CN117240229A - 功率放大器的偏置电路及功率放大器 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种功率放大器的偏置电路及功率放大器，该功率放大器的偏置电路包括电压转换单元和反馈单元；电压转换单元分别与第一电源以及功率放大器连接，反馈单元与电压转换单元连接；根据功率放大器内的温度变化信息生成并输出反馈信号至所述电压转换单元；电压转换单元根据反馈信号将第一电源输出的电源电压转换为反馈偏置电压，并将反馈偏置电压输出至所述功率放大器。根据功率放大器内的温度变化信息生成反馈信号，并根据反馈信号转换电源电压得到反馈偏置电压，实现对功率放大器内温度变化导致性能变化的补偿，从而避免对功率放大器的线性度造成影响。

Description

功率放大器的偏置电路及功率放大器

技术领域

本发明涉及射频放大技术领域，尤其涉及一种功率放大器的偏置电路及功率放大器。

背景技术

随着科学技术的发展，无线通信技术发展迅猛，越来越趋于成熟。功率放大器是无线通信的关键部件，可以在包括蜂窝通信、无线宽带等任何符合通信标准的无线通信***中起到放大RF信号的作用。

在实际应用中，为了满足正交频分复用调制的通信***的使用要求，功率放大器必须具有极高的线性度。而由于射频功率放大器在开启瞬间，电路无法马上进入稳态，造成增益随时间的变化。尤其是射频功率放大器芯片内部晶体管发热的不均匀，更容易造成电路的动态误差向量幅度(Dynamic Error Vector Magnitude，DEVM)恶化，影响功率放大器的线性度。

上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种功率放大器的偏置电路及功率放大器，旨在解决现有技术中功率放大器在放大调制信号时，功率放大器的输出晶体管芯内部温度随时间产生变化影响功率放大器的线性度的技术问题。

为实现上述目的，本发明提出一种功率放大器的偏置电路，所述功率放大器的偏置电路包括：电压转换单元和反馈单元；

其中，所述电压转换单元分别与第一电源以及功率放大器连接，所述反馈单元与所述电压转换单元连接；

所述反馈单元，用于根据功率放大器内的温度变化信息生成并输出反馈信号至所述电压转换单元；

所述电压转换单元，用于根据所述反馈信号将第一电源输出的电源电压转换为反馈偏置电压，并将所述反馈偏置电压输出至所述功率放大器。

可选地，所述功率放大器的偏置电路还包括：线性调节单元；

其中，所述线性调节单元分别与所述电压转换单元以及所述功率放大器连接；

所述电压转换单元，还用于所述反馈偏置电压输出至所述线性调节单元；

所述线性调节单元，用于将所述反馈偏置电压输出的射频阻抗进行调节，并将调节后的反馈偏置电压输出至所述功率放大器。

可选地，所述电压转换单元，还用于将所述第一电源输出的电源电压转换为初始偏置电压，并将所述初始偏置电压发送至所述线性调节单元；

所述线性调节单元，还用于将所述初始偏置电压输出的射频阻抗进行调节，并将调节后的初始偏置电压输出至所述功率放大器。

可选地，所述电压转换单元包括：第一电阻、第二电阻、第一晶体管和第二晶体管；

其中，所述第一电阻的第一端与所述第一电源连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第一晶体管的控制端、第一晶体管的输入端以及所述第二晶体管的控制端连接，所述第一晶体管的输出端通过所述反馈单元接地，所述第二电阻的第一端与第二电源连接，所述第二电阻的第二端与所述第二晶体管的输入端连接，所述第二晶体管的输出端与所述功率放大器连接。

