CN117178319A - 显示基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示基板、显示面板及显示装置。显示基板包括显示区，显示区至少部分区域为透明显示区。显示基板包括位于透明显示区的多个像素。像素包括多个子像素，子像素包括有机发光元件(220)和像素电路(221)。有机发光元件(220)包括第一电极、第二电极及位于第一电极与第二电极之间的有机发光材料。子像素的第一电极与像素电路(221)电连接。第一电极的数量大于第二电极的数量。显示基板还设有与像素电路(221)相连的第一电源信号线(VDD1)和与第二电极相连的第二电源信号线(VSS)。第一电源信号线(VDD1)包括沿第一方向延伸的第一子电源信号线(VDD11)和沿第二方向延伸的第二子电源信号线(VDD12)；和/或，第二电源信号线(VSS)包括沿第一方向延伸的第三子电源信号线(VSS1)和沿第二方向延伸的第四子电源信号线(VSS2)。

Description

显示基板、显示面板及显示装置 技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板、显示面板及显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示器由于具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、使用温度范围宽、可实现柔性显示等诸多优点，在显示领域、照明领域及智能穿戴等领域有着广泛地应用。
发明内容
本申请实施例提供了一种显示基板、显示面板及显示装置。
根据本申请实施例的第一方面，提供了一种显示基板。所述显示基板包括显示区，所述显示区的至少部分区域为透明显示区；所述显示基板包括衬底基板及位于所述衬底基板上且位于所述透明显示区的多个像素；所述像素包括多个子像素，所述子像素包括有机发光元件和驱动所述有机发光元件的像素电路；所述有机发光元件包括第一电极、第二电极及位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机发光材料；所述子像素的第一电极与像素电路电连接；所述第一电极的数量大于所述第二电极的数量；
所述显示基板还设有第一电源信号线和第二电源信号线，所述像素电路与所述第一电源信号线相连，所述第二电极与所述第二电源信号线相连；所述第一电源信号线包括沿第一方向延伸的第一子电源信号线和沿第二方向延伸的第二子电源信号线；和/或，所述第二电源信号线包括沿所述第一方向延伸的第三子电源信号线和沿所述第二方向延伸的第四子电源信号线；所述 第一方向与所述第二方向相交。
在一个实施例中，所述显示基板还包括与所述第二电源信号线电连接的搭接部，至少存在相邻两个所述像素的第二电极与同一所述搭接部接触。
在一个实施例中，所述第二电源信号线包括沿所述第一方向延伸的第三子电源信号线和沿所述第二方向延伸的第四子电源信号线时，至少存在相邻两个所述像素的第二电极通过同一所述搭接部与所述第三子电源信号线电连接，或者通过同一所述搭接部与所述第四子电源信号线电连接。
在一个实施例中，在所述第一方向上排布的多个所述搭接部通过所述第三子电源信号线电连接，和/或，在所述第二方向上排布的多个所述搭接部通过所述第四子电源信号线电连接。
在一个实施例中，所述显示基板还包括与所述第二电源信号线电连接的搭接部，至少存在相邻四个所述像素的第二电极与同一所述搭接部接触，相邻四个所述像素排列为两行两列。
在一个实施例中，所述第二电源信号线包括沿所述第一方向延伸的第三子电源信号线和沿所述第二方向延伸的第四子电源信号线时，至少存在相邻四个所述像素的第二电极通过同一所述搭接部连接至所述第三子电源信号线及所述第四子电源信号线。
在一个实施例中，所述显示基板包括多个所述搭接部，至少存在一个所述搭接部与在所述第一方向上排布的其他所述搭接部通过所述第三子电源信号线电连接，且与在所述第二方向上排布的其他所述搭接部通过所述第四子电源信号线电连接。
在一个实施例中，所述显示基板还包括与所述第二电极连接的电极连接结构，与同一所述搭接部接触的各所述第二电极连接至同一所述电极连接结构，所述第二电极通过所述电极连接结构与所述搭接部接触。
在一个实施例中，所述第一电源信号线包括沿第一方向延伸的第一子 电源信号线和沿第二方向延伸的第二子电源信号线时，至少存在相邻两个所述像素的像素电路与所述第一电源信号线的同一所述第一子电源信号线相连，或者与同一所述第二子电源信号线相连。
在一个实施例中，所述第一电源信号线包括沿第一方向延伸的第一子电源信号线和沿第二方向延伸的第二子电源信号线时，至少一条所述第一子电源信号线通过所述第二子电源信号线与所述像素电路电连接；
至少部分所述第二子电源信号线与所述第一子电源信号线异层设置。
在一个实施例中，所述显示基板还包括与所述第一子电源信号线同层设置的驱动信号线，所述驱动信号线被配置为为所述像素电路提供驱动信号；所述第二子电源信号线与所述第一子电源信号线异层设置的部分在所述衬底基板上的正投影与所述驱动信号线在所述衬底基板上的正投影存在交叠。
在一个实施例中，所述第一电源信号线在所述衬底基板上的正投影与所述第二电源信号线在所述衬底基板上的正投影无交叠。
在一个实施例中，所述第一电源信号线包括沿第一方向延伸的第一子电源信号线和沿第二方向延伸的第二子电源信号线，且所述第二电源信号线包括沿所述第一方向延伸的第三子电源信号线和沿所述第二方向延伸的第四子电源信号线时，所述第一电源信号线还包括多个沿所述第二方向延伸的第一连接段；所述第二电源信号线还包括多个沿所述第二方向延伸的第二连接段；各所述第一子电源信号线包括在所述第一方向上间隔排布的多个第一子信号段，各所述第二子电源信号线包括在所述第二方向上间隔排布的多个第二子信号段，各所述第一子信号段分别与至少一个所述第二子信号段相连；各所述第三子电源信号线包括在所述第一方向上间隔排布的多个第三子信号段，各所述第四子电源信号线包括在所述第二方向上间隔排布的多个第四子信号段，各所述第三子信号段分别与至少一个所述第四子信号段相连；
在所述第二方向上相邻的所述第一子信号段通过所述第一连接段连 接，在所述第二方向上相邻的所述第三子信号段通过所述第二连接段连接；至少一个所述第一连接段在所述衬底基板上的正投影位于相邻的两个所述第三子信号段在所述衬底基板上的正投影之间；至少一个所述第二连接段在所述衬底基板上的正投影位于相邻的两个所述第一子信号段在所述衬底基板上的正投影之间。
在一个实施例中，所述透明显示区包括发光区及非发光区；所述像素设置在所述发光区；
所述显示基板还设有多个驱动信号线；至少一个所述驱动信号线位于所述发光区的部分的宽度大于位于所述非发光区的部分的宽度。
在一个实施例中，所述驱动信号线包括扫描信号线，所述扫描信号线被配置为为所述像素提供扫描信号；
至少一个所述扫描信号线位于所述发光区的部分的宽度大于位于所述非发光区的部分的宽度；所述扫描信号线位于所述发光区的部分的宽度范围为3.5μm～5.5μm，所述扫描信号线位于所述非发光区的部分的宽度范围为2μm～3.5μm。
在一个实施例中，所述像素电路包括驱动晶体管，所述显示基板还包括有源半导体层，所述有源半导体层包括各所述子像素的驱动晶体管的沟道；
在至少一个所述像素中，至少一个所述子像素的驱动晶体管的沟道包括顺次连接的第一区段、第二区段、第三区段、第四区段和第五区段，所述第一区段、所述第三区段及所述第五区段沿所述第二方向延伸，所述第二区段及所述第四区段沿所述第一方向延伸；至少一个所述子像素的驱动晶体管的沟道包括顺次连接的第六区段、第七区段和第八区段，所述第六区段与所述第八区段沿所述第二方向延伸，所述第七区段沿所述第一方向延伸。
在一个实施例中，所述显示基板还包括屏蔽线及复位电源信号线，所述复位电源信号线被配置为为所述子像素提供复位电源信号；所述屏蔽线与 所述复位电源信号线电连接。
在一个实施例中，所述透明显示区包括发光区与非发光区，所述像素位于所述发光区；所述显示基板还包括像素限定层，所述像素限定层设有位于所述非发光区的开孔；
所述开孔在所述衬底基板上的正投影至少部分位于所述第二电极在所述衬底基板上的正投影、所述第二电源信号线在所述衬底基板上的正投影、以及所述第一电源信号线在所述衬底基板上的正投影之外。
在一个实施例中，所述显示基板还包括位于所述显示区至少一侧的边框区，所述显示基板还包括位于所述边框区的辅助走线，所述辅助走线与所述第二电极电连接；所述辅助走线包括第一导电膜层及位于所述第一导电膜层背离所述衬底基板一侧的第二导电膜层，所述第一导电膜层在所述衬底基板上的正投影靠近所述显示区的边缘位于所述第二导电膜层在所述衬底基板上的正投影靠近所述显示区的边缘内侧。
根据本申请实施例的第二方面，提供了一种显示面板，包括上述的显示基板。
