CN117229328B - 一种螺芴结构Pt配合物及其在有机发光装置的应用 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及有机光电材料制备技术领域，具体涉及一种螺芴结构Pt配合物及其在有机发光装置的应用。本发明所提供的Pt配合物具有很低的效率滚降，通过引入螺芴大位阻基团，有效降低平面型Pt配合物分子之间的紧密堆积，抑制分子间的相互作用引起的淬灭效应，有效提升主体材料与客体材料之间的能量传输，进而提高器件效率，同时使得Pt配合物具有很低的效率滚降。螺芴的刚性结构有利于减少分子振动和转动引起的非辐射跃迁。具体表现为使用本发明的Pt配合物作为功能层，尤其作为发光层制作成有机电致发光器件，其电流效率提升，同时使得器件的寿命具有较大提升，说明大部分电子和空穴复合后，能量都有效地传递给所述的Pt配合物用于发光，而非发热。
Description
技术领域
本发明涉及有机光电材料制备技术领域，具体涉及一种螺芴结构Pt配合物及其在有机发光装置的应用。
背景技术
随着多媒体技术的发展及信息化要求的提高，对面板显示器性能的要求越来越高。其中， OLED具有自主发光、低电压直流驱动、全固化、视角宽、颜色丰富等一系列的优点，在新一代显示器和照明技术中的潜在应用而引起广泛注意，应用前景十分广阔。有机电致发光器件是自发的发光器件，OLED发光的机理是在外加电场作用下，电子和空穴分别从正负两极注入后在有机材料中迁移、复合并衰减而产生发光。OLED的典型结构包括阴极层、阳极层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、空穴传输层、空穴注入层和发光层中的一种或几种功能层。尽管有机电致发光的研究进展非常迅速，但仍有很多亟待解决的问题，高效长寿命的绿光Pt配合物一直是本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术不足，提供一种螺芴结构Pt配合物及其在有机发光装置的应用。通过引入螺芴大位阻基团，有效降低平面型Pt配合物分子之间的紧密堆积，抑制发光分子间的相互作用引起的发光淬灭效应，有效提升主体材料与客体材料之间的能量传输，降低高能激子在发光层中浓度，从而实现高效长寿命的绿光材料。
为了实现本发明的目的，本发明的技术方案如下：
根据一个或多个实施方案，本发明提供一种螺芴结构Pt配合物，所述Pt配合物具有下述式I所示结构：
，
式I中，X1-X6各自独立地选自CH或N；所述R1、R2、R3、R4、R5、R6各自独立地为单取代基到可能最大数目的取代基或无取代基，任何相邻取代基任选地接合或稠合成环；R1、R2、R3各自独立地选自H、氘、C1-C24的烷基，及所组成的组；R4、R5、R6各自独立地选自H、氘、C1-C24的烷基、取代或未取代的C3-C24的环烷基、取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C6-C30的N杂芳基、取代或未取代的C6-C30的稠合芳基，及所组成的组；R4、R5各取代基可与共有环边形成稠环。
在所述化合物的一些实施例中，式I中所述R1、R2、R3各自独立地选自H、氘、甲基、叔丁基或氘代叔丁基；
在所述化合物的一些实施例中，式I中所述R4、R5各自独立地选自H、氘、甲基、乙基、丙基、叔丁基、环戊烷、环己烷、金刚烷胺、苯基、联苯基、芴基、螺芴基、N杂芴基，及所组成的组。
在所述化合物的一些实施例中，式I中所述R6选自H、氘、叔丁基、氘代叔丁基、苯基、联苯基，及所组成的组。
作为一种优选的，式I中所述R4、R5任意相邻的两个取代基不连接或相互连接形成环结构。
根据一个或多个实施方案，所述Pt配合物选自如下所示化学结构中的任意一种，其中“D”表示氘：
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
在另一方面，本发明还提供了如上式1所示通式结构的Pt配合物在制备电子器件中的应用。
进一步地，所述的电子器件包括有机光伏器件、有机电致发光器件（OLED）、有机集成电路（O-IC）、有机场效应晶体管（O-FET）、有机发光晶体管（O-LET）、有机太阳能电池（O-SC）、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件（O-FQD）、发光电化学电池（LEC）及有机激光二极管（O-laser）。
可选的，如上式1所示通式结构的Pt配合物作为发光层材料用于电子器件。
在另一方面，本发明还提供了一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括阴极、阳极和介于两者之间的至少一个有机功能层；所述有机功能层中包含如上式1所示通式结构的Pt配合物。
进一步地，所述有机功能层包含发光层，发光层中包含有如上式1所示通式结构的Pt配合物。所述Pt配合物的质量百分数在0 .1％-50％。
在另一方面，本发明还提供了一种有机光电器件，基板层、第一电极；面对第一电极的第二电极；以及设置在第一电极和第二电极之间的发光材料层；其中，发光材料层包含有如上式I所示通式结构的Pt配合物。例如，Pt配合物可以作为掺杂剂包含在发光材料层中。
