CN117498659A - 一种实现软开通软关断的无桥整流器 - Google Patents

一种实现软开通软关断的无桥整流器 Download PDF

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CN117498659A CN202311328156.8A CN202311328156A CN117498659A CN 117498659 A CN117498659 A CN 117498659A CN 202311328156 A CN202311328156 A CN 202311328156A CN 117498659 A CN117498659 A CN 117498659A
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杨国勋
寇秋林
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Abstract

本发明提供一种实现软开通软关断的无桥整流器,涉及无线电能传输技术领域,包括:无桥整流电路,无桥整流电路的第一驱动端和第二驱动端分别连接控制电路的第一驱动端和第二驱动端;感应线圈,感应线圈的一端连接无桥整流电路的第一接线端,感应线圈的另一端连接无桥整流电路的第二接线端;过零检测电路,过零检测电路的检测端连接感应线圈的一端,过零检测电路的信号端连接控制电路的信号接收端;缓冲电路,并联在无桥整流电路中;控制电路驱动无桥整流电路在感应线圈两端的电压从负变为零时导通以及在电压从零上升为正电压时关断。有益效果是实现软开通和软关断提升***的转换效率,降低场效应晶体管开关时产生的共模噪声。

Description

一种实现软开通软关断的无桥整流器
技术领域
本发明涉及无线电能传输技术领域,尤其涉及一种实现软开通软关断的无桥整流器。
背景技术
在无线电能传输***的功率传输阶段,为了解决车载端整流器中MOSFET开关引起的问题,一种常见的解决方案是采用软开关技术和snubber电路。
软开关技术是指通过控制电路中MOSFET开关的时间和方式,使其在开关过程中尽量减少硬开通和硬关断的状态。相比于硬开关,软开关技术可以降低MOSFET的开关损耗和发热,提高***的转换效率。在软开关技术中,一种常见的方法是采用零电压开关(ZeroVoltage Switching,ZVS)或者零电流开关(Zero Current Switching,ZCS)。这些技术利用电路中的谐振元件(如电感和电容等)来控制电流或电压的瞬间变化,使MOSFET在开关时接近零电压或零电流的状态,从而实现软开关操作。
但是现在的车载端的整流器电路结构复杂,设计难度大,成本高,需要一种结构更简单、同时也能实现软开通和软关断的无桥整流器。
发明内容
针对现有技术中存在的问题,本发明提供一种实现软开通软关断的无桥整流器,包括:
无桥整流电路,所述无桥整流电路的第一驱动端和第二驱动端分别连接控制电路的第一驱动端和第二驱动端;
感应线圈,所述感应线圈的一端连接所述无桥整流电路的第一接线端,所述感应线圈的另一端连接所述无桥整流电路的第二接线端;
过零检测电路,所述过零检测电路的检测端连接感应线圈的一端,所述过零检测电路的信号端连接所述控制电路的信号接收端;
缓冲电路,并联在所述无桥整流电路中;
所述控制电路根据所述感应线圈产生的交流电的周期计算得到电流电压过零相位差以及所述感应线圈电压维持在高电平或低电平的电压保持时长,随后根据所述电压保持时长和所述电流电压过零相位差计算得到比较基准,并且根据所述过零检测电路在所述感应线圈产生的交流电的电流从负变化为零时产生的过零信号开始计数,随后根据所述比较基准和计数结果驱动所述无桥整流电路在所述感应线圈两端的电压从负变为零时导通以及在所述电压从零上升为正电压时关断。
优选的,所述无桥整流电路包括:
第一场效应晶体管,所述第一场效应晶体管的漏极连接所述第一二极管的阳极,所述第一场效应晶体管的源极连接第二场效应晶体管的源极,所述第一场效应晶体管的源极和漏极并联有第一寄生电容,所述第二场效应管的源极和漏极并联有第二寄生电容;
