CN117097274A - 一种提升二次谐波抑制的高线性度宽带放大器 - Google Patents

一种提升二次谐波抑制的高线性度宽带放大器 Download PDF

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CN117097274A CN202311043184.5A CN202311043184A CN117097274A CN 117097274 A CN117097274 A CN 117097274A CN 202311043184 A CN202311043184 A CN 202311043184A CN 117097274 A CN117097274 A CN 117097274A
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黄亮
万开奇
朱海
张涛
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Abstract

本发明涉及一种提升二次谐波抑制的高线性度宽带放大器，包括输入匹配网络、放大电路、偏置网络A、偏置网络B、反馈网络和输出匹配网络；所述输入匹配网络的第一端与高线性度宽带放大器的输入端连接；所述输入匹配网络的第二端与反馈网络的第一端、偏置网络A的第一端和放大电路的第一端连接；所述放大电路的第二端与偏置网络B的第二端连接，所述放大电路的第三端与反馈网络的第三端连接；所述偏置网络A的第二端与偏置网络B的第一端连接，所述偏置网络B的第三端与反馈网络的第二端相连；所述反馈网络的第四端与输出匹配网络的第一端相连，所述输出匹配网络的第三端与电源端相连；所述输出匹配网络的第二端与高线性度宽带放大器的输出端相连。

Description

一种提升二次谐波抑制的高线性度宽带放大器
技术领域
本发明属于宽带放大器设计领域，特别是涉及一种提升二次谐波抑制的高线性度宽带放大器。
背景技术
放大器是无线通信收发***中最基本和广泛应用的电路单元之一。它的主要任务就是放大射频信号并提供一定的功率增益和输出功率。射频收发***工作频率不断提高，放大器的带宽也不断提升，宽带放大器广泛应用于基站、点对点通信、雷达、电子对抗、遥感遥控、导航等无线通信领域。在宽带射频***中，要求放大器在整个带宽范围内具有良好的增益特性、线性度特性、噪声特性和输入输出匹配特性，同时在全频带范围内保持稳定工作。
在通信***中，放大器一般分为低噪声放大器、增益模块放大器和功率放大器。射频放大电路应用在通信***中的接收***是低噪声放大电路，负责放大来自接收端(如天线)的微弱信号；增益模块放大器在接收通道中一般置于低噪声放大器的后级放大接收的信号，在发射通道中置于功率放大器的前级用来补偿增益，在一些场合也可以直接作为放大器来使用；功率放大器电路则应用于通信***中的发射***，负责提供足够功率的射频信号发射输出。
随着无线通信的快速发展和广泛普及，无线***标准对收发机的性能要求越来越高。放大器作为收发链路的主要组成部分，其指标决定着整个***的性能，如功耗决定着整机工作时长，线性度决定着整机的动态范围，谐波分量大小又是整机***线性度的度量。宽带放大器在正常工作时将有大量的谐波分量产生。如果不对谐波分量加以抑制，不但会造成能量的浪费，还会对其他信道的信号造成干扰，降低通信***的信号质量。
随着无线通信***在多功能集成方面的快速发展，***集成多个频段的模块和子***成为重要的发展方向，如何规避不同频段信号链路之间的干扰是当前射频***领域里需要解决的重要课题。如何降低宽带放大器二次谐波能量非常重要，表现在放大器电参数指标上就是如何提升二次谐波抑制比，即输出二阶交调特性。通常情况下，对于宽带放大器，二次谐波抑制比极其有限，约为(10～20)dBc，难以满足无线通信***的典型要求(35～40)dBc以上。因此，设计发明一种提升二次谐波抑制的高线性度宽带放大器具有重要的研究意义及应用价值。
