CN117311041A - 一种显示面板及其制造方法、显示装置 - Google Patents
一种显示面板及其制造方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117311041A CN117311041A CN202311352307.3A CN202311352307A CN117311041A CN 117311041 A CN117311041 A CN 117311041A CN 202311352307 A CN202311352307 A CN 202311352307A CN 117311041 A CN117311041 A CN 117311041A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- spacer
- display panel
- electrode
- orthographic projection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 294
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 216
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 24
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 10
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 103
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 100
- 238000000034 method Methods 0.000 description 31
- 230000008569 process Effects 0.000 description 26
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 7
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 7
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 4
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920006304 triacetate fiber Polymers 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- -1 for example Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- DTSBBUTWIOVIBV-UHFFFAOYSA-N molybdenum niobium Chemical compound [Nb].[Mo] DTSBBUTWIOVIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- HFLAMWCKUFHSAZ-UHFFFAOYSA-N niobium dioxide Chemical compound O=[Nb]=O HFLAMWCKUFHSAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag] Chemical compound [Cu].[Ag] NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13396—Spacers having different sizes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
一种显示面板及其制造方法、显示装置,显示面板包括:彩膜基板和阵列基板,所述彩膜基板包括设置在第一基底上的至少一个第一隔垫物,所述阵列基板包括设置在第二基底上的至少一个第二隔垫物,所述第一隔垫物和所述第二隔垫物一一对应,且所述第一隔垫物远离所述第一基底一侧的表面与对应的所述第二隔垫物远离所述第二基底一侧的表面接触,所述第二隔垫物远离所述第二基底一侧的表面在所述第二基底上的正投影位于对应的所述第一隔垫物远离所述第一基底一侧的表面在所述第二基底上的正投影内。本公开实施例提供的方案,可以减小第一隔垫物形变,降低Mura风险和漏光风险。
Description
技术领域
本公开实施例涉及但不限于显示技术,尤指一种显示面板及其制造方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术迅速发展,显示器件的分辨率从之前的200PPI(Pixels Per Inch,每英寸像素数),逐渐提升到500,1000,1500PPI。尤其在增强现实(Augmented Reality,AR)/虚拟现实(Virtual Reality,VR)领域,器件的分辨率要求已经达到了2000+PPI,这无疑对设计和制造工艺提出了新的挑战;从像素设计方面考虑,随着分辨率提高,各个部分的尺寸随之下降。以2000PPI为例,每个像素大小仅为12.7微米(μm),每个子像素的尺寸为4.2μm,这就需要在4.2μm的像素大小内完成完整的像素布局。
在液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)产品中,除了常规的驱动背板和像素设计以外,还需要进行支撑盒厚的隔垫物(Photo Spacer,PS)设计,PS在LCD器件中主要起到支撑阵列基板(Array)和彩膜基板(Color Filter,CF)作用。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开实施例提供了一种显示面板及其制造方法、显示装置,降低隔垫物形变,提高器件性能。
