CN117303303A - 一种mems半导体芯片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体芯片技术领域，具体涉及一种MEMS半导体芯片及其制备方法，包括：从下往上依次包括第一材料层、第二材料层、第三材料层和第四材料层，第三材料层的上表面设置有金属电极和检测元件，所述金属电极与所述检测元件电连接，第四材料层包裹所述金属电极和检测元件；第四材料层的材料包括AlN。本发明通过四层材料层，能有效的支撑起检测气体或检测液体时的应力要求，延长MEMS半导体芯片使用寿命，可有效的降低成本，第四材料层的材料包括AlN，第四材料层包裹所述金属电极和检测元件，具有良好的高导热性，能提高液体流量测量的灵敏度；结构简单、制作成本较低、利于推广。
Description
技术领域
本发明涉及半导体芯片技术领域，具体涉及一种MEMS半导体芯片及其制备方法。
背景技术
MEMS半导体芯片作为一种重要的环境参数获取手段，在气流感知与控制、工业有害气体监测、物联网等领域具有较高的应用价值。当前针对气体的检测主要通过气体传感器实现，常用的气体传感器按照工作原理和自身结构可分为电化学型、金属氧化物型、接触燃烧型、半导体型和MEMS气体传感器等。
MEMS半导体由于体积小、成本低、结构简单，近些年来受到了广泛的关注。但现有MEMS流量传感器由于体积小、成本低、结构简单，近些年来受到了广泛的关注。但现有MEMS气体传感器的敏感结构受环境中，主要通过外置流量通道实现气体感知，在微弱气体感知方面存在技术难题，因此无法完全满足微弱气流检测的相关需求。
在气体流量传感器中MEMS传感器比较常见，但是在液体流量传感器中取代传统的机械涡轮传感器的MEMS传感器并不多见。国内外研究中，用同一类型的MEMS传感器实现气体流量和液体流量测量更加不容易实现，主要原因是气体流量和液体流量在于MEMS芯片接触方式不同，寻求在同一技术方案中，实现气体流量和液体流量的感测成为一个重要趋势。
发明内容
（一）发明目的
本发明的目的是提供一种既能用于检测气体流量，又能用于检测液体流量的MEMS半导体芯片及其制备方法。
（二）技术方案
为解决上述问题，本发明提供了一种MEMS半导体芯片，包括：从下往上依次包括第一材料层101、第二材料层102、第三材料层103和第四材料层104，所述第三材料层103的上表面设置有金属电极和检测元件，所述金属电极与所述检测元件电连接，所述第四材料层104包裹所述金属电极和检测元件；所述第四材料层104的材料包括AlN。
本发明的另一方面，优选地，所述检测元件包括一对感测元件106、加热元件105和环境感知元件108；所述一对感测元件106对称设置于所述加热元件105的两侧，所述环境感知元件108设置于感测元件106远离所述加热元件105的一侧。
本发明的另一方面，优选地，所述第二材料层102为耐腐蚀层，所述第二材料层的材料至少包括SiO2和SiNx中的一种、所述第三材料层的材料包括SiO2。
本发明的另一方面，优选地，所述第一材料层101设置有空腔结构107，所述空腔结构107为设置于第一材料层顶面的空腔结构或贯通所述第一材料层的空腔结构。
本发明的另一方面，优选地，所述检测元件设置为电阻器件，其中，所述一对感测元件106、加热元件105和环境感知元件108的材料至少包括铂和镍中的一种。
本发明的另一方面，优选地，一种制备如上所述的MEMS半导体芯片的方法，所述方法包括：
本发明的另一方面，优选地，一种制备如上所述的MEMS半导体芯片的方法，所述方法包括：
在第一材料层101的上表面，通过PECVD设备沉积第二材料层102；
测量第二材料层102的第一应力，根据预设的第一应力阈值，获得并生长第三材料层103；
制作包括检测元件和金属电极结构的第一掩膜板；
在第三材料层103的上表面旋涂光刻胶，将所述第一掩膜板放置于涂有光刻胶的第三材料层103上，进行曝光；
