CN117240235B - 功率放大电路和电子*** - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种功率放大电路和电子***，其适用于微波消融领域，为其提供精准消融功率。其中，功率放大电路包括：功率放大器以及与功率放大器连接的***电路；***电路包括：带宽扩展电路；带宽扩展电路包括：多个微带线和多个电容；带宽扩展电路与晶体管的漏极连接；晶体管的漏极和寄生补偿电路连接；带宽扩展电路，用于基于微带线和电容调整功率放大电路的电阻和电抗；寄生补偿电路，用于基于微带线调整功率放大电路的电阻和电抗，以抵消晶体管内的寄生参数；通过设置寄生补偿电路调整电路中的参数，以减少晶体管寄生参数的影响，并设置带宽扩展电路调整电路的电阻和电抗，进而拓宽功率放大电路的带宽。

Description

功率放大电路和电子***

技术领域

本发明涉及射频电路应用技术领域，尤其是涉及一种功率放大电路和电子***。

背景技术

微创消融是未来微创医疗行业的发展趋势，微波消融仪作为微创消融的主流设备，其高效、精准的特点十分重要。故在无线通信***日益发展的行业背景下，微波消融仪适运而生，在最为重要的各种无线通信新标准下设计。这一系列的新标准对射频前端组件提出了更高的要求，以满足现在不同工业应用的需求。射频功率放大器是宽带或多频带***中的关键模块，它的性能在带宽、输出功率和效率方面对整个***的性能有很大影响。在现阶段的发展趋势下，为了追求宽带和高效率功放，开关型功率放大器诸如E类、F类功放被广泛研究。

但是现有功率放大器存在寄生参数影响大，带宽窄的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种功率放大电路和电子***，通过设置寄生补偿电路调整电路中的参数，以减少晶体管寄生参数的影响，并设置带宽扩展电路调整电路的电阻和电抗，进而拓宽功率放大电路的带宽。

第一方面，本发明提供了一种功率放大电路，功率放大电路包括：功率放大器以及与功率放大器连接的***电路；功率放大器包括：晶体管、L型寄生补偿电路；L型寄生补偿电路包括：两个微带线；***电路包括：带宽扩展电路；带宽扩展电路包括：多个微带线和多个电容；带宽扩展电路与晶体管的漏极连接；晶体管的漏极和寄生补偿电路连接；带宽扩展电路，用于基于微带线和电容调整功率放大电路的电阻和电抗；L型寄生补偿电路，用于基于微带线调整功率放大电路的电阻和电抗，以抵消晶体管内的寄生参数；其中，寄生参数包括：晶体管漏极和源极之间的寄生电容、寄生电感和寄生电阻以及晶体管封装寄生电容产生的等效参数。

在本发明一些较佳的实施例中，***电路还包括：输入匹配电路；信号源、输入匹配电路和晶体管的栅极依次连接；输入匹配电路，用于将信号源的输出阻抗与晶体管的输入阻抗匹配。

在本发明一些较佳的实施例中，输入匹配电路包括多个依次串联的微带线；输入匹配电路采用阶跃式匹配方式设置。

在本发明一些较佳的实施例中，***电路还包括：RC并联电路；RC并联电路包括：并联连接的一个电阻和一个电容；信号源、RC并联电路和晶体管的栅极依次连接；RC并联电路中的电阻，用于限制信号源输出信号的电流；RC并联电路中的电容，用于将信号源输出信号中的高频谐波信号短路。

在本发明一些较佳的实施例中，***电路还包括：输出匹配电路；寄生补偿电路连接、输出匹配电路和负载依次连接；输出匹配电路，用于将晶体管的输出阻抗与负载匹配。

在本发明一些较佳的实施例中，输出匹配电路包括多个依次串联的微带线；输出匹配电路采用阶跃式匹配方式设置。

在本发明一些较佳的实施例中，功率放大电路还包括：栅极偏置电路和漏极偏置电路；栅极偏置电路包括：多个并联的电容；栅极电源、栅极偏置电路和晶体管的栅极依次连接；漏极偏置电路包括：多个并联的电容；漏极电源、漏极偏置电路和晶体管的漏极依次连接；栅极偏置电路，用于基于微带线消耗晶体管栅极泄露的基频信号；栅极偏置电路，还用于将晶体管栅极泄露的高频谐波信号接地；漏极偏置电路，用于基于微带线消耗负载泄露的基频信号；漏极偏置电路，还用于将负载泄露的高频谐波信号接地。