发明内容
为了提升宽带放大器的二次谐波抑制特性，使得放大器具有良好的输出二阶交调点功率，同时也保证较好的输出1dB压缩点及输出三阶交调点功率等线性度指标，能够更好的应用于抗干扰能力强、通信质量好的无线通信收发***中，本发明提出一种提升二次谐波抑制的高线性度宽带放大器，包括：
输入匹配网络、放大电路、偏置网络A、偏置网络B、反馈网络和输出匹配网络；
所述输入匹配网络的第一端与高线性度宽带放大器的输入端连接；所述输入匹配网络的第二端与反馈网络的第一端、偏置网络A的第一端和放大电路的第一端连接；
所述放大电路的第二端与偏置网络B的第二端连接，所述放大电路的第三端与反馈网络的第三端连接；
所述偏置网络A的第二端与偏置网络B的第一端连接，所述偏置网络B的第三端与反馈网络的第二端相连；
所述反馈网络的第四端与输出匹配网络的第一端相连，所述输出匹配网络的第三端与电源端相连；所述输出匹配网络的第二端与高线性度宽带放大器的输出端相连。
进一步地，所述输入匹配网络包括：电容C1，所述电容C1的一端与输入匹配网络的第一端相连，所述电容C1的另一端与输入匹配网络的第二端相连。
进一步地，所述放大电路包括：晶体管M1、晶体管M2和电感L1；
所述晶体管M1的栅极与放大电路的第一端相连，所述晶体管M1的源极与电感L1的一端相连，所述电感L1的另一端接地；所述晶体管M1的漏极与晶体管M2的源极相连；所述晶体管M2的栅极与放大电路的第二端相连，所述晶体管M2的漏极与放大电路的第三端相连。
进一步地，晶体管M1和晶体管M2的型号为GaAs E-pHEMT、GaN E-pHEMT、RF CMOS的NMOS管中的一种。
进一步地，所述偏置网络A包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5、晶体管M6、晶体管M7、电容C2和电感L2；
所述电感L2的一端与偏置网络A的第一端相连，所述电感L2的另一端与电阻R1的一端和电阻R2的一端相连；所述电阻R1的另一端与电容C2的一端、晶体管M4的漏极、晶体管M4的源极和晶体管M3的栅极相连；所述电容C2的另一端接地；所述晶体管M4的栅极接地；所述晶体管M3的源极接地，所述晶体管M3的漏极与晶体管M5的源极、晶体管M6的栅极和晶体管M7的漏极和晶体管M7的源极相连；所述晶体管M5的栅极与晶体管M5的漏极、电阻R4的一端和电阻R5的一端相连；所述电阻R5的另一端与偏置网络A的第二端相连；所述电阻R4的另一端与晶体管M6的漏极相连；所述晶体管M6的源极与电阻R2的另一端、电阻R3的一端和晶体管M7的栅极相连；所述电阻R3的另一端接地。
进一步地，所述晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5、晶体管M6、晶体管M7的型号为GaAsE-pHEMT、GaN E-pHEMT、RF CMOS的NMOS管中的一种。
进一步地，所述偏置网络B包括：电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6和电容C7；
所述电阻R6的一端和电容C4的一端与偏置网络B的第二端相连；所述电阻R6的另一端与电容C4的另一端、电容C3的一端和电阻R7的一端相连；所述电容C3的另一端接地；电阻R7的另一端与电阻R8的一端和偏置网络B的第一端相连；电阻R8的另一端与电阻R9的一端和电容C5的一端相连；电容C5的另一端接地；电阻R9的另一端与电阻R10的一端和电容C6的一端相连；电容C6的另一端接地；电阻R10的另一端与电阻R11的一端和电容C7的一端相连；电容C7的另一端接地；电阻R11的另一端与偏置网络B的第三端相连。
进一步地，所述反馈网络包括：电阻R12、电阻R13、电容C8、电容C9、电容C10、电感L3和电感L4；