第一二极管,所述第一二极管的阴极连接第二二极管的阴极,所述第二二极管的阳极连接所述第二场效应晶体管的漏极;
电池,所述电池的正极连接所述第二二极管的阴极,所述电池的负极连接所述第二场效应晶体管的源极;
所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管的基极分别作为所述无桥整流电路的第一驱动端和第二驱动端;
所述第一二极管和所述第二二极管的阳极分别作为所述无桥整流电路的第一接线端和第二接线端。
优选的,所述感应线圈包括:
第一电感,所述第一电感的一端连接第一电容的一端,所述第一电感的另一端作为所述感应线圈的第一接线端;
第二电感,所述第二电感的一端连接所述第二电容的一端和所述第一电容的另一端,所述第二电容的另一端连接所述第一电感的一端,所述第二电感的另一端作为所述感应线圈的第二接线端。
优选的,所述缓冲电路包括:
第一缓冲电容,所述第一缓冲电容的一端连接所述第一二极管的阳极,所述第一缓冲电容的另一端连接所述第一二极管的阴极;
第二缓冲电容,所述第二缓存电容的一端连接所述第二二极管的阳极,所述第二缓冲电容的另一端连接所述第二二极管的阳极。
优选的,所述控制电路包括:
信号处理子电路,所述信号处理子电路的信号接收端作为所述控制电路的信号接收端连接所述过零检测电路的信号端,用于根据所述感应线圈产生的交流电的周期计算得到所述电流电压过零相位差,以及电压维持在高电平或低电平的所述电压保持时长,随后根据所述电压保持时长和所述电流电压过零相位差计算得到比较基准,并且在所述感应线圈产生的交流电的电压从负变化为零时开始计数,根据所述比较基准和所述计数结果处理得到第一占空比和第二占空比;
信号输出子电路,所述信号输出子电路的控制端连接所述信号处理子电路的信号输出端,所述信号输出子电路的第一驱动端和第二驱动端分别连接所述无桥整流电路的第一驱动端和第二驱动端,用于根据所述第一占空比生成第一脉宽调整波形从所述第一驱动端输出,以及根据所述第二占空比生成第二脉宽调整波形从所述第二驱动端输出。
优选的,所述信号处理子电路包括:第一计数器、第二计数器和连接所述第一计数器和所述第二计数器的控制器,所述控制器的信号接收端作为所述信号处理子电路的信号接收端,所述控制器的信号输出端作为所述信号处理子电路的信号输出端;
所述控制器包括:
参数计算模块,用于计算得到一个交流电周期内所述感应线圈产生的交流电从负变零时刻与所述感应线圈两端的电压从负变零时刻之间的所述电流电压过零相位差,以及电压维持在高电平或低电平的电压保持时长,根据所述电压保持时长和所述电流电压过零相位差计算得到所述比较基准;
第一控制模块,连接所述参数计数模块,用于配置所述第一计数器从预设的第一数值到计数上限的计数时长等于所述电流电压过零相位差,在接收到所述过零信号时控制所述第一计数器从所述第一数值开始计数得到第一计数结果,在所述第一计数结果大于所述比较基准时输出高电平以及在所述第一计数结果不大于所述比较基准时输出低电平以形成所述第一占空比;
第二控制模块,连接所述参数计数模块,用于配置所述第二计数器从预设的第二数值到计数上限的计数时长与所述第一计数器从预设的第一数值到计数上限的计数时长相差预设相位,在接收到所述过零信号时控制所述第二计数器从所述第二数值开始计数得到第二计数结果,在所述第二计数结果大于所述比较基准时输出高电平以及在所述第二计数结果不大于所述比较基准时输出低电平以形成所述第二占空比。
优选的,所述第二计数器与所述第一计数器计数周期之间相差的所述预设相位为180度。
优选的,所述参数计算模块中根据所述电压保持时长和所述电流电压过零相位差计算得到所述比较基准满足以下公式:
Φui+90°-β=CMPA_EPWM7
其中,Φui为所述电流电压过零相位差,β为所述电压保持时长的二分之一,CMPA_EPWM7为所述比较基准。
上述技术方案具有如下优点或有益效果:在感应线圈进行功率传输时,根据产生的感应电流的交替周期控制场效应晶体管的开通时间保证软开通,通过在二极管上并联缓冲电容保证场效应晶体管的软关断,可以有效减少场效应晶体管的发热、提升***的转换效率以及降低场效应晶体管开关时产生的共模噪声。
附图说明
图1为本发明的较佳的实施例中,一种实现软开通软关断的无桥整流器的结构示意图;
图2为本发明的较佳的实施例中,电流、电压、计数结果及占空比对比示意图;
图3-图8为本发明的较佳的实施例中,不同时刻无桥整流电路中的电流流向示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。本发明并不限定于该实施方式,只要符合本发明的主旨,则其他实施方式也可以属于本发明的范畴。
本发明的较佳的实施例中,基于现有技术中存在的上述问题,现提供一种实现软开通软关断的无桥整流器,包括:
无桥整流电路1,无桥整流电路的第一驱动端和第二驱动端分别连接控制电路2的第一驱动端和第二驱动端;
感应线圈3,感应线圈3的一端连接无桥整流电路1的第一接线端,感应线圈的另一端连接无桥整流电路1的第二接线端;
过零检测电路4,过零检测电路4的检测端连接感应线圈3的一端,过零检测电路的信号端连接控制电路2的信号接收端;
缓冲电路5,并联在无桥整流电路1中;
控制电路2根据感应线圈3产生的交流电的周期计算得到电流电压过零相位差以及感应线圈3电压维持在高电平或低电平的电压保持时长,随后根据电压保持时长和电流电压过零相位差计算得到比较基准,并且根据过零检测电路4在感应线圈产生的交流电的电流从负变化为零时产生的过零信号开始计数,随后根据比较基准和计数结果驱动无桥整流电路1在感应线圈3两端的电压从负变为零时导通以及在电压从零上升为正电压时关断。
本发明的较佳的实施例中,无桥整流电路1包括:
第一场效应晶体管Q1,第一场效应晶体管Q1的漏极连接第一二极管D1的阳极,第一场效应晶体管Q1的源极连接第二场效应晶体管Q2的源极,第一场效应晶体管Q1的源极和漏极并联有第一寄生电容QC1,第二场效应管Q2的源极和漏极并联有第二寄生电容QC2;
第一二极管D1,第一二极管D1的阴极连接第二二极管D2的阴极,第二二极管D2的阳极连接第二场效应晶体管Q2的漏极;
电池BATT,电池BATT的正极连接第二二极管D2的阴极,电池的BATT负极连接第二场效应晶体管Q2的源极;
第一场效应晶体管Q1和第二场效应晶体管Q2的基极分别作为无桥整流电路1的第一驱动端和第二驱动端;
第一二极管D1和第二二极管D2的阳极分别作为无桥整流电路1的第一接线端和第二接线端。
本发明的较佳的实施例中,感应线圈2包括:
第一电感L1,第一电感L1的一端连接第一电容C1的一端,第一电感L1的另一端作为感应线圈3的第一接线端;
第二电感L2,第二电感L2的一端连接第二电容C2的一端和第一电容C1的另一端,第二电容C2的另一端连接第一电感L1的一端,第二电感L2的另一端作为感应线圈3的第二接线端。
本发明的较佳的实施例中,缓冲电路5包括:
第一缓冲电容SC1,第一缓冲电容SC1的一端连接第一二极管D1的阳极,第一缓冲电容SC1的另一端连接第一二极管D1的阴极;
第二缓冲电容SC2,第二缓存电容SC2的一端连接第二二极管D2的阳极,第二缓冲电容SC2的另一端连接第二二极管D2的阳极。
本发明的较佳的实施例中,控制电路2包括:
信号处理子电路21,信号处理子电路21的信号接收端作为控制电路2的信号接收端连接过零检测电路4的信号端,用于根据感应线圈3产生的交流电的周期计算得到电流电压过零相位差,以及电压维持在高电平或低电平的电压保持时长,随后根据电压保持时长和电流电压过零相位差计算得到比较基准,并且在感应线圈产生的交流电的电压从负变化为零时开始计数,根据比较基准和计数结果处理得到第一占空比和第二占空比;
信号输出子电路22,信号输出子电路22的控制端连接信号处理子电路21的信号输出端,信号输出子电路22的第一驱动端和第二驱动端分别连接无桥整流电路1的第一驱动端和第二驱动端,用于根据第一占空比生成第一脉宽调整波形从第一驱动端输出,以及根据第二占空比生成第二脉宽调整波形从第二驱动端输出。
本发明的较佳的实施例中,信号处理子电路21包括:第一计数器221、第二计数器222和连接第一计数器221和第二计数器222的控制器223,控制器223的信号接收端作为信号处理子电路21的信号接收端,控制器223的信号输出端作为信号处理子电路21的信号输出端;
控制器223包括:
参数计算模块2231,用于计算得到一个交流电周期内感应线圈产生的交流电从负变零时刻与感应线圈3两端的电压从负变零时刻之间的电流电压过零相位差,以及电压维持在高电平或低电平的电压保持时长,根据电压保持时长和电流电压过零相位差计算得到比较基准;
第一控制模块2232,连接参数计数模块2231,用于配置第一计数器221从预设的第一数值到计数上限的计数时长等于电流电压过零相位差,在接收到过零信号时控制第一计数器221从第一数值开始计数得到第一计数结果,在第一计数结果大于比较基准时输出高电平以及在第一计数结果不大于比较基准时输出低电平以形成第一占空比;
第二控制模块2233,连接参数计数模块2232,用于配置第二计数器222从预设的第二数值到计数上限的计数时长与第一计数器221从预设的第一数值到计数上限的计数时长相差预设相位,在接收到过零信号时控制第二计数器222从第二数值开始计数得到第二计数结果,在第二计数结果大于比较基准时输出高电平以及在第二计数结果不大于比较基准时输出低电平以形成第二占空比。
本发明的较佳的实施例中,第二计数器与第一计数器计数周期之间相差的预设相位为180度。
本发明的较佳的实施例中,参数计算模块中根据电压保持时长和电流电压过零相位差计算得到比较基准满足以下公式:
Φui+90°-β=CMPA_EPWM7
其中,Φui为电流电压过零相位差,β为电压保持时长的二分之一,CMPA_EPWM7为比较基准。
具体的,本实施例中,如图1所示,为本发明的一种实现软开通软关断的无桥整流器的结构示意图,通过感应线圈3产生感应电流对电池BATT充电,如图2所示,图中为多个交流电周期,一个周期包含t0-t9时刻,Uab表示ab之间的电压值,Iab表示ab间的感应电流,控制器223在接收到过零信号时控制第一计数器221和第二计数器222开始计数,得到第一计数结果EPWM1和第二计数结果EPWM2,CMPA_EPWM7和CMPA_EPWM8分别为两个比较器用于将第一计数结果和第二计数结果与比较基准进行比较,图中用CMPA_EPWM表示比较基准,同时控制器223根据第一计数结果、第二计数结果分别与比较基准的大小关系计算出对第一场效应晶体管Q1和第一场效应晶体管Q2输出的PWM信号的第一占空比和第二占空比;
如图2中所示,β为电压保持时长(保持正电压或者保持负电压)的二分之一,控制第一场效应晶体管Q1和第二场效应晶体管Q2按照第一占空比和第二占空比进行导通或关断;
过零检测电路4在每个交流电周期中电流从负转为零的一刻对控制器输出过零信号,
控制器223在接收到过零信号时控制第一计数器从第一数值开始计数得到第一计数结果,在第一计数结果大于比较基准时输出高电平以及在第一计数结果不大于比较基准时输出低电平以形成第一占空比;
控制器223在接收到过零信号时控制第二计数器从第二数值开始计数得到第二计数结果,在第二计数结果大于比较基准时输出高电平以及在第二计数结果不大于比较基准时输出低电平以形成第二占空比;
根据第一占空比和第二占空比分别输出pwm(脉宽调制信号)给第一场效应晶体管Q1和第二场效应晶体管Q2,图2中的Q1,Q2表示对第一场效应晶体管Q1输出的第一脉宽调制波形和对第二场效应晶体管Q2输出的第二脉宽调制波形,表示第一场效应晶体管Q1和第二场效应晶体管Q2的开通状态。
结合图2和如图3所示,在t0时刻之前,电流处于反向,此时第一场效应晶体管Q1导通,在无桥整流电路1中的电流的方向如图所示,电流从无桥整流电路1的第一接线端流入,从无桥整流电路2的第二接线端流出;
结合图2和如图4所示,在t0时刻瞬间,过零检测电路4检测到电流换向,输出过零信号,第一计数器221从预设的第一数值开始计数,(第一计数器从预设的第一数值到计数上限的计数时长等于电流电压过零相位差Φui),第二计数器222从预设的第二数值开始计数第二计数器从预设的第二数值到计数上限的计数时长与第一计数器从预设的第一数值到计数上限的计数时长相差预设相位,此处预设相位设置为180度,第二场效应晶体Q2管并联的第二寄生电容QC2被放电,因为在第二二极管D2上并联有第二缓冲电容SC2,第二缓冲电容SC2需要充电电流,那么第二寄生电容SC2的放电电流会减小,第二场效应晶体管Q2的DS电压开始缓慢降低,电流从第二接线端流入,经过第一场效应晶体管Q1后分为两路,一路流向电池BATT随后经过第二缓冲电容SC2从第一接线端流出,另一路流向第二寄生电容QC2随后从第一接线端流出;
结合图2和如图5所示,在t1时刻,第二寄生电容QC2放电至零,第一寄生电容QC1充电至和电池BATT电压相等为Vbatt,电流从第二接线端流入,经过第一场效应晶体管Q1流向第二场效应晶体管Q2中的二极管随后从第一接线端流出;
结合图2和如图6所示,在t2时刻,控制第二场效应晶体管Q2变为为开通状态,经过信号输出子电路22中的驱动芯片延迟及开通延迟后(控制器中配置,时长为90°-β),第二场效应晶体管Q2实现零电压开通,也就是零电压开通。也就是通过控制t2-t0的时间长度(即第二计数器从第二数值开始计数到第二计数结果大于比较基准的时间)可以保证第二场效应晶体管Q2的DS电压降低为零以后再开通,电流从第一接线端流入,流经第一场效应晶体管Q1和第二场效应晶体管Q2后从第二接线端流出;
结合图2和图7所示,t3时刻是PWM信号置零时刻。在t3时刻,信号输出子电路22向第一场效应晶体管Q1输出的PWM信号电压变零。经过驱动芯片延迟及关断延迟后(控制器中配置,时长为90°-β),第一场效应晶体管Q1在t4时刻关断。第一场效应晶体管Q1在关断后,使Iab电流有一部分给第一缓冲电容SC1放电,这样给第一寄生电容QC1充电的电流变小,那么第一场效应晶体管Q1两端电压上升速度就会变慢,实现软关断的目的。从图2中可以看出来,在t7时刻第一场效应晶体管Q1的电压上升以前电流已经降低为零,
C3和C4电容的充放电时间由如下公式决定:
可以看出,充放电时间长短由C3+C4大小、Vbatt大小以及Iab决定.
电流从第二接线端流入分为两路,一路经由第一缓冲电容SC1、电池BATT和第二场效应晶体管Q2后从第一接线端流出,另一路为经由第一寄生电容QC1、第二场效应晶体管Q2后从第一接线端流出。
结合如图8所示,在t4时刻,第一场效应晶体管Q1的第一寄生电容QC1的电压被充至Vbatt,第一二极管D1实现零电压开通,电流从第二接线端流入经过电池和第二场效应晶体管后从第一接线端流出。
以上仅为本发明较佳的实施例,并非因此限制本发明的实施方式及保护范围,对于本领域技术人员而言,应当能够意识到凡运用本说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案,均应当包含在本发明的保护范围内。

Claims (8)

1.一种实现软开通软关断的无桥整流器,其特征在于,包括:
无桥整流电路,所述无桥整流电路的第一驱动端和第二驱动端分别连接控制电路的第一驱动端和第二驱动端;
感应线圈,所述感应线圈的一端连接所述无桥整流电路的第一接线端,所述感应线圈的另一端连接所述无桥整流电路的第二接线端;
过零检测电路,所述过零检测电路的检测端连接感应线圈的一端,所述过零检测电路的信号端连接所述控制电路的信号接收端;
缓冲电路,并联在所述无桥整流电路中;
所述控制电路根据所述感应线圈产生的交流电的周期计算得到电流电压过零相位差以及所述感应线圈电压维持在高电平或低电平的电压保持时长,随后根据所述电压保持时长和所述电流电压过零相位差计算得到比较基准,并且根据所述过零检测电路在所述感应线圈产生的交流电的电流从负变化为零时产生的过零信号开始计数,随后根据所述比较基准和计数结果驱动所述无桥整流电路在所述感应线圈两端的电压从负变为零时导通以及在所述电压从零上升为正电压时关断。
2.根据权利要求1所述的无桥整流器,其特征在于,所述无桥整流电路包括:
第一场效应晶体管,所述第一场效应晶体管的漏极连接所述第一二极管的阳极,所述第一场效应晶体管的源极连接第二场效应晶体管的源极,所述第一场效应晶体管的源极和漏极并联有第一寄生电容,所述第二场效应管的源极和漏极并联有第二寄生电容;
第一二极管,所述第一二极管的阴极连接第二二极管的阴极,所述第二二极管的阳极连接所述第二场效应晶体管的漏极;
电池,所述电池的正极连接所述第二二极管的阴极,所述电池的负极连接所述第二场效应晶体管的源极;
所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管的基极分别作为所述无桥整流电路的第一驱动端和第二驱动端;
所述第一二极管和所述第二二极管的阳极分别作为所述无桥整流电路的第一接线端和第二接线端。
3.根据权利要求1所述的无桥整流器,其特征在于,所述感应线圈包括:
第一电感,所述第一电感的一端连接第一电容的一端,所述第一电感的另一端作为所述感应线圈的第一接线端;
第二电感,所述第二电感的一端连接所述第二电容的一端和所述第一电容的另一端,所述第二电容的另一端连接所述第一电感的一端,所述第二电感的另一端作为所述感应线圈的第二接线端。
4.根据权利要求2所述的无桥整流器,其特征在于,所述缓冲电路包括:
第一缓冲电容,所述第一缓冲电容的一端连接所述第一二极管的阳极,所述第一缓冲电容的另一端连接所述第一二极管的阴极;
第二缓冲电容,所述第二缓存电容的一端连接所述第二二极管的阳极,所述第二缓冲电容的另一端连接所述第二二极管的阳极。
5.根据权利要求1所述的无桥整流器,其特征在于,所述控制电路包括:
信号处理子电路,所述信号处理子电路的信号接收端作为所述控制电路的信号接收端连接所述过零检测电路的信号端,用于根据所述感应线圈产生的交流电的周期计算得到所述电流电压过零相位差,以及电压维持在高电平或低电平的所述电压保持时长,随后根据所述电压保持时长和所述电流电压过零相位差计算得到比较基准,并且在所述感应线圈产生的交流电的电压从负变化为零时开始计数,根据所述比较基准和所述计数结果处理得到第一占空比和第二占空比;
信号输出子电路,所述信号输出子电路的控制端连接所述信号处理子电路的信号输出端,所述信号输出子电路的第一驱动端和第二驱动端分别连接所述无桥整流电路的第一驱动端和第二驱动端,用于根据所述第一占空比生成第一脉宽调整波形从所述第一驱动端输出,以及根据所述第二占空比生成第二脉宽调整波形从所述第二驱动端输出。
6.根据权利要求5所述的无桥整流器,其特征在于,所述信号处理子电路包括:第一计数器、第二计数器和连接所述第一计数器和所述第二计数器的控制器,所述控制器的信号接收端作为所述信号处理子电路的信号接收端,所述控制器的信号输出端作为所述信号处理子电路的信号输出端;
所述控制器包括:
参数计算模块,用于计算得到一个交流电周期内所述感应线圈产生的交流电从负变零时刻与所述感应线圈两端的电压从负变零时刻之间的所述电流电压过零相位差,以及电压维持在高电平或低电平的电压保持时长,根据所述电压保持时长和所述电流电压过零相位差计算得到所述比较基准;
第一控制模块,连接所述参数计数模块,用于配置所述第一计数器从预设的第一数值到计数上限的计数时长等于所述电流电压过零相位差,在接收到所述过零信号时控制所述第一计数器从所述第一数值开始计数得到第一计数结果,在所述第一计数结果大于所述比较基准时输出高电平以及在所述第一计数结果不大于所述比较基准时输出低电平以形成所述第一占空比;
第二控制模块,连接所述参数计数模块,用于配置所述第二计数器从预设的第二数值到计数上限的计数时长与所述第一计数器从预设的第一数值到计数上限的计数时长相差预设相位,在接收到所述过零信号时控制所述第二计数器从所述第二数值开始计数得到第二计数结果,在所述第二计数结果大于所述比较基准时输出高电平以及在所述第二计数结果不大于所述比较基准时输出低电平以形成所述第二占空比。
7.根据权利要求6所述的无桥整流器,其特征在于,所述第二计数器与所述第一计数器计数周期之间相差的所述预设相位为180度。
8.根据权利要求6所述的无桥整流器,其特征在于,所述参数计算模块中根据所述电压保持时长和所述电流电压过零相位差计算得到所述比较基准满足以下公式:
Φui+90°-β=CMPA_EPWM7
其中,Φui为所述电流电压过零相位差,β为所述电压保持时长的二分之一,CMPA_EPWM7为所述比较基准。
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