在本发明一些较佳的实施例中，漏极偏置电路还包括：扇形微带线；扇形微带线，用于调整功率放大电路的电阻和电抗。

在本发明一些较佳的实施例中，功率放大电路还包括：谐波控制电路；功率放大器和谐波控制电路连接；谐波控制电路，用于调整功率放大器的负载阻抗。

第二方面，本发明提供了一种电子***，电子***包括：电子设备和上述任一项的功率放大电路；电子设备与功率放大电路的输出端连接；电子设备基于功率放大电路输出的信号运行。

本发明带来了以下有益效果：

本发明提供了一种功率放大电路和电子***，功率放大电路包括：功率放大器以及与功率放大器连接的***电路；功率放大器包括：晶体管、L型寄生补偿电路；L型寄生补偿电路包括：两个微带线；***电路包括：带宽扩展电路；带宽扩展电路包括：多个微带线和多个电容；带宽扩展电路与晶体管的漏极连接；晶体管的漏极和寄生补偿电路连接；带宽扩展电路，用于基于微带线和电容调整功率放大电路的电阻和电抗；L型寄生补偿电路，用于基于微带线调整功率放大电路的电阻和电抗，以抵消晶体管内的寄生参数；其中，寄生参数包括：晶体管漏极和源极之间的寄生电容、寄生电感和寄生电阻以及晶体管封装寄生电容产生的等效参数；通过设置寄生补偿电路调整电路中的参数，以减少晶体管寄生参数的影响，并设置带宽扩展电路调整电路的电阻和电抗，进而拓宽功率放大电路的带宽。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种功率放大电路的电路图；

图2为本发明实施例提供的另一种功率放大电路的电路图；

图3为本发明实施例提供了两种匹配电路结构示意图所示；

图4为本发明实施例提供的一种多枝节匹配史密斯圆图；

图5为本发明实施例提供的一种阶跃式匹配史密斯圆图；

图6为本发明实施例提供的一种谐波等效电路的示意图；

图7为本发明实施例提供的一种电子***的结构示意图。

图标：30-电子***；31-功率放大电路；32-电子设备。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

此外，术语“水平”、“竖直”、“悬垂”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。

在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

下面结合附图，对本发明的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

实施例一

本发明实施例提供了一种功率放大电路，功率放大电路包括：功率放大器以及与功率放大器连接的***电路；功率放大器包括：晶体管、L型寄生补偿电路；L型寄生补偿电路包括：两个微带线；***电路包括：带宽扩展电路；带宽扩展电路包括：多个微带线和多个电容；带宽扩展电路与晶体管的漏极连接；晶体管的漏极和寄生补偿电路连接；带宽扩展电路，用于基于微带线和电容调整功率放大电路的电阻和电抗；L型寄生补偿电路，用于基于微带线调整功率放大电路的电阻和电抗，以抵消晶体管内的寄生参数；其中，寄生参数包括：晶体管漏极和源极之间的寄生电容、寄生电感和寄生电阻以及晶体管封装寄生电容产生的等效参数。

具体的，参见图1所示的本发明实施例提供的一种功率放大电路的电路图，R为等效负载。晶体管本身的缺陷和封装对电路带来影响，图1中将寄生参数等效为寄生电感L1、寄生电容C1和封装引入的外部寄生电容C2，由于，在微波频段，晶体管寄生参数对功放指标的恶化无法忽略。

因此，需要设置补偿结构消除寄生参数的影响，图1示出了一种L型寄生补偿电路的设置方式，该L型寄生补偿电路包括两个微带线TL1和TL2，其中，微带线是一种在高频通信和射频电路中广泛使用的传输线结构，它由一条窄而平坦的金属带（通常是铜）置于绝缘介质（例如聚四氟乙烯）之上，形成一个类似于平行板电容器的结构。微带线常用于印刷电路板（PCB）上，用于传输射频信号和微波信号。它具有较小的尺寸和重量，并且相对容易制造和安装，因此在许多无线通信***、雷达***和微波集成电路中得到广泛应用；TL1和TL2可以等效为电容和电感，通过调整电路中的参数，消除晶体管寄生参数对电路的影响。