可选地，所述反馈单元包括：第三电阻、第四电阻、第五电阻、第三晶体管和第四晶体管；

其中，所述第三晶体管在版图中设置在所述功率放大器的输出晶体管芯内部，所述第三电阻的第一端分别与所述第一电源以及所述第一电阻的第一端连接，所述第三电阻的第二端分别与所述第一晶体管的输出端以及所述第三晶体管的输入端连接，所述第三晶体管的控制端与所述第四电阻的第一端连接，所述第四电阻的第二端与所述第四晶体管的输出端连接，所述第四晶体管的控制端与所述第一晶体管的控制端、所述第一电阻的第二端以及所述第二晶体管的控制端连接，所述第四晶体管的输入端与所述第五电阻的第二端连接，所述第五电阻的第一端分别与所述第二电源以及所述第二电阻的第一端连接，所述第三晶体管的输出端接地。

可选地，所述线性调节单元包括：第一电容和第六电阻；

其中，所述第一电容的第一端与所述第一电阻的第二端、所述第一晶体管的控制端、第二晶体管的控制端以及所述第四晶体管的控制端连接，所述第一电容的第二端接地，所述第六电阻的第一端与所述第二晶体管的输出端连接，所述第六电阻的第二端与所述功率放大器连接。

可选地，所述功率放大器的偏置电路还包括：第二电容；

其中，所述第二电容的第一端分别与所述第二电阻的第一端以及所述第二电源连接，所述第二电容的第二端接地。

可选地，所述第二晶体管由预设数目的子晶体管组成；

其中，各所述子晶体管的控制端之间相互连接，各所述子晶体管的输入端之间相互连接，各所述子晶体管的输出端之间相互连接。

为实现上述目的，本发明还提出一种功率放大器，所述功率放大器包括：输入匹配单元、放大单元、输出匹配单元以及所述功率放大器的偏置电路；

其中，所述输入匹配单元分别与射频输入端、所述功率放大器的偏置电路以及放大单元连接，所述输入匹配单元与所述放大单元以及射频输出端连接。

可选地，所述放大单元包括第三电容、第一电感以及一定数目的放大功率管；

其中，所述第三电容的第一端与所述输入匹配单元连接，所述第三电容的第二端分别与所述偏置电路以及各放大功率管的控制端连接，各放大功率管的输入端分别与所述第一电感的第二端以及所述输出匹配单元连接，所述第一电感的第一端与第三电源连接，各放大功率管的输出端接地。

本发明提供了一种功率放大器的偏置电路及功率放大器，该功率放大器的偏置电路包括电压转换单元和反馈单元；所述电压转换单元分别与第一电源以及功率放大器连接，所述反馈单元与所述电压转换单元连接；根据功率放大器内的温度变化信息生成并输出反馈信号至所述电压转换单元；所述电压转换单元根据所述反馈信号将第一电源输出的电源电压转换为反馈偏置电压，并将所述反馈偏置电压输出至所述功率放大器。根据功率放大器内的温度变化信息生成反馈信号，并根据反馈信号转换电源电压得到反馈偏置电压，实现对功率放大器内温度变化导致性能变化的补偿，从而避免对功率放大器的线性度造成影响。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明提出的功率放大器的偏置电路第一实施例的结构示意图；

图2为本发明提出的功率放大器的偏置电路第二实施例的结构示意图；

图3为本发明提出的功率放大器的偏置电路第二实施例的第一种电路原理图；

图4为本发明提出的功率放大器的偏置电路第二实施例的第二种电路原理图；

图5为本发明提出的功率放大器的偏置电路第二实施例的第三种电路原理图；

图6为本发明提出的功率放大器的电路原理图。

附图标号说明：

标号	名称	标号	名称
				10	电压转换单元	R1～R6	第一至第六电阻
20	反馈单元	C1～C3	第一至第三电容
				30	线性调节单元	V1～V3	第一至第三电源
Q1～Q4	第一至第四晶体管	L1	第一电感
				RFin	射频输入端	RFout	射频输出端
M1～Mn	放大功率管	GND	接地

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，在本发明中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当人认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