本公开实施例提供一种显示面板,包括:彩膜基板和阵列基板,所述彩膜基板包括设置在第一基底上的至少一个第一隔垫物,所述阵列基板包括设置在第二基底上的至少一个第二隔垫物,所述第一隔垫物和所述第二隔垫物一一对应,且所述第一隔垫物远离所述第一基底一侧的表面与对应的所述第二隔垫物远离所述第二基底一侧的表面接触,所述第二隔垫物远离所述第二基底一侧的表面在所述第二基底上的正投影位于对应的所述第一隔垫物远离所述第一基底一侧的表面在所述第二基底上的正投影内。
在一些实施例中,在平行于所述第一基底的平面上,所述第一隔垫物的截面为圆形或者方形。
在一些实施例中,所述第一隔垫物远离所述第一基底一侧的表面在所述第一基底的正投影落入所述第一隔垫物朝向所述第一基底一侧的表面在所述第一基底的正投影内。
在一些实施例中,在平行于所述第二基底的平面上,所述第二隔垫物的截面为圆形或者方形。
在一些实施例中,在平行于所述第一基底的平面上,所述第一隔垫物的截面为圆形,所述第二隔垫物的截面为圆形,且所述第一隔垫物远离所述第一基底一侧的表面在所述第二基底的正投影的第一直径与所述第二隔垫物远离所述第二基底一侧的表面在所述第二基底的正投影的第二直径之差为0.2±10%微米。
在一些实施例中,所述第一隔垫物远离所述第一基底一侧的表面在所述第二基底的正投影的第一中心与所述第二隔垫物远离所述第二基底一侧的表面在所述第二基底的正投影的第二中心重叠。
在一些实施例中,所述彩膜基板还包括:设置在所述第一隔垫物朝向所述第一基底一侧的黑矩阵和彩膜层,所述第一隔垫物在所述第一基底的正投影位于所述黑矩阵在所述第一基底的正投影内。
在一些实施例中,所述阵列基板还包括:设置在所述第二隔垫物朝向所述第二基底一侧的遮光层,所述第二隔垫物在所述第二基底的正投影位于所述遮光层在所述第二基底的正投影内。
在一些实施例中,所述阵列基板还包括:依次设置在所述第二基底和所述遮光层之间的有源层、栅电极、第一电极、转接电极、第二电极和公共电极,且所述第一电极和转接电极连接所述有源层,所述转接电极连接所述第二电极。
本公开实施例提供一种显示装置,包括上述任一实施例所述的显示面板。
本公开实施例提供一种显示面板的制造方法,包括:
形成彩膜基板,所述彩膜基板包括第一基底和设置在所述第一基底上的至少一个第一隔垫物;
形成阵列基板,所述阵列基板包括第二基底和设置在所述第二基底上的至少一个第二隔垫物,所述第一隔垫物和所述第二隔垫物一一对应;
将所述彩膜基板与所述阵列基板对盒形成所述显示面板,其中,对盒时,所述第一隔垫物远离所述第一基底一侧的表面与对应的所述第二隔垫物远离所述第二基底一侧的表面接触,所述第二隔垫物远离所述第二基底一侧的表面在所述第二基底上的正投影位于对应的所述第一隔垫物远离所述第一基底一侧的表面在所述第二基底上的正投影内。
本公开实施例包括一种显示面板及其制造方法、显示装置,显示面板包括:彩膜基板和阵列基板,所述彩膜基板包括设置在第一基底上的至少一个第一隔垫物,所述阵列基板包括设置在第二基底上的至少一个第二隔垫物,所述第一隔垫物和所述第二隔垫物一一对应,且所述第一隔垫物远离所述第一基底一侧的表面与对应的所述第二隔垫物远离所述第二基底一侧的表面接触,所述第二隔垫物远离所述第二基底一侧的表面在所述第二基底上的正投影位于对应的所述第一隔垫物远离所述第一基底一侧的表面在所述第二基底上的正投影内。本公开实施例提供的方案,可以减小第一隔垫物形变,降低Mura风险和漏光风险。。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和优点可通过在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
在阅读并理解了附图和详细描述后,可以明白其他方面。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本公开实施例一起用于解释本发明的技术方案,并不构成对技术方案的限制。
图1A为一技术方案提供的显示面板的截面图;
图1B为图1A所示的显示面板中第一隔垫物和第二隔垫物相接触的两个表面的俯视图;
图2A为本公开实施例提供的显示面板的截面图;
图2B为一示例性实施例提供的显示面板中第一隔垫物和第二隔垫物相接触的两个表面的俯视图;
图2C为另一示例性实施例提供的显示面板中第一隔垫物和第二隔垫物相接触的两个表面的俯视图;
图2D为又一示例性实施例提供的显示面板中第一隔垫物和第二隔垫物相接触的两个表面的俯视图;
图3为一示例性实施例提供的显示面板截面示意图;
图4为一示例性实施例提供的不同显示面板在不同压强下的形变示意图;
图5为一示例性实施例提供的显示面板的相同压强下不同第一隔垫物直径时的形变示意图;
图6A为一示例性实施例提供的形成黑矩阵后的示意图;
图6B为一示例性实施例提供的形成彩膜层后的示意图;
图6C为一示例性实施例提供的形成平坦层后的示意图;
图6D为一示例性实施例提供的形成第一隔垫物后的示意图;
图7A为一示例性实施例提供的形成有源层后的示意图;
图7B为一示例性实施例提供的形成栅电极和第一极板后的示意图;
图7C为一示例性实施例提供的形成第一电极、第二极板和转接电极后的示意图;
图7D为一示例性实施例提供的形成第二电极后的示意图;
图7E为一示例性实施例提供的形成公共电极和遮光层后的示意图;
图7F为一示例性实施例提供的形成第二隔垫物后的示意图;
图8为一示例性实施例提供的显示面板的制造方法流程图。
具体实施方式
下文中将结合附图对本公开实施例进行详细说明。在不冲突的情况下,本公开实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机***中执行。并且,虽然在流程图中示出了逻辑顺序,但是在某些情况下,可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。
在附图中,有时为了明确起见,夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此,本公开的实施方式并不一定限定于该尺寸,附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外,附图示意性地示出了理想的例子,本公开的实施方式不局限于附图所示的形状或数值。