进一步的，由于在1.1-2.5GHz频带范围内，二次谐波阻抗与基波阻抗有重叠的部分(2.2-2.5GHz)，因此在目标频带内实现F类功放的谐波条件变得十分困难，即很难做到在频带重叠部分呈现低阻抗的同时保证高效率，因此，本发明实施例在原电路的基础上在输出端增加带宽扩展电路来提高效率，继续参见图1，图1示出了一种带宽扩展电路的设置方式，该带宽扩展电路包括微带线TL3、TL4、TL5和TL6以及电容C3、C4和C5；一般的，TL4微带线宽长比为1.7mm：9.2mm；TL5微带线宽长比为1.5mm：2.5mm；TL6微带线宽长比为1.5mm：2.1mm，可以设置带宽扩展电路通过改变电路的电阻和电抗降低了电路的品质因数Q，由于，输出带宽BW与频率λ和品质因数Q的关系如下如下式：

（1）

其中，λ₀为基波频率，电路的输出带宽BW与频率成正比与品质因数成反比，因此，降低品质因数Q就可以提高电路的输出带宽。

本发明提供了一种功率放大电路，功率放大电路包括：功率放大器以及与功率放大器连接的***电路；功率放大器包括：晶体管、L型寄生补偿电路；L型寄生补偿电路包括：两个微带线；***电路包括：带宽扩展电路；带宽扩展电路包括：多个微带线和多个电容；带宽扩展电路与晶体管的漏极连接；晶体管的漏极和寄生补偿电路连接；带宽扩展电路，用于基于微带线和电容调整功率放大电路的电阻和电抗；L型寄生补偿电路，用于基于微带线调整功率放大电路的电阻和电抗，以抵消晶体管内的寄生参数；其中，寄生参数包括：晶体管漏极和源极之间的寄生电容、寄生电感和寄生电阻以及晶体管封装寄生电容产生的等效参数；通过设置寄生补偿电路调整电路中的参数，以减少晶体管寄生参数的影响，并设置带宽扩展电路调整电路的电阻和电抗，进而拓宽功率放大电路的带宽。

实施例二

在上述实施例的基础上，本发明实施例提供了另一种功率放大电路，参见图2所示的本发明实施例提供的另一种功率放大电路的电路图，***电路还包括：输入匹配电路；信号源、输入匹配电路和晶体管的栅极依次连接；输入匹配电路，用于将信号源的输出阻抗与晶体管的输入阻抗匹配；***电路还包括：输出匹配电路；寄生补偿电路连接、输出匹配电路和负载依次连接；输出匹配电路，用于将晶体管的输出阻抗与负载匹配。

具体的，参见图2，输入匹配电路包括多个依次串联的微带线；输入匹配电路采用阶跃式匹配方式设置，电容C7、微带线TL11、微带线TL12和微带线TL13组成了输入匹配电路；输出匹配电路包括多个依次串联的微带线；输出匹配电路采用阶跃式匹配方式设置，电容C8、微带线TL14和微带线TL15组成了输出匹配电路；在射频功放设计中，如果输入和输出匹配电路在设计中存在较大误差，部分射频信号经微带线的传输会产生反射，造成输出功率的流失和效率的骤降，较为严重者甚至会引起电路的自激振荡，从而损坏测量仪器，造成经济损失。