参照图1，图1为本发明提出的功率放大器的偏置电路第一实施例的结构示意图。基于图1提出本发明功率放大器的偏置电路第一实施例。

在本实施例中，所述功率放大器的偏置电路包括：电压转换单元10和反馈单元20；

其中，所述电压转换单元10分别与第一电源以及功率放大器连接，所述反馈单元20与所述电压转换单元10连接。

应理解的是，在本实施例中，所述功率放大器为射频功率放大器，该射频功率放大器通常设有偏置电路，通过偏置电路为功率放大器内部的放大功率管提供一定的偏置电压使该功率管工作在放大区，从而实现功率放大。在功率放大器运行过程中，为了保证功率放大器输出结果的准确性需要功率放大器必须具有极高的线性度。而功率放大器在管芯结温随时间发生变化的情况下，具有放大功能的功率管的增益会随着时间的变化发生变化即随温度变化发生变化，直接导致功率放大器的线性度降低，例如在功率放大器启动过程中功率放大器的线性度会受到影响。

需要说明的是，电压转换单元10是用于将外部接入的电源提供的电源电压转换为功率放大器内部功率管所需的偏置电压的单元。电压转换单元10的具体转换参数可以根据需要输出的偏置电压和接收到的电源电压进行设定。电压转换单元10可以由电流镜和相关的元器件组成。反馈单元20是将功率放大器内的热变化进行反馈的单元。在功率放大器内的放大功率管的热发生变化时，反馈单元20可以将热变化反馈至电压转换单元10，并对电压转换单元10的电压转换过程进行调整，从而补偿热变化对增益造成的影响。反馈单元20可以直接对功率放大器内的热变化进行采集。当然反馈单元20可以通过接收其他相关的结构或单元采集增益变化或影响增益变化的环境因素变化。第一电源可用于为电压转换单元10提供电源电压。

在具体实施中，在功率放大器内的功率管的温度发生变化时，所述反馈单元20可以根据功率放大器内的温度变化信息生成反馈信号，并将反馈信号输出至所述电压转换单元10；所述电压转换单元10在接收到反馈信号时，可以根据所述反馈信号将第一电源输出的电源电压转换过程进行调节，将电源电压转换为对增益变化进行补偿的反馈偏置电压，并将所述反馈偏置电压输出至所述功率放大器，为功率放大器内的放大功率管提供反馈偏置电压，实现对功率放大器的增益的实时控制，从而降低温度变化对功率放大器的线性度影响。

在本实施例中提供了一种功率放大器的偏置电路，该功率放大器的偏置电路包括电压转换单元和反馈单元；所述电压转换单元分别与第一电源以及功率放大器连接，所述反馈单元与所述电压转换单元连接；所述反馈单元根据功率放大器内的温度变化信息生成并输出反馈信号至所述电压转换单元；所述电压转换单元根据所述反馈信号将第一电源输出的电源电压转换为反馈偏置电压，并将所述反馈偏置电压输出至所述功率放大器。通过根据功率放大器内的温度变化信息生成反馈信号，并根据反馈信号转换电源电压得到反馈偏置电压，实现对功率放大器的增益的实时控制，从而避免对功率放大器的线性度造成影响。

参照图2，图2为本发明提出的功率放大器的偏置电路第二实施例的结构示意图。基于上述功率放大器的偏置电路的第一实施例提出本发明功率放大器的偏置电路的第二实施例。

在本实施例中，所述功率放大器的偏置电路还包括：线性调节单元30；

其中，所述线性调节单元30分别与所述电压转换单元10以及所述功率放大器连接。

应理解的是，功率放大器内的放大功率管的增益受时变温度的影响较大，在放大功率管的增益发生变化的情况下，会直接影响到功率放大器的动态误差向量幅度。但是功率放大器的线性度不仅需要考虑动态误差向量幅度还需要考虑功率放大器本身的静态误差向量幅度的影响。功率放大器本身的静态误差向量幅度可以通过偏置电路上的线性调节单元30进行调节。

需要说明的是，线性调节单元30是对输入至功率放大器的偏置电压的射频阻抗进行调节的单元。在功率放大器随着输入功率的增大而导致增益降低时，线性调节单元30可以通过调节输出偏置电压过程中的输出射频阻抗，对功率放大器管芯的静态误差向量幅度导致的线性度变化进行调节。在功率放大器内的温度并未发生变化的情况下，线性调节单元30可以单独对功率管放大器的静态误差向量幅度进行调节，而在温度发生变化时，线性调节单元30可以与反馈单元20同时对功率放大器的动态误差向量幅度和静态误差向量幅度进行补偿。

在具体实施中，在功率放大器内的时变温度和输入功率同时对功率放大器的线性度造成影响时，反馈单元20可以将温度变化信息对应的反馈信号输出至所述电压转换单元10，电压转换单元10根据反馈信号进行电压转换并将得到的反馈偏置电压输出至所述线性调节单元30；所述线性调节单元30，可以将所述反馈偏置电压输出的射频阻抗进行调节，并将调节后的反馈偏置电压输出至所述功率放大器。当然，线性调节单元30也可以直接在电压转换过程中对电压转换过程进行调节，从而使电压转换单元10可以直接输出调节后的反馈偏置电压。

此外，在功率放大器内的温度并未随时间发生变化而输入功率增大的情况下，所述电压转换单元10可以直接将所述第一电源输出的电源电压转换为初始偏置电压，并将所述初始偏置电压发送至所述线性调节单元30；所述线性调节单元30同样也可以将所述初始偏置电压输出的射频阻抗进行调节，并将调节后的初始偏置电压输出至所述功率放大器。

其中，初始偏置电压是电压转换单元10直接将第一电源输出的电源电压直接转换后得到的电压，转换过程中并未经过反馈信号的调节。射频阻抗是当前偏置电路偏置电压输出的阻抗。

参照图3，所述电压转换单元10包括：第一电阻R1、第二电阻R2、第一晶体管Q1和第二晶体管Q2；

其中，所述第一电阻R1的第一端与第一电源V1连接，所述第一电阻R1的第二端分别与所述第一晶体管Q1的控制端、第一晶体管Q1的输入端以及所述第二晶体管Q2的控制端连接，所述第一晶体管Q1的输出端通过所述反馈单元20接地，所述第二电阻R2的第一端与所述第二电源V2连接，所述第二电阻R2的第二端与所述第二晶体管Q2的输入端连接，所述第二晶体管Q2的输出端与所述功率放大器连接。

需要说明的是，在本实施例中电压转换单元10可以是由第一电阻R1、第二电阻R2、第一晶体管Q1、第二晶体管Q2以及接地的第三晶体管Q3共同组成类电流镜的结构。类电流镜的结构可以将输入的电流按照一定的比例输出产生偏置电流。在输出偏置电流直接输出偏置电流的情况下，可以直接利用电流镜产生偏置电流。在图3中，第一电源V1经过第一电阻R1输出至第一晶体管Q1和第二晶体管Q2控制端的电压值可以直接控制第二晶体管Q2的工作状态，从而控制经过第二电阻R2与第二晶体管Q2输出的电流大小。

在本实施例中，所述反馈单元20包括：第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第三晶体管Q3和第四晶体管Q4；

其中，所述第三晶体管Q3设置在所述功率放大器的输出晶体管芯内部中间，所述第三电阻R3的第一端分别与所述第一电源V1以及所述第一电阻R1的第一端连接，所述第三电阻R3的第二端分别与所述第一晶体管Q1的输出端以及所述第三晶体管Q3的输入端连接，所述第三晶体管Q3的控制端与所述第四电阻R4的第一端连接，所述第四电阻R4的第二端与所述第四晶体管Q4的输出端连接，所述第四晶体管Q4的控制端与所述第一晶体管Q1的控制端、所述第一电阻R1的第二端以及所述第二晶体管Q2的控制端连接，所述第四晶体管Q4的输入端与所述第五电阻R5的第二端连接，所述第五电阻R5的第一端分别与所述第二电源V2以及所述第二电阻R2的第一端连接，所述第三晶体管Q3的输出端接地GND。

应理解的是，晶体管受温度影响会导致晶体管的工作状态发生变化，从而影响流经晶体管的电流。在本实施例中可以直接通过反馈单元20内的一个晶体管直接设置在功率放大器的输出管芯堆中，使该晶体管与功率放大器内部用于放大的功率管处于同一温度环境下，在功率放大器内部的温度发生变化时，功率放大器内部的功率管和晶体管均会收到温度影响。

需要说明的是，第三电阻R3、第四电阻R4和第五电阻R5均为分压电阻。为了避免温度影响，反馈单元20内的第三至第五电阻以及第四晶体管Q4以及电压转换单元10内的元器件可以设置在功率放大器的输出晶体管芯内部通过一定的位置限定，例如第三晶体管Q3需要设置在晶体管芯内部温度变化处，第四晶体管Q4可以设置在距离晶体管芯内部温度变化较远处。此外，还可以将反馈单元20内的第三至第五电阻以及第四晶体管Q4以及电压转换单元10内的元器件设置在功率放大器输出晶体管芯的外部。其中，第二至第四晶体管均为设有控制端的晶体管，该晶体管可以是三极管、MOS管等具体元件。

在具体实施中，由于第三晶体管Q3设置在功率放大器的输出管芯内部，在功率放大器的输出管芯内部温度变化时，第三晶体管Q3的工作状态会受到影响，此时，通过第三晶体管Q3所在支路的电流会发生变化。由于第三电阻R3的分压作用，在第三晶体管Q3的支路发生电流变化时，第三电阻R3分压效果会发生变化，进一步使第一晶体管Q1的输出端电压发生变化，第一晶体管Q1的控制端与输出端之间的电压保持恒定，此时第一晶体管Q1控制端的电压随之改变。由于第一晶体管Q1、第二晶体管Q2以及第四晶体管Q4的控制端连接在一起，此时第二晶体管Q2控制端的电压同样会发生改变是第二晶体管Q2的工作状态发生变化，从而对功率管内部的温度变化进行补偿。例如在功率放大器内的温度上升时，第三晶体管Q3的导通程度变高，此时流经第三电阻R3的电流增大，第三电阻R3的分压增加，第三晶体管Q3的输入端的电压值降低，第一晶体管Q1的输出端电压降低，在第一晶体管Q1的控制端与输出端电压差不变的情况下，第一晶体管Q1的控制端电压随输出端的电压降低，即第一晶体管Q1、第二晶体管Q2以及第四晶体管Q4的控制端的电压值均降低。在第二晶体管Q2的控制端电压值降低时，输出的偏置电流会随着第二晶体管Q2的输入端电流降低而降低，从而实现对功率放大器内的温度变化进行补偿。此外，第四晶体管Q4也被放置在晶体管芯内的合适位置，当热从发热的输出功率管传导到第三晶体管Q3，需要再过一段时间间隔才会传导到第四晶体管Q4，引起第四晶体管Q4导通程度的变化，实现对第三晶体管Q3控制端的电压随时间的补偿控制。

在本实施例中，所述线性调节单元30包括：第一电容C1和第六电阻R6；

其中，所述第一电容C1的第一端与所述第一电阻R1的第二端、所述第一晶体管Q1的控制端、第二晶体管Q2的控制端以及所述第四晶体管Q4的控制端连接，所述第一电容C1的第二端接地GND，所述第六电阻R6的第一端与所述第二晶体管Q2的输出端连接，所述第六电阻R6的第二端与所述功率放大器连接。

需要说明的是，第一电容C1为用于调节线性化的电容，第三电阻R3为镇流电阻。在输入功率变大时，可以通过第一电容C1提供交流回路，将偏置电路内的交流信号直接通过第一电容C1输出至接地端GND，避免输入功率过大时，过大的输入信号摆幅改变功率管的工作状态，对放大功率管的增益造成影响。此外，通过第六电阻R6可以调节偏置电路内的射频阻抗，对偏置电流进行调节，从而调节功率放大器的线性度。

参照图4，在本实施例中，所述功率放大器的偏置电路还包括：第二电容C2；

其中，所述第二电容C2的第一端分别与所述第二电阻R2的第一端以及所述第二电源连接，所述第二电容C2的第二端接地。

应理解的是，第二电容C2为去耦电容，第二电源V2输出的电源电压可能存在噪音等杂波影响，第二电容C2可以将电源电压中的杂波进行滤除，维持第二电源V2输出电源电压的稳定。

参照图5，在本实施例中，所述第二晶体管Q2由预设数目的子晶体管组成；

其中，各所述子晶体管的控制端之间相互连接，各所述子晶体管的输入端之间相互连接，各所述子晶体管的输出端之间相互连接。

应理解的是，在进行偏置电压输出过程中，可能存在需要输出的偏置电压较大的情况，此时可以通过更换更大尺寸的第二晶体管Q2，也可以通过一定数目的子晶体管并联接入。在本实施例中，通过一定数目的子晶体管以并联的方式接入，可以实现较大的电流输出、较方便的版图排布方式以及热效应补偿。本实施例所述的偏置电路可以通过GaAs工艺制造，也可以与CMOS、SOI等工艺兼容。

在本实施例中，通过设置线性调节单元可以对功率放大器本身的非线性效应进行调节，改善功率放大器的线性度。

参照图6，本发明还提供了一种功率放大器，所述功率放大器包括：输入匹配单元、放大单元、输出匹配单元以及所述的偏置电路；

其中，所述输入匹配单元分别与射频输入端RFin、所述功率放大器的偏置电路以及放大单元连接，所述输入匹配单元与所述放大单元以及射频输出端RFout连接。

在图6中，所述输入匹配单元可以接收通过射频输入端RFin接收待放大信号，在偏置电路为放大单元提供偏置电压后，放大单元对所述待放大信号进行放大，并将放大后的射频信号通过输出匹配后利用射频输出端RFout进行发送。

在本实施中，所述放大单元包括第三电容C1、第一电感L1以及一定数目的放大功率管；

其中，所述第三电容C1的第一端与所述输入匹配单元连接，所述第三电容C3的第二端分别与所述偏置电路以及各放大功率管的控制端连接，各放大功率管的输入端分别与所述第一电感的第二端以及所述输出匹配单元连接，所述第一电感L1的第一端与第三电源V3连接，各放大功率管的输出端接地GND。

在放大功率管M1至Mn接收到偏置电压时，各放大功率管均处于放大状态，经过输入匹配单元输入的待放大信号经过各放大功率管进行放大，并将放大后的射频信号进行发送。其中第一电感L1为扼流电感，可以防止信号链路中的射频分量通过电源回路泄露到地。所述功率放大器输出晶体管的具体数目可以根据所需输出功率需求进行确定。

在本实施例中，功率放大器的偏置电路的具体补偿过程可参照上述功率放大器的偏置电路，此处不做赘述。

以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种功率放大器的偏置电路，其特征在于，所述功率放大器的偏置电路包括：电压转换单元和反馈单元；

其中，所述电压转换单元分别与第一电源以及功率放大器连接，所述反馈单元与所述电压转换单元连接；

所述反馈单元，用于根据功率放大器内的温度变化信息生成并输出反馈信号至所述电压转换单元；

所述电压转换单元，用于根据所述反馈信号将第一电源输出的电源电压转换为反馈偏置电压，并将所述反馈偏置电压输出至所述功率放大器。

2.如权利要求1所述的功率放大器的偏置电路，其特征在于，所述功率放大器的偏置电路还包括：线性调节单元；

其中，所述线性调节单元分别与所述电压转换单元以及所述功率放大器连接；

所述电压转换单元，还用于所述反馈偏置电压输出至所述线性调节单元；

所述线性调节单元，用于将所述反馈偏置电压输出的射频阻抗进行调节，并将调节后的反馈偏置电压输出至所述功率放大器。

3.如权利要求2所述的功率放大器的偏置电路，其特征在于，所述电压转换单元，还用于将所述第一电源输出的电源电压转换为初始偏置电压，并将所述初始偏置电压发送至所述线性调节单元；