所述涂有光刻胶的第三材料层103经过曝光显影后，取下掩膜板，采用电子束蒸发或者溅射工艺在显影后的第三材料层103上沉积金属；
采用剥离工艺去除显影后的第三材料层103上未经曝光的光刻胶，获得设置有检测元件的第三材料层103；
测量第三材料层103和第二材料层102的第二应力，根据预设的第二应力阈值，以及第一材料层101表面张应力的限度，获得并沉积第四材料层104；
根据所述第四材料层104的厚度，通过PECVD设备或者溅射台在所述第三材料层103的上表面沉积第四材料层；获得MEMS半导体芯片。
本发明的另一方面，优选地，所述方法还包括：
通过激光划片工艺，在所述第一材料层101上表面划片，获得设置有空腔结构的第一材料层101。
本发明的另一方面，优选地，所述第一应力阈值范围为-156MPa~-289MPa，所述第二应力阈值范围为0~-100MPa;
本发明的另一方面，优选地，根据所述第三材料层103的厚度，通过PECVD设备或者溅射台在所述第二材料层102的上表面沉积第三材料层103包括：
通过调节PECVD设备参数，包括调节PECVD设备的工作压力、射频功率、SiH4与N2O流量在第二材料层的上表面沉积相应厚度的第三材料层103。
（三）有益效果
本发明的上述技术方案具有如下有益的技术效果：
本发明通过从下往上依次包括第一材料层、第二材料层、第三材料层和第四材料层，能有效的支撑起检测气体或检测液体时的应力要求，延长MEMS半导体芯片使用寿命，可有效的降低成本，第四材料层的材料包括AlN，第四材料层包裹所述金属电极和检测元件，具有良好的高导热性，能提高液体流量测量的灵敏度；结构简单、制作成本较低、利于推广。
附图说明
图1是本发明一个实施例的MEMS半导体芯片正视图；
图2是本发明另一个实施例的MEMS半导体芯片正视图；
图3是本发明第三个实施例的MEMS半导体芯片正视图；
附图标记：
101：第一材料层；102：第二材料层；103：第三材料层；104：第四材料层；105：加热元件；106：感测元件；107：空腔结构；108：环境感知元件。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合具体实施方式并参照附图，对本发明进一步详细说明。应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本发明的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本发明的概念。
在附图中示出了根据本发明实施例的层结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
以下将参照附图更详细地描述本发明。在各个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。
实施例一
一种MEMS半导体芯片，图1示出了本发明一个实施例的MEMS半导体芯片正视图，如图1所示，包括：从下往上依次包括第一材料层101、第二材料层102、第三材料层103和第四材料层104，此处从下往上是如图1所示，MEMS半导体芯片放置在水平平面后，正视图中的从靠近放置的平面到远离放置的平面，此处不限制第一材料层101、第二材料层102、第三材料层103和第四材料层104的尺寸，也不限制四层材料水平方向的横截面是否相同，也不限制四层材料层的厚度，也不限制四层材料层的材料；可选的，本实施例中，第一材料层101、第二材料层102、第三材料层103和第四材料层104四层材料层水平方向的横截面形状相同，所述第二材料层102的厚度为500nm-2um；满足工艺需求，预设的第一应力阈值为-156MPa~-289MPa，根据预设的第一应力阈值和第二材料层102的厚度，获得并生长第三材料层103的厚度范围100nm-1000nm，所述第二应力阈值范围为0~-100MPa，第一材料层101为圆晶时表面张应力200MPa的限度，获得第四材料层104的厚