常见的匹配方式分为分布式、多枝节与阶跃式匹配等。但相较于阶跃式匹配，多枝节匹配缺点是增加版图面积，带宽较小。阶跃式匹配是将多端微带线串联，进行路径优化，尽可能降低电路Q值从而达到宽带匹配的目的的一种匹配方案。以本发明实施例的输出匹配为例，参见图3所示的本发明实施例提供了两种匹配电路结构示意图所示；将Term1端口（最佳负载阻抗端）匹配至Term2端口（负载端），1端口的阻抗为最佳负载阻抗的共轭，即(10.603-j14.062) Ω。使用传统多枝节阻抗匹配方法，参见图4所示的本发明实施例提供的一种多枝节匹配史密斯圆图，微带线TL34和微带线TL35组成了多枝节匹配电路，史密斯圆图中与直径两端相连的弧线为等品质因数弧线，Q值为1.8；使用阶跃式匹配方法，参见图5所示的本发明实施例提供的一种阶跃式匹配史密斯圆图，微带线TL31、微带线TL32和微带线TL33组成了阶跃式匹配电路，Q值为1.3，既降低了Q值拓展了带宽，又有效地缩小电路板的面积，符合设计要求。

进一步的，***电路还包括：RC并联电路；RC并联电路包括：并联连接的一个电阻和一个电容；信号源、RC并联电路和晶体管的栅极依次连接；RC并联电路中的电阻，用于限制信号源输出信号的电流；RC并联电路中的电容，用于将信号源输出信号中的高频谐波信号短路。

具体的，继续参见图2，电容C6和电阻R1,组成了RC并联电路，频率较高时电容容抗很小，对电阻起到短路作用，进而改善了整个频带内的增益平坦度与栅极偏置电路不同的是增设了扇形微带线结构用以扩展带宽。

在栅极输入端串联了一个RC并联结构，这种增加电路稳定性的方法是通过引入有耗网络来实现的，通过串联一个电阻分担一部分功率，由于电阻的引入会降低功放的增益，因此通常采用RC并联结构来增加电路的稳定性。频率较高时电容容抗很小，对电阻起到短路作用，进而改善了整个频带内的增益平坦度。

进一步的，功率放大电路还包括：栅极偏置电路和漏极偏置电路；栅极偏置电路包括：多个并联的电容；栅极电源、栅极偏置电路和晶体管的栅极依次连接；漏极偏置电路包括：多个并联的电容；漏极电源、漏极偏置电路和晶体管的漏极依次连接；栅极偏置电路，用于基于微带线消耗晶体管栅极泄露的基频信号；栅极偏置电路，还用于将晶体管栅极泄露的高频谐波信号接地；漏极偏置电路，用于基于微带线消耗负载泄露的基频信号；漏极偏置电路，还用于将负载泄露的高频谐波信号接地。

具体的，继续参见图2，直流偏置电路的设计一方面为功率晶体管提供静态偏置，另一方面起到了射频主路信号与偏置直流信号的隔离作用，最基本的微带线代替高频扼流圈，在相对较低的频段，偏置一般采用高频扼流圈达到隔离的目的，如图2所示的TL17H和TL18，但在射频频段，应考虑损耗及电路装配的可操作性，一般使用微带线代替高频扼流圈；栅极偏置电路，总共选择四个不同量级的旁路电容将泄露至偏置的射频信号短路至地，防止射频信号泄露至偏置电路中，进而损坏电源；漏极偏置电路还包括：扇形微带线；扇形微带线，用于调整功率放大电路的电阻和电抗，漏极偏置电路结构，与栅极偏置电路不同的是增设了扇形微带线结构用以扩展带宽，漏极偏置上经过的电流的量级为安培A，所以漏极偏置的微带线宽度应该更粗，故使用圆弧形结构。多节匹配常用于扩展带宽。根据无源滤波器的理论，几个串联的微带线可以在某个频点上提供一个谐振点，如果在一端增加一个枝节，调整枝节里微带线的参数，使枝节的谐振点靠近主路的谐振点，即可达到扩展带宽的目的。

进一步的，功率放大电路还包括：谐波控制电路；功率放大器和谐波控制电路连接；谐波控制电路，用于调整功率放大器的负载阻抗。

具体的，继续参见图2，微带线TL7、微带线TL8和微带线TL9组成了谐波控制电路，在F类功放的漏极输出端，涵盖了寄生补偿电路，谐波控制网络和输出匹配电路三个部分；谐波控制网络应用了谐波陷波的概念。从图2中可以看出，谐波控制网络部分包括三个传输线组成，分别为TL7，TL8和TL9。它们的长度分别为λ/4，λ/8和λ/12，其中λ为基波波长。TL8和TL9这两个并联开路短截线分别在二次、三次谐波频率下的电长度均为90°。因此TL8和TL9在B点同时提供二次谐波和三次谐波短路点。串联传输线TL7在二次、三次谐波频率下电长度分别为180°和270°，在史密斯圆图中，分别绕了一圈和一圈半。因此二次谐波依然处于短路状态，而三次谐波阻抗轨迹多了半圈，实现了从短路点向开路点的转换。综上所述，TL7将B点的二次、三次谐波短路条件(2S、3S)转换为A点的二次谐波短路、三次谐波开路条件(2S、3O)。

进一步的，考虑到实际晶体管寄生参数的影响，本发明实施例仍然采用L形寄生补偿电路来降低寄生参数对大信号测量结果的恶化。实际上，A点将L型寄生补偿电路和谐波控制网络在拓扑上进行分离。即二次谐波的等效电路中只存在TL1不存在TL2，三次谐波的等效电路中同时包括TL1和TL2，参见图6所示的本发明实施例提供的一种谐波等效电路的示意图，其中，L_D等效为图2中的L₁，C_DS等效为图2中的C₁，C_P等效为图2中的C₂，(a)和(b)分别给出了L型寄生补偿电路的二次、三次谐波等效电路。

对于二次谐波而言，只需要改变TL1的参数θ₁就可以在功放管的固有漏极端面获得其任一纯电抗值。对于三次谐波而言，保持TL1的参数θ₁不变的条件下，改变TL2的参数θ₂就可以在功放管的固有漏极端面获得其任一纯电抗值。因此正确地调整TL1与TL2的电长度θ₁和θ₂可以让二次谐波阻抗处于史密斯圆图中的开路点，三次谐波阻抗处于史密斯圆图中的短路点，从而满足F类功放的阻抗条件。根据图2所示的结构，从晶体管固有漏极端面看去，二次谐波和三次谐波输入阻抗分别可以表示为：

(2)

(3)

其中，(4)

(5)

ω为基波角频率，θ₁和θ₂分别为TL1和TL2的电长度。而F类功放的阻抗要求为：

(6)

因此要求式(2)的分子为零，式(3)的分母为零：

(7)

求解上述方程组可得：

(8)

其中，m和n为任意整数。在实际设计时，还应考虑版图的尺寸问题，因此适当地确定参数m和n的数值，降低θ1与θ2，对缩小版图的大小大有裨益。

本发明实施例提供了一种功率放大电路，利用L型寄生补偿谐波控制网络解决晶体管寄生电容的影响，利用阶跃式匹配降低品质因素Q，增加带宽，利用弧形带宽扩展结构，增加带宽；利用扇形微带线，增加带宽，利用RC并联结构解决晶体管稳定性及增益平坦度；本发明实施例涉及射频电路应用技术领域，其特殊应用于微波消融领域，其设计方案尤其涉及一种功率放大电路和电子***，适用于微波消融领域，其有益效果为电子***提供稳定、精准消融效果，实现肝癌、甲状腺癌等实体肿瘤的治疗。

实施例三

在上述实施例的基础上，本发明实施例提供了一种电子***30，参见图7所示的本发明实施例提供的一种电子***的结构示意图，该电子***包括：电子设备32和上述任一项的功率放大电路31；电子设备32与功率放大电路31的输出端连接，为电子设备实现精准消融效果；电子设备32基于功率放大电路31输出的信号运行。

具体的，电子***30可以是微波消融仪，电子设备可以是微波天线，功率放大电路31输出微波信号给微波天线；微波消融技术是一种医疗领域常用的治疗方法，用于***和其他异常组织。它利用高频微波能量来加热并摧毁异常组织。在微波消融过程中，医生将一个或多个微波天线***体内，这些天线会释放出微波能量，并将其传递到目标组织中。微波能量会引起组织中的分子振动和摩擦产生热量，使组织温度升高并最终导致组织坏死。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的电子***的具体工作过程，可以参考前述的功率放大电路的实施例中的对应过程，在此不再赘述。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (8)