所述线性调节单元，还用于将所述初始偏置电压输出的射频阻抗进行调节，并将调节后的初始偏置电压输出至所述功率放大器。

4.如权利要求3所述的功率放大器的偏置电路，其特征在于，所述电压转换单元包括：第一电阻、第二电阻、第一晶体管和第二晶体管；

其中，所述第一电阻的第一端与所述第一电源连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第一晶体管的控制端、第一晶体管的输入端以及所述第二晶体管的控制端连接，所述第一晶体管的输出端通过所述反馈单元接地，所述第二电阻的第一端与第二电源连接，所述第二电阻的第二端与所述第二晶体管的输入端连接，所述第二晶体管的输出端与所述功率放大器连接。

5.如权利要求4所述的功率放大器的偏置电路，其特征在于，所述反馈单元包括：第三电阻、第四电阻、第五电阻、第三晶体管和第四晶体管；

其中，所述第三晶体管设置在所述功率放大器的输出晶体管芯内部，所述第三电阻的第一端分别与所述第一电源以及所述第一电阻的第一端连接，所述第三电阻的第二端分别与所述第一晶体管的输出端以及所述第三晶体管的输入端连接，所述第三晶体管的控制端与所述第四电阻的第一端连接，所述第四电阻的第二端与所述第四晶体管的输出端连接，所述第四晶体管的控制端与所述第一晶体管的控制端、所述第一电阻的第二端以及所述第二晶体管的控制端连接，所述第四晶体管的输入端与所述第五电阻的第二端连接，所述第五电阻的第一端分别与所述第二电源以及所述第二电阻的第一端连接，所述第三晶体管的输出端接地。

6.如权利要求5所述的功率放大器的偏置电路，其特征在于，所述线性调节单元包括：第一电容和第六电阻；

其中，所述第一电容的第一端与所述第一电阻的第二端、所述第一晶体管的控制端、第二晶体管的控制端以及所述第四晶体管的控制端连接，所述第一电容的第二端接地，所述第六电阻的第一端与所述第二晶体管的输出端连接，所述第六电阻的第二端与所述功率放大器连接。

7.如权利要求6所述的功率放大器的偏置电路，其特征在于，所述功率放大器的偏置电路还包括：第二电容；

其中，所述第二电容的第一端分别与所述第二电阻的第一端以及所述第二电源连接，所述第二电容的第二端接地。

8.如权利要求4所述的功率放大器的偏置电路，其特征在于，所述第二晶体管由预设数目的子晶体管组成；

其中，各所述子晶体管的控制端之间相互连接，各所述子晶体管的输入端之间相互连接，各所述子晶体管的输出端之间相互连接。

9.一种功率放大器，其特征在于，所述功率放大器包括：输入匹配单元、放大单元、输出匹配单元以及权利要求1-8任一项所述功率放大器的偏置电路；

其中，所述输入匹配单元分别与射频输入端、所述功率放大器的偏置电路以及放大单元连接，所述输入匹配单元与所述放大单元以及射频输出端连接。

10.如权利要求9所述的功率放大器，其特征在于，所述放大单元包括第三电容、第一电感以及一定数目的放大功率管；

其中，所述第三电容的第一端与所述输入匹配单元连接，所述第三电容的第二端分别与所述偏置电路以及各放大功率管的控制端连接，各放大功率管的输入端分别与所述第一电感的第二端以及所述输出匹配单元连接，所述第一电感的第一端与第三电源连接，各放大功率管的输出端接地。