CN117393688B - 一种显示模组及制备方法、显示装置 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 100
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 64
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 23
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 6
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 claims description 5
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000005429 filling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 6
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 6
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 6
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 6
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 229920006280 packaging film Polymers 0.000 description 3
- 239000012785 packaging film Substances 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 3
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本发明涉及LED显示装置技术领域，具体为一种显示模组及制备方法、显示装置，其中，芯片转接板包括用于承载薄膜芯片的基板、第一连接部、开设于基板的导电孔、第二连接部，薄膜芯片通过该芯片转接板中的第一连接部、导通孔、第二连接部，实现与PCB板中电路的连接，另外本申请还提供了一种将薄膜芯片作为像素单元的显示装置，芯片转接板的设置，方便了薄膜芯片与显示模组中PCB板电连接。
Description
技术领域
本发明涉及LED显示装置技术领域，尤其涉及一种显示模组及制备方法、显示装置。
背景技术
LED显示装置由形成每个像素的微型LED芯片组成，具有亮度高、发光效率高、功率小等优点，可应用于横跨式穿戴设备、电视、AR/VR等多个领域。
现阶段，超大尺寸LED显示产品（100寸以上）中，所采用的像素单元主要由MiniLED芯片组成，并且，PCB板中电路结构通常与Mini LED芯片结构匹配，然而，随着电子技术的发展以及LED芯片尺寸的进一步缩小，Micro LED芯片等薄膜芯片广泛应用，但目前，PCB板制备工艺加工精度达不到薄膜芯片尺寸的精度要求，薄膜芯片无法直接与行业量产工艺水平的PCB板连接。
发明内容
针对现有技术中存在的上述技术问题，本发明提供了一种显示模组及制备方法，目的是：提供一种将薄膜芯片作为像素单元的显示模组，可实现薄膜芯片与显示模组中PCB板的电连接。
为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种显示模组，该显示模组包括PCB板、像素单元、设置于PCB板正面的第三连接部、设置于PCB板背面的驱动单元，所述驱动单元的驱动方式为PM驱动，所述第三连接部与所述PCB板中的电路电连接，其特征在于，所述显示模组包括芯片转接板，所述芯片转接板用于将所述像素单元与所述PCB板中的电路连接，所述芯片转接板包括：
基板，用于承载像素单元，所述像素单元以阵列结构分布于所述基板的正面，所述像素单元包括至少一个薄膜芯片，所述薄膜芯片为Micro LED芯片；
第一连接部，位于所述基板的正面，所述第一连接部的尺寸与所述薄膜芯片的电极尺寸匹配：所述第一连接部包括第一正极连接部、第一负极连接部，所述第一正极连接部、第一负极连接部分别连接同一所述薄膜芯片的正极电极、负极电极，所述第一正极连接部、第一负极连接部之间的间距，与同一所述薄膜芯片的正极电极、负极电极之间的间距匹配；
导电孔，开设于所述基板，用于将所述第一连接部、第二连接部电连接；
第二连接部，位于所述基板的背面，所述第二连接部的尺寸与所述第三连接部的尺寸匹配：所述第二连接部包括第二正极连接部、第二负极连接部，所述第三连接部包括第三正极连接部、第三负极连接部，所述第二正极连接部与相应的所述第三正极连接部连接，所述第二负极连接部与相应的所述第三负极连接部连接，所述第二正极连接部、第二负极连接部之间的间距，与相应的所述第三正极连接部、第三负极连接部之间的间距匹配；
所述薄膜芯片通过所述芯片转接板中的所述第一连接部、导电孔、第二连接部，与所述第三连接部、PCB板中的电路、驱动单元电连接；
所述薄膜芯片位于所述基板中远离所述PCB板的一侧；
所述驱动单元通过所述第三连接部、PCB板中的电路、第二连接部、第一连接部、导电孔传输电流控制信号给所述薄膜芯片，控制所述薄膜芯片点亮或关闭。
其进一步特征在于，
所述基板中薄膜芯片所在面的基色为黑色，所述基板的材质为BT板、玻璃、陶瓷或PET，所述基板的厚度为0.05mm~0.5mm。
进一步的，所述薄膜芯片的长度、宽度尺寸为10微米~100微米，厚度范围为2微米~6微米。
一种显示模组的制备方法，该方法用于制备上述显示模组，其特征在于，该方法包括：
提供一PCB板，所述PCB板的正面设置有第三连接部，所述PCB板的背面设置有驱动单元，所述驱动单元的驱动方式为PM驱动；
提供一基板，在所述基板中开设导电孔；
在所述基板的正面制备第一连接部，使所述第一连接部与相应的所述导电孔电连接，所述第一连接部的尺寸与所述薄膜芯片的电极尺寸匹配：所述第一连接部包括第一正极连接部、第一负极连接部，所述第一正极连接部、第一负极连接部分别连接同一所述薄膜芯片的正极电极、负极电极，所述第一正极连接部、第一负极连接部之间的间距，与同一所述薄膜芯片的正极电极、负极电极之间的间距匹配；
在所述基板的背面制备第二连接部，所述第二连接部的一端与相应的所述导电孔电连接，所述第二连接部的尺寸与所述第三连接部的尺寸匹配：所述第二连接部包括第二正极连接部、第二负极连接部，所述第三连接部包括第三正极连接部、第三负极连接部，所述第二正极连接部与相应的所述第三正极连接部连接，所述第二负极连接部与相应的所述第三负极连接部连接，所述第二正极连接部、第二负极连接部之间的间距，与相应的所述第三正极连接部、第三负极连接部之间的间距匹配；
提供若干薄膜芯片，所述薄膜芯片为Micro LED芯片，采用巨量转移方式，将所述薄膜芯片以阵列结构安装于所述基板，并使所述薄膜芯片的电极与相应的所述第一连接部电连接；
将芯片转接板中基板的背面与所述PCB板键合，基板背面的所述第二连接部与所述第三连接部对应连接；
所述薄膜芯片位于所述基板中远离所述PCB板的一侧；
所述驱动单元通过所述第三连接部、PCB板中的电路、第二连接部、第一连接部、导电孔传输电流控制信号给所述薄膜芯片，控制所述薄膜芯片点亮或关闭。
其进一步特征在于，
采用激光开孔或机械钻孔方式，在所述基板中开设贯穿基板的通孔；
在所述通孔内填充第一导电金属材料，形成导电孔；
采用光刻刻蚀工艺或剥离工艺，在所述基板的正面制备第一连接部；
在所述第一连接部的表面涂覆导电焊接材料。
进一步的，该方法还包括，制备所述第二连接部的步骤包括：采用磁控溅射镀膜工艺，在所述基板的背面生长种子材料，形成种子层；
采用光刻刻蚀工艺或剥离工艺，在所述种子层的表面制备所述第二连接部。
进一步的，采用底部填胶工艺，在所述基板与所述PCB板之间设置连接层，通过连接层将所述基板与所述PCB板对应连接，包括：
在所述第二连接部之间的间隙内填充第一溶液；
对所述第一溶液进行加热固化，使所述第一溶液形成半固化层；
在所述第三连接部之间的间隙内填充第二溶液；
将所述第二连接部的另一端与所述第三连接部对应连接，所述第二溶液的上表面与所述半固化层的下表面贴合；