本发明还提供了一种组合物，所述组合物包含有如上式1所示通式结构的Pt配合物。
本发明还提供了一种制剂，所述制剂包含有如上式1所示通式结构的Pt配合物或如上所述的组合物和至少一种溶剂。所述的溶剂没有特别限制，可以使用本领域技术人员熟知的例如甲苯、二甲苯、均三甲苯、四氢化萘、十氢萘、双环己烷、正丁基苯、仲丁基苯、叔丁基苯等不饱和烃溶剂、四氯化碳、氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷、氯丁烷、溴丁烷、氯戊烷、溴戊烷、氯己烷、溴己烷、氯环己烷、溴环己烷等卤化饱和烃溶剂，氯苯、二氯苯、三氯苯等卤化不饱和烃溶剂，四氢呋喃、四氢吡喃等醚溶剂，苯甲酸烷基酯等酯类溶剂。
本发明还提供了一种显示或照明装置，所述装置包含有如上所述有机电致发光器件中的一种或多种。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明所提供的Pt配合物具有很低的效率滚降，通过引入螺芴大位阻基团，有效降低平面型Pt配合物分子之间的紧密堆积，抑制发光分子间的相互作用引起的淬灭效应，有效提升主体材料与客体材料之间的能量传输，进而提高器件效率，同时使得Pt配合物具有很低的效率滚降。螺芴的刚性结构有利于减少分子振动和转动引起的非辐射跃迁。具体表现为使用本发明的Pt配合物作为功能层，尤其作为发光层制作成有机电致发光器件，其电流效率提升，同时使得器件的寿命具有较大提升，说明大部分电子和空穴复合后，能量都有效地传递给所述的Pt配合物用于发光，而非发热。
具体实施方式
以下对本发明的内容进行详细说明。以下所记载的构成要件的说明有时是基于本发明的代表性实施方式或具体例而成，但本发明并不限定于此种实施方式或具体例。通过参考以下具体实施方式和其中包含的实施例，可以更容易地理解本公开。在公开和描述本发明的化合物、器件和/或方法之前，应当明白，除非另有说明，否则他们不限于具体的合成方法或者具体的试剂，因为这是可以变化的。也应当明白本发明中使用的术语仅是用于描述特定方面，并不旨在限制。尽管本发明描述的那些类似或者等价的任何方法和材料都可用于该实践或者试验，但现在描述了示例方法和材料。
本发明所述“C1-C24的烷基”是指有1-24个碳原子的单价烷基，优选有1-10个碳原子， 更优选1-6个碳原子。该术语的实例有：甲基，乙基，正丙基，异丙 基，正丁基，异丁基，正己基等。
本发明所述“C3-C24的环烷基”指有3-14个碳原子并有一个单环或多环稠合的环形烷基，它可以任意被1-3个烷基取代。这种环烷基包括，例如，单环结 构的如环丙基，环丁基，环戊基，环辛基，1-甲基环丙基，和2-甲基环戊基，2-甲基环辛基等，或多环结构的如金刚烷基等。
本发明所述“C6-C30的芳基”指有6-30个碳原子并具有单环(如苯基)或多环稠合(如萘基或蒽基)的未饱和芳香碳环。优选的芳基包括苯基，萘基等。除非对个别取代基另外定义，这种芳基可以任选被1-3个下列取代基取代：羟基，酰基，酰氧基，烷基，烷氧基，链烯基，炔基，氨 基，氨基酰基，芳基，芳氧基，羧基，羧基酯，氨基羧基酯，氰基， 卤素，硝基，杂芳基，杂环，硫代烷氧基，三卤代甲基等。优选的取代基包括烷基，烷氧基，卤素，氰基，硝基，三卤代甲基和硫代烷氧基。但不限于此。
本发明所述“杂环”是指环中的一个或多个碳被杂原子替代得到的基团的总称，所述杂原子包括但不限于氧、硫或氮原子，所述杂环可以为单环杂烃基、单环杂芳基、稠环杂烃基或稠环杂芳基，实例可包括吡啶基、吡咯基、吡啶基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、喹啉基、异喹啉基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基等，但不限于此。
在说明书和所附权利要求中所用的术语单数形式“一种”、“一个”和“所述”包含复数指代，否则上下文中会另有明确指出。因此，例如提及“组分”时包含两种或多种组分的混合物。
除非另有说明，以下试验中所涉及到的所有商业试剂购买后直接使用。
在本发明的一种优选实施方式中，本发明的OLED器件中含有空穴传输层，空穴传输材料可以优选自已知或未知的材料，特别优选地选自以下结构，但并不代表本发明限于以下结构 （Ph为苯基）：
/>
在本发明的一种优选实施方式中，本发明的OLED器件中含有的空穴注入层。本发明优选的空穴注入层材料为以下结构，但并不代表本发明限于以下结构：
本发明的一种优选实施方式中，所述的电子传输层可以选自以下化合物的至少一种，但并不代表本发明限于以下结构：
本发明的OLED器件中含有主体材料，主体材料可以选自已知或未知的材料，特别优选地选自以下结构，但并不代表本发明限于以下结构：
结合以下实施例详细地解释所述Pt配合物即客体化合物的制备方法以及器件的发光性能。
实施例1:化合物1的合成
