形成等离子体；
所述高能脉冲满足如下特征中的至少一个：
（1）对所述第一对向靶阴极上的靶材和所述第二对向靶阴极上的靶材施加高能脉冲的靶材平均功率密度为103W/m~104W/m；
（2）所述高能脉冲的频率为0.5khz~2khz；
（3）所述高能脉冲的占空比为大于0且小于或等于5%；
（4）所述高能脉冲的峰值电流为100A~500A；
（5）所述高能脉冲的脉冲气压为0.1Pa~2Pa。
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