CN117117509A - 一种多模态可重构频率选择表面单元结构、天线罩及通信*** - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种多模态可重构频率选择表面单元结构、天线罩及通信***，多模态可重构频率选择表面单元结构包括：上层绝缘基板、下层绝缘基板、构成频率选择图案的第一导体结构和第二导体结构、用于调控频率选择表面透波状态的PIN二极管和变容二极管；第一导体结构包括：方型金属馈线、位于方型金属馈线内部的八边形金属馈线、位于八边形金属馈线内部的第一十字金属馈线；第二导体结构包括：第二十字金属馈线、位于下层绝缘基板拐角处的4段交叉馈线。本发明的天线罩及通信***均基于上述的多模态可重构频率选择表面单元结构。本发明的采用PIN二极管和变容二极管对频率选择表面的透波状态进行调控，使其能实现三种模式的切换。
Description
技术领域
本发明涉及微波天线技术领域，尤其涉及一种多模态可重构频率选择表面单元结构、天线罩及通信***。
背景技术
本部分的陈述仅仅是提供了与本公开相关的背景技术信息，不必然构成在先技术。
随着雷达与电子对抗技术的发展，电磁环境变得日益复杂，在一定空间内分布密集、数量繁多、样式复杂、动态交替的多种电磁信号交迭而成的复杂电磁环境。如何实现复杂电磁环境下的通信探测与电磁隐身兼容问题，成为了雷达天线罩领域的重要研究课题。
天线罩是一种可以透过电磁波的保护盾，其内包裹着毫米波天线，可以有效保护毫米波天线不受外部环境的影响，虽然传统天线罩能够最小限度地衰减由天线发射或者接收的电磁波信号，但是其无法适用于各阵元之间关系灵活可变的可重构天线，由此可重构频率选择天线罩应运而生。
通常现有的可重构频率选择天线罩实现技术分为两种，一种是透波频率可调，在金属缝隙结构中放置变容二极管来调控频选的透波频率；另一种是透波/反射状态可切换，通常用pin管来调控透波带的通断。不论是透波频率可调还是透波/反射状态可切换，可实现的隐身效果都比较有限，无法覆盖战场上复杂环境的隐身。
发明内容
本发明提供了一种多模态可重构频率选择表面单元结构、天线罩及通信***，上层绝缘基板和下层绝缘基板中心的十字通过金属过孔与下层绝缘基板的的十字馈线相连，上层绝缘基板和下层绝缘基板的八边形内环通过金属过孔与下层绝缘基板的的交叉馈线相连，这样设计让图案的外环、内环和中心十字形成了三种不同的电势，通过控制这三极电势的大小就可以控制PIN二极管的通断和变容二极管的电容。本发明的两种馈电网络和三极偏压采用PIN二极管和变容二极管对频率选择表面的透波状态进行调控，使其能实现X波段窄带可调透波、宽带透波以及全频带反射三种模式的切换。
实现本发明目的的技术方案如下：
一方面，本发明提供了一种多模态可重构频率选择表面单元结构，包括：上层绝缘基板、下层绝缘基板、构成频率选择图案的第一导体结构和第二导体结构、用于调控频率选择表面透波状态的PIN二极管和变容二极管；
所述第一导体结构位于上层绝缘基板的上表面和下层绝缘基板的下表面，所述第二导体结构位于下层绝缘基板的上表面；
所述第一导体结构包括：方型金属馈线、位于方型金属馈线内部的八边形金属馈线、位于八边形金属馈线内部的第一十字金属馈线；方型金属馈线和八边形金属馈线相平行且相邻的两条边中部共焊接4个PIN二极管，4个PIN二极管焊接于方型金属馈线的内环边与八边形金属馈线的外环边之间；第一十字金属馈线的四条边中部各开缝隙分别焊接一个变容二极管；
所述第二导体结构包括：第二十字金属馈线、位于下层绝缘基板拐角处的4段交叉馈线；交叉馈线通过开设于上层绝缘基板和下层绝缘基板的第一金属过孔及第一金属柱连接八边形金属馈线，第一金属柱贯穿第一金属过孔，第二十字金属馈线通过开设于下层绝缘基板的第二金属过孔和第二金属柱连接第一十字金属馈线，第二金属柱贯穿第二金属过孔。
基于一方面，在本发明的一个实施例中，上层绝缘基板和下层绝缘基板均采用厚度为2mm的Rogers5880介质板，介电常数为2.2，损耗角正切是0.0009。
基于一方面，在本发明的一个实施例中，上层绝缘基板与下层绝缘基板采用层压工艺压合为一体。
基于一方面，在本发明的一个实施例中，所述第一导体结构和所述第二导体结构均为铜箔。
基于一方面，在本发明的一个实施例中，位于上层绝缘基板和下层绝缘基板中心的十字通过金属过孔与十字馈线相连，位于上层绝缘基板和下层绝缘基板的八边形内环通过金属过孔与交叉馈线相连，使得所述第一导体结构和所述第二导体结构的外环、内环和中心十字形成了三种不同的电势。
基于一方面，在本发明的一个实施例中，PIN二极管处于正偏状态，变容二极管处于反偏状态，天线罩为X波段窄带可调透波状态；
PIN二极管处于反偏状态，变容二极管处于正偏状态，天线罩为宽带透波状态；
PIN二极管和变容二极管都处于正偏状态时，天线罩为全频带反射状态。
另一方面，本发明提供了一种天线罩，天线罩为安装有上述一种多模态可重构频率选择表面单元结构的频率选择天线罩。
基于另一方面，在本发明的一个实施例中，频率选择天线罩的多模态可重构频率选择表面单元结构呈周期排布。
再一方面，本发明提供了一种通信***，包括天线，该天线配备有上述天线罩。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
1、为了解决现有的可重构频率选择表面通常透波效果不佳，无法对多种极化方向的入射电磁波起到频率选择效果问题，本发明在上层绝缘基板和下层绝缘基板中心的十字通过金属过孔与十字馈线相连，上层绝缘基板和下层绝缘基板的八边形内环通过金属过孔与交叉馈线相连，这样设计让图案的外环、内环和中心十字形成了三种不同的电势，通过控制这三极电势的大小就可以控制PIN二极管的通断和变容二极管的电容。本发明的两种馈电网络和三极偏压采用PIN二极管和变容二极管对频率选择表面的透波状态进行调控，使其能实现X波段窄带可调透波、宽带透波以及全频带反射三种模式的切换。
2、本发明的上层绝缘基板和下层绝缘基板采用双对称的频率选择图案和馈线，实现了双极化和较低的***损耗，在透波带，各种极化方向的电磁波均有小于1dB的传输窗口。
3、本发明将馈线置于两层频率选择图案之间，利用馈线的电感耦合拓宽了频率选择表面的透波带，消除了带内纹波和凹陷，降低了天线罩的剖面。
附图说明
图1为本发明提供的一种多模态可重构频率选择表面单元结构立体图一；
图2为本发明提供的一种多模态可重构频率选择表面单元结构立体图二；
图3为本发明提供的上层绝缘基板和下层绝缘基板上第一导体结构的示意图；
图4为本发明提供的下层绝缘基板上第二导体结构的示意图；
图5为本发明仿真的多模态可重构频率选择表面窄带可调透波状态图；
图6为本发明仿真的多模态可重构频率选择表面宽带透波状态图；
图7为本发明仿真的多模态可重构频率选择表面全反射状态图；
图8为本发明提供的多模态可重构频率选择表面单元结构的等效电路图；
图9为本发明提供的多模态可重构频率选择表面单元结构的简化等效电路图；
图10为本发明提供的多模态可重构频率选择表面单元的电路原理图；
图11为本发明提供的窄带可调多模态可重构频率选择表面单元的电路原理图；
图12为本发明提供的宽带透波多模态可重构频率选择表面单元的电路原理图；
图13为本发明提供的反射状态多模态可重构频率选择表面单元的电路原理图；
附图标记：1-方型金属馈线；2-八边形金属馈线；3-第一十字金属馈线；4-PIN二极管；5-变容二极管；6-第二十字金属馈线；7-交叉馈线；8-第一金属柱；9-第二金属柱；10-第一金属过孔；11-第二金属过孔。
具体实施方式
下面结合附图所示的各实施方式对本发明进行详细说明，但应当说明的是，这些实施方式并非对本发明的限制，本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代，均属于本发明的保护范围之内。
超宽带多模态智能隐身天线罩可以根据功能需求对电磁波进行动态调控，不仅具备通带透波传输和带外超宽带吸波隐身的特性，而且可以在外部电压控制下可以动态调整通带频率或者切换通断状态，因此能在不改变物理结构前提下实现宽带透波、可调透波、超宽带隐身等多种功能自由切换。
请参阅图1和图2，图1为本发明实施例提供的一种多模态可重构频率选择表面单元结构立体图一，图2为本发明实施例提供的一种多模态可重构频率选择表面单元结构立体图二；本发明实施例提供了一种多模态可重构频率选择表面单元结构，包括：上层绝缘基板、下层绝缘基板、构成频率选择图案的第一导体结构和第二导体结构、用于调控频率选择表面透波状态的PIN二极管4和变容二极管5；第一导体结构位于上层绝缘基板的上表面和下层绝缘基板的下表面，第二导体结构位于下层绝缘基板的的上表面，第一导体结构和第二导体结构均为铜箔。上层绝缘基板和下层绝缘基板均采用厚度为2mm的Rogers5880介质板，介电常数为2.2，损耗角正切是0.0009。上层绝缘基板与下层绝缘基板采用层压工艺压合为一体。本发明实施例的绝缘基板有两层，绝缘基板的两面都可以印刷导体结构，第二导体结构印刷在下层绝缘基板的上表面，上层绝缘基板和下层绝缘基板采用PCB压合工艺压合在一起。
请参阅图3，图3为本发明实施例提供的上层绝缘基板和下层绝缘基板上第一导体结构的示意图，第一导体结构包括：方型金属馈线1、位于方型金属馈线1内部的八边形金属馈线2、位于八边形金属馈线2内部的第一十字金属馈线3；方型金属馈线1和八边形金属馈线2相平行且相邻的两条边中部共焊接4个PIN二极管4，4个PIN二极管4焊接于方型金属馈线1的内环边与八边形金属馈线2的外环边之间；第一十字金属馈线3的四条边中部各开缝隙分别焊接一个变容二极管5。
请参阅图4，图4为本发明实施例提供的位于下层绝缘基板上表面的第二导体结构示意图，第二导体结构包括：第二十字金属馈线6、位于下层绝缘基板拐角处的4段交叉馈线7；交叉馈线7通过开设于绝缘基板的第一金属过孔10及第一金属柱8连接八边形金属馈线2，第二十字金属馈线6通过开设于绝缘基板的第二金属过孔11和第二金属柱9连接第一十字金属馈线3。
请继续参阅图1和图2，本发明实施例位于上层绝缘基板和下层绝缘基板中心的十字通过金属过孔与十字馈线相连，位于上层绝缘基板和下层绝缘基板的八边形内环通过金属过孔与交叉馈线7相连，使得第一导体结构和第二导体结构的外环、内环和中心十字形成了三种不同的电势。PIN二极管4处于正偏状态，变容二极管5处于反偏状态，天线罩为X波段窄带可调透波状态；PIN二极管4处于反偏状态，变容二极管5处于正偏状态，天线罩为宽带透波状态；PIN二极管4和变容二极管5都处于正偏状态时，天线罩为全频带反射状态。
本发明实施例提供了一种天线罩，天线罩为安装有上述一种多模态可重构频率选择表面单元结构的频率选择天线罩。优选频率选择天线罩的多模态可重构频率选择表面单元结构呈周期排布。此外，本发明实施例还提供了一种通信***，包括天线，该天线配备有上述天线罩。
为了解决现有的可重构频率选择表面通常透波效果不佳，无法对多种极化方向的入射电磁波起到频率选择效果问题，本发明实施例位于上层绝缘基板和下层绝缘基板中心的十字通过金属过孔与十字馈线相连，位于上层绝缘基板和下层绝缘基板的八边形内环通过金属过孔与交叉馈线相连，这样设计让图案的外环、内环和中心十字形成了三种不同的电势，通过控制这三极电势的大小就可以控制PIN二极管的通断和变容二极管的电容。本发明实施例的两种馈电网络和三极偏压采用PIN二极管和变容二极管对频率选择表面的透波状态进行调控，使其能实现X波段窄带可调透波、宽带透波以及全频带反射三种模式的切换。
本发明实施例的上层绝缘基板和下层绝缘基板采用双对称的频率选择图案和馈线，实现了双极化和较低的***损耗，在透波带，各种极化方向的电磁波均有小于1dB的传输窗口。本发明实施例将馈线置于两层频率选择图案之间，利用馈线的电感耦合拓宽了频率选择表面的透波带，消除了带内纹波和凹陷，降低了天线罩的剖面。
下述将本发明实施例的一种多模态可重构频率选择表面单元结构的馈电称为三明治耦合馈电结构。在多模态可重构频率选择表面单元的设计过程中，由于二极管需要馈电，馈线设计是非常重要的一部分。由于多模态可重构频率选择表面单元为周期性排列的单元阵列结构，馈线需要覆盖每一个单元，常常将馈线设计在单元的背面。然而金属馈线的存在常常会对单元本身的频率响应造成影响，引入寄生的电容电感，造成不可避免的高次谐振，使多模态可重构频率选择表面单元的性能恶化。传统的解决方案是在馈线中串联扼流电感，减弱馈线对空间中高频电磁波的影响。然而这种方案常常需要焊接大量的扼流电感，不仅增加了成本和加工焊接的难度，而且仍然无法完全消除馈线对多模态可重构频率选择表面单元性能的影响。
本发明在两层相同的多模态可重构频率选择表面单元图案中间放置馈线，通过金属过孔连接多模态可重构频率选择表面单元图案和馈线，将馈线集成到了多模态可重构频率选择表面单元整体结构设计中。两层多模态可重构频率选择表面单元图案与馈线可以发生电感耦合，从而形成两个耦合腔。这两个耦合腔可以形成平坦的三阶通带，其作用机理如图8所示，图8为本发明实施例提供的多模态可重构频率选择表面单元结构的等效电路图。在等效电路分析中，由于多模态可重构频率选择表面单元为带通频率选择表面，其等效电路可以视为并联LC结构，介质板可以等效为一段特性阻抗为Z1的传输线，而内部的馈线可以等效为电感L1。由于传输线可以等效为π形网络，该电路可以进一步简化为图9所示的多模态可重构频率选择表面单元结构的简化等效电路图。等效电路简化后，该三明治结构的多模态可重构频率选择表面单元呈现出三阶带通的特性，各并联LC结构之间由电感L3耦合，创造出了平坦的通带。通过调整馈线的长度和宽度，本发明实施例可以控制其等效电感L1的大小，此时通带的中心频率f0为：
因此，引入三明治耦合馈电结构可以有效地拓宽多模态可重构频率选择表面单元的通带，并且消除其带内纹波。该种馈电方式创新性地消除了传统馈线对多模态可重构频率选择表面单元性能的影响，并且利用馈线的分布电感特性，优化了多模态可重构频率选择表面单元的性能，是对有源超表面馈电方式的开创性探索。在实际应用中，由于馈线被包裹在两层多模态可重构频率选择表面单元之间，其性能更加稳定，不易被侵蚀，馈电更加稳定。
如何设计超表面实现预期功能是设计过程中最重要的问题，现如今大部分的设计思路是用电磁仿真软件进行全波仿真模拟，然后通过扫参分析优化结构，实现预期功能。本发明实施例提出了电路分析方法，从超表面等效电路的角度对模型进行分析，指导建模和设计。为了实现三种状态可重构的超表面，本发明实施例分别设计了各种状态下的电路原理图，再根据分布电容、电感的计算公式综合出超表面的模型参数，指导超表面的建模设计。该种设计思路清晰，节约了传统设计方法扫参的时间。搭建了多模态可重构频率选择表面单元的等效电路，如图10所示。PIN二极管在正偏状态下可以近似于一个电感，在反偏状态下可以近似于一个小的电容。变容二极管在正偏状态下可以近似于一个电感，在反偏状态下可以近似于一个可变电容。通过控制电路原理图中变容二极管和PIN二极管的通断，可以进一步简化电路原理图，实现多模态可重构频率选择表面单元多种工作状态的切换。当多模态可重构频率选择表面单元工作在窄带可调状态时，其等效电路如图11所示，通过控制可变电容C1的大小，就可以调控该多模态可重构频率选择表面单元通带的频率。通带中心频率f1可以由公式(2)计算得到：
该电路原理图中，本发明实施例采用L1值较小，从而降低并联谐振器Q值，实现窄带透波。同时采用C1和L3构成串联谐振回路，让多模态可重构频率选择表面单元在通带右端产生了一个零点，从而进一步增强通带的选择性，该零点频率f2可以由公式(3)计算得到：
电路模型被采用成三阶带通形式，两边的耦合腔由特性阻抗为Z1的传输线相连接，这种采用可以进一步提升通带的平坦性。当多模态可重构频率选择表面单元工作在宽带状态时，变容二极管处于导通状态，PIN二极管处于截至状态，其电路原理如图12所示。此时L1较大，并联谐振器Q值较大，透波带较宽。同样的，L1和C3组成的串联谐振器也在通带右侧引入了传输零点，增强了通带的选择性。当多模态可重构频率选择表面单元工作在反射状态时，PIN二极管和变容二极管都正偏，其电路原理如图13所示，大电感L1让多模态可重构频率选择表面单元表现出全频带反射特性。接下来通过采用的电路原理图综合出该频选的结构，为了实现双极化，模型被采用成中心对称结构如图13所示。沿电场方向的金属条带可以等效成电感，垂直于电场方向的金属条带可以等效为电容。在该结构中，设d为金属条带宽度，p为金属条带周期，θ为电磁波入射角，λ为电磁波波长，ω为电磁波角频率，Z0是自由空间波阻抗。那么金属条带的容抗Xc可以由以下公式计算得出：
因此本发明实施例可以根据电路原理图指导模型的采用，从而确定模型的形状和贴片的粗细。
由于本发明实施例采用三明治结构对多模态可重构频率选择表面单元进行馈电，金属过孔是馈电中非常重要的连接结构，而相邻两个单元的金属过孔之间会存在较大的耦合电容，这种耦合电容会使多模态可重构频率选择表面单元性能发生恶化。为了减弱并消除这一耦合电容，在相邻本发明实施例利用馈线2(交叉形馈线)在相邻过孔之间引入了串联电感，对耦合电容起到了去耦的作用。同时，八边形的内环结构采用可以让四周的过孔距离周期边界更远，降低了相邻单元过孔之间耦合电容的大小。
综上，本发明实施例的多模态可重构频率选择表面单元结构，有三层覆铜层。介质板采用厚度为2mm的Rogers5880，介电常数为2.2，损耗角正切是0.0009。两层介质板使用层压工艺压合为一体，h为模型的总厚度。灰色部分为金属过孔，将三层覆铜连接起来。图3为顶层结构的参数示意图，顶层与底层图案相同。P为结构周期，s1为外环宽度，s2为八边形内环宽度，s3为内外环间距，d1为八边形内环边长，s4为PIN二极管焊点宽度。图4为中间层金属馈线的参数示意图，d2为十字馈线线宽，s5为交叉馈线的线宽，d3为通孔与十字形馈线的间距。当单元进行周期排布时，顶层和底层中心的十字通过金属过孔与中间层的十字馈线相连，顶层和底层的八边形内环通过过孔与中间层的交叉馈线相连。这样的设计让图案的外环、内环和中心十字形成了三种不同的电势。通过控制这三极电势的大小，就可以控制PIN二极管的通断和变容二极管的电容。当PIN二极管处于正偏状态，变容二极管处于反偏状态时，S参数仿真结果如图5所示，天线罩为X波段窄带可调透波状态。改变变容二极管两端的电压就可以调控透波窗口的频率，1dB透波窗口带宽大于500MHz。当PIN二极管处于反偏，变容二极管处于正偏时，天线罩为宽带透波状态，S参数仿真结果如图6所示，1dB透波窗口相对带宽大于20％。当PIN二极管和变容二极管都处于正偏时，天线罩为全频带反射状态，S参数仿真结果如图7所示。馈线被设计在两层频率选择单元之间，不仅降低了剖面，减小了结构的复杂程度，还提供了两层之间的电感耦合，消除了带内纹波和凹陷。
本发明实施例在不增大结构剖面的前提下大大增多了可重构频率选择天线罩的工作模式，使频率选择天线罩具有多模态智能隐身的功能，具备窄带可调频透波、宽带透波和全频带反射三种工作模式。可对天线罩内的多种通信天线起到更全面智能的隐身效果。
上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本发明的可行性实施方式的具体说明，它们并非用以限制本发明的保护范围，凡未脱离本发明技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本发明的保护范围之内。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (9)
1.一种多模态可重构频率选择表面单元结构，其特征在于，包括：上层绝缘基板、下层绝缘基板、构成频率选择图案的第一导体结构和第二导体结构、用于调控频率选择表面透波状态的PIN二极管和变容二极管；
所述第一导体结构位于上层绝缘基板的上表面和下层绝缘基板的下表面，所述第二导体结构位于下层绝缘基板的的上表面；
所述第一导体结构包括：方型金属馈线、位于方型金属馈线内部的八边形金属馈线、位于八边形金属馈线内部的第一十字金属馈线；方型金属馈线和八边形金属馈线相平行且相邻的两条边中部共焊接4个PIN二极管，4个PIN二极管焊接于方型金属馈线的内环边与八边形金属馈线的外环边之间；第一十字金属馈线的四条边中部各开缝隙分别焊接一个变容二极管；
所述第二导体结构包括：第二十字金属馈线、位于下层绝缘基板拐角处的4段交叉馈线；交叉馈线通过开设于上层绝缘基板和下层绝缘基板的第一金属过孔及第一金属柱连接八边形金属馈线，第一金属柱贯穿第一金属过孔，第二十字金属馈线通过开设于第二金属过孔和第二金属柱连接第一十字金属馈线，第二金属柱贯穿第二金属过孔。
2.根据权利要求1所述的一种多模态可重构频率选择表面单元结构，其特征在于，上层绝缘基板、下层绝缘基板采用厚度为2mm的Rogers5880介质板，介电常数为2.2，损耗角正切是0.0009。
3.根据权利要求1所述的一种多模态可重构频率选择表面单元结构，其特征在于，上层绝缘基板与下层绝缘基板采用层压工艺压合为一体。
4.根据权利要求1所述的一种多模态可重构频率选择表面单元结构，其特征在于，所述第一导体结构和所述第二导体结构均为铜箔。
5.根据权利要求1所述的一种多模态可重构频率选择表面单元结构，其特征在于，位于上层绝缘基板和下层绝缘基板中心的十字通过金属过孔与十字馈线相连，位于上层绝缘基板和下层绝缘基板的八边形内环通过金属过孔与交叉馈线相连，使得所述第一导体结构和所述第二导体结构的外环、内环和中心十字形成了三种不同的电势。
6.根据权利要求1或5所述的一种多模态可重构频率选择表面单元结构，其特征在于，PIN二极管处于正偏状态，变容二极管处于反偏状态，天线罩为X波段窄带可调透波状态；
PIN二极管处于反偏状态，变容二极管处于正偏状态，天线罩为宽带透波状态；
PIN二极管和变容二极管都处于正偏状态时，天线罩为全频带反射状态。
7.一种天线罩，其特征在于，天线罩为安装有权利要求1-6任一项所述一种多模态可重构频率选择表面单元结构的频率选择天线罩。
8.根据权利要求7所述的一种天线罩，其特征在于，频率选择天线罩的多模态可重构频率选择表面单元结构呈周期排布。
9.一种通信***，其特征在于，包括天线，该天线配备有权利要求7或8所述的一种天线罩。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202311118338.2A CN117117509A (zh) | 2023-08-31 | 2023-08-31 | 一种多模态可重构频率选择表面单元结构、天线罩及通信*** |
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| CN117117509A true CN117117509A (zh) | 2023-11-24 |
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|---|---|
| CN (1) | CN117117509A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117748152A (zh) * | 2023-12-29 | 2024-03-22 | 江苏赛博空间科学技术有限公司 | 一种1-bit并联电感加载馈电可吸波智能超表面 |
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2023
- 2023-08-31 CN CN202311118338.2A patent/CN117117509A/zh active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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