电容C8的一端与反馈网络的第一端相连；电容C8的另一端与电阻R12的一端相连；电阻R12的另一端与电容C9的一端、电阻R13的一端、电容C10的一端和反馈网络的第二端相连；电容C9的另一端与电感L3的一端和反馈网络的第三端相连；电阻R13的另一端与电感L3的另一端和电感L4的一端相连；电容C10的另一端与电感L4的另一端和反馈网络的第四端相连。
进一步地，所述输出匹配网络包括：电容C11、电容C12和电感L5，所述电容C11的一端与电感L5的一端和输出匹配网络的第一端相连；所述电容C11的另一端与输出匹配网络的第二端相连；所述电感L5的另一端与电容C12的一端和输出匹配电路的第三端相连；；所述电容C12的另一端接地。
本发明至少具有以下有益效果
本发明采用Cascode放大单元架构，采用电阻和电容串联的负反馈结构提升放大器电路整体的增益及稳定性，在放大器的偏置网络和反馈网络采用电阻、电容、电感等元件构成的电路单元提供补偿，有效提升放大器的二次谐波抑制等线性度指标；此外，本发明采用偏置网络A构成的温度稳定性电路结构，保证了整体电路随温度变化情况下的电参数性能。偏置网络B采用电阻和电容电路结构有效抑制输出二次谐波输出功率，两种偏置网络中的电容和电感进行宽带的匹配和优化，以满足线性度和稳定性指标，在很宽的频带内获得很好的功率特性、输入输出匹配特性及全频段的稳定性，本发明在5V电源电压下，电流80mA，在100MHz到4GHz带宽范围内，输出二阶交调点功率保持在48dBm以上，输出1dB压缩点功率可达到18dBm左右、输出三阶交调点功率可达到25dBm左右，噪声系数在1dB左右，在很宽的频率范围内实现高二次谐波抑制度，也就是高输出二阶交调点功率及其他高线性度的指标，同时宽带放大器电路全频段稳定。
附图说明
图1为本发明宽带放大器的整体结构图；
图2为本发明输入匹配网络的电路结构图；
图3为本发明偏置网络A的电路结构图；
图4为本发明偏置网络B的电路结构图；
图5为本发明反馈网络的电路结构图；
图6为本发明放大电路的电路结构图；
图7为本发明输出匹配网络的电路结构图；
图8为本发明功率增益参数示意图；
图9为本发明输出1dB压缩点功率参数示意图；
图10为本发明输出三阶交调点功率参数示意图；
图11为本发明输出二阶交调点功率参数示意图；
图12为本发明噪声系数参数示意图；
图13为本发明稳定因子参数示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
其中，附图仅用于示例性说明，表示的仅是示意图，而非实物图，不能理解为对本发明的限制；为了更好地说明本发明的实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
本发明实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本发明的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本发明的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
请参阅图1，本发明提供一种提升二次谐波抑制的高线性度宽带放大器，包括：输入匹配网络、放大电路、偏置网络A、偏置网络B、反馈网络和输出匹配网络；所述输入匹配网络的第一端与高线性度宽带放大器的输入端连接；所述输入匹配网络的第二端与反馈网络的第一端、偏置网络A的第一端和放大电路的第一端连接；所述放大电路的第二端与偏置网络B的第二端连接，所述放大电路的第三端与反馈网络的第三端连接；所述偏置网络A的第二端与偏置网络B的第一端连接，所述偏置网络B的第三端与反馈网络的第二端相连；所述反馈网络的第四端与输出匹配网络的第一端相连，所述输出匹配网络的第三端与电源端相连；所述输出匹配网络的第二端与高线性度宽带放大器的输出端相连。
本实施例提供的一种提升二次谐波抑制的高线性度宽带放大器，包括：输入匹配网络、放大电路、偏置网络A、偏置网络B、反馈网络和输出匹配网络；
请参阅图2，优选地，一种输入匹配网络的实施方式包括：
所述输入匹配网络包括：电容C1，所述电容C1的一端与输入匹配网络的第1端(即输入匹配网络的输入端)相连，所述电容C1的另一端与输入匹配网络的第2端(即输入匹配网络的输出端)相连。所述输入匹配网络的第1端与高线性度宽带放大器的输入端连接，用于输入信号。该输入匹配网络用于放大电路的输入级端口匹配，保证放大器输入端口良好的输入回波损耗指标，并提供隔直作用。
请参阅图3，优选地，一种偏置网络A的实施方式包括：
所述偏置网络A包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5、晶体管M6、晶体管M7、电容C2和电感L2；
所述电感L2的一端与偏置网络A的第1端相连，所述电感L2的另一端与电阻R1的一端和电阻R2的一端相连；所述电阻R1的另一端与电容C2的一端、晶体管M4的漏极、晶体管M4的源极和晶体管M3的栅极相连；所述电容C2的另一端接地；所述晶体管M4的栅极接地；所述晶体管M3的源极接地，所述晶体管M3的漏极与晶体管M5的源极、晶体管M6的栅极和晶体管M7的漏极和晶体管M7的源极相连；所述晶体管M5的栅极与晶体管M5的漏极、电阻R4的一端和电阻R5的一端相连；所述电阻R5的另一端与偏置网络A的第2端相连；所述电阻R4的另一端与晶体管M6的漏极相连；所述晶体管M6的源极与电阻R2的另一端、电阻R3的一端和晶体管M7的栅极相连；所述电阻R3的另一端接地。在本实施例中偏置网络A构成的温度稳定性电路结构，保证了整体电路随温度变化情况下的电参数性能，同时该偏置网络A用于为放大电路的晶体管M1提供偏置电压；
请参阅图4，优选地，一种偏置网络B的实施方式包括：电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6和电容C7；
所述电阻R6的一端和电容C4的一端与偏置网络B的第2端相连；所述电阻R6的另一端与电容C4的另一端、电容C3的一端和电阻R7的一端相连；所述电容C3的另一端接地；电阻R7的另一端与电阻R8的一端和偏置网络B的第1端相连；电阻R8的另一端与电阻R9的一端和电容C5的一端相连；电容C5的另一端接地；电阻R9的另一端与电阻R10的一端和电容C6的一端相连；电容C6的另一端接地；电阻R10的另一端与电阻R11的一端和电容C7的一端相连；电容C7的另一端接地；电阻R11的另一端与偏置网络B的第3端相连。偏置网络B采用电阻和电容电路结构有效抑制输出二次谐波输出功率，同时该偏置网络B用于为放大电路的晶体管M2提供偏置电压。
请参阅图5，优选地，一种反馈网络的实施方式包括：电阻R12、电阻R13、电容C8、电容C9、电容C10、电感L3和电感L4；
电容C8的一端与反馈网络的第1端相连；电容C8的另一端与电阻R12的一端相连；电阻R12的另一端与电容C9的一端、电阻R13的一端、电容C10的一端和反馈网络的第2端相连；电容C9的另一端与电感L3的一端和反馈网络的第3端相连；电阻R13的另一端与电感L3的另一端和电感L4的一端相连；电容C10的另一端与电感L4的另一端和反馈网络的第4端相连。反馈网络提供负反馈结构，提升放大器的带宽及线性度指标。
请参阅图6，优选地，一种放大电路的实施方式包括：晶体管M1、晶体管M2和电感L1；
所述晶体管M1的栅极与放大电路的第1端相连，所述晶体管M1的源极与电感L1的一端相连，所述电感L1的另一端接地；所述晶体管M1的漏极与晶体管M2的源极相连；所述晶体管M2的栅极与放大电路的第2端相连，所述晶体管M2的漏极与放大电路的第三端相连。该放大电路对输入端的射频信号进行放大，提供足够的功率增益、高线性度的输出特性，同时提供较低的噪声系数。
请参阅图7，优选地，一种输出匹配网络的实施方式包括：电容C11、电容C12和电感L5，所述电容C11的一端与电感L5的一端和输出匹配网络的第1端相连；所述电容C11的另一端与输出匹配网络的第2端相连；所述电感L5的另一端与电容C12的一端和输出匹配电路的第3端相连；所述电容C12的另一端接地。该输出匹配网络用于放大电路的输出端口匹配，保证放大器输出端口具有良好的输出回波损耗，并提供电源端扼流和滤波，同时提供隔直作用。
作为一种优选的实施方式，在上述的实施例中的晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5、晶体管M6和晶体管M7为相同型号的晶体管，且晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5、晶体管M6和晶体管M7的型号为GaAs E-pHEMT、GaN E-pHEMT、RF CMOS的NMOS中的一种，其中，晶体管M4和晶体管M7型号可以采用相应的肖特基二极管替代。
本发明的工作原理如下：
场效应晶体管M1、场效应晶体管M2组成Cascode结构单元，电阻R12和电容C8构成负反馈结构提升带宽，电感L1构成放大结构的源级负反馈，保证电路高频的功率特性，场效应晶体管M3、场效应晶体管M4、场效应晶体管M5、场效应晶体管M6、场效应晶体管M7构成的偏置电路A为场效应晶体管M1提供偏置电压，同时能够保证温度的稳定性。电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电容C3、电容C5、电容C6、电容C7构成的偏置电路B结构有助于抑制二次谐波，同时也提供场效应晶体管M2的栅极偏置电压，电阻R6、电容C4构成的结构提升整体电路的稳定性。电阻R13、电容C9、电容C10、电感L3、电感L4引入高频补偿，提升放大电路的线性度。电容C1构成输入匹配网络，保证电路良好的输入匹配特性。电容C11、电感L5构成放大电路的输出匹配网络，保证电路良好的输入匹配特性，电容C12对电源进行滤波。整个宽带放大器输入和输出端采用电容和电感进行了匹配，保证电路良好的输入和输出匹配特性，同时通过引入高频的补偿及电阻和电容的负反馈，提升宽带放大器电路的二次谐波抑制度及其他线性度指标。
如图8、9、10、11、12、13所示，在5V电源电压下，电流80mA，在100MHz到4GHz带宽范围内，放大器功率增益保持在16dB以上，输出二阶交调点功率保持在48dBm以上，输出1dB压缩点功率可达到18dBm左右、输出三阶交调点功率可达到25dBm左右，噪声系数在1dB左右，在很宽的频率范围内实现高二次谐波抑制度，也就是高输出二阶交调点功率及其他高线性度的指标，同时通过放大器稳定因子参数示意图，看出宽带放大器电路全频段稳定。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
最后说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

Claims (9)

1.一种提升二次谐波抑制的高线性度宽带放大器，其特征在于，包括：输入匹配网络、放大电路、偏置网络A、偏置网络B、反馈网络和输出匹配网络；
所述输入匹配网络的第一端与高线性度宽带放大器的输入端连接；所述输入匹配网络的第二端与反馈网络的第一端、偏置网络A的第一端和放大电路的第一端连接；
所述放大电路的第二端与偏置网络B的第二端连接，所述放大电路的第三端与反馈网络的第三端连接；
所述偏置网络A的第二端与偏置网络B的第一端连接，所述偏置网络B的第三端与反馈网络的第二端相连；
所述反馈网络的第四端与输出匹配网络的第一端相连，所述输出匹配网络的第三端与电源端相连；所述输出匹配网络的第二端与高线性度宽带放大器的输出端相连。
2.根据权利要求1所述的一种提升二次谐波抑制的高线性度宽带放大器，其特征在于，所述输入匹配网络包括：电容C1，所述电容C1的一端与输入匹配网络的第一端相连，所述电容C1的另一端与输入匹配网络的第二端相连。
3.根据权利要求1所述的一种提升二次谐波抑制的高线性度宽带放大器，其特征在于，所述放大电路包括：晶体管M1、晶体管M2和电感L1；
所述晶体管M1的栅极与放大电路的第一端相连，所述晶体管M1的源极与电感L1的一端相连，所述电感L1的另一端接地；所述晶体管M1的漏极与晶体管M2的源极相连；所述晶体管M2的栅极与放大电路的第二端相连，所述晶体管M2的漏极与放大电路的第三端相连。
4.根据权利要求1所述的一种提升二次谐波抑制的高线性度宽带放大器，其特征在于，晶体管M1和晶体管M2的型号为GaAs E-pHEMT、GaN E-pHEMT、RF CMOS的NMOS管中的一种。
5.根据权利要求1所述的一种提升二次谐波抑制的高线性度宽带放大器，其特征在于，所述偏置网络A包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5、晶体管M6、晶体管M7、电容C2和电感L2；
所述电感L2的一端与偏置网络A的第一端相连，所述电感L2的另一端与电阻R1的一端和电阻R2的一端相连；所述电阻R1的另一端与电容C2的一端、晶体管M4的漏极、晶体管M4的源极和晶体管M3的栅极相连；所述电容C2的另一端接地；所述晶体管M4的栅极接地；所述晶体管M3的源极接地，所述晶体管M3的漏极与晶体管M5的源极、晶体管M6的栅极和晶体管M7的漏极和晶体管M7的源极相连；所述晶体管M5的栅极与晶体管M5的漏极、电阻R4的一端和电阻R5的一端相连；所述电阻R5的另一端与偏置网络A的第二端相连；所述电阻R4的另一端与晶体管M6的漏极相连；所述晶体管M6的源极与电阻R2的另一端、电阻R3的一端和晶体管M7的栅极相连；所述电阻R3的另一端接地。
6.根据权利要求1所述的一种提升二次谐波抑制的高线性度宽带放大器，其特征在于，所述晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5、晶体管M6、晶体管M7的型号为GaAs E-pHEMT、GaN E-pHEMT、RF CMOS的NMOS管中的一种。
7.根据权利要求1所述的一种提升二次谐波抑制的高线性度宽带放大器，其特征在于，所述偏置网络B包括：电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6和电容C7；
所述电阻R6的一端和电容C4的一端与偏置网络B的第二端相连；所述电阻R6的另一端与电容C4的另一端、电容C3的一端和电阻R7的一端相连；所述电容C3的另一端接地；电阻R7的另一端与电阻R8的一端和偏置网络B的第一端相连；电阻R8的另一端与电阻R9的一端和电容C5的一端相连；电容C5的另一端接地；电阻R9的另一端与电阻R10的一端和电容C6的一端相连；电容C6的另一端接地；电阻R10的另一端与电阻R11的一端和电容C7的一端相连；电容C7的另一端接地；电阻R11的另一端与偏置网络B的第三端相连。
8.根据权利要求1所述的一种提升二次谐波抑制的高线性度宽带放大器，其特征在于，所述反馈网络包括：电阻R12、电阻R13、电容C8、电容C9、电容C10、电感L3和电感L4；
电容C8的一端与反馈网络的第一端相连；电容C8的另一端与电阻R12的一端相连；电阻R12的另一端与电容C9的一端、电阻R13的一端、电容C10的一端和反馈网络的第二端相连；电容C9的另一端与电感L3的一端和反馈网络的第三端相连；电阻R13的另一端与电感L3的另一端和电感L4的一端相连；电容C10的另一端与电感L4的另一端和反馈网络的第四端相连。
9.根据权利要求1所述的一种提升二次谐波抑制的高线性度宽带放大器，其特征在于，所述输出匹配网络包括：电容C11、电容C12和电感L5，所述电容C11的一端与电感L5的一端和输出匹配网络的第一端相连；所述电容C11的另一端与输出匹配网络的第二端相连；所述电感L5的另一端与电容C12的一端和输出匹配电路的第三端相连；所述电容C12的另一端接地。
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