1.一种功率放大电路，其特征在于，应用于微波消融领域，所述功率放大电路包括：功率放大器以及与所述功率放大器连接的***电路；所述功率放大器包括：晶体管、L型寄生补偿电路；所述L型寄生补偿电路包括：两个微带线；所述***电路包括：带宽扩展电路；所述带宽扩展电路包括：多个微带线和多个电容；所述带宽扩展电路与所述晶体管的漏极连接；所述晶体管的漏极和所述寄生补偿电路连接；

所述带宽扩展电路，用于基于微带线和所述电容调整所述功率放大电路的电阻和电抗；

所述L型寄生补偿电路，用于基于微带线调整所述功率放大电路的电阻和电抗，以抵消所述晶体管内的寄生参数；其中，所述寄生参数包括：晶体管漏极和源极之间的寄生电容、寄生电感和寄生电阻以及所述晶体管封装寄生电容产生的等效参数；

所述带宽扩展电路包括四个微带线和三个电容；

所述带宽扩展电路包括第一微带线、第二微带线、第三微带线、第四微带线、第一电容、第二电容和第三电容；

所述第一微带线的第一端与所述晶体管的漏极连接；所述第一微带线的第二端与所述第二微带线的第一端连接；所述第二微带线的第二端与所述第三微带线的第一端连接；所述第三微带线的第二端与所述第四微带线的第一端连接；所述第一电容的第一端与所述第二微带线的第二端连接；所述第一电容的第二端接地；所述第二电容的第一端与所述第三微带线的第二端连接；所述第二电容的第二端接地；所述第三电容的第一端与所述第四微带线的第二端连接；所述第三电容的第二端接地；

所述***电路还包括：输出匹配电路；所述寄生补偿电路连接、所述输出匹配电路和负载依次连接；

所述输出匹配电路，用于将所述晶体管的输出阻抗与所述负载匹配；

所述输出匹配电路包括多个依次串联的微带线；

所述输出匹配电路采用阶跃式匹配方式设置。

2.根据权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，所述***电路还包括：输入匹配电路；信号源、所述输入匹配电路和所述晶体管的栅极依次连接；

所述输入匹配电路，用于将所述信号源的输出阻抗与所述晶体管的输入阻抗匹配。

3.根据权利要求2所述的功率放大电路，其特征在于，所述输入匹配电路包括多个依次串联的微带线；

所述输入匹配电路采用阶跃式匹配方式设置。

4.根据权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，所述***电路还包括：RC并联电路；所述RC并联电路包括：并联连接的一个电阻和一个电容；信号源、所述RC并联电路和所述晶体管的栅极依次连接；

所述RC并联电路中的电阻，用于限制所述信号源输出信号的电流；

所述RC并联电路中的电容，用于将所述信号源输出信号中的高频谐波信号短路。

5.根据权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，所述功率放大电路还包括：栅极偏置电路和漏极偏置电路；所述栅极偏置电路包括：多个并联的电容；栅极电源、所述栅极偏置电路和所述晶体管的栅极依次连接；所述漏极偏置电路包括：多个并联的电容；漏极电源、所述漏极偏置电路和所述晶体管的漏极依次连接；

所述栅极偏置电路，用于基于微带线消耗所述晶体管栅极泄露的基频信号；

所述栅极偏置电路，还用于将晶体管栅极泄露的高频谐波信号接地；

所述漏极偏置电路，用于基于微带线消耗负载泄露的基频信号；

所述漏极偏置电路，还用于将所述负载泄露的高频谐波信号接地。

6.根据权利要求5所述的功率放大电路，其特征在于，所述漏极偏置电路还包括：扇形微带线；

所述扇形微带线，用于调整所述功率放大电路的电阻和电抗。

7.根据权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，所述功率放大电路还包括：谐波控制电路；所述功率放大器和所述谐波控制电路连接；

所述谐波控制电路，用于调整所述功率放大器的负载阻抗。

8.一种电子***，其特征在于，所述电子***包括：电子设备和权利要求1-7任一项所述的功率放大电路；所述电子设备与所述功率放大电路的输出端连接；

所述电子设备基于所述功率放大电路输出的信号运行。