对所述半固化层、第二溶液进行加热固化，将所述基板背面与所述PCB板键合。
一种显示装置，该显示装置由若干显示模组拼接组成，其特征在于，所述显示模组为上述显示模组。
采用本发明上述结构及方法可以达到如下有益效果：
本申请显示模组中，设置有芯片转接板，芯片转接板中设置有基板、导电孔、第一连接部、第二连接部，薄膜芯片通过第一连接部、导电孔、第二连接部与第三连接部、PCB板中的电路、驱动单元电连接，即薄膜芯片通过芯片转接板，实现与PCB板电连接，芯片转接板正面第一连接部的尺寸与薄膜芯片的电极尺寸匹配，具有小线宽、高精度的特点，能够满足微型薄膜芯片的高精度安装要求。芯片转接板背面第二连接部的尺寸与PCB板表面第三连接部的尺寸匹配，因此，有利于该芯片转接板与PCB板稳固连接。
附图说明
图1为现有显示模组的主视结构示意图；
图2为将薄膜芯片与现有的显示模组中连接部连接的剖视结构示意图；
图3为薄膜芯片的剖视结构示意图；
图4为本发明芯片转接板的剖视结构示意图；
图5为本发明显示模组的剖视结构示意图；
图6为本发明显示模组的俯视结构示意图；
图7为本发明显示装置的俯视结构示意图。
附图标记：PCB板1、第三正极连接部31、第三负极连接部32；
薄膜芯片4、像素单元40、第一型半导体层41、发光层42、第二型半导体层43、电流扩展层44、绝缘层45、反射层46、第一电极471、第二电极472、欧姆接触层48；
基板5、导电孔6、第一正极连接部71、第一负极连接部72、第二正极连接部81、第二负极连接部82、封装膜9、Mini-LED芯片10、间距L。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、装置、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
图1提供了一种现有常用的显示模组，该显示模组包括PCB板1、分布于PCB板1中的电路（图中未示出）、设置于PCB板1背面的驱动单元、设置于PCB板1正面的第三连接部、像素单元40，第三连接部与PCB板中的电路电连接，驱动单元用于控制像素单元40开启或关闭，现有技术中，像素单元40由Mini-LED芯片10构成。
本申请将薄膜芯片作为像素单元40，应用于上述显示模组中，其中，薄膜芯片4包括外延片、设置于外延片的电流扩展层44、绝缘层45、反射层46、电极，电极包括第一电极471、第二电极472，参考图3，外延片包括第一型半导体层41、发光层42、第二型半导体层43，第一型半导体层41、发光层42、第二型半导体层43、电流扩展层44、绝缘层45、反射层46、电极自上而下依次分布，第一型半导体层41的上表面为出光面，第一电极471的一端通过欧姆接触层48与第一型半导体层电连接，第二电极472的一端通过电流扩展层44与第二型半导体层43电连接，反射层46用于光线反射，第一电极471、第二电极472用于与上述PCB板中的电路电连接。
薄膜芯片4为蓝光芯片或绿光芯片，则第一型半导体层41为N型GaN层，第二型半导体层43为P型GaN层，发光层42为量子阱层。
本实施例中，不对电流扩展层44、绝缘层45、反射层46、电极的材质做具体限定，电流扩展层44优选ITO，绝缘层45优选Al2O3、SiO2薄膜或SiNx薄膜，反射层46优选Ni或Ag等金属，第一电极471、第二电极472的材质优选铜。
需要说明的是，如果薄膜芯片4为红光芯片或黄光芯片，则第一型半导体层为N型AlGaInP层，第二型半导体层为P型AlGaInP层。
参考图2，上述薄膜芯片的尺寸较小（例如薄膜芯片的长*宽尺寸为40μm*60μm或50μm*80μm，电极间距为10μm~20μm），而常规显示模组的PCB板中，第三连接部尺寸较大（例如第三连接部的长*宽尺寸为110μm*120μm，两个第三连接部的间距约为50μm~70μm），薄膜芯片电极与PCB板上的焊盘（即第三连接部）尺寸差别较大，导致薄膜芯片无法直接与PCB板中的第三连接部精确、稳固连接。
对于现有技术中薄膜芯片无法直接与PCB板中的第三连接部精确、稳固连接的技术问题，以下提供了一种显示模组的制备方法，首先制备一芯片转接板，具体制备步骤包括：
S1、提供一基板，基板外表面的基色为黑色，在基板中开设导电孔，具体步骤包括：
S11、采用机械钻孔方式，在基板中开设贯穿基板的通孔；
S12、在通孔内电镀第一导电金属材料，形成导电孔，本实施例中第一导电金属材料优选铜；
S2、在基板的正面制备第一连接部，第一连接部与相应的导电孔电连接，第一连接部的尺寸与薄膜芯片的电极尺寸匹配，具体步骤包括：
S21、采用光刻刻蚀工艺，在基板正面制备第一连接部，包括：
S2111、采用电子束蒸镀法或磁控溅射镀膜工艺，在基板正面沉积第二导电金属材料，厚度范围为3μm~5μm，本实施例优选4μm，第二导电金属材料为铜；
S2112、在第二导电金属材料表面涂覆第一光刻胶；
S2113、基于第一掩模版，对第一光刻胶进行曝光、显影，使第二导电金属材料的待刻蚀区域暴露；
S2114、基于显影图形，采用等离子干法刻蚀或化学药液湿法刻蚀方式，对第二导电金属材料的待刻蚀区域进行刻蚀；
S2115、清洗去除第一光刻胶，从而形成第一连接部。
需要说明的是，在另一实施例中，可采用剥离工艺，制备形成第一连接部，具体制备步骤包括：
S2121、在基板正面涂覆第二光刻胶；
S2122、基于第二掩膜版，对第二光刻胶进行曝光、显影；
S2123、采用电子枪在基板正面电镀第二导电金属材料，厚度范围为3μm~5μm，本实施例优选4μm，第二导电金属材料为铜；
S2124、基于显影图形，对第二导电金属材料进行剥离处理，形成第一连接部；
S2125、清洗去除残余的第二光刻胶。
S22、在第一连接部的上表面涂覆锡或银。
S3、在基板的背面制备第二连接部，具体步骤包括：
S31、采用磁控溅射镀膜工艺，在基板的背面生长种子材料，形成种子层，种子材料为钛或钛钨合金；
S32、采用光刻刻蚀工艺，在种子层表面制备形成第二连接部，第二连接部用于与PCB板中的第三连接部电连接，第二连接部的制备步骤包括：
S3211、在种子层表面电镀第二导电金属材料，厚度范围为30μm~50μm，本实施例优选40μm，第二导电金属材料为铜；
S3212、在第二导电金属材料表面覆盖干膜；
S3213、基于第二掩模版，对干膜进行曝光、显影，使第二导电金属材料的待刻蚀区域暴露；
S3214、基于显影图形，采用干法刻蚀或湿法刻蚀方式，对第二导电金属材料的待刻蚀区域进行刻蚀；
S3215、清洗去除残余的干膜，从而形成第二连接部。
需要说明的是，在另一实施例中，可采用剥离工艺，制备形成第二连接部，具体制备步骤包括：
S3221、在种子层表面覆盖干膜；
S3222、基于第二掩模版，对干膜进行曝光、显影；
S3223、在显影后的干膜所在面整面电镀第二导电金属材料，厚度范围为30μm~50μm，本实施例优选40μm，第二导电金属材料为铜；
S3224、基于显影图形，对第二导电金属材料进行剥离处理，形成第二连接部。
将第二连接部与第三连接部对应连接时，先在第二连接部的表面涂覆锡或银，锡或银均为可导电的焊接材料，有利于第二连接部与第三连接部快速、稳固连接。
在上述步骤S2中，基于匀胶机旋涂光刻胶的方式制备第一连接部，光刻胶为溶液，厚度可控，因此，可制备横截面积较小，间距较小的高精度第一连接部（即小线宽、高精度的第一连接部，小线宽指第一正极连接部、第二正极连接部之间的间距较小，为5微米~20微米），第一连接部的尺寸与薄膜芯片电极尺寸匹配，有利于微型薄膜芯片的精确安装。而步骤S3中，第二连接部基于干膜光刻实现，干膜厚度固定，通常大于液态光刻胶厚度，因此，可制备横截面积较大，间距较大的第二连接部或PCB板上的第三连接部。
S4、采用巨量转移的方式，将薄膜芯片对应安装于第一连接部，使薄膜芯片的电极与相应的第一连接部对应连接，从而获得薄膜芯片转接板。本实施例中，巨量转移方式指首先采用激光剥离方式将晶圆衬底剥离，将晶圆上的Micro LED芯片转移至临时基板上，然后采用激光转移、针刺转移或PDMS***吸附转移工艺方式，将临时基板上的Micro LED芯片转移至芯片转接板上，采用激光转移时，临时基板为透明材质，例如玻璃，采用针刺转移时，临时基板为柔性基板，例如设置有胶层的蓝膜。
激光转移指首先采用激光剥离方式（即通过激光照射，使晶圆衬底剥离），将晶圆衬底上的Micro LED芯片转移至临时基板（例如玻璃基板），从而使Micro LED芯片阵列排布于临时基板上，激光转移时，翻转临时基板，使Micro LED芯片与第一连接部对应连接，激光再次照射解胶，使临时基板与Micro LED芯片分离，从而将Micro LED芯片转移至芯片转接板。
针刺转移指首先采用激光剥离方式将晶圆衬底剥离，将晶圆上的Micro LED芯片转移至蓝膜上，然后使Micro LED芯片与第一连接部对应，刺针穿过蓝膜推动Micro LED芯片，使Micro LED芯片粘贴于相应的第一连接部，从而将Micro LED芯片转移至芯片转接板。
PDMS***吸附转移指首先采用激光剥离方式将晶圆衬底剥离，将晶圆上的MicroLED芯片转移至临时基板上，然后采用PDMS***吸附Micro LED芯片，使Micro LED芯片与临时基板分离，PDMS***移动，将Micro LED芯片移载至芯片转接板的相应位置，剥离PDMS***，从而实现Micro LED芯片的PDMS***吸附转移。
需要说明的是，在另一实施例中，LED芯片为蓝光芯片或绿光芯片，非红光芯片，巨量转移则可采用激光转移方式将晶圆上的Micro LED芯片直接转移至芯片转接板上，具体地，首先将晶圆翻转，使Micro LED芯片与芯片转移基板上的第一连接部对应连接，然后采用激光照射，将晶圆衬底剥离，从而实现蓝光芯片或绿光芯片的激光转移。
上述制备方法中，在基板正面制备了横截面积较小的第一连接部，通过第一连接部连接电极尺寸较小的薄膜芯片，以满足薄膜芯片微型化要求，另外，本申请还在基板背面制备了横截面积较大、间距较宽（第二正极连接部与第二负极连接部之间的间距为20μm~70μm）的第二连接部，第二连接部用于将芯片转接板与PCB板电连接，以满足薄膜芯片与PCB板中电路的稳固连接要求。
芯片转接板制备过程中，无需制备电路，仅在基板表面制备尺寸较小的第一连接部（第一连接部的厚度范围为:1μm~5μm）、尺寸较大的第二连接部（第二连接部、第三连接部的厚度范围为5μm~50μm）、导电孔即可，制备工艺简单，相比于重新设计、制备PCB板并调整PCB中电路分布结构的方式，本申请芯片转接板的设置，避免了PCB板工艺设计复杂导致成本显著增加的问题出现，有利于节约成本。
采用本申请上述方法制备的芯片转接板结构如图4所示，芯片转接板包括：基板5、第一连接部、第二连接部、导电孔6，其中，基板5用于承载像素单元40，像素单元40以阵列结构分布于基板5的正面，基板5的尺寸为150mm*180mm，相邻两个像素单元40之间间距L的范围为0.6mm~1.5mm，本实施例优选0.9mm。每个像素单元40包括至少一个薄膜芯片4，本实施例中，每个像素单元40由三个薄膜芯片4构成，分别为：红光LED芯片、绿光LED芯片、蓝光LED芯片，红光LED芯片、绿光LED芯片、蓝光LED芯片从左向右依次排列、光色混合。
需要说明书的是，本实施例中，不对三个薄膜芯片4的排列方式进行具体限定，红光LED芯片、绿光LED芯片、蓝光LED芯片可按“品”字形结构排列。
第一连接部位于基板5的正面，用于将薄膜芯片4与导电孔6电连接，第二连接部位于基板5的背面，用于与第三连接部电连接，第一连接部、第二连接部以及第三连接部均由第二导电金属材料制成，第二导电金属材料优选铜，铜的表面有锡。
本案中，第一连接部包括第一正极连接部71、第一负极连接部72，第二连接部包括第二正极连接部81、第二负极连接部82，第三连接部包括第三正极连接部31、第三负极连接部32，第二正极连接部81的横截面积大于第一正极连接部71的横截面积，小于或等于第三正极连接部31的横截面积，第二负极连接部82的横截面积大于第一负极连接部72的横截面积，小于或等于第三负极连接部32的横截面积。
第一正极连接部71、第一负极连接部72尺寸较小，本实施例中，第一正极连接部71、第一负极连接部72的横截面积为50μm*70μm，间距为15μm~20μm，分别与薄膜芯片4的第一电极471、第二电极472尺寸及间距匹配，第二正极连接部81、第二负极连接部82的横截面积较大，本实施例中，第二正极连接部81、第二负极连接部82的横截面积为80μm*100μm，间距为60μm，与第三正极连接部、第三负极连接部的尺寸及间距匹配。
上述第一连接部、第二连接部结构，不仅满足了微型薄膜芯片4的安装要求，而且有利于薄膜芯片4与PCB板中第三连接部的稳固连接。
导电孔6为贯穿基板的通孔，通孔内填充有第一导电金属：铜，该导电孔的一端连接第一连接部，另一端连接第二连接部，方便了微型薄膜芯片4通过第一连接部、导电孔、第二连接部与PCB板1中的第三连接部连接。
另外，芯片转接板还包括封装膜9，封装膜9为透光的匀光膜、扩散膜或增透膜，该封装膜9通过膜压机压合于基板5正面以及薄膜芯片4的出光面，或通过贴膜机贴装于基板5正面以及薄膜芯片4的出光面，不仅具有保护薄膜芯片4，防止薄膜芯片4磨损或磕碰损坏的作用，而且具有匀光或光扩散作用，使得薄膜芯片4发出的光线更均匀。
芯片转接板所采用的基板5为BT板，BT板正面的第一连接部尺寸较小，且本申请中，BT板的整体基色为黑色，有利于提升显示对比度，本实施例中，通过在BT板表面镀具有吸光效果的金属例如Cr等，或涂覆黑色胶的方式，使BT板至少正面的颜色呈现黑色。另外，Mini-LED芯片的COB模组中，PCB板内设置有电路布线，电路布线为黄色，且表面通常裸露于PCB板表面，需要采用点胶工艺涂覆较厚的黑胶才能降低电路布线对显示对比度的影响，而本申请中，芯片转接板连接于PCB板正面，薄膜芯片分布于芯片转接板的基板正面（即薄膜芯片位于芯片转接板中远离PCB板的一侧），基板中无电路布线，避免了电路布线对显示对比度的影响，因此，本申请中芯片转接板的设置，满足了薄膜芯片与常规PCB板中电路的连接要求，而且有利于简化工艺，提升显示对比度。
本申请芯片转接板中，第一连接部总面积占基板5总面积的比例，小于第三连接部总面积占PCB板总面积的比例，从而降低了连接部（连接部的颜色通常为黄色或银色）对显示对比度的影响，这也有利于显示对比度的进一步提升。
S5、采用底部填胶工艺，在基板与PCB板之间设置连接层，通过连接层将基板与PCB板对应连接，具体包括：
S51、使基板背面的第二连接部朝上；
S52、采用第一点胶机在第二连接部之间的间隙内涂覆第一溶液，第一溶液的材质为环氧树脂；
S53、采用第一固化炉对第一溶液进行加热固化，使第一溶液形成半固化层，以防止后续基板与PCB板对应连接时，第一溶液流动而污染薄膜芯片或影响后续的粘接操作，该半固化层的厚度与第二连接部的厚度相等；
S54、采用第二点胶机在第三连接部之间的间隙内填充第二溶液，第二溶液与第一溶液材质相同；
S55、将基板旋转180度，使第二连接部朝下，第二连接部的一端与相应导电孔对应，另一端与第三连接部对应；
S56、采用第二固化炉对半固化层、第二溶液进行加热固化。半固化层、第二胶液具有粘度，固化后能够将基板与PCB板牢固粘接，从而进一步增强了芯片转接板与PCB板的连接牢固性，同时增强了芯片转接板与PCB板的机械强度。另外，该连接层具有粘度，填充于第三连接部、第二连接部的间隙内，起到绝缘作用，进一步防止相邻两个第三连接部之间、第二连接部之间产生导通。
采用上述方法制备获得的显示模组如图5、图6所示，显示模组中，驱动单元（图中未示出）通过电路（图中未示出）依次连接相应的第三连接部、第二连接部、导电孔、第一连接部、薄膜芯片，本申请中，驱动单元的驱动方式为PM驱动，主要由驱动IC、电容、电阻等电子元件构成。
将上述带有芯片转接板的显示模组应用于显示装置中，若干阵列分布的显示模组拼接组成显示装置，参考图7，显示装置显示时，驱动IC通过电路、第三连接部、第二连接部、导电孔、第一连接部传输控制电流信号至相应薄膜芯片的第一电极、第二电极，第一电极传输电流至电流扩展层，电流扩展层将电流扩展后传输至第二型半导体层（例如P型GaN层），第二电极通过欧姆接触层传输电流至第一型半导体层（例如N型GaN层），从而使发光层产生光线，发光层产生的光线经反射层反射后，通过出光面发射出去。
可以理解的是，以上关于本发明的具体描述，仅用于说明本发明而并非受限于本发明实施例所描述的技术方案。本领域的普通技术人员应当理解，仍然可以对本发明进行修改或等同替换，以达到相同的技术效果；只要满足使用需要，都在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种显示模组，该显示模组包括PCB板、像素单元、设置于PCB板正面的第三连接部、设置于PCB板背面的驱动单元，所述驱动单元的驱动方式为PM驱动，所述第三连接部与所述PCB板中的电路电连接，其特征在于，所述显示模组包括芯片转接板，
所述芯片转接板用于将所述像素单元与所述PCB板中的电路连接，所述芯片转接板包括：
基板，用于承载像素单元，所述像素单元以阵列结构分布于所述基板的正面，所述像素单元包括至少一个薄膜芯片，所述薄膜芯片为Micro LED芯片；
第一连接部，位于所述基板的正面，所述第一连接部的尺寸与所述薄膜芯片的电极尺寸匹配：所述第一连接部包括第一正极连接部、第一负极连接部，所述第一正极连接部、第一负极连接部分别连接同一所述薄膜芯片的正极电极、负极电极，所述第一正极连接部、第一负极连接部之间的间距，与同一所述薄膜芯片的正极电极、负极电极之间的间距匹配；
导电孔，开设于所述基板，用于将所述第一连接部、第二连接部电连接；
第二连接部，位于所述基板的背面，所述第二连接部的尺寸与所述第三连接部的尺寸匹配：所述第二连接部包括第二正极连接部、第二负极连接部，所述第三连接部包括第三正极连接部、第三负极连接部，所述第二正极连接部与相应的所述第三正极连接部连接，所述第二负极连接部与相应的所述第三负极连接部连接，所述第二正极连接部、第二负极连接部之间的间距，与相应的所述第三正极连接部、第三负极连接部之间的间距匹配；
所述基板覆盖于包含所述PCB板正面的整面，所述第一连接部总面积占所述基板总面积的比例，小于所述第三连接部总面积占PCB板总面积的比例，所述基板中薄膜芯片所在面的基色为黑色；
所述薄膜芯片通过所述芯片转接板中的所述第一连接部、导电孔、第二连接部，与所述第三连接部、PCB板中的电路、驱动单元电连接；
所述薄膜芯片位于所述基板中远离所述PCB板的一侧；
所述驱动单元通过所述第三连接部、PCB板中的电路、第二连接部、第一连接部、导电孔传输电流控制信号给所述薄膜芯片，控制所述薄膜芯片点亮或关闭。
2.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述基板的材质为BT板、玻璃、陶瓷或PET，所述基板的厚度为0.05mm～0.5mm。
3.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述薄膜芯片的长度、宽度尺寸为10微米～100微米，厚度范围为2微米～6微米。
4.一种显示模组的制备方法，该方法用于制备权利要求1所述的显示模组，其特征在于，该方法包括：
提供一PCB板，所述PCB板的正面设置有第三连接部，所述PCB板的背面设置有驱动单元，所述驱动单元的驱动方式为PM驱动；
提供一基板，在所述基板中开设导电孔；
在所述基板的正面制备第一连接部，使所述第一连接部与相应的所述导电孔电连接，所述第一连接部的尺寸与所述薄膜芯片的电极尺寸匹配：所述第一连接部包括第一正极连接部、第一负极连接部，所述第一正极连接部、第一负极连接部分别连接同一所述薄膜芯片的正极电极、负极电极，所述第一正极连接部、第一负极连接部之间的间距，与同一所述薄膜芯片的正极电极、负极电极之间的间距匹配；
在所述基板的背面制备第二连接部，所述第二连接部的一端与相应的所述导电孔电连接，所述第二连接部的尺寸与所述第三连接部的尺寸匹配：所述第二连接部包括第二正极连接部、第二负极连接部，所述第三连接部包括第三正极连接部、第三负极连接部，所述第二正极连接部与相应的所述第三正极连接部连接，所述第二负极连接部与相应的所述第三负极连接部连接，所述第二正极连接部、第二负极连接部之间的间距，与相应的所述第三正极连接部、第三负极连接部之间的间距匹配；
提供若干薄膜芯片，所述薄膜芯片为Micro LED芯片，采用巨量转移方式，将所述薄膜芯片以阵列结构安装于所述基板，并使所述薄膜芯片的电极与相应的所述第一连接部电连接；
将芯片转接板中基板的背面与所述PCB板键合，基板背面的所述第二连接部与所述第三连接部对应连接；
所述基板覆盖于包含所述PCB板正面的整面，所述第一连接部总面积占所述基板总面积的比例，小于所述第三连接部总面积占PCB板总面积的比例，所述基板中薄膜芯片所在面的基色为黑色；
所述薄膜芯片位于所述基板中远离所述PCB板的一侧；
所述驱动单元通过所述第三连接部、PCB板中的电路、第二连接部、第一连接部、导电孔传输电流控制信号给所述薄膜芯片，控制所述薄膜芯片点亮或关闭。
5.根据权利要求4所述的显示模组的制备方法，其特征在于，采用激光开孔或机械钻孔方式，在所述基板中开设贯穿基板的通孔；
在所述通孔内填充第一导电金属材料，形成导电孔；
采用光刻刻蚀工艺或剥离工艺，在所述基板的正面制备第一连接部；
在所述第一连接部的表面涂覆导电焊接材料。
6.根据权利要求5所述的显示模组的制备方法，其特征在于，该方法还包括，制备所述第二连接部的步骤包括：采用磁控溅射镀膜工艺，在所述基板的背面生长种子材料，形成种子层；采用光刻刻蚀工艺或剥离工艺，在所述种子层的表面制备所述第二连接部。
7.根据权利要求6所述的显示模组的制备方法，其特征在于，采用底部填胶工艺，在所述基板与所述PCB板之间设置连接层，通过连接层将所述基板与所述PCB板对应连接，包括：
在所述第二连接部之间的间隙内填充第一溶液；
对所述第一溶液进行加热固化，使所述第一溶液形成半固化层；
在所述第三连接部之间的间隙内填充第二溶液；
将所述第二连接部的另一端与所述第三连接部对应连接，所述第二溶液的上表面与所述半固化层的下表面贴合；
对所述半固化层、第二溶液进行加热固化，将所述基板背面与所述PCB板键合。
8.一种显示装置，该显示装置由若干显示模组拼接组成，其特征在于，所述显示模组为权利要求1所述的显示模组。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311685819.1A CN117393688B (zh) | 2023-12-11 | 2023-12-11 | 一种显示模组及制备方法、显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311685819.1A CN117393688B (zh) | 2023-12-11 | 2023-12-11 | 一种显示模组及制备方法、显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117393688A CN117393688A (zh) | 2024-01-12 |
| CN117393688B true CN117393688B (zh) | 2024-03-08 |
Family
ID=89437745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311685819.1A Active CN117393688B (zh) | 2023-12-11 | 2023-12-11 | 一种显示模组及制备方法、显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117393688B (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114122221A (zh) * | 2021-11-23 | 2022-03-01 | 利亚德光电股份有限公司 | Led显示模组及其制造方法 |
| CN114843254A (zh) * | 2022-04-27 | 2022-08-02 | 惠州视维新技术有限公司 | Mini LED背光模组及其制作方法 |
| CN115692457A (zh) * | 2022-06-29 | 2023-02-03 | 上海闻泰电子科技有限公司 | 显示屏及其制备方法、显示装置 |
-
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| Publication number | Publication date |
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| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |