CN117405958B - 电流传感器 - Google Patents

Abstract

本公开提供的一种电流传感器，涉及电流检测技术领域。该电流传感器包括磁敏单元和电流导体。电流导体包括同一平面内依次等距设置的三个平行分段；被测电流流经相邻平行分段中的方向相反、大小相等。第一磁电阻与第一平行分段的相对位置、第二磁电阻与第二平行分段的相对位置、与第三磁电阻与第三平行分段的相对位置均相同。第一磁电阻和其中一个第二磁电阻对外界干扰磁场的输出相互抵消，第三磁电阻和另一个第二磁电阻对外界干扰磁场的输出相互抵消；第一磁电阻和第二磁电阻的灵敏度方向相反，第二磁电阻和第三磁电阻的灵敏度方向相反。该磁敏单元具有抗外场干扰的优点，能够有效消除干扰磁场/环境磁场的影响，提高对电流大小的测量精度。

Description

电流传感器

技术领域

本发明涉及电流检测技术领域，具体而言，涉及一种电流传感器。

背景技术

电流传感器用于测量电流传输介质中的电流，可以大量应用在各种需要进行电流测量的场景中，例如，电池管理***（BMS）中需要集成大量的电流传感器测量相关电池Pack的充放电时电流大小，变频器需要集成有大量的电流传感器测量电流等。

图1为现有主流的芯片式电流传感器主流组成结构，其形式为采用四个磁电阻R1、R2、R3、R4组成的惠斯通全桥电路。其中，磁电阻R1、R4的灵敏方向为垂直于电流平面的第一方向，磁电阻R2、R3的灵敏方向为垂直于电流平面的第二方向，所述第一方向和第二方向相反。现有的芯片式电流传感器容易受到外加磁场（例如干扰磁场、环境磁场等）的干扰，外加磁场存在垂直于电流平面的分量时，其和被测电流所产生的磁场叠加，将导致电流测量不准确。即现有的芯片式电流传感器容易受到外界磁场信号的干扰，影响测量精度。

目前也有一些抗干扰的电流传感器，如图2，现有公开的一种电流测量器件，可消除干扰磁场对电流测量的干扰。具体方法为：被测电流在三个以上的不同位置都产生磁场，每个位置都有两个对应磁场方向且方向相反的磁电阻，通过两个磁电阻串并联的方式来抵抗外界的干扰场。这种方式虽能消除干扰场，但需要设置较多的磁电阻，结构比较复杂，使得传感器尺寸变大，且最终的输出信号降低了。即在抵消外场干扰的同时，是以牺牲传感器灵敏度为代价的，电流传感器本身灵敏度降低，会降低对电流大小测量的精度。

发明内容

本发明的目的包括，例如，提供了一种电流传感器，其能够在不降低传感器灵敏度的前提下，有效消除干扰磁场/环境磁场的影响，提高对电流大小的测量精度。

本发明的实施例可以这样实现：

本实施例提出的电流传感器，采用具有消除干扰磁场作用的磁敏单元测量电流的大小，所述电流传感器包括电流导体和磁敏单元。其中：

所述电流导体包括在同一平面内依次等间距设置的第一平行分段、第二平行分段和第三平行分段；被测电流流经相邻两个平行分段时大小相等、方向相反。

所述磁敏单元包括第一磁电阻、第三磁电阻和两个第二磁电阻；所述第一磁电阻和其中一个所述第二磁电阻对外界干扰磁场的输出相互抵消，所述第三磁电阻和另一个所述第二磁电阻对外界干扰磁场的输出相互抵消。

所述第一磁电阻与所述第一平行分段的距离、所述第二磁电阻与第二平行分段的距离、所述第三磁电阻与第三平行分段的距离均小于第一阈值；所述第一磁电阻与第一平行分段的相对位置、所述第二磁电阻与第二平行分段的相对位置、与所述第三磁电阻与第三平行分段的相对位置均相同；

所述第一磁电阻和所述第二磁电阻的灵敏度方向相反，所述第二磁电阻和所述第三磁电阻的灵敏度方向相反。

可选地，所述第一磁电阻和其中一个所述第二磁电阻串联或并联，形成第一磁阻组件；另一个所述第二磁电阻和所述第三磁电阻串联或并联，形成第二磁阻组件；所述第一磁阻组件和所述第二磁阻组件串联或并联。

可选地，两个所述第二磁电阻平行或重叠设置。

可选地，所述第一磁电阻、所述第二磁电阻和所述第三磁电阻分别设于对应平行分段的正上方或正下方时，所述第一磁电阻、所述第二磁电阻以及所述第三磁电阻的灵敏方向与对应平行分段的夹角不为0°、且不为180°。

可选地，包括四个所述磁敏单元，四个所述磁敏单元连接形成惠斯通全桥电路结构。

可选地，包括两个所述磁敏单元，两个所述磁敏单元连接形成惠斯通半桥电路结构。

可选地，所述第一磁电阻、所述第二磁电阻和所述第三磁电阻的类型包括TMR、AMR、GMR、CMR或SMR在内的XMR。

本发明实施例提供的电流传感器的有益效果包括，例如：

本发明实施例提供的一种电流传感器，电流导体包括同一平面内依次等距设置的第一平行分段、第二平行分段和第三平行分段；被测电流流经相邻平行分段中的方向相反、大小相等。磁敏单元包括第一磁电阻、第三磁电阻和两个第二磁电阻；第一磁电阻与第一平行分段的相对位置、第二磁电阻与第二平行分段的相对位置、与第三磁电阻与第三平行分段的相对位置均相同。第一磁电阻和第二磁电阻的灵敏度方向相反，第二磁电阻和第三磁电阻的灵敏度方向相反。第一磁电阻和其中一个第二磁电阻对外界干扰磁场的输出相互抵消，第三磁电阻和另一个第二磁电阻对外界干扰磁场的输出相互抵消；这样使得该电流传感器可抵消外场干扰，且不会降低灵敏度，有利于提高电流大小的测量精度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为现有技术中的一种电流传感器的磁电阻连接示意图；

图2为现有技术中的另一种电流传感器的磁电阻分布示意图；

图3为本发明具体实施例提供的电流传感器中磁电阻的第一种分布结构示意图；

图4为本发明具体实施例提供的电流传感器中磁电阻的第二种分布结构示意图；

图5为本发明具体实施例提供的电流传感器中磁电阻的第三种分布结构示意图；

图6为本发明具体实施例提供的电流传感器中磁电阻的第四种分布结构示意图；

图7为本发明具体实施例提供的电流传感器中磁电阻的第一种连接结构示意图；

图8为本发明具体实施例提供的电流传感器中磁电阻的第二种连接结构示意图；

图9为本发明具体实施例提供的电流传感器中磁电阻的第三种连接结构示意图；

图10为本发明具体实施例提供的电流传感器中磁电阻的第四种连接结构示意图；

图11为本发明具体实施例提供的电流传感器的一种全桥电路结构示意图；

图12为本发明具体实施例提供的电流传感器的一种半桥电路结构示意图。

图标：100-磁敏单元；10-第一平行分段；110-第一磁电阻；121、122-第二磁电阻；130-第三磁电阻；20-第二平行分段；30-第三平行分段。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本发明的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明的实施例中的特征可以相互结合。

现有电流传感器的检测原理为：导线中流过的电流产生磁场，不同灵敏方向的磁电阻构成全桥电路来感应电流产生的磁场，从而得到相应的电流值。但现有的电流传感器容易受到外加磁场，例如干扰磁场、环境磁场等的干扰，当外加磁场存在垂直于电流平面的分量时，其和被测电流所产生的磁场叠加，将导致电流测量不准确。目前有一些抗干扰的电流传感器，但在抵消外场干扰的同时，是以牺牲传感器灵敏度为代价的，导致电流传感器本身灵敏度降低，会降低对电流大小测量的精度。

为了解决外加磁场的干扰，本实施例提出了一种电流传感器，其能够在不降低传感器灵敏度的前提下，有效消除干扰磁场/环境磁场的影响，提高对电流大小的测量精度。

请参考图3，本实施例提供了一种电流传感器，采用具有消除干扰磁场作用的磁敏单元100测量电流的大小，电流传感器包括电流导体和磁敏单元100。其中：电流导体包括在同一平面内依次等间距L1设置的第一平行分段10、第二平行分段20和第三平行分段30；被测电流依次流经电流导体的三个平行分段，且被测电流在相邻两个平行分段上的大小相等、方向相反。图中实心箭头表示被测电流方向。

磁敏单元100包括四个磁电阻，即一个第一磁电阻110、一个第三磁电阻130和两个第二磁电阻121、122；第一磁电阻110和其中一个第二磁电阻121对外界干扰磁场的输出相互抵消，第三磁电阻130和另一个第二磁电阻122对外界干扰磁场的输出相互抵消。

第一磁电阻110与第一平行分段10的距离、第二磁电阻121、122与第二平行分段20的距离，第三磁电阻130与第三平行分段30的距离均小于第一阈值，即将上述各磁电阻设置在对应平行分段附近，以有效检测相应平行分段产生的磁场。第一磁电阻110与第一平行分段10的相对位置、第二磁电阻121、122与第二平行分段20的相对位置、以及第三磁电阻130与第三平行分段30的相对位置（包括方位和距离）均相同。且第一磁电阻110和第二磁电阻121、122的灵敏度方向相反，第二磁电阻121、122和第三磁电阻130的灵敏度方向相反。

需要说明的是，文中提及的“相对位置相同”，应理解为各个磁电阻与对应的平行分段的相对距离和相对方向均相同。比如，第一磁电阻110相对于第一平行分段10的位置为，在沿第一方向上第一磁电阻110和第一平行分段10的直线距离为第一距离D，则沿第一方向上，第二磁电阻121、122和第二平行分段20的直线距离为第一距离D，沿第一方向上第三磁电阻130和第三平行分段30的直线距离为第一距离D。这里的第一方向可以是朝上、下、左、右、斜上或斜下等任意方向。这样可以使得相邻两个平行分段中的两个磁电阻对外界干扰磁场的输出相互抵消。外界干扰磁场即为外加磁场，包括均匀干扰场和梯度干扰场。

可选地，第一磁电阻110、第二磁电阻121、122和第三磁电阻130分别设于对应平行分段的正上方或正下方时，第一磁电阻110、第二磁电阻121、122和第三磁电阻130的灵敏度方向与对应平行分段的夹角不为0°、且不为180°。

四个磁电阻串联/并联连接。可选地，第一磁电阻110和其中一个第二磁电阻121串联或并联，形成第一磁阻组件；另一个第二磁电阻122和第三磁电阻130串联或并联，形成第二磁阻组件；第一磁阻组件和第二磁阻组件串联或并联。两个第二磁电阻121、122平行或重叠设置。需要说明的是，两个第二磁电阻121、122之间的距离很小，远远小于第一磁电阻110和第二磁电阻121、122之间的距离，也同样远远小于第三磁电阻130和第二磁电阻121、122之间的距离。实际上，只要保证两个第二磁电阻121、122感受到的磁场相同即可。如图3、图4和图6中，两个第二磁电阻121、122平行设置，而如图5中两个第二磁电阻121、122重叠设置，均能够保证两个第二磁电阻121、122感受到的磁场相同。

可以理解，三个平行分段相连可呈S形或U形。第一磁电阻110和第二磁电阻121、122的灵敏度方向相反，被测电流在第一平行分段10和第二平行分段20中的大小相等、方向相反，故被测电流在第一磁电阻110和第二磁电阻121、122处产生的磁场H大小相等，方向相反。第二磁电阻121、122和第三磁电阻130的灵敏度方向相反，被测电流在第二磁电阻121、122和第三磁电阻130处产生的磁场H大小相等，方向相反。干扰磁场包括均匀干扰场Hu以及梯度干扰场Hg。其中，梯度干扰场Hg是指单位距离的变化磁场。

结合图7，磁敏单元100中四个磁电阻的第一种连接方式：

若第一磁电阻110和一个第二磁电阻121串联，形成第一磁阻组件；另一个第二磁电阻122和第三磁电阻130串联，形成第二磁阻组件；第一磁阻组件和第二磁阻组件串联。假设第一磁电阻110的电阻为R1，第二磁电阻121、122的电阻为R2，第三磁电阻130的电阻为R3，则有：

R1=R0+K（H+Hu+Hg1）；

R2=R0-K（-H+Hu+Hg2）；

R3=R0+K（H+Hu+Hg3）；其中，R0是不存在磁场情况下的磁电阻的阻值，K为常数，H为被测电流在磁电阻处产生的磁场；Hg为梯度干扰场，Hu为均匀干扰场。

第一磁阻组件的电阻为R12，R12=R1+R2=2R0+2KH+K（Hg1-Hg2）；

第二磁阻组件的电阻为R23，R23=R2+R3=2R0+2KH+K（Hg3-Hg2）；

四个磁电阻连接形成的磁敏单元100的电阻为R123，R123=R12+R23=4R0+4KH。

由R12和R23可以看出，第一磁电阻110和第二磁电阻121串联后，第二磁电阻122和第三磁电阻130串联后，电阻只与被测电流产生的磁场H和梯度干扰场Hg相关，而与均匀干扰场Hu无关。由R123可以看出，第一磁阻组件和第二磁阻组件串联后，电阻只与被测电流产生的磁场H相关，与梯度干扰场Hg、与均匀干扰场Hu均无关。并且灵敏度是原来的4倍，相应的输出也增大，即灵敏度更高。因此，本实施例提出的电流传感器，可完全抵消外加干扰，且灵敏度不会降低，反而会增加。

结合图8，磁敏单元100中四个磁电阻的第二种连接方式：

若第一磁电阻110和一个第二磁电阻121并联，形成第一磁阻组件；另一个第二磁电阻122和第三磁电阻130并联，形成第二磁阻组件；第一磁阻组件和第二磁阻组件并联。假设第一磁电阻110的电导为G1，第二磁电阻121、122的电导为G2，第三磁电阻130的电导为G3，则有：

G1=G0+K（H+Hu+Hg1）；

G2=G0-K（-H+Hu+Hg2）；

G3=G0+K（H+Hu+Hg3）；其中，G0是不存在磁场情况下的磁电阻的电导值，K为常数，H为被测电流在磁电阻处产生的磁场；Hg为梯度干扰场，Hu为均匀干扰场。

第一磁阻组件的电导为G12，G12=G1+G2=2G0+2KH+K（Hg1-Hg2）；

第二磁阻组件的电导为G23，G23=G2+G3=2G0+2KH+K（Hg3-Hg2）；

由于第一磁电阻110和第二磁电阻121之间的距离、第二磁电阻122与第三磁电阻130之间的距离相等，且第二磁电阻121、122可以看作在相同的空间位置上，四个磁电阻连接形成的磁敏单元100的电导为G123，G123=G12+G23=4G0+4KH。

由G12和G23可以看出，第一磁电阻110和第二磁电阻121串联后，第二磁电阻122和第三磁电阻130串联后，电导只与被测电流产生的磁场H和梯度干扰场Hg相关，而与均匀干扰场Hu无关。由G123可以看出，第一磁阻组件和第二磁阻组件串联后，电导只与被测电流产生的磁场H相关，与梯度干扰场Hg、与均匀干扰场Hu均无关。并且灵敏度是原来的4倍，相应的输出也增大，即灵敏度更高。因此，本实施例提出的电流传感器，可完全抵消外加干扰，且灵敏度不会降低，反而会增加。

需要说明的是，对于采用TMR效应的磁电阻来说，磁电阻的电阻值和电导值均可以表示成A+B×H的形式，只是电阻和电导表达式的A和B不一样。所以串联可以采用电阻的计算，并联可以采用电导的计算，得到的结果是一致的，都只与被测电流产生的磁场H相关，与梯度干扰场Hg、与均匀干扰场Hu均无关，并且灵敏度是原来的4倍，输出增大。

如图9所示，在另一个实施例中，第一磁电阻110和一个第二磁电阻121串联，形成第一磁阻组件；另一个第二磁电阻122和第三磁电阻130串联，形成第二磁阻组件；第一磁阻组件和第二磁阻组件并联连接。假设第一磁电阻110的电阻为R1，第二磁电阻121、122的电阻为R2，第三磁电阻130的电阻为R3，则有：

R1=R0+K（H+Hu+Hg1）；

R2=R0-K（-H+Hu+Hg2）；

R3=R0+K（H+Hu+Hg3）；其中，R0是不存在磁场情况下的磁电阻的阻值，K为常数，H为被测电流在磁电阻处产生的磁场；Hg为梯度干扰场，Hu为均匀干扰场。

第一磁阻组件的电阻为R12，R12=R1+R2=2R0+2KH+K（Hg1-Hg2）；

第二磁阻组件的电阻为R23，R23=R2+R3=2R0+2KH+K（Hg3-Hg2）；

第一磁电阻110和第二磁电阻121之间的距离、第二磁电阻122与第三磁电阻130之间的距离相等，且第二磁电阻121、122可以看作在相同的空间位置上。将第一磁阻组件、第二磁阻组件的电阻分别转成电导的形式，并以泰勒级数展开后保留一次项后：

第一磁阻组件的电导为G12，G12=G+kK（Hg1-Hg2）；

第二磁阻组件的电导为G23，G23=G+kK（Hg3-Hg2）；

其中，，k为第一磁阻组件、第二磁阻组件的电导进行泰勒级数展开后的一次项系数。四个磁电阻连接形成的磁敏单元100的电导为G123，G123=G12+G23=2G。

当然，四个磁电阻的串并联连接，除了上述列举的情形，还有其他连接方式，如图10所示，第一磁电阻110和一个第二磁电阻121并联，形成第一磁阻组件；另一个第二磁电阻122和第三磁电阻130并联，形成第二磁阻组件；第一磁阻组件和第二磁阻组件串联连接。对于图10或其它连接情形，其结算结果均是一样的，与梯度干扰场Hg、与均匀干扰场Hu均无关，这里不再一一计算。

值得注意的是，相对于电流传感器在空间上的距离来说，各个磁电阻之间的距离很短，除了电流产生的磁场、均匀干扰场和梯度干扰场，还存在一些其他量比较小的干扰场。在磁场不产生突变的边界处，其他不均匀场均可以近似梯度干扰场处理，即在上述计算中可将这些其他不均匀的量比较小的干扰场近似为梯度干扰场处理。

可选地，第一磁电阻110、第二磁电阻121、122和第三磁电阻130的类型包括TMR、AMR、GMR、CMR或SMR在内的XMR，这里不作具体限定。

结合图11，在上述磁敏单元100的基础上，电流传感器可以实现为包括四个磁敏单元100，四个磁敏单元即A、B、C、D连接形成惠斯通全桥电路结构，线性输出。磁敏单元A、B的磁电阻分别作为惠斯通电桥一组对臂的两个桥臂，所述磁敏单元C、D分别作为惠斯通电桥另一组对臂的两个桥臂。如图10中，如各磁敏单元100对应的短箭头所示，同一对臂上的磁敏单元100（磁敏单元A和B，磁敏单元C和D）的灵敏度方向相同，不同对臂上的磁敏单元100的灵敏度方向相反。待测电流产生的磁场方向如图中长箭头H所示。

在其它一些实施方式中，如图12，电流传感器可以实现为包括两个磁敏单元100，两个磁敏单元100连接形成惠斯通半桥电路结构。两个磁敏单元100的灵敏度方向相反。

综上所述，本发明实施例提供的电流传感器，具有以下几个方面的有益效果包括，例如：

本发明实施例提供的一种电流传感器，电流导体包括同一平面内依次等距设置的第一平行分段10、第二平行分段20和第三平行分段30；被测电流流经相邻平行分段中的方向相反、大小相等。磁敏单元100包括第一磁电阻110、第三磁电阻130和两个第二磁电阻121、122；第一磁电阻110与第一平行分段10的相对位置、第二磁电阻121、122与第二平行分段20的相对位置、与第三磁电阻130与第三平行分段30的相对位置相同。第一磁电阻110和第二磁电阻121、122的灵敏度方向相反，第二磁电阻121、122和第三磁电阻130的灵敏度方向相反。第一磁电阻110和其中一个第二磁电阻121、122对外界干扰磁场的输出相互抵消，第三磁电阻130和另一个第二磁电阻121、122对外界干扰磁场的输出相互抵消；这样使得该电流传感器可抵消外场干扰，且不会降低灵敏度，灵敏度会增大至原有的四倍，有利于提高电流大小的测量精度。

该电流传感器中，每个磁敏单元100中的各个磁电阻串并联连接方式灵活，电流传感器可以实现为两个磁敏单元100构成的惠斯通半桥电路结构，也可以实现为四个磁敏单元100构成的惠斯通全桥电路结构。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (7)

1.一种电流传感器，其特征在于，采用具有消除干扰磁场作用的磁敏单元测量电流的大小，所述电流传感器包括：

电流导体，所述电流导体包括在同一平面内依次等间距设置的第一平行分段、第二平行分段和第三平行分段；被测电流流经相邻两个平行分段时大小相等、方向相反；

磁敏单元，所述磁敏单元包括第一磁电阻、第三磁电阻和两个第二磁电阻；所述第一磁电阻和其中一个所述第二磁电阻对外界干扰磁场的输出相互抵消，所述第三磁电阻和另一个所述第二磁电阻对外界干扰磁场的输出相互抵消；

所述第一磁电阻与所述第一平行分段的距离、所述第二磁电阻与第二平行分段的距离、所述第三磁电阻与第三平行分段的距离均小于第一阈值；所述第一磁电阻与第一平行分段的相对位置、所述第二磁电阻与第二平行分段的相对位置、与所述第三磁电阻与第三平行分段的相对位置均相同；

所述第一磁电阻和所述第二磁电阻的灵敏度方向相反，所述第二磁电阻和所述第三磁电阻的灵敏度方向相反。

2.根据权利要求1所述的电流传感器，其特征在于，所述第一磁电阻和其中一个所述第二磁电阻串联或并联，形成第一磁阻组件；另一个所述第二磁电阻和所述第三磁电阻串联或并联，形成第二磁阻组件；所述第一磁阻组件和所述第二磁阻组件串联或并联。

3.根据权利要求1所述的电流传感器，其特征在于，两个所述第二磁电阻平行或重叠设置。

4.根据权利要求1所述的电流传感器，其特征在于，所述第一磁电阻、所述第二磁电阻和所述第三磁电阻分别设于对应平行分段的正上方或正下方时，所述第一磁电阻、所述第二磁电阻以及所述第三磁电阻的灵敏方向与对应平行分段的夹角不为0°、且不为180°。

5.根据权利要求1所述的电流传感器，其特征在于，包括四个所述磁敏单元，四个所述磁敏单元连接形成惠斯通全桥电路结构。

6.根据权利要求1所述的电流传感器，其特征在于，包括两个所述磁敏单元，两个所述磁敏单元连接形成惠斯通半桥电路结构。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的电流传感器，其特征在于，所述第一磁电阻、所述第二磁电阻和所述第三磁电阻的类型包括TMR、AMR、GMR、CMR或SMR在内的XMR。