CN117524098A - 发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种发光显示装置。该发光显示装置包括:发光元件,包括连接到第一线的阳极;第一晶体管;第二晶体管,包括连接到数据线的第一电极和连接到第一晶体管的栅电极的第二电极;第三晶体管,包括连接到第一线的第一电极和连接到第一晶体管的第一电极的第二电极;第四晶体管,包括连接到栅电极的第二电极;第六晶体管,包括连接到第一晶体管的第二电极的第一电极和连接到第二线的第二电极;第一电容器,包括连接到栅电极的第一电极和连接到第一晶体管的第二电极的第二电极;以及第二电容器,包括连接到第一晶体管的第二电极的第二电极。

Description

发光显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求2022年8月4日提交的第10-2022-0097340号韩国专利申请的优先权以及从该申请产生的所有权益,该申请的内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开涉及发光显示装置,并且更具体地,涉及具有其中用于驱动发光元件的像素驱动电路部分与该发光元件的阴极连接的像素的发光显示装置。
背景技术
显示装置是用于显示图像的装置,并且包括液晶显示器(“LCD”)和有机发光二极管(“OLED”)显示器等。显示装置用在诸如移动电话、导航装置、数码相机、电子书、便携式游戏机和各种终端的各种电子装置中。
诸如有机发光显示装置的显示装置可以通过使用柔性基板而具有可以被弯曲或折叠的结构。
有机发光显示装置中使用的像素的结构正在被各种开发。
本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对所描述的技术的背景的理解,并且因此,以上信息可能包含不形成本领域普通技术人员在本国中已知的现有技术的信息。
发明内容
实施例提供了一种具有新颖结构的反转像素(inverted pixel),即其中用于驱动发光元件的像素驱动电路部分与该发光元件的阴极连接的像素。
实施例提供了一种发光显示装置,包括:发光元件,包括阴极和连接到第一驱动电压线的阳极;第一晶体管,包括栅电极、第一电极和第二电极;第二晶体管,包括栅电极、连接到数据线的第一电极和连接到第一晶体管的栅电极的第二电极;第三晶体管,包括栅电极、连接到第一驱动电压线的第一电极和连接到第一晶体管的第一电极的第二电极;第四晶体管,包括栅电极、连接到参考电压线的第一电极和连接到第一晶体管的栅电极的第二电极;第六晶体管,包括栅电极、连接到第一晶体管的第二电极的第一电极和连接到第二驱动电压线的第二电极;第一电容器,包括连接到第一晶体管的栅电极的第一电极和连接到第一晶体管的第二电极的第二电极;以及第二电容器,包括第一电极和连接到第一晶体管的第二电极的第二电极。
发光显示装置可以进一步包括第五晶体管,第五晶体管包括栅电极、连接到发光元件的阴极的第一电极和连接到第一晶体管的第一电极的第二电极。
第二电容器的第二电极可以连接到第六晶体管的第一电极和第一电容器的第二电极。
第二电容器的第一电极可以连接到第一驱动电压线或第二驱动电压线,或者可以施加有维持电压、参考电压、保持电压和接地电压中的一个。
第二晶体管的栅电极可以连接到第一扫描线;第三晶体管的栅电极可以连接到第二扫描线;第四晶体管的栅电极可以连接到第三扫描线;第五晶体管的栅电极可以连接到第一发光信号线;并且第六晶体管的栅电极可以连接到第二发光信号线。
在发光时段中,第五晶体管的栅导通电压可以被施加到第一发光信号线,并且第六晶体管的栅导通电压可以被施加到第二发光信号线;在初始化时段中,第四晶体管的栅导通电压可以被施加到第三扫描线,并且第六晶体管的栅导通电压可以被施加到第二发光信号线;在补偿时段中,第三晶体管的栅导通电压可以被施加到第二扫描线,并且第四晶体管的栅导通电压可以被施加到第三扫描线;并且在写入时段中,第二晶体管的栅导通电压可以被施加到第一扫描线。
发光时段、初始化时段、补偿时段和写入时段可以被顺序地重复;第二发光信号线可以具有当第六晶体管的栅截止电压被施加到第二发光信号线时的持续时间,该持续时间在当在发光时段中第六晶体管的栅导通电压被施加到第二发光信号线时的持续时间与当在初始化时段中第六晶体管的栅导通电压被施加到第二发光信号线时的持续时间之间;并且第三扫描线可以在初始化时段和补偿时段中持续施加第四晶体管的栅导通电压。
发光显示装置可以进一步包括第七晶体管,第七晶体管包括栅电极、连接到第一驱动电压线的第一电极和连接到第五晶体管的第一电极的第二电极。
第七晶体管的栅电极可以连接到第二扫描线。
另一实施例提供了一种发光显示装置,包括:发光元件,包括阴极和连接到第一驱动电压线的阳极;第一晶体管,包括栅电极、第一电极和第二电极;第二晶体管,包括栅电极、连接到数据线的第一电极和连接到第一晶体管的栅电极的第二电极;第三晶体管,包括栅电极、第一电极和连接到第一晶体管的第一电极的第二电极;第四晶体管,包括栅电极、连接到参考电压线的第一电极和连接到第一晶体管的栅电极的第二电极;第五晶体管,包括栅电极、连接到发光元件的阴极的第一电极和连接到第一晶体管的第一电极的第二电极;第六晶体管,包括栅电极、连接到第一晶体管的第二电极的第一电极和连接到第二驱动电压线的第二电极;第七晶体管,包括栅电极、第一电极和连接到发光元件的阴极的第二电极;第八晶体管,包括栅电极、连接到初始化电压线的第一电极和连接到第一晶体管的第二电极的第二电极;第一电容器,包括连接到第一晶体管的栅电极的第一电极和连接到第一晶体管的第二电极的第二电极;以及第二电容器,包括第一电极和连接到第一晶体管的第二电极的第二电极。
第二晶体管的栅电极可以连接到第一扫描线;第三晶体管的栅电极和第七晶体管的栅电极可以连接到第二扫描线;第四晶体管的栅电极可以连接到第三扫描线;并且第八晶体管的栅电极可以连接到第四扫描线。
在初始化时段中,第四晶体管的栅导通电压可以被施加到第三扫描线,第八晶体管的栅导通电压可以被施加到第四扫描线,第二晶体管的栅截止电压可以被施加到第一扫描线,并且第三晶体管和第七晶体管的栅截止电压可以被施加到第二扫描线。
在补偿时段中,第三晶体管和第七晶体管的栅导通电压可以被施加到第二扫描线,第四晶体管的栅导通电压可以被施加到第三扫描线,第二晶体管的栅截止电压可以被施加到第一扫描线,并且第八晶体管的栅截止电压可以被施加到第四扫描线。
在写入时段中,第二晶体管的栅导通电压可以被施加到第一扫描线,第三晶体管和第七晶体管的栅截止电压可以被施加到第二扫描线,第四晶体管的栅截止电压可以被施加到第三扫描线,并且第八晶体管的栅截止电压可以被施加到第四扫描线。
第五晶体管的栅电极和第六晶体管的栅电极可以连接到第一发光信号线。
在发光时段中,第五晶体管和第六晶体管的栅导通电压可以被施加到第一发光信号线,第二晶体管的栅截止电压可以被施加到第一扫描线,第三晶体管和第七晶体管的栅截止电压可以被施加到第二扫描线,第四晶体管的栅截止电压可以被施加到第三扫描线,并且第八晶体管的栅截止电压可以被施加到第四扫描线。
第三晶体管的第一电极和第七晶体管的第一电极可以连接到第一驱动电压线。
第三晶体管的第一电极和第七晶体管的第一电极可以接收与被施加到第一驱动电压线的电压不同的电压。
第二电容器的第一电极可以连接到第一驱动电压线。
第二电容器的第一电极可以接收与被施加到第一驱动电压线的电压不同的电压。
根据实施例,可以提供包括具有新颖结构且其中发光元件相对于第一晶体管被放置在第一驱动电压线侧的像素(反转像素)的显示装置。
根据实施例,可以通过去除在像素不是反转像素时在施加第一晶体管的低驱动电压时发生的第一晶体管的栅电极的压降问题来提高显示质量。
另外,由于像素具有反转的像素结构,因此发光元件与第一晶体管的源电极分隔,使得当像素驱动电路部分的每个部分的电压改变时,第一晶体管的源电极的电压波动可以是小的。
附图说明
图1图示根据实施例的在发光显示装置中包括的一个像素的等效电路图。
图2图示被施加到图1的像素的信号的波形图。
图3至图6图示用于基于图2的信号解释图1的像素的每个时段的操作的图。
图7至图10图示图1的实施例的修改后的像素的等效电路图。
图11图示根据另一实施例的在发光显示装置中包括的一个像素的等效电路图。
图12图示被施加到图11的像素的信号的波形图。
图13至图16图示用于基于图12的信号解释图11的像素的每个时段的操作的图。
图17至图20图示图11的实施例的修改后的像素的等效电路图。
图21图示根据另一实施例的在发光显示装置中包括的一个像素的等效电路图。
图22图示被施加到图21的像素的信号的波形图。
图23至图26图示用于基于图22的信号解释图21的像素的每个时段的操作的图。
图27至图30图示图21的实施例的修改后的像素的等效电路图。
图31和图32示意性地图示根据实施例的发光元件的堆叠结构以及与第一晶体管的连接结构。
<附图标记的描述>
T1:第一晶体管LED:发光元件
T2:第二晶体管,数据输入晶体管
T3:第三晶体管,第一电压传输晶体管
T4:第四晶体管,参考电压传输晶体管
T5:第五晶体管,阴极连接晶体管
T6:第六晶体管,低驱动电压施加晶体管
T7:第七晶体管,第二电压传输晶体管
T8:第八晶体管,初始化电压传输晶体管
C1:第一电容器 C2:第二电容器
161:第一扫描线 162:第二扫描线
163:第三扫描线 164:第一发光信号线
165:第二发光信号线 166:第四扫描线
171:数据线 172:第一驱动电压线
173:参考电压线 174:维持电压线
175:保持电压线 Vsus:维持电压
176:附加初始化电压线
177:初始化电压线 179:第二驱动电压线
Anode:阳极 Cathode:阴极
ELVDD:高驱动电压 ELVSS:低驱动电压
GW:第一扫描信号 GC:第二扫描信号
GR:第三扫描信号 EM1:第一发光信号
EM2:第二发光信号 GI:第四扫描信号
VDATA:数据电压 Vref:参考电压
Vcint:附加初始化电压
Vint:初始化电压
具体实施方式
在下文中将参照附图更充分地描述本发明,在附图中示出本发明的实施例。如本领域技术人员将意识到的,可以以各种不同的方式修改所描述的实施例,而全部不脱离本发明的精神或范围。
为了清楚地描述本发明,与描述无关的零件或部分被省略,并且在整个说明书中相同或相似的组成元件由相同的附图标记指代。
进一步,在附图中,为了便于描述,每个元件的尺寸和厚度被任意地图示,并且本公开不必限于附图中图示的尺寸和厚度。在附图中,为了清楚,层、膜、面板、区、区域等的厚度被夸大。在附图中,为了便于描述,一些层和区域的厚度被夸大。
将理解,当诸如层、膜、区、区域、基板、板或组成元件的元件被称为在另一元件“上”时,该元件可以直接在该另一元件上,或者也可以存在居间元件。比较而言,当元件被称为“直接”在另一元件“上”时,不存在居间元件。进一步,在说明书中,词语“上”或“上方”意味着被放置在对象部分上或下方,并且不必意味着被放置在对象部分的基于重力方向的上侧。
另外,除非明确相反地描述,否则词语“包括”及其变体将被理解为暗示包含所陈述的元件,而不是排除任何其他元件。
进一步,在整个说明书中,短语“在平面图中”或“在平面上”意味着从顶部观看目标部分,并且短语“在截面图中”或“在截面上”意味着从侧面观看通过垂直切割目标部分而形成的截面。
另外,在整个说明书中,“连接”不仅意味着两个或更多个元件直接连接的情况,而且意味着两个或更多个元件通过其他元件间接连接的情况,并且意味着两个或更多个元件物理连接或电气连接的情况,并且进一步,“连接”可以取决于位置或功能而被不同的名称指代,并且也可以涉及其中实质上集成的各个零件彼此链接的情况。
另外,在整个说明书中,当说到诸如布线、层、膜、区、区域、基板、板或组成元件的元件“在第一方向或第二方向上延伸”时,这不仅意味着在对应的方向上直线延伸的直线结构,而且可以意味着基本在第一方向或第二方向上延伸的结构、部分地弯曲的结构、具有之字形结构的结构或者在具有弯折的结构的同时延伸的结构。
另外,包括本说明书中描述的显示装置或显示面板的电子装置(例如,移动电话、TV、监控器、膝上型计算机等)以及包括通过本说明书中描述的制造方法制造的显示装置或显示面板的电子装置两者均不排除在本说明书的范围之外。
将理解,尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文中用于描述各种元件、部件、区、层和/或部分,但是这些元件、部件、区、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区、层或部分与另一元件、部件、区、层或部分区分开。因此,以下讨论的第一元件、部件、区、层或部分可以被称为第二元件、部件、区、层或部分,而不脱离本文中的教导。
本文中使用的术语仅用于描述具体实施例的目的,并且不旨在限制。如本文中使用的,“一”、“该(所述)”和“至少一个”不表示数量的限制,并且旨在包括单数和复数两者,除非上下文另外明确指示。例如,“元件”与“至少一个元件”具有相同的含义,除非上下文另外明确指示。“至少一个”不应被解释为限于“一”。“或”意味着“和/或”。如本文中使用的,术语“和/或”包括关联列出的项目中的一个或多个的任何和所有组合。
在下文中,将参照图1描述根据实施例的发光显示装置的一个像素的电路结构。
图1图示根据实施例的在发光显示装置中包括的一个像素的等效电路图。
参照图1,一个像素包括发光元件LED和用于驱动发光元件LED的像素驱动电路部分,并且像素驱动电路部分可以以矩阵形式排列。像素驱动电路部分包括除图1中的发光元件LED之外的全部元件,并且根据图1的实施例的像素的像素驱动电路部分包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第一电容器C1和第二电容器C2。
另外,像素驱动电路部分可以连接到被施加有第一扫描信号GW的第一扫描线161、被施加有第二扫描信号GC的第二扫描线162、被施加有第三扫描信号GR的第三扫描线163、被施加有第一发光信号EM1的第一发光信号线164、被施加有第二发光信号EM2的第二发光信号线165以及被施加有数据电压VDATA的数据线171。另外,像素可以连接到被施加有高驱动电压(在下文中被称为“第一驱动电压”)ELVDD的第一驱动电压线172、被施加有低驱动电压(在下文中被称为“第二驱动电压”)ELVSS的第二驱动电压线179以及被施加有参考电压Vref的参考电压线173。
现在将着重于在像素中包括的各个元件(晶体管、电容器和发光元件)来描述像素的电路结构如下。
第一晶体管(在下文中也被称为“驱动晶体管”)T1包括栅电极、第一电极(输入侧电极)和第二电极(输出侧电极)。这里,第一晶体管T1的栅电极连接到第一电容器C1的第一电极、第二晶体管T2的第二电极和第四晶体管T4的第二电极。第一晶体管T1的第一电极连接到第三晶体管T3的第二电极和第五晶体管T5的第二电极。第一晶体管T1的第二电极连接到第六晶体管T6的第一电极、第一电容器C1的第二电极和第二电容器C2的第二电极。
在第一晶体管T1中,第一晶体管T1导通的程度根据第一晶体管T1的栅电极的电压来确定,并且从第一晶体管T1的第一电极流到第二电极的电流的量根据第一晶体管T1的导通的程度来确定。从第一晶体管T1的第一电极流到第二电极的电流与在发光时段中流过发光元件LED的电流相同,因此该电流可以被称为“发光电流”。这里,第一晶体管T1是n型晶体管,并且随着第一晶体管T1的栅电极的电压增加,大的发光电流可以流动。当发光电流是大的时,发光元件LED可以显示高亮度。
第二晶体管T2(在下文中也被称为“数据输入晶体管”)包括连接到被施加有第一扫描信号GW的第一扫描线161的栅电极、连接到被施加有数据电压VDATA的数据线171的第一电极(输入侧电极)以及连接到第一电容器C1的第一电极、第一晶体管T1的栅电极和第四晶体管T4的第二电极的第二电极(输出侧电极)。第二晶体管T2根据第一扫描信号GW将数据电压VDATA输入到像素中,以将数据电压VDATA传输到第一晶体管T1的栅电极,并且将数据电压VDATA存储在第一电容器C1的第一电极中。
第三晶体管T3(在下文中也被称为“第一电压传输晶体管”)包括连接到被施加有第二扫描信号GC的第二扫描线162的栅电极、连接到第一驱动电压线172的第一电极(输入侧电极)以及连接到第一晶体管T1的第一电极和第五晶体管T5的第二电极的第二电极(输出侧电极)。第三晶体管T3允许第一驱动电压ELVDD被传输到第一晶体管T1,而不经过发光元件LED。由于如果在不需要发光的时段期间电流流过发光元件LED,则可能发生发光元件LED不必要地发光的问题,因此这是为了通过单独的路径将第一驱动电压ELVDD传输到第一晶体管T1。因此,第三晶体管T3可以在发光时段期间不导通,并且可以在其他时段期间导通。
第四晶体管T4(在下文中也被称为“参考电压传输晶体管”)包括连接到被施加有第三扫描信号GR的第三扫描线163的栅电极、连接到参考电压线173的第一电极以及连接到第一电容器C1的第一电极、第一晶体管T1的栅电极和第二晶体管T2的第二电极的第二电极。第四晶体管T4用于将参考电压Vref传输到第一电容器C1的第一电极和第一晶体管T1的栅电极,以将第一电容器C1和第一晶体管T1初始化。
第五晶体管T5(在下文中也被称为“阴极连接晶体管”)包括连接到被施加有第一发光信号EM1的第一发光信号线164的栅电极、连接到发光元件LED的阴极的第一电极以及连接到第一晶体管T1的第一电极和第三晶体管T3的第二电极的第二电极。第五晶体管T5可以基于第一发光信号EM1将第一晶体管T1的第一电极和发光元件LED连接,以形成电流路径并且允许发光元件LED发光。
第六晶体管T6(在下文中也被称为“低驱动电压施加晶体管”)包括连接到被施加有第二发光信号EM2的第二发光信号线165的栅电极、第一电极以及用于接收第二驱动电压ELVSS的第二电极。这里,第六晶体管T6的第一电极连接到第一晶体管T1的第二电极、第一电容器C1的第二电极和第二电容器C2的第二电极。第六晶体管T6用于基于第二发光信号EM2传输或阻挡到第一晶体管T1的第二电极的第二驱动电压ELVSS。
在图1的实施例中,全部晶体管是n型晶体管,并且每个晶体管可以在栅电极的电压是高电平电压时导通,并且可以在栅电极的电压是低电平电压时截止。另外,在每个晶体管中包括的半导体层可以使用多晶硅半导体或氧化物半导体,并且可以附加地使用非晶半导体或单晶半导体。
在一些实施例中,在每个晶体管中包括的半导体层可以进一步包括与半导体层重叠的重叠层(或附加的栅电极),并且通过将电压施加到重叠层(附加的栅电极)来改变晶体管的特性,可以进一步提高像素的显示质量。
第一电容器C1包括第一电极和第二电极。这里,第一电容器C1的第一电极连接到第一晶体管T1的栅电极、第二晶体管T2的第二电极和第四晶体管T4的第二电极。第一电容器C1的第二电极连接到第一晶体管T1的第二电极、第六晶体管T6的第一电极和第二电容器C2的第二电极。第一电容器C1的第一电极用于从第二晶体管T2接收数据电压VDATA以存储数据电压VDATA。
第二电容器C2包括连接到第一驱动电压线172的第一电极以及连接到第一晶体管T1的第二电极、第六晶体管T6的第一电极和第一电容器C1的第二电极的第二电极。第二电容器C2用于恒定地维持第一晶体管T1的第二电极和第一电容器C1的第二电极的电压。然而,在一些实施例中,可以省略第二电容器C2。
发光元件LED包括连接到第一驱动电压线172以接收第一驱动电压ELVDD的阳极以及连接到第五晶体管T5的第一电极的阴极。发光元件LED通过第五晶体管T5连接到第一晶体管T1。发光元件LED被放置在像素驱动电路部分与第一驱动电压线172之间,并且与流过像素驱动电路部分的第一晶体管T1的电流相同的电流在发光元件LED中流动,并且发光元件LED发光的亮度也可以根据对应的电流的量来确定。发光元件LED可以包括在发光元件LED的阳极和阴极之间的、包括有机发光材料和无机发光材料中的至少一种的发光层。将参照图31和图32描述根据实施例的发光元件LED的详细堆叠结构。
根据图1的实施例的像素可以执行用于感测第一晶体管T1的特性(阈值电压)的改变的补偿操作,以显示恒定的显示亮度而不管第一晶体管T1的特性(阈值电压)的改变。