度值为20-1000nm之间，所述第三材料层103的上表面设置有金属电极和检测元件，此处不限制检测元件的数量和具体内容，可选的，本实施例中，所述检测元件包括一对感测元件106、加热元件105和环境感知元件108；所述一对感测元件106对称设置于所述加热元件105的两侧，所述环境感知元件108设置于感测元件106远离所述加热元件105的一侧，此处不限制感测元件106与加热元件105之间的距离，也不限制环境感知元件108与感测元件106之间的距离，也不限制检测元件间是不是在一条直线上，环境感知元件108用于去除环境因素对流量的影响，检测的时候待检测的液体或者气体可以从一端开始，依次经过环境感知元件108、一侧的感测元件106、加热元件105和另一侧的感测元件106，也可以依次经过一侧的感测元件106、加热元件105、另一侧的感测元件106和环境感知元件108，可选的，本实施例中，检测的时候待检测的液体或者气体可以从一端开始，依次经过环境感知元件108、一侧的感测元件106、加热元件105和另一侧的感测元件106，环境感知元件108先检测了环境温度，再经过一侧的感测元件106，因为加热元件105距离一侧的感测元件106较近，可以通过环境感知元件108先确定环境温度，去除加热元件105对一侧的感测元件106的影响，也去除环境的影响，使检测的准确率上升，提高灵敏度，此处不限制金属电极的材料，也不限制检测元件的材料，可选的，本实施例中，所述检测元件设置为电阻器件，所述一对感测元件106、加热元件105和环境感知元件108的材料至少包括铂和镍中的一种，所述金属电极与所述检测元件电连接，此处金属电极与检测元件数量相匹配，所述第四材料层104包裹所述金属电极和检测元件；所述第四材料层104的材料包括AlN。AlN具有高导热性，可以将加热元件105提供的热量快速以及较为完整的传给待测物，提高检测的准确性，并且第四材料层104能够保护检测元件，延长使用寿命。
本发明的一个实施例中，进一步，所述第二材料层102为耐腐蚀层，此处不限制第二材料层的具体材料，可选的，本实施例中，第二材料层102材料为于硅具有较大腐蚀选择比的介质材料，进一步的，本实施例中，所述第二材料层的材料至少包括SiO2、SiNx中的一种、所述第三材料层的材料包括SiO2。第二材料层102的作用能保护第一材料层，且能使第一材料层形成较高的刻蚀选择比，第三材料层的有益效果在于能够与第四材料层形成相反的应力类型，从而抵消第一材料层的压应力，实现硅表面低的应力材料结构，制备过程中，可以通过PECVD或者溅射台等设备参数得到的相应的应力类型的介质。
本发明的一个实施例中，进一步，所述第一材料层101为支撑晶圆片，进一步为陶瓷衬底，也可以是N型、P型硅片，晶向为<110>、<111>这两种晶向，阻值为500-5000欧姆；所述支撑晶圆片也可以是氧化铝陶瓷片或SiC晶圆片。
本发明的一个实施例中，进一步，图2示出了本发明另一个实施例的MEMS半导体芯片正视图；图3示出了本发明第三个实施例的MEMS半导体芯片正视图；所述第一材料层101设置有空腔结构107，此处不限制空腔结构107所处的位置，也不限制空腔结构107的结构和大小，可选的，可以是规则的形状，也可以是不规则的形状，进一步的，本实施例中，如图2所示，所述空腔结构107为设置于第一材料层顶面的空腔结构；或；如图3所示，贯通所述第一材料层的空腔结构。空腔结构有利于减轻整体的重量，达到轻量化的目的。
本实施例通过从下往上依次包括第一材料层、第二材料层、第三材料层和第四材料层，能有效的支撑起检测气体或检测液体时的应力要求，延长MEMS半导体芯片使用寿命，可有效的降低成本，第四材料层的材料包括AlN，第四材料层包裹所述金属电极和检测元件，具有良好的高导热性，能提高液体流量测量的灵敏度；并且可以保护检测元件，进一步延长使用寿命，环境感知元件先确定环境温度，去除加热元件对一侧的感测元件的影响，也去除环境的影响，使检测的准确率上升，提高灵敏度结构简单、制作成本较低、利于推广。