根据本申请实施例的第三方面，提供了一种显示装置，包括上述的显示面板。
本申请实施例提供的显示基板、显示面板及显示装置，由于第一电极的数量大于所述第二电极的数量，则存在至少两个子像素共用一个第二电极；相对于各子像素的第二电极均独立设置的方案，本申请实施例中至少两个子像素共用一个第二电极，可减小透明显示区的第二电极的总面积，有助于提升显示基板的透明显示区的光线透过率；通过设置第一电源信号线与第二电源信号线中的一个为网格状结构，有助于减小第一电源信号线和第二电源信号线的压降，提升显示基板显示效果的均一性。
附图说明
图1是本申请一示例性实施例提供的像素电路的电路示意图；
图2至图7是本申请一示例性实施例提供的显示基板的各层的局部示意图；其中，图3为图2的局部放大图；
图8是本申请一示例性实施例提供的显示基板的多个膜层叠加的示意图；
图9是本申请一示例性实施例提供的显示基板的第二导电层的局部示意图；
图10是本申请一示例性实施例提供的显示基板的第三导电层的局部示意图；
图11是本申请一示例性实施例提供的显示基板的第三导电层与第四导电层叠加的局部示意图；
图12是本申请一示例性实施例提供的显示基板的多个膜层叠加的局部示意图；
图13是本申请另一示例性实施例提供的显示基板的第二导电层的局部示意图；
图14是本申请另一示例性实施例提供的显示基板的第三导电层的局部示意图；
图15是本申请另一示例性实施例提供的显示基板的第三导电层与第四导电层叠加的局部示意图；
图16是本申请另一示例性实施例提供的显示基板的多个膜层叠加的局部示意图；
图17是本申请一示例性实施例提供的显示基板的第一电源信号线与第二电源信号线叠加后的局部示意图；
图18是本申请一示例性实施例提供的显示基板的多个膜层叠加的局部示意图。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施例并不代表与本申请相一致的所有实施例。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。
在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
应当理解，尽管在本申请可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本申请范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”。
本申请实施例提供了一种显示基板、显示面板及显示装置。下面结合附图，对本申请实施例中的显示基板、显示面板及显示装置进行详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例中的特征可以相互补充或相互组合。
本申请实施例提供了一种显示基板、显示面板及显示装置。下面结合附图，对本申请实施例中的显示基板、显示面板及显示装置进行详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例中的特征可以相互补充或相互组合。
本申请实施例提供了一种显示基板。所述显示基板包括显示区，所述显示区的至少部分区域为透明显示区。
在一个实施例中，所述显示区的全部区域均为透明显示区，也即是显示基板为透明显示基板。其中透明显示区指的是显示区包括子显示区和透光区，子显示区指的是设有像素的区域，透光区指的是未设置像素的区域；或者，子显示区指的是设有像素电路的区域，透光区指的是未设置像素电路的区域。在另一个实施例中，所述显示区的部分区域为透明显示区，另一部分区域为非透明显示区。例如显示基板下方设置摄像头及光线传感器的区域为透明显示区，其他区域为非透明显示区。
所述显示基板包括衬底基板及位于所述衬底基板上且位于所述透明显示区的多个像素。多个像素在衬底基板上间隔排布。需要说的是，以下关于像素的介绍，如无特殊说明，均指的是透明显示区的像素。
所述像素包括多个子像素，所述子像素包括有机发光元件和驱动所述有机发光元件的像素电路；所述有机发光元件包括第一电极、第二电极及位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机发光材料。所述子像素的第一电极与像素电路电连接。在一些实施例中，第一电极可以是阳极，第二电极可以是阴极，第一电极位于有发光材料靠近衬底的一侧，第二电极位于有发光材料背离衬底的一侧。各像素可包括三个不同发光颜色的子像素，例如可包括红色的子像素、绿色的子像素和蓝色的子像素。
在一个实施例中，所述显示基板还包括像素限定层，所述像素限定层设有与所述子像素一一对应的像素开口。像素开口用于限定各子像素的发光区。
在一些实施例中，有机发光材料位于第一电极远离衬底基板的一侧。各子像素的第一电极与有机发光材料在像素限定层的像素开口处接触，像素限定层的像素开口定义出子像素发光区的形状。例如，有机发光元件的第一 电极(例如，阳极)可以设置在像素限定层的下方，像素限定层的像素开口露出第一电极的一部分，当有机发光材料形成在上述像素限定层中的像素开口中时，有机发光材料与第一电极接触，从而这部分第一电极能够驱动有机发光材料进行发光。
在一些实施例中，像素限定层的像素开口在衬底基板上的正投影位于相应的有机发光材料在衬底基板上的正投影内，即有机发光材料覆盖了像素限定层的像素开口。例如，有机发光材料的面积大于对应的像素开口的面积，即有机发光材料除位于像素开口内部的部分，至少还包括覆盖像素限定层的实体结构上的部分，通常在像素开口的各个边界处的像素限定层的实体结构上均覆盖有机发光材料。需要说明的是，以上对于有机发光材料图案的描述，是基于例如FMM工艺形成的图案化的各个子像素的有机发光材料，除了FMM制作工艺，也有一些有机发光材料是采用open mask工艺在整个显示区形成整体的膜层，其形状在衬底基板上的正投影是连续的，所以必然有位于像素开口内的部分和位于像素限定层实体结构上的部分。
在一个实施例中，所述第一电极的数量大于所述第二电极的数量。所述显示基板还设有第一电源信号线和第二电源信号线，所述像素电路与所述第一电源信号线相连，所述第二电极与所述第二电源信号线相连；所述第一电源信号线包括沿第一方向延伸的第一子电源信号线和沿第二方向延伸的第二子电源信号线；和/或，所述第二电源信号线包括沿所述第一方向延伸的第三子电源信号线和沿所述第二方向延伸的第四子电源信号线；所述第一方向与所述第二方向相交。
本申请实施例提供的显示基板，由于第一电极的数量大于所述第二电极的数量，则存在至少两个子像素共用一个第二电极；若各子像素的第二电极均独立设置，各第二电极为了与第二电源信号线搭接均需设置较大的面积，本申请实施例中至少两个子像素共用一个第二电极，可减小透明显示区的第二电极的总面积，有助于提升显示基板的透明显示区的光线透过率。通过设 置第一电源信号线与第二电源信号线中的一个为网格状结构，有助于减小第一电源信号线和第二电源信号线的压降，提升显示基板显示效果的均一性。
在一个实施例中，所述像素的各子像素可共用一个第二电极。例如，像素包括红色的子像素、绿色的子像素和蓝色的子像素时，同一像素中红色的子像素、绿色的子像素和蓝色的子像素共用一个第二电极。相邻像素之间的区域未设置第二电极，以保证显示基板的光线透过率。
在一个实施例中，所述第一电源信号线可为高电平电源信号线，所述第二电源信号线可为低电平电源信号线。
在一些实施例中，第一方向为列方向，第二方向为行方向。在一些实施例中，每一所述像素中子像素的像素电路在所述第二方向上间隔排布。
显示基板的透明显示区包括发光区和非发光区。发光区之外的区域均为非发光区。像素位于发光区。像素位于发光区指的是，像素的像素电路、第一电极、有机发光材料及部分第二电极位于发光区。
在一个实施例中，所述子像素的像素电路在衬底基板上的正投影覆盖的区域大致位于一个矩形框内。像素电路在衬底基板上的正投影主要包括各个晶体管、电容等元件的结构在衬底基板上的正投影。显示基板还包括多个信号线，信号线用来驱动像素电路。需要说明的是，有一些信号线包括位于矩形框内的部分以及延伸出该矩形框外的部分。
在一个实施例中，如图1所示，像素电路221包括驱动电路222。驱动电路222包括控制端、第一端和第二端，且被配置为对有机发光元件220提供驱动有机发光元件220发光的驱动电流。
在一个实施例中，如图1所示，像素电路221包括第一发光控制电路223和第二发光控制电路224。例如，第一发光控制电路223与驱动电路222的第一端和第一电压端VDD连接，且被配置为实现驱动电路222和第一电压端VDD之间的连接导通或断开，第二发光控制电路224与驱动电路222的第 二端和有机发光元件220的第一电极电连接，且被配置为实现驱动电路222和有机发光元件220之间的连接导通或断开。