另外,在图1中,发光元件LED被放置在第一晶体管T1的第一电极与第一驱动电压线172之间。根据本实施例的像素也被称为“反转像素”,以便将反转像素与其中发光元件被放置在第一晶体管T1与第二驱动电压线179之间的像素区分开。发光元件LED根据在从被施加有第一驱动电压ELVDD的第一驱动电压线172通过第一晶体管T1连接到被施加有第二驱动电压ELVSS的第二驱动电压线179的电流路径中流过的电流的量来显示亮度,并且随着电流的量的增加,被显示的亮度可以增加。在图1的反转像素结构中,由于第一晶体管T1的第一电极连接到发光元件LED,并且与第一晶体管T1的第二电极(源电极)分隔,因此当像素驱动电路部分的每个部分的电压改变时,第一晶体管T1的第二电极(源电极)的电压可以不改变。更具体地,当第六晶体管T6导通时,随着第一电容器C1的第二电极的电压减小,第一电容器C1的第一电极的电压也减小,并且尽管由于此,从第一晶体管T1输出的输出电流也可能减小,但是在本实施例中,在第一晶体管T1的输出电流中的这种减小的问题被消除。这将参照图2至图6被详细描述。
在图1的实施例中,已经描述了一个像素包括六个晶体管T1至T6和两个电容器(第一电容器C1和第二电容器C2),但是本发明不限于此,并且在一些实施例中,可以进一步包括附加的电容器或晶体管,并且可以省略一些电容器或晶体管。
在上文中,已经参照图1描述了根据实施例的像素的电路结构。
在下文中,将参照图2至图6详细描述被施加到图1的像素的信号的波形以及像素的根据该波形的操作。
图2图示被施加到图1的像素的信号的波形图,并且图3至图6图示用于基于图2的信号解释图1的像素的每个时段的操作的图。
参照图2,当被施加到像素的信号被划分成时段时,该信号被划分成初始化时段、补偿时段、写入时段和发光时段。
首先,发光时段是其中发光元件LED发光的时段,并且栅导通电压(高电平电压)的第一发光信号EM1和第二发光信号EM2分别被施加到第五晶体管T5和第六晶体管T6以被导通。在这种情况下,栅截止电压(低电平电压)的第一扫描信号GW、第二扫描信号GC和第三扫描信号GR被施加。作为结果,从被施加有第一驱动电压ELVDD的第一驱动电压线172通过发光元件LED、第五晶体管T5、第一晶体管T1和第六晶体管T6连接到被施加有第二驱动电压ELVSS的第二驱动电压线179的电流路径被形成。流过该电流路径的电流的量根据第一晶体管T1的沟道导通的程度来确定,并且第一晶体管T1的沟道导通的程度根据第一晶体管T1的栅电极(或第一电容器C1的第一电极)的电压来确定。相应地,当根据第一晶体管T1的栅电极的电压生成的输出电流沿包括发光元件LED的电流路径流动时,发光元件LED发光。在图2中,仅部分地图示了其中栅导通电压(高电平电压)的发光信号EM1和EM2被施加的发光时段,但是事实上,发光时段实际上具有最长的时间。然而,由于在发光时段中仅执行以上简单的操作,所以发光时段在图2中被简单地图示。
当第一发光信号EM1和第二发光信号EM2改变成栅截止电压(低电平电压)时,发光时段结束,并且进入初始化时段。
参照图2,在初始化时段中,第三扫描信号GR首先改变成栅导通电压(高电平电压),并且然后第二发光信号EM2改变成栅导通电压(高电平电压)。在这种情况下,栅截止电压(低电平电压)的第一扫描信号GW、第二扫描信号GC和第一发光信号EM1被施加。
参照图3,连接到首先改变成要被施加的栅导通电压(高电平电压)的第三扫描信号GR的第四晶体管T4导通,使得参考电压Vref被施加到要被初始化的第一晶体管T1的栅电极和第一电容器C1的第一电极。这里,参考电压Vref可以具有能够使第一晶体管T1导通的电压值。
在此之后,第二发光信号EM2也在改变成栅导通电压(高电平电压)的同时被施加,使得第六晶体管T6也导通,并且作为结果,第一晶体管T1的第二电极、第一电容器C1的第二电极和第二电容器C2的第二电极被初始化成第二驱动电压ELVSS。
在此之后,当第二发光信号EM2改变成栅截止电压(低电平电压)时,初始化时段结束,并且进入补偿时段。
参照图2,在补偿时段中,第二扫描信号GC改变成栅导通电压(高电平电压),而第三扫描信号GR维持在栅导通电压(高电平电压)。在这种情况下,栅截止电压(低电平电压)的第一扫描信号GW、第一发光信号EM1和第二发光信号EM2被施加。
参照图4,在参考电压Vref通过导通的第四晶体管T4持续地被传输到第一晶体管T1的栅电极和第一电容器C1的第一电极的同时,第三晶体管T3也被附加地施加的栅导通电压(高电平电压)的第二扫描信号GC导通,并且第一驱动电压ELVDD被传输到第一晶体管T1的第一电极。在这种情况下,由于第一晶体管T1被参考电压Vref导通,因此第一晶体管T1的Vgs值等于第一晶体管T1的阈值电压Vth(参见等式1)。这里,Vgs(参见等式2)是通过从第一晶体管T1的栅电极的电压减去第一晶体管T1的第二电极(源电极)的电压而获得的值,因此第一晶体管T1的第二电极(源电极)的电压值具有比第一晶体管T1的栅电极的电压低第一晶体管T1的阈值电压Vth的电压值(即,Vref-Vth)。
在此之后,参照图2,第二扫描信号GC改变成栅截止电压(低电平电压),并且然后,当第三扫描信号GR也改变成栅截止电压(低电平电压)时,进入写入时段。
在写入时段中,栅导通电压(高电平电压)的第一扫描信号GW被施加。在这种情况下,第一扫描信号GW在其期间被维持在栅导通电压的时段可以是1H。这里,1H表示一个水平时段,并且一个水平时段可以对应于一个水平同步信号。1H可以意味着当栅导通电压被施加到一条扫描线之后将栅导通电压施加到下一行的扫描线的时间。同时,在写入时段中,栅截止电压(低电平电压)的第二扫描信号GC、第三扫描信号GR、第一发光信号EM1和第二发光信号EM2被施加。
参照图5,在写入时段中,被施加有栅导通电压(高电平电压)的第二晶体管T2导通,并且全部其他晶体管截止。作为结果,数据电压VDATA进入像素以被施加到第一晶体管T1的栅电极和第一电容器C1的第一电极。在这种情况下,如在补偿时段中,第一晶体管T1的第二电极的电压值具有比第一晶体管T1的栅电极的电压低第一晶体管T1的阈值电压Vth的电压值(即,Vref-Vth)。
同时,第三晶体管T3和第五晶体管T5截止,使得第一晶体管T1的第一电极与第一驱动电压线172和发光元件LED电隔离。
在此之后,参照图2,第一发光信号EM1和第二发光信号EM2改变成栅导通电压(高电平电压),并且进入发光时段。在这种情况下,栅截止电压(低电平电压)的第一扫描信号GW、第二扫描信号GC和第三扫描信号GR被施加。
参照图6,第五晶体管T5和第六晶体管T6分别被第一发光信号EM1和第二发光信号EM2导通,并且形成从被施加有第一驱动电压ELVDD的第一驱动电压线172通过发光元件LED、第五晶体管T5、第一晶体管T1和第六晶体管T6连接到被施加有第二驱动电压ELVSS的第二驱动电压线179的电流路径。沿该电流路径流动的电流IOLED的量根据第一晶体管T1导通的程度来确定,并且第一晶体管T1导通的程度根据施加到第一晶体管T1的栅电极的数据电压VDATA来确定。发光元件LED根据沿该电流路径流动的电流IOLED的量而不同地显示亮度。
比较图5和图6可以看出,第一晶体管T1的栅电极的电压值改变了ΔV。将详细描述发生ΔV的差的原因。
当进入发光时段时,第六晶体管T6导通,并且作为结果,第一电容器C1的第二电极和第一晶体管T1的第二电极的电压改变成第二驱动电压ELVSS。当第一电容器C1的第二电极的电压改变时,第一电容器C1的第一电极的电压也相应地改变,使得电压的改变值被表示为ΔV,如图6中所示。第一电容器C1的第一电极的电压的改变值ΔV可以与第一电容器C1的第二电极的电压的改变值ΔV相同。
参照图5,由于在写入时段中第一晶体管T1的第二电极和第一电容器C1的第二电极的电压值是通过从参考电压Vref减去第一晶体管T1的阈值电压Vth而获得的值(即,Vref-Vth),因此当写入时段改变成发光时段时,第一电容器C1的第二电极的电压的改变值ΔV和第一电容器C1的第一电极的电压的改变值ΔV如以下等式1。
(等式1)
ΔV=VELVSS-(Vref-Vth)
这里,Vref是参考电压Vref的电压值,Vth是第一晶体管T1的阈值电压值,并且VELVSS是第二驱动电压ELVSS的电压值。
在这种情况下,在发光时段中流过发光元件LED的电流IOLED可以通过下面的等式2获得。
(等式2)
IOLED=k/2x(Vgs-Vth)2
=k/2x[(Vdata+ΔV-VELVSS)-Vth]2
=k/2x[(Vdata+(VELVSS-Vref+Vth)-VELVSS)Vth]2
=k/2x(Vdata-Vref)2
这里,k是常数值,Vdata是数据电压VDATA的电压值,Vref是参考电压Vref的电压值,Vth是第一晶体管T1的阈值电压值,VELVSS是第二驱动电压ELVSS的电压值,Vgs是第一晶体管T1的栅电极和第二电极之间的电压差,并且ΔV是等式1的值。
相应地,流过发光元件LED的电流IOLED仅由数据电压VDATA和参考电压Vref确定并且具有独立于第一晶体管T1的阈值电压Vth的值,使得尽管第一晶体管T1的特性改变,仍可以生成恒定的电流IOLED
另外,如在等式2中,当第二驱动电压ELVSS在发光时段中被施加时,在第一晶体管T1的栅电极处生成的电压的改变值ΔV也被去除,使得不需要单独考虑电压的改变值ΔV,并且只需要考虑数据电压VDATA和参考电压Vref,所以电流不根据第一晶体管T1的特性而改变。
在上文中,第一驱动电压ELVDD的电压值可以设定成大于通过从参考电压Vref的电压值减去第一晶体管T1的阈值电压值而获得的值,并且第二驱动电压ELVSS的电压值可以设定成小于通过从参考电压Vref的电压值减去第一晶体管T1的阈值电压值而获得的值。
在上文中,已经描述了基于图1的像素的各种驱动方法。
在下文中,将参照图7至图10描述图1的像素的修改后的实施例。
图7至图10图示图1的实施例的修改后的像素的等效电路图。
在下文中,将主要描述与图1不同的部分。
图7的实施例与图1的实施例的不同之处在于,第三晶体管T3的第一电极不连接到第一驱动电压线172,而是连接到被施加有维持电压Vsus的维持电压线174。这里,维持电压Vsus可以具有与第一驱动电压ELVDD类似的正电压值。另外,在一些实施例中,可以施加偏置电压而不是维持电压Vsus。
与图7实施例不同的是,图8的实施例是其中第三晶体管T3的第一电极和第二电容器C2的第一电极两者连接到维持电压线174的实施例。
图9的实施例是其中仅第二电容器C2的第一电极连接到维持电压线174的实施例。然而,在一些实施例中,诸如参考电压Vref、第二驱动电压ELVSS或接地电压(即,0V)的各种电压可以被施加到第二电容器C2的第一电极。
图10的实施例是其中第三晶体管T3的第一电极连接到维持电压线174并且第二电容器C2的第一电极连接到被施加有保持电压Vhold的保持电压线175的实施例。这里,保持电压Vhold可以具有在第一驱动电压ELVDD与第二驱动电压ELVSS之间的电压值。然而,在一些实施例中,诸如参考电压Vref、第二驱动电压ELVSS或接地电压的各种电压可以代替保持电压Vhold被施加到第二电容器C2的第一电极。
在图7、图8和图10的修改后的实施例中,被施加到第三晶体管T3的第一电极的维持电压Vsus或偏置电压的电压值可以被设定成大于通过从参考电压Vref的电压值减去驱动晶体管T1的阈值电压Vth的电压值而获得的值。
在上文中,已经详细描述了图1的像素电路及其修改。
在下文中,将描述根据另一实施例的像素结构。
图11图示根据另一实施例的在发光显示装置中包括的一个像素的等效电路图。
与图1的实施例中的像素相比,图11的实施例中的像素进一步包括第七晶体管T7。
第七晶体管T7是将第一驱动电压ELVDD传输到发光元件LED的阴极的晶体管,并且第七晶体管T7可以去除由于发光元件LED的阴极中残留的电荷而无法显示黑色的问题,并且允许清晰地显示黑色。
在下文中,将详细描述图11的像素的结构如下。
参照图11,一个像素包括发光元件LED和用于驱动发光元件LED的像素驱动电路部分,并且像素驱动电路部分以矩阵形式排列。像素驱动电路部分包括除图11中的发光元件LED之外的全部元件,并且根据图11的实施例的像素的像素驱动电路部分包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、第一电容器C1和第二电容器C2。
另外,像素驱动电路部分可以连接到被施加有第一扫描信号GW的第一扫描线161、被施加有第二扫描信号GC的第二扫描线162、被施加有第三扫描信号GR的第三扫描线163、被施加有第一发光信号EM1的第一发光信号线164、被施加有第二发光信号EM2的第二发光信号线165以及被施加有数据电压VDATA的数据线171。另外,像素可以连接到被施加有高驱动电压(在下文中被称为“第一驱动电压”)ELVDD的第一驱动电压线172、被施加有低驱动电压(在下文中被称为“第二驱动电压”)ELVSS的第二驱动电压线179以及被施加有参考电压Vref的参考电压线173。
现在将着重于在像素中包括的各个元件(晶体管、电容器、发光元件)来描述像素的电路结构如下。
第一晶体管T1包括栅电极、第一电极(输入侧电极)和第二电极(输出侧电极)。这里,第一晶体管T1的栅电极连接到第一电容器C1的第一电极、第二晶体管T2的第二电极和第四晶体管T4的第二电极。第一晶体管T1的第一电极连接到第三晶体管T3的第二电极和第五晶体管T5的第二电极。第一晶体管T1的第二电极连接到第六晶体管T6的第一电极、第一电容器C1的第二电极和第二电容器C2的第二电极。
在第一晶体管T1中,第一晶体管T1导通的程度根据第一晶体管T1的栅电极的电压来确定,并且从第一晶体管T1的第一电极流到第二电极的电流的量根据第一晶体管T1的导通的程度来确定。从第一晶体管T1的第一电极流到第二电极的电流与在发光时段中流过发光元件LED的电流相同,因此该电流可以被称为“发光电流”。这里,第一晶体管T1是n型晶体管,并且随着第一晶体管T1的栅电极的电压增加,大的发光电流可以流动。当发光电流是大的时,发光元件LED可以显示高亮度。
第二晶体管T2(在下文中也被称为“数据输入晶体管”)包括连接到被施加有第一扫描信号GW的第一扫描线161的栅电极、连接到被施加有数据电压VDATA的数据线171的第一电极(输入侧电极)以及连接到第一电容器C1的第一电极、第一晶体管T1的栅电极和第四晶体管T4的第二电极的第二电极(输出侧电极)。第二晶体管T2根据第一扫描信号GW将数据电压VDATA输入到像素中,以将数据电压VDATA传输到第一晶体管T1的栅电极,并且将数据电压VDATA存储在第一电容器C1的第一电极中。
第三晶体管T3(在下文中也被称为“第一电压传输晶体管”)包括连接到被施加有第二扫描信号GC的第二扫描线162的栅电极、连接到第一驱动电压线172的第一电极(输入侧电极)以及连接到第一晶体管T1的第一电极和第五晶体管T5的第二电极的第二电极(输出侧电极)。第三晶体管T3允许第一驱动电压ELVDD被传输到第一晶体管T1,而不经过发光元件LED。由于如果在不需要发光的时段期间电流流过发光元件LED,则可能发生发光元件LED不必要地发光的问题,因此这是为了通过单独的路径将第一驱动电压ELVDD传输到第一晶体管T1。因此,第三晶体管T3可以在发光时段期间不导通,并且可以在其他时段期间导通。
第四晶体管T4(在下文中也被称为“参考电压传输晶体管”)包括连接到被施加有第三扫描信号GR的第三扫描线163的栅电极、连接到参考电压线173的第一电极以及连接到第一电容器C1的第一电极、第一晶体管T1的栅电极和第二晶体管T2的第二电极的第二电极。第四晶体管T4用于将参考电压Vref传输到第一电容器C1的第一电极和第一晶体管T1的栅电极,以将第一电容器C1和第一晶体管T1初始化。
第五晶体管T5(在下文中也被称为“阴极连接晶体管”)包括连接到被施加有第一发光信号EM1的第一发光信号线164的栅电极、连接到发光元件LED的阴极的第一电极以及连接到第一晶体管T1的第一电极和第三晶体管T3的第二电极的第二电极。第五晶体管T5可以基于第一发光信号EM1将第一晶体管T1的第一电极和发光元件LED连接,以形成电流路径并且允许发光元件LED发光。
第六晶体管T6(在下文中也被称为“低驱动电压施加晶体管”)包括连接到被施加有第二发光信号EM2的第二发光信号线165的栅电极、第一电极以及用于接收第二驱动电压ELVSS的第二电极。这里,第六晶体管T6的第一电极连接到第一晶体管T1的第二电极、第一电容器C1的第二电极和第二电容器C2的第二电极。第六晶体管T6用于基于第二发光信号EM2传输或阻挡到第一晶体管T1的第二电极的第二驱动电压ELVSS。
第七晶体管T7(在下文中也被称为“第二电压传输晶体管”)包括连接到被施加有第二扫描信号GC的第二扫描线162的栅电极、连接到第一驱动电压线172的第一电极(输入侧电极)以及连接到发光元件LED的阴极和第五晶体管T5的第一电极的第二电极(输出侧电极)。第七晶体管T7用于将第一驱动电压ELVDD传输到发光元件LED的阴极,并且第七晶体管T7可以消除由于发光元件LED的阴极中残留的电荷而无法显示黑色的问题,并且使发光元件LED可以清晰地显示黑色。
在图11的实施例中,全部晶体管是n型晶体管,并且每个晶体管可以在栅电极的电压是高电平电压时导通,并且可以在栅电极的电压是低电平电压时截止。另外,在每个晶体管中包括的半导体层可以使用多晶硅半导体或氧化物半导体,并且可以附加地使用非晶半导体或单晶半导体。
在一些实施例中,在每个晶体管中包括的半导体层可以进一步包括与半导体层重叠的重叠层(或附加的栅电极),并且通过将电压施加到重叠层(附加的栅电极)来改变晶体管的特性,可以进一步提高像素的显示质量。
第一电容器C1包括第一电极和第二电极。这里,第一电容器C1的第一电极连接到第一晶体管T1的栅电极、第二晶体管T2的第二电极和第四晶体管T4的第二电极。第一电容器C1的第二电极连接到第一晶体管T1的第二电极、第六晶体管T6的第一电极和第二电容器C2的第二电极。第一电容器C1的第一电极用于从第二晶体管T2接收数据电压VDATA以存储数据电压VDATA。
第二电容器C2包括连接到第一驱动电压线172的第一电极以及连接到第一晶体管T1的第二电极、第六晶体管T6的第一电极和第一电容器C1的第二电极的第二电极。第二电容器C2用于恒定地维持第一晶体管T1的第二电极和第一电容器C1的第二电极的电压。然而,在一些实施例中,可以省略第二电容器C2。
发光元件LED包括连接到第一驱动电压线172以接收第一驱动电压ELVDD的阳极以及连接到第五晶体管T5的第一电极和第七晶体管T7的第二电极的阴极。发光元件LED通过第五晶体管T5连接到第一晶体管T1。发光元件LED被放置在像素驱动电路部分与第一驱动电压线172之间,并且与流过像素驱动电路部分的第一晶体管T1的电流相同的电流在发光元件LED中流动,并且发光元件LED发光的亮度也可以根据对应的电流的量来确定。发光元件LED可以包括在发光元件LED的阳极和阴极之间的、包括有机发光材料和无机发光材料中的至少一种的发光层。将参照图31和图32描述根据实施例的发光元件LED的详细堆叠结构。
根据图11的实施例的像素可以执行用于感测第一晶体管T1的特性(阈值电压)的改变的补偿操作,以显示恒定的显示亮度而不管第一晶体管T1的特性(阈值电压)的改变。
另外,在图11中,发光元件LED被放置在第一晶体管T1的第一电极与第一驱动电压线172之间。根据本实施例的像素也被称为“反转像素”,以便将反转像素与其中发光元件被放置在第一晶体管T1与第二驱动电压线179之间的像素区分开。发光元件LED根据在从被施加有第一驱动电压ELVDD的第一驱动电压线172通过第一晶体管T1连接到被施加有第二驱动电压ELVSS的第二驱动电压线179的电流路径中流动的电流的量来显示亮度,并且随着电流的量的增加,被显示的亮度可以增加。在图11的反转像素结构中,由于第一晶体管T1的第一电极连接到发光元件LED,并且与第一晶体管T1的第二电极(源电极)分隔,因此当像素驱动电路部分的每个部分的电压改变时,第一晶体管T1的第二电极(源电极)的电压可以不改变。更具体地,当第六晶体管T6导通时,随着第一电容器C1的第二电极的电压减小,第一电容器C1的第一电极的电压也减小,并且尽管由于此,从第一晶体管T1输出的输出电流也可能减小,但是在本实施例中,在第一晶体管T1的输出电流中的这种减小的问题被消除。这将参照图12至图16被详细描述。
在图11的实施例中,已经描述了一个像素包括七个晶体管T1至T7和两个电容器(第一电容器C1和第二电容器C2),但是本发明不限于此,并且在一些实施例中,可以进一步包括附加的电容器或晶体管,并且可以省略一些电容器或晶体管。
在上文中,已经参照图11描述了根据实施例的像素的电路结构。
在下文中,将参照图12至图16详细描述被施加到图11的像素的信号的波形以及像素的根据该波形的操作。
图12图示被施加到图11的像素的信号的波形图,并且图13至图16图示用于基于图12的信号解释图11的像素的每个时段的操作的图。
参照图12,当被施加到像素的信号被划分成时段时,该信号被划分成初始化时段、补偿时段、写入时段和发光时段。
首先,发光时段是其中发光元件LED发光的时段,并且栅导通电压(高电平电压)的第一发光信号EM1和第二发光信号EM2分别被施加到第五晶体管T5和第六晶体管T6以被导通。在这种情况下,栅截止电压(低电平电压)的第一扫描信号GW、第二扫描信号GC和第三扫描信号GR被施加。作为结果,从被施加有第一驱动电压ELVDD的第一驱动电压线172通过发光元件LED、第五晶体管T5、第一晶体管T1和第六晶体管T6连接到被施加有第二驱动电压ELVSS的第二驱动电压线179的电流路径被形成。流过该电流路径的电流的量根据第一晶体管T1的沟道导通的程度来确定,并且第一晶体管T1的沟道导通的程度根据第一晶体管T1的栅电极(或第一电容器C1的第一电极)的电压来确定。相应地,当根据第一晶体管T1的栅电极的电压生成的输出电流沿包括发光元件LED的电流路径流动时,发光元件LED发光。在图12中,仅部分地图示了其中栅导通电压(高电平电压)的发光信号EM1和EM2被施加的发光时段,但是事实上,发光时段实际上具有最长的时间。然而,由于在发光时段中仅执行以上简单的操作,所以发光时段在图12中被简单地图示。
当第一发光信号EM1和第二发光信号EM2改变成栅截止电压(低电平电压)时,发光时段结束,并且进入初始化时段。
参照图12,在初始化时段中,第三扫描信号GR首先改变成栅导通电压(高电平电压),并且然后第二发光信号EM2改变成栅导通电压(高电平电压)。在这种情况下,栅截止电压(低电平电压)的第一扫描信号GW、第二扫描信号GC和第一发光信号EM1被施加。
参照图13,连接到首先改变成要被施加的栅导通电压(高电平电压)的第三扫描信号GR的第四晶体管T4导通,使得参考电压Vref被施加到要被初始化的第一晶体管T1的栅电极和第一电容器C1的第一电极。这里,参考电压Vref可以具有能够使第一晶体管T1导通的电压值。
在此之后,第二发光信号EM2也在改变成栅导通电压(高电平电压)的同时被施加,使得第六晶体管T6也导通,并且作为结果,第一晶体管T1的第二电极、第一电容器C1的第二电极和第二电容器C2的第二电极被初始化成第二驱动电压ELVSS。
在此之后,当第二发光信号EM2改变成栅截止电压(低电平电压)时,初始化时段结束,并且进入补偿时段。
参照图12,在补偿时段中,第二扫描信号GC改变成栅导通电压(高电平电压),而第三扫描信号GR维持在栅导通电压(高电平电压)。在这种情况下,栅截止电压(低电平电压)的第一扫描信号GW、第一发光信号EM1和第二发光信号EM2被施加。
参照图14,在参考电压Vref通过导通的第四晶体管T4持续地被传输到第一晶体管T1的栅电极和第一电容器C1的第一电极的同时,第三晶体管T3和第七晶体管T7也被附加地施加的栅导通电压(高电平电压)的第二扫描信号GC导通,并且第一驱动电压ELVDD被传输到第一晶体管T1的第一电极和发光元件LED的阴极。在这种情况下,由于第一晶体管T1被参考电压Vref导通,因此第一晶体管的Vgs值等于第一晶体管T1的阈值电压Vth。这里,Vgs是通过从第一晶体管T1的栅电极的电压减去第一晶体管T1的第二电极(源电极)的电压而获得的值,因此第一晶体管T1的第二电极(源电极)的电压值具有比第一晶体管T1的栅电极的电压低第一晶体管T1的阈值电压Vth的电压值(即,Vref-Vth)。同时,导通的第七晶体管T7将发光元件LED的阴极的电压电平改变成第一驱动电压ELVDD,以将发光元件LED的阴极的电压初始化成第一驱动电压ELVDD,并且导通的第七晶体管T7去除发光元件LED的阴极中残留的电荷,消除了不显示黑色的问题。
在此之后,参照图12,第二扫描信号GC改变成栅截止电压(低电平电压),并且然后,当第三扫描信号GR也改变成栅截止电压(低电平电压)时,进入写入时段。
在写入时段中,栅导通电压(高电平电压)的第一扫描信号GW被施加。在这种情况下,第一扫描信号GW在其期间被维持在栅导通电压的时段可以是1H。这里,1H表示一个水平时段,并且一个水平时段可以对应于一个水平同步信号。1H可以意味着当栅导通电压被施加到一条扫描线之后将栅导通电压施加到下一行的扫描线的时间。同时,在写入时段中,栅截止电压(低电平电压)的第二扫描信号GC、第三扫描信号GR、第一发光信号EM1和第二发光信号EM2被施加。
参照图15,在写入时段中,被施加有栅导通电压(高电平电压)的第二晶体管T2导通,并且全部其他晶体管截止。作为结果,数据电压VDATA进入像素以被施加到第一晶体管T1的栅电极和第一电容器C1的第一电极。在这种情况下,如在补偿时段中,第一晶体管T1的第二电极的电压值具有比第一晶体管T1的栅电极的电压低第一晶体管T1的阈值电压Vth的电压值(即,Vref-Vth)。
同时,第三晶体管T3和第五晶体管T5截止,使得第一晶体管T1的第一电极与第一驱动电压线172和发光元件LED电隔离。
在此之后,参照图12,第一发光信号EM1和第二发光信号EM2改变成栅导通电压(高电平电压),并且进入发光时段。在这种情况下,栅截止电压(低电平电压)的第一扫描信号GW、第二扫描信号GC和第三扫描信号GR被施加。
参照图16,第五晶体管T5和第六晶体管T6分别被第一发光信号EM1和第二发光信号EM2导通,并且形成从被施加有第一驱动电压ELVDD的第一驱动电压线172通过发光元件LED、第五晶体管T5、第一晶体管T1和第六晶体管T6连接到被施加有第二驱动电压ELVSS的第二驱动电压线179的电流路径。沿该电流路径流动的电流IOLED的量根据第一晶体管T1导通的程度来确定,并且第一晶体管T1导通的程度根据施加到第一晶体管T1的栅电极的数据电压VDATA来确定。发光元件LED根据沿该电流路径流动的电流IOLED的量而不同地显示亮度。
比较图15和图16可以看出,第一晶体管T1的栅电极的电压值改变了ΔV。将详细描述发生ΔV的差的原因。
当进入发光时段时,第六晶体管T6导通,并且作为结果,第一电容器C1的第二电极和第一晶体管T1的第二电极的电压改变成第二驱动电压ELVSS。当第一电容器C1的第二电极的电压改变时,第一电容器C1的第一电极的电压也相应地改变,使得电压的改变值被表示为ΔV,如图16中所示。第一电容器C1的第一电极的电压的改变值ΔV可以与第一电容器C1的第二电极的电压的改变值ΔV相同。
参照图15,由于在写入时段中第一晶体管T1的第二电极和第一电容器C1的第二电极的电压值是通过从参考电压Vref减去第一晶体管T1的阈值电压Vth而获得的值(即,Vref-Vth),因此当写入时段改变成发光时段时,第一电容器C1的第二电极的电压的改变值ΔV和第一电容器C1的第一电极的电压的改变值ΔV如以下等式3。
(等式3)
ΔV=VELVSS-(Vref-Vth)
这里,Vref是参考电压Vref的电压值,Vth是第一晶体管T1的阈值电压值,并且VELVSS是第二驱动电压ELVSS的电压值。
在这种情况下,在发光时段中流过发光元件LED的电流IOLED可以通过下面的等式4获得。
(等式4)
IOLED=k/2x(Vgs-Vth)2
=k/2x[(Vdata+ΔV-VELVSS)-Vth]2
=k/2x[(Vdata+(VELVSS-Vref+Vth)-VELVSS)-Vth]2
=k/2x(Vdata-Vref)2
这里,k是常数值,Vdata是数据电压VDATA的电压值,Vref是参考电压Vref的电压值,Vth是第一晶体管T1的阈值电压值,VELVSS是第二驱动电压ELVSS的电压值,Vgs是第一晶体管T1的栅电极和第二电极之间的电压差,并且ΔV是等式1的值。
相应地,流过发光元件LED的电流IOLED仅由数据电压VDATA和参考电压Vref确定并且具有独立于第一晶体管T1的阈值电压Vth的值,使得尽管第一晶体管T1的特性改变,仍可以生成恒定的电流IOLED
另外,如在等式4中,当第二驱动电压ELVSS在发光时段中被施加时,在第一晶体管T1的栅电极处生成的电压的改变值ΔV也被去除,使得不需要单独考虑电压的改变值ΔV,并且只需要考虑数据电压VDATA和参考电压Vref,所以电流不根据第一晶体管T1的特性而改变。
在上文中,第一驱动电压ELVDD的电压值可以设定成大于通过从参考电压Vref的电压值减去第一晶体管T1的阈值电压值而获得的值,并且第二驱动电压ELVSS的电压值可以设定成小于通过从参考电压Vref的电压值减去第一晶体管T1的阈值电压值而获得的值。
在上文中,已经描述了基于图11的像素的各种驱动方法。
在下文中,将参照图17至图20描述图11的像素的修改后的实施例。
图17至图20图示图11的实施例的修改后的像素的等效电路图。
在下文中,将主要描述与图11不同的部分。
图17的实施例与图11的实施例的不同之处在于,第三晶体管T3的第一电极和第七晶体管T7的第一电极不连接到第一驱动电压线172,而是连接到被施加有附加初始化电压Vcint的附加初始化电压线176。这里,附加初始化电压Vcint可以具有与第一驱动电压ELVDD类似的正电压值。另外,在一些实施例中,可以施加偏置电压而不是附加初始化电压Vcint。
与图17实施例不同的是,图18的实施例是其中第三晶体管T3的第一电极和第七晶体管T7的第一电极以及第二电容器C2的第一电极全部连接到附加初始化电压线176的实施例。
不同于图11的实施例,图19的实施例是其中仅第二电容器C2的第一电极连接到附加初始化电压线176的实施例。然而,在一些实施例中,诸如参考电压Vref、第二驱动电压ELVSS或接地电压的各种电压可以被施加到第二电容器C2的第一电极。
图20的实施例是其中第三晶体管T3的第一电极和第七晶体管T7的第一电极连接到附加初始化电压线176并且第二电容器C2的第一电极连接到被施加有保持电压Vhold的保持电压线175的实施例。这里,保持电压Vhold可以具有在第一驱动电压ELVDD与第二驱动电压ELVSS之间的电压值。然而,在一些实施例中,诸如参考电压Vref、第二驱动电压ELVSS或接地电压的各种电压可以代替保持电压Vhold被施加到第二电容器C2的第一电极。
同时,在图17、图18和图20的修改后的实施例中,被施加到第三晶体管T3的第一电极和第七晶体管T7的第一电极的附加初始化电压Vcint或偏置电压的电压值可以被设定成大于通过从参考电压Vref的电压值减去驱动晶体管T1的阈值电压Vth的电压值而获得的值。
在上文中,已经描述了图11的像素电路的结构和操作以及图11的像素的修改后的电路结构。
在下文中,将描述根据另一实施例的像素结构。
图21图示根据另一实施例的在发光显示装置中包括的一个像素的等效电路图。
与图11的实施例中的像素相比,图21的实施例中的像素进一步包括第八晶体管T8(在下文中也被称为“初始化电压传输晶体管”)。
第八晶体管T8是将初始化电压Vint传输到第一晶体管T1的第二电极、第六晶体管T6的第一电极、第一电容器C1的第二电极和第二电容器C2的第二电极的晶体管,并且第八晶体管T8是将以上各个电极的电压改变成初始化电压Vint以将第一电容器C1、第二电容器C2、第一晶体管T1和第六晶体管T6初始化的晶体管。
另外,根据图21的实施例的像素不连接到被施加有第二发光信号EM2的第二发光信号线165,并且被施加有第一发光信号EM1的第一发光信号线164连接到第六晶体管T6的栅电极。
在下文中,将详细描述图21的像素的结构。
参照图21,一个像素包括发光元件LED和用于驱动发光元件LED的像素驱动电路部分,并且像素驱动电路部分以矩阵形式排列。像素驱动电路部分包括除图21中的发光元件LED之外的全部元件,并且根据图21的实施例的像素的像素驱动电路部分包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、第八晶体管T8、第一电容器C1和第二电容器C2。
另外,像素驱动电路部分可以连接到被施加有第一扫描信号GW的第一扫描线161、被施加有第二扫描信号GC的第二扫描线162、被施加有第三扫描信号GR的第三扫描线163、被施加有第四扫描信号GI的第四扫描线166、被施加有第一发光信号EM1的第一发光信号线164以及被施加有数据电压VDATA的数据线171。另外,像素可以连接到被施加有高驱动电压(在下文中被称为“第一驱动电压”)ELVDD的第一驱动电压线172、被施加有低驱动电压(在下文中被称为“第二驱动电压”)ELVSS的第二驱动电压线179、被施加有参考电压Vref的参考电压线173以及被施加有初始化电压Vint的初始化电压线177。
现在将着重于在像素中包括的各个元件(晶体管、电容器和发光元件)描述像素的电路结构如下。
第一晶体管T1包括栅电极、第一电极(输入侧电极)和第二电极(输出侧电极)。这里,第一晶体管T1的栅电极连接到第一电容器C1的第一电极、第二晶体管T2的第二电极和第四晶体管T4的第二电极。第一晶体管T1的第一电极连接到第三晶体管T3的第二电极和第五晶体管T5的第二电极。第一晶体管T1的第二电极连接到第六晶体管T6的第一电极、第八晶体管T8的第二电极、第一电容器C1的第二电极和第二电容器C2的第二电极。
在第一晶体管T1中,第一晶体管T1导通的程度根据第一晶体管T1的栅电极的电压来确定,并且从第一晶体管T1的第一电极流到第二电极的电流的量根据第一晶体管T1的导通的程度来确定。从第一晶体管T1的第一电极流到第二电极的电流与在发光时段中流过发光元件LED的电流相同,因此该电流可以被称为“发光电流”。这里,第一晶体管T1是n型晶体管,并且随着第一晶体管T1的栅电极的电压增加,大的发光电流可以流动。当发光电流是大的时,发光元件LED可以显示高亮度。
第二晶体管T2(在下文中也被称为“数据输入晶体管”)包括连接到被施加有第一扫描信号GW的第一扫描线161的栅电极、连接到被施加有数据电压VDATA的数据线171的第一电极(输入侧电极)以及连接到第一电容器C1的第一电极、第一晶体管T1的栅电极和第四晶体管T4的第二电极的第二电极(输出侧电极)。第二晶体管T2根据第一扫描信号GW将数据电压VDATA输入到像素中,以将数据电压VDATA传输到第一晶体管T1的栅电极,并且将数据电压VDATA存储在第一电容器C1的第一电极中。
第三晶体管T3(在下文中也被称为“第一电压传输晶体管”)包括连接到被施加有第二扫描信号GC的第二扫描线162的栅电极、连接到第一驱动电压线172的第一电极(输入侧电极)以及连接到第一晶体管T1的第一电极和第五晶体管T5的第二电极的第二电极(输出侧电极)。第三晶体管T3允许第一驱动电压ELVDD被传输到第一晶体管T1,而不经过发光元件LED。由于如果在不需要发光的时段期间电流流过发光元件LED,则可能发生发光元件LED不必要地发光的问题,因此这是为了通过单独的路径将第一驱动电压ELVDD传输到第一晶体管T1。因此,第三晶体管T3可以在发光时段期间不导通,并且可以在其他时段期间导通。
第四晶体管T4(在下文中也被称为“参考电压传输晶体管”)包括连接到被施加有第三扫描信号GR的第三扫描线163的栅电极、连接到参考电压线173的第一电极以及连接到第一电容器C1的第一电极、第一晶体管T1的栅电极和第二晶体管T2的第二电极的第二电极。第四晶体管T4用于将参考电压Vref传输到第一电容器C1的第一电极和第一晶体管T1的栅电极,以将第一电容器C1和第一晶体管T1初始化。
第五晶体管T5(在下文中也被称为“阴极连接晶体管”)包括连接到被施加有第一发光信号EM1的第一发光信号线164的栅电极、连接到发光元件LED的阴极的第一电极以及连接到第一晶体管T1的第一电极和第三晶体管T3的第二电极的第二电极。第五晶体管T5可以基于第一发光信号EM1将第一晶体管T1的第一电极和发光元件LED连接,以形成电流路径并且允许发光元件LED发光。
第六晶体管T6(在下文中也被称为“低驱动电压施加晶体管”)包括连接到被施加有第一发光信号EM1的第一发光信号线164的栅电极、第一电极以及用于接收第二驱动电压ELVSS的第二电极。这里,第六晶体管T6的第一电极连接到第一晶体管T1的第二电极、第一电容器C1的第二电极和第二电容器C2的第二电极。第六晶体管T6用于基于第一发光信号EM1传输或阻挡到第一晶体管T1的第二电极的第二驱动电压ELVSS。
第七晶体管T7(在下文中也被称为“第二电压传输晶体管”)包括连接到被施加有第二扫描信号GC的第二扫描线162的栅电极、连接到第一驱动电压线172的第一电极(输入侧电极)以及连接到发光元件LED的阴极和第五晶体管T5的第一电极的第二电极(输出侧电极)。第七晶体管T7用于将第一驱动电压ELVDD传输到发光元件LED的阴极,并且第七晶体管T7可以消除由于发光元件LED的阴极中残留的电荷而无法显示黑色的问题,并且使发光元件LED可以清晰地显示黑色。
第八晶体管T8(在下文中也被称为“初始化电压传输晶体管”)包括连接到被施加有第四扫描信号GI的第四扫描线166的栅电极、连接到初始化电压线177的第一电极(输入侧电极)以及连接到第一晶体管T1的第二电极、第六晶体管T6的第一电极、第一电容器C1的第二电极和第二电容器C2的第二电极的第二电极(输出侧电极)。第八晶体管T8用于将初始化电压Vint传输到第一晶体管T1的第二电极、第六晶体管T6的第一电极、第一电容器C1的第二电极和第二电容器C2的第二电极,以将第一电容器C1、第二电容器C2、第一晶体管T1和第六晶体管T6初始化。
在图21的实施例中,全部晶体管是n型晶体管,并且每个晶体管可以在栅电极的电压是高电平电压时导通,并且可以在栅电极的电压是低电平电压时截止。另外,在每个晶体管中包括的半导体层可以使用多晶硅半导体或氧化物半导体,并且可以附加地使用非晶半导体或单晶半导体。
在一些实施例中,在每个晶体管中包括的半导体层可以进一步包括与半导体层重叠的重叠层(或附加的栅电极),并且通过将电压施加到重叠层(附加的栅电极)来改变晶体管的特性,可以进一步提高像素的显示质量。
第一电容器C1包括第一电极和第二电极。这里,第一电容器C1的第一电极连接到第一晶体管T1的栅电极、第二晶体管T2的第二电极和第四晶体管T4的第二电极。第一电容器C1的第二电极连接到第一晶体管T1的第二电极、第六晶体管T6的第一电极、第八晶体管T8的第二电极和第二电容器C2的第二电极。第一电容器C1的第一电极用于从第二晶体管T2接收数据电压VDATA以存储数据电压VDATA。
第二电容器C2包括连接到第一驱动电压线172的第一电极以及连接到第一晶体管T1的第二电极、第六晶体管T6的第一电极、第八晶体管T8的第二电极和第一电容器C1的第二电极的第二电极。第二电容器C2用于恒定地维持第一晶体管T1的第二电极和第一电容器C1的第二电极的电压。然而,在一些实施例中,可以省略第二电容器C2。
发光元件LED包括连接到第一驱动电压线172以接收第一驱动电压ELVDD的阳极以及连接到第五晶体管T5的第一电极和第七晶体管T7的第二电极的阴极。发光元件LED的阴极通过第五晶体管T5连接到第一晶体管T1。发光元件LED被放置在像素驱动电路部分与第一驱动电压线172之间,并且与流过像素驱动电路部分的第一晶体管T1的电流相同的电流在发光元件LED中流动,并且发光元件LED发光的亮度也可以根据对应的电流的量来确定。发光元件LED可以包括在发光元件LED的阳极和阴极之间的、包括有机发光材料和无机发光材料中的至少一种的发光层。将参照图31和图32描述根据实施例的发光元件LED的详细堆叠结构。
根据图21的实施例的像素可以执行用于感测第一晶体管T1的特性(阈值电压)的改变的补偿操作,以显示恒定的显示亮度而不管第一晶体管T1的特性(阈值电压)的改变。
另外,在图21中,发光元件LED被放置在第一晶体管T1的第一电极与第一驱动电压线172之间。根据本实施例的像素也被称为“反转像素”,以便将反转像素与其中发光元件被放置在第一晶体管T1与第二驱动电压线179之间的像素区分开。发光元件LED根据在从被施加有第一驱动电压ELVDD的第一驱动电压线172通过第一晶体管T1连接到被施加有第二驱动电压ELVSS的第二驱动电压线179的电流路径中流动的电流的量来显示亮度,并且随着电流的量的增加,被显示的亮度可以增加。在图21的反转像素结构中,由于第一晶体管T1的第一电极连接到发光元件LED,并且与第一晶体管T1的第二电极(源电极)分隔,因此当像素驱动电路部分的每个部分的电压改变时,第一晶体管T1的第二电极(源电极)的电压可以不改变。更具体地,当第六晶体管T6导通时,随着第一电容器C1的第二电极的电压减小,第一电容器C1的第一电极的电压也减小,并且尽管由于此,从第一晶体管T1输出的输出电流也可能减小,但是在本实施例中,在第一晶体管T1的输出电流中的这种减小的问题被消除。这将参照图22至图26被详细描述。