本公开中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置,并不表示任何顺序、数量或者重要性。
在本公开中,为了方便起见,使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系,仅是为了便于描述本说明书和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此,不局限于在公开中说明的词句,根据情况可以适当地更换。
在本公开中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如,可以是固定连接,或可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,或电连接;可以是直接相连,或通过中间件间接相连,或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本公开中,晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域,并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。在本公开中,沟道区域是指电流主要流过的区域。
在本公开中,“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受,就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线,而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。
在本公开中,“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态,因此,也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外,“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态,因此,也包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本公开中,“膜”和“层”可以相互调换。例如,有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样,有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
本公开所说的“A和B同层设置”是指,A和B通过同一次图案化工艺同时形成。“B的正投影位于A的正投影的范围之内”,是指B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内。
PS材料可以采用有机树脂材料,在形变过程中不仅发生弹性形变还产生塑形变形,应力越大,塑形变形量越大,致使PS很容易触底划伤取向层,导致漏光。尤其在高PPI显示器件中PS尺寸变小,其中PS尺寸越小,弹性回复率越差,因此导致液晶盒厚(Cell Gap)均一性降低、液晶量范围(LC Margin)减小、盒厚不均造成的Mura风险成倍增加。总之,PS形变特性直接影响高PPI显示产品信赖性以及分辨率的提升。由此,有必要改善PS形变特性。
图1A为一技术方案提供的显示面板的截面示意图。如图1A所示,显示面板可以包括彩膜基板和阵列基板,其中,彩膜基板可以包括第一基底11,设置在第一基底11上的黑矩阵21,设置在黑矩阵21远离第一基底11一侧的第一隔垫物31;阵列基板可以包括第二基底12,设置在第二基底12上的遮光层22,设置在遮光层22远离第二基底12一侧的第二隔垫物32。该方案中,如图1B所示,第一隔垫物31远离第一基底11一侧的表面整面与第二隔垫物32远离第二基底12一侧的表面接触,即第一隔垫物31远离第一基底11一侧的表面大小直接决定了单个第一隔垫物31与第二隔垫物32的接触面积。该方案中,第一隔垫物31受压时,形变较大。
本公开实施例中,第二隔垫物32远离第二基底12一侧的表面整面与第一隔垫物31远离第一基底11一侧的表面接触,减小第一隔垫物31受压时产生的形变。
图2A为本公开示例性实施例提供的显示面板的截面示意图。如图2A所示,本实施例提供一种显示面板,所述显示面板可以包括彩膜基板和阵列基板,其中,所述彩膜基板可以包括第一基底11,设置在第一基底11上的黑矩阵21,设置在黑矩阵21远离第一基底11一侧的第一隔垫物31;所述阵列基板可以包括第二基底12,设置在第二基底12上的遮光层22,设置在遮光层22远离第二基底12一侧的第二隔垫物32,所述第一基底11和第二基底12相对设置,所述第一隔垫物31和所述第二隔垫物32一一对应,且所述第一隔垫物31远离所述第一基底11一侧的表面与对应的所述第二隔垫物32远离所述第二基底12一侧的表面接触,所述第二隔垫物32远离所述第二基底12一侧的表面在所述第二基底12上的正投影位于对应的所述第一隔垫物31远离所述第一基底11一侧的表面在所述第二基底12上的正投影内。图2B为所述第一隔垫物31远离所述第一基底11一侧的表面与对应的所述第二隔垫物32远离所述第二基底12一侧的表面的俯视图。如图2B所示,所述第二隔垫物32与第一隔垫物31接触的表面(即第二隔垫物32远离第二基底12一侧的表面)在第二基底12的正投影位于第一隔垫物31与第二隔垫物32接触的表面(即第一隔垫物31远离第一基底11一侧的表面)在所述第二基底12上的正投影内。本实施例中,第二隔垫物32远离第二基底12一侧的表面整面与第一隔垫物31接触,第一隔垫物31与第二隔垫物32接触的表面的面积大于第二隔垫物32远离第二基底12一侧的表面的面积,当第一隔垫物31受到外力时,第一隔垫物31远离第一基底11的表面的周边存在张力的作用,对第二隔垫物32起到额外的支撑作用,因此与图1A中的方案相比,本公开实施例提供的方案,第一隔垫物31在相同压强下具有较小的形变量,从而提高了第一隔垫物31的支撑能力,满足显示面板的LC margin,降低了盒厚不均导致的Mura以及隔垫物触底划伤取向层导致漏光的风险。另外,由于PS存在一定的厚度,在做完取向层后,取向层薄膜会在PS周围堆积,导致PS周围的液晶取向混乱,致使漏光现象发生;因此需要在PS下方增加BM遮挡,确保漏光现象消失。在第一隔垫物31的支撑能力提高后,可以设置更少的第一隔垫物31实现支撑,可以减少为第一隔垫物31设置的黑矩阵,从而提高开口率。