实施例二
一种制备如上所述的MEMS半导体芯片的方法，所述方法包括：
在第一材料层101的上表面，通过PECVD设备沉积第二材料层102；此处不限制第一材料层101的具体尺寸，也不限制具体厚度，此处也不限制第二材料层102的具体尺寸，可选的，本实施例中，所述第二材料层102的厚度为500nm-2um；满足工艺需求。可选的，本实施例中，第二材料层102水平方向横截面的面积与第一材料层101的上表面的面积相同，等离子增强型化学气相淀积（PECVD）是化学气相淀积的一种，其淀积温度低是它最突出的优点。PECVD淀积的薄膜具有优良的电学性能、良好的衬底附着性以及极佳的台阶覆盖性，正由于这些优点使其在超大规模集成电路、光电器件、MEMS等领域具有广泛的应用。PECVD技术是在低气压下，利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上，即样品放置的托盘产生辉光放电，利用辉光放电，或另加发热体使样品升温到预定的温度，然后通入适量的工艺气体，这些气体经一系列化学反应和等离子体反应，最终在样品表面形成固态薄膜；
测量第二材料层102的第一应力，根据预设的第一应力阈值，生长第三材料层103的厚度；此处不限制测量第二材料层102的第一应力的具体方式，可选的，可以包括材料拉伸强度测试、压缩强度测试、弯曲强度测试、剪切强度测试等；此处不限制预设的第一应力阈值的具体内容，可选的，本实施例中，预设的第一应力阈值为-156MPa~-289MPa，根据预设的第一应力阈值，获得并生长第三材料层103的厚度范围100nm-1000nm；此处不限制获得并生长第三材料层103的厚度的具体方式，可以是根据经验获取；也可以是根据应力公式计算获取；
根据所述计算获得的第三材料层103的厚度，通过PECVD设备或者溅射台在所述第二材料层102的上表面沉积第三材料层103；可选的，包括调节PECVD设备的工作压力、射频功率、SiH4与N2O流量在第二材料层的上表面沉积相应厚度的第三材料层103，如设置射频频率13.56MHz,功率600W,压强0.6Torr，SiH4/N2O的流量比100/140sccm生长第三材料层103，生长的厚度范围100nm-1000nm。
制作包括检测元件和金属电极结构的第一掩膜板；此处不限制第一掩膜板的具体结构，可选的，可以是单独的一个掩膜板，也可以是多个掩膜板的组合，此处也不限制，掩膜板的具体材料，可选的，本实施例中，第一掩膜板由玻璃/石英基片、铬层和光刻胶层构成；
在第三材料层103的上表面旋涂光刻胶，将所述第一掩膜板放置于涂有光刻胶的第三材料层103上，进行曝光；此处不限制光刻胶的涂抹厚度，也不限制涂抹光刻胶的方式，可选的，可以采用匀胶机进行涂抹，此处不限定光刻胶的具体内容，光刻胶是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料，由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体；在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料；半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像；此处也不限定光刻胶是正性光刻胶还是负性光刻胶，在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。本实施例中，可选的，光刻胶为正性光刻胶，此处也不限定曝光光源和辐射源的种类，可选的为紫外光刻胶、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等，可选的，本实施例中，光刻胶为紫外光刻胶，制造方便，利于推广；