在一个实施例中，如图1所示，像素电路221还包括数据写入电路226、存储电路227、阈值补偿电路228和复位电路229。数据写入电路226与驱动电路222的第一端电连接，且被配置为在扫描信号的控制下将数据信号写入存储电路227。存储电路227与驱动电路222的控制端和第一电压端VDD电连接，且被配置为存储数据信号。阈值补偿电路228与驱动电路222的控制端和第二端电连接，且被配置为对驱动电路222进行阈值补偿。复位电路229与驱动电路222的控制端和有机发光元件220的第一电极电连接，且配置为在复位控制信号的控制下对驱动电路222的控制端和有机发光元件220的第一电极进行复位。
在一个实施例中，如图1所示，驱动电路222包括驱动晶体管T1，驱动电路222的控制端包括驱动晶体管T1的栅极，驱动电路222的第一端包括驱动晶体管T1的第一极，驱动电路222的第二端包括驱动晶体管T1的第二极。
在一个实施例中，如图1所示，数据写入电路226包括数据写入晶体管T2，存储电路227包括电容C，阈值补偿电路228包括阈值补偿晶体管T3，第一发光控制电路223包括第一发光控制晶体管T4，第二发光控制电路224包括第二发光控制晶体管T5，复位电路229包括第一复位晶体管T6和第二复位晶体管T7，复位控制信号可以包括第一子复位控制信号和第二子复位控制信号。
在一个实施例中，如图1所示，数据写入晶体管T2的第一极与驱动晶体管T1的第一极电连接，数据写入晶体管T2的第二极被配置为与数据线Vd电连接以接收数据信号，数据写入晶体管T2的栅极被配置为与扫描信号线Ga1电连接以接收扫描信号；电容C的第一极与第一电源端VDD电连接，电容C的第二极与驱动晶体管T1的栅极电连接；阈值补偿晶体管T3的第一极 与驱动晶体管T1的第二极电连接，阈值补偿晶体管T3的第二极与驱动晶体管T1的栅极电连接，阈值补偿晶体管T3的栅极被配置为与扫描信号线Ga2电连接以接收补偿控制信号；第一复位晶体管T6的第一极被配置为与复位电源端Vinit1电连接以接收第一复位信号，第一复位晶体管T6的第二极与驱动晶体管T1的栅极电连接，第一复位晶体管T6的栅极被配置为与复位控制信号线Rst1电连接以接收第一子复位控制信号；第二复位晶体管T7的第一极被配置为与复位电源端Vinit2电连接以接收第二复位信号，第二复位晶体管T7的第二极与有机发光元件220的第一电极电连接，第二复位晶体管T7的栅极被配置为与复位控制信号线Rst2电连接以接收第二子复位控制信号；第一发光控制晶体管T4的第一极与第一电源端VDD电连接，第一发光控制晶体管T4的第二极与驱动晶体管T1的第一极电连接，第一发光控制晶体管T4的栅极被配置为与发光控制信号线EM1电连接以接收第一发光控制信号；第二发光控制晶体管T5的第一极与驱动晶体管T1的第二极电连接，第二发光控制晶体管T5的第二极与有机发光元件220的第二电极电连接，第二发光控制晶体管T5的栅极被配置为与发光控制信号线EM2电连接以接收第二发光控制信号；有机发光元件220的第一电极与第二电源端vss电连接。
在一个实施例中，第一电源端VDD和第二电源端vss中的其中一个为高压端，另一个为低压端。图1所示的实施例中，第一电源端VDD为电压源以输出恒定的第一电压，第一电压为正电压；而第二电源端vss可以为电压源以输出恒定的第二电压，第二电压为负电压等。在一些示例性实施例中，第二电源端vss可以接地。
在一个实施例中，如图1所示，扫描信号和补偿控制信号可以相同，即，数据写入晶体管T2的栅极和阈值补偿晶体管T3的栅极可以电连接到同一条信号线，例如扫描信号线Ga1，以接收相同的信号(例如，扫描信号)，此时，显示基板可以不设置扫描信号线Ga2，减少信号线的数量。又例如，数据写入晶体管T2的栅极和阈值补偿晶体管T3的栅极也可以分别电连接至 不同的信号线，即数据写入晶体管T2的栅极电连接到扫描信号线Ga1，阈值补偿晶体管T3的栅极电连接到扫描信号线Ga2，而扫描信号线Ga1和扫描信号线Ga2传输的信号相同。
需要说明的是，扫描信号和补偿控制信号也可以不相同，从而使得数据写入晶体管T2的栅极和阈值补偿晶体管T3可以被分开单独控制，增加控制像素电路的灵活性。
在一个实施例中，如图1所示，第一发光控制信号和第二发光控制信号可以相同，即，第一发光控制晶体管T4的栅极和第二发光控制晶体管T5的栅极可以电连接到同一条信号线，例如发光控制信号线EM1，以接收相同的信号(例如，第一发光控制信号)，此时，显示基板可以不设置发光控制信号线EM2，减少信号线的数量。在其他实施例中，第一发光控制晶体管T4的栅极和第二发光控制晶体管T5的栅极也可以分别电连接至不同的信号线，即，第一发光控制晶体管T4的栅极电连接到发光控制信号线EM1，第二发光控制晶体管T5的栅极电连接到发光控制信号线EM2，而发光控制信号线EM1和发光控制信号线EM2传输的信号相同。
需要说明的是，当第一发光控制晶体管T4和第二发光控制晶体管T5为不同类型的晶体管，例如，第一发光控制晶体管T4为P型晶体管，而第二发光控制晶体管T5为N型晶体管时，第一发光控制信号和第二发光控制信号也可以不相同，本申请的实施例对此不作限制。
在一个实施例中，第一子复位控制信号和第二子复位控制信号可以相同，即，第一复位晶体管T6的栅极和第二复位晶体管T7的栅极可以电连接到同一条信号线，例如复位控制信号线Rst1，以接收相同的信号(例如，第一子复位控制信号)，此时，显示基板可以不设置复位控制信号线Rst2，减少信号线的数量。又例如，第一复位晶体管T6的栅极和第二复位晶体管T7的栅极也可以分别电连接至不同的信号线，即第一复位晶体管T6的栅极电连接到复位控制信号线Rst1，第二复位晶体管T7的栅极电连接到复位控制信号线 Rst2，而复位控制信号线Rst1和复位控制信号线Rst2传输的信号相同。需要说明的是，第一子复位控制信号和第二子复位控制信号也可以不相同。在另一实施例中，第一子复位控制信号与第二子复位控制信号不同，复位控制信号线Rst2的脉冲宽度大于复位控制信号线Rst1的脉冲宽度，且复位控制信号线Rst2的脉冲宽度小于第二发光控制晶体管T5在截止时发光控制信号线EM2的脉冲宽度。如此有助于提升子像素的有机发光元件的寿命。
在一个实施例中，第二子复位控制信号可以与扫描信号相同，即第二复位晶体管T7的栅极可以电连接到扫描信号线Ga1以接收扫描信号作为第二子复位控制信号。
在一个实施例中，第一复位晶体管T6的栅极和第二复位晶体管T7的源极分别连接到第一复位电源端Vinit1和第二复位电源端Vinit2，第一复位电源端Vinit1和第二复位电源端Vinit2可以为直流参考电压端，以输出恒定的直流参考电压。第一复位电源端Vinit1和第二复位电源端Vinit2可以相同，例如第一复位晶体管T6的栅极和第二复位晶体管T7的源极连接到同一复位电源端。第一复位电源端Vinit1和第二复位电源端Vinit2可以为高压端，也可以为低压端，只要其能够提供第一复位信号和第二复位信号以对驱动晶体管T1的栅极和发光元件220的第一电极进行复位即可，本申请对此不作限制。
需要说明的是，图1所示的像素电路中的驱动电路222、数据写入电路226、存储电路227、阈值补偿电路228和复位电路229仅为示意性的，驱动电路222、数据写入电路226、存储电路227、阈值补偿电路228和复位电路229等电路的具体结构可以根据实际应用需求进行设定，本申请的实施例对此不作具体限定。
按照晶体管的特性，晶体管可以分为N型晶体管和P型晶体管，为了清楚起见，本申请的实施例以晶体管为P型晶体管(例如，P型MOS晶体管)为例详细阐述了本申请的技术方案，也就是说，在本申请的描述中，驱动晶体管T1、数据写入晶体管T2、阈值补偿晶体管T3、第一发光控制晶体管T4、 第二发光控制晶体管T5、第一复位晶体管T6和第二复位晶体管T7等均可以为P型晶体管。当然本申请的实施例的晶体管不限于P型晶体管，本领域技术人员还可以根据实际需要利用N型晶体管(例如，N型MOS晶体管)实现本申请的实施例中的一个或多个晶体管的功能。
需要说明的是，本申请的实施例中采用的晶体管可以为薄膜晶体管或场效应晶体管或其他特性相同的开关器件，薄膜晶体管可以包括氧化物半导体薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管或多晶硅薄膜晶体管等。晶体管的源极、漏极在结构上可以是对称的，所以其源极、漏极在物理结构上可以是没有区别的。在本申请的实施例中，为了区分晶体管，除作为控制极的栅极，直接描述了其中一极为第一极，另一极为第二极，所以本申请的实施例中全部或部分晶体管的第一极和第二极根据需要是可以互换的。
需要说明的是，在本申请实施例中，子像素的像素电路除了可以为图1所示的7T1C(即七个晶体管和一个电容)结构之外，还可以为包括其他数量的晶体管的结构，如7T2C结构、6T1C结构、6T2C结构或者9T2C结构，本申请实施例对此不作限定。
图2-7为本申请一实施例提供的显示基板的各层的示意图，图8为显示基板的部分膜层叠加的示意图。下面结合附图2-8描述像素电路中的各个电路及信号线在背板上的位置关系，图2-8所示的示例以一个像素的像素电路221为例，且以子像素110包括的像素电路的各晶体管的位置进行示意，子像素120与子像素130中像素电路包括的部件与子像素110包括的各晶体管的位置大致相同。图2-7可以看出，像素电路位于发光区AA1，一些信号线仅位于发光区AA1，一些信号线部分位于发光区AA1，部分位于非发光区AA2。如图2所示，子像素110的像素电路221包括图1所示的驱动晶体管T1、数据写入晶体管T2、阈值补偿晶体管T3、第一发光控制晶体管T4、第二发光控制晶体管T5、第一复位晶体管T6、第二复位晶体管T7及电容C。
图2-8还示出了电连接到同一像素的各子像素的像素电路121的扫描信 号线Ga1、复位控制信号线Rst1、复位电源信号线Init1、发光控制信号线EM1、数据线Vd、与第一电源端VDD相连的第一电源信号线VDD1的第二子电源信号线VDD12、与第二电源端vss相连的第二电源信号线VSS及屏蔽线344。图2-7还示出了第三电源信号线VDD2、第四电源信号线VDD3和第五电源信号线VDD4，第三电源信号线VDD2、第四电源信号线VDD3和第五电源信号线VDD4分别与第一电源信号线VDD1电连接。
扫描信号线Ga1被配置为为像素提供扫描信号；复位控制信号线Rst1和复位控制信号线Rst2被配置为为像素提供复位控制信号；复位电源信号线Init1被配置为为像素提供复位电源信号；发光控制信号线EM1被配置为为像素提供发光控制信号；数据线Vd被配置为为像素提供发光数据信号；第一电源信号线VDD1及第二电源信号线VSS被配置为为像素提供电源信号。
例如，图2示出了该显示基板中像素电路的有源半导体层310。有源半导体层310可采用半导体材料图案化形成。有源半导体层310可用于制作上述的驱动晶体管T1、数据写入晶体管T2、阈值补偿晶体管T3、第一发光控制晶体管T4、第二发光控制晶体管T5、第一复位晶体管T6和第二复位晶体管T7的沟道。有源半导体层310包括各子像素的各晶体管的沟道和源漏区(即子像素120中示出的源极区域s和漏极区域d)，且同一像素电路中的各晶体管的沟道和源漏区一体设置。
需要说明的是，有源半导体层可以包括一体形成的低温多晶硅层，其中的源极区域和漏极区域可以通过掺杂等进行导体化实现各结构的电连接。也就是每个子像素的各晶体管的有源半导体层为由p-硅形成的整体图案，且同一像素电路中的各晶体管包括源漏区(即源极区域s和漏极区域d)和沟道，不同晶体管的沟道之间由源漏区隔开。
在一个实施例中，沿第二方向排列的不同颜色子像素的像素电路中的有源半导体层没有连接关系，彼此断开。沿第一方向排列的相同颜色子像素的像素电路中的有源半导体层可以为一体设置，也可以彼此断开。
如图3所示，在至少一个所述像素中，至少一个所述子像素的驱动晶体管T1的沟道31、32包括顺次连接的第一区段301、第二区段302、第三区段303、第四区段304和第五区段305，所述第一区段301、所述第三区段303及所述第五区段305沿所述第二方向Y延伸，所述第二区段302及所述第四区段304沿所述第一方向X延伸；至少一个所述子像素的驱动晶体管T1的沟道33包括顺次连接的第六区段306、第七区段307和第八区段308，所述第六区段306与所述第八区段308沿所述第二方向Y延伸，所述第七区段307沿所述第一方向X延伸。如此设置，可在子像素所占空间一定的前提下，优化显示基板上的不同颜色子像素的驱动晶体管的沟道宽长比，提高显示基板的亮度。在该实施例中，沟道33的宽长比大于沟道31和沟道32的宽长比。在一些实施例中，沟道31和沟道32可以是红色的子像素与绿色的子像素的沟道，沟道33可以是蓝色的子像素的沟道。
在一个实施例中，如图3所示，所述子像素的驱动晶体管T1包括第一源漏区311和第二源漏区312，至少一个所述子像素的驱动晶体管T1的第一源漏区和第二源漏区的长度不同，第一源漏区311和第二源漏区312中的一个为源极区域，另一个为漏极区域。沟道31及沟道32所在的驱动晶体管T1中，第一源漏区311与第一区段301相连，第二源漏区312与第五区段305相连；沟道33所在的驱动晶体管T1中，第一源漏区311与第六区段306相连，第二源漏区312与第八区段308相连。如此设置，可优化像素电路的信号写入，优化对沟道的遮光设计。
图3所示的实施例中，沟道31、沟道32及沟道33所在的驱动晶体管T1中，第一源漏区311与第二源漏区312的长度均不同。
例如，像素电路的栅极金属层可以包括第一导电层和第二导电层。在上述的有源半导体层310上形成有栅极绝缘层，用于保护上述的有源半导体层310，有源半导体层310位于衬底基板100上。图4示出了该显示基板包括的第一导电层320，第一导电层320设置在栅极绝缘层上，从而与有源半导体 层310绝缘。第一导电层320可以包括电容C的第二极板CC2、扫描信号线Ga1、复位控制信号线Rst1、发光控制信号线EM1以及驱动晶体管T1、数据写入晶体管T2、阈值补偿晶体管T3、第一发光控制晶体管T4、第二发光控制晶体管T5、第一复位晶体管T6和第二复位晶体管T7的栅极。扫描信号线Ga1包括扫描信号线主体部Ga11及由由所述扫描信号线主体部Ga11的一侧凸出的凸出部P。
例如，如图4所示，数据写入晶体管T2的栅极可以为扫描信号线Ga1与有源半导体层310交叠的部分；第一发光控制晶体管T4的栅极可以为发光控制信号线EM1与有源半导体层310交叠的第一部分，第二发光控制晶体管T5的栅极可以为发光控制信号线EM1与有源半导体层310交叠的第二部分；第一复位晶体管T6的栅极为复位控制信号线Rst1与有源半导体层310交叠的第一部分，第二复位晶体管T7的栅极为复位控制信号线Rst1与有源半导体层310交叠的第二部分；阈值补偿晶体管T3可为双栅结构的薄膜晶体管，阈值补偿晶体管T3的第一个栅极可为扫描信号线Ga1与有源半导体层310交叠的部分，阈值补偿晶体管T3的第二个栅极可为扫描信号线Ga1的突出部P与有源半导体层310交叠的部分。如图1和4所示，驱动晶体管T1的栅极可为电容C的第二极板CC2。
需要说明的是，图2中的各虚线矩形框示出了第一导电层320与有源半导体层310交叠的各个部分。
例如，如图4所示，扫描信号线Ga1、复位控制信号线Rst1和发光控制信号线EM1沿第一方向X排布，扫描信号线Ga1、复位控制信号线Rst1和发光控制信号线EM1沿第二方向Y延伸。其中信号线沿第二方向延伸指的是，信号线整体行沿第二方向延伸，信号线在第二方向上延伸的部分的面积远大于在第二方向上延伸的部分的面积；信号线沿第一方向延伸指的是，信号线整体行沿第一方向延伸，信号线在第一方向上延伸的部分的面积远大于在第二方向上延伸的部分的面积。
例如，在第一方向X上，电容C的第二极板CC2(即驱动晶体管T1的栅极)位于扫描信号线Ga1和发光控制信号线EM1之间。扫描信号线Ga1的突出部P位于扫描信号线Ga1的远离发光控制信号线EM1的一侧。
例如，如图2所示，在第一方向X上，数据写入晶体管T2的栅极、阈值补偿晶体管T3的栅极、第一复位晶体管T6的栅极和第二复位晶体管T7的栅极均位于驱动晶体管T1的栅极的第一侧，第一发光控制晶体管T4的栅极、第二发光控制晶体管T5的栅极均位于驱动晶体管T1的栅极的第二侧。例如，图2-7所示的示例中，第一颜色子像素的像素电路的驱动晶体管T1的栅极的第一侧和第二侧为在第一方向X上驱动晶体管T1的栅极的彼此相对的两侧。例如，如图2-8所示，在XY面内，子像素110的像素电路的驱动晶体管T1的栅极的第一侧可以为驱动晶体管T1的栅极的上侧，子像素110的像素电路的驱动晶体管T1的栅极的第二侧可以为驱动晶体管T1的栅极的下侧。所述下侧，例如显示基板的用于绑定驱动芯片的一侧为显示基板的下侧，驱动晶体管T1的栅极的下侧，为驱动晶体管T1的栅极的更靠近驱动芯片的一侧。所述上侧为下侧的相对侧，例如为驱动晶体管T1的栅极的更远离驱动芯片的一侧。
例如，在一些实施例中，如图2-8所示，在第二方向Y上，数据写入晶体管T2的栅极和第一发光控制晶体管T4的栅极均位于驱动晶体管T1的栅极的第三侧，阈值补偿晶体管T3的第一个栅极、第二发光控制晶体管T5的栅极和第二复位晶体管T7的栅极均位于驱动晶体管T1的栅极的第四侧。例如，图2-8所示的示例中，子像素110的像素电路的驱动晶体管T1的栅极的第三侧和第四侧为在第二方向Y上驱动晶体管T1的栅极的彼此相对的两侧。例如，如图2-7所示，子像素110的像素电路的驱动晶体管T1的栅极的第三侧可以为子像素110的像素电路的驱动晶体管T1的栅极的左侧，子像素110的像素电路的驱动晶体管T1的栅极的第四侧可以为子像素110的像素电路的驱动晶体管T1的栅极的右侧。所述左侧和右侧，例如在同一像素电路中，数 据线在第一电源信号线VDD1左侧，第一电源信号线VDD1在数据线右侧。
例如，在上述的第一导电层320上形成有第一绝缘层，用于保护上述的第一导电层320。图5示出了该像素电路的第二导电层330，第二导电层330包括电容C的第一极板CC1、复位电源信号线Init1以及第三电源信号线VDD2。第三电源信号线VDD2与电容C的第一极板CC1一体形成。电容C的第一极板CC1与电容C的第二极板CC2至少部分重叠以形成电容C。
例如，在上述的第二导电层330上形成有第二绝缘层，用于保护上述的第二导电层330。图6示出了该像素电路的源漏极金属层340，源漏极金属层340包括数据线Vd、第四电源信号线VDD3以及屏蔽线344。上述数据线Vd、第四电源信号线VDD3以及屏蔽线344均沿第一方向X延伸。屏蔽线344与数据线Vd同层同材料设置，使得屏蔽线可与数据线在同一次构图工艺中同时形成，避免为了制作屏蔽线而增加额外的构图工艺，从而简化了显示基板的制作流程，节约了制作成本。例如，源漏极金属层340还包括连接结构341、连接部342和电极连接部的第一子电极连接结构343。所述连接结构341的一端与所述驱动晶体管T1的栅极连接，所述连接结构341的另一端与所述阈值补偿晶体管T3的源漏区连接。
图6还示出了多个过孔的示例性位置，源漏金属层340通过所示的多个过孔与位于该源漏金属层340与衬底基板之间的多个膜层连接。例如，源漏金属层340通过过孔381、过孔382、过孔384、过孔387及过孔352连接至图2所示的有源半导体层310，源漏金属层340通过过孔3832、过孔386、过孔385、过孔332连接至图5所示的第二导电层330。
例如，在上述的源漏极金属层340上形成有第三绝缘层和第四绝缘层，用于保护上述的源漏极金属层340。各个子像素的有机发光元件可设置在第三绝缘层和第四绝缘层远离衬底基板的一侧。
图7示出了该像素电路的第三导电层350，第三导电层350包括电极连 接部的第二子电极连接结构353、沿第二方向延伸的第一电源信号线VDD1的第二子电源信号线VDD12、以及沿第一方向X延伸的第五电源信号线VDD4，第二子电源信号线VDD12与各第五电源信号线VDD4相交。第一电源信号线VDD1的具体结构将在后面图9至图16相关的描述中介绍。图7还示出了多个过孔351和过孔354的示例性位置，第三导电层350通过所示的多个过孔351和过孔354与源漏金属层340连接。
图8为上述的有源半导体层310、第一导电层320、第二导电层330、源漏极金属层340以及第三导电层350的层叠位置关系的示意图。如图2-8所示，数据线Vd通过栅极绝缘层、第一绝缘层和第二绝缘层中的至少一个过孔(例如，过孔381)与有源半导体层310中的数据写入晶体管T2的源极区域相连。第四电源信号线VDD3通过栅极绝缘层、第一绝缘层和第二绝缘层中的至少一个过孔(例如，过孔382)与有源半导体层310中对应的第一发光控制晶体管T4的源极区域相连。
如图2-8所示，连接结构341的一端通过栅极绝缘层、第一绝缘层和第二绝缘层中的至少一个过孔(例如，过孔384)与有源半导体层310中对应的阈值补偿晶体管T3的漏极区域相连，连接结构341的另一端通过第一绝缘层和第二绝缘层中的至少一个过孔(例如，过孔385)与第一导电层320中的驱动晶体管T1的栅极(即电容C的第二极板CC2)相连。连接部342的一端通过第二绝缘层中的一个过孔(例如，过孔386)与复位电源信号线Init1相连，连接部342的另一端通过栅极绝缘层、第一绝缘层和第二绝缘层中的至少一个过孔(例如，过孔387)与有源半导体层310中的第二复位晶体管T7的漏极区域相连。第一子电极连接结构343通过栅极绝缘层、第一绝缘层和第二绝缘层中的至少一个过孔(例如，过孔352)与有源半导体层310中的第二发光控制晶体管T5的漏极区域相连。需要说明的是，本申请实施例中采用的晶体管的源极区域和漏极区域在结构上可以是相同的，所以其源极区域和漏极区域在结构上可以是没有区别的，因此根据需要二者是可以互换的。
例如，如图2-7所示，第四电源信号线VDD3通过位于第二导电层330和源漏金属层340之间的第二绝缘层中的至少一个过孔(例如，过孔3832)与第二导电层330中的电容C的第一极板CC1相连。
例如，如图2-8所示，屏蔽线344沿第一方向X延伸，且其在衬底基板上的正投影位于相邻两个像素相应的数据线在衬底基板上的正投影之间。例如，屏蔽线能够减小相邻两个像素相应的数据线上传输的信号对阈值补偿晶体管T3的性能产生的影响，减弱串扰问题。
例如，如图2-8所示，屏蔽线344通过第二绝缘层中的至少一个过孔(例如过孔332)与复位电源信号线Init1相连，除了使得屏蔽线具有固定电位之外，还使得复位电源信号线上传输的初始化信号的电压更稳定，从而更有利于像素驱动电路的工作性能。
例如，如图2-8所示，屏蔽线344与复位电源信号线电连接，以使屏蔽线具有固定电位。屏蔽线344可分别与沿Y方向延伸的两条复位电源信号线Init1电连接，且这两条复位电源信号线Init1分别位于屏蔽线344沿X方向的两侧。例如，这两条复位电源信号线分别与第n行像素电路和第n+1行像素电路对应。
例如，同一列屏蔽线344可以为一整条屏蔽线，该整条屏蔽线包括多个位于相邻两条复位电源信号线之间的子部分，且每一子部分分别位于该列的每个像素电路区域内。同一列像素可共用一条屏蔽线344。
例如，除了将屏蔽线344与复位电源信号线耦接外，还可以将屏蔽线344与第一电源信号线耦接，使得屏蔽线344具有与第一电源信号线传输的电源信号相同的固定电位。
例如，如图2-7所示，第五电源信号线VDD4通过第三绝缘层和第四绝缘层中的至少一个过孔351与第四电源信号线VDD3相连，第二子电极连接结构353通过第三绝缘层和第四绝缘层中的过孔354与第一子电极连接结 构343相连。
例如，第三绝缘层可以为钝化层，第四绝缘层可以为平坦化层，第三绝缘层位于第四绝缘层与衬底基板之间。第四绝缘层可以为有机层，且有机层的厚度较钝化层等无机层厚。
例如，过孔351和过孔354均为嵌套过孔，即过孔351包括第三绝缘层中的第一过孔和第四绝缘层中的第二过孔，第三绝缘层中的第一过孔与第四绝缘层中的第二过孔的位置相对，且第四绝缘层中的第二过孔在衬底基板上的正投影位于第三绝缘层中的第一过孔在衬底基板上的正投影内。
例如，第五电源信号线VDD4在衬底基板上的正投影与第四电源信号线VDD3在衬底基板上的正投影大致重合，或者第四电源信号线VDD3在衬底基板上的正投影位于第五电源信号线VDD4在衬底基板上的正投影内，且第五电源信号线VDD4与第四电源信号线VDD3电连接可以降低第一电源信号线VDD1的电压降，从而改善显示器件的均一性。例如，第五电源信号线VDD4可以与源漏金属层采用相同的材料。
例如，如图6所示，各子像素的第一子电极连接结构343均为块状结构。后续形成的各颜色子像素的第一电极会通过过孔与相应的第二子电极连接结构353连接以实现与第二发光控制晶体管T5的漏极区域相连。
本实施例包括但不限于此，各子像素中的第二子电极连接结构的位置根据有机发光元件的排列规律以及发光区域的位置而定。
例如，子像素的第一子电极连接结构343通过栅极绝缘层、第一绝缘层以及第二绝缘层的过孔352与有源半导体层中的第二发光控制晶体管T5的第二极T5d相连。第一子电极连接结构343与第三电源信号线VDD2和发光控制信号线EM1均有交叠。第二子电极连接结构353通过位于第三绝缘层和第四绝缘层中的嵌套过孔354与第一子电极连接结构343相连，进而实现与第二发光控制晶体管相连。
例如，数据线Vd通过栅极绝缘层、第一绝缘层和第二绝缘层中的过孔381与数据写入晶体管T2的源极T2s相连；连接结构341的一端通过栅极绝缘层、第一绝缘层和第二绝缘层中的过孔384与阈值补偿晶体管T3的漏极T3d相连，连接结构341的另一端通过第一绝缘层和第二绝缘层中的过孔385与驱动晶体管T1的栅极(即电容C的第二极板CC2)相连；驱动晶体管T1的沟道T1c位于其栅极面向衬底基板的一侧，且与过孔385没有交叠，驱动晶体管T1的源极T1d与其栅极以及电容C的第一极板CC1均有交叠。
需要说明的是，每个像素电路中的驱动电路、第一发光控制电路、第二发光控制电路、数据写入电路、存储电路、阈值补偿电路和复位电路等的位置排布关系不限于图2-8所示的示例，根据实际应用需求，可以具体设置驱动电路、第一发光控制电路、第二发光控制电路、数据写入电路、存储电路、阈值补偿电路和复位电路的位置。
例如，子像素110的第一电极通过第五绝缘层的过孔(未示出)与第二子电极连接结构353相连，从而实现与第二发光控制晶体管T5的漏极区域相连。
如图9至图16所示，所述第一电源信号线VDD1包括沿第一方向X延伸的第一子电源信号线VDD1和沿第二方向Y延伸的第二子电源信号线VDD12。所述第二电源信号线VSS包括沿所述第一方向X延伸的第三子电源信号线VSS1和沿所述第二方向Y延伸的第四子电源信号线VSS2。
第二子电源信号线VDD12包括第一连接信号线VDD13和第二连接信号线VDD14。第一连接信号线VDD13与第一子电源信号线VDD11位于同一层，且与第一子电源信号段VDD11相连。第一子电源信号段VDD11与第一连接信号线VDD13可位于源漏金属层340。第二连接信号线VDD14与第一连接信号线VDD13位于不同层。第二连接信号线VDD14可位于第三导电层350。
例如，如图10及图11所示，第二连接信号线VDD14与第五电源信号线VDD4相交，第二连接信号线VDD14通过第三绝缘层和第四绝缘层的通孔与第一连接信号线VDD13相连。
第二电源信号线VSS的第三子电源信号线VSS1和第四子电源信号线VSS2相交，且可位于同一层，第三子电源信号线VSS1和第四子电源信号线VSS2可位于第三导电层350。
在一个实施例中，如图10至图12、图14至图16所示，所述显示基板还包括与所述第二电源信号线VSS连接的搭接部40。搭接部40可与第二电源信号线VSS同层设置。
如图12及图16所示，所述子像素包括第一电极21和第二电极22，同一像素中各子像素共用一个第二电极22。显示基板还可包括像素限定层，像素限定层设有多个像素开口23。第一电极21及像素开口23均位于发光区AA1。每一子像素对应一个像素开口，且子像素的像素开口23在衬底基板上的正投影位于第一电极21在衬底基板上的正投影内。
在一个实施例中，如图12所示，至少存在相邻两个所述像素的第二电极22与同一所述搭接部40接触。第二电极与搭接部接触指的是，第二电极通过其与搭接部之间的绝缘层的接触孔与搭接部接触。如此设置，相邻两个像素的第二电极22与同一个搭接部40接触来实现与第二电源信号线VSS的电连接，相对于各像素的第二电极分别通过不同的搭接部接触的方案来说，可减小搭接部及接触孔的数量，提升显示基板的透光率；并且各像素的第二电极分别通过同一搭接部与第二电源信号线的方案中，各像素的第二电极均需要设置的较大以与搭接部40在膜层的层叠方向上重叠与搭接部接触，本实施例中通过设置至少两个像素的第二电极与同一搭接部40接触，可减小显示基板中第二电极的总面积，有助于提升显示基板的透光率；并且本实施例可减小第二电源信号线VSS的子电源信号线的数量，也有助于提升显示基板的透光率。
进一步地，至少存在相邻两个所述像素的第二电极22通过同一所述搭接部40与所述第三子电源信号线VSS1电连接，或者通过同一所述搭接部40与所述第四子电源信号线VSS2电连接。图12所示的实施例中，相邻两个像素的第二电极22通过同一搭接部40与同一第四子电源信号线VSS2电连接。在其他实施例中，相邻两个像素的第二电极22可通过同一搭接部40与同一第三子电源信号线VSS1电连接。
显示基板的多个子像素中，在第二方向Y上间隔排布的多个像素为一行像素，在第一方向X上间隔排布的多个像素为一列像素。
在一个实施例中，相邻两行子像素的第二电极可分别通过搭接部连接至同一第四子电源信号线VSS2。具体来说，相邻两行像素中，在第一方向X上相邻的两个像素的第二电极与同一搭接部40接触。如此设置，相对于不同行像素的第二电极与不同的第四子电源信号线VSS2的方案来说，第四子电源信号线VSS2的数量可减少一半。
进一步地，相邻两行子像素之间设有在第二方向Y上间隔排布的多个搭接部40，且在所述第二方向Y上排布的多个所述搭接部40通过所述第四子电源信号线VSS2电连接。
在另一实施例中，相邻两列像素的第二电极可分别通过搭接部连接至同一第三子电源信号线VSS1。具体来说，相邻两列子像素中，在第二方向Y上相邻的两个子像素的第二电极与同一搭接部40接触。如此设置，相对于不同列像素的第二电极与不同的第三子电源信号线VSS1的方案来说，第三子电源信号线VSS1的数量可减少一半。
在该实施例中，相邻两列像素之间设有在第一方向X上间隔排布的多个搭接部40，且在所述第一方向X上排布的多个所述搭接部40通过所述第三子电源信号线VSS1电连接。
在一个实施例中，如图16所示，至少存在相邻四个所述像素的第二电 极22与同一所述搭接部40接触，相邻四个所述像素排列为两行两列。如此设置，显示基板的第二电极的总面积更小，且搭接部40的数量更少，第二电源信号线VSS的子电源信号线的数量更少，因此更有助于提升显示基板的透光率。
进一步地，所述搭接部40在衬底基板上的正投影位于相邻四个像素的第二电极22在衬底基板上的正投影之间。
进一步地，如图16所示，至少存在相邻四个所述像素的第二电极22通过同一所述搭接部40连接至所述第三子电源信号线VSS1及所述第四子电源信号线VSS2。相邻四个所述像素排列为两行两列，该两行像素之间设有一条第四子电源信号线VSS2，该两列像素之间设有一条第三子电源信号线VSS1，搭接部40位于四个像素之间，因此搭接部40既与第三子电源信号线VSS1连接，又与第四子电源信号线VSS2连接。
进一步地，至少存在一个所述搭接部40与在所述第一方向X上排布的其他所述搭接部通过所述第三子电源信号线VSS1电连接，且与在所述第二方向Y上排布的其他所述搭接部通过所述第四子电源信号线VSS2连接。如此设置，更有助于减小第二电源信号线VSS的子电源信号线的数量，从而进一步提升显示基板的透光率。
在一个实施例中，显示基板包括多个搭接部40，每一搭接部40分别与相邻四个像素的第二电极接触，多个搭接部40排列为多行多列。在第一方向X上间隔排布的多个搭接部40通过所述第三子电源信号线VSS1连接，在第二方向Y上排布的多个搭接部40通过所述第四子电源信号线VSS2连接。
在一个实施例中，如图12及图16所示，所述显示基板还包括与所述第二电极22连接的电极连接结构24，与同一所述搭接部40接触的各所述第二电极22连接至同一所述电极连接结构24，所述第二电极22通过所述电极连接结构24与所述搭接部40接触。与同一所述搭接部40接触的多个所述第 二电极22对应的电极连接结构24位于多个第二电极22之间，以便于电极连接结构24与各第二电极22相连。电极连接结构24与第二电极22可同层设置。
在一个实施例中，所述第一电源信号线VDD1包括多个子电源信号线VDD11、VDD12，每一所述子电源信号线沿所述第一方向延伸或沿所述第二方向延伸，至少存在相邻两个所述像素的像素电路与所述第一电源信号线的同一子电源信号线相连。如此设置，可减少第一电源信号线VDD1的子电源信号线的数量，提升显示基板的透光率。图12所示的实施例中，在第二方向Y上相邻的两个子像素的像素电路与同一第以子电源信号线VDD11相连。
在一个实施例中，如图9至图16所示，所述第一电源信号线VDD1的至少一条所述第一子电源信号线VDD11通过所述第二电源信号线VDD12与所述像素电路电连接；至少部分所述第二子电源信号线VDD12与所述第一子电源信号线VDD11异层设置。如此设置，可避免源漏金属层340中用于驱动像素的驱动信号线与第二子电源信号线VDD12短路。图9至图16所示的实施例中，所述第二子电源信号线VDD12包括第一连接信号线VDD13和第二连接信号线VDD14，第二连接信号线VDD14与第一子电源信号线VDD11异层设置。
进一步地，所述显示基板还包括与所述第一子电源信号线同层设置的驱动信号线，所述驱动信号线被配置为为所述像素电路提供驱动信号。所述第二子电源信号线VDD12与所述第一子电源信号线VDD11异层设置的部分在所述衬底基板上的正投影与所述驱动信号线在所述衬底基板上的正投影存在交叠。如此设置，既可保证第一子电源信号线VDD11通过第二子电源信号线VDD12与像素电路电连接，也可避免第二子电源信号线VDD12与驱动信号线短路。图9至图16所示的实施例中，驱动信号线包括数据线Vd，所述第二子电源信号线VDD12的第二连接信号线VDD14与第一子电源信号线VDD11异层设置，第二连接信号线VDD14在衬底基板上的正投影与数据线 Vd在衬底基板上的正投影存在交叠。
在一个实施例中，如图12至图16所示，所述像素限定层设有位于所述非发光区AA2的开孔25。通过在像素限定层上开设位于非发光区AA2的开孔25，可提升非发光区AA2的透光率。所述像素限定层上可开设有多个开孔25。
进一步地，如图12至图16所示，所述开孔25在所述衬底基板上的正投影至少部分位于所述第二电极22在所述衬底基板上的正投影、所述第二电源信号线VSS在所述衬底基板上的正投影、以及所述第一电源信号线VDD1在所述衬底基板上的正投影之外。
图12及图16所示的实施例中，所述开孔25在所述衬底基板上的正投影均位于所述第二电极22在所述衬底基板上的正投影之外。如此可避免第二电极22下方的膜层的高度差较小，避免第二电极22发生爬坡断裂的情况。
图12及图16所示的实施例中，所述开孔25在所述衬底基板上的正投影位于所述第一电源信号线VDD1在所述衬底基板上的正投影之外。具体来说，所述开孔25在衬底基板上的正投影位于第一电源信号线VDD1的第一子电源信号线VDD11在衬底基板上的正投影之外，所述开孔25在衬底基板上的正投影与第一电源信号线VDD1的第二子电源信号线VDD12在衬底基板上的正投影存在部分交叠。
图12及图16所示的实施例中，所述开孔25在所述衬底基板上的正投影均位于所述第二电源信号线VSS在所述衬底基板上的正投影之外。
在一个实施例中，如图17所示，所述第一电源信号线VDD1在所述衬底基板上的正投影与所述第二电源信号线VSS在所述衬底基板上的正投影无交叠。如此设置，可避免第一电源信号线VDD1与第二电源信号线VSS在显示基板的膜层叠层方向上存在交叠，交叠区域的透光率较小，而影响显示基板的透光率；且可避免显示面板工作过程中，第一电源信号线VDD1与第二 电源信号线VSS的交叠区域产生的热量较多，交叠区域容易发生灼伤，从而有助于提升显示基板的使用寿命。
在一个实施例中，如图17所示，所述第一电源信号线VDD1包括沿第一方向X延伸的第一子电源信号线VDD11、沿第二方向Y延伸的第二子电源信号线VDD12、以及多个沿所述第二方向Y延伸的第一连接段63；所述第二电源信号线VSS包括沿所述第一方向X延伸的第三子电源信号线VSS1、沿所述第二方向Y延伸的第四子电源信号线VSS2、以及多个沿所述第二方向Y延伸的第二连接段53。各所述第一子电源信号线VDD11包括在所述第一方向X上间隔排布的多个第一子信号段61，各所述第二子电源信号线VDD12包括在所述第二方向Y上间隔排布的多个第二子信号段62，各所述第一子信号段61分别与至少一个所述第二子信号段62连接，且相连的第一子信号段61与第二子信号段62在衬底基板上的正投影交叉。各所述第三子电源信号线VSS1包括在所述第一方向X上间隔排布的多个第三子信号段51，各所述第四子电源信号线VSS2包括在所述第二方向Y上间隔排布的多个第四子信号段52，各所述第三子信号段51分别与至少一个所述第四子信号段52连接，且相连的第三子信号段51与第四子信号段52在衬底基板上的正投影交叉。
在所述第二方向Y上相邻的所述第一子信号段61通过所述第一连接段63连接，至少一个所述第一连接段63在所述衬底基板上的正投影位于相邻的两个所述第三子信号段51在所述衬底基板上的正投影之间。在所述第二方向Y上相邻的所述第三子信号段51通过所述第二连接段53连接；至少一个所述第二连接段53在所述衬底基板上的正投影位于相邻的两个所述第一子信号段61在所述衬底基板上的正投影之间。
通过上述的设置方式，可使得第一电源信号线VDD1的各第一子信号段61及各第二子信号段62均电连接，第二电源信号线VSS的各第三子信号段51及各第四子信号段52均电连接，同时可减小第一电源信号线VDD1与第二电源信号线在衬底基板上的正投影存在交叠的区域，从而提升显示基板 的透光率及使用寿命。
进一步地，各所述第一连接段63在所述衬底基板上的正投影分别位于相邻的两个所述第三子信号段51在所述衬底基板上的正投影之间，各所述第二连接段53在所述衬底基板上的正投影分别位于相邻的两个所述第一子信号段61在所述衬底基板上的正投影之间。如此可使得第一电源信号线VDD1与第二电源信号线在衬底基板上的正投影不存在交叠。
在一个实施例中，所述第一连接段63与第一电源信号线VDD1的第一子电源信号线VDD11可同层设置，第二连接段53与第二电源信号线VSS同层设置。如此设置，有助于简化显示基板的制备工艺复杂度。
在一个实施例中，所述显示基板还设有多个驱动信号线驱动信号线被配置为为像素电路提供驱动信号。至少一个所述驱动信号线位于所述发光区的部分的宽度大于位于所述非发光区的部分的宽度。通过设置驱动信号线位于非发光区的宽度较小，有助于提升非发光区的透光率，进而提升显示基板的透光率；通过设置驱动信号线位于发光区的部分宽度较大，可避免驱动信号线位于非发光区的部分电阻较大，进而导致发光区的热量升高较快。
如图4及图5所示，驱动信号线包括复位控制信号线Rst1、扫描信号线Ga1、发光控制信号线EM1及第三电源信号线VDD2。复位控制信号线Rst1、复位控制信号线Rst2、扫描信号线Ga1、发光控制信号线EM1及第三电源信号线VDD2位于发光区AA1的部分的宽度均大于其位于非发光区AA2的部分的宽度。
在一个实施例中，至少一个所述扫描信号线Ga1位于所述发光区AA1的部分的宽度大于位于所述非发光区AA2的部分的宽度；所述扫描信号线Ga1位于所述发光区AA1的部分的宽度范围为3.5μm～5.5μm，所述扫描信号线Ga1位于所述非发光区AA2的部分的宽度范围为2μm～3.5μm。通过设置扫描信号线Ga1位于所述非发光区AA2的部分的宽度范围为2μm～3.5μm，既可 避免扫描信号线Ga1位于非发光区AA2的部分宽度太小导致其电阻较大，也可避免扫描信号线Ga1位于非发光区AA2的部分宽度太大导致其影响非发光区的透光率。在一些实施例中，所述扫描信号线Ga1位于发光区AA1的部分的宽度可以是3.5μm、3.8μm、4.0μm、4.5μm、5.0μm、5.5μm等，所述扫描信号线Ga1位于非发光区AA2的部分的宽度可以是2μm、2.3μm、2.5μm、3.0μm、3.2μm、3.5μm等。
在一个实施例中，如图18所示，所述显示基板还包括位于所述显示区AA至少一侧的边框区CC，所述显示基板还包括位于所述边框区CC的辅助走线70，所述辅助走线70与所述第二电极22电连接。辅助走线70可通过第二电源信号线VSS与辅助走线70电连接。辅助走线可降低第二电极22的电阻，从而改善第二电极22的IR drop问题。
所述辅助走线70包括第一导电膜层71及位于所述第一导电膜层71背离所述衬底基板一侧的第二导电膜层72，所述第一导电膜层71在所述衬底基板上的正投影靠近所述显示区AA的边缘位于所述第二导电膜层72在所述衬底基板上的正投影靠近所述显示区AA的边缘内侧。如此设置，可保证第二导电膜层72与第一导电膜层71的搭接效果。
进一步地，第一导电膜层在所述衬底基板上的正投影远离所述显示区AA的边缘位于所述第二导电膜层72在所述衬底基板上的正投影远离所述显示区AA的边缘内侧，以更有效地保证第二导电膜层72与第一导电膜层71的搭接效果。
在一些实施例中，所述第一导电膜层71与第一电极21同层设置，所述第二导电膜层72与第二电极22同层设置。辅助走线70还可包括位于第一导电层与衬底基板之间的第三导电膜层，第三导电膜层可位于源漏金属层。
在一个实施例中，所述显示基板还可包括位于所述像素上方的封装层。封装层可以是薄膜封装层，包括交替排布的有机层和无机层，且最上方为无 机层。
本申请实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述任一实施例所述的显示基板。
所述显示面板还可包括位于显示基板背离衬底一侧的玻璃盖板。
本申请实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的显示面板。显示装置还可包括外壳，显示面板可嵌入在外壳中。
本实施例中的显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、车载显示设备等任何具有显示功能的产品或部件。
需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的内容后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (21)

  1. 一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括显示区，所述显示区的至少部分区域为透明显示区；所述显示基板包括衬底基板及位于所述衬底基板上且位于所述透明显示区的多个像素；所述像素包括多个子像素，所述子像素包括有机发光元件和驱动所述有机发光元件的像素电路；所述有机发光元件包括第一电极、第二电极及位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机发光材料；所述子像素的第一电极与像素电路电连接；所述第一电极的数量大于所述第二电极的数量；
    所述显示基板还设有第一电源信号线和第二电源信号线，所述像素电路与所述第一电源信号线相连，所述第二电极与所述第二电源信号线相连；所述第一电源信号线包括沿第一方向延伸的第一子电源信号线和沿第二方向延伸的第二子电源信号线；和/或，所述第二电源信号线包括沿所述第一方向延伸的第三子电源信号线和沿所述第二方向延伸的第四子电源信号线；所述第一方向与所述第二方向相交。
  2. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括与所述第二电源信号线电连接的搭接部，至少存在相邻两个所述像素的第二电极与同一所述搭接部接触。
  3. 根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第二电源信号线包括沿所述第一方向延伸的第三子电源信号线和沿所述第二方向延伸的第四子电源信号线时，至少存在相邻两个所述像素的第二电极通过同一所述搭接部与所述第三子电源信号线电连接，或者通过同一所述搭接部与所述第四子电源信号线电连接。
  4. 根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，在所述第一方向上排布的多个所述搭接部通过所述第三子电源信号线电连接，和/或，在所述第二方向上排布的多个所述搭接部通过所述第四子电源信号线电连接。
  5. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括与所述第二电源信号线电连接的搭接部，至少存在相邻四个所述像素的第二电极与同一所述搭接部接触，相邻四个所述像素排列为两行两列。
  6. 根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述第二电源信号线包括沿所述第一方向延伸的第三子电源信号线和沿所述第二方向延伸的第四子电源信号线时，至少存在相邻四个所述像素的第二电极通过同一所述搭接部连接至所述第三子电源信号线及所述第四子电源信号线。
  7. 根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板包括多个所述搭接部，至少存在一个所述搭接部与在所述第一方向上排布的其他所述搭接部通过所述第三子电源信号线电连接，且与在所述第二方向上排布的其他所述搭接部通过所述第四子电源信号线电连接。
  8. 根据权利要求2至7任一项所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括与所述第二电极连接的电极连接结构，与同一所述搭接部接触的各所述第二电极连接至同一所述电极连接结构，所述第二电极通过所述电极连接结构与所述搭接部接触。
  9. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一电源信号线包括沿第一方向延伸的第一子电源信号线和沿第二方向延伸的第二子电源信号线时，至少存在相邻两个所述像素的像素电路与所述第一电源信号线的同一所述第一子电源信号线相连，或者与同一所述第二子电源信号线相连。
  10. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一电源信号线包括沿第一方向延伸的第一子电源信号线和沿第二方向延伸的第二子电源信号线时，至少一条所述第一子电源信号线通过所述第二子电源信号线与所述像素电路电连接；
    至少部分所述第二子电源信号线与所述第一子电源信号线异层设置。
  11. 根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还 包括与所述第一子电源信号线同层设置的驱动信号线，所述驱动信号线被配置为为所述像素电路提供驱动信号；所述第二子电源信号线与所述第一子电源信号线异层设置的部分在所述衬底基板上的正投影与所述驱动信号线在所述衬底基板上的正投影存在交叠。
  12. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一电源信号线在所述衬底基板上的正投影与所述第二电源信号线在所述衬底基板上的正投影无交叠。
  13. 根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，所述第一电源信号线包括沿第一方向延伸的第一子电源信号线和沿第二方向延伸的第二子电源信号线，且所述第二电源信号线包括沿所述第一方向延伸的第三子电源信号线和沿所述第二方向延伸的第四子电源信号线时，所述第一电源信号线还包括多个沿所述第二方向延伸的第一连接段；所述第二电源信号线还包括多个沿所述第二方向延伸的第二连接段；各所述第一子电源信号线包括在所述第一方向上间隔排布的多个第一子信号段，各所述第二子电源信号线包括在所述第二方向上间隔排布的多个第二子信号段，各所述第一子信号段分别与至少一个所述第二子信号段相连；各所述第三子电源信号线包括在所述第一方向上间隔排布的多个第三子信号段，各所述第四子电源信号线包括在所述第二方向上间隔排布的多个第四子信号段，各所述第三子信号段分别与至少一个所述第四子信号段相连；
    在所述第二方向上相邻的所述第一子信号段通过所述第一连接段连接，在所述第二方向上相邻的所述第三子信号段通过所述第二连接段连接；至少一个所述第一连接段在所述衬底基板上的正投影位于相邻的两个所述第三子信号段在所述衬底基板上的正投影之间；至少一个所述第二连接段在所述衬底基板上的正投影位于相邻的两个所述第一子信号段在所述衬底基板上的正投影之间。
  14. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述透明显示区 包括发光区及非发光区；所述像素设置在所述发光区；
    所述显示基板还设有多个驱动信号线；至少一个所述驱动信号线位于所述发光区的部分的宽度大于位于所述非发光区的部分的宽度。
  15. 根据权利要求14所述的显示基板，其特征在于，所述驱动信号线包括扫描信号线，所述扫描信号线被配置为为所述像素提供扫描信号；
    至少一个所述扫描信号线位于所述发光区的部分的宽度大于位于所述非发光区的部分的宽度；所述扫描信号线位于所述发光区的部分的宽度范围为3.5μm～5.5μm，所述扫描信号线位于所述非发光区的部分的宽度范围为2μm～3.5μm。
  16. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述像素电路包括驱动晶体管，所述显示基板还包括有源半导体层，所述有源半导体层包括各所述子像素的驱动晶体管的沟道；
    在至少一个所述像素中，至少一个所述子像素的驱动晶体管的沟道包括顺次连接的第一区段、第二区段、第三区段、第四区段和第五区段，所述第一区段、所述第三区段及所述第五区段沿所述第二方向延伸，所述第二区段及所述第四区段沿所述第一方向延伸；至少一个所述子像素的驱动晶体管的沟道包括顺次连接的第六区段、第七区段和第八区段，所述第六区段与所述第八区段沿所述第二方向延伸，所述第七区段沿所述第一方向延伸。
  17. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括屏蔽线及复位电源信号线，所述复位电源信号线被配置为为所述子像素提供复位电源信号；所述屏蔽线与所述复位电源信号线电连接。
  18. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述透明显示区包括发光区与非发光区，所述像素位于所述发光区；所述显示基板还包括像素限定层，所述像素限定层设有位于所述非发光区的开孔；
    所述开孔在所述衬底基板上的正投影至少部分位于所述第二电极在所 述衬底基板上的正投影、所述第二电源信号线在所述衬底基板上的正投影、以及所述第一电源信号线在所述衬底基板上的正投影之外。
  19. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括位于所述显示区至少一侧的边框区，所述显示基板还包括位于所述边框区的辅助走线，所述辅助走线与所述第二电极电连接；所述辅助走线包括第一导电膜层及位于所述第一导电膜层背离所述衬底基板一侧的第二导电膜层，所述第一导电膜层在所述衬底基板上的正投影靠近所述显示区的边缘位于所述第二导电膜层在所述衬底基板上的正投影靠近所述显示区的边缘内侧。
  20. 一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1至19任一项所述的显示基板。
  21. 一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求20所述的显示面板。
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