在一些实施例中,在平行于所述第一基底11的平面上,所述第一隔垫物31的截面可以为圆形、椭圆形或者方形等,如图2B和图2C所示。所述方形可以是长方形或者正方形等。
在一些实施例中,所述第一隔垫物31远离所述第一基底11一侧的表面在所述第一基底11的正投影落入所述第一隔垫物31朝向所述第一基底11一侧的表面在所述第一基底11的正投影内。即在垂直于第一基底11的平面上,第一隔垫物31的截面形成梯形结构,且该梯形结构靠近第一基底11一侧的边长大于远离第一基底11一侧的边长。
在一些实施例中,在平行于所述第二基底12的平面上,所述第二隔垫物32的截面可以为圆形、椭圆形或者方形等。
在一些实施例中,所述第二隔垫物32靠近所述第二基底12一侧的表面和远离所述第二基底12一侧的表面大小可以相同。
在一些实施例中,所述第二隔垫物32远离所述第二基底12一侧的表面在第二基底12的正投影与对应的所述第一隔垫物31远离所述第一基底11一侧的表面在第二基底12的正投影的形状可以相同或不同,比如,可以均为圆形,如图2B所示;或者,均为方形,如图2C所示;或者,其中之一为圆形,另一为方形,如图2D所示。
在一些实施例中,所述第二隔垫物32远离所述第二基底12一侧的表面在第二基底12的正投影的第一中心与对应的所述第一隔垫物31远离所述第一基底11一侧的表面在第二基底12的正投影的第二中心可以重叠或不重叠。比如,所述第二隔垫物32远离所述第二基底12一侧的表面在第二基底12的正投影为圆形,所述第一隔垫物31远离所述第一基底11一侧的表面在第二基底12的正投影为圆形,这两个圆形的圆心可以重叠或者近似重叠,或者,不重叠。在一些实施例中,第一中心和第二中心重叠,可以使得周边张力更为均匀。
图3为一示例性实施例提供的显示面板示意图。如图3所示,本实施例提供的显示面板包括相对设置的彩膜基板和阵列基板。所述彩膜基板可以包括:第一基底11,设置在所述第一基底11朝向所述阵列基板一侧的黑矩阵21,设置在所述黑矩阵21远离所述第一基底11一侧的彩膜层41,设置在所述彩膜层远离所述第一基底11一侧的保护层42,设置在所述保护层42远离所述第一基底11一侧的多个第一隔垫物31;所述第一隔垫物31在第一基底11的正投影落入黑矩阵在第一基底11的正投影内。所述阵列基板可以包括:第二基底12,设置在所述第二基底12朝向所述彩膜基板一侧的第一绝缘层13,设置在所述第一绝缘层13远离所述第二基底12一侧的有源层14,设置在所述有源层14远离所述第二基底12一侧的第二绝缘层15,设置在所述第二绝缘层15远离所述第二基底12一侧的栅电极16和第一极板17,设置在所述栅电极16和第一极板17远离所述第二基底12一侧的第三绝缘层18,设置在所述第三绝缘层18远离所述第二基底12一侧的第一电极19,第二极板20和转接电极23,所述第一电极19、转接电极23连接有源层14的不同区域,设置在所述第一电极19,第二极板20和转接电极23远离所述第二基底12一侧的第四绝缘层24,设置在所述第四绝缘层24远离所述第二基底12一侧的第二电极25,设置在所述第二电极25远离所述第二基底12一侧的第五绝缘层26,设置在所述第五绝缘层26远离所述第二基底12一侧的公共电极27,依次设置在所述公共电极27远离所述第二基底12一侧的遮光层22和第二隔垫物32,所述第一隔垫物31和第二隔垫物32一一对应,且第一隔垫物31与对应的第二隔垫物32接触,所述第二隔垫物32朝向对应的第一隔垫物31的表面在第二基底12(或者第一基底11)的正投影落入第一隔垫物31朝向对应的第二隔垫物32在第二基底12(或者第一基底11)的正投影内。所述彩膜基板和阵列基板之间设置有液晶层60。图3所示的显示面板仅为示例,本公开实施例不限于此,可以是其他结构的液晶显示面板。
图4为图2A所示的显示面板和图1A所示的显示面板中第一隔垫物31在不同压强下的形变仿真示意图。图4中横坐标表示施加在第一隔垫物31上的压强(单位为毫牛顿/每平方微米(mN/μm2)),纵坐标为第一隔垫物31的形变量(单位为μm)。如图4所示,曲线L1为图1A所示的显示面板中第一隔垫物31在不同压强下的形变曲线,曲线L2为图2A所示的显示面板中第一隔垫物31在不同压强下的形变曲线,可以看到,在相同压强下,图2A所示的第一隔垫物31相比图1A所示的第一隔垫物31的形变更小,二者差值约为0.2μm。即,图2A所示的第一隔垫物31的支撑能力更强。
图5为相同压强下,第二隔垫物32直径不变,第一隔垫物31的直径依次增大情况下,第一隔垫物31的形变示意图。图5中横坐标表示第一隔垫物31的直径(单位为μm),纵坐标为第一隔垫物31的形变量(单位为μm)。本实施例中,施加在第一隔垫物31上的压强为1.0mN/μm2,第二隔垫物32的直径固定为2.0μm,第一隔垫物31的直径分别为2.0/2.1/2.2/2.3/2.4/2.5/2.7/3.0/3.5/4.0μm。如图5所示,可以看到,第一隔垫物31的直径=2.0/2.1μm时,第一隔垫物31产生较大的形变量,第一隔垫物31的直径≥2.2μm时,第一隔垫物31的形变量迅速减小,并且随着第一隔垫物31的直径增加,形变量几乎保持不变。即,将第一隔垫物31的直径相比第二隔垫物32的直径增加0.2μm就可以显著提高第一隔垫物31的抗压能力。改变第二隔垫物32的直径为其他值,进行测试,第一隔垫物31的直径相比第二隔垫物32的直径增加0.2μm即可显著提高第一隔垫物31的抗压能力。在第一隔垫物31和第二隔垫物32在平行于第一基底11的截面为其他形状,比如,为长方形时,可以是第一隔垫物31的长边的边长比第二隔垫物32的长边的边长大0.2μm,第一隔垫物31的短边的边长比第二隔垫物32的短边的边长大0.2μm时,显著提高第一隔垫物31的抗压能力。其余形状下第一隔垫物31与第二隔垫物32之间可以显示改善抗压能力的尺寸差值可以通过仿真测试确定。
在一些实施例中,在平行于所述第一基底11的平面上,所述第一隔垫物31的截面可以为圆形,所述第二隔垫物32的截面可以为圆形,所述第一隔垫物31远离所述第一基底11一侧的表面在所述第二基底12的正投影的第一直径与所述第二隔垫物32远离所述第二基底12一侧的表面在所述第二基底12的正投影的第二直径之差大于等于0.2μm。由仿真测试可知,第一直径比第二直径增加0.2μm即可显著增加第一隔垫物的支撑能力。
在一些实施例中,在平行于所述第一基底11的平面上,所述第一隔垫物31的截面可以为圆形,所述第二隔垫物32的截面可以为圆形,所述第一隔垫物31远离所述第一基底11一侧的表面在所述第二基底12的正投影的第一直径与所述第二隔垫物32远离所述第二基底12一侧的表面在所述第二基底12的正投影的第二直径之差可以为0.2±10%μm。由仿真测试可知,第一直径比第二直径增加0.2μm后,继续增大第一直径,支持性能改变不大,因此,第一直径可以设置在第二直径增加0.2μm左右的范围即可。本实施例提供的方案,在第一隔垫物31的尺寸增加不大的情况下,可以显著提高第一隔垫物31的抗压能力,且第一隔垫物31的尺寸增加不大,可以改善开口率。比如,第二直径为2μm,第一直径可以为2.2±10%μm,从而可以在满足支撑性能的情况下,尽量减小第一隔垫物31的尺寸,提高开口率。
下面通过本实施例显示面板的制备过程进一步说明本实施例的技术方案。本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理,是相关技术中成熟的制备工艺。本实施例中所说的“光刻工艺”包括涂覆膜层、掩模曝光和显影,是相关技术中成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺,涂覆可采用已知的涂覆工艺,刻蚀可采用已知的方法,在此不做具体的限定。在本实施例的描述中,需要理解的是,“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺或光刻工艺,则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺或光刻工艺,则在构图工艺前称为“薄膜”,构图工艺后称为“层”。经过构图工艺或光刻工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。
在一示例性实施例中,所述显示面板的制造过程可以包括:
1)形成彩膜基板,包括:
101)提供刚性的第一基底11;
或者,在玻璃载板上涂覆基底薄膜,固化成膜后,形成第一基底11。刚性的第一基底11比如为玻璃基底。基底薄膜可以包括聚酰亚胺、三醋酸纤维(TAC)或聚甲基丙烯酸甲酯(PET)等。
102)形成黑矩阵21;
在所述第一基底11上涂覆黑矩阵薄膜,光刻形成黑矩阵21图案,如图6A所示。黑矩阵21之间的区域为显示区域。
在一些实施例中,所述黑矩阵薄膜可以是黑色树脂等,比如聚酰亚胺(PI),聚乙烯吡咯烷酮(PEDOT),聚苯胺(PANI)等。但本公开实施例不限于此,所述黑矩阵薄膜可以是无机材料,比如金属氧化物如钼氧化物(MoOx),二氧化铌(Nb2O5)和钛氧化物(TiO2)等。使用无机材料时,可以通过构图工艺形成所述黑矩阵21图案。
103)形成彩膜层41;
所述彩膜层41可以包括第一彩膜单元、第二彩膜单元和第三彩膜单元,所述形成彩膜层41可以包括:
在形成前述图案的第一基底11上,涂布第一滤光薄膜,通过光刻工艺形成第一彩膜单元图案;
涂布第二滤光薄膜,通过光刻工艺形成第二彩膜单元图案;
涂布第三滤光薄膜,通过光刻工艺形成第三彩膜单元图案;第一彩膜单元、第二彩膜单元、第三彩膜单元即构成彩膜层41,如图6B所示。
所述第一滤光薄膜、第二滤光薄膜、第三滤光薄膜可以分别是红色滤光薄膜、绿色滤光薄膜和蓝色滤光薄膜。彩膜单元的涂布顺序仅为示例,可以以不同于上述顺序的方式形成彩膜单元。
在一些实施例中,所述彩膜层41的材料可以是以下至少之一:聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI),金属氧化物(二氧化钛、二氧化硅等),或者,可以是高色域低膜厚的材料,比如钙钛矿材料,有机染料,纳米颗粒材料,合金膜材料(比如银铜合金)等。
在一些实施例中,在平行于所述第一基底11的平面上,所述黑矩阵21的正投影与所述彩膜层41的正投影可以无重叠或者部分交叠。黑矩阵21的边缘的正投影与彩膜层41的边缘的正投影可以存在重叠部分(图6B中未示出)。
在另一示例性实施例中,可以先形成彩膜层41,再形成黑矩阵21。
104)形成平坦层42;
在形成前述图案的第一基底11上,涂布平坦层薄膜,固化成形,形成覆盖所述黑矩阵21和所述彩膜层41的平坦层42。如图6C所示。
在一些实施例中,所述平坦层薄膜比如可以是有机聚合物或者硅氧烷(silicone)等,所述有机聚合物可以包括聚酯、聚亚酰胺、聚苯乙烯等。
105)形成第一隔垫物31;
在形成前述图案的第一基底11上,涂覆第一隔垫物薄膜,通过光刻工艺形成第一隔垫物31,如图6D所示。所述第一隔垫物31在所述第一基底11的正投影位于所述黑矩阵21在所述第一基底11的正投影内,避免漏光。
在一些实施例中,所述第一隔垫物薄膜可以是光敏聚合物,比如光固化丙烯酸树脂或光固化环氧树脂等。
后续可以在第一基底11上沉积取向层薄膜,形成第一取向层(图6D中未示出),完成彩膜基板的制造。
2)形成阵列基板,包括:
201)提供刚性的第二基底12;或者,在玻璃载板上涂覆基底薄膜,固化成膜后,形成第二基底12。在本示例中,基底薄膜的材料可以包括聚酰亚胺、三醋酸纤维(TAC)或聚甲基丙烯酸甲酯(PET)等。刚性的第二基底12比如为玻璃基底。
202)形成第一绝缘层13和有源层14;
在所述第二基底12上沉积第一绝缘薄膜,形成第一绝缘层13;
在形成上述结构的第二基底12上,沉积有源层薄膜,通过构图工艺对有源层薄膜进行构图,形成有源层14图案,如图7A所示。
在一些实施例中,有源层薄膜可以包含铟和锡的氧化物、包含钨和铟的氧化物、包含钨和铟和锌的氧化物、包含钛和铟的氧化物、包含钛和铟和锡的氧化物、包含铟和锌的氧化物、包含硅和铟和锡的氧化物、包含铟和镓和锌的氧化物等。在一些可能的实现方式中,有源层可以采用透明的铟镓锌氧化物(IGZO)或铟锡锌氧化物(ITZO)。
203)形成栅电极16和第一极板17;
在形成上述结构的第二基底12上,依次沉积第二绝缘薄膜和第一导电薄膜,通过构图工艺对第一导电薄膜进行构图,形成覆盖所述有源层14的第二绝缘层15,以及形成在第二绝缘层15上的栅电极16和第一极板17,如图7B所示。第一极板17配置为与后续形成的第二极板20形成存储电容。
204)形成第一电极19、第二极板20和转接电极23;
在形成上述结构的第二基底12上,沉积第三绝缘薄膜,构图形成第三绝缘层18;所述第三绝缘层18覆盖所述栅电极16和第一极板17,所述第三绝缘层18开设有第一过孔K1,所述第一过孔K1暴露所述有源层14;
在形成上述结构的第二基底12上,沉积第二导电薄膜,通过构图工艺对第二导电薄膜进行构图,形成第一电极19和第二极板20,其中,第一电极19通过第一过孔K1与有源层14连接;第二极板20的位置与第一极板17的位置相对应,即第二极板20在第二基底12上的正投影与第一极板17在第二基底12上的正投影存在交叠,使第一极板17与第二极板20形成存储电容。在一些可能的示例性实施方式中,第二极板20在第二基底12上的正投影位于第一极板17在基底上的正投影范围之内。
对所述第三绝缘层18进行构图,形成第二过孔K2,所述第二过孔K2暴露所述有源层14,沉积第一透明导电薄膜,通过构图工艺对第一透明导电薄膜进行构图,形成转接电极23,所述转接电极23通过第二过孔K2连接有源层14,如图7C所示。
205)形成第二电极25;
在形成前述结构的第二基底12上沉积第四绝缘薄膜,构图形成第四绝缘层24;所述第四绝缘层14覆盖所述第一电极19、第二极板20,所述第四绝缘层24开设有暴露所述转接电极23的第三过孔K3;
沉积第二透明导电薄膜,构图形成第二电极25;所述第二电极25通过第三过孔K3连接所述转接电极23,转接电极23连接有源层14,即第二电极26通过所述转接电极23连接到所述有源层14;
沉积第五绝缘薄膜,形成覆盖所述第二电极25的第五绝缘层26,如图7D所示。
所述有源层14、栅电极16、第一电极19、转接电极23和第二电极25构成薄膜晶体管。第一电极19、第二电极25其中之一可以为源电极,另一可以为漏电极。
206)形成公共电极27和遮光层22;
在形成上述结构的第二基底12上,沉积第三透明导电薄膜,构图形成公共电极27;
沉积遮光层薄膜,构图形成遮光层22,如图7E所示。所述遮光层22在第二基底12的正投影与所述有源层14在第二基底12的正投影存在交叠。
在一些实施例中,所述遮光层薄膜可以是金属,如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种,或上述金属的合金材料,如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb),可以是单层结构,或者多层复合结构。
207)形成第二隔垫物32;
在形成上述结构的第二基底12上,沉积第二隔垫物薄膜,构图形成第二隔垫物32,如图7F所示。所述第二隔垫物32在所述第二基底12的正投影位于所述遮光层22在所述第二基底12的正投影内。
在一些实施例中,所述第二隔垫物薄膜可以是金属,比如为银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或多种,或上述金属的合金材料,可以是单层结构,或者是多层复合结构。
在示例性实施方式中,第一绝缘层13、第二绝缘层15、第三绝缘层18、第四绝缘层24和第五绝缘层26可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或多种,可以是单层、多层或复合层。第一导电薄膜和第二导电薄膜可以采用金属材料,如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或多种,或上述金属的合金材料,如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb),可以是单层结构,或者是多层复合结构,如Ti/Al/Ti等。所述第一透明导电薄膜、第二透明导电薄膜、第三透明导电薄膜可以采用氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等。
后续可以在第二基底12上沉积取向层薄膜,形成第二取向层(图7F中未示出),完成阵列基板的制造。
3)将所述彩膜基板与所述阵列基板对盒形成显示面板,对盒时,所述第一隔垫物31与对应的第二隔垫物32接触,所述第二隔垫物32朝向所述第一隔垫物31一侧的表面在第二基底12的正投影位于第一隔垫物31朝向所述第二隔垫物32一侧的表面在所述第二基底12的正投影内。第一隔垫物31和第二隔垫物32对彩膜基板和阵列基板进行支撑,在彩膜基板和阵列基板之间形成液晶盒,液晶盒中可以填充液晶形成液晶层60,如图3所示。
彩膜基板和阵列基板的制造顺序不作限制,可以先形成彩膜基板,再形成阵列基板,或者,先形成阵列基板,再形成彩膜基板,或者,彩膜基板和阵列基板并行制造。
上述多个实施例所示结构及其制造过程仅仅是一种示例性说明。实际实施时,可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺。阵列基板、彩膜基板中可以设置其它结构膜层。
本公开实施例还提供了一种显示装置,包括前述实施例的显示面板。显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
图8为一示例性实施例提供的显示面板的制造方法流程图。如图8所示,本公开实施例提供一种显示面板的制造方法,包括:
步骤801,形成彩膜基板,所述彩膜基板包括第一基底和设置在所述第一基底上的至少一个第一隔垫物;
步骤802,形成阵列基板,所述阵列基板包括第二基底和设置在所述第二基底上的至少一个第二隔垫物,所述第一隔垫物和所述第二隔垫物一一对应;
步骤803,将所述彩膜基板与所述阵列基板对盒形成所述显示面板,其中,对盒时,所述第一隔垫物远离所述第一基底一侧的表面与对应的所述第二隔垫物远离所述第二基底一侧的表面接触,所述第二隔垫物远离所述第二基底一侧的表面在所述第二基底上的正投影位于对应的所述第一隔垫物远离所述第一基底一侧的表面在所述第二基底上的正投影内。
本公开实施例提供的显示面板的制造方法,第一隔垫物远离所述第一基底一侧的表面(即与第二隔垫物接触的表面)大于第二隔垫物远离所述第二基底一侧的表面(即与第一隔垫物接触的表面),从而第一隔垫物远离所述第一基底一侧的表面存在周边张力起到额外支撑作用,降低第一隔垫物的形变,降低了盒厚不均导致的Mura以及触底划伤取向层导致漏光的风险。另外,本实施例的制造方法利用现有成熟的制造设备即可实现,对现有工艺改进较小,能够很好地与现有制造工艺兼容,因此具有制作成本低、易于工艺实现、生产效率高和良品率高等优点。
有关显示面板的制造过程,已在之前的实施例中详细说明,这里不再赘述。
虽然本发明所揭露的实施方式如上,但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式,并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员,在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下,可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化,但本发明的专利保护范围,仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (11)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:彩膜基板和阵列基板,所述彩膜基板包括设置在第一基底上的至少一个第一隔垫物,所述阵列基板包括设置在第二基底上的至少一个第二隔垫物,所述第一隔垫物和所述第二隔垫物一一对应,且所述第一隔垫物远离所述第一基底一侧的表面与对应的所述第二隔垫物远离所述第二基底一侧的表面接触,所述第二隔垫物远离所述第二基底一侧的表面在所述第二基底上的正投影位于对应的所述第一隔垫物远离所述第一基底一侧的表面在所述第二基底上的正投影内。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在平行于所述第一基底的平面上,所述第一隔垫物的截面为圆形或者方形。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一隔垫物远离所述第一基底一侧的表面在所述第一基底的正投影落入所述第一隔垫物朝向所述第一基底一侧的表面在所述第一基底的正投影内。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,在平行于所述第二基底的平面上,所述第二隔垫物的截面为圆形或者方形。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在平行于所述第一基底的平面上,所述第一隔垫物的截面为圆形,所述第二隔垫物的截面为圆形,且所述第一隔垫物远离所述第一基底一侧的表面在所述第二基底的正投影的第一直径与所述第二隔垫物远离所述第二基底一侧的表面在所述第二基底的正投影的第二直径之差为0.2±10%微米。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一隔垫物远离所述第一基底一侧的表面在所述第二基底的正投影的第一中心与所述第二隔垫物远离所述第二基底一侧的表面在所述第二基底的正投影的第二中心重叠。
7.根据权利要求1至6任一所述的显示面板,其特征在于,所述彩膜基板还包括:设置在所述第一隔垫物朝向所述第一基底一侧的黑矩阵和彩膜层,所述第一隔垫物在所述第一基底的正投影位于所述黑矩阵在所述第一基底的正投影内。
8.根据权利要求1至6任一所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板还包括:设置在所述第二隔垫物朝向所述第二基底一侧的遮光层,所述第二隔垫物在所述第二基底的正投影位于所述遮光层在所述第二基底的正投影内。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板还包括:依次设置在所述第二基底和所述遮光层之间的有源层、栅电极、第一电极、转接电极、第二电极和公共电极,且所述第一电极和转接电极连接所述有源层,所述转接电极连接所述第二电极。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至9任一所述的显示面板。
11.一种显示面板的制造方法,其特征在于,包括:
形成彩膜基板,所述彩膜基板包括第一基底和设置在所述第一基底上的至少一个第一隔垫物;
形成阵列基板,所述阵列基板包括第二基底和设置在所述第二基底上的至少一个第二隔垫物,所述第一隔垫物和所述第二隔垫物一一对应;
将所述彩膜基板与所述阵列基板对盒形成所述显示面板,其中,对盒时,所述第一隔垫物远离所述第一基底一侧的表面与对应的所述第二隔垫物远离所述第二基底一侧的表面接触,所述第二隔垫物远离所述第二基底一侧的表面在所述第二基底上的正投影位于对应的所述第一隔垫物远离所述第一基底一侧的表面在所述第二基底上的正投影内。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202311352307.3A CN117311041A (zh) | 2023-10-18 | 2023-10-18 | 一种显示面板及其制造方法、显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202311352307.3A CN117311041A (zh) | 2023-10-18 | 2023-10-18 | 一种显示面板及其制造方法、显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117311041A true CN117311041A (zh) | 2023-12-29 |
Family
ID=89242478
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202311352307.3A Pending CN117311041A (zh) | 2023-10-18 | 2023-10-18 | 一种显示面板及其制造方法、显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN117311041A (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104730779A (zh) * | 2015-04-17 | 2015-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
CN108037622A (zh) * | 2018-01-02 | 2018-05-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 液晶显示面板、其制作方法及显示装置 |
US20200185416A1 (en) * | 2017-12-15 | 2020-06-11 | Ordos Yuansheng Optoelectronics Co., Ltd. | Array substrate and preparation method thereof, touch display panel |
-
2023
- 2023-10-18 CN CN202311352307.3A patent/CN117311041A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104730779A (zh) * | 2015-04-17 | 2015-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
US20200185416A1 (en) * | 2017-12-15 | 2020-06-11 | Ordos Yuansheng Optoelectronics Co., Ltd. | Array substrate and preparation method thereof, touch display panel |
CN108037622A (zh) * | 2018-01-02 | 2018-05-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 液晶显示面板、其制作方法及显示装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8208103B2 (en) | Liquid crystal display device | |
US6208390B1 (en) | Electrode substrate resistant to wire breakage for an active matrix display device | |
CN102566148B (zh) | 液晶显示面板及其制造方法 | |
KR20070068923A (ko) | 액정표시소자 및 그 제조방법 | |
WO2011004521A1 (ja) | 表示パネル | |
US10809560B2 (en) | Color filter substrate and manufacturing method thereof | |
CN102135675A (zh) | 液晶显示面板及其制造方法 | |
US11287711B2 (en) | Display panel, method for manufacturing the same and display device | |
CN111785760A (zh) | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 | |
CN113093430B (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
CN112631010B (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
US9864248B2 (en) | Semiconductor device and display device | |
US20190049803A1 (en) | Active switch array substrate, manufacturing method therefor same, and display device using same | |
CN117311041A (zh) | 一种显示面板及其制造方法、显示装置 | |
CN113820893B (zh) | 显示面板和显示装置 | |
KR20080080772A (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 | |
KR20170080231A (ko) | 어레이 기판과 그 제조 방법 및 이를 포함하는 액정표시장치 | |
KR101208972B1 (ko) | 횡전계모드 액정표시소자 및 그 제조방법 | |
KR20080086062A (ko) | 액정표시장치의 어레이 기판 및 그의 제조방법 | |
CN114371570B (zh) | 一种彩膜基板、液晶显示面板和液晶显示装置 | |
CN212433746U (zh) | 彩膜触控显示面板及显示装置 | |
US11460735B2 (en) | Display panel and preparation method thereof, and display apparatus | |
CN115657364B (zh) | 一种液晶显示面板及其制备方法、显示装置 | |
US20240184159A1 (en) | Color filter substrate, manufacturing method thereof, and display panel | |
US20220091460A1 (en) | Display Panel and Preparation Method Thereof, and Display Apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |