CN117595057B - 一种基于晶体温度的激光器功率控制方法和装置 - Google Patents
一种基于晶体温度的激光器功率控制方法和装置 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种基于晶体温度的激光器功率控制方法和装置,涉及激光器技术领域。该方法包括:按照第一幅度控制晶体的设置温度由初始温度递增至第一温度;当第一温度下激光器的实际功率小于激光器在初始温度下的实际功率时,按照第二幅度控制晶体的设置温度自初始温度开始递减,根据递减后的温度和各次增温后激光器的实际功率,确定第二温度,调整晶体的设置温度为第二温度;当第一温度下激光器的实际功率大于激光器在初始温度下的实际功率时,按照预设的第三幅度,控制晶体的设置温度自第一温度开始递增,根据递增后的温度和初始温度,确定第二温度,调整晶体的设置温度为第二温度。该实施方式能够提高功率控制效率。
Description
技术领域
本发明涉及激光器技术领域,尤其涉及一种基于晶体温度的激光器功率控制方法和装置。
背景技术
随着固体激光器的快速发展,大能量级超短脉冲激光器逐渐进入市场,在医疗等领域得到了广泛用途,如用于测距、跟踪、制导、脉冲全息照相等场景中。在实际应用场景中,为了确保脉冲激光器输出能量稳定,需要对脉冲激光器的能量进行动态调节,从而使原始的激光光源经过一系列的操作实现稳定输出。
现有技术一般通过激光器内部泵浦电压调节,来控制激光器的功率。
但是,该方法的调控过程需要耗费较长的时间,无法满足大能量级超短脉冲激光器对调控效率的需求。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供一种基于晶体温度的激光器功率控制方法和装置,能够提高功率控制效率,提高调控响应速度。
第一方面,本发明实施例提供了一种基于晶体温度的激光器功率控制方法,包括:
获取激光器在初始温度下的实际功率;
确定所述激光器在初始温度下的实际功率与所述激光器的设定功率的偏差是否大于设定功率偏差,如果是,确定所述激光器在初始温度下的实际功率是否小于所述设定功率,如果是,确定舵机的转动步长是否达到设定的步长阈值;
当舵机的转动步长未达到设定的步长阈值时,控制所述舵机增加转动步长,并执行所述获取激光器在初始温度下的实际功率;
当舵机的转动步长达到设定的步长阈值时,按照预设的第一幅度,控制晶体的设置温度由所述初始温度递增至第一温度,获取各次增温后激光器的实际功率;
当所述第一温度下激光器的实际功率小于所述激光器在初始温度下的实际功率时,按照预设的第二幅度,控制所述晶体的设置温度自所述初始温度开始递减,根据递减后的温度和各次增温后激光器的实际功率,确定第二温度,调整所述晶体的设置温度为所述第二温度;
当所述第一温度下激光器的实际功率大于所述激光器在初始温度下的实际功率时,按照预设的第三幅度,控制所述晶体的设置温度自所述第一温度开始递增,根据递增后的温度和所述初始温度,确定第二温度,调整所述晶体的设置温度为所述第二温度;
其中,所述第二幅度和所述第三幅度均小于所述第一幅度。
第二方面,本发明实施例提供了一种基于晶体温度的激光器功率控制装置,包括:
获取模块,配置为获取激光器在初始温度下的实际功率;
确定模块,配置为确定所述激光器在初始温度下的实际功率与所述激光器的设定功率的偏差是否大于设定功率偏差,如果是,确定所述激光器在初始温度下的实际功率是否小于所述设定功率,如果是,确定舵机的转动步长是否达到设定的步长阈值;当舵机的转动步长未达到设定的步长阈值时,触发舵机控制模块,当舵机的转动步长达到设定的步长阈值时,触发温度控制模块;
所述舵机控制模块,配置为控制所述舵机增加转动步长,并触发所述获取模块;
所述温度控制模块,配置为按照预设的第一幅度,控制晶体的设置温度由所述初始温度递增至第一温度,获取各次增温后激光器的实际功率;当所述第一温度下激光器的实际功率小于所述激光器在初始温度下的实际功率时,按照预设的第二幅度,控制所述晶体的设置温度自所述初始温度开始递减,根据递减后的温度和各次增温后激光器的实际功率,确定第二温度,调整所述晶体的设置温度为所述第二温度;当所述第一温度下激光器的实际功率大于所述激光器在初始温度下的实际功率时,按照预设的第三幅度,控制所述晶体的设置温度自所述第一温度开始递增,根据递增后的温度和所述初始温度,确定第二温度,调整所述晶体的设置温度为所述第二温度;
其中,所述第二幅度和所述第三幅度均小于所述第一幅度。
第三方面,本发明实施例提供了一种电子设备,包括:
一个或多个处理器;
存储装置,用于存储一个或多个程序,
当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行,使得所述一个或多个处理器实现如上述任一实施例所述的方法。
第四方面,本发明实施例提供了一种计算机可读介质,其上存储有计算机程序,所述程序被处理器执行时实现如上述任一实施例所述的方法。
上述发明中的一个实施例具有如下优点或有益效果:将舵机控制和温度控制结合,在舵机控制达到上限时启动温度控制,提高控制灵活性。通过控制温度递增,确定温度优化方向,即后续是增温操作还是降温操作,能够快速确定控制方向,提高控制效率。在明确温度优化方向后,减小调整幅度,以对温度进行更细粒度的调整,能够提高得到的第二温度的精确度。
上述的非惯用的可选方式所具有的进一步效果将在下文中结合具体实施方式加以说明。
附图说明
附图用于更好地理解本发明,不构成对本发明的不当限定。其中:
图1是本发明的一个实施例提供的一种基于晶体温度的激光器功率控制方法的流程图;
图2是本发明的一个实施例提供的一种输出功率随晶体温度变化的示意图;
图3是本发明的一个实施例提供的另一种输出功率随晶体温度变化的示意图;
图4是本发明的一个实施例提供的又一种输出功率随晶体温度变化的示意图;
图5是本发明的一个实施例提供的一种基于晶体温度的激光器功率控制装置的示意图;
图6是本发明的一个实施例提供的一种基于晶体温度的激光器功率控制设备的示意图;
图7是适于用来实现本发明实施例的终端设备或服务器的计算机***的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的示范性实施例做出说明,其中包括本发明实施例的各种细节以助于理解,应当将它们认为仅仅是示范性的。因此,本领域普通技术人员应当认识到,可以对这里描述的实施例做出各种改变和修改,而不会背离本发明的范围和精神。同样,为了清楚和简明,以下的描述中省略了对公知功能和结构的描述。
如图1所示,本发明实施例提供了一种基于晶体温度的激光器功率控制方法,包括:
步骤101:获取激光器在初始温度下的实际功率。
激光器开机后需要预热,等待晶体温度达到初始温度,否则输出能量波动较大,无法准确探测。激光器的功率通过热电探头探测,本发明实施例通过功率反馈板获取热电探头探测的功率,并基于预设的标定算法将热电探头探测的功率转换成实际功率。标定算法如下式(3)所示。
需要说明的是,在执行步骤101之前,需要先对热电探头进行标定,即确定式(3),还需要对舵机的调节模型进行校准,并设置设定功率等参数,待参数设置完成后,开启激光器,开启LOCK锁定功能,执行步骤101。
舵机的调节通过预设的调节模型确定,如,确定增加后的转动步长。调节模型可以通过最大偏振片角度对应的功率值、最小偏振片角度对应的功率值、最大步进值和最小步进值校准。
步骤102:确定激光器在初始温度下的实际功率与激光器的设定功率的偏差是否大于设定功率偏差,如果是,执行步骤103,否则,执行步骤110。
如果大于设定功率偏差,则说明需要对激光器的功率进行控制,否则,停止舵机转动,继续监测激光器的功率。
步骤103:确定激光器在初始温度下的实际功率是否小于设定功率,如果是,执行步骤104,否则,执行步骤111。
步骤104:确定舵机的转动步长是否达到设定的步长阈值,如果是,执行步骤106,否则,执行步骤105。
如果舵机的转动步长达到设定的步长阈值,该方法还包括:触发报警并上传报警信息。此时,关闭LOCK锁定功能,即停止舵机控制。
步骤105:控制舵机增加转动步长,并执行步骤101。
步骤106:按照预设的第一幅度,控制晶体的设置温度由初始温度递增至第一温度,获取各次增温后激光器的实际功率。
具体地,控制设置温度按照固定的幅度增加,例如,第一幅度为0.01℃,则每次增温0.01℃,初始温度为149℃,通过5次增温后,达到第一温度为149.5。
步骤107:确定第一温度下激光器的实际功率是否小于激光器在初始温度下的实际功率,如果是,执行步骤108,否则,执行步骤109。
步骤108和步骤109分别是两个温度优化方向,本发明在确定温度优化方向后,通过调整幅度进行更精细的优化。如图2和图3所示,对应两个温度优化方向,其中,在图2中,随着温度上升,功率增加,对应步骤109的情况,而在图3中,随着温度上升,功率减小,对应步骤108的情况。图4是通过本发明实施例优化之后,晶体温度与激光器的输出功率之间的变化关系。
步骤108:按照预设的第二幅度,控制晶体的设置温度自初始温度开始递减,根据递减后的温度和各次增温后激光器的实际功率,确定第二温度,调整晶体的设置温度为第二温度。
第一温度可以与第二温度相同,也可以不同。
步骤109:按照预设的第三幅度,控制晶体的设置温度自第一温度开始递增,根据递增后的温度和初始温度,确定第二温度,调整晶体的设置温度为第二温度。
其中,第二幅度和第三幅度均小于第一幅度。
步骤110:停止舵机转动,执行步骤101。
步骤111:控制舵机减小转动步长,执行步骤101。
本发明实施例将舵机控制和温度控制结合,在舵机控制达到上限时启动温度控制,提高控制灵活性。通过控制温度递增,确定温度优化方向,即后续是增温操作还是降温操作,能够快速确定控制方向,提高控制效率。在明确温度优化方向后,减小调整幅度,以对温度进行更细粒度的调整,能够提高得到的第二温度的精确度。
在本发明的一个实施例中,该方法还包括:获取激光器在第二温度下的实际功率,当激光器在第二温度下的实际功率大于设定功率时,将第二温度作为初始温度执行获取激光器在初始温度下的实际功率。
如果激光器在第二温度下的实际功率大于设定功率,说明成功实现通过温度控制功率,监测激光器在第二温度下的实际功率,以此类推,实现对激光器功率的持续调控。
在本发明的一个实施例中,该方法还包括:当激光器在第二温度下的实际功率小于设定功率时,通过LD驱动板的电流控制激光器的功率。
当激光器在第二温度下的实际功率小于设定功率时,说明温度控制没有达到预测的效果,为了提高输出功率的稳定性,本发明实施例通过LD驱动板的电流控制激光器的功率。
在本发明的一个实施例中,根据递减后的温度和各次增温后激光器的实际功率,确定第二温度,包括:
确定各次增温后激光器的实际功率中的最小值;
获取当前次降温后激光器的实际功率;
如果当前次降温后激光器的实际功率与最小值的差值绝对值小于预设的第一功率偏差,则根据当前激光器的设置温度和最小值对应的设置温度,计算第二温度。
沿用上例,在149℃基础上,每次减小0.01℃,直到其对应的实际功率与最小值的差值绝对值小于第一功率偏差。
第一功率偏差和第二功率偏差可以根据实际需求设置,如第一功率偏差为0.05W。
如果当前次降温后激光器的实际功率与最小值的差值绝对值大于预设的第一功率偏差,说明还需要继续降温,通过降温寻找更精确的第二温度。
例如,第二温度为当前激光器的设置温度和最小值对应的设置温度的平均数。通过本发明实施例,能够更加精确地计算晶体的设置温度,提高激光器输出功率的稳定性。
在本发明的一个实施例中,根据递增后的温度和初始温度,确定第二温度,包括:
获取当前次升温后激光器的实际功率;
如果当前次升温后激光器的实际功率与激光器在初始温度下的实际功率的差值绝对值小于预设的第二功率偏差,则根据当前激光器的设置温度和初始温度,计算第二温度。
在149℃基础上,每次增加0.01℃,直到其对应的实际功率与激光器在初始温度下的实际功率的差值绝对值小于第二功率偏差。
如果当前次升温后激光器的实际功率与激光器在初始温度下的实际功率的差值绝对值小于预设的第二功率偏差,说明寻找到比较合适的设置温度,否则,需要继续寻找更精确的第二温度。
第二温度可以为当前激光器的设置温度和初始温度的平均值,除此之外,还可以通过平均数乘以系数的方式计算第二温度。通过本发明实施例,能够得到更精确的设置温度,提高激光器输出功率的稳定性。
在本发明的一个实施例中,获取激光器在初始温度下的实际功率,包括:
获取功率反馈板的功率采样值;
基于功率反馈板的功率采样值,以及预先确定的第一线性校准系数和第二线性校准系数,计算激光器的实际功率;
其中,第一线性校准系数和第二线性校准系数,均由功率反馈板提供的最大偏振片角度对应的功率采样值、最小偏振片角度对应的功率采样值,以及最大偏振片角度对应的实际功率和最小偏振片角度对应的实际功率确定。
基于公式(1)计算第一线性校准系数。
(1)
基于公式(2)计算第二线性校准系数。
(2)
基于公式(3)计算激光器的实际功率。
(3)
其中,用于表征激光器的实际功率,用于表征第一线性校准系数,
用于表征第二线性校准系数,用于表征功率反馈板的功率采样值,用于表征最
大偏振片角度对应的实际功率,用于表征最小偏振片角度对应的实际功率,
用于表征最大偏振片角度对应的功率采样值,用于表征最小偏振片角度对应的功
率采样值。
通过本发明实施例,能够获取更准确的激光器的实际功率,提高功率控制的精确度。
在本发明的一个实施例中,该方法还包括:
当激光器在初始温度下的实际功率大于设定功率时,控制舵机减小转动步长,执行获取激光器在初始温度下的实际功率;
当激光器在初始温度下的实际功率与激光器的设定功率的偏差小于设定功率偏差时,停止舵机转动。
如果激光器在初始温度下的实际功率大于设定功率,则通过控制舵机调整激光器的功率,无需启动温度控制。如果激光器在初始温度下的实际功率与激光器的设定功率的偏差小于设定功率偏差,说明目前功率无需调控,可以停止舵机转动,继续监控激光器的实际功率。
如图5所示,本发明实施例提供了一种基于晶体温度的激光器功率控制装置,包括:
获取模块501,配置为获取激光器在初始温度下的实际功率;
确定模块502,配置为确定激光器在初始温度下的实际功率与激光器的设定功率的偏差是否大于设定功率偏差,如果是,确定激光器在初始温度下的实际功率是否小于设定功率,如果是,确定舵机的转动步长是否达到设定的步长阈值;当舵机的转动步长未达到设定的步长阈值时,触发舵机控制模块,当舵机的转动步长达到设定的步长阈值时,触发温度控制模块;
舵机控制模块503,配置为控制舵机增加转动步长,并触发获取模块;
温度控制模块504,配置为按照预设的第一幅度,控制晶体的设置温度由初始温度递增至第一温度,获取各次增温后激光器的实际功率;当第一温度下激光器的实际功率小于激光器在初始温度下的实际功率时,按照预设的第二幅度,控制晶体的设置温度自初始温度开始递减,根据递减后的温度和各次增温后激光器的实际功率,确定第二温度,调整晶体的设置温度为第二温度;当第一温度下激光器的实际功率大于激光器在初始温度下的实际功率时,按照预设的第三幅度,控制晶体的设置温度自第一温度开始递增,根据递增后的温度和初始温度,确定第二温度,调整晶体的设置温度为第二温度;
其中,第二幅度和第三幅度均小于第一幅度。
在本发明的一个实施例中,获取模块501,配置为获取激光器在第二温度下的实际功率,当激光器在第二温度下的实际功率大于设定功率时,将第二温度作为初始温度执行获取激光器在初始温度下的实际功率。
在本发明的一个实施例中,该装置还包括电流控制模块,配置为当激光器在第二温度下的实际功率小于设定功率时,通过LD驱动板的电流控制激光器的功率。
在本发明的一个实施例中,温度控制模块504,配置为确定各次增温后激光器的实际功率中的最小值;获取当前次降温后激光器的实际功率;如果当前次降温后激光器的实际功率与最小值的差值绝对值小于预设的第一功率偏差,则根据当前激光器的设置温度和最小值对应的设置温度,计算第二温度。
在本发明的一个实施例中,温度控制模块504,配置为获取当前次升温后激光器的实际功率;如果当前次升温后激光器的实际功率与激光器在初始温度下的实际功率的差值绝对值小于预设的第二功率偏差,则根据当前激光器的设置温度和初始温度,计算第二温度。
在本发明的一个实施例中,获取模块501,配置为获取功率反馈板的功率采样值;基于功率反馈板的功率采样值,以及预先确定的第一线性校准系数和第二线性校准系数,计算激光器的实际功率;其中,第一线性校准系数和第二线性校准系数,均由功率反馈板提供的最大偏振片角度对应的功率采样值、最小偏振片角度对应的功率采样值,以及最大偏振片角度对应的实际功率和最小偏振片角度对应的实际功率确定。
在本发明的一个实施例中,舵机控制模块503,配置为当激光器在初始温度下的实际功率大于设定功率时,控制舵机减小转动步长,执行获取激光器在初始温度下的实际功率;当激光器在初始温度下的实际功率与激光器的设定功率的偏差小于设定功率偏差时,停止舵机转动。
如图6所示,本发明实施例提供了一种基于晶体温度的激光器功率控制设备,包括:主控板、舵机驱动板、功率反馈板、温控板和LD驱动板,其中主动板中配置有基于晶体温度的激光器功率控制装置。主动板能够实时与功率反馈板通信,采集激光器的功率,通过LD驱动板采集电流值,通过温控板采集温度值,通过舵机驱动板驱动舵机运动,通过调节PWM信号的占空比,来实现舵机转动角度的调节。
本发明实施例提供了一种电子设备,包括:
一个或多个处理器;
存储装置,用于存储一个或多个程序,
当一个或多个程序被一个或多个处理器执行,使得一个或多个处理器实现如上述任一实施例的方法。
本发明实施例提供了一种计算机可读介质,其上存储有计算机程序,程序被处理器执行时实现如上述任一实施例的方法。
下面参考图7,其示出了适于用来实现本发明实施例的终端设备的计算机***700的结构示意图。图7示出的终端设备仅仅是一个示例,不应对本发明实施例的功能和使用范围带来任何限制。
如图7所示,计算机***700包括中央处理单元(CPU)701,其可以根据存储在只读存储器(ROM)702中的程序或者从存储部分708加载到随机访问存储器(RAM)703中的程序而执行各种适当的动作和处理。在RAM 703中,还存储有***700操作所需的各种程序和数据。CPU 701、ROM 702以及RAM 703通过总线704彼此相连。输入/输出(I/O)接口705也连接至总线704。
以下部件连接至I/O接口705:包括键盘、鼠标等的输入部分706;包括诸如阴极射线管(CRT)、液晶显示器(LCD)等以及扬声器等的输出部分707;包括硬盘等的存储部分708;以及包括诸如LAN卡、调制解调器等的网络接口卡的通信部分709。通信部分709经由诸如因特网的网络执行通信处理。驱动器710也根据需要连接至I/O接口705。可拆卸介质711,诸如磁盘、光盘、磁光盘、半导体存储器等等,根据需要安装在驱动器710上,以便于从其上读出的计算机程序根据需要被安装入存储部分708。
特别地,根据本发明公开的实施例,上文参考流程图描述的过程可以被实现为计算机软件程序。例如,本发明公开的实施例包括一种计算机程序产品,其包括承载在计算机可读介质上的计算机程序,该计算机程序包含用于执行流程图所示的方法的程序代码。在这样的实施例中,该计算机程序可以通过通信部分709从网络上被下载和安装,和/或从可拆卸介质711被安装。在该计算机程序被中央处理单元(CPU)701执行时,执行本发明的***中限定的上述功能。
需要说明的是,本发明所示的计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或者计算机可读存储介质或者是上述两者的任意组合。计算机可读存储介质例如可以是——但不限于——电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的***、装置或器件,或者任意以上的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子可以包括但不限于:具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机访问存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM或闪存)、光纤、便携式紧凑磁盘只读存储器(CD-ROM)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。在本发明中,计算机可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质,该程序可以被指令执行***、装置或者器件使用或者与其结合使用。而在本发明中,计算机可读的信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号,其中承载了计算机可读的程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式,包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。计算机可读的信号介质还可以是计算机可读存储介质以外的任何计算机可读介质,该计算机可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行***、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。计算机可读介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输,包括但不限于:无线、电线、光缆、RF等等,或者上述的任意合适的组合。
附图中的流程图和框图,图示了按照本发明各种实施例的***、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上,流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段、或代码的一部分,上述模块、程序段、或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意,在有些作为替换的实现中,方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如,两个接连地表示的方框实际上可以基本并行地执行,它们有时也可以按相反的顺序执行,这依所涉及的功能而定。也要注意的是,框图或流程图中的每个方框、以及框图或流程图中的方框的组合,可以用执行规定的功能或操作的专用的基于硬件的***来实现,或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
描述于本发明实施例中所涉及到的模块可以通过软件的方式实现,也可以通过硬件的方式来实现。所描述的模块也可以设置在处理器中,例如,可以描述为:一种处理器包括发送模块、获取模块、确定模块和第一处理模块。其中,这些模块的名称在某种情况下并不构成对该模块本身的限定,例如,发送模块还可以被描述为“向所连接的服务端发送图片获取请求的模块”。
上述具体实施方式,并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是,取决于设计要求和其他因素,可以发生各种各样的修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明保护范围之内。
Claims (8)
1.一种基于晶体温度的激光器功率控制方法,其特征在于,包括:
获取激光器在初始温度下的实际功率;
确定所述激光器在初始温度下的实际功率与所述激光器的设定功率的偏差是否大于设定功率偏差,如果是,确定所述激光器在初始温度下的实际功率是否小于所述设定功率,如果是,确定舵机的转动步长是否达到设定的步长阈值;
当舵机的转动步长未达到设定的步长阈值时,控制所述舵机增加转动步长,并执行所述获取激光器在初始温度下的实际功率;
当舵机的转动步长达到设定的步长阈值时,按照预设的第一幅度,控制晶体的设置温度由所述初始温度递增至第一温度,获取各次增温后激光器的实际功率;
当所述第一温度下激光器的实际功率小于所述激光器在初始温度下的实际功率时,按照预设的第二幅度,控制所述晶体的设置温度自所述初始温度开始递减,根据递减后的温度和各次增温后激光器的实际功率,确定第二温度,调整所述晶体的设置温度为所述第二温度,具体包括确定各次增温后激光器的实际功率中的最小值,获取当前次降温后激光器的实际功率,如果当前次降温后激光器的实际功率与所述最小值的差值绝对值小于预设的第一功率偏差,则根据当前激光器的设置温度和所述最小值对应的设置温度,计算所述第二温度;
当所述第一温度下激光器的实际功率大于所述激光器在初始温度下的实际功率时,按照预设的第三幅度,控制所述晶体的设置温度自所述第一温度开始递增,根据递增后的温度和所述初始温度,确定第二温度,调整所述晶体的设置温度为所述第二温度,具体包括获取当前次升温后激光器的实际功率,如果当前次升温后激光器的实际功率与所述激光器在初始温度下的实际功率的差值绝对值小于预设的第二功率偏差,则根据当前激光器的设置温度和所述初始温度,计算所述第二温度;
其中,所述第二幅度和所述第三幅度均小于所述第一幅度。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括:获取所述激光器在所述第二温度下的实际功率,当所述激光器在所述第二温度下的实际功率大于所述设定功率时,将所述第二温度作为所述初始温度执行所述获取激光器在初始温度下的实际功率。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,进一步包括:
当所述激光器在所述第二温度下的实际功率小于所述设定功率时,通过LD驱动板的电流控制所述激光器的功率。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,
获取激光器在初始温度下的实际功率,包括:
获取功率反馈板的功率采样值;
基于所述功率反馈板的功率采样值,以及预先确定的第一线性校准系数和第二线性校准系数,计算所述激光器的实际功率;
其中,所述第一线性校准系数和所述第二线性校准系数,均由所述功率反馈板提供的最大偏振片角度对应的功率采样值、最小偏振片角度对应的功率采样值,以及最大偏振片角度对应的实际功率和最小偏振片角度对应的实际功率确定。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括:
当所述激光器在初始温度下的实际功率大于所述设定功率时,控制所述舵机减小转动步长,执行所述获取激光器在初始温度下的实际功率;
当所述激光器在初始温度下的实际功率与所述激光器的设定功率的偏差小于设定功率偏差时,停止所述舵机转动。
6.一种基于晶体温度的激光器功率控制装置,其特征在于,包括:
获取模块,配置为获取激光器在初始温度下的实际功率;
确定模块,配置为确定所述激光器在初始温度下的实际功率与所述激光器的设定功率的偏差是否大于设定功率偏差,如果是,确定所述激光器在初始温度下的实际功率是否小于所述设定功率,如果是,确定舵机的转动步长是否达到设定的步长阈值;当舵机的转动步长未达到设定的步长阈值时,触发舵机控制模块,当舵机的转动步长达到设定的步长阈值时,触发温度控制模块;
所述舵机控制模块,配置为控制所述舵机增加转动步长,并触发所述获取模块;
所述温度控制模块,配置为按照预设的第一幅度,控制晶体的设置温度由所述初始温度递增至第一温度,获取各次增温后激光器的实际功率;当所述第一温度下激光器的实际功率小于所述激光器在初始温度下的实际功率时,按照预设的第二幅度,控制所述晶体的设置温度自所述初始温度开始递减,根据递减后的温度和各次增温后激光器的实际功率,确定第二温度,调整所述晶体的设置温度为所述第二温度,具体包括确定各次增温后激光器的实际功率中的最小值,获取当前次降温后激光器的实际功率,如果当前次降温后激光器的实际功率与所述最小值的差值绝对值小于预设的第一功率偏差,则根据当前激光器的设置温度和所述最小值对应的设置温度,计算所述第二温度;当所述第一温度下激光器的实际功率大于所述激光器在初始温度下的实际功率时,按照预设的第三幅度,控制所述晶体的设置温度自所述第一温度开始递增,根据递增后的温度和所述初始温度,确定第二温度,调整所述晶体的设置温度为所述第二温度,具体包括获取当前次升温后激光器的实际功率,如果当前次升温后激光器的实际功率与所述激光器在初始温度下的实际功率的差值绝对值小于预设的第二功率偏差,则根据当前激光器的设置温度和所述初始温度,计算所述第二温度;
其中,所述第二幅度和所述第三幅度均小于所述第一幅度。
7.一种电子设备,其特征在于,包括:
一个或多个处理器;
存储装置,用于存储一个或多个程序,
当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行,使得所述一个或多个处理器实现如权利要求1-6中任一所述的方法。
8.一种计算机可读介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述程序被处理器执行时实现如权利要求1-6中任一所述的方法。
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Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BRPI0701226A2 (pt) * | 2007-03-27 | 2008-11-11 | Fundacao Cpqd | mÉtodo para controle independente da potÊncia e comprimento de onda de diodo laser |
CN107293938A (zh) * | 2017-08-15 | 2017-10-24 | 中航海信光电技术有限公司 | 光模块用激光器寿命延长方法和*** |
CN109211403A (zh) * | 2017-07-07 | 2019-01-15 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种激光输出功率检测方法及装置 |
CN112490841A (zh) * | 2020-11-27 | 2021-03-12 | 北京科益虹源光电技术有限公司 | 一种调控213nm激光输出功率的方法及其装置 |
CN112713503A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-27 | 深圳市利拓光电有限公司 | 半导体激光器的温度控制方法、装置及设备 |
CN113889843A (zh) * | 2021-09-28 | 2022-01-04 | 桂林市啄木鸟医疗器械有限公司 | 半导体激光器功率控制方法、装置、***和可读存储介质 |
CN115268258A (zh) * | 2022-08-29 | 2022-11-01 | 广东工业大学 | 一种半导体激光器温度控制方法、***、设备及介质 |
CN116154600A (zh) * | 2022-11-02 | 2023-05-23 | 南京海莱特激光科技有限公司 | 基于温度主动跟随补偿的激光倍频方法及其装置 |
CN116889466A (zh) * | 2023-07-27 | 2023-10-17 | 杭州佳量医疗科技有限公司 | 激光功率调节方法、装置、电子设备及存储介质 |
CN117413440A (zh) * | 2021-06-01 | 2024-01-16 | 昕诺飞控股有限公司 | 对激光源的控制 |
-
2024
- 2024-01-18 CN CN202410071821.8A patent/CN117595057B/zh active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BRPI0701226A2 (pt) * | 2007-03-27 | 2008-11-11 | Fundacao Cpqd | mÉtodo para controle independente da potÊncia e comprimento de onda de diodo laser |
CN109211403A (zh) * | 2017-07-07 | 2019-01-15 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种激光输出功率检测方法及装置 |
CN107293938A (zh) * | 2017-08-15 | 2017-10-24 | 中航海信光电技术有限公司 | 光模块用激光器寿命延长方法和*** |
CN112490841A (zh) * | 2020-11-27 | 2021-03-12 | 北京科益虹源光电技术有限公司 | 一种调控213nm激光输出功率的方法及其装置 |
CN112713503A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-27 | 深圳市利拓光电有限公司 | 半导体激光器的温度控制方法、装置及设备 |
CN117413440A (zh) * | 2021-06-01 | 2024-01-16 | 昕诺飞控股有限公司 | 对激光源的控制 |
CN113889843A (zh) * | 2021-09-28 | 2022-01-04 | 桂林市啄木鸟医疗器械有限公司 | 半导体激光器功率控制方法、装置、***和可读存储介质 |
CN115268258A (zh) * | 2022-08-29 | 2022-11-01 | 广东工业大学 | 一种半导体激光器温度控制方法、***、设备及介质 |
CN116154600A (zh) * | 2022-11-02 | 2023-05-23 | 南京海莱特激光科技有限公司 | 基于温度主动跟随补偿的激光倍频方法及其装置 |
CN116889466A (zh) * | 2023-07-27 | 2023-10-17 | 杭州佳量医疗科技有限公司 | 激光功率调节方法、装置、电子设备及存储介质 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
二极管泵浦1064nm单频Nd∶YAG激光器输出功率稳定控制***设计;郑毅 等;应用光学;20110715(第04期);全文 * |
大功率蓝光固体激光器的温控设计;黄剑平 等;现代电子技术;20060101(第01期);全文 * |
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