在图21的实施例中,已经描述了一个像素包括八个晶体管T1至T8和两个电容器(第一电容器C1和第二电容器C2),但是本发明不限于此,并且在一些实施例中,可以进一步包括附加的电容器或晶体管,并且可以省略一些电容器或晶体管。
在上文中,已经参照图21描述了根据实施例的像素的电路结构。
在下文中,将参照图22至图26详细描述被施加到图21的像素的信号的波形以及像素的根据该波形的操作。
图22图示被施加到图21的像素的信号的波形图,并且图23至图26图示用于基于图22的信号解释图21的像素的每个时段的操作的图。
参照图22,当被施加到像素的信号被划分成时段时,该信号被划分成初始化时段、补偿时段、写入时段和发光时段。
首先,发光时段是其中发光元件LED发光的时段,并且栅导通电压(高电平电压)的第一发光信号EM1被施加到第五晶体管T5和第六晶体管T6以被导通。在这种情况下,栅截止电压(低电平电压)的第一扫描信号GW、第二扫描信号GC、第三扫描信号GR和第四扫描信号GI被施加。作为结果,从被施加有第一驱动电压ELVDD的第一驱动电压线172通过发光元件LED、第五晶体管T5、第一晶体管T1和第六晶体管T6连接到被施加有第二驱动电压ELVSS的第二驱动电压线179的电流路径被形成。流过该电流路径的电流的量根据第一晶体管T1的沟道导通的程度来确定,并且第一晶体管T1的沟道导通的程度根据第一晶体管T1的栅电极(或第一电容器C1的第一电极)的电压来确定。相应地,当根据第一晶体管T1的栅电极的电压生成的输出电流沿包括发光元件LED的电流路径流动时,发光元件LED发光。在图22中,仅部分地图示了其中栅导通电压(高电平电压)的第一发光信号EM1被施加的发光时段,但是事实上,发光时段实际上具有最长的时间。然而,由于在发光时段中仅执行以上简单的操作,因此发光时段在图22中被简单地图示。
当第一发光信号EM1改变成栅截止电压(低电平电压)时,发光时段结束,并且进入初始化时段。
参照图22,在初始化时段中,第三扫描信号GR首先改变成栅导通电压(高电平电压),并且然后第四扫描信号GI改变成栅导通电压(高电平电压)。在这种情况下,栅截止电压(低电平电压)的第一扫描信号GW、第二扫描信号GC和第一发光信号EM1被施加。
参照图23,连接到首先改变成要被施加的栅导通电压(高电平电压)的第三扫描信号GR的第四晶体管T4导通,使得参考电压Vref被施加到要被初始化的第一晶体管T1的栅电极和第一电容器C1的第一电极。这里,参考电压Vref可以具有能够使第一晶体管T1导通的电压值。
在此之后,第四扫描信号GI也被施加同时改变成栅导通电压(高电平电压),使得第八晶体管T8也导通,并且作为结果,第一晶体管T1的第二电极、第六晶体管T6的第一电极、第一电容器C1的第二电极和第二电容器C2的第二电极被初始化成初始化电压Vint。
在此之后,当第四扫描信号GI改变成栅截止电压(低电平电压)时,初始化时段结束,并且进入补偿时段。
参照图22,在补偿时段中,第二扫描信号GC改变成栅导通电压(高电平电压),而第三扫描信号GR维持在栅导通电压(高电平电压)。在这种情况下,栅截止电压(低电平电压)的第一扫描信号GW、第四扫描信号GI和第一发光信号EM1被施加。
参照图24,在参考电压Vref通过导通的第四晶体管T4持续地被传输到第一晶体管T1的栅电极和第一电容器C1的第一电极的同时,第三晶体管T3和第七晶体管T7也被附加地施加的栅导通电压(高电平电压)的第二扫描信号GC导通,并且第一驱动电压ELVDD被传输到第一晶体管T1的第一电极和发光元件LED的阴极。在这种情况下,由于第一晶体管T1被参考电压Vref导通,因此第一晶体管的Vgs值等于第一晶体管T1的阈值电压Vth。这里,Vgs是通过从第一晶体管T1的栅电极的电压减去第一晶体管T1的第二电极(源电极)的电压而获得的值,因此第一晶体管T1的第二电极(源电极)的电压值具有比第一晶体管T1的栅电极的电压低第一晶体管T1的阈值电压Vth的电压值(即,Vref-Vth)。同时,导通的第七晶体管T7将发光元件LED的阴极的电压电平改变成第一驱动电压ELVDD,以将发光元件LED的阴极的电压初始化成第一驱动电压ELVDD,并且导通的第七晶体管T7去除发光元件LED的阴极中残留的电荷,消除了不显示黑色的问题。
在此之后,参照图22,第二扫描信号GC改变成栅截止电压(低电平电压),并且然后,当第三扫描信号GR也改变成栅截止电压(低电平电压)时,进入写入时段。
在写入时段中,栅导通电压(高电平电压)的第一扫描信号GW被施加。在这种情况下,第一扫描信号GW在其期间被维持在栅导通电压的时段可以是1H。这里,1H表示一个水平时段,并且一个水平时段可以对应于一个水平同步信号。1H可以意味着当栅导通电压被施加到一条扫描线之后将栅导通电压施加到下一行的扫描线的时间。同时,在写入时段中,栅截止电压(低电平电压)的第二扫描信号GC、第三扫描信号GR、第四扫描信号GI和第一发光信号EM1被施加。
参照图25,在写入时段中,被施加有栅导通电压(高电平电压)的第二晶体管T2导通,并且全部其他晶体管截止。作为结果,数据电压VDATA进入像素以被施加到第一晶体管T1的栅电极和第一电容器C1的第一电极。在这种情况下,如在补偿时段中,第一晶体管T1的第二电极的电压值具有比第一晶体管T1的栅电极的电压低第一晶体管T1的阈值电压Vth的电压值(即,Vref-Vth)。
同时,第三晶体管T3和第五晶体管T5截止,使得第一晶体管T1的第一电极与第一驱动电压线172和发光元件LED电隔离。
在此之后,参照图22,第一发光信号EM1改变成栅导通电压(高电平电压),并且进入发光时段。在这种情况下,栅截止电压(低电平电压)的第一扫描信号GW、第二扫描信号GC、第三扫描信号GR和第四扫描信号GI被施加。
参照图26,第五晶体管T5和第六晶体管T6被第一发光信号EM1导通,并且形成从被施加有第一驱动电压ELVDD的第一驱动电压线172通过发光元件LED、第五晶体管T5、第一晶体管T1和第六晶体管T6连接到被施加有第二驱动电压ELVSS的第二驱动电压线179的电流路径。沿该电流路径流动的电流IOLED的量根据第一晶体管T1导通的程度来确定,并且第一晶体管T1导通的程度根据施加到第一晶体管T1的栅电极的数据电压VDATA来确定。发光元件LED根据沿该电流路径流动的电流IOLED的量而不同地显示亮度。
比较图25和图26可以看出,第一晶体管T1的栅电极的电压值改变了ΔV。ΔV的差的原因可以与参照图15和图16描述的相同,并且因此,将省略对其的附加的描述。
这里,第一驱动电压ELVDD的电压值可以设定成大于通过从参考电压Vref的电压值减去第一晶体管T1的阈值电压值而获得的值,并且第二驱动电压ELVSS的电压值可以设定成小于通过从参考电压Vref的电压值减去第一晶体管T1的阈值电压值而获得的值。
在上文中,已经描述了基于图21的像素的各种驱动方法。
在下文中,将参照图27至图30描述图21的像素的修改后的实施例。
图27至图30图示图21的实施例的修改后的像素的等效电路图。
在下文中,将主要描述与图21不同的部分。
图27的实施例与图21的实施例的不同之处在于,第三晶体管T3的第一电极和第七晶体管T7的第一电极不连接到第一驱动电压线172,而是连接到被施加有附加初始化电压Vcint的附加初始化电压线176。这里,附加初始化电压Vcint可以具有与第一驱动电压ELVDD类似的正电压值。另外,在一些实施例中,可以施加偏置电压而不是附加初始化电压Vcint。
与图27实施例不同的是,图28的实施例是其中第三晶体管T3的第一电极和第七晶体管T7的第一电极以及第二电容器C2的第一电极全部连接到附加初始化电压线176的实施例。
不同于图21的实施例,图29的实施例是其中仅第二电容器C2的第一电极连接到附加初始化电压线176的实施例。然而,在一些实施例中,诸如参考电压Vref、第二驱动电压ELVSS或接地电压的各种电压可以被施加到第二电容器C2的第一电极。
图30的实施例是其中第三晶体管T3的第一电极和第七晶体管T7的第一电极连接到附加初始化电压线176并且第二电容器C2的第一电极连接到被施加有保持电压Vhold的保持电压线175的实施例。这里,保持电压Vhold可以具有在第一驱动电压ELVDD与第二驱动电压ELVSS之间的电压值。然而,在一些实施例中,诸如参考电压Vref、第二驱动电压ELVSS或接地电压的各种电压可以代替保持电压Vhold被施加到第二电容器C2的第一电极。
同时,在图27、图28和图30的修改后的实施例中,被施加到第三晶体管T3的第一电极和第七晶体管T7的第一电极的附加初始化电压Vcint或偏置电压的电压值可以被设定成大于通过从参考电压Vref的电压值减去驱动晶体管T1的阈值电压Vth的电压值而获得的值。
在上文中,已经描述了图21的像素电路的结构和操作以及图21的像素的修改后的电路结构。
在下文中,堆叠在像素驱动电路部分的上部分上的发光元件LED的结构可以根据相应实施例而变化,这将分别参照图31和图32被描述。
图31和图32示意性地图示根据实施例的发光元件的堆叠结构以及与第一晶体管的连接结构。
首先,将描述图31的发光元件LED的堆叠结构。
图31的发光元件LED是其中阴极Cathode通过从被放置在下部分的阳极Anode堆叠而被放置在最上部分的实施例。
具体参照图31的实施例,发光元件LED被放置在包括第一晶体管T1的第一电极T1Drain的像素驱动电路部分和被施加有第一驱动电压ELVDD的第一驱动电压线上。
在发光元件LED中,阳极Anode、空穴注入部分HIL、空穴传输部分HTL、发光层EML、电子传输部分ETL和阴极Cathode从靠近基板的下部分顺序地被放置。在一些实施例中,在电子传输部分ETL与阴极Cathode之间可以进一步包括电子注入部分。发光层EML可以包括有机发光材料和无机发光材料中的至少一种。