所述涂有光刻胶的第三材料层103经过曝光显影后，取下掩膜板，采用电子束蒸发或者溅射在显影后的第三材料层103上沉积金属；电子束蒸发法是真空蒸发镀膜的一种，是在真空条件下利用电子束进行直接加热蒸发材料，使蒸发材料气化并向基板输运，在基底上凝结形成薄膜的方法。在电子束加热装置中，被加热的物质放置于水冷的坩埚中，可避免蒸发材料与坩埚壁发生反应影响薄膜的质量，因此，电子束蒸发沉积法可以制备高纯薄膜，同时在同一蒸发沉积装置中可以安置多个坩埚，实现同时或分别蒸发，沉积多种不同的物质。通过电子束蒸发，任何材料都可以被蒸发，溅射工艺主要用于溅射刻蚀和薄膜淀积两个方面。溅射刻蚀时，被刻蚀的材料置于靶极位置，受氩离子的轰击进行刻蚀。刻蚀速率与靶极材料的溅射产额、离子流密度和溅射室的真空度等因素有关。溅射刻蚀时，应尽可能从溅射室中除去溅出的靶极原子。常用的方法是引入反应气体，使之与溅出的靶极原子反应生成挥发性气体，通过真空***从溅射室中排出；
此处不限制采用电子束蒸发或者溅射在显影后的第三材料层103上沉积金属的厚度，可选的，本实施例中，根据预设的第一应力阈值生长第三材料层103的厚度范围100nm-1000nm；此处也不限制沉积金属的种类；
采用剥离工艺去除显影后的第三材料层103上未经曝光的光刻胶，获得设置有检测元件的第三材料层103；金属剥离工艺是指一种精细的光刻腐蚀工艺。基片经过涂覆光致抗蚀剂、曝光、显影后，以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩模，带胶蒸发所需的金属，然后在去除光致抗蚀剂的同时，把胶膜上的金属一起剥离干净，在基片上只剩下原刻出图形的金属。金属剥离工艺的优点是可获得亚微米图形，而且侧缘陡直，图形尺寸精确。该工艺可普遍应用于要求精细光刻图形的半导体器件的制造；
测量第三材料层103和第二材料层102的第二应力，根据预设的第二应力阈值，以及第一材料层表面张应力的限度，沉积第四材料层104，此处不限制第二应力阈值和晶圆表面张应力的限度的具体内容，可选的，本实施例中，所述第二应力阈值范围为0~-100MPa，晶圆表面张应力200MPa的限度，获得第四材料层104的厚度值为20-1000nm之间；此处不限制获取第四材料层的方式，可以是根据经验获取；也可以是根据应力公式计算获取；
根据所述第四材料层104的厚度，通过PECVD设备或者溅射台在所述第三材料层103的上表面沉积第四材料层；获得MEMS半导体芯片。
本发明一个实施例中，进一步，所述方法还包括：
通过激光划片工艺，在所述第一材料层101上表面划片，获得设置有空腔结构的第一材料层101。激光划片技术是近些年发展起来的一种集光学、精密机械及计算机学科于一体的先进技术，是半导体工业中一种有效的划片方法。在半导体工艺过程中，将大的晶圆器件分割成若干小块时，传统的砂轮划片方法存在崩侧大、刀口侧缘易产生裂纹等缺点。而激光划片方法则不会产生任何机械振动，且刀口崩侧小、精度高，已广泛应用于半导体工业。
本实施例的制备方法简单，精确度高，制备的芯片具有良好的高导热性，能提高液体流量测量的灵敏度；延长使用寿命，整体结构简单、制作成本较低、利于推广。
应当理解的是，本发明的上述具体实施方式仅仅用于示例性说明或解释本发明的原理，而不构成对本发明的限制。因此，在不偏离本发明的精神和范围的情况下所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。此外，本发明所附权利要求旨在涵盖落入所附权利要求范围和侧界、或者这种范围和侧界的等同形式内的全部变化和修改例。
在以上的描述中，对于各层的构图、刻蚀等技术细节并没有做出详细的说明。但是本领域技术人员应当理解，可以通过现有技术中的各种手段，来形成所需形状的层、区域等。另外，为了形成同一结构，本领域技术人员还可以设计出与以上描述的方法并不完全相同的方法。
以上参照本发明的实施例对本发明予以了说明。但是，这些实施例仅仅是为了说明的目的，而并非为了限制本发明的范围。本发明的范围由所附权利要求及其等价物限定。不脱离本发明的范围，本领域技术人员可以做出多种替换和修改，这些替换和修改都应落在本发明的范围之内。
尽管已经详细描述了本发明的实施方式，但是应该理解的是，在不偏离本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明的实施方式做出各种改变、替换和变更。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
Claims (9)
1.一种MEMS半导体芯片，其特征在于，包括：从下往上依次包括第一材料层（101）、第二材料层（102）、第三材料层（103）和第四材料层（104），所述第三材料层（103）的上表面设置有金属电极和检测元件，所述金属电极与所述检测元件电连接，所述第四材料层（104）包裹所述金属电极和检测元件；所述第四材料层（104）的材料包括AlN。
2.根据权利要求1所述的MEMS半导体芯片，其特征在于，所述检测元件包括一对感测元件（106）、加热元件（105）和环境感知元件（108）；所述一对感测元件（106）对称设置于所述加热元件（105）的两侧，所述环境感知元件（108）设置于感测元件（106）远离所述加热元件（105）的一侧。
3.根据权利要求1所述的MEMS半导体芯片，其特征在于，所述第二材料层（102）为耐腐蚀层，所述第二材料层的材料至少包括SiO2和SiNx中的一种、所述第三材料层的材料包括SiO2。
4.根据权利要求1所述的MEMS半导体芯片，其特征在于，所述第一材料层（101）设置有空腔结构（107），所述空腔结构（107）为设置于第一材料层顶面的空腔结构或贯通所述第一材料层的空腔结构。
5.根据权利要求1所述的MEMS半导体芯片，其特征在于，所述检测元件为电阻器件，其中，所述一对感测元件（106）、加热元件（105）和环境感知元件（108）的材料至少包括铂和镍中的一种。
6.一种制备如权利要求1-5中任意一项权利要求所述的MEMS半导体芯片的方法，其特征在于，所述方法包括：
在第一材料层（101）的上表面，通过PECVD设备沉积第二材料层（102）；
测量第二材料层（102）的第一应力，根据预设的第一应力阈值，获得并生长第三材料层（103）；
制作包括检测元件和金属电极结构的第一掩膜板；
在第三材料层（103）的上表面旋涂光刻胶，将所述第一掩膜板放置于涂有光刻胶的第三材料层（103）上，进行曝光；
所述涂有光刻胶的第三材料层（103）经过曝光显影后，取下掩膜板，采用电子束蒸发或者溅射工艺在显影后的第三材料层（103）上沉积金属；
采用剥离工艺去除显影后的第三材料层（103）上未经曝光的光刻胶，获得设置有检测元件的第三材料层（103）；
测量第三材料层（103）和第二材料层（102）的第二应力，根据预设的第二应力阈值，以及第一材料层（101）表面张应力的限度，获得并沉积第四材料层（104）；
根据所述第四材料层（104）的厚度，通过PECVD设备或者溅射台在所述第三材料层（103）的上表面沉积第四材料层；获得MEMS半导体芯片。
7.根据权利要求6所述的制备MEMS半导体芯片方法，其特征在于，所述方法还包括：
通过激光划片工艺，在所述第一材料层（101）上表面划片，获得设置有空腔结构的第一材料层（101）。
8.根据权利要求6所述的制备MEMS半导体芯片方法，其特征在于，所述第一应力阈值范围为-156MPa~-289MPa，所述第二应力阈值范围为0~-100MPa。
9.根据权利要求6所述的制备MEMS半导体芯片方法，其特征在于，根据所述第三材料层（103）的厚度，通过PECVD设备或者溅射台在所述第二材料层（102）的上表面沉积第三材料层（103）包括：
通过调节PECVD设备参数，包括调节PECVD设备的工作压力、射频功率、SiH4与N2O流量在第二材料层的上表面沉积相应厚度的第三材料层（103）。
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