CN117577635A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

显示装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN117577635A
CN117577635A CN202311421121.9A CN202311421121A CN117577635A CN 117577635 A CN117577635 A CN 117577635A CN 202311421121 A CN202311421121 A CN 202311421121A CN 117577635 A CN117577635 A CN 117577635A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light emitting
electrically connected
emitting diodes
emitting diode
structures
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202311421121.9A
Other languages
English (en)
Inventor
刘树橿
蔡榕升
许家毫
田堃正
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AU Optronics Corp
Original Assignee
AU Optronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from TW112120285A external-priority patent/TWI841405B/zh
Application filed by AU Optronics Corp filed Critical AU Optronics Corp
Publication of CN117577635A publication Critical patent/CN117577635A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明公开一种显示装置及其制造方法，其中该显示装置包括电路基板以及电连接至电路基板的至少一个发光二极管封装结构。至少一个发光二极管封装结构中的每一者包括多个发光二极管、多个透明封装结构、模封层、重布线结构以及共用电极。发光二极管各自包括重叠的第一电极、半导体堆叠结构以及第二电极。透明封装结构分别环绕发光二极管。模封层环绕透明封装结构。重布线结构位于模封层的第一侧，且电连接至发光二极管的第一电极。共用电极位于模封层的第二侧，且电连接至发光二极管的第二电极。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种显示装置及其制造方法。
背景技术
微型发光二极管显示器(Micro light emitting diode display)是新一代的显示技术，其核心技术在于如何将大量微型发光二极管精确地转移至像素阵列基板上。然而，转移技术是一种机械操作，转移的效果取决于机台的精度以及转印器件本身的精度和良率。在提取微型发光二极管时，可能会遇到机台作动误差和转印器件精度误差等问题，而在放置微型发光二极管时，也会面临机台作动对位偏差等问题。如果微型发光二极管没有正确地放置在其位置上，将无法正常运作。因此，目前迫切需要一种能够解决这些问题的方法。
发明内容
本发明的至少一实施例提供一种显示装置的制造方法，包括以下步骤。提供多个发光二极管于第一转置载板上，其中各发光二极管包括重叠的第一电极、半导体堆叠结构以及第二电极。分别形成多个透明封装结构于发光二极管上。形成模封层于第一转置载板之上，且模封层位于相邻的透明封装结构之间。形成重布线结构于模封层的第一侧，且重布线结构电连接至发光二极管的第一电极。将第二转置载板连接至重布线结构，并移除第一转置载板。形成共用电极于模封层的第二侧，且共用电极电连接至发光二极管的第二电极。将重布线结构电连接至电路基板。
本发明的至少一实施例提供一种显示装置，其包括电路基板以及电连接至电路基板的至少一个发光二极管封装结构。至少一个发光二极管封装结构中的每一者包括多个发光二极管、多个透明封装结构、模封层、重布线结构以及共用电极。发光二极管各自包括重叠的第一电极、半导体堆叠结构以及第二电极。透明封装结构分别环绕发光二极管。模封层环绕透明封装结构。重布线结构位于模封层的第一侧，且电连接至发光二极管的第一电极。共用电极位于模封层的第二侧，且电连接至发光二极管的第二电极。
附图说明
图1A至图1H是本发明的一些实施例的一种显示装置的制造方法的俯视示意图；
图2A至图2H分别是沿着图1A至图1H的线A-A’的剖面示意图；
图3A至图3C是本发明的一些实施例的一种显示装置的制造方法的剖面示意图；
图4是本发明的一些实施例的一种发光二极管封装结构的俯视示意图；
图5是本发明的一些实施例的一种发光二极管封装结构的俯视示意图；
图6是本发明的一些实施例的一种发光二极管封装结构的俯视示意图；
图7是本发明的一些实施例的一种显示装置的剖面示意图。
符号说明
1,2,3:显示装置
10,20,30,40,50,60:发光二极管封装结构
100:发光二极管
102:第一电极
104:第二电极
110:第一型半导体
120:发光层
130:第二型半导体
200:透明封装结构
210:第一覆盖层
220:第二覆盖层
300:反射结构
400:模封层
500:重布线结构
510:绝缘层
520:导电层
522:第一导电结构
524:第二导电结构
600:共用电极
710:第一导电端子
720:第二导电端子
800:电路基板
910:保护层
920:透镜结构
AD1:第一粘着层
AD2:第二粘着层
AD3:第三粘着层
O1:第一开口
O2:第二开口
S1:第一侧
S2:第二侧
TS1:第一转置载板
TS2:第二转置载板
TS3:第三转置载板
θ1:夹角
具体实施方式
图1A至图1H是依照本发明的一些实施例的一种显示装置1的制造方法的俯视示意图。图2A至图2H分别是沿着图1A至图1H的线A-A’的剖面示意图。请参考图1A与图2A，提供多个发光二极管100于第一转置载板TS1上。在本实施例中，第一粘着层AD1形成于第一转置载板TS1上，且第一转置载板TS1通过第一粘着层AD1而粘接发光二极管100。
在一些实施例中，先于生长基板(未绘出)上形成发光二极管100，接着再通过转移制作工艺将发光二极管100从生长基板上转移至第一转置载板TS1上。在一些实施例中，转移制作工艺为巨量转移制作工艺，其包括利用静电吸附、真空吸附、凡得瓦力吸附或其他方法提取发光二极管100，然而本发明不限于此。
发光二极管100为垂直式发光二极管，且各发光二极管100包括重叠的第一电极104、半导体堆叠结构以及第二电极102。半导体堆叠结构包括堆叠在一起的第一型半导体130、发光层120以及第二型半导体110。第一型半导体130以及第二型半导体110中的一者为N型半导体，而另一者为P型半导体。第一电极104位于第一型半导体130上，且第二电极102位于第二型半导体110上。第一电极104与第二电极102分别位于发光二极管100的不同侧。在本实施例中，发光二极管100的第一电极104远离第一粘着层AD1，而第一电极102靠近第一粘着层AD1。
在一些实施例中，发光二极管100包括红色发光二极管、绿色发光二极管、蓝色发光二极管、其他颜色的发光二极管或上述发光二极管的组合。在一些实施例中，相同颜色的发光二极管100排在同一行，但本发明不以此为限。发光二极管100的排列方式可以依照实际需求而进行调整。
请参考图1B与图2B，分别形成多个透明封装结构200于发光二极管100上。每个透明封装结构200环绕对应的一个发光二极管100，且透明封装结构200彼此分离。透明封装结构200可保护发光二极管100，且还能作为发光二极管100的导光结构。
在一些实施例中，形成透明封装结构200的方法包括以下步骤。首先，形成多个第一覆盖层210于第一转置载板TS1之上，第一覆盖层210分别环绕发光二极管100。在一些实施例中，第一覆盖层210的材料包括光致抗蚀剂，且形成第一覆盖层210的方法包括光刻制作工艺。在形成第一覆盖层210之后，分别形成多个第二覆盖层220于第一覆盖层210上。在一些实施例中，第二覆盖层220的材料包括光致抗蚀剂，且形成第二覆盖层220的方法包括光刻制作工艺。各透明封装结构200包括第一覆盖层210中对应的一者与第二覆盖层220中对应的一者。在一些实施例中，第一覆盖层210的宽度大于第二覆盖层220的宽度，使透明封装结构200的侧壁具有阶梯结构。虽然在本实施例中，以透明封装结构200具有阶梯结构为例，但本发明不以此为限。在其他实施例中，通过一次光刻制作工艺形成透明封装结构200，且透明封装结构200的侧壁不具有阶梯结构。
在本实施例中，通过多次光刻制作工艺形成透明封装结构200，可以提升透明封装结构200的厚度。透明封装结构200的顶面的高度较佳高于发光二极管100的发光层120的高度。换句话说，透明封装结构200较佳覆盖发光层120的侧壁。透明封装结构200可选地覆盖发光二极管100远离第一粘着层AD1的表面(例如图2B所示的第一型半导体130的上表面)。然而，透明封装结构200暴露出第一电极104。
请参考图1C与图2C，分别形成多个反射结构300于透明封装结构200上。在一些实施例中，反射结构300包括高反射率(例如在可见光的波段(350nm至800nm)下的反射率大于85％)的高分子材料(例如环氧树脂基的高分子材料，所述环氧树脂基的高分子材料例如可作为固态模封材料(Epoxy Molding Compound,EMC))或其他合适的材料。在一些实施例中，反射结构300包括绝缘材料。
反射结构300共形于透明封装结构200的侧壁。在本实施例中，透明封装结构200的侧壁具有阶梯结构，因此，反射结构300也具有阶梯结构。反射结构300暴露出发光二极管100的第一电极104。在一些实施例中，反射结构300与第一电极104之间不具有间距或反射结构300与第一电极104之间的间距小于反射结构300与第二电极102之间的间距。基于前述，可以避免发光二极管100所发出的光线从反射结构300与第一电极104之间漏出。
通过反射结构300的设置，可以提升发光二极管100的光线耦合效率，并降低不同颗发光二极管100之间的串扰。
请参考图1D与图2D，形成模封层400于第一转置载板TS1之上，且模封层400位于相邻的透明封装结构200之间。反射结构300位于模封层400与透明封装结构200之间。发光二极管100之间的模封层400为连续的结构。在本实施例中，模封层400围绕并接触发光二极管100的第一电极104的侧壁，但本发明不以此为限。在其他实施例中，模封层400分离于第一电极104，且模封层400的顶面低于反射结构300的顶面。在图2D中，第一电极104的顶面的高度高于模封层400的顶面的高度，且模封层400暴露出第一电极104。
在一些实施例中，形成模封层400的方法包括模塑成型。具体地说，将液态或半固态的有机材料通过模具施加于第一转置载板TS1之上，接着通过热固化/光固化来固化前述有机材料。最后，图案化固化后的有机材料以形成包含至少一个通孔410的模封层400。通孔410暴露出位于其下方的第一粘着层AD1。
在一些实施例中，模封层400包括黑色树脂或其他吸光材料，其材料例如包括环氧树脂基的高分子材料，所述环氧树脂基的高分子材料例如可作为固态模封材料(EpoxyMolding Compound,EMC)。
请参考图1E与图2E，形成重布线结构500于模封层400的第一侧S1，且重布线结构500电连接至发光二极管100的第一电极104。
在本实施例中，重布线结构500包括绝缘层510以及导电层520。绝缘层510形成于模封层400的第一侧S1上。绝缘层510暴露出发光二极管封装结构的接合位置。具体地说，绝缘层510具有重叠于第一电极104的多个第一开口O1以及位于第一开口O1外侧的至少一个第二开口O2。模封层400的通孔410重叠于第二开口O2。
在一些实施例中，绝缘层510的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、有机绝缘材料或其他合适的材料。
导电层520形成于绝缘层510上，且绝缘层510可用于保护导电层520。导电层520包括多个第一导电结构522以及至少一个第二导电结构524。第一导电结构522分别填入第一开口O1中，且分别电连接至第一电极104。第二导电结构524填入第二开口O2以及通孔410中，且接触第一粘着层AD1。第二导电结构524环绕发光二极管100。在本实施例中，第二导电结构524位于发光二极管100的外侧，由此可以减少发光二极管100之间的间隙，并提升显示装置的解析度。
导电层520具有单层或多层结构。在一些实施例中，导电层520的材料包括铟、金、镍、铜、钯、铝、钛或前述材料的合金或前述材料的组合。
请参考图1F与图2F，将第二转置载板TS2连接至重布线结构500，并移除第一转置载板TS1。在本实施例中，第二粘着层AD2形成于第二转置载板TS2上，且第二转置载板TS2通过第二粘着层AD2而粘接重布线结构500。在一些实施例中，将第二转置载板TS2粘接至重布线结构500后，以激光照射第一转置载板TS1上的第一粘着层AD1(请参考图2E)，由此移除第一转置载板TS1。
翻转整个结构，使模封层400的第二侧S2以及发光二极管100的第二电极102朝上。形成共用电极600于模封层400的第二侧S2，且共用电极600电连接至发光二极管100的第二电极102以及第二导电结构524。在一些实施例中，模封层400的第二侧S2、第二导电结构524以及透明封装结构200实质上共平面，因此，共用电极600可以较为平整地整面形成。在一些实施例中，共用电极600包括透明导电材料，例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟镓锌氧化物或是上述至少二者的堆叠层。
请参考图1G与图2G，将第三转置载板TS3连接至共用电极600，并移除第二转置载板TS2。在本实施例中，第三粘着层AD3形成于第三转置载板TS3上，且第三转置载板TS3通过第三粘着层AD3而粘接共用电极600。在一些实施例中，将第三转置载板TS3粘接至共用电极600后，以激光照射第二转置载板TS2上的第二粘着层AD2(请参考图2F)，由此移除第二转置载板TS2。
翻转整个结构，使模封层400的第一侧S1以及重布线结构500朝上。形成多个第一导电端子710以及至少一个第二导电端子720于重布线结构500上。第一导电端子710分别电连接至发光二极管100的第一电极104。在本实施例中，第一导电端子710通过对应的第一导电结构522电连接至对应的第一电极104。第二导电端子720电连接至第二导电结构524、共用电极600以及发光二极管100的第二电极102。
在一些实施例中，第一导电端子710以及第二导电端子720的材料包括焊料、导电胶或其他合适的材料。在一些实施例中，第一导电端子710以及第二导电端子720也可以称为金属凸块。在一些实施例中，第一导电端子710填入绝缘层510的第一开口O1，且第二导电端子720填入绝缘层510的第二开口O2。第二导电端子720环绕第一导电端子710。至此，形成多个位于第三转置载板TS3上的发光二极管封装结构10。
在本实施例中，发光二极管封装结构10包括发光二极管100、透明封装结构200、反射结构300、模封层400、重布线结构500、共用电极600、第一导电端子710以及第二导电端子720。图1A至图1G以及图2A至图2G显示了一个发光二极管封装结构10的制造方法，然而，也可以同时形成多个发光二极管封装结构10，并在第三转置载板TS3上利用激光将多个发光二极管封装结构10彼此分开。具体地说，在一些实施例中，第三转置载板TS3上的多个发光二极管封装结构10的模封层400彼此连接在一起，并利用激光切割模封层400以使多个发光二极管封装结构10彼此分开。
另外，每个发光二极管封装结构10中的发光二极管100的数量可以依照需求而进行调整。在一些实施例中，每个发光二极管封装结构10包括一个或多个像素，每个像素包含不同颜色的发光二极管100(例如红色发光二极管、绿色发光二极管以及蓝色发光二极管)。
请参考图1H与图2H，将一个或多个发光二极管封装结构10的重布线结构500电连接至电路基板800，以形成显示装置1。在本实施例中，通过第一导电端子710以及第二导电端子720将重布线结构500电连接至电路基板800。接着，移除第三转置载板TS3(请参考图2G)。在一些实施例中，以激光照射第三转置载板TS3上的第三粘着层AD3，由此移除第三转置载板TS3。在一些实施例中，不需要于发光二极管封装结构10的上方设置其他盖板，由此减少显示装置的整体厚度。
在一些实施例中，在将发光二极管封装结构10接合至电路基板800之前，可以对发光二极管封装结构10中的发光二极管100进行测试。举例来说，在第三转置载板TS3(请参考图2G)上对发光二极管100进行测试。
在一些实施例中，将发光二极管封装结构10的重布线结构500电连接至电路基板800的方法包括焊接制作工艺(例如表面贴焊技术(SMT,Surface Mount Technology)等)或其他合适的制作工艺。在本实施例中，由于不需要于发光二极管封装结构10的出光侧(共用电极600的一侧)进行发光二极管封装结构10与电路基板800的接合制作工艺(例如焊接)，因此可以提升显示装置的出光效率。另外，在本实施例中，以发光二极管封装结构10为单位，一次性将多个发光二极管100电连接至电路基板800，因此，可以改善发光二极管100在巨量转移过程中出现的飞溅问题。
在一些实施例中，电路基板800为软性基板或硬性基板，且包括印刷电路板、包含电路结构的硅基背板、包含电路结构的玻璃基板或其他合适的基板。在一些实施例中，电路基板800包括电路以及主动(有源)元件(未绘出)。在一些实施例中，发光二极管封装结构10中的每个发光二极管100的第一电极104通过第一导电结构522以及第一导电端子710而分别电连接至电路基板800中对应的一个主动元件(例如薄膜晶体管)，且每个发光二极管100的第二电极102通过共用电极600、第二导电结构524以及第二导电端子720而电连接至电路基板800中的共用信号线(未绘出)。
在一些实施例中，发光二极管100的出光面(发光二极管100朝向共用电极600的表面)与透明封装结构200的侧壁的之间的夹角θ1为30度至60度，较佳为30度至55度。表1显示了比较例与实施例1至实施例3的显示装置中的发光二极管的出光效率差异，其中以比较例的发光二极管的出光效率为100％。在表1中，比较例的显示装置不具有透明封装结构200、反射结构300以及模封层400。实施例1至实施例3的显示装置具有如图2H所示的结构，差异在于实施例1至实施例3具有不同的夹角θ1。
表1
由表1可以得知，通过透明封装结构200以及反射结构300的设置，可以有效的提升显示装置的出光效率。
图3A至图3C是依照本发明的一些实施例的一种显示装置2的制造方法的剖面示意图。在此必须说明的是，图3A至图3C的实施例沿用图1A至图2H的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图3A，接续图1F与图2F的制作工艺，形成多个透镜结构920于共用电极600上方，且透镜结构920分别重叠于发光二极管100。在本实施例中，先形成具有多个开口的保护层910于共用电极600上，接着于保护层910的开口中形成透镜结构920。
请参考图3B，将第三转置载板TS3连接至共用电极600，并移除第二转置载板TS2。在本实施例中，第三粘着层AD3形成于第三转置载板TS3上，且第三转置载板TS3通过第三粘着层AD3而粘接共用电极600。在本实施例中，第三粘着层AD3包覆透镜结构920。
翻转整个结构，使模封层400的第一侧S1以及重布线结构500朝上。形成多个第一导电端子710以及至少一个第二导电端子720于重布线结构500上。至此，形成多个位于第三转置载板TS3上的发光二极管封装结构20。
在本实施例中，发光二极管封装结构20包括发光二极管100、透明封装结构200、反射结构300、模封层400、重布线结构500、共用电极600、第一导电端子710、第二导电端子720、保护层910以及透镜结构920。
请参考图3C，将一个或多个发光二极管封装结构20的重布线结构500电连接至电路基板800，以形成显示装置2。
另外，在本实施例中，在将第三转置载板TS3连接至共用电极600之前，形成保护层910以及多个透镜结构920于共用电极600上方，但本发明不以此为限。在其他实施例中，在将重布线结构500电连接至电路基板800之后，形成保护层910以及多个透镜结构920于共用电极600上方。
图4是依照本发明的一些实施例的一种发光二极管封装结构30的俯视示意图。在此必须说明的是，图4的实施例沿用图1A至图2H的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图4的发光二极管封装结构30与图1H的发光二极管封装结构10的主要差异在于：图1H的发光二极管封装结构10具有矩形的投影形状，而图4的发光二极管封装结构30具有圆形的投影形状。需注意的是，发光二极管封装结构的形状可以依照实际需求而进行调整。
图5是依照本发明的一些实施例的一种发光二极管封装结构40的俯视示意图。在此必须说明的是，图5的实施例沿用图4的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图5的发光二极管封装结构40与图4的发光二极管封装结构30的主要差异在于：图4的发光二极管封装结构30的透明封装结构200具有矩形的投影形状，而图5的发光二极管封装结构40的透明封装结构200具有圆形的投影形状。需注意的是，透明封装结构200的形状可以依照实际需求而进行调整。
图6是依照本发明的一些实施例的一种发光二极管封装结构50的俯视示意图。在此必须说明的是，图6的实施例沿用图4的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图6的发光二极管封装结构50与图4的发光二极管封装结构30的主要差异在于：图4的发光二极管封装结构30的透明封装结构200具有矩形的投影形状，而图6的发光二极管封装结构50的透明封装结构200具有六角形的投影形状。需注意的是，透明封装结构200的形状可以依照实际需求而进行调整。
图7是依照本发明的一些实施例的一种显示装置3的剖面示意图。在此必须说明的是，图7的实施例沿用图2H的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图7的显示装置3与图2H的显示装置1的主要差异在于：图2H的显示装置1的发光二极管封装结构10的透明封装结构200具有阶梯形的侧壁，而图7的显示装置3的发光二极管封装结构60的透明封装结构200具有弧形的侧壁。在一些实施例中，发光二极管100的出光面(发光二极管100朝向共用电极600的表面)与透明封装结构200的侧壁的之间的夹角θ1为30度至60度，较佳为30度至55度。
综上所述，单个发光二极管封装结构包括多个发光二极管，因此，只要将一个发光二极管封装结构转移至电路基板上，就可以同时将多个发光二极管转移至电路基板上，由此降低转移制作工艺的难度。

Claims (10)

1.一种显示装置的制造方法，包括：
提供多个发光二极管于第一转置载板上，其中各该发光二极管包括重叠的第一电极、半导体堆叠结构以及第二电极；
分别形成多个透明封装结构于该些发光二极管上；
形成模封层于该第一转置载板之上，且该模封层位于相邻的该些透明封装结构之间；
形成重布线结构于该模封层的第一侧，且该重布线结构电连接至该些发光二极管的该些第一电极；
将第二转置载板连接至该重布线结构，并移除该第一转置载板；
形成共用电极于该模封层的第二侧，且该共用电极电连接至该些发光二极管的该些第二电极；以及
将该重布线结构电连接至电路基板。
2.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，还包括：
在形成该模封层于该第一转置载板上之前，分别形成多个反射结构于该些透明封装结构上。
3.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，还包括：
形成多个透镜结构于该共用电极上方，且该些透镜结构分别重叠于该些发光二极管。
4.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，还包括：
在形成该共用电极于该模封层的该第二侧之后，将第三转置载板连接至该共用电极，并移除该第二转置载板；
形成多个第一导电端子以及至少一个第二导电端子于该重布线结构上，其中该些第一导电端子分别电连接至该些第一电极，且该至少一个第二导电端子电连接至该共用电极；以及
通过该些第一导电端子以及该至少一个第二导电端子将该重布线结构电连接至该电路基板。
5.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中分别形成该些透明封装结构于该些发光二极管上的方法包括：
形成多个第一覆盖层于该第一转置载板之上，该些第一覆盖层分别环绕该些发光二极管；以及
分别形成多个第二覆盖层于该些第一覆盖层上，其中各该透明封装结构包括该些第一覆盖层中对应的一者与该些第二覆盖层中对应的一者。
6.一种显示装置，包括：
电路基板；以及
至少一个发光二极管封装结构，电连接至该电路基板，其中该至少一个发光二极管封装结构中的每一者包括：
多个发光二极管，各自包括重叠的第一电极、半导体堆叠结构以及第二电极；
多个透明封装结构，分别环绕该些发光二极管；
模封层，环绕该些透明封装结构；
重布线结构，位于该模封层的第一侧，且电连接至该些发光二极管的该些第一电极；以及
共用电极，位于该模封层的第二侧，且电连接至该些发光二极管的该些第二电极。
7.如权利要求6所述的显示装置，还包括：
多个反射结构，分别位于该些透明封装结构上，其中该些反射结构位于该模封层与该些透明封装结构之间。
8.如权利要求6所述的显示装置，还包括：
多个透镜结构，位于该共用电极上方，且该些透镜结构分别重叠于该些发光二极管。
9.如权利要求6所述的显示装置，其中该重布线结构包括：
绝缘层，形成于该模封层的该第一侧上，且具有重叠于该些第一电极的多个第一开口以及位于该些第一开口外侧的至少一个第二开口，其中该模封层的至少一个通孔重叠于该至少一个第二开口；以及
导电层，形成于该绝缘层上，且包括：
多个第一导电结构，分别填入该些第一开口中，且分别电连接至该些第一电极；以及
至少一个第二导电结构，填入该至少一个第二开口以及该至少一个通孔中，且电连接至该共用电极，其中该至少一个第二导电结构环绕该些发光二极管。
10.如权利要求9所述的显示装置，还包括：
多个第一导电端子，分别位于该些第一导电结构上；以及
至少一个第二导电端子，位于该至少一个第二导电结构上。
CN202311421121.9A 2023-05-31 2023-10-30 显示装置及其制造方法 Pending CN117577635A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW112120285A TWI841405B (zh) 2023-05-31 顯示裝置及其製造方法
TW112120285 2023-05-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117577635A true CN117577635A (zh) 2024-02-20

Family

ID=89863400

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311421121.9A Pending CN117577635A (zh) 2023-05-31 2023-10-30 显示装置及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN117577635A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5995695B2 (ja) Ｌｅｄ装置の製造方法
US8502393B2 (en) Chip package and method for forming the same
US10790267B2 (en) Light emitting element for pixel and LED display module
US20140120641A1 (en) Flip chip light emitting device package and manufacturing method thereof
US9337097B2 (en) Chip package and method for forming the same
US20070210437A1 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN211605176U (zh) 发光芯片
US9831379B2 (en) Method of manufacturing light emitting device
WO2018054315A1 (zh) 封装结构以及封装方法
US20240128713A1 (en) Package structure
US20080237767A1 (en) Sensor-type semiconductor device and manufacturing method thereof
KR20190037741A (ko) 발광 다이오드, 발광 다이오드 모듈 및 그것을 갖는 표시 장치
CN211578782U (zh) 发光芯片和发光封装件
CN117577635A (zh) 显示装置及其制造方法
TWI841405B (zh) 顯示裝置及其製造方法
US20220115562A1 (en) Light emitting diode chip and method for manufacturing the same, display device
KR101928314B1 (ko) 반도체 발광소자 칩 및 이를 사용한 반도체 발광소자
US11373967B2 (en) Semiconductor device package and method for packaging the same
WO2018008901A1 (ko) 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
TWI835452B (zh) 發光裝置及其製造方法
US20220392876A1 (en) Light emitting device
KR20180006346A (ko) 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법
CN116487376A (zh) 显示装置
KR101808038B1 (ko) 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법
CN118335876A (zh) 显示器件及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination