CN117438522A - 发光装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种在发光面内具有高亮度区域的发光装置。发光装置(100)在上表面具有第一发光区域(R1)、第二发光区域(R2)，包括：发光元件(10)；具有第一上表面(20a)、第二上表面(20b)、下表面(20c)、第一侧面(20d)、第二侧面(20e)、第三侧面(20f)，并且从下表面(20c)到第一上表面(20a)的厚度比从下表面(20c)到第二上表面(20b)的厚度大的透光性部件(20)；光调整部件(31)；第二发光区域(R2)的面积为发光区域的面积的35％以上95％以下，第一发光区域(R1)与第二发光区域(R2)的边界具有与发光区域的外周相接的第一点以及第二点，在俯视时，连结第一点以及第二点的直线为贯穿发光区域的直线。
Description
技术领域
本公开涉及发光装置。
背景技术
近年来，作为头灯等车辆用灯具的光源，使用LED。例如在专利文献1中，公开有通过将面积不同的多个发光元件组合，而具有适合头灯的配光的发光装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-011259号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
本公开以提供在发光面内具有高亮度区域的发光装置为课题。
用于解决课题的手段
本公开的实施方式的发光装置在上表面具有发光区域，该发光区域包括第一发光区域、与所述第一发光区域邻接地配置的第二发光区域，所述发光装置包括：发光元件，其具有：支承基板，该支承基板具有第一面以及位于所述第一面的相反的一侧的第二面；发光部，该发光部配置于所述支承基板的第二面，包含依次具有第一半导体层、发光层以及第二半导体层的半导体层叠体；透光性部件，其具有：第一上表面、第二上表面、位于所述第一上表面以及所述第二上表面的相反的一侧的下表面、与所述第一上表面和所述第二上表面连续的第一侧面、与所述第二上表面和所述下表面连续的第二侧面、与所述第一上表面和所述下表面连续的第三侧面，并配置为从所述下表面到所述第一上表面的厚度比从所述下表面到所述第二上表面的厚度大，所述下表面与所述支承基板的第一面对置；光调整部件，其使所述透光性部件的所述第一上表面露出，覆盖所述第二上表面以及所述第一侧面；在俯视时，所述第一发光区域包括所述第一上表面，所述第二发光区域包括所述第二上表面，所述第二发光区域的面积为所述发光区域的面积的35％以上95％以下，所述第一发光区域与所述第二发光区域的边界具有与所述发光区域的外周相接的第一点以及第二点，在俯视时，连结所述第一点以及所述第二点的直线为横穿所述发光区域的直线。
发明效果
根据本公开的实施方式，能够提供在发光面内具有高亮度区域的发光装置。
附图说明
图1A是示意性表示第一实施方式的发光装置的立体图。
图1B是示意性表示第一实施方式的发光装置的俯视图。
图1C是对第一实施方式的发光装置的发光区域的形状进行说明的示意性俯视图。
图1D是示意性表示图1B的ID-ID线中的剖面的剖面图。
图1E是示意性表示第一实施方式的发光装置的发光元件的下表面图。
图1F是示意性表示第一实施方式的发光装置的发光元件的剖面图。
图1G是对第一实施方式的发光装置的布线基板进行说明的示意性俯视图。
图1H是示意性表示第一实施方式的发光装置的布线基板的俯视图。
图2是示意性表示来自第一实施方式的发光装置的发光部的光路的剖面图。
图3是第一实施方式的发光装置的制造方法的流程图。
图4A是示意性表示第一实施方式的发光装置的制造方法的俯视图。
图4B是示意性表示第一实施方式的发光装置的制造方法的剖面图。
图4C是示意性表示第一实施方式的发光装置的制造方法的俯视图。
图4D是示意性表示第一实施方式的发光装置的制造方法的剖面图。
图4E是示意性表示第一实施方式的发光装置的制造方法的俯视图。
图4F是示意性表示第一实施方式的发光装置的制造方法的剖面图。
图4G是示意性表示第一实施方式的发光装置的制造方法的剖面图。
图4H是示意性表示第一实施方式的发光装置的制造方法的剖面图。
图4I是示意性表示第一实施方式的发光装置的制造方法的剖面图。
图4J是示意性表示第一实施方式的发光装置的制造方法的剖面图。
图5A是示意性表示第二实施方式的发光装置的剖面图。
图5B是示意性表示第三实施方式的发光装置的剖面图。
图5C是示意性表示第四实施方式的发光装置的剖面图。
图5D是示意性表示第五实施方式的发光装置的剖面图。
图6是示意性表示第六实施方式的发光装置的剖面图。
图7是示意性表示第七实施方式的发光装置的剖面图。
图8A是对第八实施方式的发光装置的发光区域的形状进行说明的示意性俯视图。
图8B是对第九实施方式的发光装置的发光区域的形状进行说明的示意性俯视图。
图9是示意性表示第十实施方式的发光装置的剖面图。
图10是示意性表示第十一实施方式的发光装置的剖面图。
图11是示意性表示第十二实施方式的发光装置的剖面图。
附图标记说明
10、10A发光元件
101半导体晶圆
11第一发光部
12第二发光部
11A发光部
111第一半导体层
121第一半导体层
112发光层
122发光层
113第二半导体层
123第二半导体层
15支承基板
15a第一面
15b第二面
151龟裂
16第一元件电极
17第二元件电极
161N侧电极
162P侧电极
163N侧电极
171N侧电极
172P侧电极
173N侧电极
20、20A，20B，20C透光性部件
20a，20Aa，20Ca第一上表面
20b，20Ab，20Cb第二上表面
20c，20Ac，20Bc，20Cc下表面
20D，20Cd第一侧面
20e，20e第二侧面
20f，20Cf第三侧面
20b1曲面部
200透光性部件
200a第一面
200b第二面
210透光性部件
23、24突出部
25凹部
30、30A，30B光调整部件
31光调整部件
31A，31B光调整部件(第一光调整部件)
32光调整部件(第二光调整部件)
40布线基板
41基材
42布线
421第一布线
422第二布线
423第三布线
441电子部件
50导电部件
61刀片
611去除线
612第一槽部
62刀片
621去除线
622第二槽部
70夹持部
71调整部
72吸附部
80透光板
81透光板
90导光部件
100、100B，100C，100D，100E，100F，100G，100H，100I发光装置R发光区域
R1第一发光区域
R2第二发光区域
P1第一点
P2第二点
S1，S2、S3直线
T1，T2、T3厚度
D1深度
W1宽度
具体实施方式
以下一边参照附图一边对实施方式进行说明。但是，以下所示的方式例示了为了具现化本实施方式的技术思想的发光装置以及发光装置的制造方法，以下并不是为了限定。另外，实施方式所记载的构成部件的尺寸、材质、形状、其相对的配置等，只要没有特定的记载，并不是为了将本发明的范围限定于此，仅仅是例示。需要说明的是，各附图所示的部件的大小、位置关系等，有时为了明确说明而夸张或简化。另外，为了避免附图过度复杂，有时会省略一部分要素的图示，或者作为剖面图，使用仅表示剖面的端面图。进一步地，“覆盖”不限于直接相接的情况，还包括间接地，例如经由其他部件覆盖的情况。另外，“配置”不限于直接相接的情况，还包括间接地，例如经由其他部件配置的情况。需要说明的是，在本说明书中“俯视”表示从作为发光装置的发光面的上表面侧观察。
＜第一实施方式>
[发光装置]
图1A是示意性表示第一实施方式的发光装置的立体图。图1B是示意性表示第一实施方式的发光装置的俯视图。图1C是对第一实施方式的发光装置的发光区域的形状进行说明的示意性俯视图。图1D是示意性表示图1B的ID-ID线中的剖面的剖面图。图1E是示意性表示第一实施方式的发光装置的发光元件的下表面图。图1F是示意性表示第一实施方式的发光装置的发光元件的剖面图。图1G是示意性表示第一实施方式的发光装置的布线基板的示意性俯视图。图1H是示意性表示第一实施方式的发光装置的布线基板的俯视图。图2是示意性表示来自第一实施方式的发光装置的发光部的光路的剖面图。
发光装置100在上表面具有发光区域R，发光区域R包括第一发光区域R1、与第一发光区域R1邻接配置的第二发光区域R2。发光装置100至少包括发光元件10、透光性部件20、光调整部件30。具体而言，发光装置100包括：发光元件10、透光性部件20、光调整部件31，发光元件10具有支承基板15、发光部11、12，支承基板15具有第一面15a以及位于第一面15a的相反的一侧的第二面15b，发光部11、12包括配置于支承基板15的第二面15b，依次具有第一半导体层111、121、发光层112、122以及第二半导体层113、123的半导体层叠体，透光性部件20具有：第一上表面20a、第二上表面20b、位于第一上表面20a以及第二上表面20b的相反的一侧的下表面20c、与第一上表面20a和第二上表面20b连续的第一侧面20d、与第二上表面20b和下表面20c连续的第二侧面20e、与第一上表面20a和下表面20c连续的第三侧面20f，从下表面20c到第一上表面20a的厚度T1比从下表面20c到第二上表面20b的厚度T2大，下表面20c配置为与支承基板15的第一面15a对置，光调整部件31将透光性部件20的第一上表面20a露出，覆盖第二上表面20b以及第一侧面20d。
在俯视下，第一发光区域R1包括第一上表面20a，第二发光区域R2包括第二上表面20b，第二发光区域R2的面积为发光区域R的面积的35％以上95％以下，第一发光区域R1与第二发光区域R2的边界具有与发光区域R的外周相接的第一点P1以及第二点P2，在俯视下，连结第一点P1以及第二点P2的直线S1为横穿发光区域R的直线。
在发光装置100中，透光性部件20的第一上表面20a作为第一发光区域R1的发光面，光调整部件31的上表面作为第二发光区域R2的发光面，分别构成了发光装置100的上表面的一部分。在发光装置100中，发光区域R中的第一发光区域R1与第二发光区域R2的边界是与透光性部件20的第一侧面20d相连的第一上表面20a的外缘。
发光装置100由于具有上述构成，能够使从第一发光区域R1出射的光的亮度比从第二发光区域R2出射的光的亮度高。由此，发光装置100能够在发光面内具有高亮度区域。
发光装置100作为一个例子，作为还具有配置有发光元件10的布线基板40的构成进行说明。
以下，对发光装置100的发光区域以及各构成进行说明。
(发光区域)
发光装置100作为发光装置100的发光面，在上表面具有发光区域R，发光区域R包括：第一发光区域R1、与第一发光区域R1邻接的第二发光区域R2。具体而言，发光装置100在上表面具有发光区域R，发光区域R根据第一发光区域R1与第二发光区域R2的边界划分为亮度不同的两个区域。而且，第一发光区域R1的亮度比第二发光区域R2的亮度高。需要说明的是，第一发光区域R1的亮度比第二发光区域R2的亮度高是指在发光装置100的发光时，第一发光区域R1整体的平均亮度比第二发光区域R2整体的平均亮度高。
第一发光区域R1以及第二发光区域R2在俯视时，分别具有与发光元件10重叠的区域，并且，分别具有与透光性部件20重叠的区域。
在俯视时，第一发光区域R1包括第一上表面20a，第二发光区域R2包括第二上表面20b。在本实施方式中，在俯视时，第一发光区域R1与第一上表面20a重叠，第二发光区域R2与第二上表面20b重叠。需要说明的是，在俯视时，第一发光区域R1的一部分也可以具有不与第一上表面20a重叠的部分，第二发光区域R2的一部分也可以具有不与第二上表面20b重叠的部分。
第一发光区域R1与第二发光区域R2的边界具有与发光区域R的外周相接的第一点P1以及第二点P2，在俯视时，连结第一点P1以及第二点P2的直线S1是横穿发光区域R的直线。在此，横穿发光区域R的直线是将发光区域R划分为两个区域的直线，不包含与发光区域R的外周重叠的直线等，在俯视时不与发光区域R重叠的直线。
这里，第一发光区域R1与第二发光区域R2的边界是连结第一点P1以及第二点P2的一条直线S1。即，在发光装置100中，第一发光区域R1与第二发光区域R2的边界和，边界与外周相接的连结第一点P1以及第二点P2的一条直线S1在俯视时一致。
如此，在发光装置100中，配置于上表面的发光区域R在横穿发光区域R的边界划分为亮度不同的两个区域。即，发光装置100在发光区域R中，高亮度区域(即第一发光区域R1)与低亮度区域(即第二发光区域R2)邻接地配置，各个外缘的一部分构成发光区域R的外缘。由此，例如在将发光装置100用于车载的头灯的光源时，能够成为分别适于近光、远光的所期望的配光的形成、适于截止线的形成发光装置100。
发光区域R中的第一发光区域R1与第二发光区域R2的面积比能够与所期望的配光配合地适当设定。
在俯视时，第二发光区域R2的面积优选为发光区域R的面积的35％以上95％以下。由此，发光装置100能够在发光面内具有高亮度区域。例如通过使第二发光区域R2的面积成为发光区域R的面积的35％以上75％以下，成为既能够抑制发光区域R整体的发光效率的降低，又能够在发光区域R的外缘附近具有高亮度区域的发光装置。进一步地，通过使第二发光区域R2的面积成为发光区域R的面积的75％以上95％以下，能够增大发光装置100的发光区域R内的低亮度区域与高亮度区域的亮度差，并且能够在照射区域的外缘的一部分局部地配置高亮度区域。
发光区域R中的第一发光区域R1与第二发光区域R2的亮度差能够与所期望的配光配合地适当设定。需要说明的是，发光区域R中的第二发光区域R2的所占比例越高，第一发光区域R1中的亮度与第二发光区域R2中的亮度相比能够相对地更高。
例如发光装置100由于第二发光区域R2相对于发光区域R具有上述面积比，因此能够使第二发光区域R2的亮度成为第一发光区域R1的亮度的5％以上80％以下。
例如第二发光区域R2的面积为发光区域R的面积的35％以上75％以下的发光装置适于第二发光区域R2的平均亮度为第一发光区域R1的平均亮度的20％以上95％以下。进一步地，第二发光区域R2的面积为发光区域R的75％以上95％以下的发光装置适于第二发光区域R2的平均亮度为第一发光区域R1的平均亮度的5％以上20％以下。
如此，为了成为配置有具有亮度差的第一发光区域R1和第二发光区域R2的发光装置100，在本实施方式中，在俯视时，位于第二发光区域R2的透光性部件20的厚度(即从下表面20c到第二上表面20b的最短距离)比位于第一发光区域R1的透光性部件20的厚度(即从下表面20c到第一上表面20a的最短距离)薄。而且，在俯视时，在位于第二发光区域R2的透光性部件20的上表面(即第二上表面20b)上配置有光调整部件31。光调整部件31是具有反射以及透光这两方的光学特性的光学部件。发光装置100由于具备覆盖第二上表面20b的光调整部件31，使从第二上表面20b出射的光的一部分反射而向第一发光区域R1侧导光，并能够从第一上表面20a出射。这样一来，发光装置100能够在发光区域R的第一发光区域R1具有高亮度区域。
而且，由于发光装置100的发光区域R包括有亮度差的第一发光区域R1以及第二发光区域R2，因此例如在将发光装置100用于车载的头灯的情况下，能够在照射区域的所期望的区域具有高亮度区域。即，不使用反射器、透镜等复杂的光学设计，就能够获得所期望的配光，因此能够使头灯小型化，进一步提高头灯的外观设计性。
(发光元件)
发光元件10具有支承基板15、发光部，支承基板15具有第一面15a以及位于第一面15a的相反的一侧的第二面15b，发光部包括配置于支承基板15的第二面15b，依次具有第一半导体层、发光层以及第二半导体层的半导体层叠体。发光元件10也可以具有多个发光部，这里，发光元件10在支承基板15的第二面15b中，具有分别分离配置的第一发光部11以及第二发光部12。具体而言，发光元件10具有：支承基板15、在支承基板15的第二面15b相邻配置的第一发光部11以及第二发光部12，配置于第一发光部11的第一元件电极16、配置于第二发光部12的第二元件电极17。第一光从发光元件10的第一发光部11出射，第二光从第二发光部12出射。
作为支承基板15，可以列举蓝宝石、尖晶石(MgAl2O4)那样的绝缘性基板、InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等氮化物系的半导体基板。需要说明的是，为了将从发光部出射的光经由支承基板15取出，支承基板15优选使用具有透光性的材料。
第一发光部11以及第二发光部12具备半导体层叠体。第一发光部11以及第二发光部12的半导体层叠体中，第一半导体层111、121、发光层112、122以及第二半导体层113、123分别依次配置于支承基板15。需要说明的是，在支承基板15与半导体层叠体之间也可以配置AlGaN等构成的缓冲层。第一发光部11与第二发光部12在支承基板15的第二面15b上隔开空间相邻配置。第一发光部11以及第二发光部12分别在与支承基板15相反的一侧的表面配置有用于供给来自外部的电力的元件电极。这里，在第一发光部11，作为第一元件电极16，配置有N侧电极161、P侧电极162、N侧电极163这三个元件电极。同样，在第二发光部12，作为第二元件电极17，配置有N侧电极171、P侧电极172、N侧电极173这三个元件电极。在发光元件10中，第一发光部11以及第二发光部12分离而电独立。
作为第一发光部11以及第二发光部12，能够选择出射任意波长的光的结构。例如出射蓝色系(例如波长430～500nm)、绿色系(例如波长500～570nm)的光的第一发光部11以及/或第二发光部12作为半导体层叠体，能够使用利用了氮化物系半导体(InXAlYGa1-X-YN，0≤X，0≤Y，X+Y≤1)，GaP等的结构。出射红色系(例如波长610～700nm)的光的第一发光部11以及/或第二发光部12作为半导体层叠体，除了氮化物系半导体元件以外能够使用GaAlAs，AlInGaP等。第一发光部11以及第二发光部12也可以具有相同的半导体层叠体构造，也可以具有不同的半导体层叠体构造。第一发光部11与第二发光部12在俯视时的面积可以相同，也可以不同。
发光元件10通过将第一发光部11以及第二发光部12以串联的方式连接，能够施加更多的电流，因此能够成为更高输出的发光元件10。发光元件10具有邻接地配置的第一发光部11以及第二发光部12的情况下，在俯视时，第一发光区域R1与第二发光区域R2的边界优选位于多个发光部11、12之间。在具有多个发光部的发光元件10中，在发光部11、12之间未配置有发光层112、122。即，发光元件10在发光部11、12间具有非发光区域。此时，在支承基板15的第一面15a中的非发光区域的正上方的区域中，有时亮度比发光部11、12的正上方的区域低。因此，通过将发光部11、12间的非发光区域配置于第一发光区域R1与第二发光区域R2之间，能够抑制发光区域R中的发光不均。
(透光性部件)
发光装置100具备配置为下表面20c与支承基板15的第一面15a对置的透光性部件20。透光性部件20的平面形状能够是圆形、椭圆形、四边形或六角形等多边形等各种形状。其中，优选的是正方形、长方形等矩形。透光性部件20这里作为一个例子，平面形状为长方形。
透光性部件20具有第一上表面20a、第二上表面20b、下表面20c、第一侧面20d、第二侧面20e、第三侧面20f。第一侧面20d位于第一上表面20a与第二上表面20b之间。
透光性部件20中，包括第一上表面20a和第二上表面20b的上表面整体的平面形状为矩形状，在俯视时，该矩形的外缘与发光装置100的发光区域R的外缘重叠。另外，在透光性部件20中，与第一侧面20d连接的第一上表面20a的外缘构成第一发光区域R1与第二发光区域R2的边界。
即，与第一侧面20d连接的第一上表面20a的外缘作为第一发光区域R1与第二发光区域R2的边界，具有与发光区域R的外周相接第一点P1以及第二点P2。这里，第一点P1以及第二点P2与透光性部件20的矩形的对置两边相接。由此，能够将第一发光区域R1以及第二发光区域R2配置于照射区域的左右或上下，例如在作为头灯的光源时，容易进行用于获得所期望的配光的透镜设计。
第一侧面20d和第二上表面20b可以是相互垂直地连接的平面，第一侧面20d以及/或第二上表面20b也可以具有倾斜面，并经由该倾斜面连接。其中，第一侧面20d以及/或第二上表面20b具有倾斜面，优选经由该倾斜面连接。这里，第二上表面20b在第一侧面20d之间，作为倾斜面具有曲面部20b1。由此，第二发光区域R2侧的光容易向第一发光区域R1侧传递，容易提高第一发光区域R1的亮度。曲面部20b1以向透光性部件20侧凹陷的方式形成为凹状。曲面部20b1的曲率半径例如为5μm以上35μm以下。
需要说明的是，第二上表面20b与第一侧面20d的边界是在第一侧面20d中与曲面部20b1相接的位置(图1D中的虚线B1)。但是，第二上表面20b与第一侧面20d的边界也可以不是明确的。
与第一上表面20a连接的第一侧面20d以及第三侧面20f优选具有与第一上表面20a垂直地连接的平面。由此，能够使发光装置100的上表面中的发光区域R与包围发光区域R的区域的亮度差明确。
透光性部件20进一步地在第二侧面20e以及第三侧面20f中，也可以具有一部分向侧方突出的形状的突出部23、24。突出部23、24如后述那样，在制造工序中对透光性部件20进行单片化时形成。突出部23、24沿着透光性部件20的下表面20c的外周配置于透光性部件20的第二侧面20e以及第三侧面20f。发光装置100由于透光性部件20具有突出部23、24，因此能够提高透光性部件20的第二侧面20e以及第三侧面20f与光调整部件32的密合性。
透光性部件20中，从下表面20c到第一上表面20a的厚度T1比从下表面20c到第二上表面20b的厚度T2大。由此，在透光性部件20包含光扩散部件等填料的情况下，从第二发光区域R2侧向第一发光区域R1侧导光的光的多重反射被抑制，来自发光区域R的光取出效率提高。
透光性部件20中的从下表面20c到第一上表面20a的厚度T1根据机械式的强度的提高的观点优选为50μm以上，根据发光装置100的小型化的观点优选为300μm以下。更详细而言，从下表面20c到第一上表面20a的厚度T1更优选的是55μm以上200μm以下，更优选的是60μm以上100μm以下。
从下表面20c到第二上表面20b的厚度T2与厚度T1同样地根据机械式的强度的提高以及小型化的观点，另外考虑与厚度T1之差，优选为30μm以上280μm以下。
从下表面20c到第一上表面20a的厚度T1与从下表面20c到第二上表面20b的厚度T2之差能够配合所期望的配光适当调整。例如在第二发光区域R2的亮度为第一发光区域R1的亮度的5％以上80％以下的情况下，透光性部件20的第二上表面20b中的厚度T2可列举为第一上表面20a中的厚度T1的20％以上90％以下。
另外，透光性部件20在第二上表面20b具有曲面部20b1的情况下，优选从下表面20c到第一侧面20d的下端(即第二上表面20b与第一侧面20d的边界)的厚度T3为厚度T1的90％以下。由此，能够明确第一发光区域R1与第二发光区域R2的边界。
第二上表面20b优选在表面具有凹凸构造。由此，能够提高第二上表面20b与光调整部件31的密合性。具体而言，第二上表面20b的表面粗糙度Ra优选为比第一上表面20a的表面粗糙度Ra大。由此，能够提高透光性部件20的第二上表面20b与光调整部件31的密合性，并且抑制光调整部件31的向第一上表面20a的攀升。第二上表面20b的表面粗糙度Ra可列举为例如0.3μm以上10μm以下。在第二上表面20b的表面粗糙度Ra为0.3μm以上时，进一步提高透光性部件20与光调整部件31的密合性。另一方面，在第二上表面20b的表面粗糙度Ra为10μm以下时，在透光性部件20与光调整部件31的界面，使光反射，容易使光向第一上表面20a侧导光。
作为一个例子，透光性部件20为包含将从第一发光部11出射的第一光以及从第二发光部12出射的第二光向第三光进行波长转换的荧光体的波长转换部件。第一光以及第二光的发光峰值波长例如为420nm以上460nm以下。第三光的发光峰值波长例如为500nm以上600nm以下。透光性部件20的荧光体浓度优选为例如60质量％以上70质量％以下。荧光体浓度是表示包含荧光体的透光性部件20中的荧光体的比例。
由于透光性部件20的第二上表面20b以及第一侧面20d被光调整部件31覆盖，因此在光调整部件31反射的光沿透光性部件20中传送而再次激发荧光体。因此，在本实施方式中，考虑到利用在光调整部件31反射的光使荧光体反复激发，使从下表面20c到第二上表面20b的厚度T2比从下表面20c到第一上表面20a的厚度T1小。即，配置在下表面20c与第二上表面20b之间的荧光体量比配置在下表面20c与第一上表面20a之间的荧光体量少。由此，能够抑制从第一发光区域R1侧出射的光与从第二发光区域R2侧出射的光的色度差，能够抑制发光装置100的发光区域R中的第一发光区域R1与第二发光区域R2的色度不均。
作为透光性部件20，例如能够使用透光性树脂、玻璃，陶瓷等。作为透光性树脂，例如能够使用包含有机硅树脂、改性有机硅树脂、环氧树脂、改性环氧树脂、丙烯酸树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺树脂的1种以上的树脂。
另外，透光性部件20能够包含能够使入射的光的至少一部分进行波长转换的荧光体。作为含有荧光体的透光性部件，例如可列举含有荧光体的烧结体、透光性树脂、玻璃、陶瓷等荧光体粉末的材料等。另外，透光性部件20也可以在透光性树脂、玻璃、陶瓷等成形体的透光层的表面配置含有荧光体的树脂层等荧光体含有层。
作为荧光体，使用能够被从第一发光部11以及第二发光部12出射的第一光以及第二光激发的材料。
例如作为绿色发光的荧光体，可列举钇·铝·石榴石系荧光体(例如Y3(Al，Ga)5O12：Ce)，镥·铝·石榴石系荧光体(例如Lu3(Al，Ga)5O12：Ce)，铽·铝·石榴石系荧光体(例如Tb3(Al，Ga)5O12：Ce)，硅酸盐系荧光体(例如(Ba，Sr)2SiO4：Eu)，氯硅酸盐系荧光体(例如Ca8Mg(SiO4)4Cl2：Eu)，β赛隆系荧光体(例如Si6-zAlzOzN8-z：Eu(0＜z＜4.2))，SGS系荧光体(例如SrGa2S4：Eu)等。
作为黄色发光的荧光体，可列举α赛隆系荧光体(例如Mz(Si，Al)12(O，N)16(但是，0＜z≤2，M为Li，Mg，Ca，Y，以及除了La、Ce的镧系元素)等。除此之外，上述绿色发光的荧光体中还具有黄色发光的荧光体。另外例如钇·铝·石榴石系荧光体通过将Y的一部分用Gd置换，能够将发光峰值波长向长波长侧转换，而能够进行黄色发光。另外，在这些中，还有能够进行橙色发光的荧光物质。
作为红色发光的荧光体，可列举含有氮的铝硅酸钙(CASN或SCASN)系荧光体(例如(Sr，Ca)AlSiN3：Eu)，BSESN系荧光体(例如(Ba，Sr，Ca)2Si5N8：Eu)等。除此之外，可列举锰活化氟化物系荧光体(用一般式(I)A2[M1-aMnaF6]表示的荧光体(但是，上述一般式(I)中，A为从K，Li，Na，Rb，Cs以及NH4构成的组中选择的至少1种，M为从第四族元素以及第14族元素构成的组中选择的至少1种元素，a满足0＜a＜0.2))。作为该锰活化氟化物系荧光体的例子，有KSF系荧光体(例如K2SiF6：Mn)，KSAF系荧光体(例如K2Si0.99Al0.01F5.99：Mn)以及MGF系荧光体(例如3.5MgO·0.5MgF2·GeO2：Mn)等。
例如作为能够与蓝色发光元件组合而发出白色系的混色光的荧光体的黄色发光的荧光体，能够适当使用将Y的一部分用Gd置换的钇·铝·石榴石系荧光体(例如(Y，Gd)3Al5O12：Ce)。而且，在作为能够发出白色光的发光装置100的情况下，透光性部件20所含的荧光体的种类以及浓度调整为能够发出所期望的色度等级的白色光。
(光调整部件)
光调整部件30覆盖透光性部件20的第二上表面20b。光调整部件30为具有遮光性以及透光性这两方的光学特性的光学部件。作为遮光性，可以具有光吸收性，但优选具有光反射性。光调整部件30相对于从第二上表面20b出射的全部的波长的光，可以具有光反射性和透光性这两方的光学特性，也可以具有将特定的波长的光遮光(优选的是反射)，使其他波长的光的光学特性。
发光装置100由于具有覆盖透光性部件20的第二上表面20b以及第一侧面20d的光调整部件31，因此使从第二上表面20b出射的光的一部分反射，而能够从第一发光区域R1侧出射。由此，相对于第二发光区域R2的亮度，能够相对地提高第一发光区域R1的亮度。
发光装置100中，作为光调整部件30，可以包含覆盖透光性部件20的第二上表面20b以及第一侧面20d的光调整部件31，覆盖透光性部件20的第二侧面20e以及第三侧面20f以及发光元件10的侧面的光调整部件32。在发光元件10配置于布线基板40上的情况下，光调整部件32也可以覆盖布线基板40的上表面。这里，光调整部件31和光调整部件32作为一体由相同的材料形成。光调整部件31与光调整部件32的边界例如为沿着第二上表面20b与第二侧面20e的边界的、与第二上表面20b垂直的平面(图1D所示的虚线B2)。
需要说明的是，光调整部件31与光调整部件32也可以为分别独立的第一光调整部件31和第二光调整部件32。独立的第一光调整部件31以及第二光调整部件32可以由相同的材料形成，也可以由不同的材料形成。
光调整部件30优选使用绝缘性材料。作为光调整部件30，例如能够使用热硬化性树脂、热塑性树脂等。具体而言，作为光调整部件30，可列举包含光反射性物质的粒子的树脂。作为树脂，可列举包含有机硅树脂、改性有机硅树脂、环氧树脂、改性环氧树脂、丙烯酸树脂、酚醛树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、聚酞胺树脂的1种以上的树脂或混合树脂。其中，优选含有耐热性、电气绝缘性优异的、具有柔软性的有机硅树脂作为基底聚合物的树脂。作为光反射性物质，可列举氧化钛、氧化硅、氧化锆、氧化镁、碳酸钙、氢氧化钙、硅酸钙、氧化锌、钛酸钡、钛酸钾、氧化铝、氮化铝、氮化硼、莫来石以及这些组合等。其中氧化钛由于相对于水分等相对稳定并且高折射率而优选。
光调整部件30的光反射性物质的浓度优选为例如60质量％以上70质量％以下。光反射性物质的浓度是表示含有光反射性物质的光调整部件30中的光反射性物质的比例。
光调整部件30的反射率优选为例如1％以上95％以下。反射率表示从发光元件10出射的光的发光峰值波长中的反射率。需要说明的是，在从第一发光部11以及第二发光部12出射的第一光以及第二光的发光峰值波长不同的情况下，表示短波长的一方的发光峰值波长中的反射率。
光调整部件30的全光线透过率优选为例如1％以上35％以下。全光线透过率是相对于向作为对象的物体入射的光的量的、透过作为对象的物体的光的量的比例。例如全光线透过率表示以日本工业标准JISK7375：2008为基准测定的全光线透过率。
如上所述，光调整部件30例如为含有光反射性物质的树脂。如此，作为光调整部件30，通过使用含有光反射性物质的树脂，容易进行光调整部件30的处理，能够将光调整部件30容易地配置于第二上表面20b上。
光调整部件31也可以含有荧光体。光调整部件所含的荧光体可以是与透光性部件20所含的荧光体相同的荧光体，也可以是不同的荧光体。例如光调整部件31所含的荧光体可以含有与透光性部件20所含的荧光体的发光峰值波长不同的荧光体含。由此，能够校正从第二发光区域R2出射光的色度。光调整部件31所含的荧光体例如能够将第一光以及第二光向与第一光以及第二光的发光峰值波长不同的第四光进行波长转换。第四光的发光峰值波长例如为470nm以上660nm以下。光调整部件31的荧光体浓度优选为比光调整部件中的光反射性物质的浓度小，例如优选为5质量％以上30质量％以下。荧光体浓度是表示含有荧光体的光调整部件31中的荧光体的比例。
在发光区域R中，第一发光区域R1(即透光性部件20的第一上表面20a)与第二发光区域R2(即光调整部件31的上表面)优选为位于同一平面。由此，例如在将发光装置100用于车载的头灯的情况下，容易调整反射器、透镜等光学***的焦点位置等。
需要说明的是，光调整部件31的厚度以透光性部件20的厚度T1，T2、T3等为基准适当调整即可。另外，对光调整部件31与光调整部件32一并配置为例进行了说明，但也可以不设置光调整部件32而单独配置。
(布线基板)
在发光装置100中，发光元件10能够配置在布线基板40上。
布线基板40具备基材41，配置于基材41的至少上表面，经由导电部件50向发光元件10的第一元件电极16以及第二元件电极17供给电力的布线42。第一元件电极16以及第二元件电极17经由导电部件50配置在布线42上。导电部件50能够使用导电性的金属，例如Cu，Au或者由各个合金等构成的金属材料。需要说明的是，发光元件10和布线42也可以不经由导电部件50，而使元件电极与布线42直接接合。
布线基板40具备将第一发光部11与第二发光部12以串联的方式连接的布线42。
布线42例如包含第一布线421、第二布线422以及第三布线423。在第一布线421配置有第一元件电极16(具体而言P侧电极162)，在第二布线422配置有第二元件电极17(具体而言N侧电极171以及N侧电极173)，在第三布线423配置有第一元件电极16(具体而言N侧电极161以及N侧电极163)，第二元件电极17(具体而言P侧电极172)。另外，在第一布线421以及第二布线422配置有电子部件441。利用这种布线42，能够通过一个回路向第一发光部11、第二发光部12供给电流，因此能够使布线基板40小型化。由此，能够使发光装置100小型化。布线42在第一布线421与第二布线422之间配置有第三布线423。
需要说明的是，布线42例如也可以包含用于分开驱动第一发光部11、第二发光部12的布线。在这种情况下，布线基板40能够分开地控制向第一发光部11以及第二发光部12供给的电流的大小。
作为基材41，作为构成用于支承发光元件等电子部件的布线基板基材，能够使用在该领域中公知的材料。例如可列举环氧玻璃、树脂，陶瓷等绝缘性材料，硅等半导体材料，铜等导电性材料。其中，能够适当使用耐热性以及耐光性高的陶瓷。作为陶瓷，可列举氧化铝，氮化铝，氮化硅，LTCC等。另外，能够使用这些绝缘性材料，半导体材料，导电性材料的复合材料。作为基材41，在使用半导体材料、导电性材料的情况下，布线42能够经由绝缘层配置于基材41的上表面。
作为布线42的材料，例如可列举Fe，Cu，Ni，Al，Ag，Au，Pt，Ti，W，Pd等金属或包含这些至少1种的合金等。
[发光装置的动作]
在驱动发光装置100时，从外部电源向发光元件10供给电流，发光元件10发光。从发光元件10出射的第一光以及第二光各自的至少一部分通过透光性部件20所含的荧光体向第三光进行波长转换。第三光与未向第三光进行波长转换的第一光以及第二光混色。混色后的光例如作为白色的光向外部照射。此时，如所述那样，由于在透光性部件20的第二上表面20b配置有光调整部件31，因此从第二上表面20b出射的光的一部分被光调整部件31反射，在透光性部件20内传递而从第一发光区域R1侧出射。由此，第二发光区域R2的亮度降低，并且第一发光区域R1的亮度相对高。这样一来，发光装置100能够在从发光区域R出射的光的照射区域具有高亮度区域。在透光性部件20中，从下表面20c到第二上表面20b的厚度T2比从下表面20c到第一上表面20a的厚度T1小。因此，利用被光调整部件31反射的光减少透光性部件20中的荧光体被反复激发。这样一来，能够调整从第一发光区域R1侧出射的光和从第二发光区域R2侧出射光的色度。
在此，参照图2，关于利用光调整部件31的亮度差的形成，以下具体地进行说明。另外，这里适当地参照图1D。需要说明的是，图2是为了简化说明而仅示意性地表示仅一部分的光路。实际的光在各部件间以及各部件中，由于折射、散射等而使行进方向适当变化，但为了简化，有时省略图示。
从第一发光部11出射的第一光L1的大部分从透光性部件20的第一上表面20a出射。另一方面，从第二发光部12出射的第二光L2的大部分朝向透光性部件20的第二上表面20b，但一部分被光调整部件31反射而朝向支承基板15侧，例如被支承基板15反射而从透光性部件20的第一上表面20a出射。其他一部分的第二光L2透过光调整部件31而从光调整部件31的上表面出射。由此，从第一发光区域R1出射的光量增加，从第二发光区域R2出射的光量减少。因此，第一发光区域R1的亮度提高，并且相对地第二发光区域R2的亮度降低。
另外，在含有荧光体的透光性部件20中，从下表面20c到第二上表面20b的厚度T2比从下表面20c到第一上表面20a的厚度T1薄。因此，在俯视时与第二发光区域R2重叠的区域中，透光性部件20所含的荧光体量比在俯视时与第一发光区域R1重叠的区域少。即，从第二上表面20b出射的光与从第一上表面20a出射的光相比，进行了波长转换的光所占的比例减少，在从第二上表面20b出射的光与从第一上表面20a出射的光产生色度之差。但是，从第二发光区域R2出射的光被波长转换的光所占的比例多，因此能够减小从第一发光部11出射的光与从第二发光部12出射的光的色度之差。由此，例如能够将从发光装置100出射的有亮度差的白色的色度调整为相同程度。
这样一来，通过调整第一上表面20a与第二上表面20b的高度之差以及透光性部件20的荧光体浓度，发光装置100在发光区域R内具有相对地亮度高的区域即第一发光区域R1和相对地亮度低的区域即第二发光区域R2，并且，能够将两者的发光色度调整为所期望的色度。
[发光装置的制造方法]
图3是第一实施方式的发光装置的制造方法的流程图。图4A、图4C、图4E是适宜性表示第一实施方式的发光装置的制造方法的俯视图。图4B、图4D、图4F～图4J是示意性表示第一实施方式的发光装置的制造方法的剖面图。
发光装置100的制造方法包括：准备发光元件10，该发光元件10具有支承基板15和发光部11、12，支承基板15具有第一面15a以及位于第一面15a的相反的一侧的第二面15b，发光部11、12配置在支承基板15的第二面15b，包括半导体层叠体，半导体层叠体依次具有第一半导体层111、121，发光层112、122以及第二半导体层113、123；准备具有第一面以及位于第一面的相反的一侧的第二面的透光性部件200，将支承基板15的第一面15a与透光性部件20的第二面接合；将透光性部件200的第一面加工为，具有第一上表面20a和与从第二上表面20b到第一上表面20a的厚度相比，距离第二面的厚度薄的第二上表面20b；在透光性部件20的第一面侧，配置使第一上表面20a露出，并覆盖第二上表面20b的光调整部件31。
另外，发光装置100的制造方法也可以包括在对透光性部件200的第一面进行加工之后，在配置光调整部件31之前，将接合有透光性部件20的发光元件10配置于布线基板40。
在发光装置100的制造方法中，作为包括准备发光元件的工序S11，接合透光性部件的工序S12，加工透光性部件的工序S13，单片化的工序S14，配置发光元件的工序S15，配置光调整部件的工序S16进行说明。
需要说明的是，关于各部件的材质、配置等，如在所述发光装置100的说明中所述那样，因此这里适当省略说明。另外，发光元件的数量、透光性部件的大小是为了容易说明，并不限定于图示状态。另外，这里适当参照图1D。
(准备发光元件的工序)
准备发光元件的工序S11为准备具有支承基板15，第一发光部11以及第二发光部12，第一元件电极16以及第二元件电极17的发光元件10。
在准备发光元件的工序S11中，准备在支承基板15上配置多个在单片化后成为各自的发光部的区域的半导体晶圆101。
在准备发光元件的工序S11中，准备的发光元件10可以作为单片化后成为各自的发光元件10的半导体晶圆准备，也可以作为单片化后的发光元件10准备。需要说明的是，在以后的工序中，发光元件10以作为半导体晶圆101准备进行说明。
作为准备发光元件的工序S11，在准备半导体晶圆101的情况下，准备发光元件的工序S11优选包括在单片化时的分割预定位置通过激光形成龟裂151的工序。
作为准备发光元件的工序S11，在准备单片化后的发光元件10的情况下，准备发光元件的工序S11也可以包含将半导体晶圆101分割为各自的发光元件10的单片化工序。单片化能够通过刀片切割、激光切割等公知的方法进行。
需要说明的是，发光元件10能够通过经过半导体生长等工序等，制造工序的一部分或全部来准备。或者，发光元件10也可以通过购入等来准备。
(透光性部件接合工序)
接合透光性部件的工序S12如图4A、图4B所示，在支承基板15的第一面15a接合透光性部件200。
接合透光性部件的工序S12中，首先，准备具有第一面200a以及位于第一面200a的相反的一侧的第二面200b的透光性部件200。透光性部件200是在单片化后具有多个成为各自的透光性部件20的区域的一个板状的透光性部件。接着，将支承基板15的第一面15a与透光性部件200的第二面200b接合。
透光性部件200能够通过例如压焊、表面活性化接合、原子扩散接合、羟基接合等直接接合法与支承基板15接合。需要说明的是，透光性部件200也可以使用公知的粘合部件与支承基板15接合。
(加工透光性部件的工序)
加工透光性部件的工序S13加工透光性部件200，以使得如图4C～图4F所示，在单片化后，成为具有第一上表面20a，第二上表面20b，位于第一上表面20a以及第二上表面20b的相反的一侧的下表面20c，与第一上表面20a和第二上表面20b连续的第一侧面20d，与第二上表面20b和下表面20c连续的第二侧面20e，与第一上表面20a和下表面20c连续的第三侧面20f，并使从下表面20c到第一上表面20a的厚度T1比从下表面20c到第二上表面20b的厚度T2大的透光性部件20。
在加工透光性部件的工序S13中，在透光性部件200的第一面200a侧，如图4C～图4F所示，沿着预定的去除线611，利用刀片61去除透光性部件200的一部分，形成第一槽部612。预定的去除线611优选的是位于与发光元件10的单片化的龟裂151重叠的位置。第一槽部612可以到达支承基板15，但为了不在支承基板15产生不希望的缺陷、破裂，优选不到达支承基板15。第一槽部612的形成在这里使用与所期望的第一槽部612的宽度(即预定的去除线611的宽度)同等刃厚的刀片61。另外，在供第二上表面20b配置的区域中，如图4C～图4F所示，利用刀片62沿着预定的去除线621去除透光性部件200的第一面200a侧的一部分。由此，形成第二槽部622。第二槽部622的形成在这里使用比所期望的第二槽部622的宽度(即预定的去除线621的宽度)细的刃厚的刀片62，通过使刀片62的进入位置偏离，并且分成多次(这里是四次)反复去除，形成沿着预定的去除线621的第二槽部622。这样一来，如图4F所示，在支承基板15上形成加工成所期望的形状的透光性部件210。需要说明的是，在图4D中，全部用实线表示形成第一槽部612的刀片61，为了形成第二槽部622而使进入位置偏离并多次移动的刀片62。另外，在图4E中，为了方便，将第一槽部612从圆状的透光性部件的外缘延长来图示。另外，在本说明书中，槽部的宽度表示在俯视时与槽部的长度最大方向正交的方向上的槽部的长度的最大值。
(单片化的工序)
单片化的工序S14如图4G所示，将透光性部件210以及支承基板15单片化。
在单片化的工序S14中，用第一槽部612割断透光性部件210。第一槽部612由于配置在与龟裂151重叠的位置，因此在割断时支承基板15也沿着龟裂151分割。而且，分割透光性部件20作为第二侧面20e以及第三侧面20f，具有一部分向侧方突出那样的形状的突出部23、24。突出部23、24是在加工工序中形成的位于第一槽部612的下方的区域。这样一来，获得配置各自的透光性部件20的发光元件10。透光性部件20具有通过割断形成的突出部23、24，并且在透光性部件210的割断的同时沿着龟裂151使支承基板15分割，因此容易使透光性部件20的下表面20c成为与支承基板15的第一面15a相同的面积。而且，透光性部件20的下表面20c与支承基板15的第一面15a在俯视时外缘重叠。由此，光容易从发光元件10向透光性部件20导光，提高发光装置100的光取出效率。
(配置发光元件的工序)
配置发光元件的工序S15如图4H以及图4I所示，接合有透光性部件20的发光元件10配置于布线基板40。
在配置发光元件的工序S15中，例如用夹持部70的吸附部72吸附透光性部件20的第一上表面20a，将接合有透光性部件20的发光元件10移动到布线基板40的预定位置。夹持部70优选在与第二上表面20b相接的部分具有柔软性的调整部71。由此，能够稳定地保持上表面被加工的透光性部件20。
而且，经由导电部件50在布线基板40配置接合有透光性部件20的发光元件10，如图4I的箭头所示，通过在朝向布线基板40侧的方向上按压夹持部70，将第一元件电极16以及第二元件电极17与布线42接合。
(配置光调整部件的工序)
配置光调整部件的工序S16如图4J所示，配置使透光性部件20的第一上表面20a露出，并覆盖第二上表面20b的光调整部件31。这里，进一步配置光调整部件32，以覆盖透光性部件20的侧面，发光元件10的侧面以及布线基板40的上表面。
在配置光调整部件的工序S16中，在布线基板40上配置构成光调整部件30的未硬化的树脂，以使透光性部件20的第一上表面20a露出，并覆盖第二上表面20b以及侧面。树脂的配置例如能够通过浇注进行。另外，能够通过压缩成形法、转换成形法等来配置树脂。之后，使树脂硬化，来形成光调整部件30。需要说明的是，也可以通过在布线基板40的所期望的位置配置保持预先树脂的框，并通过向框内供给树脂来形成光调整部件30。另外，也可以根据需要，将形成的光调整部件30的上表面切削来调整高度，或者使光调整部件30的上表面加工为平坦。
需要说明的是，在发光装置100的制造方法中，也可以使用在单片化后成为各自的发光装置100的布线基板40的多个区域连续的一个布线基板同时制造多个发光装置100，也可以分开制造。在同时制造多个发光装置100的情况下，在配置光调整部件的工序S16之后，使每个发光装置100单片化来形成发光装置100。
接着，对其他实施方式进行说明。需要说明的是，这里适当参照图1D，将已说明的构成适当省略说明。需要说明的是，在以下进行说明的其他实施方式的发光装置中，能够成为在发光面内具有高亮度区域的发光装置。
＜第二实施方式～第五实施方式>
图5A～图5D分别是适宜性表示第二实施方式～第五实施方式的发光装置的剖面图。
发光装置100A～发光装置100D与第一实施方式的发光装置100的构成相比，在具备覆盖光调整部件31的上表面的透光板80方面不同。
发光装置100A如图5A所示，在与透光性部件20的第二上表面20b对置的位置配置有透光板80。透光板80与第一侧面20d分离而配置在光调整部件31上。另外，透光板80中，透光板80的上表面与透光性部件20的第一上表面20a配置为位于同一平面。
发光装置100A通过具备透光板80而能够保护光调整部件31。尤其是，在光调整部件31含有树脂的情况下，能够抑制树脂的恶化，能够保护发光面。由此，发光装置100A在发光区域内具有亮度差，能够实现发光装置的可靠性的提高。
发光装置100B与发光装置100A的构成相比，在与透光性部件20的第二上表面20b对置位置，透光板80配置到与第一侧面20d相接的位置方面不同。在发光装置100B中，能够获得与发光装置100A同样的效果。
发光装置100C与发光装置100B的构成相比，在与透光性部件20的第一上表面20a以及第二上表面20b对置的位置配置有透光板80方面不同。在发光装置100C中，能够保护光调整部件31以及透光性部件20，能够抑制光调整部件31以及透光性部件20的恶化，更宽地保护发光面。
发光装置100D与发光装置100C的构成相比，在透光板80的侧面配置为从光调整部件31露出的方面不同。在发光装置100D中，由于能够在光调整部件30的配置后配置透光板80，因此能够容易地制造。
在发光装置100A～100D中使用的透光板80例如可列举将树脂、玻璃、无机物等透光性材料成形为板状的结构。作为玻璃，例如能够使用硼硅酸玻璃、石英玻璃等，作为树脂，例如能够使用有机硅树脂、环氧树脂等。其中，考虑到难以由于光而恶化，机械式的强度等，透光板80优选使用玻璃。需要说明的是，在透光板80中也可以含有光扩散部件。通过在透光板80中含有光扩散部件，能够抑制色度不均、亮度不均。作为光扩散部件，例如能够使用氧化钛，钛酸钡、氧化铝、氧化硅等。
另外，发光装置100A～100D至少在第二发光区域R2具备透光板80。因此，在发光装置的非发光时，容易识别包含第二发光区域R2的发光区域R的位置。由此，能够容易地进行与光学***的对位。
发光装置100A～100D中使用的透光板80的厚度例如优选为30μm以上230μm以下。如果透光板80的厚度为30μm以上，则更容易保护光调整部件31。另一方面，如果透光板80的厚度为230μm以下，则既能够确保光调整部件31的厚度，又能够容易谋求发光装置的小型化。需要说明的是，透光板80的厚度是与布线基板40的上表面或支承基板15的第一面15a垂直的方向上的厚度。
发光装置100A以及发光装置100B的制造例如能够在配置光调整部件30时，在配置了未硬化的树脂之后，将透光板80配置于预定的位置，之后，通过使树脂硬化来进行。或者，也可以在将树脂硬化之后对光调整部件31的上表面的预定位置进行切削，并经由公知的粘合部件等配置于透光板80。
发光装置100C以及100D的制造例如能够在配置光调整部件30之后，经由透光性的粘合部件等将透光板80配置在光调整部件31的上表面以及透光性部件20的第一上表面20a行。或者，也可以利用树脂形成光调整部件30、透光性部件20，使用树脂的粘性与透光板80接合。
＜第六实施方式>
图6是示意性表示第六实施方式的发光装置的剖面图。
发光装置100E与第一实施方式的发光装置100的构成相比，在光调整部件31A为包含光反射性物质的无机部件方面不同。
发光装置100E具备光调整部件30A，光调整部件30A包括：覆盖透光性部件20的第二上表面20b以及第一侧面20d的第一光调整部件31A；使第一光调整部件31A的上表面以及透光性部件20的第一上表面20a露出，覆盖第一光调整部件31A的侧面、透光性部件20的第二侧面20e以及第三侧面20f以及发光元件10的侧面的第二光调整部件32。光调整部件30A中，例如第一光调整部件31A为无机部件，第二光调整部件32为树脂。作为无机部件，例如可列举玻璃、陶瓷等。
发光装置100E由于第一光调整部件31A为无机部件，因此在可靠性方面更优异。另外，发光装置100E由于容易目视确认第一光调整部件31A与第二光调整部件32的边界，因此在发光装置的非发光时，容易识别包含第二发光区域R2的发光区域R的位置。由此，能够容易地进行与光学***的对位。
发光装置100E的制造例如能够在对与支承基板15接合的透光性部件200进行加工之后配置第一光调整部件31A，之后通过使接合有透光性部件20的发光元件10单片化来进行。
＜第七实施方式>
图7是示意性表示第七实施方式的发光装置的剖面图。
发光装置100F与第一实施方式的发光装置100的构成相比，在透光性部件20A的第二上表面20Ab在与第一侧面20Ad之间具有凹部25，第一侧面20Ad构成凹部25的侧面的方面不同。
发光装置100F在透光性部件20A的第二上表面20Ab中的第一侧面20Ad侧具有凹部25。由于透光性部件20A具有凹部25，因此能够使第一发光区域R1与第二发光区域R2的边界更明确。进一步地，在俯视时，通过将凹部25配置在第一发光部11与第二发光部12之间，能够抑制第一发光区域R1与第二发光区域R2的边界的色度不均。
凹部25的深度D1(即第二上表面20Ab的厚度与从下表面20Ac到凹部25的底的厚度之差)例如为5μm以上45μm以下。
凹部25的宽度W1(即从第一上表面20Aa朝向第二上表面20Ab的方向上的长度)例如为25μm以上50μm以下。
＜第八实施方式以及第九实施方式>
图8A是对第八实施方式的发光装置的发光区域的形状进行说明的示意性俯视图。图8B是对第九实施方式的发光装置的发光区域的形状进行说明得示意性俯视图。
第八实施方式的发光装置与第一实施方式的发光装置100的构成相比，在与第一发光区域R1与第二发光区域R2的边界相接的第一点P1以及第二点P2的位置方面不同。
第一点P1以及第二点P2在俯视时的发光区域R中的一边中，从中央向第一发光区域R1侧偏移。另外，第一点P1与第二点P2相比，更向第一发光区域R1侧偏移。由此，连结第一点P1以及第二点P2的直线S2在附图上，从右上朝向右下沿倾斜方向横穿发光区域R。需要说明的是，第二发光区域R2的面积形成为比第一发光区域R1的面积大。另外，第一发光区域R1与第二发光区域R2的边界以与直线S2重叠的方式形成发光区域R。
第九实施方式的发光装置与第八实施方式的发光装置的构成相比，在与第一发光区域R1与第二发光区域R2的边界相接的第一点P1以及第二点P2的位置更向第一发光区域R1侧偏移，并且第一发光区域R1与第二发光区域R2的边界与横穿发光区域R的直线S3不重叠方面不同。
第一发光区域R1与第二发光区域R2的边界通过两条直线，划分第一发光区域R1和第二发光区域R2。
在第八实施方式以及第九实施方式中，能够成为在发光面内具有高亮度区域的发光装置。另外，能够减小从第一发光区域R1侧出射的光与从第二发光区域R2侧出射的光的色度差，能够实现发光装置的发光面中的色度不均的改善。
＜第十实施方式>
图9是示意性表示第十实施方式的发光装置的剖面图。
发光装置100G与第一实施方式的发光装置100的构成相比，在没有突出部23、24，另外透光性部件20B的下表面20Bc比支承基板15的第一面15a大，进一步具备导光部件90方面不同。
在透光性部件20B中，比支承基板15的第一面15a大的下表面20Bc与支承基板15的第一面15a接合。即，透光性部件20B的外缘在俯视时，配置为与发光元件10的外缘相比更位于外侧的大小。
导光部件90是将来自发光元件10的光向透光性部件20B引导的部件。导光部件90覆盖支承基板15的侧面。导光部件90例如也可以是将粘合发光元件10与透光性部件20B的粘合部件向支承基板15的侧面延伸的结构。在这种情况下，导光部件90也可以以预定的厚度配置在支承基板15与透光性部件20B之间。另外，导光部件90也可以是和发光元件10与透光性部件20B的粘合部件不同的部件。
导光部件90的形状作为一个例子，在剖视时，侧面弯曲，并且从支承基板15的第二面15b侧朝向透光性部件20B的下表面20Bc侧，宽度变宽地使侧面倾斜。导光部件90的侧面的截面形状可以是直线形状，也可以是弯曲形状。例如在剖视时的导光部件90的侧面为弯曲形状的情况下，弯曲形状可以在光调整部件30侧为凹陷弯曲形状，也可以在支承基板15侧为凹陷弯曲形状。进一步地，也可以是在光调整部件32侧具有凹陷位置和在支承基板15侧具有凹陷位置的形状。
作为导光部件90，例如能够使用透光性的树脂。作为导光部件90，例如能够使用环氧树脂、有机硅树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺树脂等有机树脂。其中，优选使用耐热性高的有机硅树脂。另外，也可以含有所述光扩散部件、荧光体。
＜第十一实施方式>
图10是示意性表示第十一实施方式的发光装置的剖面图。
发光装置100H与第十实施方式的发光装置100G的构成相比，在透光性部件20C的第一上表面20Ca配置有透光板81的方面，在作为光调整部件30B，具有覆盖透光性部件20C的第二上表面20Cb的第一光调整部件31B和覆盖透光板81的侧面的第二光调整部件32的方面不同。
发光装置100H包括发光元件10、透光性部件20C、第一光调整部件31B、透光板81。透光性部件20C包括第一上表面20Ca、第二上表面20Cb、位于第一上表面20Ca以及第二上表面20Cb的相反的一侧的下表面20Cc。第一上表面20Ca和第二上表面20Cb经由第一侧面20Cd连续。透光性部件20C使下表面20Cc与发光元件10的支承基板15对置，并配置在发光元件10上。在透光性部件20C中，从下表面20Cc到第一上表面20Ca的厚度T1比从下表面20Cc到第二上表面20Cb的厚度T2大。第一光调整部件31B将透光性部件20C的第一上表面20Ca露出，覆盖第二上表面20Cb以及第一侧面20Cd。透光板81覆盖透光性部件20C的第一上表面20Ca以及第一光调整部件31B的上表面。在发光装置100H中，第一光调整部件31B配置在透光性部件20C的第二上表面20Cb与透光板81之间。第一光调整部件31B优选的是在透光性部件20C的第二上表面20Cb与透光板81之间，与透光性部件20C以及透光板81相接地配置。
透光性部件20C中的从下表面20Cc到第一上表面20Ca的厚度T1出于机械式的强度的提高的观点，优选为10μm以上，出于发光装置100H的小型化的观点，优选为200μm以下。更详细而言，从下表面20Cc到第一上表面20Ca的厚度T1更优选为15μm以上150μm以下，进一步优选为20μm以上120μm以下。
透光性部件20C中的从下表面20Cc到第二上表面20Cb的厚度T2比厚度T1小，并且，与厚度T1同样地出于机械式的强度的提高以及小型化的观点，优选为10μm以上200μm以下。需要说明的是，更优选为10μm以上105μm以下，进一步优选为15μm以上90μm以下。
透光性部件20C中的从下表面20Cc到第一上表面20Ca的厚度T1与从下表面20Cc到第二上表面20Cb的厚度T2之差(即，覆盖第二上表面20Cb的第一光调整部件31B的厚度)能够根据所期望的配光适当调整。例如在使第二发光区域R2的亮度为第一发光区域R1的亮度的5％以上80％以下的情况下，可列举透光性部件20C的第二上表面20Cb中的厚度T2为第一上表面20Ca中的厚度T1的20％以上90％以下。
发光装置100H进一步作为光调整部件30B，也可以具备使透光板81的上表面露出，覆盖透光板81的侧面、第一光调整部件31B的侧面、透光性部件20C的第二侧面20Ce以及第三侧面20Cf，以及发光元件10的侧面的第二光调整部件32。第二光调整部件32直接或经由导光部件90等其他部件覆盖支承基板15的侧面。
在发光装置100H中，透光性部件20C为含有荧光体粉末的树脂，第一光调整部件31B以及第二光调整部件32为含有光反射性物质的粒子的树脂。通过使用树脂作为透光性部件20C、第一光调整部件31B以及第二光调整部件32的母材，容易调整各部件含有的荧光体粉末以及/或光反射性物质的浓度等，容易调整来自各发光区域的出射光的亮度、色度。
在发光装置100H中，透光性部件20C所含有的荧光体也可以在透光性部件20C中分散配置，也可以向下表面20Cc侧(即发光元件10侧)偏向配置。需要说明的是，在透光性部件20C中，通过在荧光体向下表面侧偏向配置的情况下，通过使在下表面20Cc与第二上表面20Cb之间配置的荧光体量比配置在下表面20Cc与第一上表面20Ca之间的荧光体量少，能够减少从第一发光区域R1出射的光与从第二发光区域R2出射的光的色度差。
透光板81配置在透光性部件20C的第一上表面20Ca以及第一光调整部件31B的上表面。由此，能够保护第一光调整部件31B以及透光性部件20C，能够抑制第一光调整部件31B以及透光性部件20C的恶化，保护发光面。
透光板81的厚度例如处于机械式的强度的提高的观点，优选为20μm以上，处于发光装置100H的小型化的观点，优选为300μm以下。另外，在第一光调整部件31B以及透光性部件20C分别由树脂部件构成的情况下，透光板81的厚度作为支承树脂部件的支承体，优选为比透光性部件20C的厚度大。需要说明的是，透光板81的厚度为与布线基板40的上表面或发光元件10的上表面垂直的方向上的厚度。作为透光板81的材料，例如能够使用与透光板80同样的材料。
＜第十二实施方式>
图11是示意性表示第十二实施方式的发光装置的剖面图。
发光装置100I与第十一实施方式的发光装置100H的构成相比，在发光元件10A仅具备一个发光部11A方面不同。
在这种发光装置100I中，在发光区域R内具有亮度差，并且，能够提高发光装置的可靠性。
在第十一实施方式以及第十二实施方式中，成为在发光面内具有高亮度区域的发光装置。另外，能够减小从第一发光区域R1侧出射的光与从第二发光区域R2侧出射的光的色度差，能够实现改善发光装置的发光面中的色度不均。
以上，关于本实施方式的发光装置以及其制造方法，根据用于实施发明的方式具体说明，但本发明的主旨并不限定于这些记载，应当基于专利权利要求书的记载更宽地解释。另外，基于这些记载各种变更、改变等都包含在本发明的主旨中。另外，所述各实施方式能够相互组合来实施。
例如第一发光部以及第二发光部在发光时的电流密度也可以相同，发光时的电流密度也可以分别不同。通过使通过第一发光部的发光层的电流的电流密度与通过第二发光部的发光层的电流的电流密度不同，能够调整低亮度与高亮度的亮度差。发光时的电流密度能够由于使用了能够使第一发光部与第二发光部分开地驱动的布线基板而不同。另外，即便在布线基板中具有将第一发光部与第二发光部以串联的方式连接布线的情况下，由于第一发光部与第二发光部的俯视时的面积不同，因此能够使发光时的电流密度不同。另外，在第一发光部与第二发光部的俯视时的面积相同的情况下，也可以通过在具备将第一发光部与第二发光部以串联的方式连接的布线的布线基板配置定电流二极管，使第一发光部与第二发光部的发光时的电流密度不同。另外，即便在第一发光部与第二发光部的俯视时的面积不同的情况下，也可以通过将第一发光部与第二发光部分开地驱动，使第一发光部与第二发光部的发光时的电流密度不同。
另外，发光元件也可以具有包含第一发光部与第二发光部的多个发光部，也可以具有一个发光部。另外，配置在一个发光部的元件电极可以是两个，也可以是四个以上。另外，一个发光部也可以包含重叠配置的多个半导体层叠体。另外，透光性部件也可以是双层以上的层叠构造。在这种情况下，荧光体浓度是荧光体的相对于透光性部件中的含有荧光体的层整体的全量的比例即可。
另外，发光装置在发光区域R中，也可以在透光性部件20、透光板80的上表面配置电介质多层膜等反射膜。由此，能够更容易地调整从第一发光区域R1以及第二发光区域R2出射的光的亮度以及光度。
另外，在在发光装置的制造方法中，一部分的工序的顺序不作限定，顺序可以前后移动。例如也可以在使接合有一个透光性部件的半导体晶圆单片化，而制作成接合有平板状(即没有第二上表面)的透光性部件的发光元件之后，将该发光元件配置于布线基板，然后，进行在透光性部件形成第一上表面以及第二上表面等加工。或者，也可以在将接合有平板状(即没有第二上表面)的透光性部件的发光元件配置于布线基板之前，进行在接合于发光元件的透光性部件形成第一上表面以及第二上表面等加工，然后，在布线基板配置发光元件。
另外，也可以在对接合于半导体晶圆的透光性部件进行加工之后，配置光调整部件，然后，将配置有光调整部件的透光性部件单片化。另外，也可以将发光元件配置于布线基板，在布线基板上的发光元件配置单片化后的透光性部件之后，配置光调整部件。
本公开的实施方式的发光装置例如以下所述。
[方面1]
一种发光装置，其在上表面具有发光区域，该发光区域包括第一发光区域、与所述第一发光区域邻接地配置的第二发光区域，所述发光装置包括：
发光元件，其具有：支承基板，该支承基板具有第一面以及位于所述第一面的相反的一侧的第二面；发光部，该发光部配置于所述支承基板的第二面，包含依次具有第一半导体层、发光层以及第二半导体层的半导体层叠体；
透光性部件，其具有：第一上表面、第二上表面、位于所述第一上表面以及所述第二上表面的相反的一侧的下表面、与所述第一上表面和所述第二上表面连续的第一侧面、与所述第二上表面和所述下表面连续的第二侧面、与所述第一上表面和所述下表面连续的第三侧面，并配置为从所述下表面到所述第一上表面的厚度比从所述下表面到所述第二上表面的厚度大，所述下表面与所述支承基板的第一面对置；
光调整部件，其使所述透光性部件的所述第一上表面露出，覆盖所述第二上表面以及所述第一侧面；
在俯视时，所述第一发光区域包括所述第一上表面，所述第二发光区域包括所述第二上表面，所述第二发光区域的面积为所述发光区域的面积的35％以上95％以下，
所述第一发光区域与所述第二发光区域的边界具有与所述发光区域的外周相接的第一点以及第二点，在俯视时，连结所述第一点以及所述第二点的直线为横穿所述发光区域的直线。
[方面2]
如方面1所述的发光装置，
所述发光元件具有多个所述发光部，该多个所述发光部在所述支承基板的所述第二面分别分离配置。
[方面3]
如方面2所述的发光装置，
在俯视时，所述第一发光区域与所述第二发光区域的边界位于多个所述发光部之间。
[方面4]
如方面2或方面3所述的发光装置，
多个所述发光部在发光时的电流密度不同。
[方面5]
如方面1至方面3中任一项所述的发光装置
所述透光性部件包括荧光体。
[方面6]
如方面5所述的发光装置，
所述光调整部件包括与所述透光性部件所含的荧光体的发光峰值波长不同的荧光体。
[方面7]
如方面1至方面6中任一项所述的发光装置，
所述光调整部件为包含光反射性物质的树脂。
[方面8]
如方面1至方面7中任一项所述的发光装置，
所述光调整部件覆盖所述透光性部件的所述第二侧面和所述第三侧面以及所述发光元件的侧面。
[方面9]
如方面1至方面6中任一项所述的发光装置，
所述光调整部件为包含光反射性物质的无机部件。
[方面10]
如方面9所述的发光装置，
还具备光调整部件，该光调整部件将所述光调整部件的上表面以及所述透光性部件的第一上表面露出，覆盖所述光调整部件的侧面、所述透光性部件的所述第二侧面和所述第三侧面以及所述发光元件的侧面。
[方面11]
如方面1至方面10中任一项所述的发光装置，
所述透光性部件的所述第一上表面与所述光调整部件的上表面位于同一平面。
[方面12]
如方面1至方面11中任一项所述的发光装置，
具备透光板，该透光板覆盖所述光调整部件的上表面。
[方面13]
如方面1至方面12中任一项所述的发光装置，
所述第二上表面的表面粗糙度Ra比所述第一上表面的表面粗糙度Ra大。
[方面14]
如方面1至方面13中任一项所述的发光装置，
所述第二上表面在与所述第一侧面之间具有曲面部。
[方面15]
如方面1至方面13中任一项所述的发光装置，
所述第二上表面在与所述第一侧面之间具有凹部，所述第一侧面构成所述凹部的侧面。
[方面16]
如方面1至方面15中任一项所述的发光装置，
所述发光部包括重叠配置的多个所述半导体层叠体。
工业上的可利用性
本公开的实施方式的发光装置能够适当用于头灯等车辆用照明。另外，本公开的实施方式的发光装置能够用于液晶显示器的背光灯光源，各种照明器具，大型显示器，广告或目的地引导等各种显示装置，进而能够用于数码摄像机，传真，复印机，扫描仪等中的图像读取装置，投影仪装置等。
Claims (16)
1.一种发光装置，其在上表面具有发光区域，该发光区域包括第一发光区域、与所述第一发光区域邻接地配置的第二发光区域，所述发光装置的特征在于，包括：
发光元件，其具有：支承基板，该支承基板具有第一面以及位于所述第一面的相反的一侧的第二面；发光部，该发光部配置于所述支承基板的第二面，包含依次具有第一半导体层、发光层以及第二半导体层的半导体层叠体；
透光性部件，其具有：第一上表面、第二上表面、位于所述第一上表面以及所述第二上表面的相反的一侧的下表面、与所述第一上表面和所述第二上表面连续的第一侧面、与所述第二上表面和所述下表面连续的第二侧面、与所述第一上表面和所述下表面连续的第三侧面，并配置为从所述下表面到所述第一上表面的厚度比从所述下表面到所述第二上表面的厚度大，所述下表面与所述支承基板的第一面对置；
光调整部件，其使所述透光性部件的所述第一上表面露出，覆盖所述第二上表面以及所述第一侧面；
在俯视时，所述第一发光区域包括所述第一上表面，所述第二发光区域包括所述第二上表面，所述第二发光区域的面积为所述发光区域的面积的35％以上95％以下，
所述第一发光区域与所述第二发光区域的边界具有与所述发光区域的外周相接的第一点以及第二点，在俯视时，连结所述第一点以及所述第二点的直线为横穿所述发光区域的直线。
2.如权利请求1所述的发光装置，其特征在于，
所述发光元件具有多个所述发光部，该多个所述发光部在所述支承基板的所述第二面分别分离配置。
3.如权利请求2所述的发光装置，其特征在于，
在俯视时，所述第一发光区域与所述第二发光区域的边界位于多个所述发光部之间。
4.如权利请求2或权利请求3所述的发光装置，其特征在于，
多个所述发光部在发光时的电流密度不同。
5.如权利请求1至权利请求3中任一项所述的发光装置，其特征在于，
所述透光性部件包括荧光体。
6.如权利请求5所述的发光装置，其特征在于，
所述光调整部件包括与所述透光性部件所含的荧光体的发光峰值波长不同的荧光体。
7.如权利请求1至权利请求6中任一项所述的发光装置，其特征在于，
所述光调整部件为包含光反射性物质的树脂。
8.如权利请求1至权利请求7中任一项所述的发光装置，其特征在于，
所述光调整部件覆盖所述透光性部件的所述第二侧面和所述第三侧面以及所述发光元件的侧面。
9.如权利请求1至权利请求6中任一项所述的发光装置，其特征在于，
所述光调整部件为包含光反射性物质的无机部件。
10.如权利请求9所述的发光装置，其特征在于，
还具备光调整部件，该光调整部件将所述光调整部件的上表面以及所述透光性部件的第一上表面露出，覆盖所述光调整部件的侧面、所述透光性部件的所述第二侧面和所述第三侧面以及所述发光元件的侧面。
11.如权利请求1至权利请求10中任一项所述的发光装置，其特征在于，
所述透光性部件的所述第一上表面与所述光调整部件的上表面位于同一平面。
12.如权利请求1至权利请求11中任一项所述的发光装置，其特征在于，
具备透光板，该透光板覆盖所述光调整部件的上表面。
13.如权利请求1至权利请求12中任一项所述的发光装置，其特征在于，
所述第二上表面的表面粗糙度Ra比所述第一上表面的表面粗糙度Ra大。
14.如权利请求1至权利请求13中任一项所述的发光装置，其特征在于，
所述第二上表面在与所述第一侧面之间具有曲面部。
15.如权利请求1至权利请求13中任一项所述的发光装置，其特征在于，
所述第二上表面在与所述第一侧面之间具有凹部，所述第一侧面构成所述凹部的侧面。
16.如权利请求1至权利请求15中任一项所述的发光装置，其特征在于，
所述发光部包括重叠配置的多个所述半导体层叠体。
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