化合物1-3的合成：化合物1-1（290 mg, 1 mmoL）和化合物1-2（178 mg，1 mmoL）溶于50 mL甲苯溶液中。在氮气气氛条件下，加入10 mL 碳酸钠水溶液（2 M）和四（三苯基膦）钯（57 mg，0.05 mmoL）。该反应体系回流48小时后，冷却到室温。通过旋转蒸发除去溶剂，残留物用二氯甲烷（3×100 mL）萃取。有机相经过水洗后用硫酸钠干燥。减压蒸馏除去溶剂，所得粗品用硅胶层析柱分离提纯，淋洗剂：二氯甲烷：石油醚=1：1，得到产物1-3（150 mg，收率43%）。质谱m/z，理论值345.11；实测值M+H：346.14。
化合物1-5的合成：化合物1-4（632 mg, 2 mmol）溶于乙酸（20 mL）中，然后加热到90℃，缓慢滴入浓硝酸（3.78 mL）。反应体系搅拌过夜后回流半小时，然后冷至室温。向反应体系中加入30 mL水，通过过滤收集沉淀物质。然后通过在乙酸中重结晶提纯得到产物1-5（378 mg，52%）。质谱m/z，理论值361.11；实测值M+H：362.13。
化合物1-6的合成：化合物1-5 （722 mg, 2 mmol）和SnCl2 2H2O （2.26 g, 10mmol）溶于100 mL乙醇中。反应体系在氮气气氛条件下加热回流8小时后，冷却到室温。通过旋转蒸发除去溶剂，残留物用乙酸乙酯（3×100 mL）萃取，有机相经过水洗后用硫酸钠干燥。减压蒸馏除去溶剂，所得粗品用硅胶层析柱分离提纯，淋洗剂：二氯甲烷：石油醚=1：2，得到产物1-6（570 mg，收率86%）。质谱m/z，理论值331.14；实测值M+H：332.16。
化合物1-7的合成：化合物1-3（690 mg, 2 mmol）和化合物1-6（331 mg，1 mmol）溶于50 mL无水甲苯溶液中。在氮气氛条件下，加入叔丁醇钠（192 mg，2 mmol），醋酸钯（12mg，0.05 mmol），三叔丁基膦四氟硼酸盐（145 mg，0.5 mmol）。该反应体系回流72小时后，冷却到室温。通过旋转蒸发除去溶剂，残留物用二氯甲烷（3×100 mL）萃取。有机相经过水洗后用硫酸钠干燥。减压蒸馏除去溶剂，所得粗品用硅胶层析柱分离提纯，淋洗剂：二氯甲烷：石油醚=1：1，得到产物1-7（450 mg，收率52%）。质谱m/z，理论值861.50；实测值M+H：862.52。
化合物1的合成：化合物1-7（861 mg, 1 mmol）和化合物二氯双(苯腈)铂(II)（472mg，1 mmol）溶于50 mL苯腈溶液中。在氮气气氛条件下，升温到180℃反应48小时。冷却到室温后，通过旋转蒸发除去溶剂，残留物用二氯甲烷（3×100 mL）萃取。有机相经过水洗后用硫酸钠干燥。减压蒸馏除去溶剂，所得粗品用硅胶层析柱分离提纯，淋洗剂：二氯甲烷：石油醚=1：2，得到产物1（249 mg，收率24%）。质谱m/z，理论值1054.45；实测值M+H：1055.48。
实施例2：化合物4的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物4。终产物的产率为23％。质谱m/z ,理论值942.33；实测值M+H：943.35。
实施例3：化合物7的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物7。终产物的产率为27％。质谱m/z ,理论值1098.42；实测值M+H：1099.45。
实施例4：化合物9的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物9。终产物的产率为26％。质谱m/z ，理论值1162.55；实测值M+H：1163.57。
实施例5：化合物17的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物17。终产物的产率为24％。质谱m/z ,理论值1016.34；实测值M+H：1017.36。
实施例6：化合物20的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物20。终产物的产率为24％。质谱m/z ,理论值1018.36；实测值M+H：1019.38。
实施例7：化合物29的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物29。终产物的产率为28％。质谱m/z ,理论值1079.45；实测值M+H：1080.47。
实施例8：化合物38的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物38。终产物的产率为27％。质谱m/z ,理论值1055.45；实测值M+H：1056.47。
实施例9：化合物43的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物43。终产物的产率为22％。质谱m/z ,理论值1055.45；实测值M+H：1056.47。
实施例10：化合物49的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物49。终产物的产率为25％。质谱m/z ,理论值1018.33；实测值M+H：1019.35。
实施例11：化合物54的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物54。终产物的产率为32％。质谱m/z ,理论值1075.42；实测值M+H：1076.44。
实施例12：化合物57的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物57。终产物的产率为30％。质谱m/z ,理论值1022.37；实测值M+H：1023.39。
实施例13：化合物64的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物64。终产物的产率为28％。质谱m/z ,理论值1046.37；实测值M+H：1047.39。
实施例14：化合物66的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物66。终产物的产率为24％。质谱m/z ,理论值1074.42；实测值M+H：1075.44。
实施例15：化合物74的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物74。终产物的产率为26％。质谱m/z ,理论值1058.30；实测值M+H：1059.32。
实施例16：化合物78的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物78。终产物的产率为29％。质谱m/z ,理论值1226.48；实测值M+H：1227.50。
实施例17：化合物80的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物80。终产物的产率为27％。质谱m/z ,理论值1152.47；实测值M+H：1153.49。
实施例18：化合物92的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物92。终产物的产率为31％。质谱m/z ,理论值1204.49；实测值M+H：1205.51。
实施例19：化合物94的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物94。终产物的产率为29％。质谱m/z ,理论值1257.53；实测值M+H：1258.55。
实施例20：化合物99的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物99。终产物的产率为25％。质谱m/z ,理论值1246.45；实测值M+H：1247.47。
实施例21：化合物103的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物103。终产物的产率为28％。质谱m/z ,理论值1172.44；实测值M+H：1173.46。
实施例22：化合物110的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物110。终产物的产率为26％。质谱m/z ,理论值1266.51；实测值M+H：1267.53。
实施例23：化合物114的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物114。终产物的产率为29％。质谱m/z ,理论值1124.34；实测值M+H：1125.36。
实施例24：化合物118的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物118。终产物的产率为32％。质谱m/z ,理论值1292.53；实测值M+H：1293.55。
实施例25：化合物124的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物124。终产物的产率为32％。质谱m/z ,理论值1250.48；实测值M+H：1251.50。
实施例26：化合物126的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物126。终产物的产率为33％。质谱m/z ,理论值1306.55；实测值M+H：1307.57。
实施例27：化合物131的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物131。终产物的产率为29％。质谱m/z ,理论值1278.42；实测值M+H：1279.44。
实施例28：化合物136的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物136。终产物的产率为23％。质谱m/z ,理论值1204.40；实测值M+H：1205.42。
实施例29：化合物139的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物139。终产物的产率为31％。质谱m/z ,理论值1276.40；实测值M+H：1277.42。
实施例30：化合物142的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物142。终产物的产率为35％。质谱m/z ,理论值1388.53；实测值M+H：1389.55。
实施例31：化合物155的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物155。终产物的产率为32％。质谱m/z ,理论值1155.38；实测值M+H：1156.41。
实施例32：化合物162的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物162。终产物的产率为30％。质谱m/z ,理论值1125.34；实测值M+H：1126.36。
实施例33：化合物166的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物166。终产物的产率为21％。质谱m/z ,理论值1293.53；实测值M+H：1294.55。
实施例34：化合物176的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物176。终产物的产率为29％。质谱m/z ,理论值1121.40；实测值M+H：1122.42。
实施例35：化合物196的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物196。终产物的产率为25％。质谱m/z ,理论值1298.39；实测值M+H：1299.41。
实施例36：化合物198的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物198。终产物的产率为27％。质谱m/z ,理论值1278.42；实测值M+H：1279.44。
实施例37：化合物222的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物222。终产物的产率为26％。质谱m/z ,理论值1278.40；实测值M+H：1279.42。
实施例38：化合物229的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物229。终产物的产率为28％。质谱m/z ,理论值1257.43；实测值M+H：1258.45。
实施例39：化合物236 的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物236。终产物的产率为27％。质谱m/z ,理论值1256.44；实测值M+H：1257.46。
实施例40：化合物238的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物238。终产物的产率为29％。质谱m/z ,理论值1292.53；实测值M+H：1293.55。
实施例41：化合物240的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物240。终产物的产率为23％。质谱m/z ,理论值1258.45；实测值M+H：1259.47。
实施例42：化合物263的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物263。终产物的产率为30％。质谱m/z ,理论值1234.45；实测值M+H：1235.47。
实施例43：化合物264的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物264。终产物的产率为26％。质谱m/z ,理论值1236.47；实测值M+H：1237.49。
实施例44：化合物273的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物273。终产物的产率为32％。质谱m/z ,理论值1096.40；实测值M+H：1097.42。
实施例45：化合物274的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物274。终产物的产率为29％。质谱m/z ,理论值1250.48；实测值M+H：1251.50。
实施例45：化合物276的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物276。终产物的产率为27％。质谱m/z ,理论值1362.61；实测值M+H：1363.63。
实施例47：化合物279的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物279。终产物的产率为30％。质谱m/z ,理论值1250.48；实测值M+H：1251.50。
实施例48：化合物283的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物283。终产物的产率为23％。质谱m/z ,理论值1236.47；实测值M+H：1237.49。
实施例49：化合物284的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物284。终产物的产率为32％。质谱m/z ,理论值1348.59；实测值M+H：1349.61。
实施例50：化合物287的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物287。终产物的产率为35％。质谱m/z ,理论值1236.47；实测值M+H：1237.49。
对比例1：化合物Pt-1的合成
参考化合物1的合成路线，合成化合物Pt-2。终产物的产率为28％。质谱m/z ,理论值816.37；实测值M+H：817.39。
OLED器件的制造：
作为一种器件实施例的参考制备方式，本发明在发光面积2 mm×2 mm大小的ITO玻璃的表面或阳极上蒸镀p掺杂材料形成5-100 nm的空穴注入层(HIL)，在空穴注入层形成5-200 nm的空穴传输层(HTL)，如有必要可蒸镀5-200 nm的电子阻挡层（EBL），接着用主体材料与本发明制备的Pt配合物（客体材料）以体积比97:3共蒸形成10-100nm的发光层(EML)，最后共蒸形成35 nm的电子传输层(ETL)，然后蒸镀阴极Al 70 nm，从而制造有机电致发光二极管。
在一种优选具体实施例中，本发明所提供的OLED器件结构为：以ITO玻璃为阳极，在阳极上依次蒸镀HIL为P-3，厚度为10纳米；HTL为HT-3，厚度为90纳米；EBL为HT-7，厚度为10纳米，EML为主体材料H-7: 客体材料化合物1 (97:3, v/v％)，厚度为35纳米，ETL为ET-4：LiQ(50:50, v/v％)，厚度为35纳米，然后蒸镀阴极Al为70纳米，制备有机电致发光二极管，记为应用例1。
参照上述应用例1所提供的方法，分别选用表1中所列举的Pt配合物替换应用例1中的化合物1作为客体材料，将其与主体材料化合物以3:97的体积比共蒸形成发光层，制备有机电致发光二极管，记为应用例2~应用例50及对比例1。
通过标准方法测试上述制备的器件实施例和对比例电流效率、电压和寿命等特性，器件发光特性数据显示在表1中。
表1.器件发光特性数据表
由表1可以看出，与对比例1相比，应用例1至应用例50在电流效率和寿命上均展示了良好的器件性能，各器件应用例性能上的提升是基于本发明的Pt配合物材料具有更好的抑制发光分子间相互作用的能力，进一步地，将其作为发光层主体材料制备成电子器件，在降低驱动电压的同时具有更高的电流效率和寿命。表明本发明提供的Pt配合物具有一定的商业应用价值。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (12)
1.一种Pt配合物，其特征在于，所述Pt配合物具有下述式I所示结构：
式I中，X1-X6各自独立地选自CH或N；所述的R1、R2、R3、R4、R5、R6各自独立地为单取代基到可能最大数目的取代基或无取代基；R1、R2、R3各自独立地选自H、氘、C1-C24的烷基；R4、R5、R6各自独立地选自H、氘、C1-C24的烷基、C3-C24的环烷基、C6-C30的芳基、C6-C30的N杂芳基。
2.根据权利要求1所述的Pt配合物，其特征在于，式I所述R1、R2、R3各自独立地选自H、氘、甲基、叔丁基。
3.根据权利要求1所述的Pt配合物，其特征在于，式I中所述R4、R5各自独立地选自H、氘、甲基、乙基、丙基、叔丁基、环戊烷、环己烷、金刚烷基、苯基、联苯基、芴基、螺芴基、N杂芴基。
4.根据权利要求1所述的Pt配合物，其特征在于，式I中所述R6选自H、氘、叔丁基、苯基、联苯基。
5.一种Pt配合物，其特征在于，所述Pt配合物选自如下所示化学结构中的任意一种，其中“D”表示氘：
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
6.根据权利要求1-5任一项所述的Pt配合物在制备有机电致发光器件中的应用。
7.权利要求6所述的应用，其特征在于，所述的Pt配合物作为发光层材料用于有机电致发光器件。
8.一种有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件包括阴极、阳极和介于两者之间的至少一个有机功能层；所述有机功能层中包含如权利要求1-5任一项所述的Pt配合物。
9.一种有机光电器件，其特征在于，所述的有机光电器件包括：基板层、第一电极；面对第一电极的第二电极；以及设置在第一电极和第二电极之间的发光材料层；其中，发光材料层包含有权利要求1-5任一项所述的Pt配合物。
10.一种组合物，其特征在于，所述组合物包含有如权利要求1-5任一项所述的Pt配合物。
11.一种制剂，其特征在于，所述制剂包含有如权利要求1-5任一项所述的Pt配合物和至少一种溶剂。
12.一种显示或照明装置，其特征在于，所述装置包含有权利要求8所述有机电致发光器件中的一种或多种。
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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