阳极Anode连接到被施加有第一驱动电压ELVDD的第一驱动电压线,以传输第一驱动电压ELVDD,并且阴极Cathode连接到第一晶体管T1的第一电极T1Drain,使得第一晶体管T1的输出电流输入到发光元件LED。
空穴和电子分别从阳极电极和阴极电极注入到发光层中,并且当被注入的空穴和电子复合后产生的激子从激发态进入基态时,光被发射。在这种情况下,发光元件LED可以发射原色中的一种原色的光或者白光。原色的示例可以包括诸如红色、绿色和蓝色的三种原色。原色的另一示例可以包括诸如黄色、青色和品红色的三种原色。另一方面,在一些实施例中,可以通过在发光元件LED的前表面上进一步包括附加的滤色器或颜色转换层来提高颜色显示特性。
在图31中所示的实施例中,必须形成单独的连接结构以将被放置在上部分上的阴极Cathode与像素驱动电路部分的被放置在下部分上的第一晶体管T1的第一电极T1 Drain连接。然而,当从阳极Anode执行发光元件LED的常规堆叠工艺时,可以堆叠而不改变工艺,因此存在不需要单独改变工艺的优点。
在下文中,将描述图32的发光元件LED的堆叠结构。
图32的发光元件LED是其中阳极Anode通过从被放置在下部分的阴极Cathode堆叠而被放置在最上部分的实施例。
具体参照图32的实施例,发光元件LED被放置在包括第一晶体管T1的第一电极T1Drain的像素驱动电路部分上。
在发光元件LED中,阴极Cathode、电子传输部分ETL、发光层EML、空穴传输部分HTL、空穴注入部分HIL和阳极Anode从靠近基板的下部分顺序地被放置。在一些实施例中,在电子传输部分ETL与阴极Cathode之间可以进一步包括电子注入部分。发光层EML可以包括有机发光材料和无机发光材料中的至少一种。
阳极Anode连接到被施加有第一驱动电压ELVDD的第一驱动电压线,以传输第一驱动电压ELVDD,并且阴极Cathode连接到第一晶体管T1的第一电极T1Drain,使得第一晶体管T1的输出电流输入到发光元件LED。
在图32中所示的实施例中,由于阴极Cathode被放置在下部分处,因此发光元件LED具有其中容易地连接被放置在像素驱动电路部分中的第一晶体管T1的第一电极T1Drain的结构。
同时,第一驱动电压ELVDD通过其传输的第一驱动电压线与阳极Anode之间的连接可以具有其中在显示区域外部被电连接的结构。
空穴和电子分别从阳极电极和阴极电极注入到发光层中,并且当被注入的空穴和电子复合后产生的激子从激发态进入基态时,光被发射。在这种情况下,发光元件LED可以发射原色中的一种原色的光或者白光。原色的示例可以包括诸如红色、绿色和蓝色的三种原色。原色的另一示例可以包括诸如黄色、青色和品红色的三种原色。另一方面,在一些实施例中,可以通过在发光元件LED的前表面上进一步包括附加的滤色器或颜色转换层来提高颜色显示特性。
尽管已经结合当前被认为是实用的实施例描述了本公开,但是应理解,本发明不限于所公开的实施例,而是相反地,本公开旨在覆盖在权利要求的精神和范围内包括的各种修改和等效布置。

Claims (20)

1.一种发光显示装置,包括:
发光元件,包括阴极和连接到第一驱动电压线的阳极;
第一晶体管,包括栅电极、第一电极和第二电极;
第二晶体管,包括栅电极、连接到数据线的第一电极和连接到所述第一晶体管的所述栅电极的第二电极;
第三晶体管,包括栅电极、连接到所述第一驱动电压线的第一电极和连接到所述第一晶体管的所述第一电极的第二电极;
第四晶体管,包括栅电极、连接到参考电压线的第一电极和连接到所述第一晶体管的所述栅电极的第二电极;
第六晶体管,包括栅电极、连接到所述第一晶体管的所述第二电极的第一电极和连接到第二驱动电压线的第二电极;
第一电容器,包括连接到所述第一晶体管的所述栅电极的第一电极和连接到所述第一晶体管的所述第二电极的第二电极;以及
第二电容器,包括第一电极和连接到所述第一晶体管的所述第二电极的第二电极。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置,进一步包括:
第五晶体管,包括栅电极、连接到所述发光元件的所述阴极的第一电极和连接到所述第一晶体管的所述第一电极的第二电极。
3.根据权利要求1或2所述的发光显示装置,其中:
所述第二电容器的所述第二电极连接到所述第六晶体管的所述第一电极和所述第一电容器的所述第二电极。
4.根据权利要求3所述的发光显示装置,其中:
所述第二电容器的所述第一电极连接到所述第一驱动电压线或所述第二驱动电压线,或者施加有维持电压、参考电压、保持电压和接地电压中的一个。
5.根据权利要求2所述的发光显示装置,其中:
所述第二晶体管的所述栅电极连接到第一扫描线;
所述第三晶体管的所述栅电极连接到第二扫描线;
所述第四晶体管的所述栅电极连接到第三扫描线;
所述第五晶体管的所述栅电极连接到第一发光信号线;并且
所述第六晶体管的所述栅电极连接到第二发光信号线。
6.根据权利要求5所述的发光显示装置,其中:
在发光时段中,所述第五晶体管的栅导通电压被施加到所述第一发光信号线,并且所述第六晶体管的栅导通电压被施加到所述第二发光信号线;
在初始化时段中,所述第四晶体管的栅导通电压被施加到所述第三扫描线,并且所述第六晶体管的所述栅导通电压被施加到所述第二发光信号线;
在补偿时段中,所述第三晶体管的栅导通电压被施加到所述第二扫描线,并且所述第四晶体管的所述栅导通电压被施加到所述第三扫描线;并且
在写入时段中,所述第二晶体管的栅导通电压被施加到所述第一扫描线。
7.根据权利要求6所述的发光显示装置,其中:
所述发光时段、所述初始化时段、所述补偿时段和所述写入时段被顺序地重复;
所述第二发光信号线具有当所述第六晶体管的栅截止电压被施加到所述第二发光信号线时的持续时间,所述持续时间在当在所述发光时段中所述第六晶体管的所述栅导通电压被施加到所述第二发光信号线时的持续时间与当在所述初始化时段中所述第六晶体管的所述栅导通电压被施加到所述第二发光信号线时的持续时间之间;并且
所述第三扫描线在所述初始化时段和所述补偿时段中持续施加所述第四晶体管的所述栅导通电压。
8.根据权利要求5所述的发光显示装置,进一步包括:
第七晶体管,包括栅电极、连接到所述第一驱动电压线的第一电极和连接到所述第五晶体管的所述第一电极的第二电极。
9.根据权利要求8所述的发光显示装置,其中:
所述第七晶体管的所述栅电极连接到所述第二扫描线。
10.一种发光显示装置,包括:
发光元件,包括阴极和连接到第一驱动电压线的阳极;
第一晶体管,包括栅电极、第一电极和第二电极;
第二晶体管,包括栅电极、连接到数据线的第一电极和连接到所述第一晶体管的所述栅电极的第二电极;
第三晶体管,包括栅电极、第一电极和连接到所述第一晶体管的所述第一电极的第二电极;
第四晶体管,包括栅电极、连接到参考电压线的第一电极和连接到所述第一晶体管的所述栅电极的第二电极;
第五晶体管,包括栅电极、连接到所述发光元件的所述阴极的第一电极和连接到所述第一晶体管的所述第一电极的第二电极;
第六晶体管,包括栅电极、连接到所述第一晶体管的所述第二电极的第一电极和连接到第二驱动电压线的第二电极;
第七晶体管,包括栅电极、第一电极和连接到所述发光元件的所述阴极的第二电极;
第八晶体管,包括栅电极、连接到初始化电压线的第一电极和连接到所述第一晶体管的所述第二电极的第二电极;
第一电容器,包括连接到所述第一晶体管的所述栅电极的第一电极和连接到所述第一晶体管的所述第二电极的第二电极;以及
第二电容器,包括第一电极和连接到所述第一晶体管的所述第二电极的第二电极。
11.根据权利要求10所述的发光显示装置,其中:
所述第二晶体管的所述栅电极连接到第一扫描线;
所述第三晶体管的所述栅电极和所述第七晶体管的所述栅电极连接到第二扫描线;
所述第四晶体管的所述栅电极连接到第三扫描线;并且
所述第八晶体管的所述栅电极连接到第四扫描线。
12.根据权利要求11所述的发光显示装置,其中:
在初始化时段中,所述第四晶体管的栅导通电压被施加到所述第三扫描线,所述第八晶体管的栅导通电压被施加到所述第四扫描线,所述第二晶体管的栅截止电压被施加到所述第一扫描线,并且所述第三晶体管和所述第七晶体管的栅截止电压被施加到所述第二扫描线。
13.根据权利要求12所述的发光显示装置,其中:
在补偿时段中,所述第三晶体管和所述第七晶体管的栅导通电压被施加到所述第二扫描线,所述第四晶体管的所述栅导通电压被施加到所述第三扫描线,所述第二晶体管的所述栅截止电压被施加到所述第一扫描线,并且所述第八晶体管的栅截止电压被施加到所述第四扫描线。
14.根据权利要求13所述的发光显示装置,其中:
在写入时段中,所述第二晶体管的栅导通电压被施加到所述第一扫描线,所述第三晶体管和所述第七晶体管的所述栅截止电压被施加到所述第二扫描线,所述第四晶体管的栅截止电压被施加到所述第三扫描线,并且所述第八晶体管的所述栅截止电压被施加到所述第四扫描线。
15.根据权利要求11所述的发光显示装置,其中:
所述第五晶体管的所述栅电极和所述第六晶体管的所述栅电极连接到第一发光信号线。
16.根据权利要求15所述的发光显示装置,其中:
在发光时段中,所述第五晶体管和所述第六晶体管的栅导通电压被施加到所述第一发光信号线,所述第二晶体管的栅截止电压被施加到所述第一扫描线,所述第三晶体管和所述第七晶体管的栅截止电压被施加到所述第二扫描线,所述第四晶体管的栅截止电压被施加到所述第三扫描线,并且所述第八晶体管的栅截止电压被施加到所述第四扫描线。
17.根据权利要求10所述的发光显示装置,其中:
所述第三晶体管的所述第一电极和所述第七晶体管的所述第一电极连接到所述第一驱动电压线。
18.根据权利要求10所述的发光显示装置,其中:
所述第三晶体管的所述第一电极和所述第七晶体管的所述第一电极接收与被施加到所述第一驱动电压线的电压不同的电压。
19.根据权利要求10所述的发光显示装置,其中:
所述第二电容器的所述第一电极连接到所述第一驱动电压线。
20.根据权利要求10所述的发光显示装置,其中:
所述第二电容器的所述第一电极接收与被施加到所述第一驱动电压线的电压不同的电压。
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